JPH0275206A - 高c/n発振回路 - Google Patents
高c/n発振回路Info
- Publication number
- JPH0275206A JPH0275206A JP22715588A JP22715588A JPH0275206A JP H0275206 A JPH0275206 A JP H0275206A JP 22715588 A JP22715588 A JP 22715588A JP 22715588 A JP22715588 A JP 22715588A JP H0275206 A JPH0275206 A JP H0275206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- low frequency
- low
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- oscillation
- Prior art date
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- Granted
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高周波発振回路に係わり、特に無線電信電話装
置等のPLLのVCOに適する発振回路に関する。
置等のPLLのVCOに適する発振回路に関する。
(従来の技術)
高周波発振回路の一例を第2図に示す。第2図の回路は
変形コルピッツ発振回路で、発振周波数において、Ll
、C+の直列回路は誘導性、Lz。
変形コルピッツ発振回路で、発振周波数において、Ll
、C+の直列回路は誘導性、Lz。
C3の並列回路は容量性となる。またC9はトランジス
タTRIのコレクタを高周波的に接地し、C6は次段へ
発振出力を結合する。
タTRIのコレクタを高周波的に接地し、C6は次段へ
発振出力を結合する。
このような発振回路ではトランジスタTRIの内部に発
生、又は入力側(ベース側)に誘導する低周波雑音成分
によりC/Nは劣化する。高C/N化を画るために従来
採られていた手段には、(1)同調素子に高Qの素子の
使用(2)トランジスタ等の能動素子の動作電流を増大
(3)トランジスタのヘースにチョークコイルを付設等
があった。
生、又は入力側(ベース側)に誘導する低周波雑音成分
によりC/Nは劣化する。高C/N化を画るために従来
採られていた手段には、(1)同調素子に高Qの素子の
使用(2)トランジスタ等の能動素子の動作電流を増大
(3)トランジスタのヘースにチョークコイルを付設等
があった。
(発明が解決しようとする課題)
しかし乍ら、高Qの素子特に空心コイルの径を大、又は
コアの挿入またチョークコイルの付設等の手段では回路
の小形化が得難く、トランジスタ等に大きな電流を流す
ことは低消費電流化の点及びコストの点から問題がある
。
コアの挿入またチョークコイルの付設等の手段では回路
の小形化が得難く、トランジスタ等に大きな電流を流す
ことは低消費電流化の点及びコストの点から問題がある
。
(課題を解決するための手段)
本発明はこれらの課題を解決するため、高周波発振回路
の出力側から入力側へ、逆位相の入出力特性を有しかつ
低周波通過機能と高周波阻止機能を有する低周波増幅器
を順方向に接続して高周波の発振に影響のないように構
成し、負帰還により低周波雑音成分を打ち消して発振回
路の高C/N化。
の出力側から入力側へ、逆位相の入出力特性を有しかつ
低周波通過機能と高周波阻止機能を有する低周波増幅器
を順方向に接続して高周波の発振に影響のないように構
成し、負帰還により低周波雑音成分を打ち消して発振回
路の高C/N化。
を画ったもので、以下実施例につき図面により詳細に説
明する。
明する。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例を示す回路図で、第2図の従
来例に本発明を適用したものである。
来例に本発明を適用したものである。
■はLPFとなる低周波増幅回路、01〜C6は固定コ
ンデンサ、Ll、L2はコイル、R1−R3は固定抵抗
器、TRIはトランジスタである。
ンデンサ、Ll、L2はコイル、R1−R3は固定抵抗
器、TRIはトランジスタである。
同図において、TRIのベース側に誘導された雑音成分
およびトランジスタ内部にて発生した雑音成分によるエ
ミッタ電流分を11とすれば、出力の雑音成分の電圧は
i、R3となる。
およびトランジスタ内部にて発生した雑音成分によるエ
ミッタ電流分を11とすれば、出力の雑音成分の電圧は
i、R3となる。
周波数
ここで低周波増幅回路1の利得をGとし、TRIの雑音
成分の入力インピーダンスはR+ f R2と較べて充
分大きいとすれば、TRIに出力される雑音り、低周波
増幅回路1の入出力の位相が反転するように接続すれば
、TRIの雑音成分の電流は、低周波増幅回路1から出
力される雑音成分の電流によって打消され、等価的にT
R1の雑音成分の電流は流れなくなる。但し、低周波増
幅回路1の低周波におけるNFは充分に小さいものとす
る。
成分の入力インピーダンスはR+ f R2と較べて充
分大きいとすれば、TRIに出力される雑音り、低周波
増幅回路1の入出力の位相が反転するように接続すれば
、TRIの雑音成分の電流は、低周波増幅回路1から出
力される雑音成分の電流によって打消され、等価的にT
R1の雑音成分の電流は流れなくなる。但し、低周波増
幅回路1の低周波におけるNFは充分に小さいものとす
る。
これによりC/Nの良い発振回路となる。
(低周波増幅回路書1のf。における出力インピーダン
ス+112) >> CfoにおけるTRIの入力イン
ピーダンス)、C,、>> C3,(低周波増幅回路1
のf、における利得)〈1となっているため、C/N改
善のために付加された低周波増幅回路t、C,。
ス+112) >> CfoにおけるTRIの入力イン
ピーダンス)、C,、>> C3,(低周波増幅回路1
のf、における利得)〈1となっているため、C/N改
善のために付加された低周波増幅回路t、C,。
R2,R3は発振周波数f。においては殆んど影響のな
いものとなっている。また、低周波増幅回路Iは低周波
成分のみ増幅すれば良く、その電力も非常に小さいので
その消費電流は小さく無視できる。
いものとなっている。また、低周波増幅回路Iは低周波
成分のみ増幅すれば良く、その電力も非常に小さいので
その消費電流は小さく無視できる。
なお、この実施例に限らず、本発明は設計上LPFを高
周波の発振に影響しないように構成することにより他の
型の発振回路に適用できる。
周波の発振に影響しないように構成することにより他の
型の発振回路に適用できる。
ができる。
(発明の効果)
以上説明したように、C/Nの改善を半導体回路で形成
できるため発振回路を含めたIC化が可能となる。従っ
て小形、低消費電流、低価格の高C/N発振回路が可能
となる。また、直流信号も帰還されるためバイアスの安
定化にもなる。
できるため発振回路を含めたIC化が可能となる。従っ
て小形、低消費電流、低価格の高C/N発振回路が可能
となる。また、直流信号も帰還されるためバイアスの安
定化にもなる。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図で第2図は従来
例である。 1・・・低周波増幅回路、C1〜C4・・・固定コンデ
ンサ、Ll、L2・・・高周波コイル、R4−R4・・
・固定抵抗、TR1・・・トランジスタ。
例である。 1・・・低周波増幅回路、C1〜C4・・・固定コンデ
ンサ、Ll、L2・・・高周波コイル、R4−R4・・
・固定抵抗、TR1・・・トランジスタ。
Claims (1)
- 高周波発振回路の出力側から入力側へ逆位相の入出力特
性を有する低周波LPFを接続し、前記発振回路の出力
に流れる低周波電流を該LPFを通して負帰還を行うよ
うに構成したことを特徴とする高C/N発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22715588A JPH0666583B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 高c/n発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22715588A JPH0666583B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 高c/n発振回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0275206A true JPH0275206A (ja) | 1990-03-14 |
JPH0666583B2 JPH0666583B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16856358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22715588A Expired - Lifetime JPH0666583B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 高c/n発振回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0666583B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2749112A1 (fr) * | 1996-05-23 | 1997-11-28 | Sennheiser Electronic | Circuit oscillateur |
JP2014512155A (ja) * | 2011-04-18 | 2014-05-19 | レイセオン カンパニー | 低ノイズ発振器 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22715588A patent/JPH0666583B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2749112A1 (fr) * | 1996-05-23 | 1997-11-28 | Sennheiser Electronic | Circuit oscillateur |
JP2014512155A (ja) * | 2011-04-18 | 2014-05-19 | レイセオン カンパニー | 低ノイズ発振器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0666583B2 (ja) | 1994-08-24 |
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