JP2815575B2 - 集積マイクロ波シリコンモジュール - Google Patents
集積マイクロ波シリコンモジュールInfo
- Publication number
- JP2815575B2 JP2815575B2 JP8272935A JP27293596A JP2815575B2 JP 2815575 B2 JP2815575 B2 JP 2815575B2 JP 8272935 A JP8272935 A JP 8272935A JP 27293596 A JP27293596 A JP 27293596A JP 2815575 B2 JP2815575 B2 JP 2815575B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- output terminal
- circuit output
- integrated microwave
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/20—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
- H03B5/24—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタ回路
を備えた集積マイクロ波シリコンモジュールに関する。
を備えた集積マイクロ波シリコンモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】多数の種々異なったシリコンＭＭＩＣ
（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ＝マイクロ波モノリシ
ック集積回路）モジュールが知られている。このモジュ
ールにおいては、それぞれの用途のために、多かれ少な
かれ複雑に構成されそれぞれの目的に整合させられる新
しいモジュールのデザインの開発が一般的に行われてい
る。
（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ＝マイクロ波モノリシ
ック集積回路）モジュールが知られている。このモジュ
ールにおいては、それぞれの用途のために、多かれ少な
かれ複雑に構成されそれぞれの目的に整合させられる新
しいモジュールのデザインの開発が一般的に行われてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、多方
面に使用可能でありかつ特に有利なデザインを特徴とす
る冒頭で述べた種類のモジュールを提供することにあ
る。
面に使用可能でありかつ特に有利なデザインを特徴とす
る冒頭で述べた種類のモジュールを提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、第１のトランジスタのベースが回路入力端子に接続
され、第２のトランジスタのベースは第１のトランジス
タのコレクタに接続され、第２のトランジスタのエミッ
タは第１の回路出力端子に接続され、第１のトランジス
タのコレクタは抵抗を介して第２の回路出力端子に接続
され、第１のトランジスタのエミッタは抵抗を介して第
２のトランジスタのエミッタに接続され、それぞれ抵抗
が第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのベース
及びコレクタに接続され、下側電位が第１のトランジス
タのエミッタに印加され、上側電位が第２のトランジス
タのコレクタに印加されるようにすることによって解決
される。
ば、第１のトランジスタのベースが回路入力端子に接続
され、第２のトランジスタのベースは第１のトランジス
タのコレクタに接続され、第２のトランジスタのエミッ
タは第１の回路出力端子に接続され、第１のトランジス
タのコレクタは抵抗を介して第２の回路出力端子に接続
され、第１のトランジスタのエミッタは抵抗を介して第
２のトランジスタのエミッタに接続され、それぞれ抵抗
が第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのベース
及びコレクタに接続され、下側電位が第１のトランジス
タのエミッタに印加され、上側電位が第２のトランジス
タのコレクタに印加されるようにすることによって解決
される。
【０００５】本発明の有利な実施態様は請求項２以降に
記載されている。
記載されている。
【０００６】本発明による回路デザインによって、先ず
第１にノイズの少ない５０オーム広帯域増幅器として使
用することができ、しかも発振器又はミキサとしても使
用することができる万能的に使用可能なモジュールが製
作される。さらに多方面への用途及び有利な回路デサイ
ンによって、マスクのレイアウト及び試験技術に関して
高いコストの節約が達成される。利用者の要求に応じ
て、このモジュールに対する多数の応用が可能になる。
第１にノイズの少ない５０オーム広帯域増幅器として使
用することができ、しかも発振器又はミキサとしても使
用することができる万能的に使用可能なモジュールが製
作される。さらに多方面への用途及び有利な回路デサイ
ンによって、マスクのレイアウト及び試験技術に関して
高いコストの節約が達成される。利用者の要求に応じ
て、このモジュールに対する多数の応用が可能になる。
【０００７】他の利点は、モジュールを寸法の小さいマ
イクロ波プラスチックケース内にカプセル化できる点で
ある。モジュールの本発明によるデザインによって、種
々の用途においても僅かな個数の外部素子が必要とされ
るだけになる。
イクロ波プラスチックケース内にカプセル化できる点で
ある。モジュールの本発明によるデザインによって、種
々の用途においても僅かな個数の外部素子が必要とされ
るだけになる。
【０００８】本発明の優れた実施態様によれば、ＲＣ素
子が第１のトランジスタのベース−コレクタ間に接続さ
れる。このようにして入力整合の改善が図られる。
子が第１のトランジスタのベース−コレクタ間に接続さ
れる。このようにして入力整合の改善が図られる。
【０００９】第１の回路出力端子と第２の回路出力端子
とを容量によって接続することにより、回路出力端子を
相互接続したノイズの少ない広帯域増幅器を簡単に構成
することができる。このような増幅器を構成するための
他の方法は、第１の回路出力端子に抵抗を接続し、この
抵抗で増幅された高周波を取出すことにある。同様に第
２の回路出力端子から補助抵抗を介して増幅された高周
波信号を取出すことによって、ノイズの少ない広帯域増
幅器を有利な方法で得ることができる。
とを容量によって接続することにより、回路出力端子を
相互接続したノイズの少ない広帯域増幅器を簡単に構成
することができる。このような増幅器を構成するための
他の方法は、第１の回路出力端子に抵抗を接続し、この
抵抗で増幅された高周波を取出すことにある。同様に第
２の回路出力端子から補助抵抗を介して増幅された高周
波信号を取出すことによって、ノイズの少ない広帯域増
幅器を有利な方法で得ることができる。
【００１０】他の優れた応用では、本発明によるモジュ
ールはミキサとして使用することができる。その場合局
部発振器が第１の回路出力端子で給電される。上側電位
の取出点は整合回路網を介して中間周波数が取出され、
コイルを介してバイアスが印加される。
ールはミキサとして使用することができる。その場合局
部発振器が第１の回路出力端子で給電される。上側電位
の取出点は整合回路網を介して中間周波数が取出され、
コイルを介してバイアスが印加される。
【００１１】発振器への応用は本発明にるモジュールを
用いて同様に可能である。その場合第２の回路出力端子
を介して回路入力端子への帰還が行われ、第１の回路出
力端子からコンデンサを介して発振器出力が取出され
る。
用いて同様に可能である。その場合第２の回路出力端子
を介して回路入力端子への帰還が行われ、第１の回路出
力端子からコンデンサを介して発振器出力が取出され
る。
【００１２】
【実施例】次に、本発明によるモジュールの１つの実施
例及び６つの応用例を図面に基づいて詳細に説明する。
例及び６つの応用例を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】図１には本発明によるモジュール１が示さ
れている。破線によって、どの素子がカプセル化された
モジュールの内部に配置されているかが示されている。
回路は５個の自由端子、すなわちＩＮを付されている回
路入力端子と、ＯｕｔＡ及びＯｕｔＢを付されている第
１の回路出力端子及び第２の回路出力端子と、供給電圧
を印加することができＶ＋及びＧｒｏｕｎｄを付されて
いる他の２つの端子とを備えている。図１のモジュール
１は２つのバイポーラトランジスタと、５つの抵抗と、
１つの容量とを含んでいる。抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１は入
力整合を改善するために使われる。抵抗Ｒ２でトランジ
スタＴ１用の動作点が示されている。抵抗Ｒ３は、トラ
ンジスタＴ１用のコレクタ抵抗として、第２のトランジ
スタＴ２のＨＦ帰還抵抗として、及び同時に第２のトラ
ンジスタＴ２用の動作点調整抵抗として三重に使われ
る。抵抗Ｒ４は同様に複数の機能を有し、第２のトラン
ジスタＴ２のエミッタ抵抗として、またＤＣ及びＨＦ負
帰還抵抗として使われる。抵抗Ｒ２、Ｒ３及びＲ４によ
って高い温度安定性が達成される。抵抗Ｒ５は付加的な
帰還抵抗である。このモジュールは２ボルト乃至５ボル
トの駆動電圧に好適である。この幅広い電圧範囲は同様
に本発明による回路デザインによって可能になる。
れている。破線によって、どの素子がカプセル化された
モジュールの内部に配置されているかが示されている。
回路は５個の自由端子、すなわちＩＮを付されている回
路入力端子と、ＯｕｔＡ及びＯｕｔＢを付されている第
１の回路出力端子及び第２の回路出力端子と、供給電圧
を印加することができＶ＋及びＧｒｏｕｎｄを付されて
いる他の２つの端子とを備えている。図１のモジュール
１は２つのバイポーラトランジスタと、５つの抵抗と、
１つの容量とを含んでいる。抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１は入
力整合を改善するために使われる。抵抗Ｒ２でトランジ
スタＴ１用の動作点が示されている。抵抗Ｒ３は、トラ
ンジスタＴ１用のコレクタ抵抗として、第２のトランジ
スタＴ２のＨＦ帰還抵抗として、及び同時に第２のトラ
ンジスタＴ２用の動作点調整抵抗として三重に使われ
る。抵抗Ｒ４は同様に複数の機能を有し、第２のトラン
ジスタＴ２のエミッタ抵抗として、またＤＣ及びＨＦ負
帰還抵抗として使われる。抵抗Ｒ２、Ｒ３及びＲ４によ
って高い温度安定性が達成される。抵抗Ｒ５は付加的な
帰還抵抗である。このモジュールは２ボルト乃至５ボル
トの駆動電圧に好適である。この幅広い電圧範囲は同様
に本発明による回路デザインによって可能になる。
【００１４】第１のトランジスタＴ１の増幅区間は図１
の例ではアースに相当する下側電位端子Ｇｒｏｕｎｄに
直接接続されている。第２のトランジスタＴ２の増幅区
間は抵抗Ｒ４を介して同様に接地されている。第１のト
ランジスタＴ１のベースは回路入力端子ＩＮに直接接続
され、一方第２のトランジスタＴ２のベースは第１のト
ランジスタＴ１のコレクタと同様に抵抗Ｒ２を介して回
路入力端子ＩＮに接続されている。
の例ではアースに相当する下側電位端子Ｇｒｏｕｎｄに
直接接続されている。第２のトランジスタＴ２の増幅区
間は抵抗Ｒ４を介して同様に接地されている。第１のト
ランジスタＴ１のベースは回路入力端子ＩＮに直接接続
され、一方第２のトランジスタＴ２のベースは第１のト
ランジスタＴ１のコレクタと同様に抵抗Ｒ２を介して回
路入力端子ＩＮに接続されている。
【００１５】図２以下において破線の内部の回路は図１
に示された回路に一致している。５個の端子は異なった
増幅値、整合値及び出力値を有する以下に示された４つ
の増幅器への応用、ミキサへの応用、及び発振器への応
用を可能にする。
に示された回路に一致している。５個の端子は異なった
増幅値、整合値及び出力値を有する以下に示された４つ
の増幅器への応用、ミキサへの応用、及び発振器への応
用を可能にする。
【００１６】ノイズの少ない広帯域増幅器の第１例が図
２に示されている。両回路出力端子ＯｕｔＡ、ＯｕｔＢ
間にはコンデンサが接続されている。回路入力端子ＩＮ
にはＲＦ−ＩＮを付された高周波信号が供給される。入
力端子での入力整合は１ＧＨｚ〜３ＧＨｚの周波数範囲
で最良になる。増幅された高周波出力信号はＲＦ−Ｏｕ
ｔと付された個所で取出される。
２に示されている。両回路出力端子ＯｕｔＡ、ＯｕｔＢ
間にはコンデンサが接続されている。回路入力端子ＩＮ
にはＲＦ−ＩＮを付された高周波信号が供給される。入
力端子での入力整合は１ＧＨｚ〜３ＧＨｚの周波数範囲
で最良になる。増幅された高周波出力信号はＲＦ−Ｏｕ
ｔと付された個所で取出される。
【００１７】図３にはノイズの少ない広帯域増幅器の第
２例が示されている。高周波入力信号の供給は第１例と
同様に回路入力端子ＩＮで行われる。出力は回路出力端
子ＯｕｔＡで直列の低抵抗を介して行われる。回路入力
端子での入力整合は５０ＭＨｚ〜１．５ＧＨｚの周波数
範囲で最良になる。
２例が示されている。高周波入力信号の供給は第１例と
同様に回路入力端子ＩＮで行われる。出力は回路出力端
子ＯｕｔＡで直列の低抵抗を介して行われる。回路入力
端子での入力整合は５０ＭＨｚ〜１．５ＧＨｚの周波数
範囲で最良になる。
【００１８】他の例が図４に示されている。この第３例
の場合、出力整合を改善するために、低抵抗が第２の回
路出力端子ＯｕｔＢに接続されている。
の場合、出力整合を改善するために、低抵抗が第２の回
路出力端子ＯｕｔＢに接続されている。
【００１９】ノイズの少ない広帯域増幅器の第４例が図
５に示されている。この例は、第１の回路出力端子Ｏｕ
ｔＡとアースとの間に接続されたコンデンサの大きさに
依存する高い増幅率を有することが特徴である。増幅さ
れた信号はＶ＋ポートで取出されるが、このＶ＋ポート
には抵抗又はコイルを介して同様に供給電圧が印加され
る。
５に示されている。この例は、第１の回路出力端子Ｏｕ
ｔＡとアースとの間に接続されたコンデンサの大きさに
依存する高い増幅率を有することが特徴である。増幅さ
れた信号はＶ＋ポートで取出されるが、このＶ＋ポート
には抵抗又はコイルを介して同様に供給電圧が印加され
る。
【００２０】ミキサへの応用は図６に示されている。こ
のミキサへの応用の基礎としてエミッタ注入原理が使わ
れる。その場合、局部発振器が第１の回路出力端子Ｏｕ
ｔＡで給電されて第２のトランジスタＴ２のエミッタに
導かれる。第１のトランジスタＴ１を備えた前置増幅器
はミキサのノイズ指数を引き下げ、全増幅率を高める。
抵抗Ｒ３はマスクのレイアウト上場合によって省略する
ことができ、第１のトランジスタＴ１の駆動電圧は第２
の回路出力端子ＯｕｔＢを介して供給することができ
る。Ｖ＋ポートでは２つのコンデンサを備えた整合回路
網を介して中間周波数ＩＦを取出すことができる。バイ
アス用のコイルはその場合共振素子として使われる。こ
のコイルに並列に２つのコンデンサが直列接続されてお
り、両コンデンサ間から中間周波数ＩＦが取出される。
第１の回路出力端子ＯｕｔＡには同様にコンデンサが接
続され、このコンデンサにはアースされたコイル及び局
部発振器ＬＤが接続されている。
のミキサへの応用の基礎としてエミッタ注入原理が使わ
れる。その場合、局部発振器が第１の回路出力端子Ｏｕ
ｔＡで給電されて第２のトランジスタＴ２のエミッタに
導かれる。第１のトランジスタＴ１を備えた前置増幅器
はミキサのノイズ指数を引き下げ、全増幅率を高める。
抵抗Ｒ３はマスクのレイアウト上場合によって省略する
ことができ、第１のトランジスタＴ１の駆動電圧は第２
の回路出力端子ＯｕｔＢを介して供給することができ
る。Ｖ＋ポートでは２つのコンデンサを備えた整合回路
網を介して中間周波数ＩＦを取出すことができる。バイ
アス用のコイルはその場合共振素子として使われる。こ
のコイルに並列に２つのコンデンサが直列接続されてお
り、両コンデンサ間から中間周波数ＩＦが取出される。
第１の回路出力端子ＯｕｔＡには同様にコンデンサが接
続され、このコンデンサにはアースされたコイル及び局
部発振器ＬＤが接続されている。
【００２１】発振器への応用の一例が図７に示されてい
る。この応用の特別な利点は第１の回路出力端子Ｏｕｔ
Ａでのモジュールのバッファリングである。このことは
第２のトランジスタＴ２を備えたエミッタフォロワによ
って実行される。帰還構造は並列帰還として、又は既に
説明したように直列帰還として周波数に依存するように
実現することができる。このために、誘電体共振器又は
同軸共振器が使用される。トランジスタＴ２の駆動電流
を高めるため及び出力を高めるために、第１の回路出力
端子ＯｕｔＡには低抵抗をアースとの間に接続すること
ができる。
る。この応用の特別な利点は第１の回路出力端子Ｏｕｔ
Ａでのモジュールのバッファリングである。このことは
第２のトランジスタＴ２を備えたエミッタフォロワによ
って実行される。帰還構造は並列帰還として、又は既に
説明したように直列帰還として周波数に依存するように
実現することができる。このために、誘電体共振器又は
同軸共振器が使用される。トランジスタＴ２の駆動電流
を高めるため及び出力を高めるために、第１の回路出力
端子ＯｕｔＡには低抵抗をアースとの間に接続すること
ができる。
【図１】本発明によるモジュールの概略図。
【図２】ノイズの少ない広帯域増幅器の第１例を示す概
略図。
略図。
【図３】ノイズの少ない広帯域増幅器の第２例を示す概
略図。
略図。
【図４】ノイズの少ない広帯域増幅器の第３例を示す概
略図。
略図。
【図５】ノイズの少ない広帯域増幅器の第４例を示す概
略図。
略図。
【図６】ミキサへの応用を示す概略図。
【図７】発振器への応用を示す概略図。
１ 本発明によるモジュール ＩＮ 回路入力端子 ＯｕｔＡ 第１の回路出力端子 ＯｕｔＢ 第２の回路出力端子 Ｔ１、Ｔ２ バイポーラトランジスタ Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ 抵抗 Ｃ１ 容量 Ｖ＋ 上側電位端子 Ｇｒｏｕｎｄ 下側電位端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03B 5/00 - 5/42 H03D 7/12 H03F 3/189 - 3/195
Claims (11)
- 【請求項１】 第１のトランジスタ（Ｔ１）のベースが
回路入力端子（ＩＮ）に接続され、第２のトランジスタ
（Ｔ２）のベースは第１のトランジスタ（Ｔ１）のコレ
クタに接続され、第２のトランジスタ（Ｔ２）のエミッ
タは第１の回路出力端子（ＯｕｔＡ）に接続され、第１
のトランジスタ（Ｔ１）のコレクタは抵抗（Ｒ５）を介
して第２の回路出力端子（ＯｕｔＢ）に接続され、第１
のトランジスタのエミッタは抵抗（Ｒ４）を介して第２
のトランジスタ（Ｔ２）のエミッタに接続され、それぞ
れ抵抗（Ｒ２、Ｒ３）が第１のトランジスタ（Ｔ１）及
び第２のトランジスタ（Ｔ２）のベース及びコレクタに
接続され、下側電位（Ｇｒｏｕｎｄ）が第１のトランジ
スタ（Ｔ１）のエミッタに印加され、上側電位（Ｖ＋）
が第２のトランジスタ（Ｔ２）のコレクタに印加される
ことを特徴とするトランジスタ回路を備えた集積マイク
ロ波シリコンモジュール。 - 【請求項２】 ＲＣ素子が第１のトランジスタ（Ｔ１）
のベース−コレクタ間に接続されていることを特徴とす
る請求項１記載の集積マイクロ波シリコンモジュール。 - 【請求項３】 モジュール（１）は増幅器を構成するた
めに使われることを特徴とする請求項１又は２記載の集
積マイクロ波シリコンモジュール。 - 【請求項４】 第１の回路出力端子（ＯｕｔＡ）と第２
の回路出力端子（ＯｕｔＢ）との間に容量が接続されて
いることを特徴とする請求項３記載の集積マイクロ波シ
リコンモジュール。 - 【請求項５】 増幅された電圧は第１の回路出力端子
（ＯｕｔＡ）から直列抵抗を介して取出されることを特
徴とする請求項３記載の集積マイクロ波シリコンモジュ
ール。 - 【請求項６】 増幅された電圧は第２の回路出力端子
（ＯｕｔＢ）から直列抵抗を介して取出されることを特
徴とする請求項３記載の集積マイクロ波シリコンモジュ
ール。 - 【請求項７】 第１の回路出力端子（ＯｕｔＡ）にはア
ースとの間にコンデンサが接続され、増幅された信号の
出力は上側電位端子（Ｖ＋）で行われることを特徴とす
る請求項３記載の集積マイクロ波シリコンモジュール。 - 【請求項８】 モジュール（１）はミキサとして使用さ
れることを特徴とする請求項１又は２記載の集積マイク
ロ波シリコンモジュール。 - 【請求項９】 第１の回路出力端子（ＯｕｔＡ）で容量
とアースに接続されたインダクタンスとを介して局部発
振器が給電され、上側電位入力（Ｖ＋）で整合回路網を
介して中間周波数が取出されることを特徴とする請求項
８記載の集積マイクロ波シリコンモジュール。 - 【請求項１０】 モジュール（１）は発振器として使用
されることを特徴とする請求項１又は２記載の集積マイ
クロ波シリコンモジュール。 - 【請求項１１】 第２の回路出力端子（ＯｕｔＢ）を介
して回路入力端子（ＩＮ）への帰還が行われ、第１の回
路出力端子（ＯｕｔＡ）から発振器出力信号が容量を介
して取出されることを特徴とする請求項１０記載の集積
マイクロ波シリコンモジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19536431.7 | 1995-09-29 | ||
| DE19536431A DE19536431C1 (de) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Integrierter Mikrowellen-Silizium-Baustein |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09135126A JPH09135126A (ja) | 1997-05-20 |
| JP2815575B2 true JP2815575B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=7773645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8272935A Expired - Lifetime JP2815575B2 (ja) | 1995-09-29 | 1996-09-25 | 集積マイクロ波シリコンモジュール |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5691670A (ja) |
| EP (1) | EP0766380B1 (ja) |
| JP (1) | JP2815575B2 (ja) |
| DE (2) | DE19536431C1 (ja) |
| DK (1) | DK0766380T3 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5832370A (en) * | 1996-09-26 | 1998-11-03 | Motorola, Inc. | Current mode transceiver circuit and method |
| US6163235A (en) * | 1998-09-01 | 2000-12-19 | Ericsson Inc. | Active load circuit with low impedance output |
| US6864751B1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-08 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Transimpedance amplifier with adjustable output amplitude and wide input dynamic-range |
| CN108508252A (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 长沙英雁电子有限公司 | 具有检测和驱动于一体的电压传感器 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3260960A (en) * | 1962-08-06 | 1966-07-12 | Bendix Corp | Oscillator with dual function isolation amplifier and frequency determining transistor |
| US3271685A (en) * | 1963-06-20 | 1966-09-06 | Westinghouse Electric Corp | Multipurpose molecular electronic semiconductor device for performing amplifier and oscillator-mixer functions including degenerative feedback means |
| DE1933933C2 (de) * | 1969-07-04 | 1975-10-02 | Robert Bosch Elektronik Gmbh, 1000 Berlin Und 7000 Stuttgart | Breitbandverstärker für den MHz-Bereich |
| DE2347711C2 (de) * | 1973-09-21 | 1975-10-02 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Transistorbreitbandverstärker |
| WO1986002214A1 (en) * | 1984-10-01 | 1986-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency amplifier |
| JPH05315862A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Nec Corp | 増幅回路 |
-
1995
- 1995-09-29 DE DE19536431A patent/DE19536431C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-04 DE DE59607072T patent/DE59607072D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-04 EP EP96114183A patent/EP0766380B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-04 DK DK96114183T patent/DK0766380T3/da active
- 1996-09-25 JP JP8272935A patent/JP2815575B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-27 US US08/721,675 patent/US5691670A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5691670A (en) | 1997-11-25 |
| DE19536431C1 (de) | 1996-09-26 |
| DK0766380T3 (da) | 2001-09-03 |
| DE59607072D1 (de) | 2001-07-19 |
| EP0766380A2 (de) | 1997-04-02 |
| EP0766380B1 (de) | 2001-06-13 |
| JPH09135126A (ja) | 1997-05-20 |
| EP0766380A3 (de) | 1998-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6778016B2 (en) | Simple self-biased cascode amplifier circuit | |
| US6028496A (en) | Active inductor | |
| US5365192A (en) | AC-coupled single-ended or differential-input radio frequency amplifier integrated circuit | |
| JPH0831750B2 (ja) | Ｒｆ増幅器 | |
| US6329864B2 (en) | Semiconductor circuitry | |
| US6198359B1 (en) | Oscillator with cross-coupling by diodes | |
| US5933057A (en) | Low noise amplifier | |
| JP2815575B2 (ja) | 集積マイクロ波シリコンモジュール | |
| US6265944B1 (en) | Fully integrated broadband RF voltage amplifier with enhanced voltage gain and method | |
| US5245298A (en) | Voltage controlled oscillator having cascoded output | |
| US5815014A (en) | Transistor based frequency multiplier | |
| US4897621A (en) | Oscillator using a piezo-electric device | |
| US20030090297A1 (en) | Oscillator circuit and integrated circuit for oscillation | |
| US5578970A (en) | BICMOS monolithic microwave oscillator using negative resistance cell | |
| US4194158A (en) | Integrated front end circuit for VHF receiver | |
| US6791426B2 (en) | Balanced oscillator and electronic apparatus including the same | |
| US5341111A (en) | Microwave oscillator circuit | |
| US6836190B2 (en) | Oscillator device and electronic apparatus using the same | |
| US6208205B1 (en) | Amplifier circuit and method for reducing noise therein | |
| US5475327A (en) | Variable impedance circuit | |
| JP3617377B2 (ja) | 入力切替型増幅器及びそれを用いた周波数切替型発振器 | |
| JPH11346125A (ja) | Ｓｒｐｐ回路 | |
| US5258726A (en) | Voltage controlled oscillator with low operating supply voltage | |
| US4937534A (en) | Band-pass amplifier | |
| JP2001077626A (ja) | バッファ回路付き発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980707 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100814 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100814 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110814 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110814 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110814 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |