JPH0464480B2 - - Google Patents

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JPH0464480B2
JPH0464480B2 JP20519685A JP20519685A JPH0464480B2 JP H0464480 B2 JPH0464480 B2 JP H0464480B2 JP 20519685 A JP20519685 A JP 20519685A JP 20519685 A JP20519685 A JP 20519685A JP H0464480 B2 JPH0464480 B2 JP H0464480B2
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 ・ 概要 ・ 産業上の利用分野 ・ 従来の技術(第3,4,5図) ・ 発明が解決しようとする問題点 ・ 問題点を解決するための手段 ・ 作 用 ・ 実施例(第1,2図) ・ 発明の効果 〔概要〕 高周波モジユール11A,11B,11Cにジ
ヤツク端子14,15を内部に突出して設け、接
続基板17に上記ジヤツク端子14,15に対応
する同軸端子18とピン端子19を設け、上記ジ
ヤツク端子を同軸端子とピン端子にそれぞれ嵌合
接続して上記各モジユールを上記基板の表裏両面
上に予め定めた対向状態で直接的に接続すること
により、上記各モジユール間の高周波伝送路の不
連続部発生の防止、接続部による不整合発生の防
止、接続部における電波の漏洩及び侵入の防止、
及びモジユール実装上の制約の解消を可能とす
る。
〔産業上の利用分野〕 本発明は、小形、高性能が要求される無線装置
に使用される高周波モジユールの実装方法に関
し、特に相互電磁干渉を防止するため、金属パツ
ケージ(シールドパツケージ)で封止して形成さ
れ所定の機能を有する高周波モジユール間の接続
方法に関するものである。
無線装置は、一般に、増幅器、発振器等の単位
にモジユール化された各高周波モジユールを接続
して構成される。そして、高周波モジユール間の
接続部としては、電波の漏洩及び侵入を防止でき
ること、高周波伝送路の不連続部が形成されない
こと、接続部による不整合が発生しないこと、モ
ジユール実装上の制約を生じさせないこと等が要
望される。
〔従来の技術〕
第3図は第1従来例の説明図、第4図は第2従
来例の説明図、第5図は第4図の矢印B部の分解
拡大図である。
先ず、第3図の第1従来例について説明する。
高周波モジユール21は主として誘電体基板22
と、この基板22を封止する金属パツケージ(シ
ールドパツケージ)23と、基板22に貫通固設
されたリード端子24−1,24−2とから構成
される。誘電体基板22は、その上面に分布定数
回路パターン等の導体パターン(図示省略)が設
けられかつ所定のチツプ部品等の小形電子部品
(図示省略)が搭載され、さらに高周波用のリー
ド端子24−1と、電源及び低周波用(制御用)
のリード端子24−2が下面側に突出して貫通固
設されている。この基板22を金属パツケージ2
3で封止することによつて、高周波モジユール2
1が形成される。金属パツケージ23は底板23
aと、これに結合されるカバー23bとから成
り、底板23a上に誘電体基板22が配設され
る。プリント板25は各モジユール21間を接続
するための接続パターン26と、電源及び低周波
信号用配線(図示省略)等が設けられている。
この第1従来例は、上記の如く形成されたモジ
ユール21のリード端子24−1,24−2をプ
リント板25の上側からプリント板25のスルー
ホールに挿入し、プリント板25の下側よりハン
ダ付けを行うことにより、各モジユール21間が
リード端子24−1と接続パターン26を介して
接続され、プリント板25の電源及び低周波信号
用配線とリード端子24−2を介して基板22の
配線パターン及び分布定数回路等が接続される。
次に、第4図の第2従来例について説明する。
第4図において、31A,31Bは高周波モジユ
ール、37は筐体基台部をそれぞれ示す。高周波
モジユール31A,31Bは、主として、ステム
と呼ばれる金属基板32と、この基板32上に配
設されたセラミツク基板(誘電体基板)33と、
このセラミツク基板33を封止して金属基板32
上に固定された金属製のシールドカバー34と、
金属基板32に貫通配設された高周波用同軸端子
35と、セラミツク基板33に貫通配設された電
源及び低周波用リード端子36とから構成され
る。金属基板32にはリード端子36に対応して
挿通穴32aが設けられている。セラミツク基板
33には、図示してないが、配線パターンが設け
られかつ電子部品が搭載される。シールドカバー
34はセラミツク基板33の部品搭載面側を被う
形態で金属基板32上に固設され、セラミツク基
板33及び搭載部品に対する電波をシールドする
役割を果す。同軸端子35は、第5図に拡大して
示すように、内導体35aと、内導体35aを取
巻いて密着配設された絶縁体(例えば、ガラス)
35bと、絶縁体35bを取巻いて密着配設され
た外導体35cとから成り、外導体35c部分が
金属基板32に貫通固設され、内導体35aが金
属基板32の両面上に突出して配設される。リー
ド端子36はセラミツク基板33に貫通固設さ
れ、その一端側が金属基板32の挿通穴32aを
貫通し、筐体基台部37側に突出して配設され
る。筐体基台部37は、上記した同軸端子35に
対応する位置に、両端にすり割部38a(第5図)
を有する接続スリーブ38が配設され、かつ上記
したリード端子36に対応する位置に挿通穴37
a(第4図)が形成されている。接続スリーブ3
8は、筐体基台部37が一般に金属であるため、
テフロン等の絶縁体39(第5図)を介して基台
37に埋め込まれる。
この第2従来例では、各モジユール31A,3
1Bの同軸端子35とリード端子36を、筐体基
台部37の接続スリーブ38と挿通穴37aにそ
れぞれ挿入して各モジユール31A,31Bを基
台部37に固定することによつて、各モジユール
31A,31B間が接続される。この場合、接続
スリーブ38にはその両端から各モジユール31
A,31Bの同軸端子35(内導体35a)が密
着状で挿入されて接続される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記第1従来例(第3図)にあつては、各高周
波モジユール21の高周波用リード端子24−1
間をプリント板25に設けた接続パターン26を
介して接続しているため、この接続部が高周波信
号の伝送線路として不連続部となり、接続部によ
る整合不良が発生し易く、また、この接続部で電
波の漏洩及び侵入が生じて高周波用リード端子2
4−1間に不要な電磁干渉が発生し易いという問
題がある。また、第2従来例(第4,5図)にあ
つては、リード端子36が各高周波モジユール3
1A,31Bの搭載側と反対側の基台部37の表
面上に突出するため、モジユール31A,31B
を実装する際に、このリード端子36の突出部を
避ける必要があり、モジユール実装の自由度が制
約されるという問題がある。
本発明は、このような問題点にかんがみて創作
されたもので、高周波電波の漏洩を防止し、端子
間の不要な電磁干渉の発生を防止し、かつ高周波
モジユール実装の自由度を向上し得る高周波モジ
ユールの実装方法を提供することを目的としてい
る。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するための手段として、本発
明では、誘電体基板12をシールドパツケージ1
3内に封止して成る高周波モジユール11A,1
1B,11Cの入出力端子をジヤツク端子14,
15として形成し、該ジヤツク端子14,15を
上記モジユール11A,11B,11Cの内部に
突出させて上記誘電体基板12に直立固設し、上
記モジユール11A,11B,11Cを実装する
ための接続基板17を多層プリント板として形成
し、該プリント板の表裏両面の表層導体をアース
導体層17a,17bとし、かつ内層導体を配線
パターン17c,17d,17eとして形成し、
上記モジユール11A,11B,11Cの高周波
用ジヤツク端子14と嵌合接続すべき同軸端子1
8を上記接続基板17に貫通固設してその内導体
18aが基板17の表裏両面上に突出した形態に
配設し、上記モジユール11A,11B,11C
の電源及び低周波用ジヤツク端子15と嵌合接続
すべきピン端子19を上記接続基板17の配線パ
ターン17c,17eそれぞれに直立固設して基
板17の表裏両面上に突出した形態に配設し、上
記モジユール11A,11B,11Cの各ジヤツ
ク端子14,15を上記基板17の同軸端子18
及びピン端子19にそれぞれ嵌合接続し、上記モ
ジユール11A,11B,11Cを上記基板17
の表裏両面上に予め定めた対向状態で実装するこ
とにより、上記モジユール11A,11B,11
C間の電気的接続を行なうことを特徴とする高周
波モジユールの実装方法を提供する。
〔作用〕
高周波モジユール11A,11B,11Cのジ
ヤツク端子14,15を接続基板17の同軸端子
18とピン端子19にそれぞれ嵌合接続してモジ
ユール11A,11B,11Cを基板17の表裏
両面上に予め定めた対向状態で実装することによ
り、モジユール11A,11B,11C間を直接
的に接続することができる。これにより、各モジ
ユール間の高周波伝送線路の不連続部の発生を防
止して接続部の不整合を避けることができ、かつ
接続部から電波の漏洩及び侵入を防止して不要な
電磁干渉の発生を防止することができる。またピ
ン端子19を接続基板17表裏両面上にそれぞれ
独立して設けることができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例の説明図(但し、高周
波モジユール11A,11B,11Cと接続基板
17とを分離して示す)、第2図は第1図の矢印
A部の部分拡大図である。
第1図において、符号11A,11B,11C
は高周波モジユール、14,15はジヤツク端子
(雌形端子)、17は接続基板(多層プリント板)、
18は同軸端子(雄形端子)、19はピン端子
(雄形端子)をそれぞれ示す。
各高周波モジユール11A,11B,11C
は、主として誘電体基板12と、基板12を封止
する金属パツケージ13と、モジユール11A,
11B,11Cの入出力端子として基板12に配
設されたジヤツク端子14,15とから機能モジ
ユールとして構成される。誘電体基板12は、そ
の上面に分布定数回路パターン等の導体パターン
12aが設けられかつ所定のチツプ部品等の電子
部品16が搭載されて機能回路が形成され、基板
12の下面(裏面)にはアース導体膜12bが設
けられ、さらにモジユール11A,11B,11
Cの入出力端子としてジヤツク端子14,15が
モジユールの内部に突出して固設されている。こ
の場合ジヤツク端子14は高周波用として、そし
てジヤツク端子15は電源及び低周波用として配
設される。金属パツケージ13は底板13aと、
これに結合される密閉カバー13bとから成り、
底板13a上に誘電体基板12が配置固設され
る。このように誘電体基板12を金属パツケージ
13内に封止することにより、誘電体基板12が
外部と電波的にシールドされて、高周波モジユー
ル11A,11B,11Cが形成される。尚、ジ
ヤツク端子14,15の入口14a,15aに対
応して誘電体基板12と金属パツケージ13の底
板13aとに挿通穴12cと13cとがそれぞれ
設けられている。
接続基板17は、第2図に拡大して示すよう
に、多層プリント板として形成されたもので、そ
の表裏両面の表層導体(上下両面層)がアース導
体層17a,17bとして形成され、内層導体が
配線パターン17c,17d,17eとして形成
されている。接続基板17には、モジユール11
A,11B,11Cのジヤツク端子14と15に
対応した位置に同軸端子18とピン端子19がそ
れぞれ配設される。尚、第2図において、符号1
7f,17gは接着剤、17h,17iは絶縁層
をそれぞれ示す。
同軸端子18は、第2図に拡大して示すよう
に、内導体18aと、内導体18aを取巻いて密
着配設された絶縁体(例えば、テフロン、ガラス
等)18bと、絶縁体18bを取巻いて密着配設
された外導体18cとから成り、外導体18c部
分が接続基板17に貫通固設され、内導体18a
が基板17の表裏両面上に突出した形態で配設さ
れる。ピン端子19は、第2図に拡大して示すよ
うに、内層導体の配線パターン17cと17eに
それぞれ直立固設され、基板17の表裏両面上に
突出した形態で配設される。
本実施例では、モジユール11A,11B,1
1Cが相互に電気的接続を必要とする場合、第1
図に示すように、モジユール11Aを基板17の
表面側(上面側)から、そしてモジユール11
B,11Cを基板17の裏面側(下面側)から基
板17に近接させ、次いで各モジユールのジヤツ
ク端子14,15をこれらに対応する同軸端子1
8とピン端子19にそれぞれ嵌合接続させて各モ
ジユール11A,11B,11Cを基板17の表
裏両面上に実装することにより、各モジユール1
1A,11B,11C相互が直接的に接続され
る。
〔発明の効果〕
以上説明したようにに、本発明によれば、高周
波モジユール11A,11B,11Cの入出力端
子としてジヤツク端子14,15をモジユール1
1A,11B,11Cの内部に突出して設け、接
続基板17に高周波用の同軸端子18と、電波及
び低周波用のピン端子19を設け、ジヤツク端子
14,15を同軸端子18とピン端子19に嵌合
接続させることにより、モジユール11A,11
B,11C間を同軸端子18を介して直接的に接
続することができるので、モジユール11A,1
1B,11C間の高周波信号伝送線路の不連続部
の発生を防止して不整合を避けることができると
共に、電波の漏洩及び侵入を防止して不要な電磁
干渉の発生を防止することができ、かつ高周波信
号の接続損失の低減化ができ、また、接続基板1
7の表裏両面上にそれぞれピン端子19を独立し
て設けることができるので、モジユール実装上の
制約を解消することができるという好ましい効果
が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の説明図、第2図は第
1図の矢印A部の部分拡大図、第3図は第1従来
例の説明図、第4図は第2従来例の説明図、第5
図は第4図の矢印B部の分解拡大図である。 第1,2図において、11A,11B,11C
は高周波モジユール、12は誘電体基板、13は
金属パツケージ(シールドパツケージ)、14,
15はジヤツク端子(雌形端子)、16は電子部
品、17は接続基板(多層プリント板)、17a,
17bはアース導体層(表層)、17c,17d,
17eは配線導体層(内層)、17f,17gは
接着剤、17h,17iは絶縁層、18は同軸端
子(雄形端子)、18aは内導体、18bは絶縁
体(例えば、テフロン、ガラス等)、18cは外
導体、19はピン端子(雄形端子)、をそれぞれ
示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 誘電体基板12をシールドパツケージ13内
    に封止して成る高周波モジユール11A,11
    B,11Cの入出力端子をジヤツク端子14,1
    5として形成し、該ジヤツク端子14,15を上
    記モジユール11A,11B,11Cの内部に突
    出させて上記誘電体基板12に直立固設し、 上記モジユール11A,11B,11Cを実装
    するための接続基板17を多層プリント板として
    形成し、該プリント板の表裏両面の表層導体をア
    ース導体層17a,17bとし、かつ内層導体を
    配線パターン17c,17d,17eとして形成
    し、 上記モジユール11A,11B,11Cの高周
    波用ジヤツク端子14と嵌合接続すべき同軸端子
    18を上記接続基板17に貫通固設してその内導
    体18aが基板17の表裏両面上に突出した形態
    に配設し、上記モジユール11A,11B,11
    Cの電源及び低周波用ジヤツク端子15と嵌合接
    続すべきピン端子19を上記接続基板17の配線
    パターン17c,17eそれぞれに直立固設して
    基板17の表裏両面上に突出した形態に配設し、 上記モジユール11A,11B,11Cの各ジ
    ヤツク端子14,15を上記基板17の同軸端子
    18及びピン端子19にそれぞれ嵌合接続し、上
    記モジユール11A,11B,11Cを上記基板
    17の表裏両面上に予め定めた対向状態で実装す
    ることにより、上記モジユール11A,11B,
    11C間の電気的接続を行なうことを特徴とする
    高周波モジユールの実装方法。
JP20519685A 1985-09-19 1985-09-19 高周波モジユ−ルの実装方法 Granted JPS6266652A (ja)

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