JP2003202818A - 有機ｅｌディスプレイ装置 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイ装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高信頼性の有機ＥＬディスプレイ装置を提供す
ること。 【解決手段】基板１０１上に設けられた薄膜トランジス
タと、前記薄膜トランジスタ及び前記基板上に設けられ
た第１の層間絶縁膜１１０と、前記第１の層間絶縁膜を
エッチングして設けられた開口部と、前記薄膜トランジ
スタのドレイン領域１０７と電気的に接続し且つ前記開
口部に設けられた透明電極１１３と、前記透明電極上に
設けられた有機ＥＬ層１１４と、前記有機ＥＬ層上に設
けられた共通電極１１５とを有することを特徴とする。
ること。 【解決手段】基板１０１上に設けられた薄膜トランジス
タと、前記薄膜トランジスタ及び前記基板上に設けられ
た第１の層間絶縁膜１１０と、前記第１の層間絶縁膜を
エッチングして設けられた開口部と、前記薄膜トランジ
スタのドレイン領域１０７と電気的に接続し且つ前記開
口部に設けられた透明電極１１３と、前記透明電極上に
設けられた有機ＥＬ層１１４と、前記有機ＥＬ層上に設
けられた共通電極１１５とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネセンス（ＥＬ）ディスプレイ装置に係る。
ネセンス（ＥＬ）ディスプレイ装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】近年において、有機ＥＬ素子を用いたデ
ィスプレイ装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多数
使用した有機ＥＬディスプレイをアクティブマトリック
ス回路により駆動する場合、各有機ＥＬのピクセル（画
素）には、このピクセルに対して供給する電流を制御す
るための薄膜トランジスタが一組ずつ接続される。
ィスプレイ装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多数
使用した有機ＥＬディスプレイをアクティブマトリック
ス回路により駆動する場合、各有機ＥＬのピクセル（画
素）には、このピクセルに対して供給する電流を制御す
るための薄膜トランジスタが一組ずつ接続される。
【０００３】従来のアクティブマトリックス型の有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置の回路図の一例を図６に示す（特開
平８−２３４６８３号公報）。この有機ＥＬディスプレ
イ装置は、Ｘ方向信号線３０１−１、３０１−２・・
・、Ｙ方向信号線３０２−１、３０２−２・・・、電源
（Ｖｄｄ）線３０３−１、３０３−２・・・、スイッチ
用薄膜トランジスタ３０４−１、３０４−２・・・、電
流制御用薄膜トランジスタ３０５−１、３０５−２・・
・、有機ＥＬ素子３０６−１、３０６−２・・・、コン
デンサ３０７−１、３０７−２・・・、Ｘ方向周辺駆動
回路３０８、Ｙ方向周辺駆動回路３０９等により構成さ
れる。
Ｌディスプレイ装置の回路図の一例を図６に示す（特開
平８−２３４６８３号公報）。この有機ＥＬディスプレ
イ装置は、Ｘ方向信号線３０１−１、３０１−２・・
・、Ｙ方向信号線３０２−１、３０２−２・・・、電源
（Ｖｄｄ）線３０３−１、３０３−２・・・、スイッチ
用薄膜トランジスタ３０４−１、３０４−２・・・、電
流制御用薄膜トランジスタ３０５−１、３０５−２・・
・、有機ＥＬ素子３０６−１、３０６−２・・・、コン
デンサ３０７−１、３０７−２・・・、Ｘ方向周辺駆動
回路３０８、Ｙ方向周辺駆動回路３０９等により構成さ
れる。
【０００４】Ｘ方向信号線３０１、Ｙ方向信号線３０２
により画素が特定され、その画素においてスイッチ用薄
膜トランジスタ３０４がオンにされる。これにより電流
制御用薄膜トランジスタ３０５がオンにされ、電源線３
０３より供給される電流により有機ＥＬ素子３０６に電
流が流れ、これが発光される。
により画素が特定され、その画素においてスイッチ用薄
膜トランジスタ３０４がオンにされる。これにより電流
制御用薄膜トランジスタ３０５がオンにされ、電源線３
０３より供給される電流により有機ＥＬ素子３０６に電
流が流れ、これが発光される。
【０００５】例えばＸ方向信号線３０１−１に画像デー
タに応じた信号が出力され、Ｙ方向信号線３０２−１に
Ｙ方向走査信号が出力されると、これにより特定された
画素のスイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１がオンに
なり、画像データに応じた信号により電流制御用薄膜ト
ランジスタ３０５−１が導通されて有機ＥＬ素子３０６
−１にこの画像データに応じた電流が流れ、発光され
る。
タに応じた信号が出力され、Ｙ方向信号線３０２−１に
Ｙ方向走査信号が出力されると、これにより特定された
画素のスイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１がオンに
なり、画像データに応じた信号により電流制御用薄膜ト
ランジスタ３０５−１が導通されて有機ＥＬ素子３０６
−１にこの画像データに応じた電流が流れ、発光され
る。
【０００６】図６から明らかなように、アクティブマト
リックス回路を構成する場合、Ｘ方向周辺駆動回路３０
８からの配線及びＹ方向周辺駆動回路３０９からの配
線、電源（Ｖｄｄ）からの配線が必ず交差するため、こ
れらの配線が短絡しないように配線は層間絶縁膜を介し
た２層以上の積層構造とする必要がある。
リックス回路を構成する場合、Ｘ方向周辺駆動回路３０
８からの配線及びＹ方向周辺駆動回路３０９からの配
線、電源（Ｖｄｄ）からの配線が必ず交差するため、こ
れらの配線が短絡しないように配線は層間絶縁膜を介し
た２層以上の積層構造とする必要がある。
【０００７】この際、下層の配線の下面は、薄膜トラン
ジスタのシリコン活性層あるいはゲート電極シリコン層
と接続される。また下層配線の上面は上層の電極配線あ
るいはＥＬ画素の透明電極と接続される。
ジスタのシリコン活性層あるいはゲート電極シリコン層
と接続される。また下層配線の上面は上層の電極配線あ
るいはＥＬ画素の透明電極と接続される。
【０００８】従って下層配線の材料には配線として低抵
抗であること以外に、シリコンのアルミニウム配線中へ
の拡散を防ぐためのバリアメタルとしての機能、層間絶
縁膜のコンタクトホール開口エッチング時におけるダメ
ージ即ちウエットエッチング時においてはフッ化アンモ
ニウムにエッチングされない対薬品性、ドライエッチン
グ時においては層間絶縁膜との十分な選択比（エッチン
グ速度の比）が必要であること等の条件に耐えるととも
に、かつその後の上層配線と電気的に接続が可能な安定
性が求められる。
抗であること以外に、シリコンのアルミニウム配線中へ
の拡散を防ぐためのバリアメタルとしての機能、層間絶
縁膜のコンタクトホール開口エッチング時におけるダメ
ージ即ちウエットエッチング時においてはフッ化アンモ
ニウムにエッチングされない対薬品性、ドライエッチン
グ時においては層間絶縁膜との十分な選択比（エッチン
グ速度の比）が必要であること等の条件に耐えるととも
に、かつその後の上層配線と電気的に接続が可能な安定
性が求められる。
【０００９】また層間膜成膜時に係る熱ストレスに対し
てもヒロックの発生、つまり材料が結晶化して突出部分
が形成されないことが要求される。そして他の材料と反
応を起こし易いＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）等の
透明電極とも安定に電気的接続ができる必要もある。
てもヒロックの発生、つまり材料が結晶化して突出部分
が形成されないことが要求される。そして他の材料と反
応を起こし易いＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）等の
透明電極とも安定に電気的接続ができる必要もある。
【００１０】従来の有機ＥＬディスプレイ用の薄膜トラ
ンジスタ回路では、これらの機能を有する材料として、
５０ａｔｍ％以下の窒素を含有させた窒化チタンを使用
していた。
ンジスタ回路では、これらの機能を有する材料として、
５０ａｔｍ％以下の窒素を含有させた窒化チタンを使用
していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このような有機ＥＬデ
ィスプレイにおいて、下層配線の材料に窒化チタンを使
用した場合、抵抗が少し大きく、比抵抗で９０μΩ・ｃ
ｍ、シート抵抗で５Ω／口以上であり、下層配線として
使用した場合、抵抗値を下げるため、膜厚を例えば２５
００Å以上に厚くする必要がある。
ィスプレイにおいて、下層配線の材料に窒化チタンを使
用した場合、抵抗が少し大きく、比抵抗で９０μΩ・ｃ
ｍ、シート抵抗で５Ω／口以上であり、下層配線として
使用した場合、抵抗値を下げるため、膜厚を例えば２５
００Å以上に厚くする必要がある。
【００１２】一方窒化チタンは、加工が非常に難しく、
ドライエッチングで膜厚の厚い窒化チタンを加工した場
合、処理時間が長くなって窒化チタン以外の部分に対す
るダメージが大きい上に、段差側壁に窒化チタン膜が残
ってショートが発生し易くなって電気不良を多発した。
ドライエッチングで膜厚の厚い窒化チタンを加工した場
合、処理時間が長くなって窒化チタン以外の部分に対す
るダメージが大きい上に、段差側壁に窒化チタン膜が残
ってショートが発生し易くなって電気不良を多発した。
【００１３】またウエットエッチングで加工した場合に
はエッチングダメージや段差側壁部の膜残りの問題はな
くなるが、現在使用されている仕様以上の微細化・高解
像度化は不可能であった。
はエッチングダメージや段差側壁部の膜残りの問題はな
くなるが、現在使用されている仕様以上の微細化・高解
像度化は不可能であった。
【００１４】このように、窒化チタンでは、現在使用さ
れている仕様以上の有機ＥＬディスプレイの微細化、高
解像度化をはかることは不可能であった。
れている仕様以上の有機ＥＬディスプレイの微細化、高
解像度化をはかることは不可能であった。
【００１５】従って、本発明の目的は、有機ＥＬディス
プレイの一層の微細化、高解像度化をはかることが可能
であるのみならず、高信頼性を可能にした配線材料を用
いたものを提供することである。
プレイの一層の微細化、高解像度化をはかることが可能
であるのみならず、高信頼性を可能にした配線材料を用
いたものを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このような本発明の目的
は、下記の如き構成により達成することができる。
は、下記の如き構成により達成することができる。
【００１７】（１）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよ
りなるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装
置。
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよ
りなるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装
置。
【００１８】（２）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよ
りなる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよ
りなる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
【００１９】（３）有機ＥＬ素子と、これに接続された
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したタングステンよりなる配線により接続することを特
徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したタングステンよりなる配線により接続することを特
徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
【００２０】（４）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したタングステンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタンを積層したタングステンにより構成し、この下
層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とする
半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したタングステンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタンを積層したタングステンにより構成し、この下
層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とする
半導体装置。
【００２１】（５）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装
置。
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装
置。
【００２２】（６）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
【００２３】（７）有機ＥＬ素子と、これに接続された
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したモリブデンよりなる配線により接続することを特徴
とする有機ＥＬディスプレイ装置。
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したモリブデンよりなる配線により接続することを特徴
とする有機ＥＬディスプレイ装置。
【００２４】（８）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したモリブデンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタン薄膜を積層したモリブデンにより構成し、この
下層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とす
る半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したモリブデンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタン薄膜を積層したモリブデンにより構成し、この
下層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とす
る半導体装置。
【００２５】このように薄膜トランジスタの活性層と上
層アルミニウム配線との間に窒化チタンとタングステン
を積層した膜、あるいは窒化チタンとモリブデンを積層
した膜を設けたので、耐熱、耐薬品性の安定した特性
の、しかも窒化チタン単層に比較して比抵抗を大幅に減
少したものとすることができるので配線を微細化するこ
とができる。
層アルミニウム配線との間に窒化チタンとタングステン
を積層した膜、あるいは窒化チタンとモリブデンを積層
した膜を設けたので、耐熱、耐薬品性の安定した特性
の、しかも窒化チタン単層に比較して比抵抗を大幅に減
少したものとすることができるので配線を微細化するこ
とができる。
【００２６】また有機ＥＬ素子の透明電極との接続に窒
化チタンとタングステンを積層した膜、あるいは窒化チ
タンとモリブデンを積層した膜を設けたので、エッチン
グ時に電食を起こし易く、酸化作用により接触不良を起
こし易い透明電極との接続を安定して行うことができ
る。
化チタンとタングステンを積層した膜、あるいは窒化チ
タンとモリブデンを積層した膜を設けたので、エッチン
グ時に電食を起こし易く、酸化作用により接触不良を起
こし易い透明電極との接続を安定して行うことができ
る。
【００２７】さらに配線交差部の下層に、窒化チタンと
タングステンを積層した膜、あるいは窒化チタンとモリ
ブデンを積層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜
形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流して
も、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマイグ
レーションを発生せず、上部のアルミニウム配線との短
絡や断線の生じることがない。
タングステンを積層した膜、あるいは窒化チタンとモリ
ブデンを積層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜
形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流して
も、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマイグ
レーションを発生せず、上部のアルミニウム配線との短
絡や断線の生じることがない。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
に基づき説明する。第１の実施の形態では、薄膜トラン
ジスタのバリアメタル部分、配線部分あるいは有機ＥＬ
部分の透明電極との配線部分にタングステンと窒化チタ
ンを積層した材料を使用した例を示し、図６における電
流制御用薄膜トランジスタ３０５と、有機ＥＬ素子３０
６に対する部分を示す。
に基づき説明する。第１の実施の形態では、薄膜トラン
ジスタのバリアメタル部分、配線部分あるいは有機ＥＬ
部分の透明電極との配線部分にタングステンと窒化チタ
ンを積層した材料を使用した例を示し、図６における電
流制御用薄膜トランジスタ３０５と、有機ＥＬ素子３０
６に対する部分を示す。
【００２９】図１（Ａ）に示す如く、まず基板１０１上
に通常の固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成
し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工してシリコン
活性層１０２を得る。この基板１０１としては、例えば
石英基板を使用することができる。
に通常の固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成
し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工してシリコン
活性層１０２を得る。この基板１０１としては、例えば
石英基板を使用することができる。
【００３０】次に、このシリコン活性層１０２の上にＳ
ｉＯ2 よりなるゲート酸化膜１０３、Ｐをドープしたポ
リシリコンよりなるゲート電極１０４を形成する。その
後シリコン活性層１０２に不純物を選択的にドープして
ソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及びドレイ
ン領域１０７が形成される。
ｉＯ2 よりなるゲート酸化膜１０３、Ｐをドープしたポ
リシリコンよりなるゲート電極１０４を形成する。その
後シリコン活性層１０２に不純物を選択的にドープして
ソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及びドレイ
ン領域１０７が形成される。
【００３１】それから図１（Ｂ）に示す如く、ゲート絶
縁膜１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてタングス
テンを１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基
板全面にスパッタリングにより成膜形成し、それに連続
して窒化チタンをスパッタリングにより成膜する。この
場合、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａ
ｔｍ％含有する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例
えば３００Åの厚さで、基板全面に成膜した。
縁膜１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてタングス
テンを１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基
板全面にスパッタリングにより成膜形成し、それに連続
して窒化チタンをスパッタリングにより成膜する。この
場合、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａ
ｔｍ％含有する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例
えば３００Åの厚さで、基板全面に成膜した。
【００３２】その後、このタングステンと窒化チタンの
積層膜を例えばドライエッチング処理して、ソース領域
１０５とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板
１０１上で、バリアメタル１０８あるいは下層配線１０
９として、所望の形状にエッチングした。そしてこの上
に層間絶縁膜１１０として、例えばＰＳＧ（リンシリケ
ートガラス）膜を例えば４０００Åの厚さで全面に成膜
した。
積層膜を例えばドライエッチング処理して、ソース領域
１０５とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板
１０１上で、バリアメタル１０８あるいは下層配線１０
９として、所望の形状にエッチングした。そしてこの上
に層間絶縁膜１１０として、例えばＰＳＧ（リンシリケ
ートガラス）膜を例えば４０００Åの厚さで全面に成膜
した。
【００３３】そしてこの層間絶縁膜１１０をエッチング
処理して、先の下層配線１０９上の部分、バリアメタル
１０８上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上層配
線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングにより
成膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理
して、必要な上層配線１１１が形成される。
処理して、先の下層配線１０９上の部分、バリアメタル
１０８上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上層配
線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングにより
成膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理
して、必要な上層配線１１１が形成される。
【００３４】それから図１（Ｃ）に示す如く、第２の層
間絶縁膜１１２として、例えばＮＳＧ（ノンシリケート
ガラス）を厚さ３０００Åの厚さで全面にＣＶＤ（ケミ
カルベーパーディポシット）により成膜する。そして必
要に応じて先の下層配線上、上層配線アルミニウム上及
びＥＬ画素形成領域の、この第２の層間絶縁膜１１２を
エッチング処理により除去し、電気配線を可能にする。
間絶縁膜１１２として、例えばＮＳＧ（ノンシリケート
ガラス）を厚さ３０００Åの厚さで全面にＣＶＤ（ケミ
カルベーパーディポシット）により成膜する。そして必
要に応じて先の下層配線上、上層配線アルミニウム上及
びＥＬ画素形成領域の、この第２の層間絶縁膜１１２を
エッチング処理により除去し、電気配線を可能にする。
【００３５】その後に、図１（Ｄ）に示す如く、透明電
極１１３用の電極材料、例えばＩＴＯを全面に成膜し、
ＥＬ画素領域に、該電流制御用薄膜トランジスタのドレ
イン電極からの下層配線１０９と接続されるようにウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
極１１３用の電極材料、例えばＩＴＯを全面に成膜し、
ＥＬ画素領域に、該電流制御用薄膜トランジスタのドレ
イン電極からの下層配線１０９と接続されるようにウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
【００３６】その後必要に応じ、信頼性向上のための例
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。
【００３７】このようにして、バリアメタル、下層配線
等を、窒化チタンに比較して、抵抗値の小さなタングス
テンを含む材料で積層構成して、しかも有機ＥＬ素子と
共用してもバリアメタルとしてクロムを使用した場合の
ようなバリアメタルの溶出が生じないような材料で構成
することができるので、有機ＥＬ装置の微細化、高解像
度化をはかることができる。
等を、窒化チタンに比較して、抵抗値の小さなタングス
テンを含む材料で積層構成して、しかも有機ＥＬ素子と
共用してもバリアメタルとしてクロムを使用した場合の
ようなバリアメタルの溶出が生じないような材料で構成
することができるので、有機ＥＬ装置の微細化、高解像
度化をはかることができる。
【００３８】本発明の第２の実施の形態を図２にもとづ
き説明する。第２の実施の形態ではソース領域１０５、
ゲート領域１０６、ドレイン領域１０７、ゲート酸化膜
１０３、ゲート電極１０４により構成される薄膜トラン
ジスタのソース電極、ドレイン電極に、前記第１の実施
の形態と同様にタングステンと窒化チタンの積層膜によ
りバリアメタル１０８あるいは下層配線１０９−１を形
成する。そして上層アルミニウム配線となるアルミニウ
ム配線１１１−０、１１１−１、１１１−２を形成し、
ＮＳＧで構成される第２層間絶縁膜１１２をその上に形
成する。なお１１０はＰＳＧで構成される第１層間絶縁
膜である。
き説明する。第２の実施の形態ではソース領域１０５、
ゲート領域１０６、ドレイン領域１０７、ゲート酸化膜
１０３、ゲート電極１０４により構成される薄膜トラン
ジスタのソース電極、ドレイン電極に、前記第１の実施
の形態と同様にタングステンと窒化チタンの積層膜によ
りバリアメタル１０８あるいは下層配線１０９−１を形
成する。そして上層アルミニウム配線となるアルミニウ
ム配線１１１−０、１１１−１、１１１−２を形成し、
ＮＳＧで構成される第２層間絶縁膜１１２をその上に形
成する。なお１１０はＰＳＧで構成される第１層間絶縁
膜である。
【００３９】このようにして抵抗値の小さいタングステ
ンと窒化チタンの積層膜により下層配線を、バリアメタ
ルと同時に形成することができるので下層配線をアルミ
ニウムで作る必要がなく、特別に下層配線をアルミニウ
ムで構成する場合に比較して製造コストを抑制すること
ができる。
ンと窒化チタンの積層膜により下層配線を、バリアメタ
ルと同時に形成することができるので下層配線をアルミ
ニウムで作る必要がなく、特別に下層配線をアルミニウ
ムで構成する場合に比較して製造コストを抑制すること
ができる。
【００４０】本発明の第３の実施の形態を図３にもとづ
き説明する。第３の実施の形態ではソース領域１２１、
ゲート領域１２２、ドレイン領域１２３、ゲート酸化膜
１２４、ゲート電極１２５を具備する第１薄膜トランジ
スタのドレイン出力信号を、ソース領域又はドレイン領
域１３１、ゲート酸化膜１３２、ゲート電極１３３を具
備する第２薄膜トランジスタのゲート電極に伝達すると
き、前記第１の実施の形態と同様にタングステンと窒化
チタンの積層膜により形成された下層配線１０９−１に
よりこの伝達用の配線を構成したものである。
き説明する。第３の実施の形態ではソース領域１２１、
ゲート領域１２２、ドレイン領域１２３、ゲート酸化膜
１２４、ゲート電極１２５を具備する第１薄膜トランジ
スタのドレイン出力信号を、ソース領域又はドレイン領
域１３１、ゲート酸化膜１３２、ゲート電極１３３を具
備する第２薄膜トランジスタのゲート電極に伝達すると
き、前記第１の実施の形態と同様にタングステンと窒化
チタンの積層膜により形成された下層配線１０９−１に
よりこの伝達用の配線を構成したものである。
【００４１】図３は、図６に示すスイッチ用薄膜トラン
ジスタ３０４と電流制御用薄膜トランジスタ３０５の接
続状態を示すものである。
ジスタ３０４と電流制御用薄膜トランジスタ３０５の接
続状態を示すものである。
【００４２】このように薄膜トランジスタ間の配線回路
を、抵抗値の小さいタングステンと窒化チタンの積層膜
により、バリアメタルと同時に形成することができるの
で、このような薄膜トランジスタ間の配線回路をアルミ
ニウム配線により構成する場合に比較して製造コストを
低下することができる。
を、抵抗値の小さいタングステンと窒化チタンの積層膜
により、バリアメタルと同時に形成することができるの
で、このような薄膜トランジスタ間の配線回路をアルミ
ニウム配線により構成する場合に比較して製造コストを
低下することができる。
【００４３】本発明の第４の実施の形態を図４にもとづ
き説明する。第４の実施の形態では、前記の如きそのバ
リアメタルをタングステンと窒化チタンの積層膜により
形成された薄膜トランジスタ（図示省略）を有する半導
体装置において、下層配線１４１を、このタングステン
と窒化チタンの積層膜により構成するものである。図４
において、１０１は基板、１１０はＰＳＧにより構成さ
れる第１層間絶縁膜、１１２はＮＳＧで構成される第２
層間絶縁膜、１４２、１４３、１４４はそれぞれ上層ア
ルミニウム配線である。
き説明する。第４の実施の形態では、前記の如きそのバ
リアメタルをタングステンと窒化チタンの積層膜により
形成された薄膜トランジスタ（図示省略）を有する半導
体装置において、下層配線１４１を、このタングステン
と窒化チタンの積層膜により構成するものである。図４
において、１０１は基板、１１０はＰＳＧにより構成さ
れる第１層間絶縁膜、１１２はＮＳＧで構成される第２
層間絶縁膜、１４２、１４３、１４４はそれぞれ上層ア
ルミニウム配線である。
【００４４】このように上層配線部分と交差する下層配
線を、バリアメタルと同時にタングステンと窒化チタン
の積層膜により構成することができるので、この交差す
る下層部分を特別にアルミニウムで構成する場合に比較
して製造コストを安くすることができる。
線を、バリアメタルと同時にタングステンと窒化チタン
の積層膜により構成することができるので、この交差す
る下層部分を特別にアルミニウムで構成する場合に比較
して製造コストを安くすることができる。
【００４５】本発明の第５の実施の形態を図５にもとづ
き説明する。第５の実施の形態では、前記第１の実施の
形態におけるタングステンと窒化チタンの積層膜の代わ
りに、モリブデンと窒化チタンの積層膜を使用したもの
であり、この構成を除き同一のため簡単に説明する。
き説明する。第５の実施の形態では、前記第１の実施の
形態におけるタングステンと窒化チタンの積層膜の代わ
りに、モリブデンと窒化チタンの積層膜を使用したもの
であり、この構成を除き同一のため簡単に説明する。
【００４６】図５（Ａ）に示す如く、基板１０１上に多
結晶シリコン薄膜を形成し、島状に加工してシリコン活
性層１０２を得る。この上にゲート酸化膜１０３、ゲー
ト電極１０４を形成し、シリコン活性層１０２に不純物
を選択的にドープしてソース領域１０５、チャネル形成
領域１０６及びドレイン領域１０７を形成する。
結晶シリコン薄膜を形成し、島状に加工してシリコン活
性層１０２を得る。この上にゲート酸化膜１０３、ゲー
ト電極１０４を形成し、シリコン活性層１０２に不純物
を選択的にドープしてソース領域１０５、チャネル形成
領域１０６及びドレイン領域１０７を形成する。
【００４７】次に図５（Ｂ）に示す如く、ゲート酸化膜
１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレイン
領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてモリブデンを
１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基板全面
にスパッタリングにより成膜し、それに連続して窒化チ
タンをスパッタリングにより成膜する。この場合、窒素
を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａｔｍ％含有
する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例えば３００
Åの厚さで、基板全面に成膜した。
１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレイン
領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてモリブデンを
１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基板全面
にスパッタリングにより成膜し、それに連続して窒化チ
タンをスパッタリングにより成膜する。この場合、窒素
を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａｔｍ％含有
する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例えば３００
Åの厚さで、基板全面に成膜した。
【００４８】その後、モリブデンと窒化チタンの積層膜
を例えばドライエッチング処理して、ソース領域１０５
とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板１０１
上で、バリアメタル１０８′あるいは下層配線１０９′
として所望の形状にエッチングし、この上に層間絶縁膜
１１０としてＰＳＧ膜を例えば４０００Åの厚さで全面
に成膜した。
を例えばドライエッチング処理して、ソース領域１０５
とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板１０１
上で、バリアメタル１０８′あるいは下層配線１０９′
として所望の形状にエッチングし、この上に層間絶縁膜
１１０としてＰＳＧ膜を例えば４０００Åの厚さで全面
に成膜した。
【００４９】そしてこの層間絶縁膜１１０をエッチング
処理し、先の下層配線１０９′上の部分、バリアメタル
１０８′上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上部
配線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングで成
膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理し
て、必要な上層配線１１１を形成する。
処理し、先の下層配線１０９′上の部分、バリアメタル
１０８′上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上部
配線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングで成
膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理し
て、必要な上層配線１１１を形成する。
【００５０】それから、図５（Ｃ）に示す如く、第２の
層間絶縁膜１１２として、ＮＳＧを厚さ３０００Åで全
面にＣＶＤにより成膜し、必要に応じて先の下層配線
上、上層配線アルミニウム上及びＥＬ画素形成領域の、
この第２の層間絶縁膜１１２をエッチング処理により除
去し、電気配線を可能にする。
層間絶縁膜１１２として、ＮＳＧを厚さ３０００Åで全
面にＣＶＤにより成膜し、必要に応じて先の下層配線
上、上層配線アルミニウム上及びＥＬ画素形成領域の、
この第２の層間絶縁膜１１２をエッチング処理により除
去し、電気配線を可能にする。
【００５１】その後に図５（Ｄ）に示す如く、透明電極
１１３用のＩＴＯを全面に成膜し、ＥＬ画素領域にウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
１１３用のＩＴＯを全面に成膜し、ＥＬ画素領域にウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
【００５２】その後必要に応じ、信頼性向上のための例
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。
【００５３】このようにして、バリアメタル、下層配線
等を、窒化チタンに比較して抵抗値の小さなモリブデン
を含む材料で構成して、しかも有機ＥＬ素子と共用して
もバリアメタルとしてクロムを使用した場合のようなバ
リアメタルの溶出が生じないような材料で構成すること
ができるので、有機ＥＬ装置の微細化、高解像度化をは
かることができる。
等を、窒化チタンに比較して抵抗値の小さなモリブデン
を含む材料で構成して、しかも有機ＥＬ素子と共用して
もバリアメタルとしてクロムを使用した場合のようなバ
リアメタルの溶出が生じないような材料で構成すること
ができるので、有機ＥＬ装置の微細化、高解像度化をは
かることができる。
【００５４】本発明の第６の実施の形態を図２にもとづ
き説明する。第６の実施の形態では、前記第２の実施の
形態におけるバリアメタル１０８、下層配線１０９−１
をタングステンと窒化チタンの積層膜により構成する代
わりに、モリブデンと窒化チタンの積層膜によりバリア
メタル１０８′、下層配線１０９−１′を構成したもの
である。これにより前記第２の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
き説明する。第６の実施の形態では、前記第２の実施の
形態におけるバリアメタル１０８、下層配線１０９−１
をタングステンと窒化チタンの積層膜により構成する代
わりに、モリブデンと窒化チタンの積層膜によりバリア
メタル１０８′、下層配線１０９−１′を構成したもの
である。これにより前記第２の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
【００５５】本発明の第７の実施の形態を図３にもとづ
き説明する。第７の実施の形態では、前記第３の実施の
形態における下層配線１０９−１をタングステンと窒化
チタンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと
窒化チタンの積層膜により下層配線１０９−１′を構成
したものである。これにより前記第３の実施の形態と同
様の作用効果が得れる。
き説明する。第７の実施の形態では、前記第３の実施の
形態における下層配線１０９−１をタングステンと窒化
チタンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと
窒化チタンの積層膜により下層配線１０９−１′を構成
したものである。これにより前記第３の実施の形態と同
様の作用効果が得れる。
【００５６】本発明の第８の実施の形態を図４にもとづ
き説明する。第８の実施の形態では、前記第４の実施の
形態における下層配線１４１をタングステンと窒化チタ
ンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと窒化
チタンの積層膜により下層配線１４１′を構成したもの
である。これにより前記第４の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
き説明する。第８の実施の形態では、前記第４の実施の
形態における下層配線１４１をタングステンと窒化チタ
ンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと窒化
チタンの積層膜により下層配線１４１′を構成したもの
である。これにより前記第４の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
【００５７】本発明においては、窒化チタンの比抵抗が
９０μΩ・ｃｍであるのに対し、タングステン、モリブ
デンの比抵抗が１０〜３０μΩ・ｃｍ（モリブデンの方
がやや低い）と窒化チタンより抵抗値がはるかに小さな
ものを使用してバリアメタルや配線部分を構成したの
で、その電気抵抗を大幅に小さくすることができ、有機
ＥＬ装置の微細化、高解像度をはかることができる。
９０μΩ・ｃｍであるのに対し、タングステン、モリブ
デンの比抵抗が１０〜３０μΩ・ｃｍ（モリブデンの方
がやや低い）と窒化チタンより抵抗値がはるかに小さな
ものを使用してバリアメタルや配線部分を構成したの
で、その電気抵抗を大幅に小さくすることができ、有機
ＥＬ装置の微細化、高解像度をはかることができる。
【００５８】また上に窒化チタンを形成したので、下の
タングステンやモリブデンの表面が酸化して接続不良の
生ずることを抑制し、信頼性の高いものを提供すること
ができる。
タングステンやモリブデンの表面が酸化して接続不良の
生ずることを抑制し、信頼性の高いものを提供すること
ができる。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば下記の効果を奏する。
【００６０】（１）薄膜トランジスタの活性層と、これ
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
タングステンを積層したバリアメタルを設けたので、熱
や薬品処理によっても腐食・変質せず、安定な電気的接
続が得られ、かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも
安定な接続が得られるのみならず、従来の窒化チタン単
層と比べ、比抵抗が大幅に減少しかつ加工性も向上した
ものを提供することができる。
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
タングステンを積層したバリアメタルを設けたので、熱
や薬品処理によっても腐食・変質せず、安定な電気的接
続が得られ、かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも
安定な接続が得られるのみならず、従来の窒化チタン単
層と比べ、比抵抗が大幅に減少しかつ加工性も向上した
ものを提供することができる。
【００６１】（２）薄膜トランジスタの活性層と、これ
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
タングステンを積層した膜を設けたので、熱や薬品処理
によっても腐食・変質せず、安定な電気的接続が得ら
れ、かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも安定な接
続が得られるため、下層配線と共にバリアメタルとして
の機能も有する。
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
タングステンを積層した膜を設けたので、熱や薬品処理
によっても腐食・変質せず、安定な電気的接続が得ら
れ、かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも安定な接
続が得られるため、下層配線と共にバリアメタルとして
の機能も有する。
【００６２】また従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
【００６３】（３）有機ＥＬ素子の透明電極との接続に
窒化チタンとタングステンを積層した膜を設けたので、
エッチング時に電食を起こしやすく、また酸化作用によ
り接触不良を起こしやすい透明電極との接続を安定して
行うことができるようになった。また、クロムを使用し
た場合のような、ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も
発生しない。
窒化チタンとタングステンを積層した膜を設けたので、
エッチング時に電食を起こしやすく、また酸化作用によ
り接触不良を起こしやすい透明電極との接続を安定して
行うことができるようになった。また、クロムを使用し
た場合のような、ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も
発生しない。
【００６４】（４）配線交差部の下層に、窒化チタンと
タングステンを積層した膜を設けたので、その後の層間
絶縁膜形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流
しても、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマ
イグレーションを発生せず、交差部の上層アルミニウム
配線との短絡や、断線を発生する恐れのない高信頼性の
有機ＥＬディスプレイ装置を提供できる。
タングステンを積層した膜を設けたので、その後の層間
絶縁膜形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流
しても、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマ
イグレーションを発生せず、交差部の上層アルミニウム
配線との短絡や、断線を発生する恐れのない高信頼性の
有機ＥＬディスプレイ装置を提供できる。
【００６５】（５）薄膜トランジスタの活性層と、これ
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
モリブデンを積層したバリアメタルを設けたので、熱や
薬品処理によっても腐食・変質せず、安定な電気的接続
が得られ、かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも安
定な接続が得られるのみならず、従来の窒化チタン単層
と比べ、比抵抗が大幅に減少しかつ加工性も向上したも
のを提供することができる。
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
モリブデンを積層したバリアメタルを設けたので、熱や
薬品処理によっても腐食・変質せず、安定な電気的接続
が得られ、かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも安
定な接続が得られるのみならず、従来の窒化チタン単層
と比べ、比抵抗が大幅に減少しかつ加工性も向上したも
のを提供することができる。
【００６６】（６）薄膜トランジスタの活性層と、これ
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
モリブデンを積層した膜を設けたので、熱や薬品処理に
よっても腐食・変質せず、安定な電気的接続が得られ、
かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも安定な接続が
得られるため、下層配線と共にバリアメタルとしての機
能も有する。
に接続する上層アルミニウム配線の間に、窒化チタンと
モリブデンを積層した膜を設けたので、熱や薬品処理に
よっても腐食・変質せず、安定な電気的接続が得られ、
かつ活性層シリコンやゲートシリコンとも安定な接続が
得られるため、下層配線と共にバリアメタルとしての機
能も有する。
【００６７】また従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
【００６８】（７）有機ＥＬ素子の透明電極との接続に
窒化チタンとモリブデンを積層した膜を設けたので、エ
ッチング時に電食を起こしやすく、また酸化作用により
接触不良を起こしやすい透明電極との接続を安定して行
うことができるようになった。また、クロムを使用した
場合のような、ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も発
生しない。
窒化チタンとモリブデンを積層した膜を設けたので、エ
ッチング時に電食を起こしやすく、また酸化作用により
接触不良を起こしやすい透明電極との接続を安定して行
うことができるようになった。また、クロムを使用した
場合のような、ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も発
生しない。
【００６９】（８）配線交差部の下層に、窒化チタンと
モリブデンを積層した膜を設けたので、その後の層間絶
縁膜形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流し
ても、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマイ
グレーションを発生せず、交差部の上層アルミニウム配
線との短絡や、断線を発生する恐れのない高信頼性の有
機ＥＬディスプレイ装置を提供できる。
モリブデンを積層した膜を設けたので、その後の層間絶
縁膜形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流し
ても、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマイ
グレーションを発生せず、交差部の上層アルミニウム配
線との短絡や、断線を発生する恐れのない高信頼性の有
機ＥＬディスプレイ装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態説明図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態及び第６の実施の形
態説明図である。
態説明図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態及び第７の実施の形
態説明図である。
態説明図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態及び第８の実施の形
態説明図である。
態説明図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態説明図である。
【図６】有機ＥＬディスプレイ装置の説明図である。
１０１ 基板
１０２ シリコン活性層
１０３ ゲート酸化膜
１０４ ゲート電極
１０５ ソース領域
１０７ ドレイン領域
１０８ バリアメタル
１０９ 下層配線
１１０ 層間絶縁膜
１１１ 上層配線
１１２ 層間絶縁膜
１１３ 透明電極
１１４ 有機ＥＬ層
１１５ 上部共通電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｃ
33/22 21/88 Ｒ
(72)発明者 荒井 三千男
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ
ーディーケイ株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB05 AB08 AB11 AB12 AB14
AB18 BA06 CB01 CC00 DB03
FA02
5C094 AA31 BA03 BA27 CA19 EA04
EA07
5F033 HH08 HH19 HH20 HH33 HH38
JJ01 JJ19 JJ20 JJ33 KK04
KK19 KK20 KK33 MM05 MM13
PP15 QQ08 QQ09 QQ11 QQ37
RR04 RR14 VV15
5F110 AA03 AA23 AA30 BB01 CC02
EE09 FF02 GG02 GG13 HL01
HL03 HL04 HL11 HL23 HM17
NN03 NN23 NN25 NN35 NN72
QQ09
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に設けられた薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ及び前記基板上に設けられた第１
の層間絶縁膜と、 ＥＬ画素領域を画定するため前記第１の層間絶縁膜をエ
ッチング処理して設けられた開口部と、 前記薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続
し、かつ前記開口部に設けられた透明電極と、 前記透明電極上に設けられた有機ＥＬ層と、 前記有機ＥＬ層上に設けられた共通電極とを有する有機
ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項２】基板上に設けられた薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ及び前記基板上に設けられた第１
の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタのシリコン活性層と重ならないよ
うに前記第１の層間絶縁膜をエッチング処理して設けら
れた開口部と、 前記薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続
し、かつ前記開口部に設けられた透明電極と、 前記透明電極上に設けられた有機ＥＬ層と、 前記有機ＥＬ層上に設けられた共通電極とを有する有機
ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項３】基板上に設けられた薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのドレイン領域と接続した下層配
線と、 前記薄膜トランジスタ及び前記基板上に設けられた第１
の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタのソース領域と電気的に接続し、
かつ前記第１の層間絶縁膜上に形成された上層配線と、 前記下層配線の一部を露出させるため前記第１の層間絶
縁膜をエッチング処理して設けられた開口部と、 前記下層配線と接続し、かつ前記開口部に設けられた透
明電極と、 前記透明電極上に設けられた有機ＥＬ層と、 前記有機ＥＬ層上に設けられた共通電極とを有する有機
ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項４】基板上に設けられた薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのドレイン領域と接続した下層配
線と、 前記薄膜トランジスタ及び前記基板上に設けられた第１
の層間絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタのソース領域と電気的に接続し、
かつ前記第１の層間絶縁膜上に形成された上層配線と、 前記下層配線の一部を露出させるため前記第１の層間絶
縁膜をエッチング処理して設けられた開口部と、 前記下層配線と接続し、かつ前記開口部に設けられた透
明電極と、 前記透明電極上に設けられた有機ＥＬ層と、 前記有機ＥＬ層上に設けられた共通電極とを有し、 前記下層配線は、前記ドレイン領域と接続して設けられ
たタングステン又はモリブデン、及び前記透明電極と接
続し前記タングステン又はモリブデン上に設けられた窒
化チタンからなることを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イ装置。 - 【請求項５】前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁
膜を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
一項に記載の有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項６】前記透明電極はＩＴＯからなることを特徴
とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ
ディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002327827A JP3895667B2 (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002327827A JP3895667B2 (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05324397A Division JP3641342B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003202818A true JP2003202818A (ja) | 2003-07-18 |
| JP3895667B2 JP3895667B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=27655807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002327827A Expired - Fee Related JP3895667B2 (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3895667B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140140A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| CN100446267C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-12-24 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光显示装置的制造方法 |
| KR101215852B1 (ko) | 2004-10-14 | 2012-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 디스플레이 장치 |
| WO2013005251A1 (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-10 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| WO2021036179A1 (zh) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及掩膜板 |
-
2002
- 2002-11-12 JP JP2002327827A patent/JP3895667B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| CN100446267C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-12-24 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光显示装置的制造方法 |
| JP2006140140A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| KR101215852B1 (ko) | 2004-10-14 | 2012-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 디스플레이 장치 |
| US8772783B2 (en) | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| WO2013005251A1 (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-10 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US8652657B2 (en) | 2011-07-05 | 2014-02-18 | Panasonic Corporation | Organic EL device and method for manufacturing the same |
| JPWO2013005251A1 (ja) * | 2011-07-05 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
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