JPS62179134A - マイクロ波装置用パツケ−ジ - Google Patents
マイクロ波装置用パツケ−ジInfo
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- JPS62179134A JPS62179134A JP1955586A JP1955586A JPS62179134A JP S62179134 A JPS62179134 A JP S62179134A JP 1955586 A JP1955586 A JP 1955586A JP 1955586 A JP1955586 A JP 1955586A JP S62179134 A JPS62179134 A JP S62179134A
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- microwave device
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は増幅器、ミクサ、発振器などのマイクロ波装
置を収容する気密構造を有Ｔるパッケージに関するもの
である。
置を収容する気密構造を有Ｔるパッケージに関するもの
である。
第８図は例えば特開昭６０−４３０２２号公報に示され
た従来のマイクロ波装置用パッケージの斜視図であり１
図において値！９はキャリア、 ＋Ｉ［９は第１の誘電
体基板、αηは第２の誘電体基板、（＋８はリード、■
は入出力取出し用金属膜、■はフタである。
た従来のマイクロ波装置用パッケージの斜視図であり１
図において値！９はキャリア、 ＋Ｉ［９は第１の誘電
体基板、αηは第２の誘電体基板、（＋８はリード、■
は入出力取出し用金属膜、■はフタである。
第１の誘電体基敬αＱ、第２の誘電体基板αηは中央部
をくりぬいた形状となっており、この部分にマイクロ波
装置を収容する。
をくりぬいた形状となっており、この部分にマイクロ波
装置を収容する。
第９図は、従来のマイクロ波装置用パッケージの組立て
図である。
図である。
次に動作について説明する。
リード賭から入射した電波は、第１の誘電体基板ａｌ１
９上に構成されるマイクロストリップ線路、第１の誘電
体基板αｅと第２の誘電体基板αＤの間に入出力取出し
用金属膜■をはさむ構造のトリプレート線路を経て、マ
イクロ波装置へ供給される。
９上に構成されるマイクロストリップ線路、第１の誘電
体基板αｅと第２の誘電体基板αＤの間に入出力取出し
用金属膜■をはさむ構造のトリプレート線路を経て、マ
イクロ波装置へ供給される。
マイクロ波装置の出力は、上記と逆の経路で。
トリプレート線路、マイクロストリップ線路を経てパッ
ケージ外へ取り出される。
ケージ外へ取り出される。
従来のマイクロ波装置用パッケージは以上のように構成
されているので、２枚の誘電体基板が必要で組立て工程
が多（なる問題点があった。
されているので、２枚の誘電体基板が必要で組立て工程
が多（なる問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので２部品点数が少なり、鼠産に適した構造のマ
イクロ波装置用パッケージを得ることを目的とする。
れたもので２部品点数が少なり、鼠産に適した構造のマ
イクロ波装置用パッケージを得ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波装置用パッケージは。
堀込みを設けた金属性キャリア、周囲にスルーホールに
金属を充填することにより接地したキャップ取付は用金
属膜を備えた中央部に穴を設けた誘電体基板、キャップ
で構成し、誘電体基板表面のキャップ取付は用金属膜を
はさんで互いに対向した位置に入出力用金属膜とマイク
ロ波装置取付は用金属膜を設け、さらに誘電体基板裏面
の所定の位置にコプレナー線路を設け、コプレナー線路
の一端と入出力用金属膜及びコプレナー線路の他端とマ
イクロ波装置取付は用金属膜をスルーホールに金属を充
填することにより導通したものである、〔作 用〕 この発明におけるマイクロ波装置用パッケージは９表面
にマイクロストリップ線路を裏面にコプレナー線路を構
成し９両者をスルーホールにより導通する構造の誘電体
基板を用いることにより。
金属を充填することにより接地したキャップ取付は用金
属膜を備えた中央部に穴を設けた誘電体基板、キャップ
で構成し、誘電体基板表面のキャップ取付は用金属膜を
はさんで互いに対向した位置に入出力用金属膜とマイク
ロ波装置取付は用金属膜を設け、さらに誘電体基板裏面
の所定の位置にコプレナー線路を設け、コプレナー線路
の一端と入出力用金属膜及びコプレナー線路の他端とマ
イクロ波装置取付は用金属膜をスルーホールに金属を充
填することにより導通したものである、〔作 用〕 この発明におけるマイクロ波装置用パッケージは９表面
にマイクロストリップ線路を裏面にコプレナー線路を構
成し９両者をスルーホールにより導通する構造の誘電体
基板を用いることにより。
金属性キャリア、１枚の誘電体基板、キャップで気密構
造を実現している。
造を実現している。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明に係るマイクロ波装置用パッケージの
斜視図である。第１図において、（１）は堀込みを有す
るキャリア、（２）は誘電体基板、（３）はリード、（
４）は入出力用金属膜、（５）はキャップである。
斜視図である。第１図において、（１）は堀込みを有す
るキャリア、（２）は誘電体基板、（３）はリード、（
４）は入出力用金属膜、（５）はキャップである。
第２図は第４図の量−■断面図である。第３図はこの発
明に係るマイクロ波装置用パッケージの組立て図である
。第３図中、（６（は堀込み、（７）は穴である。
明に係るマイクロ波装置用パッケージの組立て図である
。第３図中、（６（は堀込み、（７）は穴である。
堀込みを有するキャリア（１）に中央部を（りぬいた誘
電体基板（２］を取付け、このくりぬいた部分にマイク
ロ波装置を収容し、キャップ（５）を取付けることによ
り気密封止することができる。
電体基板（２］を取付け、このくりぬいた部分にマイク
ロ波装置を収容し、キャップ（５）を取付けることによ
り気密封止することができる。
第４図、第５図はそれぞれ誘電体基板（２）の表面図、
裏面図である。第４図中、（８）はマイクロ波装置接続
用金属膜、（９）はキャップ取付は用金属膜。
裏面図である。第４図中、（８）はマイクロ波装置接続
用金属膜、（９）はキャップ取付は用金属膜。
αＧは第１のスルーホール、ａυは第２のスルーホール
である。第５図干、αりは裏面接地用金属膜、 ｔ１３
はコプレナー線路である。
である。第５図干、αりは裏面接地用金属膜、 ｔ１３
はコプレナー線路である。
基板表面のキャップ取付は用金属膜（９）と基板裏面の
裏面接地用金属膜ｆｉｚは第１のスルーホールαｑに金
属を充填することにより導通するものとする。
裏面接地用金属膜ｆｉｚは第１のスルーホールαｑに金
属を充填することにより導通するものとする。
又、基板表面のマイクロ波装置取付は用金属膜（８）と
基板裏面のコプレナー線路ａ３の一端及び基板表面の入
出力用金属膜＋４１と基板裏面のコプレナー線路０の他
端は、第２のスルーホールα旧こ金属を充填することに
より導通するものとする。
基板裏面のコプレナー線路ａ３の一端及び基板表面の入
出力用金属膜＋４１と基板裏面のコプレナー線路０の他
端は、第２のスルーホールα旧こ金属を充填することに
より導通するものとする。
リード（３）から入射した電波は、誘電体基板（２）の
表面でマイクロス） ＋７ツプ線路を構成する入出力用
金属膜（４）、誘電体基板（２）の裏面のコプレナー線
路１１３．誘電体基板１２＋の表面でマイクロス） Ｉ
Ｊツブ珠路を構成するマイクロ波装置接続用金属膜（８
）を経て、マイクロ波装置へ供給される。
表面でマイクロス） ＋７ツプ線路を構成する入出力用
金属膜（４）、誘電体基板（２）の裏面のコプレナー線
路１１３．誘電体基板１２＋の表面でマイクロス） Ｉ
Ｊツブ珠路を構成するマイクロ波装置接続用金属膜（８
）を経て、マイクロ波装置へ供給される。
マイクロ波装置の出力は、上記と逆の経路でパッケージ
外へ取出される。キャップ（５）を誘電体基板（２）の
キャップ取付は用金属膜（９）にハンダ付けすることに
より、マイクロ波装置を気密封止できる。
外へ取出される。キャップ（５）を誘電体基板（２）の
キャップ取付は用金属膜（９）にハンダ付けすることに
より、マイクロ波装置を気密封止できる。
第６図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である。第
６図の実施例は、入出力取出し部にリ一ド（３）を取付
けず、取出し部がマイクロストリップ線路となっている
例である。
６図の実施例は、入出力取出し部にリ一ド（３）を取付
けず、取出し部がマイクロストリップ線路となっている
例である。
第１図は、この発明のさらに他の実施例を示す斜視図で
ある。第７図中、α４はバイアス用金属膜である。この
実施例では、入出力端子の他にバイアス端子もパッケー
ジ外へ取り出している。
ある。第７図中、α４はバイアス用金属膜である。この
実施例では、入出力端子の他にバイアス端子もパッケー
ジ外へ取り出している。
なお上記実施例では、誘電体基板に角穴を設ける場合に
ついて示したが、丸形でもよい。
ついて示したが、丸形でもよい。
以上のように、この発明によれば、堀込みを設けた金属
性キャリア、周囲にスルーホールに金属を充填すること
により接地したキャップ取付は用金属膜を備えた中央部
を（りぬいた誘電体基板。
性キャリア、周囲にスルーホールに金属を充填すること
により接地したキャップ取付は用金属膜を備えた中央部
を（りぬいた誘電体基板。
キャップで構成し、誘電体基板の表面及び裏面の所定の
位置にマイクロストリップ線路及びコプレナー線路を設
け１表面のマイクロストリップ線路と裏面のコプレナー
線路をスルーホールに金属を充填することにより導通す
る構造としたので０部品点数の削減を図れる効果がある
。
位置にマイクロストリップ線路及びコプレナー線路を設
け１表面のマイクロストリップ線路と裏面のコプレナー
線路をスルーホールに金属を充填することにより導通す
る構造としたので０部品点数の削減を図れる効果がある
。
第１図はこの発明のマイクロ波装置用パッケージの斜視
図、第２図は第１図の■−■断面図、第３図はこの発明
のマイクロ波装置用パッケージの組立て図、第４図はこ
の発明のマイクロ波装置用パッケージに用いる誘電体基
板の表面図、第５図は第４図の誘電体基因の裏面図、第
６図、第１図はこの発明のマイクロ波装置用パッケージ
の他の実施例を示す斜視図、第８図は従来のマイクロ波
装置用パッケージの斜視図、第９図（工従来のマイクロ
波装置用パッケージの組立て図である。 図中、（ｌ）は堀込みを有するキャリア、（２ｊは誘電
体基板、（３Ｊはリード、（４）は入出力用金属膜、（
５ｊはキャップ、（６）は堀込み、（７）は穴、（８）
はマイクロ波装置接続用金属膜、（９）はキャップ取付
は用金属膜。 α〔は第１のスルーホール、συは第２のスルーホール
、σ３は裏面接地用金属ＩＬ ａ：１はコプレナー線路
。 ａ４はバイアス用金属膜である。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
図、第２図は第１図の■−■断面図、第３図はこの発明
のマイクロ波装置用パッケージの組立て図、第４図はこ
の発明のマイクロ波装置用パッケージに用いる誘電体基
板の表面図、第５図は第４図の誘電体基因の裏面図、第
６図、第１図はこの発明のマイクロ波装置用パッケージ
の他の実施例を示す斜視図、第８図は従来のマイクロ波
装置用パッケージの斜視図、第９図（工従来のマイクロ
波装置用パッケージの組立て図である。 図中、（ｌ）は堀込みを有するキャリア、（２ｊは誘電
体基板、（３Ｊはリード、（４）は入出力用金属膜、（
５ｊはキャップ、（６）は堀込み、（７）は穴、（８）
はマイクロ波装置接続用金属膜、（９）はキャップ取付
は用金属膜。 α〔は第１のスルーホール、συは第２のスルーホール
、σ３は裏面接地用金属ＩＬ ａ：１はコプレナー線路
。 ａ４はバイアス用金属膜である。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 上面に堀込みが設けられた金属性キャリアの上部に誘電
体基板を重ね、さらにその上部にキャップが取付けられ
た多層構造のマイクロ波装置用パッケージにおいて、上
記誘電体基板はその中央に設けられた穴と、基板表面で
かつこの穴の周囲に所定の間隔を有して設けられたキャ
ップ取付け用金属膜と、同じく基板表面でかつこのキャ
ップ取付け用金属膜をはさんで互いに対向した位置に設
けられた入出力用金属膜とマイクロ波装置取付け用金属
膜と、基板裏面でかつ上記金属性キャリアの堀込みに対
応する位置に設けられたコプレナー線路と、同じく基板
裏面でかつ上記金属性キャリアと接触する部分に設けら
れた裏面接地用金属膜と、内部に金属を充填し上記キャ
ップ取付け用金属膜とこの裏面接地用金属膜とを導通す
る第１のスルーホールと、同じく内部に金属を充填し上
記コプレナー線路の一端と上記入出力用金属膜ならびに
上記コプレナー線路の他端と上記マイクロ波装置取付け
用金属膜をそれぞれ導通する第２のスルーホールとを備
えたことを特徴とするマイクロ波装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1955586A JPS62179134A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1955586A JPS62179134A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62179134A true JPS62179134A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12002561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1955586A Pending JPS62179134A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | マイクロ波装置用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62179134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312960A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波用半導体装置 |
| US7307581B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-12-11 | Hitachi, Ltd. | Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1955586A patent/JPS62179134A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312960A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波用半導体装置 |
| US7307581B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-12-11 | Hitachi, Ltd. | Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method |
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