JP2003206254A

JP2003206254A - ７−テトラデセン−２−オンの製造方法

Info

Publication number: JP2003206254A
Application number: JP2002003458A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Yuasa; 博之湯浅; Shiro Satoda; 史朗里田; Masataka Aoyama; 真登青山
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2002-01-10
Filing date: 2002-01-10
Publication date: 2003-07-22

Abstract

(57)【要約】【課題】クロム酸を使用することなく、７−テトラデ
セン−２−オンを、少ない工程数で、かつ、高収率で、
安定して製造しうる方法を提供すること。【解決手段】７−テトラデセン−２−オンの製造方法
は、５−ヘキシン−１−オールと１−ブロモヘキサンと
を出発物質とする。例えば、５−ヘキシン−１−オール
及び１−ブロモヘキサンから５−ドデシン−１−オール
を製造する第一工程と、この５−ドデシン−１−オール
から（Ｚ）−５−ドデシン１−オールを製造する第二工
程と、（Ｚ）−５−ドデシン−１−オールから（Ｚ）−
１−ブロモ−５−ドデシンを製造する第三工程と、
（Ｚ）−１−ブロモ−５−ドデシンから（Ｚ）−７−テ
トラデセン−２−オンを製造する第四工程とを具備す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、７−テトラデセン
−２−オンの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】鞘翅目コガネムシ科に属するセマダラコ
ガネ（oriental beetle, Blitoperthaorientalis water
house）の成虫は、芝草、広葉樹や各植物等の葉や実等
を食害し、幼虫は、地下に潜み芝草等の食物の根を食害
する害虫である。セマダラコガネの防除方法としては薬
剤散布があるが、地下で食害が進行しているために被害
が目に見え始めた頃には既に手遅れとなっていることが
多い。また、セマダラコガネの成虫は、体長が８．０ｍ
ｍ〜１３．５ｍｍであるので、小さくて目立たず、発生
が認識されていないケースが多い。このようにセマダラ
コガネによる被害を予防または防除することは非常に困
難な状況にある。そこで、この害虫を効果的に防除する
ために、性フェロモンを用いて発生予察を行い、的確な
時期に薬剤散布が行われている。また、性フェロモン誘
引剤を用いて、大量の雄成虫を捕獲したり、雌雄の配偶
行為を撹乱することも行われている。１９９３年、蚕糸
・昆虫農業技術研究所でセマダラコガネ性フェロモンの
構造決定がなされている。その構造は、（Ｚ）−７−テ
トラデセン−２−オン、（Ｅ）−７−テトラデセン−２
−オンの２種の異性体で、天然物で７：１の混合物であ
ることが報告されている。翌１９９４年には、コーネル
大学のＷ．Ｌ．Ｒｏｅｌｏｆｓらにより近縁種のAnomal
a Orientalis waterhouseの性フェロモンは（Ｚ）−７
−テトラデセン−２−オンと（Ｅ）−７−テトラデセン
−２−オンの９：１の混合物であると同定されている。
（Ｅ）−および（Ｚ）−７−テトラデセン−２−オンの
製造方法としては、製法１：（Ｅ）−または（Ｚ）−６
−トリデセン−１−オールを出発原料として、（Ｅ）−
および（Ｚ）−７−テトラデセン−２−オンをそれぞれ
合成する方法（Journal of Chemical Ecology, 20(9, 1
994)、製法２：５−カルボキシペンチルトリフェニルホ
スホニウムブロミドにメチルリチウムを用いたｗｉｔｔ
ｉｇ反応により、（Ｅ）−および（Ｚ）−７−テトラデ
セン−２−オンの混合物を得る方法（特開平６−２３９
７０５号公報、Naturwissenschaften 80, 86-87, 199
3）、製法３：１−オクチンのリチウム塩を出発原料と
して、（Ｚ）−７−テトラデセン−２−オンを優先的に
合成する方法（Naturwissenschaften 80, 86-87, 199
3）等が知られている。しかしながら、製法１は原料が
高価であるという問題点を、製法２はシス−トランス比
の制御が困難であるので工業生産に適さないという問題
点を、製法３は副反応が多いという問題点をそれぞれ有
する。

【０００３】また、酸化反応にクロム酸を使用する製法
（製法４）が特開２０００−２２９９６２号公報に開示
されている。図５に製法４の合成方法を示す。ここで
は、例えば、１，５−ヘキサンジオールを出発物質と
し、ピリジン溶液中、ｐ−トルエンスルホニルクロライ
ドを反応させ、６−トルエンスルホニルヘキサン−２−
オールを得て（第１工程）、これをＴＨＦ溶液中、臭化
リチウムにより、６−ブロモヘキサン−２−オールを得
る（第２工程）。次にＴＨＦ溶液中、３，４−ジヒドロ
−２Ｈ−ピラン（ＤＨＰ）を加え、ｐ−トルエンスルホ
ン酸（ＴｓＯＨ触媒）を添加することによって１−ブロ
モヘキサン−５−オールテトラヒドロピラニルエーテル
を製造する（第３工程）。次いで、ｎ−ブチルリチウム
の存在下で処理した１−オクチンと１−ブロモヘキサン
−５−オールテトラヒドロピラニルエーテルとをヘキサ
メチルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）中で反応させること
によって、７−テトラデシン−２−オールテトラヒドロ
ピラニルエーテルを製造する（第４工程）。得られた７
−テトラデシン−２−オールテトラヒドロピラニルエー
テルをメタノールに溶解させ、ｐ−トルエンスルホン酸
を添加して加水分解を行うことにより、７−テトラデシ
ン−２−オールを製造する（第５工程）。７−テトラデ
シン−２−オールを、溶媒中、リチウム等のアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の存在下で、溶解金属還元を
行い、アセチレン結合を二重結合に還元することにより
７−テトラデセン−２−オールが得られる（第６工
程）。続いて、７−テトラデセン−２−オールを、酸化
剤として酸化クロム（ＶＩ）を用い、溶媒である塩化メ
チレン中で酸化を行うことにより、７−テトラデセン−
２−オンを製造する（第７工程）。反応終了後は、例え
ば、抽出、洗浄、濃縮、カラムクロマトグラフィー等の
操作により、得られた７−テトラデセン−２−オンを単
離、精製することができる。製法４は、第７工程におけ
る酸化反応においてクロム酸を用いるが、クロム酸は発
癌性がある物質であり、使用を避けることが好ましい。
また、反応工程が７工程に及び、総収率は２０〜２５％
と低い。しかも、原料が高価であり、単価が高く、採算
性がよくない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決すべく為されたものであり、本発明の目的は、ク
ロム酸を使用することなく、（Ｅ）−７−テトラデセン
−２−オン及び／又は（Ｚ）−７−テトラデセン−２−
オンを簡便に、かつ工業的に高収率で製造し得る製造方
法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の７−テトラデセ
ン−２−オンの製造方法は、５−ヘキシン−１−オール
と１−ブロモヘキサンとを出発物質とすることを特徴と
する。ここで、最終工程において増炭反応を行うことが
できる。また、５−ヘキシン−１−オール及び１−ブロ
モヘキサンから下記式（１）で表される５−ドデシン−
１−オールを製造する第一工程と、式（１）で表される
５−ドデシン−１−オールから下記式（２）で表される
（Ｚ）−５−ドデシン１−オールを製造する第二工程
と、式（２）で表される（Ｚ）−５−ドデシン−１−オ
ールから（Ｚ）−１−ブロモ−５−ドデシンを製造する
第三工程と、（Ｚ）−１−ブロモ−５−ドデシンから
（Ｚ）−７−テトラデセン−２−オンを製造する第四工
程とを具備することができる。

【０００６】

【化２】

【０００７】また、第一工程は、ｎ−ブチルリチウムを
用いて増炭反応を行うことができる。また、第二工程
は、水素ガス吹き込み方法を用いて接触還元反応を行う
ことができる。また、第三工程は、水酸基のハロゲン化
反応を行うことができる。また、第四工程は、２−メチ
ル−１，３−ジチアンを用いて（Ｚ）−（１，３−ジチ
アン−２−イル）−７−テトラデセンを合成し、（Ｚ）
−（１，３−ジチアン−２−イル）−７−テトラデセン
を添加することができる。また、総収率は３０％以上で
あることが好ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の７−テトラデセン−２−
オンの製造方法は、５−ヘキシン−１−オールと１−ブ
ロモヘキサンとを出発物質とする。具体的には、図１に
示すように、第一工程〜第四工程からなる。以下、各工
程について詳細に説明する。なお、原料の比は特記しな
い限り原料に対するモル比を示す。

【０００９】第一工程においては、ｎ−ブチルリチウム
を使用して増炭反応を行う。ここでは、５−ヘキシン−
１−オールを出発原料として、これに、−５５℃〜−７
０℃の温度で、例えば約−６０℃で、ｎ−ブチルリチウ
ム（ｎ−ＢｕＬｉ）を溶媒に溶解した溶液を５分〜１０
分で、例えば約５分で滴下する。ここで、ｎ−ＢｕＬｉ
の替わりに、メチルリチウム、水素化ジイソブチルアル
ミニウム（ＤＩＢＡＬ−Ｈ）、ＬｉＡｌ₄Ｈ、ＬｉＮ
ａ、リチウム錯体、ナトリウム錯体等を用いることがで
き、溶媒としては、ヘキサホスホルアミド（ＨＭＰ
Ａ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルスルホ
キシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルイミダゾール（ＤＭ
Ｉ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等を用いること
ができる。また、ｎ−ＢｕＬｉの使用量は、５−ヘキシ
ン−１−オール（生成物１）の１当量に対して、２．１
〜２．５当量の範囲であり、約２．３当量であることが
好ましい。また、ＨＭＰＡの使用量は、ｎ−ＢｕＬｉの
１当量に対して１．５〜３．３当量であり、収率に影響
を与えない範囲内で減量することが好ましい。次に、蒸
留したＨＭＰＡを約５分で滴下した後、１−ブロモヘキ
サンを無水ＴＨＦ（dry ＴＨＦ）に溶解した溶液を約５
分間で滴下した後、温度を上げて室温にて反応させる。
反応時間は一概には言えないが、例えば、室温に戻して
から１時間程度である。なお、本発明において室温とい
う場合には、約１５℃〜３０℃を意味するものとする。
反応終了後、未反応のアニオンを分解するために、温度
約−３０℃に冷却して飽和アンモニウム水溶液を滴下す
る。その後室温に戻し、抽出を行うことにより、式
（１）で表される５−ドデシン−１−オール（生成物
２）が得られる。ここで、飽和アンモニウム水溶液の替
わりに、飽和食塩水、蒸留水等を用いることができる。
また、有機層を分離した後、水層からエーテルを用いて
再抽出を行うことが好ましい。

【００１０】第二工程においては、反応性の高い水素ガ
ス吹き込み方法を用いて接触還元反応を行うことによ
り、シス型オレフィンを形成する。ここでは、まず前処
理を行う。５−ドデシン−１−オールを無水ＴＨＦに溶
解し、活性炭を添加して懸濁液を作成し、この懸濁液を
セライトろ過し、これを原料溶液とする。反応容器内を
アルゴンで置換した後、リンドラー触媒、シリカゲル、
キノリン、無水ＴＨＦと、原料溶液とを添加し、水素ガ
スを吹き込んで反応を起こさせる。リンドラー触媒の使
用量は、（Ｚ）−５−ドデシン−１−オール（生成物
３）の約３％に該当する量であり、水素ガスの吹き込み
量は、０．５〜１．５ｃｍ³／分で、２〜３時間であ
る。また、反応時間は一概には言えないが、約２．５時
間で反応が完全に完了すると考えられる。次に、後処理
を行うことにより、（Ｚ）−５−ドデシン−１−オール
（生成物３）を得る。

【００１１】第三工程においては、水酸基のハロゲン化
を行うが、ここではメタンスルホニル化物を経由して臭
素化反応を行う。（Ｚ）−５−ドデシン−１−オール
（生成物３）を溶媒に溶解し、これにトリエチルアミン
を加えた後、約−１０℃以下にてメタンスルホニルクロ
ライド（ＭｓＣｌ）を滴下し、その後室温にて反応を終
了させる。反応時間は一概には言えないが、例えば２時
間〜一晩程度である。反応終了後、後処理を行って抽出
により、粗生成物３’を得る。ここで、溶媒としては、
例えば無水ＴＨＦ、無水ジエチルエーテル、無水ペンタ
ン、無水ヘキサン、無水ジクロロエタン、無水酢酸エチ
ル等を使用することができ、トリエチルアミンの替わり
にピリジン、ピペリジン等を使用することができ、メタ
ンスルホニルクロライドの替わりにトシルクロライド等
を使用することができる。メタンスルホニルクロライド
の使用量は、（Ｚ）−５−ドデシン−１−オール（生成
物３）の１当量に対して、１．１〜１．５当量であり、
約１．２２当量であることが好ましい。また、溶媒とし
てのトリエチルアミンの使用量は、ＭｓＣｌの約２倍量
であることが好ましく、無水塩化メチレンの使用量は、
（Ｚ）−５−ドデシン−１−オール（生成物３）を溶解
したときの濃度が約１３％であるように使用することが
好ましい。

【００１２】次に、反応容器内に、臭化リチウムと炭酸
水素ナトリウムとを入れ減圧乾燥した後、反応容器内を
アルゴンで置換する。ここに、粗生成物３’を無水ＴＨ
Ｆに溶解させた溶液を滴下し、反応させる。反応時間は
室温に戻した後、一晩程度である。反応終了後、抽出を
行い、後処理を経て（Ｚ）−１−ブロモ−５−ドデセン
（生成物４）を得る。臭化リチウムの使用量は、（Ｚ）
−１−ブロモ−５−ドデセン（生成物４）の約２倍量で
あることが好ましく、炭酸水素ナトリウムの使用量は、
臭化リチウムの約１．３６倍であることが好ましい。ま
た、無水ＴＨＦの使用量は、粗生成物３’を溶解したと
きの濃度が約１８％となるように使用することが好まし
い。なお、本発明においては、第二工程で精製を行わな
くても、問題なく第三工程の反応が進行する。

【００１３】第四工程においては、まず、シントンとし
て２−メチル−１，３−ジチアンを合成しておき、カッ
プリング反応、脱保護を続けて行う。図２を用いて２−
メチル−１，３−ジチアンを合成する方法を説明する。
ここでは、アセトアルデヒドをクロロホルムに溶解した
溶液に、１，３−プロパンジチオールを添加して室温で
約１時間反応させる。その後、温度を５℃以下にし、三
フッカホウ素ジエチルエーテル錯体を滴下して反応させ
る。反応時間は５℃で約一晩である。反応終了後、後処
理を行い、洗浄、乾燥、減圧濃縮等を行い、２−メチル
−１，３−ジチアンを得る。ここで、乾燥には、炭酸カ
リウムを使用することが好ましいが、無水硫酸ナトリウ
ム、無水炭酸カリウム、無水硫酸マグネシウム等を使用
することもできる。

【００１４】２−メチル−１，３−ジチアンを溶媒に溶
解させて、−２０℃以下でｎ−ブチルリチウムをｎ−ヘ
キサンに溶解した溶液を滴下し、反応させる。反応時間
は約２時間である。次に図３に示すように、１−ブロモ
−５−ドデシンを溶媒に溶解した溶液を滴下した後、温
度を室温まで上げて室温で反応を行う。反応時間は一晩
程度である。反応終了後、抽出を行い粗生成物として
（Ｚ）−（１，３−ジチアン−２−イル）−７−テトラ
デセン（生成物４’）を得る。

【００１５】図４に示すように、酸化第二銅、塩化第二
銅、無水アセトンを混合し、これに、粗成生物である
（Ｚ）−（１，３−ジチアン−２−イル）−７−テトラ
デセンを無水アセトンと無水ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）に溶解した溶液を滴下して還流を行う。反応は、
溶液が十分に還流する温度であることが好ましく、例え
ば、約５５〜５７℃である。反応時間は約９０分であ
る。反応終了後、後処理を行い、（Ｚ）−７−テトラデ
セン−２−オン（生成物５）を得る。なお、第四工程に
おいて増炭と共にケトン形成を行ったので、工程数を少
なくすることができ、有害なクロム酸を使用することな
く、安定して、高収率で、かつ、高額で立体選択的な反
応が必要な試薬であるジオールを使用せずに、目的物を
得ることが可能となった。

【００１６】

【実施例】以下に実施例を用いて、本発明を詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。な
お、以下の実施例において、部は重量部を意味する。第
一工程は、ｎ−ブチルリチウムを用いたカップリング反
応を変形したものであり、ｎ−ブチルリチウムを用いて
増炭反応を行った。温度計、三方コック、滴下ロートを
備えた５００ｍＬの３つ口フラスコに、５−ヘキシン−
１−オールを５．０ｇ、無水ＴＨＦ（ｄｒｙＴＨＦ）
を１２０ｍＬ仕込み、フラスコ内をアルゴンで置換し
た。アセトン−ドライアイスバス等の冷却手段を用いて
−６０℃以下に冷却したところに、１．６モルのｎ−ブ
チルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）を含むｎ−ヘキサン溶液
（７３．３ｍＬ）を約５分間で滴下した。なお、ｎ−Ｂ
ｕＬｉの使用量は５−ヘキシン−１−オールの１当量に
対して２．３当量に該当する。滴下終了後、反応溶液を
−６０℃以下に維持しながらスターラを用いて１０分間
攪拌した。次いで、強く攪拌しつつ、蒸留したヘキサメ
チルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）の７１．４ｍＬを約５
分間で滴下した。なお、ＨＭＰＡの使用量は、ｎ−Ｂｕ
Ｌｉの１当量に対して３．３当量に該当する。滴下終了
後、−６０℃以下に維持しながら、１０分間スターラを
用いて攪拌を行った。その後、フラスコ内に１−ブロモ
ヘキサンを８．４ｇ含む無水ＴＨＦ溶液（３０ｍＬ）を
滴下した。滴下終了後、アセトン−ドライアイスバスを
そのまま放置し、ゆっくりと室温まで戻した後、一晩、
室温下でスターラによる攪拌を行った。薄層クロマトグ
ラフィー（ＴＬＣ）（ヘキサン：酢酸エチル＝４：３）
およびガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により反応が終
了したことを確認した。次に、−３０℃以下になるまで
冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（８０ｍＬ）
を徐々に滴下して未反応のアニオンを分解した。アセト
ン−ドライアイスバスを取り除き、室温まで戻して攪拌
することにより、有機層と水層に分離した。有機層を減
圧濃縮し、また水層からはエーテル（１５０ｍＬ）を用
いて３回再抽出を行った。減圧濃縮した有機層の残渣
と、再抽出を行ったエーテル層とを混合し、その後、ブ
ラインで３回洗浄を行った。これを、無水硫酸ナトリウ
ムを用いて乾燥し、減圧濃縮して黄色油状の粗生成物
（１３．２６ｇ）を得た。１５０ｇのシリカゲルを用い
てクロマトグラフィーによる精製を行い、式（１）で示
される５−ドデシン−１−オール（生成物２、８．４５
ｇ、収率＝９１．０％、化学純度（ｃ．ｐ．）＝９９．
３％）を得た。ただし、展開溶媒は、ヘキサン：エーテ
ル＝１０：１〜２：１である。

【００１７】第二工程においては、反応性の高い水素ガ
ス吹き込み方法で接触還元反応を行った。第一工程にお
いて得られた５−ドデシン−１−オールについて前処理
を行った。すなわち、５−ドデシン−１−オール（生成
物２、７．５ｇ）を、遮光したナスフラスコ内で無水Ｔ
ＨＦ（１５ｍＬ）に溶解させ、活性炭（１．０ｇ）を加
えてアルゴン置換を行った。その後、遮光したナスフラ
スコ内の懸濁液を室温で約３０分攪拌した。この懸濁液
をセライトろ過し、これを原料溶液とした。温度計、三
方コック、バブル吹き込み用のパスツールピペットを備
えた５００ｍＬの３つ口フラスコ内をアルゴンガスで置
換した後、リンドラー触媒（０．２３ｇ）、シリカゲル
（１０．０ｇ）、蒸留キノリン（０．４６ｇ）、無水Ｔ
ＨＦ（合計６０ｍＬ）を仕込んだ。ここに、前処理によ
り得られた原料溶液を入れ、３００〜４００ｒｐｍの速
度で強く攪拌を行いながら、１ｃｍ³／分で２．５時
間、Ｈ₂ガスを吹き込んだ。なお、フラスコ内における
攪拌は、スリーワンモータによる攪拌を行うものとす
る。反応が始まると、わずかに温度が上昇し（２５
℃）、反応が完全に終了すると、室温より低い温度（１
３℃）になった。薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）
（展開溶液ヘキサン：エチルアセテート＝４：３）お
よびガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により反応終了を
確認した。反応は２．５時間で完全に完了した。次に、
アルゴンガスをバブルとして吹き込んだ後、セライトろ
過を行い、濾液を１Ｎの冷ＨＣｌ水溶液で２回洗浄し
た。続いて、飽和ＮａＨＣＯ₃水溶液で２回洗浄した
後、ブラインで２回洗浄を行った。これを、Ｎａ₂ＳＯ₄
を用いて乾燥した後、減圧濃縮して淡黄色油状の粗生成
物（７．４９ｇ）を得た。５０ｇのシリカゲルを用いて
クロマトグラフィーによる精製を行って、（Ｚ）−５−
ドデシン−１−オール（生成物３、７．４３ｇ、収率＝
９８．０％、ｃ．ｐ．＝９９．６％）を得た。ただし、
クロマトグラフィーの展開溶媒は、ヘキサン：エーテル
＝２：１である。

【００１８】第三工程において、水酸基のハロゲン化反
応を行った。温度計、３方コック及び滴下ロートを備え
た２００ｍＬの３つ口フラスコに、第２工程において得
られた（Ｚ）−５−ドデシン−１−オール（生成物３）
の７．０ｇを５０ｍＬの無水ジクロロメタン（dry dich
loromethane）（５０ｍＬ）に溶解した溶液を加え、続
けてトリエチルアミン（１０．６４ｇ）を加えた。フラ
スコ内をアルゴンで置換した後、１０℃以下まで氷冷し
た。これにメタンスルホニルクロライド（５．３２ｇ）
を滴下した後、室温で一晩スターラを用いて攪拌を行っ
た。ＴＬＣ（展開溶媒はヘキサン：エチルアセテート＝
２：１）で反応終了を確認した。次に、ジクロロメタン
（５０ｍＬ）、Ｈ₂Ｏ（１００Ｌ）を加えて有機層と水
層とを分離した。水層をジクロロメタン（５０ｍＬ）で
２回再抽出を行い、分離してあった有機層に混合した。
これを、１Ｎの塩酸水溶液、飽和ＮａＨＣＯ₃水溶液、
ブラインのそれぞれで洗浄を行った。その後、Ｎａ₂Ｓ
Ｏ₄を用いて乾燥した後、減圧濃縮し、油状の粗生成物
３’（９．３ｇ）を得た。続けて、２００ｍＬの３つ口
フラスコに、温度計、３方コック及び滴下ロートを取り
付け、スターラも準備した。フラスコに臭化リチウム
（６．７ｇ）、炭酸水素ナトリウム（８．７ｇ）を仕込
み、５０℃で２時間減圧乾燥を行った。次にフラスコを
アルゴンで置換し、無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）を加えた。
続いて、３’を無水ＴＨＦ（３５ｍＬ）に溶かした溶液
を滴下した。その後、５０℃で３時間攪拌を行った後、
一晩室温で攪拌を行った。ＴＬＣ（ヘキサン：エチルア
セテート＝２０：１）で反応終了を確認した。これに、
ヘキサン（５０ｍＬ）、及びＨ ₂Ｏ（１００ｍＬ）を加
えて、有機層と水層とを分離した。この水層をヘキサン
（１００ｍＬ）で２回再抽出し、分離されていた有機層
と混合し、ブラインで洗浄を行った。これを、Ｎａ₂Ｓ
Ｏ₄を用いて乾燥を行った後、減圧濃縮し、油状の粗生
成物（８．４ｇ）を得た。これを、シリカゲル（４０
ｇ）を用いてクロマトグラフィー（展開溶媒ヘキサ
ン：エーテル＝１０：１）による精製を行い（Ｚ）−１
−ブロモ−５−ドデシン（生成物４、８．０２ｇ、収率
＝８５．４％、ｃ．ｐ．＝９８．０％）を得た。

【００１９】第四工程において、まず、シントンとして
２−メチル−１，３−ジチアンを合成しておく。温度
計、三方コックおよび滴下ロートを備えた、２００ｍＬ
の３つ口フラスコに、アセトアルデヒド（１０ｇ）をク
ロロホルム（３００ｍＬ）に溶解させた溶液を入れ、
１，３−プロパンジチオール（３１ｇ）を加えた。これ
を室温で１時間、スターラを用いて攪拌を行った。その
後、５℃以下になるまで氷冷し、これにＢＦ₃・Ｅｔ₂Ｏ
（１０ｍＬ）を滴下した。滴下終了後、止栓して密封
し、低温で一晩スターラによる攪拌を行った。ガスクロ
マトグラフィーにより反応が終了したことを確認した
後、反応溶液を７ｗ／ｖ％水酸化カリウム水溶液、水、
ブラインで洗浄を行った。Ｋ₂ＣＯ₃を用いて乾燥を行っ
た後、減圧濃縮し、油状の粗生成物（２７．８１ｇ、
ｃ．ｐ．＝８９．５％）を得た。これを、減圧蒸留
（ｂ．ｐ．＝６０〜６５℃）により精製を行った後、２
−メチル−１，３−ジチアン（１７．５４ｇ、収率＝６
４．２％、ｃ．ｐ．＝１００％）を得た。

【００２０】三方コック及びセプタムを備えた５０ｍＬ
の反応フラスコに、２−メチル−１，３−ジチアン
（０．５ｇ）を無水ＴＨＦ（６ｍＬ）に溶解した溶液を
入れ、アルゴンで置換を行った。アルゴンで置換した
後、冷却し、温度が−２０℃〜−３０℃の範囲となった
ところで、１．６モルのｎ−ブチルリチウムをｎ−ヘキ
サン溶液（２．６６ｍＬ）に溶解した溶液を滴下した。
滴下終了後、温度を−２０℃に保持しながら、２時間、
スターラにより攪拌を行った。強く攪拌をおこないつ
つ、１−ブロモ−５−ドデシン（０．５ｇ）を無水ＴＨ
Ｆ（３ｍＬ）に溶解した溶液を滴下した。滴下が終了し
た後、−２０度以下に保持しつつ２時間、スターラによ
り攪拌を行った。その後、アイスバスをそのまま放置し
て室温にし、室温で一晩攪拌を行った。ガスクロマトグ
ラフィーにより反応終了を確認した後、−３０℃以下に
なるまで冷却を行い、その後、水（２０ｍＬ）を徐々に
滴下して未反応のアニオンを分解した。次に、アイスバ
スを取り除き、室温まで温度を上げて攪拌を行って、有
機層と水層とを分離した。次に有機層を減圧濃縮した。
また、水層からエーテル（２５ｍＬ）を用いて３回再抽
出を行い、分離した有機層の残渣と混合し、ブラインで
洗浄を行い、水洗浄を行った。これを、Ｎａ₂ＳＯ₄を用
いて乾燥を行った後、減圧濃縮し、黄色油状の粗生成物
（Ｚ）−（１，３−ジチアン−２−イル）−７−テトラ
デセン（生成物４’、０．７６ｇ、収率＝９１．４％、
ｃ．ｐ．＝７３％））を得た。これについては精製を行
わず、続けて次の反応を行った。

【００２１】温度計、セプタム、上方に三方コックを備
えたジムロート冷却管を取りつけた、５０ｍＬの反応フ
ラスコに、酸化銅（II）を０．２ｇ、塩化銅（II）を
０．６５ｇ、無水アセトン（３０ｍＬ）を入れた後、ア
ルゴンで置換を行った。スターラを用いて強く攪拌を行
いながら、ゆっくりと還流し始め、温度が約４５℃にな
ってから、（Ｚ）−（１，３−ジチアン−２−イル）−
７−テトラデセン（生成物４’）を０．３ｇ、無水アセ
トン（３ｍＬ）、無水ＤＭＦ（０．６ｍＬ）の混合溶液
を滴下した。滴下終了後、反応溶液を温度（約５５〜５
７℃）の温度まで加熱しながら９０分間攪拌を行いつつ
還流を行った。ガスクロマトグラフィで反応が終了した
ことを確認してから、反応溶液に水（２０ｍＬ）を添加
し、エーテル（２５ｍＬ）による抽出を３回行った。有
機層をブラインで洗浄し、Ｎａ ₂ＳＯ₄を用いて乾燥した
後、減圧濃縮し、黒色油状の粗生成物である、（Ｚ）−
７−テトラデセン−２−オン（生成物５、０．４３ｇ、
収率＝１０１．２％、ｃ．ｐ．＝６３．７％）を得た。
化学純度より、理論的に収率は約６０〜７０％であると
考えられる。オレフィンのＥ／Ｚ比は、ガスクロマトグ
ラフィーでの分析を行ったところ、Ｚ体：Ｅ体＝９８．
２％：１．８％であったことが確認された。脱保護の他
の方法として、ＤＭＳＯ中で強く加熱を行ってみたが、
二重結合部分の異性化が起こり、酸化第二銅を用いた本
発明の方法に落ち着いた。第四工程の収率を約６５％と
すると、第一工程から第四工程における総収率は５０．
０％である。

【００２２】本発明によれば、出発原料の価格が安く、
メルカプト系化合物を使用する必要がない。また、従来
法において２級水酸基の酸化によりケトン生成を行う場
合には、使用する触媒や中間体の保護の必要性等の点か
ら工程するが多くなりがちであったが、第四工程で増炭
反応によりケトンを導入したので、工程数を４工程に抑
えることができた。

【００２３】

【発明の効果】以上、詳しく説明したように、本発明に
よれば、クロム酸を使用することなく、安定して、高収
率で、少ない工程数で、（Ｅ）−７−テトラデセン−２
−オン及び／又は（Ｚ）−７−テトラデセン−２−オン
を製造する方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の７−テトラデセン−２−オンの製造方
法を示す図である。

【図２】２−メチル−１，３−ジチアンの製造方法を示
す図である。

【図３】（Ｚ）−（１，３−ジチアン−２−イル）−７
−テトラデセンの製造方法を示す図である。

【図４】（Ｚ）−７−テトラデセン−２−オンの製造方
法を示す図である。

【図５】従来の７−テトラデセン−２−オンの製造方法
を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青山真登大阪府大阪市阿倍野区阿倍野筋５丁目８番 37号Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC24 AC44 4H039 CA29 CB10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】５−ヘキシン−１−オールと１−ブロモ
ヘキサンとを出発物質とすることを特徴とする７−テト
ラデセン−２−オンの製造方法。
【請求項２】最終工程で増炭反応を行うことを特徴と
する請求項１記載の７−テトラデセン−２−オンの製造
方法。
【請求項３】５−ヘキシン−１−オール及び１−ブロ
モヘキサンから下記式（１）で表される５−ドデシン−
１−オールを製造する第一工程と、式（１）で表される５−ドデシン−１−オールから下記
式（２）で表される５−ドデシン１−オールを製造する
第二工程と、式（２）で表される（Ｚ）−５−ドデシン−１−オール
から（Ｚ）−１−ブロモ−５−ドデシンを製造する第三
工程と、（Ｚ）−１−ブロモ−５−ドデシンから（Ｚ）−７−テ
トラデセン−２−オンを製造する第四工程とを具備する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の７−テトラデセ
ン−２−オンの製造方法。【化１】
【請求項４】前記第一工程が、ｎ−ブチルリチウムを
用いて増炭反応を行うことを特徴とする請求項３記載の
７−テトラデセン−２−オンの製造方法。
【請求項５】前記第二工程が、水素ガス吹き込み方法
を用いて接触還元反応を行うことを特徴とする請求項３
又は４記載の７−テトラデセン−２−オンの製造方法。
【請求項６】前記第三工程が、水酸基のハロゲン化反
応を行うことを特徴とする請求項３から５のいずれか１
項記載の７−テトラデセン−２−オンの製造方法。
【請求項７】前記第四工程が、２−メチル−１，３−
ジチアンを用いて（Ｚ）−（１，３−ジチアン−２−イ
ル）−７−テトラデセンを合成し、該（Ｚ）−（１，３
−ジチアン−２−イル）−７−テトラデセンを添加する
ことを特徴とする請求項３から６のいずれか１項記載の
７−テトラデセン−２−オンの製造方法。
【請求項８】総収率が３０％以上であることを特徴と
する請求項１から７のいずれか１項記載の７−テトラデ
セン−２−オンの製造方法。