JP2003198024A - ヒートシンクサブマウント及びその製造方法 - Google Patents
ヒートシンクサブマウント及びその製造方法Info
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- JP2003198024A JP2003198024A JP2001391480A JP2001391480A JP2003198024A JP 2003198024 A JP2003198024 A JP 2003198024A JP 2001391480 A JP2001391480 A JP 2001391480A JP 2001391480 A JP2001391480 A JP 2001391480A JP 2003198024 A JP2003198024 A JP 2003198024A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】溶着金属膜の上に光半導体素子を実装する際に
おいて光半導体素子の滑り易さや光半導体素子の実装位
置の認識しづらさを解消したヒートシンクサブマウント
を提供することにある。 【解決手段】熱伝導性電気絶縁材料１よりなる基体にメ
タライズ層２を介して、溶着金属膜３を形成してなるヒ
ートシンクサブマウントにおいて、該溶着金属膜３の表
面粗さがRa０．０５〜１．２μｍに調整されたことを特
徴とするヒートシンクサブマウント。
おいて光半導体素子の滑り易さや光半導体素子の実装位
置の認識しづらさを解消したヒートシンクサブマウント
を提供することにある。 【解決手段】熱伝導性電気絶縁材料１よりなる基体にメ
タライズ層２を介して、溶着金属膜３を形成してなるヒ
ートシンクサブマウントにおいて、該溶着金属膜３の表
面粗さがRa０．０５〜１．２μｍに調整されたことを特
徴とするヒートシンクサブマウント。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なヒートシン
クサブマウントに関するものである。詳しくは、表面粗
さを調整した溶着金属膜を有し、光半導体素子チップの
実装を極めて容易にしたヒートシンクサブマウントに関
するものである。
クサブマウントに関するものである。詳しくは、表面粗
さを調整した溶着金属膜を有し、光半導体素子チップの
実装を極めて容易にしたヒートシンクサブマウントに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ヒートシンクサブマウントは光半導体素
子とヒートシンク（銅等の金属製ブロック）の間に位置
する熱伝導性電気絶縁基板であり、光半導体素子から発
生される熱をヒートシンク側へ効率良く伝達できる性能
を持つものである。かかるヒートシンクサブマウントは
ＬＤ素子の放熱素材として広く用いられている。
子とヒートシンク（銅等の金属製ブロック）の間に位置
する熱伝導性電気絶縁基板であり、光半導体素子から発
生される熱をヒートシンク側へ効率良く伝達できる性能
を持つものである。かかるヒートシンクサブマウントは
ＬＤ素子の放熱素材として広く用いられている。
【０００３】上記ヒートシンクサブマウントは熱伝導性
電気絶縁材料よりなる基体の表面にメタライズ膜よりな
る部分的なメタライズパターンを一つ以上形成し、前記
メタライズパターンの一つまたは複数個のパターン上の
素子を実装する箇所に溶着金属膜を形成したものが広く
知られている。上記溶着金属膜は複数の金属を同時に真
空蒸着する方法（以下２元同時蒸着法という）で形成さ
せた平滑な表面を有する膜の形成が知られている。
電気絶縁材料よりなる基体の表面にメタライズ膜よりな
る部分的なメタライズパターンを一つ以上形成し、前記
メタライズパターンの一つまたは複数個のパターン上の
素子を実装する箇所に溶着金属膜を形成したものが広く
知られている。上記溶着金属膜は複数の金属を同時に真
空蒸着する方法（以下２元同時蒸着法という）で形成さ
せた平滑な表面を有する膜の形成が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
２元同時蒸着法による溶着金属膜を形成したヒートシン
クサブマウントは、溶着金属膜の表面状態が平滑である
ため素子を実装する際に、素子が滑りやすく所定の位置
に実装しづらいという問題がある。また、溶着金属膜と
その下部に位置するメタライズ膜等の色彩が同じである
場合においては溶着金属膜の位置が認識しづらく実装が
困難となる場合がある。
２元同時蒸着法による溶着金属膜を形成したヒートシン
クサブマウントは、溶着金属膜の表面状態が平滑である
ため素子を実装する際に、素子が滑りやすく所定の位置
に実装しづらいという問題がある。また、溶着金属膜と
その下部に位置するメタライズ膜等の色彩が同じである
場合においては溶着金属膜の位置が認識しづらく実装が
困難となる場合がある。
【０００５】従って、本発明の目的は、溶着金属膜の上
に素子を実装する際に素子の滑り易さや素子の実装位置
の認識しづらさを解消したヒートシンクサブマウントを
提供することにある。
に素子を実装する際に素子の滑り易さや素子の実装位置
の認識しづらさを解消したヒートシンクサブマウントを
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決すべく鋭意研究を行ってきた。その結果、溶着金
属膜の表面粗さを特定の範囲に調節することにより、上
記課題を全て解決できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
を解決すべく鋭意研究を行ってきた。その結果、溶着金
属膜の表面粗さを特定の範囲に調節することにより、上
記課題を全て解決できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００７】即ち、本発明は、熱伝導性電気絶縁材料よ
りなる基体表面にメタライズ膜を介して、溶着金属膜が
形成されたヒートシンクサブマウントにおいて、該溶着
金属膜の表面粗さがRa０．０５μｍ以上であることを特
徴とするヒートシンクサブマウントである。
りなる基体表面にメタライズ膜を介して、溶着金属膜が
形成されたヒートシンクサブマウントにおいて、該溶着
金属膜の表面粗さがRa０．０５μｍ以上であることを特
徴とするヒートシンクサブマウントである。
【０００８】また、本発明は上記ヒートシンクサブマウ
ントを製造する有利な製造方法をも提供する。
ントを製造する有利な製造方法をも提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明におけるヒートシ
ンクサブマウントの代表的な構成を示す概略図である。
本発明においてヒートシンクサブマウントは公知の構造
が特に制限なく採用される。例えば図１に示すように、
熱伝導性電気絶縁基板１にメタライズ膜２、２’を介し
て溶着金属膜３を設けることにより構成される。
ンクサブマウントの代表的な構成を示す概略図である。
本発明においてヒートシンクサブマウントは公知の構造
が特に制限なく採用される。例えば図１に示すように、
熱伝導性電気絶縁基板１にメタライズ膜２、２’を介し
て溶着金属膜３を設けることにより構成される。
【００１０】上記熱伝導性電気絶縁基板の材質は、特に
制限されない。ダイヤモンド、窒化アルミニウム、アル
ミナ、窒化珪素、ジルコニア等のセラミックスである
が、セラミックスが一般的である。その中で、窒化アル
ミニウムは熱伝導率が高いために半導体レーザー素子等
の素子から発生する熱を効率よくヒートシンクへ逃がす
と共に素子の代表的な素材であるＳｉと熱膨張係数が近
い等のため好適な部材である。
制限されない。ダイヤモンド、窒化アルミニウム、アル
ミナ、窒化珪素、ジルコニア等のセラミックスである
が、セラミックスが一般的である。その中で、窒化アル
ミニウムは熱伝導率が高いために半導体レーザー素子等
の素子から発生する熱を効率よくヒートシンクへ逃がす
と共に素子の代表的な素材であるＳｉと熱膨張係数が近
い等のため好適な部材である。
【００１１】本発明において絶縁基板１の片面もしくは
両面に形成されるメタライズ膜２、２’の材質は、導電
性を有するものなら特に限定されないが、通常金属であ
る。該金属としては公知の金属が特に制限されない。ま
たメタライズ膜は、一種の金属よりなる単層であっても
良いし、二種類以上の金属の層、たとえば接着層、拡散
防止層、導体層、場合によっては、更に拡散層などの多
層の金属層とすることもできる。更に、メタライズ膜
２、２’の厚みは、一般に０．０１〜１０μｍである。
上記メタライズ膜の形成方法の代表的なものとしては、
スパッタリング法、真空蒸着法がある。
両面に形成されるメタライズ膜２、２’の材質は、導電
性を有するものなら特に限定されないが、通常金属であ
る。該金属としては公知の金属が特に制限されない。ま
たメタライズ膜は、一種の金属よりなる単層であっても
良いし、二種類以上の金属の層、たとえば接着層、拡散
防止層、導体層、場合によっては、更に拡散層などの多
層の金属層とすることもできる。更に、メタライズ膜
２、２’の厚みは、一般に０．０１〜１０μｍである。
上記メタライズ膜の形成方法の代表的なものとしては、
スパッタリング法、真空蒸着法がある。
【００１２】本発明において、上記メタライズ膜２上に
は素子を実装するために溶着金属膜３が形成される。上
記溶着金属膜としては一般的に鉛・すず系ハンダ、金・
すず系ハンダ、金・シリコン系ハンダ、金・ゲルマニウ
ム系ハンダ等の合金よりなる少なくとも一種類のハンダ
膜が使用される。また、溶着金属膜の厚みは、一般に１
〜１０μｍである。上記、溶着金属膜の形成方法として
は一般的に真空蒸着法が適用される。
は素子を実装するために溶着金属膜３が形成される。上
記溶着金属膜としては一般的に鉛・すず系ハンダ、金・
すず系ハンダ、金・シリコン系ハンダ、金・ゲルマニウ
ム系ハンダ等の合金よりなる少なくとも一種類のハンダ
膜が使用される。また、溶着金属膜の厚みは、一般に１
〜１０μｍである。上記、溶着金属膜の形成方法として
は一般的に真空蒸着法が適用される。
【００１３】上記ヒートシンクサブマウントへの素子の
実装は、溶着金属膜を加熱溶融した状態にて行われる。
実装は、溶着金属膜を加熱溶融した状態にて行われる。
【００１４】本発明の特徴は上記ヒートシンクサブマウ
ントにおいて、溶融金属膜３の表面粗さが、Ｒａ０．０
５μｍ以上に調整されることにある。すなわち上記範囲
外、すなわち、Ｒａが０．０５μｍ未満の表面粗さを有
する溶着金属膜上に素子を実装する場合には、素子が滑
りやすく所定の位置に実装しづらいという問題が発生す
る。また、溶着金属膜とその下部に位置するメタライズ
膜等の色彩が同じである場合においては溶着金属膜の位
置が認識しづらく実装が困難となる。他方、表面粗さの
上限は、特に限定されないが、必要以上に大きくすると
素子を置いた場合に不安定となり、場合によっては、実
装される素子と溶着金属膜との密着性が低下する問題も
生ずるので、一般にＲａ１．２μｍを越える表面粗さと
することは好ましくない場合も生ずる。したがって、該
溶着金属膜の表面粗さの好ましい範囲としてはＲａ０．
０５〜１．２μｍの範囲である。なお、本発明におい
て、表面粗さの測定は東京精密製サーフコムＳ５０Ａ
（測定端子５μｍＲ、９０°円錐ダイヤモンド）により
測定した値による。
ントにおいて、溶融金属膜３の表面粗さが、Ｒａ０．０
５μｍ以上に調整されることにある。すなわち上記範囲
外、すなわち、Ｒａが０．０５μｍ未満の表面粗さを有
する溶着金属膜上に素子を実装する場合には、素子が滑
りやすく所定の位置に実装しづらいという問題が発生す
る。また、溶着金属膜とその下部に位置するメタライズ
膜等の色彩が同じである場合においては溶着金属膜の位
置が認識しづらく実装が困難となる。他方、表面粗さの
上限は、特に限定されないが、必要以上に大きくすると
素子を置いた場合に不安定となり、場合によっては、実
装される素子と溶着金属膜との密着性が低下する問題も
生ずるので、一般にＲａ１．２μｍを越える表面粗さと
することは好ましくない場合も生ずる。したがって、該
溶着金属膜の表面粗さの好ましい範囲としてはＲａ０．
０５〜１．２μｍの範囲である。なお、本発明におい
て、表面粗さの測定は東京精密製サーフコムＳ５０Ａ
（測定端子５μｍＲ、９０°円錐ダイヤモンド）により
測定した値による。
【００１５】本発明において、溶着金属膜の表面粗さを
上記範囲に調整する方法は特に制限されない。例えば、
熱伝導性電気絶縁材料１の表面に、溶着金属膜を構成す
る複数の金属を同時に蒸着して溶着金属膜の主層を形成
した後、該主層の表面に、溶着金属膜を構成する金属成
分のうち一種のみの層（以下単層という）を形成させる
ことによって得られる。好ましくは、図２に示すよう
に、溶着金属膜を構成する複数の金属種を、それぞれ個
々の金属の単層膜５、６に示す如く複数層、蒸着などに
よって、主層４上に順次形成させることにより、各蒸着
金属粒子の大きさの違いによる作用で表面を粗くする方
法が好適な方法として挙げられる。
上記範囲に調整する方法は特に制限されない。例えば、
熱伝導性電気絶縁材料１の表面に、溶着金属膜を構成す
る複数の金属を同時に蒸着して溶着金属膜の主層を形成
した後、該主層の表面に、溶着金属膜を構成する金属成
分のうち一種のみの層（以下単層という）を形成させる
ことによって得られる。好ましくは、図２に示すよう
に、溶着金属膜を構成する複数の金属種を、それぞれ個
々の金属の単層膜５、６に示す如く複数層、蒸着などに
よって、主層４上に順次形成させることにより、各蒸着
金属粒子の大きさの違いによる作用で表面を粗くする方
法が好適な方法として挙げられる。
【００１６】そこで、本発明は、表面にメタライズ膜を
有する熱伝導性電気絶縁材料のメタライズ膜面に複数の
溶着金属形成用金属を同時に蒸着し、該金属の合金より
なる溶着金属膜の主層を形成させ、次いで該主層上に、
主層を構成する金属の内一種の金属層を形成させること
を特徴とする、表面粗さがＲａ０．０５μｍ以上、好ま
しくは、Ｒａ０．０５〜１．２μｍの溶融金属膜を有す
るヒートシンクサブマウントの製造方法をも提供する。
有する熱伝導性電気絶縁材料のメタライズ膜面に複数の
溶着金属形成用金属を同時に蒸着し、該金属の合金より
なる溶着金属膜の主層を形成させ、次いで該主層上に、
主層を構成する金属の内一種の金属層を形成させること
を特徴とする、表面粗さがＲａ０．０５μｍ以上、好ま
しくは、Ｒａ０．０５〜１．２μｍの溶融金属膜を有す
るヒートシンクサブマウントの製造方法をも提供する。
【００１７】この方法において、単層膜の厚みは、厚す
ぎると主層より融点が上昇し、また、薄すぎると表面を
粗くする効果が乏しくなるため、一般に、０．０５〜５
μｍの範囲で、目的とする粗さが得られる厚みを選択し
て形成することが好ましい。ここで、複数の単層膜を形
成させる場合、その順序は、如何なる順であってもよい
が、低融点の金属よりなる単層膜を主層側に形成させる
ことが好ましい。
ぎると主層より融点が上昇し、また、薄すぎると表面を
粗くする効果が乏しくなるため、一般に、０．０５〜５
μｍの範囲で、目的とする粗さが得られる厚みを選択し
て形成することが好ましい。ここで、複数の単層膜を形
成させる場合、その順序は、如何なる順であってもよい
が、低融点の金属よりなる単層膜を主層側に形成させる
ことが好ましい。
【００１８】その他の、本発明の表面粗さを有する溶着
金属膜の形成方法としては、溶着金属膜のパターニング
を行う方法として知られているフォトレジスト法を用い
て、溶着金属膜形成後、レジストを溶解する前に溶着金
属膜の表面をドライエッチングするなどの方法が挙げら
れる。
金属膜の形成方法としては、溶着金属膜のパターニング
を行う方法として知られているフォトレジスト法を用い
て、溶着金属膜形成後、レジストを溶解する前に溶着金
属膜の表面をドライエッチングするなどの方法が挙げら
れる。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明を具体的に説明するために実
施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
【００２０】得られたヒートシンクサブマウントの溶着
金属膜の表面粗さ測定は東京精密製サーフコムＳ５０Ａ
装置を使用して測定した。
金属膜の表面粗さ測定は東京精密製サーフコムＳ５０Ａ
装置を使用して測定した。
【００２１】また得られたサブマウントの評価方法は下
記の方法にしたがって行った。
記の方法にしたがって行った。
【００２２】１）素子実装時の滑り易さ：トーソク
（株）社製実装装置（ＤＢ−３００ＳＷ）を用いて、ヒ
ートシンクサブマウントをホットプレート上に置き、溶
着金属膜の融点より高めに加熱した後、素子を該溶着金
属膜上に実装した際、所定位置とのずれ量Ｘ（Ｘは１０
０回の測定値の平均とした）を観察した。このずれ量Ｘ
が＜０．５μｍの場合を良、Ｘ＞＝０．５μｍの場合を
否として判定した。
（株）社製実装装置（ＤＢ−３００ＳＷ）を用いて、ヒ
ートシンクサブマウントをホットプレート上に置き、溶
着金属膜の融点より高めに加熱した後、素子を該溶着金
属膜上に実装した際、所定位置とのずれ量Ｘ（Ｘは１０
０回の測定値の平均とした）を観察した。このずれ量Ｘ
が＜０．５μｍの場合を良、Ｘ＞＝０．５μｍの場合を
否として判定した。
【００２３】２）素子実装時の溶着金属膜の認識し易
さ：実体顕微鏡にてヒートシンクサブマウントの表面を
１０名の試験者が観察し、全員が溶着金属膜のパターン
を認識できた場合を良、１人でも認識できなければ否と
して判定した。
さ：実体顕微鏡にてヒートシンクサブマウントの表面を
１０名の試験者が観察し、全員が溶着金属膜のパターン
を認識できた場合を良、１人でも認識できなければ否と
して判定した。
【００２４】３）素子実装時の溶着金属膜の接着強度：
測定部；今田製作所製ＳＨ−２０１３Ｍ、測定値表示；
イマダ ＤＰＳ−２０を用い、素子を溶着金属膜に接着
後、シェア強度測定試験を行い、強度９．８ＭＰａ以上
であれば良、９．８ＭＰａ未満であれば否として判定し
た。
測定部；今田製作所製ＳＨ−２０１３Ｍ、測定値表示；
イマダ ＤＰＳ−２０を用い、素子を溶着金属膜に接着
後、シェア強度測定試験を行い、強度９．８ＭＰａ以上
であれば良、９．８ＭＰａ未満であれば否として判定し
た。
【００２５】実施例１
表裏両面を表面粗さＲａ：０．０３μｍに加工した2イ
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用
いた真空蒸着法によりパターン形成した。次いで、上記
ＡｕＳｎ表面上にＳｎのみを単独で厚み０．１μm（成
膜時間２０ｍｉｎ）になるよう真空蒸着し、その上面に
Ａｕのみを単独で厚み０．１μｍ（成膜時間２０ｍｉ
ｎ）になるよう真空蒸着することで表面粗さＲａ０．１
μｍになるよう調整した。次いで膜形成が完了した基板
を長さ１ｍｍ、幅１ｍｍにダイシングカットした。
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用
いた真空蒸着法によりパターン形成した。次いで、上記
ＡｕＳｎ表面上にＳｎのみを単独で厚み０．１μm（成
膜時間２０ｍｉｎ）になるよう真空蒸着し、その上面に
Ａｕのみを単独で厚み０．１μｍ（成膜時間２０ｍｉ
ｎ）になるよう真空蒸着することで表面粗さＲａ０．１
μｍになるよう調整した。次いで膜形成が完了した基板
を長さ１ｍｍ、幅１ｍｍにダイシングカットした。
【００２６】得られたヒートシンクサブマウントへの素
子の実装評価結果は滑り易さ：良、認識し易さ：良、接
着強度：良（１５．０ＭＰａ）であった。
子の実装評価結果は滑り易さ：良、認識し易さ：良、接
着強度：良（１５．０ＭＰａ）であった。
【００２７】実施例２
表裏両面を表面粗さＲａ：０．０３μｍに加工した2イ
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０wt%）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用い
た真空蒸着法によりパターン形成した。次いで、上記Ａ
ｕＳｎ表面上にＳｎのみを単独で厚み０．１μm（成膜
時間１０ｍｉｎ）になるよう真空蒸着し、その上面にＡ
ｕのみを単独で厚み０．１μｍ（成膜時間１０ｍｉｎ）
になるよう真空蒸着することで表面粗さＲａ０．３μｍ
になるよう調整した。次いで膜形成が完了した基板を長
さ１ｍｍ、幅１ｍｍにダイシングカットした。
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０wt%）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用い
た真空蒸着法によりパターン形成した。次いで、上記Ａ
ｕＳｎ表面上にＳｎのみを単独で厚み０．１μm（成膜
時間１０ｍｉｎ）になるよう真空蒸着し、その上面にＡ
ｕのみを単独で厚み０．１μｍ（成膜時間１０ｍｉｎ）
になるよう真空蒸着することで表面粗さＲａ０．３μｍ
になるよう調整した。次いで膜形成が完了した基板を長
さ１ｍｍ、幅１ｍｍにダイシングカットした。
【００２８】得られたヒートシンクサブマウントへの素
子の実装評価結果は滑り易さ：良、認識し易さ：良、接
着強度：良（１２．５ＭＰａ）であった。
子の実装評価結果は滑り易さ：良、認識し易さ：良、接
着強度：良（１２．５ＭＰａ）であった。
【００２９】比較例１
表裏両面を表面粗さＲａ：０．０３μｍに加工した2イ
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用
いた真空蒸着法によりパターン形成した。この時のＡｕ
Ｓｎ膜の表面粗さはＲａ０．０４μｍであった。次いで
単層膜を形成せずに、得られた基板を長さ１ｍｍ、幅１
ｍｍにダイシングカットした。
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用
いた真空蒸着法によりパターン形成した。この時のＡｕ
Ｓｎ膜の表面粗さはＲａ０．０４μｍであった。次いで
単層膜を形成せずに、得られた基板を長さ１ｍｍ、幅１
ｍｍにダイシングカットした。
【００３０】得られたヒートシンクサブマウントへの素
子の実装評価結果は滑り易さ：否、認識し易さ：否、接
着強度：良（１１．２ＭＰａ）であった。
子の実装評価結果は滑り易さ：否、認識し易さ：否、接
着強度：良（１１．２ＭＰａ）であった。
【００３１】実施例３
表裏両面を表面粗さＲａ：０．０３μｍに加工した2イ
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用
いた真空蒸着法によりパターン形成した。次いで、上記
ＡｕＳｎ表面上にＳｎのみを単独で厚み０．１μm（成
膜時間５ｍｉｎ）になるよう真空蒸着し、その上面にＡ
ｕのみを単独で厚み０．１μｍ（成膜時間５ｍｉｎ）に
なるよう真空蒸着した。この時の表面粗さはＲａ１．５
μｍであった。次いで膜形成が完了した基板を長さ１ｍ
ｍ、幅１ｍｍにダイシングカットした。
ンチ角、厚み０．３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表
裏両面にメタライズ膜（第１層／第２層／第３層＝Ｔ
ｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：２μｍ／Ａｕ：３μｍ）をスパ
ッタリング法により形成した後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ
＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み３μｍ）を金属マスクを用
いた真空蒸着法によりパターン形成した。次いで、上記
ＡｕＳｎ表面上にＳｎのみを単独で厚み０．１μm（成
膜時間５ｍｉｎ）になるよう真空蒸着し、その上面にＡ
ｕのみを単独で厚み０．１μｍ（成膜時間５ｍｉｎ）に
なるよう真空蒸着した。この時の表面粗さはＲａ１．５
μｍであった。次いで膜形成が完了した基板を長さ１ｍ
ｍ、幅１ｍｍにダイシングカットした。
【００３２】得られたヒートシンクサブマウントへの素
子の実装評価結果は滑り易さ：良、認識し易さ：良、接
着強度：良（９．９ＭＰａ）であった。
子の実装評価結果は滑り易さ：良、認識し易さ：良、接
着強度：良（９．９ＭＰａ）であった。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明より理解されるように、本発
明における溶着金属膜の表面粗さを調整したヒートシン
クサブマウントでは溶着金属膜の上に素子の実装の際に
おいて素子の滑りやすさや光半導体素子の実装位置の認
識しづらさを解消することができる。
明における溶着金属膜の表面粗さを調整したヒートシン
クサブマウントでは溶着金属膜の上に素子の実装の際に
おいて素子の滑りやすさや光半導体素子の実装位置の認
識しづらさを解消することができる。
【００３４】また、表面粗さを調節した溶着金属膜は複
数の金属を同時に真空蒸着した後、各金属を単層膜形成
することにより得ることができる。
数の金属を同時に真空蒸着した後、各金属を単層膜形成
することにより得ることができる。
【図１】本発明における一般的なヒートシンクサブマウ
ントの断面図
ントの断面図
【図２】本発明における代表的なヒートシンクサブマウ
ントの断面図
ントの断面図
１ 熱伝導性電気絶縁基板
２、２’ メタライズ膜
３ 溶着金属膜
４ 主層
５ 単層膜
６ 単層膜
Claims (3)
- 【請求項１】熱伝導性電気絶縁材料よりなる基体表面に
メタライズ膜を介して、溶着金属膜が形成されたヒート
シンクサブマウントにおいて、該溶着金属膜の表面粗さ
がRa０．０５μｍ以上であることを特徴とするヒートシ
ンクサブマウント。 - 【請求項２】熱伝導性電気絶縁材料よりなる基体表面
に、メタライズ膜を介して溶着金属膜を固着存在させた
ヒートシンクサブマウントであって、該溶着金属は、２
種類以上の金属の合金よりなる主層と該主層の表面に該
合金を構成する金属の一成分よりなる表面層を有するこ
とを特徴とする請求項１記載のヒートシンクサブマウン
ト。 - 【請求項３】表面にメタライズ膜を有する熱伝導性電気
絶縁材料のメタライズ膜面に、複数の溶着金属膜の構成
金属を同時に蒸着し、該金属の合金よりなる溶着金属膜
の主層を形成させ、次いで該主層上に、主層を構成する
金属の内一種の金属層を形成させることを特徴とする請
求項１記載のヒートシンクサブマウントの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001391480A JP4014867B2 (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | ヒートシンクサブマウント及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001391480A JP4014867B2 (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | ヒートシンクサブマウント及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003198024A true JP2003198024A (ja) | 2003-07-11 |
| JP4014867B2 JP4014867B2 (ja) | 2007-11-28 |
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ID=27599060
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001391480A Expired - Fee Related JP4014867B2 (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | ヒートシンクサブマウント及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4014867B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007251142A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-09-27 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 半田層及びそれを用いた電子デバイス接合用基板並びにその製造方法 |
| JP2009244144A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Kyushu Nogeden:Kk | 赤外線検出による被検体用台及びそれを用いた被検体欠陥部等の赤外線検査方法 |
| EP2721636A1 (en) * | 2011-06-17 | 2014-04-23 | IPG Photonics Corporation | Semiconductor unit with submount for semiconductor device |
-
2001
- 2001-12-25 JP JP2001391480A patent/JP4014867B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2009244144A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Kyushu Nogeden:Kk | 赤外線検出による被検体用台及びそれを用いた被検体欠陥部等の赤外線検査方法 |
| EP2721636A1 (en) * | 2011-06-17 | 2014-04-23 | IPG Photonics Corporation | Semiconductor unit with submount for semiconductor device |
| EP2721636A4 (en) * | 2011-06-17 | 2015-04-01 | Ipg Photonics Corp | SEMICONDUCTOR UNIT WITH MOUNTING BASE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4014867B2 (ja) | 2007-11-28 |
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