JP2003208106A - 素子転写方法、電子応用装置、画像表示装置、樹脂形成素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、素子の転写工程において、素子を転
写する際に用いられる接着材の膜厚を基板全体で均一す
ることができ、当該接着材に埋め込まれる素子のサイズ
ばらつきを小さくすることができる素子転写方法及びこ
れを用いて形成される電子応用装置、画像表示装置、更
に、光拡散構造を有するスペーサが組み込まれた樹脂形
成素子の製造方法、画像表示装置の製造方法及び画像表
示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は、第１の基板の主面に素子を配置
し、スペーサを内在すると共にシート状に成形された接
着材を前記素子上に配置し、前記接着材を介して前記第
１の基板と対向する第２の基板の主面に前記素子を転写
することを特徴とする。接着材に含まれるスペーサによ
り第１の基板や第２の基板の反りにより生じる接着材の
膜厚ばらつきを低減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、素子転写方法、電
子応用装置、画像表示装置、樹脂形成素子の製造方法及
び画像表示装置の製造方法に関する。更に詳しくは、ス
ペーサを内在する共にシート状に成形された接着材を介
して素子を転写する素子転写方法、電子応用装置、画像
表示装置と、光拡散構造を有するスペーサを用いた樹脂
形成チップの製造方法、画像表示装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】複数の素子を配置して形成される電子応
用装置や画像表示装置を形成する製造プロセスにおいて
は、各素子を個別に配置する場合に比べ、素子を素子形
成基板上に形成した後、これら素子を転写先である転写
基板に一括で転写する素子転写方法を用いるほうが製造
工程上、効率良く当該電子応用装置や画像表示装置を製
造することができる。また、素子形成基板から転写基板
に複数の素子を一括して転写する場合に限定されず、複
数の素子が配置された第１の基板から当該素子の転写先
である第２の基板に複数の素子を一括して転写する素子
転写方法も行われる。

【０００３】これら複数の素子を一括して転写する場合
には、素子上に塗布された接着材層を介して転写基板に
当該素子を転写する方法が行われる。このとき、接着材
を介して素子を転写するとともに当該接着材層に埋め込
まれた素子を素子分離することによりチップ化し、素子
の取り扱いを容易に行うことができる利点もある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、複数の素子
を配置して形成される電子応用装置や画像表示装置で
は、その性能の向上は目覚しく、それに伴いこれら電子
応用装置や画像表示装置を構成する素子の機能も著しく
進歩している。特に、微細加工技術の進歩とともに微細
な素子を形成し、これら素子を高密度で配置することに
より電子応用装置のサイズダウンを図ることも行われて
いる。更に、画像表示装置では、微小なサイズであっ
て、且つ高輝度を有する発光素子を大面積に配置するこ
とによる大画面化も検討されている。

【０００５】ここで、微小な素子を精度良く配置するた
めには、これら電子応用装置や画像表示装置の製造プロ
セスにおいて、複数の素子を一括して精度良く配置する
技術が望まれている。しかし、素子サイズの微小化に伴
い、これら素子が形成された素子形成基板やこれら素子
の転写先である転写基板の寸法ずれにより、高い精度で
素子が配置することができない場合がある。特に、接着
材を介して素子形成基板から転写基板に複数の素子を一
括にて転写する場合、これら素子形成基板や転写基板に
反りが生じ、素子形成基板や転写基板全体において一定
の膜厚に接着材層を形成できない問題も生じる。接着材
層に埋め込まれた素子は樹脂形成チップとして取り扱わ
れるが、不均一な膜厚を有する接着材層に埋め込まれた
ことにより各樹脂形成チップのサイズにバラツキが生
じ、高い精度でこれら樹脂形成チップを配置する際に問
題となる。

【０００６】更に大面積の素子形成基板や転写基板で反
りが生じた場合、その中央付近と辺縁付近との寸法ずれ
が顕著なものとなり、これら素子形成基板と転写基板間
に転写される素子のサイズバラツキや品質の低下を招
く。

【０００７】例えば、図２９に示すように、素子形成基
板２０５に形成された複数の素子２０１を転写基板２０
６に一括して転写する場合、素子２０１を被覆するよう
に形成される樹脂部２０３の上面に接着材２０４を塗布
した後、接着材２０４を素子形成基板２０５と転写基板
２０６で挟み込み、加圧クリップ２０８により加圧して
素子２０１を転写基板２０６に転写する素子転写方法が
検討されている。このとき、素子形成基板２０５と転写
基板２０６により挟み込まれる接着材の膜厚を全体で一
定にするために、素子形成基板２０５と転写基板２０６
の端部にスペーサ２０７を介在させる方法が試みられて
いる。しかし、素子形成基板２０５や転写基板２０６が
大面積になった場合、各基板の中央部と辺縁部における
寸法ずれが顕著なものとなり、素子２０１が形成された
領域全体の接着材２０４の膜厚を一定にすることは困難
になる。特に、微小な素子を転写する際には、当該寸法
ずれによる接着材層の膜厚バラツキは当該素子のサイズ
に比較して無視できない程度となる。

【０００８】また、素子の転写プロセスにおいて、液状
の接着材を塗布して接着材層を形成した場合、膜厚ムラ
が生じやすく、寸法精度の低下や品質の低下を招く。更
に、液状の接着材を塗布する工程において、膜厚制御を
精度良く行う必要が生じ、素子を効率良く転写すること
ができない。

【０００９】更に、発光ダイオードの如き点光源を配置
して画素が形成される画像表示装置では、当該発光ダイ
オードから発生する光の画像表示面における光拡散性が
低く、特に、発光ダイオードが微小なサイズになるに従
い、各画素から出射される光の混色性が低下し、画像表
示面全体の画質が低下する場合もある。

【００１０】よって、本発明は、素子を転写する際に用
いられる接着材の膜厚を基板全体で均一にすることがで
き、当該接着材に素子が埋め込まれて形成される樹脂形
成チップのサイズばらつきを低減することができる素子
転写方法及びこれを用いて形成される電子応用装置、画
像表示装置を提供することを目的とする。

【００１１】更に、発光素子が接着材の如き樹脂に埋め
込まれて形成される樹脂形成素子に、当該樹脂形成素子
のサイズばらつきを低減すると共に当該発光素子から出
射される光を拡散する光拡散構造を有するスペーサを用
いる樹脂形成素子の製造方法、画像表示装置の製造方法
及び画像表示装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の素子転写方法
は、第１の基板の主面に素子を配置し、スペーサを内在
すると共にシート状に成形された接着材を前記素子上に
配置し、前記接着材を介して前記第１の基板と対向する
第２の基板の主面に前記素子を転写することを特徴とす
る。接着材に含まれるスペーサにより第１の基板や第２
の基板の反りにより生じる接着材の膜厚ばらつきを低減
することができる。更に、シート状に成形された接着材
を用いることによりハンドリング性良く素子を転写する
ことができる。

【００１３】また、本発明の電子応用装置は、第１の基
板の主面に配置された素子が、スペーサを内在すると共
にシート状に成形された接着材を介して前記第１の基板
と対向する第２の基板の主面に転写されて素子アレイ部
が形成されることを特徴とする。

【００１４】更に、本発明の画像表示装置は、第１の基
板の主面に配置された発光素子が、スペーサを内在する
と共にシート状に成形された接着材を介して前記第１の
基板と対向する第２の基板の主面に転写されて画像表示
部が形成されることを特徴とする。

【００１５】また、本発明の樹脂形成チップの製造方法
は、第１の基板の主面に配置された発光素子上に光拡散
構造を有するスペーサを配置し、前記スペーサと前記発
光素子を覆うように接着材層を形成し、前記接着材層を
介して前記第１の基板と対向する第２の基板の主面に前
記発光素子を転写し、前記接着材層を所要のサイズに分
離してチップ化することを特徴とする。

【００１６】本発明の画像表示装置の製造方法は、第１
の基板の主面に配置された発光素子上に光拡散構造を有
するスペーサを配置し、前記スペーサと前記発光素子を
覆うように接着材層を形成し、前記接着材層を介して前
記第１の基板と対向する第２の基板の主面に前記発光素
子を転写し、前記接着材層を所要のサイズに分離して前
記発光素子を内包する樹脂形成素子を形成し、前記樹脂
形成素子を配列することにより所要の画像表示部を形成
することを特徴とする。

【００１７】本発明の画像表示装置は、第１の基板の主
面に配置された発光素子上に光分散構造を有するスペー
サが配置され、前記スペーサと前記発光素子を覆うよう
に接着材層が形成され、前記接着材層を介して前記第１
の基板と対向する第２の基板の主面に前記発光素子が転
写され、前記接着材層を所要のサイズに分離して前記発
光素子を内包する樹脂形成素子が形成され、前記樹脂形
成素子が配列されることにより所要の画像表示部が形成
されることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図１３を参照しな
がら、本発明の素子転写方法及び電子応用装置、画像表
示装置について説明する。

【００１９】先ず、図１乃至図６を参照しながら本発明
の素子転写方法について説明する。図１は、第１の基板
である素子形成基板１４上に素子１１が形成された状態
を示す図であり、素子１１に電極１２を形成した後、素
子１１を被覆するように樹脂を塗布して樹脂部１３を形
成する。また、素子形成基板１４は吸着盤１５上に吸着
されて固定される。

【００２０】素子１１は、素子形成基板１４に複数形成
された後、後述する工程において一括して転写される。
例えば、素子として、発光素子、ダイオード、抵抗など
を用いることができ、液晶ディスプレイの画素を駆動さ
せるために各画素に対応させてマトリクス状に配置され
る薄膜トランジスタなどであっても良い。また、画像表
示装置を構成する発光ダイオードであっても良い。素子
１１が発光ダイオードの場合、図１に示された素子１１
は素子形成基板１４の主面に平行な結晶面を有する結晶
層により形成され、素子１１の上面に素子１１のカソー
ド側又はアノード側と接続される電極１２が形成された
プレーナ型の発光ダイオードとされる。また、素子１１
を発光ダイオードとした場合、プレーナ型の発光ダイオ
ードに限定することなく、素子形成基板１４の主面に対
して傾斜した結晶面を有する傾斜結晶層から形成される
発光ダイオードであっても良い。

【００２１】樹脂部１３は絶縁材料である樹脂を素子１
１を被覆するように塗布して形成される。素子１１を樹
脂部１３により被覆された樹脂形成チップとして取り扱
うことにより、ハンドリング性良く、これら樹脂形成チ
ップを転写することができる。樹脂部１３は、例えば、
素子１１が発光ダイオードの如き発光素子である場合
は、素子１１から発生する光を遮らないように光透過性
を有する絶縁材料から形成され、一例として、ポリイミ
ドなどを用いることができる。また、樹脂部１３の上面
は略平坦になるように形成される。

【００２２】素子形成基板１４は、その主面に形成され
る素子１１に応じて適用な材料が用いられる。例えば、
素子１１がシリコンを用いて形成される薄膜トランジス
タの場合にはシリコン基板が用いることができる。ま
た、素子１１がＧａＡｓ系化合物からなる結晶層により
形成されるプレーナ型の発光ダイオードである場合に
は、ＧａＡｓ基板が用いられる。また、ＧａＮ系化合物
からなる結晶層により形成される発光ダイオードの場合
には、サファイア基板を用いることができる。特に、素
子１１がＧａＮ系化合物からなり、素子形成基板１４の
主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層により
形成される発光ダイオードの場合には、サファイア基板
の略Ｃ面とされる主面に素子１１が形成される。また、
本実施形態では、素子形成基板１４に形成された素子１
１の素子転写方法について説明するが、素子１１が素子
形成基板１４に直接形成されている場合に限定されず、
素子形成基板１４は、別の基板上で形成された素子１１
を一旦保持するために用いられる一時保持用基板であっ
ても良い。

【００２３】吸着盤１５は、素子形成基板１４上の裏面
から素子形成基板１４を吸着して固定する。素子形成基
板１４に反りが生じている場合、吸着盤１５を用いて素
子形成基板１４の裏面全体を吸着することにより保持さ
れて、当該反りが矯正される。ここで、吸着盤１５は素
子形成基板１４の裏面全体に接するように素子形成基板
１４を吸着し、素子形成基板１４の反りを矯正するよう
に真空吸引する。このとき、素子形成基板１４の全体を
真空吸引することにより、素子形成基板１４が吸着盤１
５に対して上に凸若しくは下に凸になるように反りが生
じている場合でも、素子形成基板１４が平坦になるよう
に保持され、当該反りを矯正することが可能となる。ま
た、吸着盤１５は、例えば、多孔質の材料を用い、素子
形成基板１４と接する面が平坦な構造とされていれば良
い。更に、素子形成基板１４を吸着する際に、素子形成
基板１４が吸着される面に損傷を与えないような材料で
形成されていることが望ましい。

【００２４】次に、樹脂部１３の上面に接着材層を形成
する。ここで、液状の接着材を樹脂１３上に塗布して接
着材層を形成することもできるが、膜厚バラツキを低減
し、ハンドリング性良く素子の転写を行うために、接着
材層として接着材をシート状に成形してなる接着材シー
ト２１を樹脂部１３の上面に配置する。図２に、シート
状に成形された接着材シート２１の構造を示す。接着材
シート２１は、素子１１を被覆するように形成された樹
脂部１３の上面に合わせて予め接着材２２をシート状に
成形して形成される。接着材シート２１を形成する接着
材２２中にはスペーサとしてビーズ２３が内在され、後
の工程において、素子１１の転写先である転写基板と素
子形成基板１４に挟み込まれた接着材シート２１の膜厚
が接着材シート２１全体で一定になるように当該ビーズ
２３は機能する。また、接着材シート２１の膜厚ｔ
_１は、転写される素子１１のサイズに応じて設定される
が、例えば、素子１１が樹脂部１３に被覆された樹脂形
成チップとして切り出されたときの厚みが５０μｍ程度
の場合には、約１０〜２０μｍ程度の膜厚とされる。

【００２５】ビーズ２３の形状は略球形とされ、接着材
シート２１中に埋め込まれる。更に、接着材シート２１
中のスペーサ２３の個数の密度が接着材シート２１全体
で略一定になるように配置されることが望ましく、接着
材シート２１が加圧された場合、接着材シート２１全体
でスペーサ２３の直径と略等しい膜厚になるように接着
材シート２１の膜厚を変化させることが可能となり、接
着材シート２１全体に亘って膜厚のバラツキを低減する
ことができる。また、転写される素子１１の素子間隔に
合わせてスペーサ２３を予め接着材２２中に埋め込んで
おいても良い。例えば、素子形成基板１４のサイズを３
０〜１００ｍｍ角とした場合には、隣接するビーズ２３
の間隔Ｍが約０．５〜１．０ｍｍ程度になるようにスペ
ーサ２３を接着材２２中に埋め込んでおいても良い。ま
た、ビーズ２３の形状を略球形とすることにより、ビー
ズ２３を予めランダムに接着材２２中に内在するように
埋め込んだ場合でもビーズ２３の向きを制御する必要が
ない。更に、素子１１が樹脂部１３で被覆され、樹脂形
成チップとして切り出されたときの当該樹脂形成チップ
の厚みが５０μｍ程度の場合には、ビーズ２３の直径を
約１０μｍ程度とすることができる。また、ビーズ２３
の形状は略球形に限定されず、円柱状、立方体形状、三
角柱形状或いはこれらの形状の変形形状など如何なる形
状であってもよく、接着材シート２１を成形する際に、
接着材２２中においてビーズ２３の向きを揃えて配置し
ておけば良い。

【００２６】接着材２２とビーズ２３を形成する材料に
は、エポキシ樹脂系の材料を用いることができる。特
に、後の工程で説明するように接着材シート２１全体の
膜厚を略一定に保持しながら素子１１を転写した後、接
着材２２中にビーズ２３が島状に内在しないように、加
熱処理などにより接着材２２とビーズ２３が一体化する
材料を用いることが望ましい。

【００２７】また、接着材シート２１を素子形成基板１
４上の素子１１が配置された領域に合わせて切断して用
いることができ、素子１１を樹脂部１３の上面の面積や
形状に合わせて容易に使用することができる利点を有す
る。また、接着材シート２１は、予めシート状に形成さ
れることにより、膜厚管理を容易に行うことができ、液
状の接着材を用いる場合に比べ、接着材の塗布条件など
の製造プロセス条件のバラツキを殆ど受けることなく一
定の膜厚を保持することができる。更に、液状の接着材
を塗布する際には、当該接着材中に気泡に気泡が生じる
場合もあり、予め接着材２２をシート状に成形すること
により、これら気泡を含むことがなく、接着材シート２
１の密度を当該接着材シート２１全体について一定とす
ることができる。

【００２８】続いて、図３に示すように接着材シート２
１を樹脂部１３の上面全体を覆うように配置する。ビー
ズ２３は、接着材シート２１の表面に露出しないように
接着材２２中に埋め込まれている。従って、後の工程で
接着材シート２１の両面から加圧した場合、接着材シー
ト２１の膜厚を接着材シート２１の全体に亘ってビーズ
２３のサイズと同程度にすることが可能となる。

【００２９】次に、図４に示すように、素子１１の転写
先としての第２の基板である転写基板４２を吸着盤４１
により吸着し、吸着盤４１に固定された転写基板４２を
接着材シート２１の上面に密着させる。吸着盤４１は転
写基板４２と接する面が略平坦とされる多孔質材料によ
り形成されており、吸着盤４１が転写基板４２と接する
面と反対側である裏面から真空吸引することにより、転
写基板４２を吸着することができる。また、吸着盤４１
に多孔質材料を用いることにより負圧により吸着される
転写基板４２全体に亘って反りが生じている場合におい
てもその反りを転写基板４２全体に亘って矯正すること
ができる。

【００３０】転写基板４２により樹脂部１３の上面に配
置された接着材シート２１全体を押圧することにより、
接着材シート２１の膜厚は、ビーズ２３の直径と略等し
い膜厚とされる。また、素子形成基板１４と転写基板４
２の端部には周辺スペーサ４３が配置され、転写基板４
２を押し下げた際に素子形成基板１４と転写基板４２の
基板間隔が各基板全体で一定になるように素子形成基板
１４と転写基盤４２の反りを矯正する。このとき、周辺
スペーサ４３の厚さは、樹脂部１３と、ビーズ２３の直
径を合わせた程度とされる。このとき、素子形成基板１
４と転写基板４２のそれぞれを吸着盤１５、４１で吸着
することにより素子形成基板１４と転写基板４２に生じ
ていた反りが充分に矯正されない場合や、素子形成基板
１４と転写基板４１の反りにより生じる寸法ずれが周辺
スペーサ４３により充分矯正されない場合、ビーズ２３
により接着材シート２１の膜厚をビーズ２３の直径と略
等しい一定の膜厚とすることができる。特に、素子形成
基板１４と転写基板４２の面積が転写される素子１１の
サイズに比較して大きい場合には、吸着盤１５、４１や
周辺スペーサ４３による反りの矯正では十分でない場合
も多く、スペーサとして機能するビーズ２３を接着材シ
ート２１全体に内在させておくことにより、素子１１を
転写基板４２に転写する際の接着材シート２１の膜厚バ
ラツキを接着材シート２１全体に亘って効果的に低減す
ることができる。

【００３１】更に、素子形成基板１４から素子１１を分
離する工程について図５、図６を参照しながら説明す
る。素子形成基板１４に形成された樹脂部１３と転写基
板４２に挟み込まれた接着材シート２１を硬化すること
により接着材シート２１と転写基板４２を接着する。こ
のとき、接着材２２中に内在するビーズ２３が接着材２
２と一体化し、接着材シート２１全体が一様な材質によ
り均一となる。接着材２２とビーズ２３はエポキシ系樹
脂により形成されているが、それぞれが異なる熱特性を
有している。例えば、接着材シート２１を樹脂部１３上
に配置したときの環境下における温度では、ビーズ２３
が既に硬化されており、接着材シート２１を加熱処理す
ることにより接着材２２の温度が上昇するにつれて接着
材２２が軟化した後、接着材シート２１全体が冷却され
るにつれて、ビーズ２３と接着材２２を一体化させるこ
とができる。ビーズ２３と接着材２３を一体化させるこ
とにより接着材シート２１全体を一様な材質により形成
することができ、素子１１を接着材２２と樹脂部１３で
被覆された状態でチップ化した際に、高品質の樹脂形成
チップを形成することができる。

【００３２】また、ビーズ２３が接着材２２と一体化さ
れずに接着材２２中にそのままビーズ２３の形状を残し
たまま内在されていても良い。素子１１が発光素子であ
る場合、予めビーズ２３を接着材シート２１中に内在さ
せておき、ビーズ２３を当該発光素子から発生する光を
素子１１の外部に効率良く出射するためのレンズとして
機能させることもできる。このとき、ビーズ２３は光透
過性を有する材料を用いれば良い。

【００３３】接着材シート２１と転写基板４２を接着し
た後、素子１１を素子形成基板１４から分離する。素子
１１を素子形成基盤１４から分離するためには、素子形
成基板１４を裏面側から研磨することにより除去しても
良いが、素子１１を形成する結晶層が、当該結晶層にレ
ーザー光５１を照射することにより素子形成基板１４と
素子１１の境界の接合力を低下させることができる材料
で形成されている場合には、容易に素子１１と素子形成
基板１４を分離することが可能となる。例えば、素子１
１がＧａＮ系化合物により形成され、素子形成基板１４
がサファイア基板である場合、図５に示すように、素子
形成基板１４の裏面側からレーザー光５１を選択的に素
子１１と素子形成基板１４の境界に照射することにより
レーザーアブレーションし、素子１１を形成するＧａＮ
を金属ＧａとＮ_２に分解することにより素子１１と素子
形成基板１４の結合を開放することができる。このと
き、吸着盤１５を予め素子形成基板１４から分離してお
いても良いが、吸着盤１５を光透過性の材料で形成して
おけば、吸着盤１５を素子形成基板１４から分離するこ
となくレーザーアブレーションすることができる。よっ
て、図６に示すように、転写基板４２の反りを吸着盤４
１で矯正した状態で、素子１１を転写基板４２に転写す
ることが可能となる。

【００３４】次に、本発明の素子転写方法の変形例につ
いて、図７乃至図１３を参照しながら説明する。図７
は、第１の基板である素子形成基板７４上に素子７１が
形成された状態を示す図であり、素子７１に電極を形成
した後、素子７１に樹脂を塗布して樹脂部７３により被
覆してある。また、素子形成基板７４は吸着盤７５上に
配置されている。

【００３５】素子７１は、素子形成基板７４に形成され
る素子であれば如何なる素子であっても良く、素子形成
基板７４上に複数形成され、これら素子を一括して転写
されるものであれば良い。本例の素子７１は、素子形成
基板７４の主面に対して傾斜した結晶面を有する傾斜結
晶層から形成される発光ダイオードである。素子７１は
素子形成基板７４に複数形成されており、樹脂部７３で
被覆された素子７１を一括処理にて転写する。

【００３６】図８に、本例の素子７１の構造を示す。図
８（ａ）が素子断面図であり、図８（ｂ）が素子平面図
である。この発光素子７１はＧａＮ系の発光ダイオード
であり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素
子である。このようなＧａＮ系化合物からなる発光ダイ
オードは、当該サファイア基板を透過するレーザー照射
によってレーザーアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素
が気化する現象にともなってサファイア基板とＧａＮ系
の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易
なものにできる特徴を有している。

【００３７】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層７９上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層７６が形成されている。なお、下地成長
層７９上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層７６はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層７６は、成長
時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（（１−１０１）面）で覆われたピラミッド型の
成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。こ
のＧａＮ層７６の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構
造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層７６の傾斜した
Ｓ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層７７が形成
されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層
７８が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層
７８もクラッドとして機能する。

【００３８】このような発光ダイオードには、ｐ電極７
２とｎ電極８０が形成されている。ｐ電極７２はマグネ
シウムドープのＧａＮ層７８上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極８０は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層７９
の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極８０
の形成は下地成長層７９の表面側には不要となる。

【００３９】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザーア
ブレーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥
離することができ、レーザービームを選択的に照射する
ことで選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発
光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成さ
れる構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角
錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光
素子や化合物半導体素子などであっても良い。

【００４０】図９に、素子７１を転写する際に用いられ
る接着材シート８１の構造を示す。接着材シート８１
は、接着材８２中にスペーサとして機能するメッシュ８
３が埋め込まれている。メッシュ８３は、接着材シート
８１の断面矩形状とされ、接着材シート８１中の縦横に
それぞれ延在するように形成されている。図９において
は、メッシュ８３がそれぞれ直交するように形成されて
いるが、メッシュ８３は直交するように配置されること
に限定されず、メッシュ８３が接着材シート８１中にお
いて斜めにそれぞれ交わるように配置されていてもよ
く、接着材シート８１全体に配置されるように乱雑に配
置されていても良い。また、メッシュ８３の上面及び下
面は接着材シート８１の表面に露出しているが、メッシ
ュ８３の上面と下面が露出しなうように接着材８２に埋
め込まれていても良い。接着材シート８１の膜厚ｔ
_２は、例えば素子７１が樹脂形成チップとして切り出さ
れたときの厚みが５０μｍ程度の場合には、約１０〜２
０μｍ程度の膜厚とされる。更に、メッシュ８３の縦方
向の間隔Ｌ２、横方向の間隔Ｌ３は転写される素子７１
の配置間隔に合わせておけば素子７１毎にそれぞれメッ
シュ８３が対応するように配置されることになり、素子
転写時の接着材シート８１の膜厚バラツキを接着材シー
ト８１全体で低減することができる。

【００４１】次に、図１０に示すように、樹脂部７３の
上面に接着材シート８１を配置する。接着材シート８１
は樹脂部７３の上面全体を覆うサイズに予め成形されて
いる。ここで、接着材シート８１を樹脂部７３の上面よ
り大きな面積になるように成形しておき、樹脂部７３の
上面の面積や形状に合わせて切断して用いることもでき
る。また、本例の素子７１が、素子形成基板７４の主面
に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層により形成
され、これら結晶層が図１０の紙面に垂直な方向に延在
されたストライプ型の発光素子である場合には、当該結
晶層が延在される方向と平行な向きにメッシュ８３が延
在するように配置され、且つ当該ストライプ型の素子７
１の素子間隔がメッシュ８３の間隔に合わせてされてい
ることにより、素子７１上にメッシュ８３を配置するこ
ともできる。従って、接着材シート８１全体で当該接着
材シート８１の膜厚バラツキを効果的に低減することが
可能となる。

【００４２】次に、図１１に示すように、吸着盤９１に
より転写基板９２を吸着し、吸着盤９１に固定された転
写基板９２を接着材シート８１の上面に密着させる。吸
着盤９１は転写基板９２と接する面が略平坦とされる多
孔質材料により形成されており、吸着盤９１が転写基板
９２と接する面とは反対側の面から吸着盤９１を真空吸
引することにより、転写基板９２を吸着することができ
る。また、吸着盤９１に多孔質材料を用いることにより
吸着される転写基板９２全体に加圧することが可能とな
り、転写基板９２に反りが生じている場合においても転
写基板９２全体でその反りを矯正することができる。

【００４３】転写基板９２により樹脂部７３の上面に配
置された接着材シート８１全体を押圧し、接着材シート
８１の膜厚を、メッシュ８３の高さと略等しい膜厚とす
る。また、素子形成基板７４と転写基板９２の端部には
周辺スペーサ９３が配置され、転写基板９２を押圧した
際に素子形成基板７４と転写基板９２の基板間隔が一定
になるように素子形成基板７４と転写基板９２の反りを
矯正する。このとき、周辺スペーサ９３の厚さは、樹脂
部７３とメッシュ８３の高さを合わせた程度とされる。
従って、素子形成基板７４と転写基板９２のそれぞれを
吸着盤７５、９１で吸着することにより素子形成基板７
４と転写基板９２に生じていた反りが充分に矯正されな
い場合や、素子形成基板７４と転写基板９２の反りによ
り生じる寸法ずれが周辺スペーサ９３により十分矯正さ
れない場合に、押し縮められた接着材シート８１の膜厚
を接着材シート８１中に含まれるメッシュ８３の高さと
略等しい一定の膜厚とすることができる。特に、素子形
成基板７４と転写基板９２の面積が転写される素子１１
のサイズに比較して大きい場合には、吸着盤７５、９１
や周辺スペーサ９３による反りの矯正では十分でない場
合も多く、スペーサとして機能するメッシュ８３を接着
材シート８１全体に形成しておくことにより、素子７１
を転写基板９２に転写する際の接着材シート８１の膜厚
バラツキを接着材シート８１全体に亘って効果的に低減
することができる。

【００４４】続いて、図１２に示すように、素子形成基
板７４の裏面からレーザー光を照射して素子７１を素子
形成基板７４から分離する。素子形成基板７４に形成さ
れた樹脂部７３と転写基板９２に挟み込まれた接着材シ
ート８１を硬化した後、接着材シート８１と転写基板９
２を接着する。このとき、接着材８２中に内在するメッ
シュ８３が接着材８２と一体化し、接着材シート８１全
体が一様な材質により均一に形成されるようにしても良
い。メッシュ８３と接着材８２はエポキシ系樹脂により
形成されるが、それぞれが異なる熱特性を有する材料を
選択することにより素子７１を転写するとともにメッシ
ュ８３と接着材８２を一体化させることができる。例え
ば、接着材シート８１を樹脂部７３上に配置したときの
温度では、メッシュ８３が既に硬化されており、接着材
シート８１を加熱処理することにより接着材８２の温度
が上昇するにつれて接着材８２が軟化した後、接着材シ
ート８１全体が冷却し、転写基板９２へ接着材８２を接
着させるとともに、メッシュ８３と接着材８２を一体化
させることができる。メッシュ８３と接着材８２を一体
化させることにより接着材シート８１全体を一様な材質
により形成することができ、素子７１をこれら接着材８
２と樹脂部７３で被覆された状態でチップ化した際に、
高品質の樹脂形成チップを形成することができる。

【００４５】また、メッシュ８３が接着材８２と一体化
されずに接着材８２中にそのままメッシュ８３の形状を
残したまま配置されていても良い。素子７１が発光素子
である場合、予めメッシュ８３を高密度で接着材シート
８１中に内在させておき、当該発光素子から発生する光
を素子７１の外部に効率良く出射するためのレンズとし
てメッシュ８３を用いることができるように接着材シー
ト８１を形成しておいても良い。

【００４６】接着材シート８１と転写基板９２を接着し
た後、素子７１を素子形成基板７４から分離する。素子
７１を素子形成基板７４から分離するためには、素子形
成基板７４を裏面側から研磨することにより除去しても
良いが、素子７１を形成する結晶層にレーザー光１０１
を照射することにより分解され、素子形成基板７４と素
子７１の境界の接合力を低下させることができる材料で
形成されている場合には、容易に素子７１と素子形成基
板７４を分離することが可能となる。例えば、素子７１
がＧａＮ系化合物により形成され、素子形成基板７４が
サファイア基板である場合、図１２に示すように、素子
形成基板７４の裏面からレーザー光１０１としてエキシ
マレーザー光を選択的に素子７１と素子形成基板７４の
境界に照射することによりレーザーアブレーションさ
れ、素子７１を形成するＧａＮが金属ＧａとＮ_２に分解
することにより素子７１と素子形成基板７４の結合を開
放することができる。このとき、吸着盤７５を予め素子
形成基板７４から分離しておいても良いが、吸着盤７５
を光透過性の材料で形成しておけば、吸着盤７５を素子
形成基板７４から分離することなくレーザーアブレーシ
ョンすることができる。よって、図１３に示すように、
転写基板９２の反りを吸着盤９１で矯正した状態で、素
子７１を転写基板９２に転写することが可能となり、接
着材シート８１全体で略一定の膜厚を保持しながら素子
７１を転写基板９２に一括で転写することができる。従
って、複数の素子を一括で転写することができ、且つ当
該素子を被覆する接着材の膜厚を当該複数の素子のそれ
ぞれについて略一定にすることが可能となる。従って、
これら素子を樹脂や接着材で被覆された樹脂形成チップ
の形状にした場合に、各樹脂形成チップの寸法バラツキ
を低減することができる。

【００４７】また、本発明の素子転写方法を用いること
により、寸法ばらつきの小さい高性能の素子が配置され
て素子アレイ部が形成された電子応用装置を提供するこ
とができる。例えば、アクティブマトリクス型の駆動方
法で駆動される液晶ディスプレイでは、各画素に配置さ
れるアクティブ素子を一旦素子形成基板で形成し、これ
ら複数の素子を一括にて当該液晶ディスプレイを構成す
る基板に転写する場合にサイズバラツキの小さい素子を
転写することができ、これら素子が高品質を有するとと
もに精度良く転写することもできる。

【００４８】更に、本発明の素子転写方法を用いて発光
素子を転写することにより、発光素子を樹脂部や接着材
で被覆した樹脂形成チップとして取り扱う場合、当該樹
脂形成チップの寸法バラツキを低減することができ、高
精度の素子転写を行うことにより画像表示部が形成され
た画像表示装置を提供することができる。

【００４９】次に、図１４乃至図２８を参照しながら、
本発明の樹脂形成素子の製造方法、画像表示装置の製造
方法及び画像表示装置について説明する。

【００５０】先ず、図１４に示すように、第１の基板で
ある素子形成基板１２０の主面に発光素子１２１が形成
されている。図中、発光素子１２１が１素子のみ示され
ているが、１素子のみに限定されず、複数の発光素子が
素子形成基板１２０の主面に形成されていても良い。ま
た、発光素子１２１は一旦樹脂部１２２により被覆され
た後、所要の位置に電極パッド１２３、１２４が形成さ
れ、これら電極パッド１２３、１２４が樹脂部１２２の
表面に延在される。電極パッド１２３、１２４、発光素
子１２１のｐ側とｎ側にそれぞれ接続されており、発光
素子１２１の構造に応じて、一方の側に形成されるだけ
でなく、発光素子１２１の上面と下面にそれぞれ形成さ
れていても良い。

【００５１】発光素子１２１は、例えば、ＧａＮ系化合
物からなる結晶層により形成される発光ダイオードであ
り、素子形成基板１２０の主面に対して平行な面に当該
結晶層を成長させたプレーナ型の発光ダイオードである
が、プレーナ型の発光ダイオードに限定されず、サファ
イア基板のＣ面を利用して、当該Ｃ面から傾斜した傾斜
結晶層からなる発光素子であっても良い。ここで、発光
素子１２１がＧａＮ系化合物からなる結晶層から形成さ
れる場合には、素子形成基板１２０としてはサファイア
基板が適用であり、また、発光素子１２１は、ＧａＮ系
化合物からなる結晶層により形成される素子に限定され
ず、例えば、ＧａＡｓ系化合物からなる結晶層により形
成され、赤色を発光する発光素子とすることもできる。

【００５２】樹脂部１２２は、光透過性を有する樹脂に
より形成され、例えばポリイミドなどの樹脂を用いて形
成することにより、発光素子１２１を樹脂により被覆し
て樹脂形成素子を形成した場合においても、発光素子か
ら出射される光が当該樹脂部１２２により遮られること
がない。

【００５３】続いて、図１５に示すように、発光素子１
２１上にスペーサ１２５を配置し、発光素子とこれらス
ペーサを覆うように接着材１２６を塗布し、接着材層１
２７を形成する。接着材層１２７は液状の接着材をスペ
ーサ１２５と発光素子１２１を覆うように滴下して形成
することもでき、また、予めスペーサを内包しシート状
に成形された接着材シートを発光素子１２１上に配置し
ても良い。

【００５４】スペーサ１２５は、図１６に示すように、
コア部１２５ａと、コア部１２５ａを被覆するシェル部
１２５ｂからなる多層構造を有している。コア部１２５
ａを形成する材料には、有機高分子材料が用いられ、後
の工程において、ダイシングやレーザー光の照射等によ
り素子分離溝を形成する場合や配線を形成するためにレ
ーザービアやドライビアなどの加工を施す際に、容易に
樹脂部１２７に素子分離溝やビアを形成することが可能
となる。更に、スペーサ１２５は光透過性を有する材料
で形成され、発光素子１２１が樹脂で被覆されて樹脂形
成素子として画像表示部を形成する際に、発光素子１２
１から出射される光を拡散する。

【００５５】シェル部１２５ｂを形成する材料には、樹
脂形成素子を形成する際に素子分離溝を容易に形成する
ことができる有機高分子材料であって、且つ当該スペー
サ１２５が発光素子１２１から出射される光を拡散する
ように光透過性を有する材料が用いられる。また、発光
素子１２１の光取出し領域に当該スペーサ１２５が配置
されるようにシェル部１２５ｂには熱可塑性接着材を用
いることが望ましい。熱可塑性接着材を用いることによ
り、メタルマスクなどを用いて選択的にスペーサ１２５
を発光素子１２１上の光取出し領域に配置した後、接着
材層１２７を形成するための液状の接着材１２６を滴下
した場合、スペーサ１２５が当該接着材１２５により押
し流され、発光素子１２１の光取出し領域から外れた位
置に移動されてしまうことを抑制することができる。つ
まり、シェル部１２５ｂを熱可塑性接着材により形成し
ておけば、スペーサ１２５を発光素子１２１の光取出し
領域に配置し、スペーサ１２５を加熱した後冷却するこ
とにより光取出し領域に熱可塑性接着材を介してスペー
サ１２５を固定することが可能となる。

【００５６】また、シェル部１２５ｂを形成する材料
は、光透過性を有しており、コア部１２５ａと一体とさ
れてスペーサ１２５を構成し、発光素子１２１から出射
される光を拡散する。ここで、スペーサ１２５を加熱し
た際に、コア部１２５ａが溶融しないようにシェル部１
２５ｂを形成する材料のガラス転移温度（Ｔｇ）より高
いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する有機高分子材料がコ
ア部１２５ａに用いられる。スペーサ１２５の形状が加
熱の前後で保持されることになる。また、スペーサ１２
５は、球形に限定されずサイズが略一定のものを用いて
いれば如何なる形状のものでも良く、半球状、円柱状、
立方体状等でも良い。

【００５７】次に、図１７に示すように、剥離層１２９
が形成された一時保持用部材１２８を接着材層１２７の
上面全体に密着させる。このとき、一時保持用部材１２
８を上側から加圧することにより接着材層１２７を押圧
し、接着材層１２７が樹脂部１２２の上面の全面に亘っ
て一定の膜厚となる。ここで、一時保持用部材１２８や
素子形成基板１２０に反りが生じている場合でも、接着
材層１２７に内包されているスペーサ１２５のより樹脂
部１２２の上面全体に亘って接着材層１２７の膜厚を略
一定とすることができる。

【００５８】続いて、素子形成基板１２０から発光素子
１２１を分離し、図１８に示すように、一時保持用基板
１２８に発光素子１２１を保持する。素子形成基板１２
０にサファイア基板が用いられ、発光素子１２１がＧａ
Ｎ系化合物から形成されている場合には、例えば、エキ
シマレーザー光を素子形成基板１２０の裏面側からレー
ザー光を照射し、素子形成基板１２０と発光素子１２１
の界面近傍のレーザーアブレーションにより容易に発光
素子１２１を分離することができる。また、発光素子１
２１がＧａＡｓ系化合物から形成されている場合には、
素子形成基板１２０を研磨などにより除去すれば良い。

【００５９】次に、図１９に示すように、剥離層１３１
が形成された第二基板１３０に発光素子１２１を接着す
る。この後、一時保持用部材１２８の裏面側から光を照
射し、剥離層１２９を硬化させることにより、図２０に
示すように剥離層１２９から接着材層１２７を剥離す
る。

【００６０】続いて、図２１に示すように、所要の間隔
で接着材層１２７、樹脂部１２２及び剥離層１３１にダ
イシングプロセスにより素子分離溝１３３を形成し、発
光素子１２１を内包する樹脂形成素子１３２を形成す
る。ここで、ダイシングプロセスは、機械的手段を用い
たダイシング、或いはレーザービームを用いたレーザー
ダイシングにより行う。ダイシングプロセスにより形成
される素子分離溝１３３の幅は発光素子１２１のサイズ
に依存するが、例えば２０μｍ以下の幅の切り込みが必
要なときには、レーザービームを用いたレーザー加工を
行う必要がある。レーザービームとしては、エキシマレ
ーザービーム、高調波ＹＡＧレーザービーム若しくは炭
酸ガスレーザービームを用いることができる。このと
き、スペーサ１２５は有機高分子材料により形成されて
いるので、接着材層１２７を構成する接着材１２６と共
に容易にスペーサ１２５をダイシングすることができ、
樹脂形成素子１３２を分離することができる。この後、
樹脂形成素子１３２は、第二基板１３０から剥離されて
画像表示装置を構成する配線用基板に配列され、画像表
示部を構成する。

【００６１】図２２は、樹脂形成素子が配列されて形成
される画像表示装置の一例であり、当該画像表示装置の
要部の断面図である。配線用基板１４０には、樹脂形成
素子１４１が配置され、発光素子１４１に接続される電
極パッド１４３、１４４と配線１４９、１５０、１５１
が形成されている。配線用基板１４０の主面には黒クロ
ム層１４６が形成され、黒クロム層１４６上に駆動回路
と接続される電極層１４７が形成されている。発光素子
１４２の上面と下面には、発光素子１４２のｐ側電極に
接続される電極パッド１４４とｎ電極に接続される電極
パッド１４３がそれぞれ形成されているが、素子構造や
配線の形成位置に合わせて発光素子の一方の面にｐ側電
極パッドとｎ側電極パッドを形成しても良く、図２２に
示すように上面と下面にそれぞれｐ型導電層とｎ型導電
層にそれぞれ接続される電極パッド１５２、１４３を形
成することもできる。

【００６２】また、樹脂形成素子１４１の上側には保護
層である絶縁層１４８が形成されており、当該絶縁層１
４８と、スペーサ１４５を内包して樹脂形成素子１４１
を構成する樹脂部１５５に配線形成するためのビアを形
成することができる。このとき、スペーサ１４５は有機
高分子材料を用いて形成されているので、ビアを形成す
る際の障害となることがなく、絶縁層１４８や樹脂部１
５５と共に除去することができる。更に、発光素子１４
２に対して画像表示面側にスペーサ１４５を配置するこ
とにより、発光素子１４２から出射される光をスペーサ
１４５により拡散することが可能となる。従って、発光
素子１４２が微小な点光源であっても、広い範囲に光が
取り出されることになり、非発光領域の面積が低減され
た画像表示面を有する画像表示装置を形成することがで
きる。

【００６３】次に、図２３乃至図２８を参照しながら、
本発明の樹脂形成素子の製造方法の別の例について説明
する。

【００６４】先ず、図２３に第１の基板である素子形成
基板１６０の主面に発光素子１６１が形成され、樹脂部
１６２により周囲を固めた後、発光素子１６１を覆うよ
うに接着材層１６７が形成される。図中、発光素子１６
１が１素子のみ示されているが、１素子のみに限定され
ず、複数の発光素子１６１が素子形成基板１６０の主面
に形成されていても良い。また、発光素子１６１は一旦
樹脂部１６２により周囲を固められた後、所要の位置に
電極パッド１６３、１６４が形成され、これら電極パッ
ド１６３、１６４が樹脂部１６２の表面に延在される。
また、樹脂部１６２と接着材層１６７は光透過性を有す
る材料により形成され、例えばポリイミドなどの樹脂を
用いて形成することにより、発光素子１６１を樹脂によ
り被覆して樹脂形成素子を形成した場合においても、樹
脂部１６２や接着材層１６７により発光素子１６１から
出射される光が遮られることがない。

【００６５】次に、図２４に示すように、剥離層１６９
が形成された一時保持用部材１６８を接着材層１６７の
上面に接着した後、図２５に示すように、素子形成基板
１６０から発光素子１６１を分離する。素子形成基板１
６０にサファイア基板が用いられ、発光素子１６１がＧ
ａＮ系化合物から形成されている場合には、例えば、エ
キシマレーザー光を素子形成基板１６０の裏面側から照
射し、素子形成基板１６０と発光素子１６１の界面近傍
のレーザーアブレーションにより容易に発光素子１６１
を分離することができる。また、発光素子１６１がＧａ
Ａｓ系化合物から形成されている場合には、素子形成基
板１６０を研磨などにより除去すれば良い。

【００６６】続いて、図２６に示すように、接着材層１
７２が形成された第二基板１７０に発光素子１６１を接
着する。ここで、接着材層１７２中には、スペーサ１７
１が分散して配置されており、発光素子１６１を当該接
着材層１７２に接着する際に接着材層１７２の膜厚を全
面に亘って一定にすることができる。接着材層１７２
は、第二基板１７０の主面にスペーサ１７１を分散して
配置し、これらスペーサ１７１を覆うように接着材を滴
下して形成するか、または当該接着材を塗布することに
より形成することできる。また、予めスペー１７１サを
内包しシート状に成形された接着材シートを第二基板１
７０の主面に配置しても良い。この後、一時保持用部材
１６８の裏面側から光を照射し、剥離層１６９を硬化さ
せることにより、図２７に示すように剥離層１６９から
接着材層１６７を剥離する。

【００６７】スペーサ１７１は、有機高分子材料により
形成されるコア部の表面に、例えば熱可塑性接着材も用
いたシェル部を形成することにより形成される。当該コ
ア部に有機高分子材料を用いることにより、後の工程に
おいて、ダイシングやレーザー光の照射等により素子分
離溝を形成する場合や配線を形成するためにレーザービ
アやドライビアなどの加工を施す際に、容易に樹脂部１
６２や接着材層１７２に素子分離溝やビアを形成するこ
とが可能となる。更に、スペーサ１７１を形成する有機
高分子材料は光透過性を有しており、発光素子１７１を
樹脂により被覆して樹脂形成素子とし、これら樹脂形成
素子を配列して画像表示部を形成した場合、発光素子１
７１の下側から出射される光を拡散する。従って、発光
素子１７１の下側が画像表示面となる場合においても、
当該光を拡散させながら画像表示を行うことが可能とな
る。

【００６８】当該シェル部を形成する材料には、素子分
離溝が容易に形成することができ、且つ当該スペーサが
発光素子から出射される光を拡散するように光透過性を
有する材料が用いられる。また、発光素子１７１の光取
出し領域に当該スペーサ１７１が配置されるように、当
該シェル部には熱可塑性接着材を用いることが望まし
い。熱可塑性接着材を用いることにより、第二基板１７
０の主面にスペーサ１７１を配置した後、接着材層１７
２を形成する液状の接着材を滴下した場合、スペーサ１
７１が当該接着材により押し流され、発光素子１６１の
光取出し領域から外れた位置に移動されてしまう場合も
ある。従って、シェル部を熱可塑性接着材により形成し
ておけば、スペーサ１７１が発光素子１６１の下側に臨
むように配置された状態でスペーサ１７１を加熱した後
冷却することにより、光取出し領域である発光素子１６
１の下側に熱可塑性接着材を介してスペーサ１７１を固
定することが可能となる。また、当該シェル部を形成す
る材料は、光透過性を有しており、当該コア部と一体と
されてスペーサ１７１を構成し、発光素子１６１から出
射される光を拡散する。ここで、スペーサ１７１を加熱
した際に、当該コア部が溶融しないように当該シェル部
を形成する材料のガラス転移温度（Ｔｇ）より高いガラ
ス転移温度（Ｔｇ）を有する有機高分子材料により当該
コア部が形成される。

【００６９】次に、図２８に示すように、スペーサ１７
１を内包する剥離層１７２及び樹脂部１６２をダイシン
グして所要の間隔で素子分離溝１７３を形成し、樹脂形
成素子１７４を分離する。このとき、スペーサ１７１は
有機高分子材料と熱可塑性接着材により形成されている
ことにより、樹脂部１６２や接着材層１６７と共に同時
に剥離層１７２を容易にダイシングすることができる。

【００７０】この後、第二基板１７０の裏面から光を照
射することにより剥離層１７０を硬化させ、樹脂形成素
子１７４を第二基板１７０から分離する。樹脂形成素子
１７４は、画像表示装置を構成する配線用基板に配列さ
れて画像表示部を形成することになる。発光素子１６１
の下側を配線用基板の主面と対面するように配列した場
合、発光素子１６１の下側の剥離層１７２にスペーサ１
７１が内包されていることにより、配線用基板側を画像
表示面とすることができる。更に、スペーサ１７１によ
り発光素子の下側から出射される光を拡散することがで
きる。発光素子１６１が微小な点光源であっても、広い
範囲に光が取り出されることになり、非発光領域の面積
が低減された画像表示面を有する画像表示装置を形成す
ることができ、高品質の画像表示を行うことができる画
像表示装置の形成が可能となる。

【００７１】

【発明の効果】本発明に素子転写方法よれば、複数の素
子を転写する際に用いる接着材の膜厚を当該素子が配置
された基板の全体に亘って略一定とすることができ、転
写される素子が当該接着材により被覆された樹脂形成チ
ップとして取り扱う際に、当該樹脂形成チップの寸法バ
ラツキを低減することができる。樹脂形成チップの寸法
バラツキを低減することにより、当該樹脂形成チップを
高い精度で配置することが可能となる。これらの寸法バ
ラツキが低減された樹脂形成チップを配置して形成され
る電子応用装置や画像表示装置の品質を高めることもで
きる。

【００７２】更に、本発明の樹脂形成素子の製造方法に
よれば、発光素子を内包する樹脂形成素子を一定のサイ
ズで多数製造することができ、且つ当該発光素子から出
射される光を樹脂形成素子中で拡散させることができ
る。従って、発光素子が発光ダイオードの如き点光源で
ある場合でも、画像表示面における画素のサイズを大き
く見せることができ、画像表示面の非発光領域の面積が
低減された高品質の画像表示装置を提供することができ
る。また、画像表示装置に別途光拡散構造を形成する必
要がないので、製造工程も簡略化することができ、製造
コストの低減にも繋がる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の素子転写方法において素子形成基板に
形成された素子の配置図である。

【図２】本発明の素子転写方法において用いられる接着
材シートの一例の斜視図である。

【図３】本発明の素子転写方法において接着材シートを
樹脂部上に配置した工程図である。

【図４】本発明の素子転写方法における転写基板を配置
する工程図である。

【図５】本発明の素子転写方法においてレーザー光を照
射する工程図である。

【図６】本発明の素子転写方法において素子を素子形成
基板から分離する工程図である。

【図７】本発明の素子転写方法の変形例における素子形
成基板上に形成された素子の配置図である。

【図８】本発明の素子転写方法の変形例における素子の
構造を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面
図である。

【図９】本発明の素子転写方法の変形例において用いら
れる接着材シートの斜視図である。

【図１０】本発明の素子転写方法の変形例において接着
材シートを樹脂上に配置した工程図である。

【図１１】本発明の素子転写方法の変形例において転写
基板を配置した工程図である。

【図１２】本発明の素子転写方法の変形例においてレー
ザー光を照射する工程図である。

【図１３】本発明の素子転写方法の変形例において素子
を素子形成基板から分離する工程図である。

【図１４】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
素子形成基板の主面に発光素子が形成された工程を示す
概略工程図である。

【図１５】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
スペーサと発光素子を覆うように接着材層を形成する工
程を示す概略工程図である。

【図１６】本発明の樹脂形成素子の製造方法において用
いられるスペーサの構造図である。

【図１７】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
スペーサを内包する接着材層に一時保持用部材を接着す
る工程を示す概略工程図である。

【図１８】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
発光素子を素子形成基板から分離する工程を示す概略工
程図である。

【図１９】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
第二基板に発光素子を接着する工程を示す概略工程図で
ある。

【図２０】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
一時保持用部材を剥離する工程を示す概略工程図であ
る。

【図２１】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
素子分離溝を形成する工程を示す概略工程図である。

【図２２】本発明の樹脂形成素子が配列されて形成され
る画像表示装置の要部を示す断面図である。

【図２３】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
接着材層を形成する工程を示す概略工程図である。

【図２４】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
発光素子を一時保持用部材に接着する工程を示す概略工
程図である。

【図２５】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
発光素子を一時保持用部材に転写する工程を示す概略工
程図である。

【図２６】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
発光素子を第二基板に接着する工程を示す概略工程図で
ある。

【図２７】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
一時保持用部材を剥離する工程を示す概略工程図であ
る。

【図２８】本発明の樹脂形成素子の製造方法において、
素子分離溝を形成する工程を示す概略工程図である。

【図２９】従来の素子転写方法を示す工程図である。

【符号の説明】

１１、７１、２０１ 素子 １２、７２、８０ 電極 １３、７３、２０３ 樹脂部 １４、７４、２０５ 素子形成基板 １５、４１、７５、９１ 吸着盤 ２１、８１ 接着材シート ２２、８２、２０４ 接着材 ２３ ビーズ ４２、９２、２０６ 転写基板 ４３、９３ 周辺スペーサ ５１、１０１ レーザー光 ７９ 下地成長層 ８３ メッシュ １２１、１４２、１６１ 発光素子 １２５、１４５、１７５ スペーサ １２５ａ コア部 １２５ｂ シェル部 ２０７ スペーサ １３２、１４１、１７４ 樹脂形成素子 ２０８ 加圧クリップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C094 AA03 AA43 AA46 AA55 BA02 BA23 CA19 DA13 DB04 EC03 ED13 FA01 FA02 FB01 FB15 GB10 5F041 AA07 AA35 AA42 CA10 CA40 CA46 CA76 CA77 CB36 DA13 DA44 DA46 DA56 DA59 DA82 DB08 FF06 5G435 AA01 AA17 BB04 CC09 FF06 HH04 HH14 HH18 HH20 KK05 KK10

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の基板の主面に素子を配置し、 スペーサを内在すると共にシート状に成形された接着材
   を前記素子上に配置し、 前記接着材を介して前記第１の基板と対向する第２の基
   板の主面に前記素子を転写することを特徴とする素子転
   写方法。
2. 【請求項２】前記素子を被覆するように樹脂部を形成
   し、 前記樹脂部の上面に前記接着材を配置することを特徴と
   する請求項１記載の素子転写方法。
3. 【請求項３】前記上面は平坦であることを特徴とする請
   求項２記載の素子転写方法。
4. 【請求項４】前記接着材は前記上面の全面を覆うことを
   特徴とする請求項２記載の素子転写方法。
5. 【請求項５】前記第１の基板又は前記第２の基板を押圧
   し、 前記接着材の全体に亘って略一定の膜厚を保持しながら
   前記素子を転写することを特徴とする請求項１記載の素
   子転写方法。
6. 【請求項６】前記スペーサのサイズに合わせて前記膜厚
   を保持することを特徴とする請求項５記載の素子転写方
   法。
7. 【請求項７】前記スペーサの形状は略球形であることを
   特徴とする請求項１記載の素子転写方法。
8. 【請求項８】前記スペーサの形状はメッシュ状であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の素子転写方法。
9. 【請求項９】前記スペーサ又は前記接着材はエポキシ系
   樹脂であることを特徴とする請求項１記載の素子転写方
   法。
10. 【請求項１０】前記素子を前記第２の基板の主面に転写
    するとともに前記接着材と前記スペーサを一体化させる
    ことを特徴とする請求項１記載の素子転写方法。
11. 【請求項１１】前記第１の基板の主面と前記第２の基板
    の主面が平坦になるように保持しながら前記素子を転写
    することを特徴とする請求項１記載の素子転写方法。
12. 【請求項１２】前記第１の基板と前記第２の基板をそれ
    ぞれ吸着することにより保持することを特徴とする請求
    項１１記載の素子転写方法。
13. 【請求項１３】前記第１の基板と前記第２の基板の裏面
    全体を吸着することを特徴とする請求項１２記載の素子
    転写方法。
14. 【請求項１４】前記素子は発光素子であることを特徴と
    する請求項１記載の素子転写方法。
15. 【請求項１５】前記発光素子は発光ダイオードであるこ
    とを特徴とする請求項１４記載の素子転写方法。
16. 【請求項１６】前記発光素子はＧａＮ系化合物からなる
    結晶層により形成されていることを特徴とする請求項１
    ４記載の素子転写方法。
17. 【請求項１７】前記結晶層は前記第１の基板の主面に対
    して傾斜した傾斜結晶面を有することを特徴とする請求
    項１６記載の素子転写方法。
18. 【請求項１８】前記傾斜結晶面はＳ面（（１−１０１）
    面）であることを特徴とする請求項１７記載の素子転写
    方法。
19. 【請求項１９】第１の基板の主面に配置された素子が、 スペーサを内在すると共にシート状に成形された接着材
    を介して前記第１の基板と対向する第２の基板の主面に
    転写されて所要の素子アレイ部が形成されることを特徴
    とする電子応用装置。
20. 【請求項２０】第１の基板の主面に配置された発光素子
    が、 スペーサを内在すると共にシート状に成形された接着材
    を介して前記第１の基板と対向する第２の基板の主面に
    転写されて所要の画像表示部が形成されることを特徴と
    する画像表示装置。
21. 【請求項２１】第１の基板の主面に配置された発光素子
    上に光拡散構造を有するスペーサを配置し、 前記スペーサと前記発光素子を覆うように接着材層を形
    成し、 前記接着材層を介して前記第１の基板と対向する第２の
    基板の主面に前記発光素子を転写し、 前記接着材層を所要のサイズに分離してチップ化するこ
    とを特徴とする樹脂形成素子の製造方法。
22. 【請求項２２】前記スペーサは、コア部と当該コア部を
    覆うシェル部からなる多層構造を有することを特徴とす
    る請求項２１記載の樹脂形成素子の製造方法。
23. 【請求項２３】前記コア部と前記シェル部は光透過性を
    有することを特徴とする請求項２２記載の樹脂形成素子
    の製造方法。
24. 【請求項２４】前記コア部は有機高分子材料により形成
    されていることを特徴とする請求項２２記載の樹脂形成
    素子の製造方法。
25. 【請求項２５】前記シェル部は熱可塑性接着材により形
    成されることを特徴とする請求項２２記載の樹脂形成素
    子の製造方法。
26. 【請求項２６】前記有機高分子材料のガラス転移温度
    は、前記熱可塑性接着材のガラス転移温度より高いこと
    を特徴とする請求項２４記載の樹脂形成素子の製造方
    法。
27. 【請求項２７】第１の基板の主面に配置された発光素子
    上に光拡散構造を有するスペーサを配置し、 前記スペーサと前記発光素子を覆うように接着材層を形
    成し、 前記接着材層を介して前記第１の基板と対向する第２の
    基板の主面に前記発光素子を転写し、 前記接着材層を所要のサイズに分離して前記発光素子を
    内包する樹脂形成素子を形成し、 前記樹脂形成素子を配列することにより所要の画像表示
    部を形成することを特徴とする画像表示装置の製造方
    法。
28. 【請求項２８】第１の基板の主面に配置された発光素子
    上に光拡散構造を有するスペーサが配置され、 前記スペーサと前記発光素子を覆うように接着材層が形
    成され、 前記接着材層を介して前記第１の基板と対向する第２の
    基板の主面に前記発光素子が転写され、 前記接着材層を所要のサイズに分離して前記発光素子を
    内包する樹脂形成素子が形成され、 前記樹脂形成素子が配列されることにより所要の画像表
    示部が形成されることを特徴とする画像表示装置。