JP2003204201A - 高周波半導体装置の実装構造及び製造方法 - Google Patents
高周波半導体装置の実装構造及び製造方法Info
- Publication number
- JP2003204201A JP2003204201A JP2002001296A JP2002001296A JP2003204201A JP 2003204201 A JP2003204201 A JP 2003204201A JP 2002001296 A JP2002001296 A JP 2002001296A JP 2002001296 A JP2002001296 A JP 2002001296A JP 2003204201 A JP2003204201 A JP 2003204201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- substrate
- resonator
- high frequency
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/008—Manufacturing resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Abstract
(57)【要約】
【課題】大量生産においても、安定して誘電体と高周波
伝送線路との位置合わせを良好にする。 【解決手段】高周波伝送線路を有する基板と、前記高周
波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けられ
た誘電体共振器を有する高周波回路において、前記基板
の一部に穴部または中空部が形成されており、この穴部
または中空部に誘電体共振器を埋設した。また、同様の
目的で、基板に高周波伝送線路を形成する工程と、基板
に部分的に穴部または中空部を形成する工程と、基板表
面に形成された穴部に誘電体共振器を埋設する工程とに
より誘電体共振器を有する高周波回路を製造する。
伝送線路との位置合わせを良好にする。 【解決手段】高周波伝送線路を有する基板と、前記高周
波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けられ
た誘電体共振器を有する高周波回路において、前記基板
の一部に穴部または中空部が形成されており、この穴部
または中空部に誘電体共振器を埋設した。また、同様の
目的で、基板に高周波伝送線路を形成する工程と、基板
に部分的に穴部または中空部を形成する工程と、基板表
面に形成された穴部に誘電体共振器を埋設する工程とに
より誘電体共振器を有する高周波回路を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器を内
蔵する高周波回路と、それを用いた発信器およびそれら
の製造方法に関する。
蔵する高周波回路と、それを用いた発信器およびそれら
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波やミリ波などの高周波領域の
周波数処理回路においては、発振器の周波数安定化のた
めには位相雑音を低減することが必要である。また、位
相雑音を低減するには共振器の負荷Ｑを大きくすること
が効果的である。たとえばＱの値を１０倍にできれば、
位相雑音は１／１００になる。
周波数処理回路においては、発振器の周波数安定化のた
めには位相雑音を低減することが必要である。また、位
相雑音を低減するには共振器の負荷Ｑを大きくすること
が効果的である。たとえばＱの値を１０倍にできれば、
位相雑音は１／１００になる。
【０００３】したがって、共振器の材質としては高Ｑの
誘電体を用い、形状としては所望の共振周波数となるよ
うに精密加工を行い、の発振部と高周波的に接続された
表面上のマイクロストリップ線路もしくは、の発振部と
高周波的に接続された別基板の表面に形成されたマイク
ロストリップ線路に電磁界結合するように低誘電率、低
誘電損失の接着剤をもしくは別基板に塗布し、精度よく
もしくは別基板の表面に高精度マウンタを用いて誘電体
共振器を搭載する。
誘電体を用い、形状としては所望の共振周波数となるよ
うに精密加工を行い、の発振部と高周波的に接続された
表面上のマイクロストリップ線路もしくは、の発振部と
高周波的に接続された別基板の表面に形成されたマイク
ロストリップ線路に電磁界結合するように低誘電率、低
誘電損失の接着剤をもしくは別基板に塗布し、精度よく
もしくは別基板の表面に高精度マウンタを用いて誘電体
共振器を搭載する。
【０００４】このような技術は、たとえば、"European
Microwave Conference - Munich 1999"の197頁〜200
頁、"Millimeter - wave DRO with Excellent Temperat
ure Stability of Frequency"や、"1998 Asia - Pacifi
c Microwave Conference"の147頁〜150頁、"A novel mi
llimeter - wave multilayer IC with planer TE010 m
ode dielectric resonator"に記載されている。
Microwave Conference - Munich 1999"の197頁〜200
頁、"Millimeter - wave DRO with Excellent Temperat
ure Stability of Frequency"や、"1998 Asia - Pacifi
c Microwave Conference"の147頁〜150頁、"A novel mi
llimeter - wave multilayer IC with planer TE010 m
ode dielectric resonator"に記載されている。
【０００５】また、特開平１０−３１２１９号公報に記
載のように、誘電体共振器を内蔵した（Microwave Mono
lithic Integrated Circuit）も知られている。すなわ
ち、高Ｑの誘電体で形成された共振器を、高周波集積回
路の基板表面に設けた凹部に埋設する方法も知られてい
る。
載のように、誘電体共振器を内蔵した（Microwave Mono
lithic Integrated Circuit）も知られている。すなわ
ち、高Ｑの誘電体で形成された共振器を、高周波集積回
路の基板表面に設けた凹部に埋設する方法も知られてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した、発
振部と接続されたマイクロストリップ線路に電磁界結合
するように接着する方式の従来技術では、所望の周波
数、パワー、位相ノイズを得るためには共振器の形状や
マイクロストリップラインとの位置関係が難しいという問
題がある。
振部と接続されたマイクロストリップ線路に電磁界結合
するように接着する方式の従来技術では、所望の周波
数、パワー、位相ノイズを得るためには共振器の形状や
マイクロストリップラインとの位置関係が難しいという問
題がある。
【０００７】具体的には、形状寸法ではねらい値の±0.
1％、位置関係では搭載精度が共振器寸法の±5％の精度
が要求されるため、形状については誘電体の研磨作業に
よるあわせ込みが、位置関係については高精度マウンタ
による搭載作業が必要となり大量生産が困難であり、安
価に製造できなかった。
1％、位置関係では搭載精度が共振器寸法の±5％の精度
が要求されるため、形状については誘電体の研磨作業に
よるあわせ込みが、位置関係については高精度マウンタ
による搭載作業が必要となり大量生産が困難であり、安
価に製造できなかった。
【０００８】また、前記特開平１０−９３２１９号公報
に記載の方法では、集積回路すなわちMMICが共振器を搭
載する構造になるために、MMICは共振器以上の大きさが
必要である。しかし、高周波帯の集積回路基板として通
常採用されるＧａＡｓ等の材料は単位面積あたりの価格
が非常に高価であるため、安価なMMICの製造が困難とな
る。さらに、ＧａＡｓ基板においては、比誘電率が約１
３と高いために、この中に共振器を埋設すると発振器と
しては誘電損が大きくなってしまう。この場合、折角、
高Ｑの誘電体を共振器として採用しているにもかかわら
ず、誘電損により発振器としてのＱは引き下げられるた
めその効果を減少させてしまうので問題である。
に記載の方法では、集積回路すなわちMMICが共振器を搭
載する構造になるために、MMICは共振器以上の大きさが
必要である。しかし、高周波帯の集積回路基板として通
常採用されるＧａＡｓ等の材料は単位面積あたりの価格
が非常に高価であるため、安価なMMICの製造が困難とな
る。さらに、ＧａＡｓ基板においては、比誘電率が約１
３と高いために、この中に共振器を埋設すると発振器と
しては誘電損が大きくなってしまう。この場合、折角、
高Ｑの誘電体を共振器として採用しているにもかかわら
ず、誘電損により発振器としてのＱは引き下げられるた
めその効果を減少させてしまうので問題である。
【０００９】本発明の目的は、誘電体の形状の研磨作業
等によるあわせ込みが不要で、誘電体と高周波伝送線路
との位置合わせが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる高周波半導体装置の実装構造及び製造方法
を提供することにある。
等によるあわせ込みが不要で、誘電体と高周波伝送線路
との位置合わせが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる高周波半導体装置の実装構造及び製造方法
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、高周波伝送線路を有する基板と、前記基
板に設けられた誘電体共振器を有する高周波回路におい
て、前記基板は、前記誘電体共振器と前記高周波伝送線
路が電磁界結合する位置に穴部または中空部が形成され
ており、前記穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋
設されていることを特徴とする。
に、本発明は、高周波伝送線路を有する基板と、前記基
板に設けられた誘電体共振器を有する高周波回路におい
て、前記基板は、前記誘電体共振器と前記高周波伝送線
路が電磁界結合する位置に穴部または中空部が形成され
ており、前記穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋
設されていることを特徴とする。
【００１１】本発明の他の特徴は、外部共振器を利用し
た発振器であって、前記外部共振器は、高周波伝送線路
を有する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合する
ように前記基板に設けられた誘電体共振器を有し、前記
基板は、低誘電体からなる第１の誘電体と第２の誘電体
を積層して構成されており、前記誘電体共振器は前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成され
ており、前記第１の誘電体一方の面にGND層が形成さ
れ、他方の面に前記高周波伝送路が形成されており、前
記第２の誘電体には、前記誘電体共振器が前記高周波伝
送線路に電磁界結合するのに適した位置に前記穴部が形
成されていることにある。
た発振器であって、前記外部共振器は、高周波伝送線路
を有する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合する
ように前記基板に設けられた誘電体共振器を有し、前記
基板は、低誘電体からなる第１の誘電体と第２の誘電体
を積層して構成されており、前記誘電体共振器は前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成され
ており、前記第１の誘電体一方の面にGND層が形成さ
れ、他方の面に前記高周波伝送路が形成されており、前
記第２の誘電体には、前記誘電体共振器が前記高周波伝
送線路に電磁界結合するのに適した位置に前記穴部が形
成されていることにある。
【００１２】本発明の他の特徴は、外部共振器を利用し
た発振器であって、前記基板は、前記誘電体共振器は前
記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成
されており、前記基板は、低誘電体からなる第１の誘電
体と第２の誘電体を積層して構成されており、前記外部
共振器は、前記第１の誘電体の上に前記第２の誘電体が
積層され、前記第１の誘電体の一部は前記第２の誘電体
よりも側方に突出しており、前記第１の誘電体に設けら
れた第１のマイクロストリップ線路が前記第１の誘電体
の表面に露出しており、該第１のマイクロストリップ線
路が変換部により第１のコプレーナ線路に変換され、前
記発振器を構成するMMICが第２のコプレーナ線路を形成
していることにある。
た発振器であって、前記基板は、前記誘電体共振器は前
記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成
されており、前記基板は、低誘電体からなる第１の誘電
体と第２の誘電体を積層して構成されており、前記外部
共振器は、前記第１の誘電体の上に前記第２の誘電体が
積層され、前記第１の誘電体の一部は前記第２の誘電体
よりも側方に突出しており、前記第１の誘電体に設けら
れた第１のマイクロストリップ線路が前記第１の誘電体
の表面に露出しており、該第１のマイクロストリップ線
路が変換部により第１のコプレーナ線路に変換され、前
記発振器を構成するMMICが第２のコプレーナ線路を形成
していることにある。
【００１３】本発明の他の特徴は、高周波伝送線路を有
する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合するよう
に前記基板に設けられた誘電体共振器を有する高周波半
導体装置の製造方法であって、誘電体からなる前記基板
に前記高周波伝送線路を形成する工程と、前記誘電体共
振器が前記高周波伝送線路に電磁界結合するのに適した
前記基板の所定位置に、部分的に穴部または中空部を形
成する工程と、前記穴部または中空部に前記誘電体共振
器を埋設する工程とを含むことにある。
する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合するよう
に前記基板に設けられた誘電体共振器を有する高周波半
導体装置の製造方法であって、誘電体からなる前記基板
に前記高周波伝送線路を形成する工程と、前記誘電体共
振器が前記高周波伝送線路に電磁界結合するのに適した
前記基板の所定位置に、部分的に穴部または中空部を形
成する工程と、前記穴部または中空部に前記誘電体共振
器を埋設する工程とを含むことにある。
【００１４】本発明の他の特徴は、前記基板を印刷法ま
たはラミネーション法により製造し、さらに、前記基板
を構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴
部または中空部を形成し、該穴部または中空部に前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体の固溶体を印刷し
て焼成することにより前記誘電体共振器を形成すること
にある。
たはラミネーション法により製造し、さらに、前記基板
を構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴
部または中空部を形成し、該穴部または中空部に前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体の固溶体を印刷し
て焼成することにより前記誘電体共振器を形成すること
にある。
【００１５】本発明の他の特徴は、前記基板を構成する
誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部または中
空部を形成し、該穴部または中空部に接着剤を塗布し、
前記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体共振器をマ
ウントした後、前記接着剤を硬化させることにより前記
誘電体共振器を形成することにある。
誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部または中
空部を形成し、該穴部または中空部に接着剤を塗布し、
前記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体共振器をマ
ウントした後、前記接着剤を硬化させることにより前記
誘電体共振器を形成することにある。
【００１６】本発明によれば、誘電体共振器と高周波伝
送線路との高精度な位置合わせが容易になり、周波数特
性の安定した高性能の発振器を安価に製造することが可
能になる。
送線路との高精度な位置合わせが容易になり、周波数特
性の安定した高性能の発振器を安価に製造することが可
能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、本発明の第１実施例になる
外部共振器とそれを利用した発振器の構造およびその実
装方法について説明する。
外部共振器とそれを利用した発振器の構造およびその実
装方法について説明する。
【００１８】図１は、本発明の第１実施例になる外部共
振器の外観を示す斜視図である。外部共振器は、第１の
誘電体５およびこの上に積層される第２の誘電体３から
なる2枚の基板と、誘電体共振器１で構成される。第１
の誘電体５及び第２の誘電体３は、共に比誘電率１０以
下の低誘電体である。第１の誘電体５の一方の面には、
Ag／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等によりベタGND層６が形成さ
れ、他方の面には同じくAg／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等によ
り伝送路４が形成される。第２の誘電体３には、穴部２
が形成され、この穴部２内には誘電体共振器１が埋設さ
れる。
振器の外観を示す斜視図である。外部共振器は、第１の
誘電体５およびこの上に積層される第２の誘電体３から
なる2枚の基板と、誘電体共振器１で構成される。第１
の誘電体５及び第２の誘電体３は、共に比誘電率１０以
下の低誘電体である。第１の誘電体５の一方の面には、
Ag／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等によりベタGND層６が形成さ
れ、他方の面には同じくAg／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等によ
り伝送路４が形成される。第２の誘電体３には、穴部２
が形成され、この穴部２内には誘電体共振器１が埋設さ
れる。
【００１９】穴部２は、埋設される誘電体共振器１が高
周波伝送線路４に電磁界結合するのに適した位置に、誘
電体共振器１の外形に対応した形状、例えば平面形状が
矩形の穴部として設けられる。なお、穴部２の代わりに
側面から中空部を設けて、これに誘電体共振器１を埋設
しても良い。あるいは、穴部２の代わりに、底のある凹
部を設けても良い。
周波伝送線路４に電磁界結合するのに適した位置に、誘
電体共振器１の外形に対応した形状、例えば平面形状が
矩形の穴部として設けられる。なお、穴部２の代わりに
側面から中空部を設けて、これに誘電体共振器１を埋設
しても良い。あるいは、穴部２の代わりに、底のある凹
部を設けても良い。
【００２０】第１の誘電体５及び第２の誘電体３は、一
体のものとして形成してもよい。
体のものとして形成してもよい。
【００２１】誘電体共振器１は、例えば比誘電率が約３
５、材料Ｑは約３００００の誘電体である。誘電体共振
器１の材料としては、比誘電率が２０〜１００の間の材
料から選ばれる。例えば、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3、Ba(Zn1
/3Ta2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Ta2/3)O3、Ba(Mg1/3Nb2/3)O
3、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Nb2/3)O3、Ba(Sn,
Mg,Ta)O3、Ba（Zr,Zn,Ta）O3、(Zr,Sn)TiO4、BaTi
9O20、BaO-PbO-Na2O3-TiO2等があげられる。あるいは、
これらの材料の固溶体からなる群より選択される少なく
とも１種である。
５、材料Ｑは約３００００の誘電体である。誘電体共振
器１の材料としては、比誘電率が２０〜１００の間の材
料から選ばれる。例えば、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3、Ba(Zn1
/3Ta2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Ta2/3)O3、Ba(Mg1/3Nb2/3)O
3、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Nb2/3)O3、Ba(Sn,
Mg,Ta)O3、Ba（Zr,Zn,Ta）O3、(Zr,Sn)TiO4、BaTi
9O20、BaO-PbO-Na2O3-TiO2等があげられる。あるいは、
これらの材料の固溶体からなる群より選択される少なく
とも１種である。
【００２２】基板の製造方法としては、印刷法もしくは
ラミネーション法が採用される。印刷法の方がラミネー
ション法よりも簡便で設備も安くすむ。他方ラミネーシ
ョン法では各層ごとにグリーンシートの抜き型が必要で
設備が高い代わりに積層数を多く取れる。それぞれの利
点を考慮して、製造方法は決定される。
ラミネーション法が採用される。印刷法の方がラミネー
ション法よりも簡便で設備も安くすむ。他方ラミネーシ
ョン法では各層ごとにグリーンシートの抜き型が必要で
設備が高い代わりに積層数を多く取れる。それぞれの利
点を考慮して、製造方法は決定される。
【００２３】基板をラミネーション法で製造する場合に
は、グリーンシートと呼ばれるセラミックスの未焼成で
ある生シートをパンチングマシンにより型を抜き、そう
してできた複数のグリーンシートを積層して加圧焼成す
ることによりセラミックス多層基板を作成する。
は、グリーンシートと呼ばれるセラミックスの未焼成で
ある生シートをパンチングマシンにより型を抜き、そう
してできた複数のグリーンシートを積層して加圧焼成す
ることによりセラミックス多層基板を作成する。
【００２４】特に、低温同時焼成セラミック:LTCC（Low
Temperature Co-fired Ceramic)は広く普及しているア
ルミナセラミックと比較し、一般的に、高周波特性(低
誘電率、低抵抗導体)や寸法精度が良く、電子部品の高
周波帯域化・軽薄短小化に追従するパッケージ・基板材
料であり、本発明の基板材料として適している。
Temperature Co-fired Ceramic)は広く普及しているア
ルミナセラミックと比較し、一般的に、高周波特性(低
誘電率、低抵抗導体)や寸法精度が良く、電子部品の高
周波帯域化・軽薄短小化に追従するパッケージ・基板材
料であり、本発明の基板材料として適している。
【００２５】具体的には、LTCCは、高精度な収縮率制御
を容易に実現し、導体パターンのＬＩＮＥ＆ＳＰＡＣＥ
は、Ｌ／Ｓ＝４０／４０μmのファインラインを実現
し、高精度加工性を有する。
を容易に実現し、導体パターンのＬＩＮＥ＆ＳＰＡＣＥ
は、Ｌ／Ｓ＝４０／４０μmのファインラインを実現
し、高精度加工性を有する。
【００２６】誘電体共振器１の製造方法としては、第２
の誘電体３の穴部２に誘電体の固溶体を印刷して焼成す
る。このとき、誘電体の焼成時にともなう収縮率公差は
±0.1％なので、第２の誘電体３の穴部２の形状を作成
するマスクもしくは抜き型のみを精密加工すれば、誘電
体共振器１としての形状も設計値の±0.1％に収まり、
かつ誘電体の高周波伝送路４への搭載精度も共振器寸法
の±5％に収まる。従って、本発明によれば、外部共振
器の大量生産が可能となり、非常に生産性にすぐれてい
る。
の誘電体３の穴部２に誘電体の固溶体を印刷して焼成す
る。このとき、誘電体の焼成時にともなう収縮率公差は
±0.1％なので、第２の誘電体３の穴部２の形状を作成
するマスクもしくは抜き型のみを精密加工すれば、誘電
体共振器１としての形状も設計値の±0.1％に収まり、
かつ誘電体の高周波伝送路４への搭載精度も共振器寸法
の±5％に収まる。従って、本発明によれば、外部共振
器の大量生産が可能となり、非常に生産性にすぐれてい
る。
【００２７】誘電体共振器１の他の製造方法としては、
第２の誘電体３の穴部２に比誘電率１０以下の接着剤を
塗布し、固体の誘電体共振器１をマウントした後、接着
剤を硬化させる。この場合、誘電体共振器１としての形
状については個別に精度を出す必要があるが、誘電体の
高周波伝送路４への搭載精度は共振器寸法の±5％に収
まる。従って、この製造方法でも、外部共振器の大量生
産が可能となり、非常にすぐれている。
第２の誘電体３の穴部２に比誘電率１０以下の接着剤を
塗布し、固体の誘電体共振器１をマウントした後、接着
剤を硬化させる。この場合、誘電体共振器１としての形
状については個別に精度を出す必要があるが、誘電体の
高周波伝送路４への搭載精度は共振器寸法の±5％に収
まる。従って、この製造方法でも、外部共振器の大量生
産が可能となり、非常にすぐれている。
【００２８】次に、図１の外部共振器を利用した発振器
の実装構造の第一の実施例について、図２を用いて、説
明する。第１の誘電体５の上に第２の誘電体３が積層さ
れる。このとき、第１の誘電体５の一部は第２の誘電体
３よりも側方に突出している。伝送路４の一部がこの積
層部から露出して、第１のマイクロストリップ線路７を
形成している。発振器を構成するMMIC１０は、第２のマ
イクロストリップ線路８を形成している。本構成によれ
ば、第１のマイクロストリップ線路７と第２のマイクロ
ストリップ線路８を、Auリボン線９、Au線等で容易に接
続できる。
の実装構造の第一の実施例について、図２を用いて、説
明する。第１の誘電体５の上に第２の誘電体３が積層さ
れる。このとき、第１の誘電体５の一部は第２の誘電体
３よりも側方に突出している。伝送路４の一部がこの積
層部から露出して、第１のマイクロストリップ線路７を
形成している。発振器を構成するMMIC１０は、第２のマ
イクロストリップ線路８を形成している。本構成によれ
ば、第１のマイクロストリップ線路７と第２のマイクロ
ストリップ線路８を、Auリボン線９、Au線等で容易に接
続できる。
【００２９】次に、図１の外部共振器を利用した発振器
の別の実装構造について、図３を用い説明する。第１の
誘電体５の上に第２の誘電体３が積層される。このと
き、第１の誘電体５の一部は第２の誘電体３よりも側方
に突出して伝送路４が積層部から露出しており、第１の
マイクロストリップ線路７を形成している。第１のマイ
クロストリップ線路７は変換部１３により第１のコプレ
ーナ線路１１に変換される。発振器を構成するMMIC１０
は、第２のコプレーナ線路１２を形成している。本構成
の発振器によれば、第１のコプレーナ線路１１と第２の
コプレーナ線路１２を半田バンプ１４やAuピラー等で容
易に接続できる。
の別の実装構造について、図３を用い説明する。第１の
誘電体５の上に第２の誘電体３が積層される。このと
き、第１の誘電体５の一部は第２の誘電体３よりも側方
に突出して伝送路４が積層部から露出しており、第１の
マイクロストリップ線路７を形成している。第１のマイ
クロストリップ線路７は変換部１３により第１のコプレ
ーナ線路１１に変換される。発振器を構成するMMIC１０
は、第２のコプレーナ線路１２を形成している。本構成
の発振器によれば、第１のコプレーナ線路１１と第２の
コプレーナ線路１２を半田バンプ１４やAuピラー等で容
易に接続できる。
【００３０】本発明の実施例では、誘電体共振器１と高
周波伝送線路４もしくはマイクロストリップ線路７との
相対関係が重要となってくる。そのため、たとえば、予
め高精度なラミネーション法によるプロセスで、生シー
トに誘電体共振器１を埋設するキャビティーをグリーン
シートに形成する。さらに、別のグリーンシートに、誘
電体共振器１と電磁結合させる高周波伝送線路４もしく
はマイクロストリップ線路７を高精度な位置決めのもと
に製造することができる。これらの一対のグリーンシー
トの相対関係は、グリーンシート位置決め部により高精
度に配置されるので、誘電体共振器１と高周波伝送線路
４もしくはマイクロストリップ線路７の相対位置関係を
高精度なものにすることができる。しかも、製法は簡単
であり、非常に生産性にすぐれている。
周波伝送線路４もしくはマイクロストリップ線路７との
相対関係が重要となってくる。そのため、たとえば、予
め高精度なラミネーション法によるプロセスで、生シー
トに誘電体共振器１を埋設するキャビティーをグリーン
シートに形成する。さらに、別のグリーンシートに、誘
電体共振器１と電磁結合させる高周波伝送線路４もしく
はマイクロストリップ線路７を高精度な位置決めのもと
に製造することができる。これらの一対のグリーンシー
トの相対関係は、グリーンシート位置決め部により高精
度に配置されるので、誘電体共振器１と高周波伝送線路
４もしくはマイクロストリップ線路７の相対位置関係を
高精度なものにすることができる。しかも、製法は簡単
であり、非常に生産性にすぐれている。
【００３１】高周波モジュールはアンテナと、図２や図
３に示した発振器と、リッドよりなる。以下、本発明の
一実施例になる外部共振器を用いた高周波モジュールの
実施例について説明する。
３に示した発振器と、リッドよりなる。以下、本発明の
一実施例になる外部共振器を用いた高周波モジュールの
実施例について説明する。
【００３２】まず、本発明が適用される車両のドップラ
ーレーダ用高周波モジュールの回路構成例を、図４で説
明する。高周波モジュール６３は、送信機能部６４と受
信機能部６８を有している。送信機能部６４は、外部共
振器１とMMIC１０で構成される発振器６４Ａを有し、こ
の発振器が出力する高周波信号を増幅器６４Ｂで増幅
し、送信アンテナ１５Ａを介して車両前方空間に出力す
る。受信機能部６８は、受信アンテナ１５Ｂ、１５Ｃが
受信した対象物からの反射波と、発振器６４Ａの出力信
号を受信器６８のダウンコンバーター６８Ａ、６８Ｂに
よりダウンコンバートし、ドップラー信号を取り出す。
なお、増幅器６４Ｂは、MMIC１０の一部として構成して
もよい。
ーレーダ用高周波モジュールの回路構成例を、図４で説
明する。高周波モジュール６３は、送信機能部６４と受
信機能部６８を有している。送信機能部６４は、外部共
振器１とMMIC１０で構成される発振器６４Ａを有し、こ
の発振器が出力する高周波信号を増幅器６４Ｂで増幅
し、送信アンテナ１５Ａを介して車両前方空間に出力す
る。受信機能部６８は、受信アンテナ１５Ｂ、１５Ｃが
受信した対象物からの反射波と、発振器６４Ａの出力信
号を受信器６８のダウンコンバーター６８Ａ、６８Ｂに
よりダウンコンバートし、ドップラー信号を取り出す。
なお、増幅器６４Ｂは、MMIC１０の一部として構成して
もよい。
【００３３】次に、図２の実施例の構造の送信機能部を
有する高周波モジュール６３の、第一の実装方法につい
て、図５〜図７を用いて説明する。図５〜図７は、本発
明の実施例に基づく高周波モジュールの送信機能部の分
解斜視図である。図５は、送信機能部の下部すなわち第
３の誘電体１７部分を示し、図６は、送信機能部の中間
部すなわち第１の誘電体５とその上の第２の誘電体３部
分を示し、図７は、送信機能部の上部すなわち第４の誘
電体２５とその上のリッド２３の部分を示している。
有する高周波モジュール６３の、第一の実装方法につい
て、図５〜図７を用いて説明する。図５〜図７は、本発
明の実施例に基づく高周波モジュールの送信機能部の分
解斜視図である。図５は、送信機能部の下部すなわち第
３の誘電体１７部分を示し、図６は、送信機能部の中間
部すなわち第１の誘電体５とその上の第２の誘電体３部
分を示し、図７は、送信機能部の上部すなわち第４の誘
電体２５とその上のリッド２３の部分を示している。
【００３４】高周波モジュールの製造プロセスとして
は、送信機能部の誘電体１７部分、第１の誘電体５、第
２の誘電体３部分、第４の誘電体２５、リッド２３の部
分を個別にラミネーション法によるプロセスで製作し、
さらに、これらを下から順次積層して一体化する。
は、送信機能部の誘電体１７部分、第１の誘電体５、第
２の誘電体３部分、第４の誘電体２５、リッド２３の部
分を個別にラミネーション法によるプロセスで製作し、
さらに、これらを下から順次積層して一体化する。
【００３５】図５において、送信機能部の下部には、ア
ンテナパターン１５が設けられている。すなわち、第３
の誘電体１７の一方の面にベタGND層１８が形成され、
他方の面に送信アンテナ１５Ａ、受信アンテナ１５Ｂ、
１５Ｃに相当するアンテナパターン１５が形成されてい
る。アンテナパターン１５は、Ag／Pd、Ag、Au、Ag／Pt
等の多層の金属で形成され、給電部であるスルービア１
６に接続される。スルービア１６は、Ag／Pd、Ag、Au、
Ag／Pt等で形成し、第３の誘電体１７及び第１の誘電体
５を貫通して、第１の誘電体５に形成する第１のマイク
ロストリップ線路７に接続される。
ンテナパターン１５が設けられている。すなわち、第３
の誘電体１７の一方の面にベタGND層１８が形成され、
他方の面に送信アンテナ１５Ａ、受信アンテナ１５Ｂ、
１５Ｃに相当するアンテナパターン１５が形成されてい
る。アンテナパターン１５は、Ag／Pd、Ag、Au、Ag／Pt
等の多層の金属で形成され、給電部であるスルービア１
６に接続される。スルービア１６は、Ag／Pd、Ag、Au、
Ag／Pt等で形成し、第３の誘電体１７及び第１の誘電体
５を貫通して、第１の誘電体５に形成する第１のマイク
ロストリップ線路７に接続される。
【００３６】また、第３の誘電体１７のアンテナパター
ン１５を形成する面の他方の面において、スルービア１
６の周辺は、特性インピーダンスが５０Ωとなるように
調節され、また、スルービア１６周辺以外の他の領域に
は、全面がベタでAg／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等によりGND
層１８が形成されている。
ン１５を形成する面の他方の面において、スルービア１
６の周辺は、特性インピーダンスが５０Ωとなるように
調節され、また、スルービア１６周辺以外の他の領域に
は、全面がベタでAg／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等によりGND
層１８が形成されている。
【００３７】次に、図６により送信機能部の中間部、す
なわち発振器部分について説明する。第１の誘電体５に
設けられた穴部５０すなわちMMIC１０の搭載窓は、第２
の誘電体３に設けられた穴部３０すなわちMMIC１０の搭
載窓より小さく、その結果、第１の誘電体５に設けられ
た第１のマイクロストリップ線路７の一部が第２の誘電
体３に設けられた穴部３０に面して露出している。
なわち発振器部分について説明する。第１の誘電体５に
設けられた穴部５０すなわちMMIC１０の搭載窓は、第２
の誘電体３に設けられた穴部３０すなわちMMIC１０の搭
載窓より小さく、その結果、第１の誘電体５に設けられ
た第１のマイクロストリップ線路７の一部が第２の誘電
体３に設けられた穴部３０に面して露出している。
【００３８】発振器を構成するMMIC１０には、第２のマ
イクロストリップ線路８が形成されており、第３の誘電
体１７のベタGND層１８に導電性の接着剤等でダイボン
ディングされる。この時、MMIC１０の下面のGND層と第
３の誘電体１７のベタGND層１８とは、電気的に接続さ
れる。第１のマイクロストリップ線路７と第２のマイク
ロストリップ線路８は、Auリボン線９やAu線等で接続さ
れている。第２の誘電体３には穴部２が形成され、この
穴部２内には誘電体共振器１が格納される。また、電源
および信号線路１９が、第１の誘電体５に形成され、第
２の誘電体３に形成されるスルービア２１を介して第２
の誘電体３の側面に電極２０が取り出されている。
イクロストリップ線路８が形成されており、第３の誘電
体１７のベタGND層１８に導電性の接着剤等でダイボン
ディングされる。この時、MMIC１０の下面のGND層と第
３の誘電体１７のベタGND層１８とは、電気的に接続さ
れる。第１のマイクロストリップ線路７と第２のマイク
ロストリップ線路８は、Auリボン線９やAu線等で接続さ
れている。第２の誘電体３には穴部２が形成され、この
穴部２内には誘電体共振器１が格納される。また、電源
および信号線路１９が、第１の誘電体５に形成され、第
２の誘電体３に形成されるスルービア２１を介して第２
の誘電体３の側面に電極２０が取り出されている。
【００３９】次に、図７において、送信機能部の上部す
なわち第４の誘電体２５は、誘電率１０以下の低誘電体
であり、この誘電体に、Ag／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等で、
第２の誘電体３側面の電極２０を延長するスルービア２
１と共にリッド接合用パターン２４が形成されている。
また、第４の誘電体２５には、１０の上部に設けられた
開口４０と、誘電体共振器１の上部に設けられた開口４
２とがある。
なわち第４の誘電体２５は、誘電率１０以下の低誘電体
であり、この誘電体に、Ag／Pd、Ag、Au、Ag／Pt等で、
第２の誘電体３側面の電極２０を延長するスルービア２
１と共にリッド接合用パターン２４が形成されている。
また、第４の誘電体２５には、１０の上部に設けられた
開口４０と、誘電体共振器１の上部に設けられた開口４
２とがある。
【００４０】次に、リッド２３について説明する。リッ
ド２３は、誘電率１０以下の低誘電体であり、第２の誘
電体３側面の電極２０を延長するスルービア２１と、第
４の誘電体２５のリッド接合パターン２４と相対する接
合パターンが設けられており、リッド接合パターン２４
と反対の面には、第２の誘電体３の側面の電極２０に接
続する外部取り付け電極２２が形成されている。
ド２３は、誘電率１０以下の低誘電体であり、第２の誘
電体３側面の電極２０を延長するスルービア２１と、第
４の誘電体２５のリッド接合パターン２４と相対する接
合パターンが設けられており、リッド接合パターン２４
と反対の面には、第２の誘電体３の側面の電極２０に接
続する外部取り付け電極２２が形成されている。
【００４１】この時、誘電率の異なる様々な誘電体を一
つの印刷法やラミネーション法、もしくは組み合わせの
方法で製造できるので、高周波回路を簡便にかつ安価に
でき、非常に優れている。
つの印刷法やラミネーション法、もしくは組み合わせの
方法で製造できるので、高周波回路を簡便にかつ安価に
でき、非常に優れている。
【００４２】ラミネーション法を採用した製造プロセス
では、１枚のグリーンシートに高周波モジュール複数台
分を作成することができるので、グリーンシート間の位
置決めプロセスの回数が従来のように高周波モジュール
毎にやる場合よりも少なくなり、非常に生産性にすぐれ
ている。
では、１枚のグリーンシートに高周波モジュール複数台
分を作成することができるので、グリーンシート間の位
置決めプロセスの回数が従来のように高周波モジュール
毎にやる場合よりも少なくなり、非常に生産性にすぐれ
ている。
【００４３】なお、発振器として図３の構造を使用し、
外部共振器とで高周波モジュールを構成しても、同様の
効果を得ることができる。
外部共振器とで高周波モジュールを構成しても、同様の
効果を得ることができる。
【００４４】次に、上記高周波モジュールを用いた車載
レーダの一実施例について、図８、図９を用いて説明す
る。図８は車載レーダの縦断面図、図９は車載レーダの
回路図である。
レーダの一実施例について、図８、図９を用いて説明す
る。図８は車載レーダの縦断面図、図９は車載レーダの
回路図である。
【００４５】車載レーダは、信号処理回路６１と、高周
波モジュール６３と、アンテナ１５で構成される。電源
がコネクタ６０より信号処理回路６１に供給され、同時
に信号処理回路６１は、半田バンプ６２を通して高周波
モジュール６３に所定の電源を供給する。
波モジュール６３と、アンテナ１５で構成される。電源
がコネクタ６０より信号処理回路６１に供給され、同時
に信号処理回路６１は、半田バンプ６２を通して高周波
モジュール６３に所定の電源を供給する。
【００４６】高周波モジュール６３は、外部共振器１と
MMIC１０で構成される発振器６４Ａを有し、MIC１０は
７６GHzのミリ波を発生し、このミリ波は増幅器を構成
するMMIC６５で増幅され、給電点６６を通って、アンテ
ナ１５Ａに給電される。ミリ波は、アンテナ１５Ａから
車両前方の空間に送信される。
MMIC１０で構成される発振器６４Ａを有し、MIC１０は
７６GHzのミリ波を発生し、このミリ波は増幅器を構成
するMMIC６５で増幅され、給電点６６を通って、アンテ
ナ１５Ａに給電される。ミリ波は、アンテナ１５Ａから
車両前方の空間に送信される。
【００４７】一方、受信アンテナ１５Ｂ、１５Ｃは、目
標物に当たった後の反射波を受信する。受信波は受信器
を構成するMMIC６８にて送信波とミキシングされ、IF信
号として半田バンプ６２を経て信号処理回路６１に送ら
れ、信号処理部６１Ａ（図９参照）でレーダを搭載する
車両等と目標物との相対速度情報、距離情報、角度情報
等が、各種アルゴリズムに基づいた信号処理により計算
される。これらの結果はコネクタ６０を通して出力され
る。また、電源部６１Ｂにより、高周波モジュール６３
の各MMICにバイアス電源を供給する。
標物に当たった後の反射波を受信する。受信波は受信器
を構成するMMIC６８にて送信波とミキシングされ、IF信
号として半田バンプ６２を経て信号処理回路６１に送ら
れ、信号処理部６１Ａ（図９参照）でレーダを搭載する
車両等と目標物との相対速度情報、距離情報、角度情報
等が、各種アルゴリズムに基づいた信号処理により計算
される。これらの結果はコネクタ６０を通して出力され
る。また、電源部６１Ｂにより、高周波モジュール６３
の各MMICにバイアス電源を供給する。
【００４８】信号処理部６１Ａで得られる相対速度情
報、距離情報、角度情報等の精度は、発振器のＱによる
ところが大きい。このＱは、外部共振器の誘電体共振器
１の材料Ｑと誘電体共振器１と高周波伝送線路４もしく
はマイクロストリップ線路７との位置合わせによる。
報、距離情報、角度情報等の精度は、発振器のＱによる
ところが大きい。このＱは、外部共振器の誘電体共振器
１の材料Ｑと誘電体共振器１と高周波伝送線路４もしく
はマイクロストリップ線路７との位置合わせによる。
【００４９】本発明によれば、誘電体共振器１と高周波
伝送線路もしくはマイクロストリップ線路との位置合わ
せが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価に製造できる
ので、高精度で安価な車載レーダを提供することができ
る。
伝送線路もしくはマイクロストリップ線路との位置合わ
せが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価に製造できる
ので、高精度で安価な車載レーダを提供することができ
る。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、発信機を構成する誘電
体と高周波伝送線路との位置合わせを高精度に行うこと
ができるため、発振器の周波数の安定化が図れる。しか
も、このような高精度の高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる。したがって、これを応用した、高精度で
安価な車載レーダを提供することができる。
体と高周波伝送線路との位置合わせを高精度に行うこと
ができるため、発振器の周波数の安定化が図れる。しか
も、このような高精度の高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる。したがって、これを応用した、高精度で
安価な車載レーダを提供することができる。
【図１】 本発明の第１実施例になる外部共振器の外観
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】 図１の外部共振器を利用した発振器の実装構
造の第一の実施例の外観を示す斜視図である。
造の第一の実施例の外観を示す斜視図である。
【図３】 図１の外部共振器を利用した発振器の実装構
造の他の実施例の外観を示す斜視図である。
造の他の実施例の外観を示す斜視図である。
【図４】 本発明が適用される車両のドップラーレーダ
用高周波モジュールの回路構成例を示す斜視図である。
用高周波モジュールの回路構成例を示す斜視図である。
【図５】 本発明の実施例に基づく高周波モジュールの
送信機能部の、下部の分解斜視図である。
送信機能部の、下部の分解斜視図である。
【図６】 本発明の実施例に基づく高周波モジュールの
送信機能部の、中間部の分解斜視図である。
送信機能部の、中間部の分解斜視図である。
【図７】 本発明の実施例に基づく高周波モジュールの
送信機能部の、上部の分解斜視図である。
送信機能部の、上部の分解斜視図である。
【図８】 図５〜図８に示した高周波モジュールを用い
た車載レーダの一実施例を示す縦断面図である。
た車載レーダの一実施例を示す縦断面図である。
【図９】 図８に示した車載レーダの回路図である。
１…誘電体共振器 ２…穴部 ３…第２の誘電体 ４…
伝送路 ５…第１の誘電体 ６…GND ７…第１のマイ
クロストリップ線路 ８…第２のマイクロストリップ線
路 ９…Auリボン線 １０…MMIC １１…第１のコプレ
ーナ線路 １２…第２のコプレーナ線路 １３…変換部
１４…半田バンプ １５…アンテナパターン １６…
スルービア １７…第３の誘電体 １８…GND １９…
電源・信号線路 ２０…電極 ２１…スルービア ２２
…外部取り付け電極 ２３…リッド ２４…リッド接合
用パターン ２５…第４の誘電体 ６０…コネクタ ６
１…信号処理回路 ６２…半田バンプ ６３…高周波モ
ジュール ６４Ａ…発振器６４Ｂ…増幅器 ６５…MMIC
(増幅器) ６６…給電点 ６８…MMIC(受信器)。
伝送路 ５…第１の誘電体 ６…GND ７…第１のマイ
クロストリップ線路 ８…第２のマイクロストリップ線
路 ９…Auリボン線 １０…MMIC １１…第１のコプレ
ーナ線路 １２…第２のコプレーナ線路 １３…変換部
１４…半田バンプ １５…アンテナパターン １６…
スルービア １７…第３の誘電体 １８…GND １９…
電源・信号線路 ２０…電極 ２１…スルービア ２２
…外部取り付け電極 ２３…リッド ２４…リッド接合
用パターン ２５…第４の誘電体 ６０…コネクタ ６
１…信号処理回路 ６２…半田バンプ ６３…高周波モ
ジュール ６４Ａ…発振器６４Ｂ…増幅器 ６５…MMIC
(増幅器) ６６…給電点 ６８…MMIC(受信器)。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G030 AA03 AA07 AA09 AA10 AA16
AA17 AA20 AA21 AA32 AA34
AA39 AA40 BA09 CA01
5J006 HC03 HC23 HC26
5J081 AA11 BB06 CC05 CC46 EE10
JJ02 JJ12 JJ14 MM07
5K011 DA02 DA03 DA05 JA01 KA18
Claims (13)
- 【請求項１】高周波伝送線路を有する基板と、前記基板
に設けられた誘電体共振器を有する高周波回路におい
て、 前記基板は、前記誘電体共振器と前記高周波伝送線路が
電磁界結合する位置に穴部または中空部が形成されてお
り、前記穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋設さ
れているとともに、前記基板は、比誘電率１０以下の低
誘電体からなる第１の誘電体と第２の誘電体を積層して
構成され、前記第１の誘電体には前記高周波伝送路が形
成されており、前記第２の誘電体に前記穴部または前記
中空部が形成されていることを特徴とする高周波半導体
装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記誘電体共振器は、
Ba（Mg1/3Ta2/3）O3、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/
3Ta2/3)O3、Ba(Mg1/3Nb2/3)O3、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3、(B
a,Sr)(Ga1/3Nb2/3)O3、Ba(Sn,Mg,Ta)O3、Ba（Zr,Zn,T
a）O3、(Zr,Sn)TiO4、BaTi9O20、BaO-PbO-Na2O3-TiO2、
あるいは、これらの材料の固溶体からなる群より選択さ
れる少なくとも１種であることを特徴とする高周波半導
体装置。 - 【請求項３】外部共振器を利用した発振器であって、 前記外部共振器は、高周波伝送線路を有する基板と、前
記高周波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設
けられた誘電体共振器を有し、 前記基板は、低誘電体からなる第１の誘電体と第２の誘
電体を積層して構成されており、前記誘電体共振器は前
記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成
されており、 前記第１の誘電体一方の面にGND層が形成され、他方の
面に前記高周波伝送路が形成されており、 前記第２の誘電体には、前記誘電体共振器が前記高周波
伝送線路に電磁界結合するのに適した位置に前記穴部が
形成されていることを特徴とする発振器。 - 【請求項４】外部共振器を利用した発振器であって、 前記基板は、前記誘電体共振器は前記基板の誘電体より
も高い誘電率の誘電体を用いて構成されており、 前記基板は、低誘電体からなる第１の誘電体と第２の誘
電体を積層して構成されており、 前記外部共振器は、前記第１の誘電体の上に前記第２の
誘電体が積層され、前記第１の誘電体の一部は前記第２
の誘電体よりも側方に突出しており、前記第１の誘電体
に設けられた第１のマイクロストリップ線路が前記第１
の誘電体の表面に露出しており、 該第１のマイクロストリップ線路が変換部により第１の
コプレーナ線路に変換され、 前記発振器を構成するMMICが第２のコプレーナ線路を形
成していることを特徴とする発振器。 - 【請求項５】送信機能部と受信機能部とを備えた高周波
モジュールであって、 前記送信機能部は、第３の誘電体部分、第１の誘電体、
第２の誘電体、第４の誘電体及びリッド部分が積層され
た構造を有しており、前記各誘電体は、比誘電率１０以
下の低誘電体からなり、 前記第３の誘電体の一方の面にGND層が形成され、他方
の面にアンテナパターンが形成されており、 前記第１の誘電体に設けられたMMICの搭載窓が、前記第
２の誘電体に設けられた前記MMICの搭載窓より小さく、
前記第１の誘電体に設けられた第１のマイクロストリッ
プ線路の一部が前記第２の誘電体に設けられた搭載窓に
面して露出しており、前記MMICには第２のマイクロスト
リップ線路が形成されており、 前記第２の誘電体には、埋設される誘電体共振器が前記
高周波伝送線路に電磁界結合する位置に穴部が形成され
ており、該穴部内に前記誘電体共振器が格納されてお
り、該誘電体共振器は比誘電率が２０〜１００の間の誘
電体材料から選ばれたものであり、 前記第４の誘電体に、前記MMICの上部に設けられた開口
と、前記誘電体共振器の上部に設けられた開口とがあ
り、 前記リッドには、リッド接合パターン及び外部取り付け
電極が形成されている、ことを特徴とする高周波モジュ
ール。 - 【請求項６】信号処理回路と、高周波モジュールと、ア
ンテナで構成される車載レーダであって、前記高周波モ
ジュールは、外部共振器とMMICで構成される発振器を有
し、前記MMICはミリ波を発生し、該ミリ波が増幅され、
アンテナから車両前方の空間に送信されるように構成さ
れたものにおいて、 前記発振器は、高周波伝送線路を有する基板と、前記高
周波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けら
れた誘電体共振器を有し、前記基板は誘電体からなり、
前記基板の一部に穴部または中空部が形成されており、
該穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋設されてい
ることを特徴とする車載レーダ。 - 【請求項７】高周波伝送線路を有する基板と、前記高周
波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けられ
た誘電体共振器を有する高周波半導体装置の製造方法で
あって、 誘電体からなる前記基板に前記高周波伝送線路を形成す
る工程と、前記誘電体共振器が前記高周波伝送線路に電
磁界結合するのに適した前記基板の所定位置に、部分的
に穴部または中空部を形成する工程と、前記穴部または
中空部に前記誘電体共振器を埋設する工程とを含むこと
を特徴とする高周波半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】請求項７において、前記基板を印刷法によ
り製造することを特徴とする高周波半導体装置の製造方
法。 - 【請求項９】請求項７において、前記基板をラミネーシ
ョン法により製造することを特徴とする高周波半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１０】請求項８または９において、前記基板を
構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部
または中空部を形成し、該穴部または中空部に前記基板
の誘電体よりも高い誘電率の誘電体の固溶体を印刷して
焼成することにより、前記誘電体共振器を形成すること
を特徴とする高周波半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】請求項８または９において、前記基板を
構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部
または中空部を形成し、該穴部または中空部に接着剤を
塗布し、前記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体共
振器をマウントした後、前記接着剤を硬化させることに
より、前記誘電体共振器を形成することを特徴とする高
周波半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】送信機能部と受信機能部とを備え、前記
送信機能部が、第３の誘電体部分、第１の誘電体、第２
の誘電体、第４の誘電体及びリッド部分が積層された構
造を有する高周波モジュールの製造方法であって、 前記各誘電体部分もしくは誘電体及び前記リッド部分
を、個別にラミネーション法によるプロセスで製作し、 前記第２の誘電体の、前記誘電体共振器が前記高周波伝
送線路に電磁界結合するのに適した位置に、部分的に穴
部または中空部を形成し、 該穴部に前記誘電体共振器を埋設し、 前記各誘電体及び前記リッド部分を順次積層して一体化
することを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項１３】請求項１２において、 前記第２の誘電体に形成された穴部に、誘電体の固溶体
を印刷して前記誘電体共振器を焼成することを特徴とす
る高周波モジュールの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002001296A JP2003204201A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 高周波半導体装置の実装構造及び製造方法 |
| US10/245,724 US6771150B2 (en) | 2002-01-08 | 2002-09-18 | Mounting structure of high frequency semiconductor apparatus and its production method |
| EP02023038A EP1326300B8 (en) | 2002-01-08 | 2002-10-16 | Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method |
| DE60213057T DE60213057T2 (de) | 2002-01-08 | 2002-10-16 | Befestigungsanordnung für Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und zugehöriges Herstellungsverfahren |
| US10/871,054 US7307581B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-06-21 | Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002001296A JP2003204201A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 高周波半導体装置の実装構造及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204201A true JP2003204201A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=19190601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002001296A Pending JP2003204201A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 高周波半導体装置の実装構造及び製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6771150B2 (ja) |
| EP (1) | EP1326300B8 (ja) |
| JP (1) | JP2003204201A (ja) |
| DE (1) | DE60213057T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101954A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Tdk Corp | 埋め込み型誘電体共振器 |
| JP2008312112A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | 誘電体共振器型発振器及びそれを用いたレーダシステム |
| CN111487471A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-04 | 延安大学 | 一种介电常数感测装置、系统及方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004029440A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Sende-/Empfangs-Einrichtung |
| WO2006033204A1 (ja) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波発振回路および送受信装置 |
| JP4101814B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2008-06-18 | 富士通株式会社 | 高周波モジュール |
| US20090146745A1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Viasat, Inc. | Noise reducing dielectric resonator oscillator |
| US7733265B2 (en) * | 2008-04-04 | 2010-06-08 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Three dimensional integrated automotive radars and methods of manufacturing the same |
| US7830301B2 (en) | 2008-04-04 | 2010-11-09 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Dual-band antenna array and RF front-end for automotive radars |
| US8022861B2 (en) | 2008-04-04 | 2011-09-20 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Dual-band antenna array and RF front-end for mm-wave imager and radar |
| US7990237B2 (en) | 2009-01-16 | 2011-08-02 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | System and method for improving performance of coplanar waveguide bends at mm-wave frequencies |
| US8786496B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-07-22 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Three-dimensional array antenna on a substrate with enhanced backlobe suppression for mm-wave automotive applications |
| DE102013221055A1 (de) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Robert Bosch Gmbh | Kombination aus Radarsensor und Verkleidungsteil für ein Kraftfahrzeug |
| US10784583B2 (en) * | 2013-12-20 | 2020-09-22 | University Of Saskatchewan | Dielectric resonator antenna arrays |
| US9971970B1 (en) * | 2015-04-27 | 2018-05-15 | Rigetti & Co, Inc. | Microwave integrated quantum circuits with VIAS and methods for making the same |
| US20180090843A1 (en) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | Taoglas Group Holdings Limited | Patch antenna construction |
| US11121301B1 (en) | 2017-06-19 | 2021-09-14 | Rigetti & Co, Inc. | Microwave integrated quantum circuits with cap wafers and their methods of manufacture |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553907A (en) | 1978-10-17 | 1980-04-19 | Hitachi Ltd | Microwave oscillator |
| US4461040A (en) * | 1983-01-06 | 1984-07-17 | Zenith Radio Corporation | Integrated single balanced mixer/oscillator with slot and hybrid coupler |
| JPS62179134A (ja) | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
| JPH03125501A (ja) | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Fujitsu Ltd | マイクロ波回路モジュール |
| JPH1031219A (ja) | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Sony Corp | 高分子液晶成膜方法及びゲストホスト液晶表示装置の製造方法 |
| JPH1093219A (ja) | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 高周波集積回路およびその製造方法 |
| JP3472430B2 (ja) | 1997-03-21 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | アンテナ一体化高周波回路 |
| FR2766325B1 (fr) | 1997-07-25 | 1999-10-08 | Moet & Chandon | Machine pour planter des piquets notamment dans les terrains a vignobles |
| US6127907A (en) * | 1997-11-07 | 2000-10-03 | Nec Corporation | High frequency filter and frequency characteristics regulation method therefor |
| JP3402197B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2003-04-28 | 株式会社村田製作所 | 発振器および通信機装置 |
| JP3183459B2 (ja) | 1998-10-01 | 2001-07-09 | 日本電気株式会社 | マイクロ波・ミリ波回路装置 |
| JP3173596B2 (ja) | 1998-10-23 | 2001-06-04 | 日本電気株式会社 | マイクロ波・ミリ波回路装置 |
| JP2000353639A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| KR100361938B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2002-11-22 | 학교법인 포항공과대학교 | 유전체 기판의 공진장치 |
-
2002
- 2002-01-08 JP JP2002001296A patent/JP2003204201A/ja active Pending
- 2002-09-18 US US10/245,724 patent/US6771150B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-16 EP EP02023038A patent/EP1326300B8/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-16 DE DE60213057T patent/DE60213057T2/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-21 US US10/871,054 patent/US7307581B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101954A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Tdk Corp | 埋め込み型誘電体共振器 |
| JP2008312112A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | 誘電体共振器型発振器及びそれを用いたレーダシステム |
| CN111487471A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-04 | 延安大学 | 一种介电常数感测装置、系统及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1326300A3 (en) | 2003-09-03 |
| US7307581B2 (en) | 2007-12-11 |
| EP1326300B8 (en) | 2007-02-21 |
| US20030128155A1 (en) | 2003-07-10 |
| EP1326300B1 (en) | 2006-07-12 |
| EP1326300A2 (en) | 2003-07-09 |
| US6771150B2 (en) | 2004-08-03 |
| DE60213057T2 (de) | 2007-01-11 |
| US20040239453A1 (en) | 2004-12-02 |
| DE60213057D1 (de) | 2006-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003204201A (ja) | 高周波半導体装置の実装構造及び製造方法 | |
| CN109074900B (zh) | 高频多层互连衬底及其制造方法 | |
| KR101327375B1 (ko) | 도파 구조체, 도파 구조체를 포함하는 고주파 모듈, 및 레이더 장치 | |
| KR101316657B1 (ko) | 회로 기판, 고주파 모듈, 및 레이더 장치 | |
| US6788171B2 (en) | Millimeter wave (MMW) radio frequency transceiver module and method of forming same | |
| JP5216848B2 (ja) | 高周波モジュールおよびその製造方法ならびに該高周波モジュールを備えた送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 | |
| JPH09237867A (ja) | 高周波用パッケージ | |
| US9245859B2 (en) | Wireless module | |
| JPH11251829A (ja) | スロットアンテナ及びそれを具備する配線基板 | |
| EP2196818A2 (en) | Microwave planar sensor using PCB cavity packaging process | |
| JP2004112131A (ja) | 平面回路−導波管接続構造 | |
| JP2002164465A (ja) | 配線基板、配線ボード、それらの実装構造、ならびにマルチチップモジュール | |
| EP1471573A1 (en) | Multi-layer ceramic substrate, and method and device for producing the same | |
| JP4448461B2 (ja) | 半導体パッケージの作製方法 | |
| JPH08204444A (ja) | コンバータ機能一体型ｇｐｓアンテナ | |
| JP2003017909A (ja) | 高周波回路基板とその製造方法 | |
| KR101895888B1 (ko) | 마이크로스트립 전송 선로를 구비한 필터 및 rf 패키지 | |
| JPH09167825A (ja) | 複合マイクロ波集積回路 | |
| CN113140887B (zh) | 封装天线及其制造方法 | |
| US20230223683A1 (en) | Antenna Layer Structures Separated by Fluid-Filled Cavity, an Antenna Inlay, and a Component Carrier | |
| KR102198286B1 (ko) | 라우팅에 의해 격리도가 개선된 안테나 구조물 | |
| US20230369180A1 (en) | Wiring substrate and electronic device | |
| JPH11136012A (ja) | 積層型方向性結合器 | |
| JP2000049509A (ja) | 配線基板とその接続構造 | |
| US20020125969A1 (en) | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050801 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051025 |