JP3883359B2 - 発振器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発振信号を出力する発振回路と発振信号を増幅するための増幅回路とからなる発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の発振器を図5に示す。発振回路31はコレクタ接地型の発振回路を構成し、発振トランジスタ32のコレクタにはチョークインダクタ33を介して電源電圧Vbが印加され、エミッタは抵抗34によってグランドに接続される。また、コレクタはバイパスコンデンサ35によって高周波的に接地される。ベースにはバイアス抵抗36、37によってバイアス電圧が印加される。
さらに、ベースとエミッタ間及びエミッタとグランド間にはそれぞれ帰還コンデンサ38、39が接続される。
【0003】
そして、発振トランジスタ32のベースとグランドとの間に発振周波数を決めるための共振回路40が接続される。共振回路40は一端が接地されたマイクロストリップライン40a、アノードが接地されたバラクタダイオード40b等を有し、バラクタダイオード40bのカソードにはチョークインダクタ41を介して制御電圧Vtが印加される。この制御電圧を変えることによって発振周波数が変わる。発振信号は発振トランジスタ32のエミッタから出力される。
【0004】
増幅回路51はエミッタ接地型の増幅回路を構成し、増幅トランジスタ52のコレクタにはチョークインダクタ53を介して電源電圧が印加され、エミッタは抵抗54とバイパスコンデンサ55との並列回路によってグランドに接続される。また、ベースにはバイアス抵抗56、57によってバイアス電圧が印加される。
コレクタとグランドとの間に接続されるコンデンサ58はチョークインダクタと並列共振回路を構成する。
【0005】
そして、発振トランジスタ32のエミッタから出力される発振信号が結合コンデンサ59を介して増幅トランジスタ52のベースに入力される。発振信号は増幅トランジスタ52のコレクタから出力される。コレクタに接続されているチョークインダクタ53とコンデンサ58とによる共振周波数は発振信号の周波数にほぼ一致させているので、発振信号を効率よく出力することが出来る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
以上の構成では、発振トランジスタ31と増幅トランジスタ51との各ベースとエミッタにそれぞれに独立してバイアス電圧を印加するため、多数の抵抗(6個)を使用している。このため、部品費の削減と小型化を阻害していた。
【0007】
また、この問題を解決手段として、発振トランジスタと増幅トランジスタとを電源に対してカスケード接続し、バイアス回路を簡約する構成が知られているが、この構成では各トランジスタのこれくた、エミッタ間に印加される電圧の低下をきたし発振信号のC/Nが低下するという問題があった。
【0008】
そこで、本発明の発振器は、発振トランジスタと増幅トランジスタの各ベースにバイアス電圧を印加するための回路を簡素化して部品点数を削減することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題の解決のため、本発明による発振器では、発振トランジスタを有する発振回路と、増幅トランジスタを有するとともに、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する増幅回路とを備え、前記発振トランジスタは、そのコレクタと基準電位点との間に発振周波数を設定する共振回路が接続され、前記発振トランジスタ及び前記増幅トランジスタは、それらのベース及びエミッタがそれぞれ共通接続され、共通接続したベースに同一のベースバイアス電圧を印加して前記発振トランジスタ及び前記増幅トランジスタをそれぞれベース接地型式で動作させるとともに、共通接続したエミッタと基準電位点との間に抵抗を接続し、前記発振トランジスタのエミッタから出力される発振信号を前記増幅トランジスタのエミッタに直接供給するようにした。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明による実施の形態を図1を用いて説明する。図1において、発振回路1はベース接地型の発振回路を構成し、発振トランジスタ2のベースはバイパスコンデンサ3によって高周波的に接地される。コレクタにはチョークインダクタ4を介して電源電圧Vbが印加され、エミッタは抵抗5によってクランドに接続される。また、ベースには電源電圧Vbをバイアス抵抗6、7によって分圧した電圧がバイアス電圧として印加される。
さらに、コレクタとエミッタ間及びエミッタとグランド間にはそれぞれ帰還コンデンサ8、9が接続される。
【0016】
そして、発振トランジスタ2のコレクタとグランドとの間に発振周波数を決めるための共振回路10が接続される。共振回路10は一端が接地されたマイクロストリップライン10a、アノードが接地されたバラクタダイオード10b等を有し、バラクタダイオード10bのカソードにはチョークインダクタ11を介して制御電圧Vtが印加される。この制御電圧を変えることによって発振周波数が変わる。発振信号は発振トランジスタ2のエミッタから出力される。
【0017】
増幅回路21はエミッタ接地型の増幅回路を構成し、増幅トランジスタ22のベースは発振トランジスタ2のベースに直接接続される。また、エミッタも発振トランジスタ2のエミッタに直接接続される。そして、コレクタにはチョークインダクタ23を介して電源電圧が印加され、コレクタとグランドとの間にコンデンサ24が接続される。コンデンサ24はチョークインダクタ23とともに並列共振回路を構成し、その共振周波数は発振信号の周波数にほぼ一致させている。
【0018】
この結果、発振トランジスタ21のベースと増幅トランジスタ22のベースとにはバイアス抵抗6、7によって共通のバイアス電圧が印加され、また、各エミッタは共通の抵抗5によってグランドに接続される。そして、発振トランジスタ2のエミッタから出力される発振信号が直接増幅トランジスタ22のエミッタに入力される。発振信号は増幅トランジスタ22のコレクタから出力される。コレクタに接続されているチョークインダクタ23とコンデンサ24とによる共振周波数は発振信号の周波数にほぼ一致させているので、発振信号を効率よく出力することが出来る。
【0019】
上記の構成では、発振トランジスタ2と増幅トランジスタ22との各ベース、エミッタに対して共通のバイアス電圧が印加され、しかも、発振信号を増幅トランジスタ22に入力するための結合コンデンサ等も省略できるので、使用する部品点数を大幅に削減できる。
【0020】
上記実施の形態においては、発振トランジスタ2のコレクタ電流と増幅トランジスタ22のコレクタ電流とはそれぞれのトランジスタの電流増幅率に依存して決定されるので、各トランジスタ2、22のコレクタ電流を自由に変更することが出来ない。そこで、図2に示すような構成手段、すなわち、発振トランジスタ2のエミッタと増幅トランジスタ22のエミッタとを結合コンデンサ25によって接続し、さらに、増幅トランジスタ22のエミッタを抵抗26によってグランドに接続した発振器が考えられる。しかし、この構成手段は、ベースに共通のバイアス電圧を印加するようにしているので、ある程度の部品点数の削減は可能であるが、上記実施の形態の発振器に比べると、結合コンデンサ25と抵抗26という余分な部品が必要になるので、上記実施の形態の発振器の部品点数の削減効果には及ばない。
【0021】
また、図3及び図4は、上記実施の形態の発振器の構成を一部変更したものであって、上記実施の形態の発振器との比較のために挙げたものであり、図2に図示の発振器と同様に、上記実施の形態の発振器の部品点数の削減効果には及ばないものである。
図3に示す構成は発振回路1の発振トランジスタ2をコレクタ接地型、増幅回路21の増幅トランジスタ22をエミッタ接地型としたものである。従って、共振回路10は発振トランジスタ2のベースに接続される。また、発振トランジスタ2のコレクタはバイパスコンデンサ12によって高周波的に接地され、増幅トランジスタ22のエミッタはバイパスコンデンサ27によって高周波的に接地される。さらに、帰還コンデンサ8は発振トランジスタ2のエミッタとグランドとの間に接続され、帰還コンデンサ9はベースとエミッタとの間に接続される。そして、発振トランジスタ2のベースと増幅トランジスタ22のベースとがインダクタンス素子28によって互いに接続される。インダクタンス素子28は結合用のもあって、発振信号はインダクタンス素子28を介して発振トランジスタ2のベースから増幅トランジスタ22のベースに入力される。
【0022】
図3の構成では、インダクタンス素子28の値を適宜に設定すれば、高調波を減衰した状態で増幅トランジスタ22のベースに発振信号を入力することが出来る。
【0023】
図4に示す構成は発振トランジスタ2のエミッタから発振信号を出力して増幅トランジスタ22のベースに入力するものである。そのために、発振トランジスタ2のエミッタと増幅トランジスタ22のべーとを結合コンデンサ29によって互いに接続している。この場合は、発振トランジスタ2のベースと増幅トランジスタ22のベースとの間を高周波的に互いに絶縁する必要があるので、インダクタンス素子28がチョークインダクタとしての機能を果たすように、そのインダクタンス値を大きくする。
【0024】
【発明の効果】
以上のように、本発明の発振器では、発振トランジスタを有する発振回路と、増幅トランジスタを有すると共に、発振回路から出力される発振信号を増幅する増幅回路とを備え、発振トランジスタのベースと増幅トランジスタのベースとに共通のバイアス電圧を印加したので、各ベースにバイアス電圧を印加するための回路を共通化することができ、部品点数及び部品費の削減と小型化が図れる。
【0025】
また、発振トランジスタのベースと増幅トランジスタのベースとを高周波的に接地したので、接地するためのコンデンサを共通化できる。従って、ベース接地型の発振回路とベース接地型の増幅回路とを組み合わせることで、一層、部品点数及び部品費の削減と小型化が図れる。
【0026】
また、発振トランジスタのエミッタと増幅トランジスタのエミッタとを互いに直接接続し、各エミッタを共通の抵抗を介して接地したので、部品点数はさらに少なくすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の発振器の実施の形態に係る構成を示す回路図である。
【図2】 図1に図示の発振器と比較する一つの発振器の構成を示す回路図である。
【図3】 図1に図示の発振器と比較する他の一つの発振器の構成を示す回路図である。
【図4】 図1に図示の発振器と比較するさらに他の一つの発振器の構成を示す回路図である。
【図5】 従来の発振器の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1 発振回路
2 発振トランジスタ
3 バイパスコンデンサ
4 チョークインダクタ
5 抵抗
6、7 バイアス抵抗
8、9 帰還コンデンサ
10 共振回路
11 チョークインダクタ
12 バイパスコンデンサ
21 増幅回路
22 増幅トランジスタ
23 チョークインダクタ
24 コンデンサ
25 結合コンデンサ
26 抵抗
27 バイパスコンデンサ
28 インダクタンス素子
29 結合コンデンサ
Claims (1)
- 発振トランジスタを有する発振回路と、増幅トランジスタを有するとともに、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する増幅回路とを備え、前記発振トランジスタは、そのコレクタと基準電位点との間に発振周波数を設定する共振回路が接続され、前記発振トランジスタ及び前記増幅トランジスタは、それらのベース及びエミッタがそれぞれ共通接続され、共通接続したベースに同一のベースバイアス電圧を印加して前記発振トランジスタ及び前記増幅トランジスタをそれぞれベース接地型式で動作させるとともに、共通接続したエミッタと基準電位点との間に抵抗を接続し、前記発振トランジスタのエミッタから出力される発振信号を前記増幅トランジスタのエミッタに直接供給するようにしたことを特徴とする発振器。
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