JPH03125501A - マイクロ波回路モジュール - Google Patents
マイクロ波回路モジュールInfo
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- JPH03125501A JPH03125501A JP26427489A JP26427489A JPH03125501A JP H03125501 A JPH03125501 A JP H03125501A JP 26427489 A JP26427489 A JP 26427489A JP 26427489 A JP26427489 A JP 26427489A JP H03125501 A JPH03125501 A JP H03125501A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
誘電体共振器を有するマイクロ波回路モジュールに関し
、 小形化が図れ、誘電体共振器の接着作業を無くし、且つ
確実に固着出来るマイクロ波回路モジュールを提供する
ことを目的とし、 高誘電率の磁器材からなる角柱形又は円柱形のＴＥｏ＋
δモードの誘電体共振器と、低誘電率の磁器部材とを一
体に焼成して成形し、磁器部材に、前記誘電体共振器を
用いたマイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと記す）を構成
させる。
、 小形化が図れ、誘電体共振器の接着作業を無くし、且つ
確実に固着出来るマイクロ波回路モジュールを提供する
ことを目的とし、 高誘電率の磁器材からなる角柱形又は円柱形のＴＥｏ＋
δモードの誘電体共振器と、低誘電率の磁器部材とを一
体に焼成して成形し、磁器部材に、前記誘電体共振器を
用いたマイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと記す）を構成
させる。
〔産業上の利用分野］
本発明は、誘電体共振器を有するマイクロ波回路モジュ
ールに関する。
ールに関する。
近年の無線通信は、小形化、高性能化により、移動通信
分野をはじめ固定通信分野においても、目覚ましい発展
が成されている。
分野をはじめ固定通信分野においても、目覚ましい発展
が成されている。
例えば、自動車電話、携帯電話或いは宅内用ワイヤレス
電話が急速に普及しつつある。
電話が急速に普及しつつある。
これら移動無線機に使用する共振器は、誘電体材料の進
歩で、誘電率が大きく、使用周波数帯域でｔａｎδが小
さく、且つ温度特性が安定した材料が開発され、誘電体
共振器が用いられ、発振器や各種フィルタ等に著しい小
形化が実現している。
歩で、誘電率が大きく、使用周波数帯域でｔａｎδが小
さく、且つ温度特性が安定した材料が開発され、誘電体
共振器が用いられ、発振器や各種フィルタ等に著しい小
形化が実現している。
誘電体共振器は、誘電率が大きい程小形化が促進される
。
。
第３図に従来の一例のマイクロ波回路モジュールを示す
。
。
従来よりよく使用されているＭＩＣの一例として、Ｔ
Ｅ ｏ ＋δモードの誘電体共振器を用いた発振器モジ
ュールについて説明する。
Ｅ ｏ ＋δモードの誘電体共振器を用いた発振器モジ
ュールについて説明する。
第３図は概略を示したものであり、薄いセラミック基板
３５の上にマイクロストリップライン４１や回路パター
ンを形成し、Ｔ Ｅ ｏ ＋δモードの円柱形の誘電体
共振器２５、トランジスタ４２、チップ部品４３等を実
装して発振器のＭ Ｉ Ｃ４５を構成している。
３５の上にマイクロストリップライン４１や回路パター
ンを形成し、Ｔ Ｅ ｏ ＋δモードの円柱形の誘電体
共振器２５、トランジスタ４２、チップ部品４３等を実
装して発振器のＭ Ｉ Ｃ４５を構成している。
ここで、誘電体共振器２５はセラミック基板３５に接着
材により接着固定させ、セラミック基板３５のマイクロ
ストリップライン４１を外側に沿わせて結合している。
材により接着固定させ、セラミック基板３５のマイクロ
ストリップライン４１を外側に沿わせて結合している。
勿論、セラミック基板３５の裏面にはアースパターン５
５が略全面に形成されている。
５が略全面に形成されている。
又、トランジスタ４２の接地はスルーホール５１にて接
続している。
続している。
しかしながら、
■ 誘電体共振器２５と、結合するマイクロストリップ
ライン４１との位置精度が特性に影響を与えるが、これ
を正確に固着させるのが難しく、ばらつきを生じてしま
う。
ライン４１との位置精度が特性に影響を与えるが、これ
を正確に固着させるのが難しく、ばらつきを生じてしま
う。
■ 誘電体共振器２５の接着強度を充分得るために、接
着材の選定、調合塗布、乾燥の作業管理を確実に行わね
ばならず、組立工数の増大を来す。
着材の選定、調合塗布、乾燥の作業管理を確実に行わね
ばならず、組立工数の増大を来す。
■ セラミック基板３５の上に誘電体共振器２５を搭載
するので、ＭＩＣ４５の薄型化に不向きである。
するので、ＭＩＣ４５の薄型化に不向きである。
等の問題点があった。
本発明は、かかる問題点に鑑みて、小形化が図れ、誘電
体共振器の接着作業を無くし、且つ確実に固着出来るマ
イクロ波回路モジュールを提供することを目的とした。
体共振器の接着作業を無くし、且つ確実に固着出来るマ
イクロ波回路モジュールを提供することを目的とした。
上記問題点は、第１図に示す如く、
高誘電率の磁器材からなる角柱形又は円柱形のＴＥ０１
δモードの誘電体共振器２と、低誘電率の磁器部材３と
を一体に焼成して成形し、磁器部材３に、前記誘電体共
振器２を用いたＭ Ｉ ’Ｃ４を構成させる、本発明の
マイクロ波回路モジュールにより解決される。
δモードの誘電体共振器２と、低誘電率の磁器部材３と
を一体に焼成して成形し、磁器部材３に、前記誘電体共
振器２を用いたＭ Ｉ ’Ｃ４を構成させる、本発明の
マイクロ波回路モジュールにより解決される。
（作 用〕
即ち、小形のＴＥｏ＋δモードの誘電体共振器２と、低
誘電率の磁器部材３とを、夫々焼成前の生状態で、所定
位置に仮接着してから、一体に焼成して成形しであるの
で、誘電体共振器２の接着材による固着作業はなくなり
、位置ずれのばらつきも無く強固に固着される。
誘電率の磁器部材３とを、夫々焼成前の生状態で、所定
位置に仮接着してから、一体に焼成して成形しであるの
で、誘電体共振器２の接着材による固着作業はなくなり
、位置ずれのばらつきも無く強固に固着される。
この磁器部材３に厚膜又は薄膜で、部品４２．４３、配
線パターン、マイクロストリップライン４１、アースパ
ターン５を作成しＭＩＣ４を構成させる。
線パターン、マイクロストリップライン４１、アースパ
ターン５を作成しＭＩＣ４を構成させる。
更に、図示の如く、磁器部材３の上に誘電体共振器２を
搭載するのではなく、切り欠き部に填めるので、磁器部
材３の厚み分が薄型化出来る。
搭載するのではなく、切り欠き部に填めるので、磁器部
材３の厚み分が薄型化出来る。
又、磁器部材３の厚みと同じ位の薄型の誘電体共振器２
を用いれば、更に薄型化も可能となり、取扱上も凹凸が
無くなりより好ましい。
を用いれば、更に薄型化も可能となり、取扱上も凹凸が
無くなりより好ましい。
かくして、小形化が図れ、誘電体共振器の接着作業を無
くし、且つ確実に固着出来るマイクロ波回路モジュール
を提供することが可能となる。
くし、且つ確実に固着出来るマイクロ波回路モジュール
を提供することが可能となる。
以下同面に示す実施例によって本発明を具体的に説明す
る。企図を通し同一符号は同一対象物を示す。第１図に
本発明の一実施例の斜視図、第２図（ａ）に本発明の他
の実施例の斜視図、同図（ｂ）に同構成図を示す。
る。企図を通し同一符号は同一対象物を示す。第１図に
本発明の一実施例の斜視図、第２図（ａ）に本発明の他
の実施例の斜視図、同図（ｂ）に同構成図を示す。
第１図の一実施例は、前述の従来例と同じ１個のＴ Ｅ
ｏ、δモードの誘電体共振器２を用いた発振器モジュー
ルであり、その概略を示す。
ｏ、δモードの誘電体共振器２を用いた発振器モジュー
ルであり、その概略を示す。
誘電体共振器２は、比誘電率的４０のチタン酸バリウム
系の磁器材で角柱形を成す。
系の磁器材で角柱形を成す。
磁器部材３は、比誘電率的１０のアルミナ系磁器材の四
角形板で、−辺の中央部に誘電体共振器２が填まるよう
に切り欠いである。
角形板で、−辺の中央部に誘電体共振器２が填まるよう
に切り欠いである。
この誘電体共振器２と磁器部材３とを、夫々焼成前の生
状態で、所定位置に填め込み、底面が同面となるように
仮接着してから、一体に焼成する。
状態で、所定位置に填め込み、底面が同面となるように
仮接着してから、一体に焼成する。
次にこの磁器部材３の上面に、スクリーン印刷にて厚膜
を形成させ、回路部品、配線パターン、マイクロストリ
ップライン４１等を作成し、マイクロストリップライン
４１を誘電体共振器２の外側δこ沿わせて結合させてい
る。底面にはアースパターン５が略全面に形成されてい
る。
を形成させ、回路部品、配線パターン、マイクロストリ
ップライン４１等を作成し、マイクロストリップライン
４１を誘電体共振器２の外側δこ沿わせて結合させてい
る。底面にはアースパターン５が略全面に形成されてい
る。
その後、トランジスタ４２、チップ部品４３等を実装し
、トランジスタ４２の接地はスルーホール５１にてアー
スパターン５と接続され、入出力、電源供給、その他の
外部配線をパターン上に接続してＭＩＣ４が完成される
。
、トランジスタ４２の接地はスルーホール５１にてアー
スパターン５と接続され、入出力、電源供給、その他の
外部配線をパターン上に接続してＭＩＣ４が完成される
。
これにより、誘電体共振器２は接着材により固着させる
のではなく、一体に焼成成形されるので、固着作業や位
置のばらつきは無くなる。
のではなく、一体に焼成成形されるので、固着作業や位
置のばらつきは無くなる。
又、共振周波数及び比誘電率の選定によっては、誘電体
共振器２の厚さと磁器部材３の板厚とが同じ或いは略同
じとなることもあり、この場合は平坦な磁器板となるの
で、膜成形や部品実装等の取扱が極めて扱い易くなり、
薄型モジュールが得られる。
共振器２の厚さと磁器部材３の板厚とが同じ或いは略同
じとなることもあり、この場合は平坦な磁器板となるの
で、膜成形や部品実装等の取扱が極めて扱い易くなり、
薄型モジュールが得られる。
第２図の他の実施例は、Ｔ Ｅ ｏ ＋δモードの誘電
体共振器２１を磁器部材３１の中に埋め込んで一体焼成
、形成したもので、磁器部材３１の外側全面をメタライ
ズして導体層６を設け、電磁界を本回路モジュール内に
閉じ込めて、外部の影響を抑制したものである。
体共振器２１を磁器部材３１の中に埋め込んで一体焼成
、形成したもので、磁器部材３１の外側全面をメタライ
ズして導体層６を設け、電磁界を本回路モジュール内に
閉じ込めて、外部の影響を抑制したものである。
構成は図（ｂ）に示す如く、角柱形の高誘電率のＴＥｅ
ｌδモードの誘電体共振器２１と、磁器部材３１とから
成り、磁器部材３１は、上下層に分割したセラミックブ
ロック３２．３３とから成る。
ｌδモードの誘電体共振器２１と、磁器部材３１とから
成り、磁器部材３１は、上下層に分割したセラミックブ
ロック３２．３３とから成る。
セラミックブロック３２は上層をなし所定厚の四角形ブ
ロックで、誘電体共振器２１を半分埋設する角穴３４と
、部品実装を行うための開口としての貫通角孔３６とが
設けてあり、下層との合わせ面３７を除き全外面をメタ
ライズして導体層６で覆う。
ロックで、誘電体共振器２１を半分埋設する角穴３４と
、部品実装を行うための開口としての貫通角孔３６とが
設けてあり、下層との合わせ面３７を除き全外面をメタ
ライズして導体層６で覆う。
下層をなすセラミックブロック３３は、セラミックブロ
ック３２より一辺部が所定に出張った同一厚８ の四角形ブロックで、上層との合わせ面３８に、対応し
て誘電体共振器２１を埋設する角穴３４が穿けられ、更
に、厚膜で部品、配線パターン、マイクロストリップラ
イン４１を形成させ、又、合わせ面３８を除いて全外面
をメタライズして導体層６で覆う。
ック３２より一辺部が所定に出張った同一厚８ の四角形ブロックで、上層との合わせ面３８に、対応し
て誘電体共振器２１を埋設する角穴３４が穿けられ、更
に、厚膜で部品、配線パターン、マイクロストリップラ
イン４１を形成させ、又、合わせ面３８を除いて全外面
をメタライズして導体層６で覆う。
このような両セラミックブロック３２．３３ と誘電体
共振器２とを、焼成前の生状態で、角穴３４に埋め込み
、合わせ面３７．３８同士を重ね合わせて仮接着してか
ら、一体に焼成する。
共振器２とを、焼成前の生状態で、角穴３４に埋め込み
、合わせ面３７．３８同士を重ね合わせて仮接着してか
ら、一体に焼成する。
次に、厚膜成形された回路パターン上に貫通角孔３６か
らトランジスタ４２、チップ部品４３等を実装してから
、開口した貫通角孔３６に金属の蓋板７を固着させて塞
ぎ遮蔽する。
らトランジスタ４２、チップ部品４３等を実装してから
、開口した貫通角孔３６に金属の蓋板７を固着させて塞
ぎ遮蔽する。
トランジスタ４２の接地はスルーホール５１にて導体層
６と接続される。
６と接続される。
ここで、合わせ面３８の出張った部分には外部接続用の
接続部が既に内部と通して厚膜で成形しである。
接続部が既に内部と通して厚膜で成形しである。
かくして完成した磁器部材３１は、全外面が導体層６で
遮蔽されており、単体でＭＩＣ４として完成している。
遮蔽されており、単体でＭＩＣ４として完成している。
従って、このＭＩＣ４を、他のＭ２Ｏ３を構成する金属
筐体の任意位置に実装固定させることが出来る。
筐体の任意位置に実装固定させることが出来る。
上記実施例は、誘電体共振器を含む一体焼成の磁器部材
を用い、ＭＩＣを構成させたものであるが、配線パター
ン等を厚膜で形成したが、勿論薄膜成形でもよく、誘電
体共振器２を内蔵した他の実施例での磁器部材３１の構
成は、上下２層分割及びその形状、配線パターン等の形
成は上記のものに限定するものではない。
を用い、ＭＩＣを構成させたものであるが、配線パター
ン等を厚膜で形成したが、勿論薄膜成形でもよく、誘電
体共振器２を内蔵した他の実施例での磁器部材３１の構
成は、上下２層分割及びその形状、配線パターン等の形
成は上記のものに限定するものではない。
以上の如く、本発明により、小形化が図れ、誘電体共振
器の接着作業を無くし、且つ確実に固着出来るマイクロ
波回路モジュールが得られ、その効果は大なるものがあ
る。
器の接着作業を無くし、且つ確実に固着出来るマイクロ
波回路モジュールが得られ、その効果は大なるものがあ
る。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、
第２図は本発明の他の実施例、
０
第３図は従来の一例のマイクロ波回路
モジュールである。
図において、
２．２Ｌ２５は誘電体共振器、
３．３１は磁器部材、
４．４５はＭＩＣ（マイクロ波集積回路）５．５５はア
ースパターン、 ６は導体層、 ７は蓋板、 ３２、３３はセラミックブロック、 ３４は角穴、 ３５はセラミック基板、 ３６は貫通角孔、 ３７、３８は合わせ面、 ４１はマイクロス１−リップライン、 ４２はトランジスタ、 ４３はチップ部品、 ５１はスルーホールである。 工
ースパターン、 ６は導体層、 ７は蓋板、 ３２、３３はセラミックブロック、 ３４は角穴、 ３５はセラミック基板、 ３６は貫通角孔、 ３７、３８は合わせ面、 ４１はマイクロス１−リップライン、 ４２はトランジスタ、 ４３はチップ部品、 ５１はスルーホールである。 工
Claims (1)
- 高誘電率の磁器材からなる角柱形又は円柱形のＴＥ＿
０＿１δモードの誘電体共振器（２）と、低誘電率の磁
器部材（３）とを一体に焼成して成形し、該磁器部材（
３）に、前記誘電体共振器（２）を用いたマイクロ波集
積回路（４）を構成させることを特徴とするマイクロ波
回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26427489A JPH03125501A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | マイクロ波回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26427489A JPH03125501A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | マイクロ波回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03125501A true JPH03125501A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17400892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26427489A Pending JPH03125501A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | マイクロ波回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03125501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7307581B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-12-11 | Hitachi, Ltd. | Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP26427489A patent/JPH03125501A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7307581B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-12-11 | Hitachi, Ltd. | Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method |
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