JP2003200426A - 金型の温度制御方法および装置 - Google Patents

金型の温度制御方法および装置

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JP2003200426A
JP2003200426A JP2001400473A JP2001400473A JP2003200426A JP 2003200426 A JP2003200426 A JP 2003200426A JP 2001400473 A JP2001400473 A JP 2001400473A JP 2001400473 A JP2001400473 A JP 2001400473A JP 2003200426 A JP2003200426 A JP 2003200426A
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mold
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heater
temperature control
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Shinji Aoki
伸二 青木
Ryuichi Okamura
隆一 岡村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】金型内部の温度オーバーシュートおよび金型表
面の過剰加熱を回避し、金型内部の温度を短時間で設定
温度に安定させることができる金型の温度制御方法およ
び装置を提供する。 【解決手段】金型本体10の表面近傍に設けられ、ヒー
タ18a〜18kによって加熱される金型本体10の表
面温度を検出する表面温度検出センサ20a〜20k
と、金型本体10の内部に設けられ、ヒータ18a〜1
8kによって加熱される金型本体10の内部温度を検出
する内部温度検出センサ22a〜22kと、表面温度検
出センサ20a〜20kまたは内部温度検出センサ22
a〜22kの検出結果に基づいてヒータ18a〜18k
の温度を制御する制御部30とを備え、制御部30は表
面温度検出センサ20a〜20kの値が所定温度になる
までは表面温度検出センサ20a〜20kの検出結果に
基づいてヒータ18a〜18kの温度制御を行い、表面
温度検出センサ20a〜20kの検出結果が所定温度に
達したら内部温度検出センサ22a〜22kの検出結果
に基づいてヒータ18a〜18kの温度制御を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異なる温度に測温
設定された複数の温度センサの検出結果によりヒータを
制御して、金型を目標温度に制御する金型の温度制御方
法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】金型を用いてワークを成形する際に、金
型を所定の温度まで昇温させる必要があり、この種の温
度制御方法または装置について従来から種々の提案がな
されている。たとえば、金型の表面にヒータを配設し、
該ヒータによって加熱される金型の表面温度を温度セン
サによって測定し、該温度センサの測定結果に基づいて
前記ヒータを付勢あるいは滅勢することにより金型表面
を所望の温度に制御することは公知である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術では、金型表面の温度を温度センサで測定し
ているため、該表面のみ所望の温度にすることができる
が、金型内部の温度を所望の温度に制御することは困難
であった。
【0004】すなわち、この従来技術によれば、金型の
熱伝導の遅れ等により金型内部が所望の温度になるまで
にかなりの時間を要したり、あるいは金型内部が所望の
温度まで上がらないなどの問題があった。特に大きな金
型の場合には前記傾向が顕著であり、ワークの成形効率
が低下する等の問題が指摘されている。
【0005】一方、上記の不都合を回避すべく、金型内
部を短時間で所望の温度にするためにヒータを急激に加
熱すると、図5に示す金型の表面温度の変化を示す特性
曲線G1から諒解されるように、金型の表面温度は過剰
加熱上限温度Weを超えるほどに加熱され、金型自体を
損傷させる難点があるとともに、図5に示す金型の内部
温度の変化を示す特性曲線G2から諒解されるように、
金型内部に大きな温度オーバーシュートOS1が発生
し、それに起因して前記金型内部のキャビティの形状が
変形し、その結果、成形品としてのワークの品質を著し
く低下させるなどの問題が露呈している。
【0006】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、金型内部の温度のオーバーシュート
や金型表面の過剰加熱を回避し、金型内部を短時間で目
標の温度に安定させることができる金型の温度制御方法
および装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明は、金型を加熱するヒータと、このヒータ
によって加熱される前記金型の表面温度を検出する表面
温度検出センサと、前記ヒータによって加熱される前記
金型の内部温度を検出する内部温度検出センサとの組を
1つ以上備える金型の温度制御方法であって、前記ヒー
タの温度制御は、前記表面温度検出センサの検出結果が
所定温度に達するまでは前記表面温度検出センサの検出
結果に基づいて行われ、前記表面温度検出センサの検出
結果が前記所定温度に達した以後、前記内部温度検出セ
ンサの検出結果に基づいて行われることを特徴とする
(請求項1記載の発明)。
【0008】また、本発明は、金型を加熱するヒータの
温度を制御することにより、前記金型を目標温度にする
温度制御装置において、前記金型の表面近傍に設けら
れ、前記ヒータによって加熱される前記金型の表面温度
を検出する表面温度検出センサと、前記金型の内部に設
けられ、前記ヒータによって加熱される前記金型の内部
温度を検出する内部温度検出センサと、前記表面温度検
出センサの検出結果と前記内部温度検出センサの検出結
果に基づいて、前記ヒータの温度を制御する温度制御手
段と、を備え、前記温度制御手段は、前記表面温度検出
センサの値が所定温度になるまでは前記表面温度検出セ
ンサの検出結果に基づいてヒータの温度制御を行い、前
記表面温度検出センサの検出結果が前記所定温度に達し
た以後、前記内部温度検出センサの検出結果に基づいて
ヒータの温度制御を行うことを特徴とする(請求項3記
載の発明)。
【0009】このように温度制御することにより、金型
内部の温度オーバーシュートおよび金型表面の過剰加熱
を回避し、さらには、金型内部の温度を短時間で目標温
度に安定させることができる。このため、成形品として
のワークを所望の品質にすることができる。
【0010】また、本発明は、ヒータと、表面温度検出
センサと、内部温度検出センサとの組を複数備え、それ
らは温度制御手段によって個別に温度制御されるため、
金型全域を均一な温度とすることができる(請求項4記
載の発明)。
【0011】さらに、前記ヒータは、表面温度検出セン
サの検出結果が所定温度に到達するまでの間は前記表面
温度検出センサの検出結果に基づいてPD温度制御さ
れ、前記表面温度検出センサの検出結果が前記所定温度
に到達した以後、前記内部温度検出センサの検出結果に
基づいてPID温度制御されることを特徴とする(請求
項2記載の発明)。
【0012】さらにまた、本発明は、温度制御手段が目
標温度と前記所定温度とを記憶する記憶手段と、前記表
面温度検出センサの検出結果が前記所定温度に達したか
否かを判定する判定手段と、前記表面温度検出センサの
検出結果に基づいてPD温度制御を行うPD温度制御手
段と、前記内部温度検出センサの検出結果に基づいてP
ID温度制御を行うPID温度制御手段と、を備え、前
記判定手段によって前記表面温度検出センサの検出結果
が前記所定温度に達していないと判定された場合は前記
PD温度制御手段によって前記ヒータを温度制御し、前
記判定手段によって前記表面温度検出センサの検出結果
が前記所定温度に達したと判定された場合は前記PID
温度制御手段によって前記ヒータを温度制御することを
特徴とする(請求項5記載の発明)。
【0013】このように、応答性が高いPD温度制御
と、安定性が高いPID温度制御とを効果的に組み合わ
せることにより、金型内部の温度オーバーシュートおよ
び金型表面の過剰加熱をより確実に抑えることができる
とともに、金型内部の温度をより短時間で目標温度に安
定させることができる。これにより、成形品質に優れる
ワークが得られ、且つ成形効率も向上する。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明に係る金型の温度制御方法
について、それを実施する装置との関係において好適な
実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細
に説明する。
【0015】本実施の形態に係る金型の温度制御装置
は、基本的には、金型本体10と制御部(温度制御手
段)30とから構成される。
【0016】金型本体10は、図1に示すように、基本
的には上金型12と下金型14とから構成され、前記上
金型12と下金型14の間にはブロー成形によりワーク
を成形するためのキャビティ16が画成される。また、
図1に示すように、前記上金型12と下金型14はブロ
ックA〜Kまでの11ブロックに分割され、各ブロック
A〜Kの金型表面から所定間隔離間してヒータ18a〜
18kが配設されている。
【0017】ヒータ18a〜18kと金型本体10との
間には、各ブロックA〜Kの表面温度を検出する表面温
度検出センサ20a〜20kがヒータ18a〜18kに
対応して配設され、一方、金型本体10の内部には、各
ブロックA〜Kの内部温度を検出する内部温度検出セン
サ22a〜22kがヒータ18a〜18kに対応して配
されている。図1から諒解されるように、内部温度検出
センサ22a〜22kは前記キャビティ16の周囲に配
置されている。
【0018】制御部30は、図2に示すように、基本的
には、CPU32と、プログラムメモリ34と、データ
メモリ36と、入力ポート38と、出力ポート40とを
備える。プログラムメモリ34には、後述するように、
前記ヒータ18a〜18kを温度制御するプログラムが
格納される。データメモリ36(記憶手段)には、前記
温度制御に必要な各種設定値、表面温度検出センサ20
a〜20kおよび内部温度検出センサ22a〜22kの
検出結果等が格納される。
【0019】前記各種設定値としては、図4に示すよう
に、金型の目標温度Wbと、ヒータ18a〜18kの加
熱制御を行うために参照する温度センサを表面温度検出
センサ20a〜20kから内部温度検出センサ22a〜
22kに切り替えるセンサ切替温度Wcがある。目標温
度Wbおよびセンサ切替温度Wcは、全ブロックA〜K
毎に別々に設定してもよいし、共通の値としてもよい。
センサ切替温度Wcは、基本的には、金型の形状、材
質、ヒータ18a〜18kの熱量等によって最適値とし
て決定されるが、たとえば目標温度Wb−2%付近に設
定すると好ましいとの実験結果を本出願人は知得してい
る。
【0020】入力ポート38には、表面温度検出センサ
20a〜20kと内部温度検出センサ22a〜22kの
出力が接続される。出力ポート40にはヒータ18a〜
18kを所望温度に加熱するヒータドライバ24a〜2
4kが接続される。
【0021】CPU32は、プログラムメモリ34に記
憶されている温度制御プログラムに基づいて、入力ポー
ト38および出力ポート40に対してそれぞれ任意にア
クセスすることができる。
【0022】図2では、入力ポート38に金型本体10
のブロックAの表面温度検出センサ20aと内部温度検
出センサ22aが接続された例を示し、一方、出力ポー
ト40に同じく前記ブロックAのヒータ18aを制御す
るヒータドライバ24aが接続された例を示している
が、他のブロックB〜Kの表面温度検出センサ20b〜
20k、内部温度検出センサ22b〜22k、ヒータ1
8b〜18kを制御するヒータドライバ24b〜24k
も前記ブロックAと同様に各ポートに接続され、前記ブ
ロックAと同様にCPU32によってそれぞれ任意にア
クセスされるものとする。
【0023】結果として、CPU32は、データメモリ
36に格納された前述した各種設定値、表面温度検出セ
ンサ20a〜20kおよび内部温度検出センサ22a〜
22kの検出結果等を参照しながら、プログラムメモリ
34に格納された温度制御プログラムを実行する。
【0024】また、制御部30は操作部42と、プリン
タ44と、通信網46を介して外部端末48とに接続さ
れる。前記操作部42は、図示しない表示部、キーボー
ド、マウス、外部入出力装置等を備える。作業員等は、
操作部42を介して、前述した目標温度Wb、センサ切
替温度Wc等の各種設定値を設定したり、制御部30で
実行される温度制御プログラムが変更された場合などに
新しい温度制御プログラムをインストールすることがで
きる。また、外部入出力装置を介して、温度制御結果や
保守情報などをフロッピー(登録商標)ディスクなどの
記憶媒体に記憶した状態で外部に取り出すことができ
る。
【0025】前記温度制御結果や保守情報は、プリンタ
44から紙情報として出力される。また、制御部30に
対して離れた場所にいる作業員等は、外部端末48から
通信網46(有線でも無線でもよい)を介して制御部3
0に目標温度Wb、センサ切替温度Wc等の各種設定値
を設定したり、制御部30で実行される温度制御プログ
ラムをバージョンアップすることができる。また、温度
制御結果や保守情報などを直接参照するか、あるいは、
ファイルデータとして取得することができる。
【0026】本実施の形態に係る金型の温度制御装置
は、基本的には以上のように構成されるものであるが、
たとえば、温度制御するブロックA〜Kの数が多い場
合、あるいは高速な温度制御が要求される場合等は、制
御部30を各ブロックA〜K毎に設け、各ブロックを個
別に温度制御するような構成にしてもよい。
【0027】また、表面温度検出センサ20a〜20k
の出力と内部温度検出センサ22a〜22kの出力とを
同時に参照しない場合などは、この2つの出力をハード
的なスイッチで切り替え、入力ポート38には1つの出
力のみが入力するように構成すれば、制御部30の回路
パターンの本数が減り、基板面積を小さくすることがで
きる。
【0028】次に、本実施の形態に係る金型の温度制御
装置の動作について、金型の温度制御方法との関係で図
3および図4を参照しながら以下に説明する。
【0029】先ず、被成形部材(図示せず)を位置決め
した後、上金型12と下金型14とを互いに接近して型
締めする。次いで、プログラムメモリ34に格納された
温度制御プログラムがCPU32によって実行される
と、まず、ステップS1において、ブロックA〜K毎の
目標温度Wbがデータメモリ36から読み出される。ス
テップS2において、ブロックA〜K毎に現在の表面温
度検出センサ20a〜20kの値が読み込まれ、表面温
度G3を得る。
【0030】ステップS3では、目標温度Wbと表面温
度G3の温度偏差e1=Wb−G3が算出される。ステ
ップS4では、温度偏差e1に基づいて、応答性を重視
したPD(比例・微分)温度制御が行われる。
【0031】ステップS5において、ブロックA〜K毎
に、表面温度G3がセンサ切替温度Wcに到達したか否
かが判定される。表面温度G3がセンサ切替温度Wcに
到達したと判定された場合はステップS6に処理を移行
し、到達していないと判定された場合はステップ2から
処理を繰り返す。
【0032】ステップS6において、CPU32はブロ
ックA〜K毎に参照する温度センサを表面温度検出セン
サ20a〜20kから内部温度検出センサ22a〜22
kに切り替えるとともに、ブロックA〜K毎に現在の内
部温度検出センサ22a〜20kの値を読み込み、内部
温度G4を得る。
【0033】ステップS7において、目標温度Wbと内
部温度G4の温度偏差e2=Wb−G4が算出される。
ステップS8では、温度偏差e2に基づいて、安定性を
重視したPID(比例・積分・微分)温度制御が行われ
る。
【0034】ステップS9において、ブロックA〜K毎
に、内部温度G4が目標温度Wbに安定したか否かが判
定される。安定したと判定された場合は、ステップS1
0に処理を移行し、安定していないと判定された場合は
ステップ6からの処理を繰り返す。
【0035】ステップS10で成形指令を送出し、ステ
ップS11で前記被成形部材にエアーを吹き込んでブロ
ー成形を行う。
【0036】ステップS12において、次の加工品があ
る場合はステップS1から処理を繰返し、次の加工品が
ない場合は本処理を終了する。
【0037】このように、本発明の実施の形態に係る金
型の温度制御方法および装置によれば、目標温度Wbの
近傍、例えば、目標温度Wb−2%付近に設定されたセ
ンサ切替温度Wcまでのヒータ18a〜18kの温度制
御は、表面温度検出センサ20a〜20kの検出温度に
基づいて応答性が高いPD温度制御であるため、図4に
おいて、表面温度検出センサ20a〜20kの値がセン
サ切替温度Wcに達するまでの時間(時刻0〜時刻T1
の時間)は短くなる。一方、表面温度検出センサ20a
〜20kの検出温度がセンサ切替温度Wcに達した後の
ヒータ18a〜18kの温度制御は内部温度検出センサ
22a〜22kの検出温度に基づいて安定性が高いPI
D温度制御であるため、図4に示す金型内部の温度オー
バーシュートOS2は、図5に示す従来技術における金
型内部の温度オーバーシュートOS1に比して減少する
とともに、金型表面温度G3も金型表面の過剰加熱上限
温度Weを超えることがない。
【0038】すなわち、金型内部の温度オーバーシュー
トOS2が抑制されるため、金型内部のキャビティの形
状が変化することなく、結果として、ブロー成形品とし
てのワークの品質低下を回避することができる。また、
金型表面の過剰加熱が回避されるため、金型自体が損傷
することもない。
【0039】一方、金型内部の温度オーバーシュートO
S2が抑えられていることにより、温度変化の過渡状態
が収束し目標温度Wbに安定するまでの収束時間(図4
のT2〜T3時間)も短くなり、結果的に、金型の内部
温度G4が温度制御を開始してから目標温度Wbに安定
するまでの時間(図4の時刻0〜時刻T3)も短縮され
る。
【0040】すなわち、ブロー成形を連続して行う際に
被成形部材の出し入れに伴い金型本体10の温度は目標
温度Wbから低下するが、低下した金型本体10の温度
を再び所望の温度に安定させるまでの時間が短縮でき、
それにより、成形作業全体の時間が短縮される。
【0041】なお、前記の実施の形態はブロー成形に関
するものであるが、本発明はこのブロー成形に限らず、
他の成形方法にも適用可能である。
【0042】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、金型内
部の温度オーバーシュートおよび金型表面の過剰加熱を
回避し、さらには、金型を短時間で設定温度に安定させ
ることができる。しかも、これによって、金型によるワ
ークの成形効率も向上し、且つ優れた品質の成形品を得
ることが可能となる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る金型の温度制御装置の本体
とヒータと温度検出センサの配置状態を示す要部縦断説
明図である。
【図2】本実施の形態に係る金型の温度制御装置の制御
回路ブロック図である。
【図3】本実施の形態に係る金型の温度制御手順を説明
するフローチャートである。
【図4】本実施の形態に係る温度制御による金型の温度
変化を示すグラフである。
【図5】従来技術に係る温度制御による金型の温度変化
を示すグラフである。
【符号の説明】
10…金型本体 12…上金型 14…下金型 16…キャビテ
ィ 18a〜18k…ヒータ 20a〜20k
…表面温度検出センサ 22a〜22k…内部温度検出センサ 24a〜24k
…ヒータドライバ 30…制御部 32…CPU 34…プログラムメモリ 36…データメ
モリ 38…入力ポート 40…出力ポー
ト 42…操作部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F202 AK05 AP05 AR06 CA15 CB01 CN01 CN18 5H323 AA05 BB05 CA06 CB01 EE01 FF01 FF10 KK05 LL01 LL02 LL18 NN03

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金型を加熱するヒータと、このヒータによ
    って加熱される前記金型の表面温度を検出する表面温度
    検出センサと、前記ヒータによって加熱される前記金型
    の内部温度を検出する内部温度検出センサとの組を1つ
    以上備える金型の温度制御方法であって、 前記ヒータの温度制御は、前記表面温度検出センサの検
    出結果が所定温度に達するまでは前記表面温度検出セン
    サの検出結果に基づいて行われ、前記表面温度検出セン
    サの検出結果が前記所定温度に達した以後、前記内部温
    度検出センサの検出結果に基づいて行われることを特徴
    とする金型の温度制御方法。
  2. 【請求項2】請求項1記載の方法において、 前記ヒータは、前記表面温度検出センサの検出結果が前
    記所定温度に到達するまでの間は前記表面温度検出セン
    サの検出結果に基づいてPD(比例・微分)温度制御さ
    れ、前記表面温度検出センサの検出結果が前記所定温度
    に到達した後、前記内部温度検出センサの検出結果に基
    づいてPID(比例・積分・微分)温度制御されること
    を特徴とする金型の温度制御方法。
  3. 【請求項3】金型を加熱するヒータの温度を制御するこ
    とにより、前記金型を目標温度にする温度制御装置にお
    いて、 前記金型の表面近傍に設けられ、前記ヒータによって加
    熱される前記金型の表面温度を検出する表面温度検出セ
    ンサと、 前記金型の内部に設けられ、前記ヒータによって加熱さ
    れる前記金型の内部温度を検出する内部温度検出センサ
    と、 前記表面温度検出センサの検出結果と前記内部温度検出
    センサの検出結果に基づいて、前記ヒータの温度を制御
    する温度制御手段と、 を備え、 前記温度制御手段は、前記表面温度検出センサの値が所
    定温度になるまでは前記表面温度検出センサの検出結果
    に基づいてヒータの温度制御を行い、前記表面温度検出
    センサの検出結果が前記所定温度に達した以後、前記内
    部温度検出センサの検出結果に基づいてヒータの温度制
    御を行うことを特徴とする金型の温度制御装置。
  4. 【請求項4】請求項3記載の装置において、 前記ヒータと、前記表面温度検出センサと、前記内部温
    度検出センサとの組を複数備え、それらは前記温度制御
    手段によって個別に温度制御されることを特徴とする金
    型の温度制御装置。
  5. 【請求項5】請求項3または4記載の装置において、前
    記温度制御手段は、 前記目標温度と前記所定温度とを記憶する記憶手段と、 前記表面温度検出センサの検出結果が前記所定温度に達
    したか否かを判定する判定手段と、 前記表面温度検出センサの検出結果に基づいてPD温度
    制御を行うPD温度制御手段と、 前記内部温度検出センサの検出結果に基づいてPID温
    度制御を行うPID温度制御手段と、 を備え、前記判定手段によって前記表面温度検出センサ
    の検出結果が前記所定温度に達していないと判定された
    場合は前記PD温度制御手段によって前記ヒータを温度
    制御し、前記判定手段によって前記表面温度検出センサ
    の検出結果が前記所定温度に達したと判定された場合は
    前記PID温度制御手段によって前記ヒータを温度制御
    することを特徴とする金型の温度制御装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008284793A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Omron Corp 金型の加熱方法および成形装置
JP2010036588A (ja) * 2009-10-16 2010-02-18 Mitsubishi Heavy Industries Plastic Technology Co Ltd 金型温度の調整装置
CN113358719A (zh) * 2021-06-07 2021-09-07 深圳市中志环境科技有限公司 一种多参数气体恒温监测装置及网格化空气质量监测系统

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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