JP2003195369A - 光学装置 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12145—Switch
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の低下を招くことなく、各々のプリズ
ム電極に電圧を印加し得る光学装置を提供する。 【解決手段】 制御回路が形成された第１の基板１０
と、第１の基板の上方に設けられ、電気光学効果により
屈折率が変化する光導波路層４０と、光導波路層に電圧
を印加するプリズム電極１８とが形成された第２の基板
１４ａ、１４ｂとを有し、制御回路とプリズム電極と
が、柱状の導電体２０を介して電気的に接続されている
ことを特徴とする光学装置。
ム電極に電圧を印加し得る光学装置を提供する。 【解決手段】 制御回路が形成された第１の基板１０
と、第１の基板の上方に設けられ、電気光学効果により
屈折率が変化する光導波路層４０と、光導波路層に電圧
を印加するプリズム電極１８とが形成された第２の基板
１４ａ、１４ｂとを有し、制御回路とプリズム電極と
が、柱状の導電体２０を介して電気的に接続されている
ことを特徴とする光学装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置に係り、
特に、光路の切り換えや光の偏向を行い得る光学装置に
関する。
特に、光路の切り換えや光の偏向を行い得る光学装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光スイッチは、光通信ネットワークの中
で、光の経路を切り換える中継点として機能するもので
あり、光通信ネットワークを構築する上で不可欠な構成
要素である。
で、光の経路を切り換える中継点として機能するもので
あり、光通信ネットワークを構築する上で不可欠な構成
要素である。
【０００３】近時、電気光学効果（Electro-Optic Effe
ct、ＥＯ効果）により光の経路を切り換える光スイッチ
が提案されている。
ct、ＥＯ効果）により光の経路を切り換える光スイッチ
が提案されている。
【０００４】提案されている光スイッチは、光導波路層
に電界を印加し、電気光学効果により屈折率を制御する
ことで、光の経路を切り換えるものであり、高速スイッ
チングが可能である。また、大電流を流すことを要しな
いため、熱光学スイッチと比較して、格段に消費電力を
低減することができる。また、機械的に可動する部分が
存在しないため、高い信頼性を得ることができる。
に電界を印加し、電気光学効果により屈折率を制御する
ことで、光の経路を切り換えるものであり、高速スイッ
チングが可能である。また、大電流を流すことを要しな
いため、熱光学スイッチと比較して、格段に消費電力を
低減することができる。また、機械的に可動する部分が
存在しないため、高い信頼性を得ることができる。
【０００５】提案されている光スイッチの偏向部には、
多数のプリズム電極が形成されている。提案されている
光スイッチでは、各々のプリズム電極に対して適宜電圧
を印加することにより、光信号を所望の方向に偏向し、
光信号を任意のチャンネルに導くことができる。
多数のプリズム電極が形成されている。提案されている
光スイッチでは、各々のプリズム電極に対して適宜電圧
を印加することにより、光信号を所望の方向に偏向し、
光信号を任意のチャンネルに導くことができる。
【０００６】各々のプリズム電極に対して電圧を印加す
る方法として、例えば、ボンディングによりプリズム電
極に対して配線を接続することが考えられる。図９は、
ボンディングにより接続された配線によりプリズム電極
に電圧を印加する場合を示す概略図である。
る方法として、例えば、ボンディングによりプリズム電
極に対して配線を接続することが考えられる。図９は、
ボンディングにより接続された配線によりプリズム電極
に電圧を印加する場合を示す概略図である。
【０００７】図９に示すように、光導波路基板１１２上
には、スラブ光導波路層１４０が形成されている。スラ
ブ光導波路層１４０上には、多数のプリズム電極１１８
が形成されている。各々のプリズム電極１１８には、ボ
ンディングにより、配線１０２が接続されている。図９
に示す光スイッチでは、各々の配線１０２を介して、各
々のプリズム電極１１８に電圧が印加される。
には、スラブ光導波路層１４０が形成されている。スラ
ブ光導波路層１４０上には、多数のプリズム電極１１８
が形成されている。各々のプリズム電極１１８には、ボ
ンディングにより、配線１０２が接続されている。図９
に示す光スイッチでは、各々の配線１０２を介して、各
々のプリズム電極１１８に電圧が印加される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ボンデ
ィングにより接続された配線１０２によりプリズム電極
１１８に電圧を印加する場合には、配線１０２の引き回
しが非常に煩雑であった。
ィングにより接続された配線１０２によりプリズム電極
１１８に電圧を印加する場合には、配線１０２の引き回
しが非常に煩雑であった。
【０００９】ここで、ビアが埋め込まれた光導波路基板
を制御基板に実装し、半田バンプ及びビアを介して、制
御基板からプリズム電極に電圧を印加することも考えら
れる。しかし、この場合には、接合プロセスにおいて、
光導波路基板と制御基板の熱膨張係数の相違に起因し
て、半田バンプに大きな剪断応力が加わる虞がある。即
ち、光導波路基板の材料として例えばセラミックスを用
い、制御基板の材料として例えば樹脂を用いた場合に
は、光導波路基板と制御基板との熱膨張係数が大きく相
違することとなる。このため、接合プロセスにおいて、
光導波路基板と制御基板との熱膨張係数の差異に起因し
て、半田バンプに大きな剪断応力が加わり、ひいては信
頼性の低下を招くこととなる。
を制御基板に実装し、半田バンプ及びビアを介して、制
御基板からプリズム電極に電圧を印加することも考えら
れる。しかし、この場合には、接合プロセスにおいて、
光導波路基板と制御基板の熱膨張係数の相違に起因し
て、半田バンプに大きな剪断応力が加わる虞がある。即
ち、光導波路基板の材料として例えばセラミックスを用
い、制御基板の材料として例えば樹脂を用いた場合に
は、光導波路基板と制御基板との熱膨張係数が大きく相
違することとなる。このため、接合プロセスにおいて、
光導波路基板と制御基板との熱膨張係数の差異に起因し
て、半田バンプに大きな剪断応力が加わり、ひいては信
頼性の低下を招くこととなる。
【００１０】本発明の目的は、信頼性の低下を招くこと
なく、各々のプリズム電極に電圧を印加し得る光学装置
を提供することにある。
なく、各々のプリズム電極に電圧を印加し得る光学装置
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、制御回路が
形成された第１の基板と、前記第１の基板の上方に設け
られ、電気光学効果により屈折率が変化する光導波路層
と、前記光導波路層に電圧を印加するプリズム電極とが
形成された第２の基板とを有し、前記制御回路と前記プ
リズム電極とが、柱状の導電体を介して電気的に接続さ
れていることを特徴とする光学装置により達成される。
形成された第１の基板と、前記第１の基板の上方に設け
られ、電気光学効果により屈折率が変化する光導波路層
と、前記光導波路層に電圧を印加するプリズム電極とが
形成された第２の基板とを有し、前記制御回路と前記プ
リズム電極とが、柱状の導電体を介して電気的に接続さ
れていることを特徴とする光学装置により達成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態による光スイ
ッチを図１乃至図７を用いて説明する。図１は、本実施
形態による光スイッチを示す概略図（その１）である。
図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は平面図であ
る。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ′線断面図であ
る。図２は、本実施形態による光スイッチを示す概略図
（その２）である。図２（ａ）は断面図であり、図２
（ｂ）は平面図である。図２（ａ）は、図２（ｂ）のＢ
−Ｂ′線断面図である。図３は、光導波路基板を示す断
面図である。図４は、光偏向基板を示す概略図（その
１）である。図４（ａ）は断面図であり、図４（ｂ）は
平面図である。図４（ａ）は、図４（ｂ）のＣ−Ｃ′線
断面図である。図５は、光偏向基板を示す概略図（その
２）である。図５（ａ）は断面図であり、図５（ｂ）は
平面図である。図６は、本実施形態による光スイッチの
動作原理を示す概念図である。図７は、本実施形態によ
る光スイッチの動作を示す平面図である。
ッチを図１乃至図７を用いて説明する。図１は、本実施
形態による光スイッチを示す概略図（その１）である。
図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は平面図であ
る。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ′線断面図であ
る。図２は、本実施形態による光スイッチを示す概略図
（その２）である。図２（ａ）は断面図であり、図２
（ｂ）は平面図である。図２（ａ）は、図２（ｂ）のＢ
−Ｂ′線断面図である。図３は、光導波路基板を示す断
面図である。図４は、光偏向基板を示す概略図（その
１）である。図４（ａ）は断面図であり、図４（ｂ）は
平面図である。図４（ａ）は、図４（ｂ）のＣ−Ｃ′線
断面図である。図５は、光偏向基板を示す概略図（その
２）である。図５（ａ）は断面図であり、図５（ｂ）は
平面図である。図６は、本実施形態による光スイッチの
動作原理を示す概念図である。図７は、本実施形態によ
る光スイッチの動作を示す平面図である。
【００１３】なお、本実施形態では、本発明を光スイッ
チに適用する場合を例に説明するが、本発明は、光スイ
ッチのみならず、あらゆる光学装置に適用することが可
能である。
チに適用する場合を例に説明するが、本発明は、光スイ
ッチのみならず、あらゆる光学装置に適用することが可
能である。
【００１４】図１に示すように、本実施形態による光ス
イッチは、制御回路（図示せず）が形成された制御基板
１０と、制御基板１０上に実装された光導波路基板１２
と、光導波路基板１２上に実装された光偏向基板１４
ａ、１４ｂと、制御基板１０上に設けられたコネクタ１
６ａ、１６ｂとを有している。
イッチは、制御回路（図示せず）が形成された制御基板
１０と、制御基板１０上に実装された光導波路基板１２
と、光導波路基板１２上に実装された光偏向基板１４
ａ、１４ｂと、制御基板１０上に設けられたコネクタ１
６ａ、１６ｂとを有している。
【００１５】セラミックより成る制御基板１０の下面側
には、上述したように制御回路が形成されている。制御
回路は、光偏向基板１４ａ、１４ｂに形成されたプリズ
ム電極１８に適宜電圧を印加することにより、光信号の
進行方向を制御するものである。
には、上述したように制御回路が形成されている。制御
回路は、光偏向基板１４ａ、１４ｂに形成されたプリズ
ム電極１８に適宜電圧を印加することにより、光信号の
進行方向を制御するものである。
【００１６】制御基板１０と光導波路基板１２との間に
は、銅板より成る板バネ２２ａ、２２ｂが挟まれてい
る。板バネ２２ａ、２２ｂは、光導波路基板１２と光偏
向基板１４ａ、１４ｂとを密着させるためのものであ
る。
は、銅板より成る板バネ２２ａ、２２ｂが挟まれてい
る。板バネ２２ａ、２２ｂは、光導波路基板１２と光偏
向基板１４ａ、１４ｂとを密着させるためのものであ
る。
【００１７】光導波路基板１２は、固定金具１３によ
り、制御基板１０に固定されている。
り、制御基板１０に固定されている。
【００１８】光導波路基板１２の上面には、スラブ光導
波路層２４が形成されている。スラブ光導波路層２４
は、光導波路基板１２の上面の中央部に形成されてい
る。
波路層２４が形成されている。スラブ光導波路層２４
は、光導波路基板１２の上面の中央部に形成されてい
る。
【００１９】図３は、光導波路基板を示す断面図であ
る。
る。
【００２０】図３に示すように、下部クラッド層を兼ね
る石英基板１２上には、Ｇｅ拡散領域より成るコア層２
６が形成されている。コア層２６の屈折率と石英基板１
２の屈折率とは互いに異なっている。
る石英基板１２上には、Ｇｅ拡散領域より成るコア層２
６が形成されている。コア層２６の屈折率と石英基板１
２の屈折率とは互いに異なっている。
【００２１】コア層２６上には、ＳｉＯ2より成る上部
クラッド層２８が形成されている。上部クラッド層２８
は、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成することが可
能である。上部クラッド層２８の屈折率は、下部クラッ
ド層を兼ねる石英基板１３の屈折率とほぼ等しくなって
いる。
クラッド層２８が形成されている。上部クラッド層２８
は、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成することが可
能である。上部クラッド層２８の屈折率は、下部クラッ
ド層を兼ねる石英基板１３の屈折率とほぼ等しくなって
いる。
【００２２】下部クラッド層を兼ねる石英基板１２、コ
ア層２６、及び上部クラッド層２８により、スラブ光導
波路層２４が構成されている。
ア層２６、及び上部クラッド層２８により、スラブ光導
波路層２４が構成されている。
【００２３】図１及び図２に示すように、光導波路基板
１２上には、高分子ポリマより成るチャネル導波路３０
が形成されている。チャネル導波路層３０の端部は、横
方向のコリメートができるような形状にパターニングさ
れている。
１２上には、高分子ポリマより成るチャネル導波路３０
が形成されている。チャネル導波路層３０の端部は、横
方向のコリメートができるような形状にパターニングさ
れている。
【００２４】チャネル導波路３０の端部には、レンズ３
１が設けられている。レンズ３１は、チャネル導波路３
０と、後述する光偏向基板１４ａのスラブ光導波路層４
０とを光学的に結合するためのものである。
１が設けられている。レンズ３１は、チャネル導波路３
０と、後述する光偏向基板１４ａのスラブ光導波路層４
０とを光学的に結合するためのものである。
【００２５】光導波路基板１２には、開口部３２がスト
ライプ状に形成されている。開口部３２は、ピン２０を
実装する領域を確保するためのものである。開口部３０
は、例えば、サンドブラスト法により形成することがで
きる。
ライプ状に形成されている。開口部３２は、ピン２０を
実装する領域を確保するためのものである。開口部３０
は、例えば、サンドブラスト法により形成することがで
きる。
【００２６】開口部３２内における制御基板１０の上面
には、電極パッド（図示せず）が形成されている。
には、電極パッド（図示せず）が形成されている。
【００２７】電極パッド上には、Ｃｕより成るピン２０
が実装されている。ピン２０は、制御回路とプリズム電
極１８とを電気的に接続するためのものである。ピン２
０は、例えば高融点半田を用いて、電極パッドに固定さ
れている。
が実装されている。ピン２０は、制御回路とプリズム電
極１８とを電気的に接続するためのものである。ピン２
０は、例えば高融点半田を用いて、電極パッドに固定さ
れている。
【００２８】ピン２０は、図２に示すように、一体に形
成された基部２０ａ及び柱状部２０ｂにより構成されて
いる。基部２０ａは、柱状部２０ｂを支えるものであ
る。基部２０ａの底面積が比較的大きくなっているた
め、ピン２０を電極パッドに半田付けするのが容易とな
る。一方、柱状部２０は、細く形成されているため、外
力に応じて撓む。電極パッド上に実装されたピン２０
は、制御基板１０に埋め込まれたビア（図示せず）等を
介して、制御回路に電気的に接続されている。
成された基部２０ａ及び柱状部２０ｂにより構成されて
いる。基部２０ａは、柱状部２０ｂを支えるものであ
る。基部２０ａの底面積が比較的大きくなっているた
め、ピン２０を電極パッドに半田付けするのが容易とな
る。一方、柱状部２０は、細く形成されているため、外
力に応じて撓む。電極パッド上に実装されたピン２０
は、制御基板１０に埋め込まれたビア（図示せず）等を
介して、制御回路に電気的に接続されている。
【００２９】光導波路基板１２上には、光偏向基板１４
ａ、１４ｂが実装されている。
ａ、１４ｂが実装されている。
【００３０】図４に示すように、ＮｂがドープされたＳ
ＴＯ基板１４上には、例えば、厚さ１５００ｎｍのＰＬ
ＺＴより成る下部クラッド層３４が形成されている。下
部クラッド層３４の組成は、例えばＰｂ0.09Ｌａ
0.91（Ｚｒ0.65Ｔｉ0.35）Ｏ3となっている。下部クラ
ッド層３４の屈折率は、例えば２．４５となっている。
下部クラッド層３４は、例えば、ゾル・ゲル（sol-ge
l）法により形成することができる。
ＴＯ基板１４上には、例えば、厚さ１５００ｎｍのＰＬ
ＺＴより成る下部クラッド層３４が形成されている。下
部クラッド層３４の組成は、例えばＰｂ0.09Ｌａ
0.91（Ｚｒ0.65Ｔｉ0.35）Ｏ3となっている。下部クラ
ッド層３４の屈折率は、例えば２．４５となっている。
下部クラッド層３４は、例えば、ゾル・ゲル（sol-ge
l）法により形成することができる。
【００３１】下部クラッド層３４上には、例えば、厚さ
２０００ｎｍのＰＺＴより成るコア層３６が形成されて
いる。コア層３６の組成は、例えばＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ
0.48）Ｏ3となっている。このような組成のコア層３６
の屈折率は、例えば２．５６となる。コア層３６は、例
えば、ゾル・ゲル法により形成することが可能である。
２０００ｎｍのＰＺＴより成るコア層３６が形成されて
いる。コア層３６の組成は、例えばＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ
0.48）Ｏ3となっている。このような組成のコア層３６
の屈折率は、例えば２．５６となる。コア層３６は、例
えば、ゾル・ゲル法により形成することが可能である。
【００３２】コア層３６上には、例えば、厚さ１５００
ｎｍのＰＬＺＴより成る上部クラッド層３８が形成され
ている。上部クラッド層３８の組成は、下部クラッド層
３４と同様に、例えばＰｂ0.09Ｌａ0.91（Ｚｒ0.65Ｔｉ
0.35）Ｏ3となっている。上部クラッド層３８の屈折率
は、下部クラッド層３４と同様に、例えば２．４５とな
っている。上部クラッド層３８は、下部クラッド層３４
と同様に、例えば、ゾル・ゲル法により形成することが
可能である。
ｎｍのＰＬＺＴより成る上部クラッド層３８が形成され
ている。上部クラッド層３８の組成は、下部クラッド層
３４と同様に、例えばＰｂ0.09Ｌａ0.91（Ｚｒ0.65Ｔｉ
0.35）Ｏ3となっている。上部クラッド層３８の屈折率
は、下部クラッド層３４と同様に、例えば２．４５とな
っている。上部クラッド層３８は、下部クラッド層３４
と同様に、例えば、ゾル・ゲル法により形成することが
可能である。
【００３３】これら下部クラッド層３４、コア層３６、
及び上部クラッド層３８により、スラブ光導波路層４０
が構成されている。
及び上部クラッド層３８により、スラブ光導波路層４０
が構成されている。
【００３４】図４及び図５に示すように、スラブ光導波
路層４０上には、例えば、膜厚２００ｎｍのＡｕより成
るプリズム電極１８が形成されている。プリズム電極１
８は、例えば、スパッタ法により形成することができ
る。
路層４０上には、例えば、膜厚２００ｎｍのＡｕより成
るプリズム電極１８が形成されている。プリズム電極１
８は、例えば、スパッタ法により形成することができ
る。
【００３５】プリズム電極１８は、光導波路層４０に電
界を印加し、電気光学効果により、プリズム電極１８と
基板１４との間に挟まれた領域の光の屈折率を制御する
ものである。
界を印加し、電気光学効果により、プリズム電極１８と
基板１４との間に挟まれた領域の光の屈折率を制御する
ものである。
【００３６】光導波路層４０に用いられているＰＺＴや
ＰＬＺＴは、電界を加えると、電気光学効果により屈折
率が変化する材料である。光導波路層４０の材料とし
て、電気光学効果により屈折率が変化する材料が用いら
れているため、プリズム電極１８への印加電圧をオン、
オフすると、プリズム電極１８と基板１４とにより挟ま
れた領域の屈折率が変化する。
ＰＬＺＴは、電界を加えると、電気光学効果により屈折
率が変化する材料である。光導波路層４０の材料とし
て、電気光学効果により屈折率が変化する材料が用いら
れているため、プリズム電極１８への印加電圧をオン、
オフすると、プリズム電極１８と基板１４とにより挟ま
れた領域の屈折率が変化する。
【００３７】本明細書中では、プリズム電極１８と基板
１４との間に挟まれ、電界を印加することにより屈折率
を変化させ得る領域を、プリズム領域という。プリズム
領域は、実質的にプリズムとして機能し、光を偏向する
ことができる。
１４との間に挟まれ、電界を印加することにより屈折率
を変化させ得る領域を、プリズム領域という。プリズム
領域は、実質的にプリズムとして機能し、光を偏向する
ことができる。
【００３８】プリズム電極１８上には、ソルダーレジス
ト４２が形成されている。ソルダーレジスト４２には、
プリズム電極１８に達するコンタクトホール４４が形成
されている。コンタクトホール４４には、電極パッド４
６が形成されている。電極パッド４６は、コンタクトホ
ール４４を介して、プリズム電極１８に電気的に接続さ
れている。
ト４２が形成されている。ソルダーレジスト４２には、
プリズム電極１８に達するコンタクトホール４４が形成
されている。コンタクトホール４４には、電極パッド４
６が形成されている。電極パッド４６は、コンタクトホ
ール４４を介して、プリズム電極１８に電気的に接続さ
れている。
【００３９】電極パッド４６上には、低融点半田より成
る半田バンプ４８が形成されている。
る半田バンプ４８が形成されている。
【００４０】こうして光偏向基板基板１４ａ、１４ｂが
構成されている。
構成されている。
【００４１】光偏向基板１４ａ、１４ｂは、スラブ光導
波路層４０及びプリズム電極１８が形成された面が光導
波路基板１２と対向するように、光導波路基板１２上に
実装されている。
波路層４０及びプリズム電極１８が形成された面が光導
波路基板１２と対向するように、光導波路基板１２上に
実装されている。
【００４２】光偏向基板１４ａ、１４ｂに形成されたプ
リズム電極１８は、半田バンプ４８により、ピン２０に
接続されている。
リズム電極１８は、半田バンプ４８により、ピン２０に
接続されている。
【００４３】光偏向部基板１４ａ、１４ｂ上には、ステ
ンレスより成る支持板５２ａ、５２ｂが設けられてい
る。光偏向基板１４ａ、１４ｂと支持板との間には、例
えば銅板より成る板バネ５４が挟まれている。板バネ５
４は、制御基板１０と光導波路基板１２との間に挟まれ
た板バネ２２ａ、２２ｂと相俟って、光偏向基板１４
ａ、１４ｂと光導波路基板１２とを密着するものであ
る。
ンレスより成る支持板５２ａ、５２ｂが設けられてい
る。光偏向基板１４ａ、１４ｂと支持板との間には、例
えば銅板より成る板バネ５４が挟まれている。板バネ５
４は、制御基板１０と光導波路基板１２との間に挟まれ
た板バネ２２ａ、２２ｂと相俟って、光偏向基板１４
ａ、１４ｂと光導波路基板１２とを密着するものであ
る。
【００４４】光偏向基板１４ａ、１４ｂは、板バネ５４
及び支持板５２ａ、５２ｂを介して接地される。光偏向
基板１４ａ、１４ｂが接地されるため、光偏向基板１４
ａ、１４ｂに静電気が蓄積されるのを防止することがで
き、静電気による素子の破壊が防止される。
及び支持板５２ａ、５２ｂを介して接地される。光偏向
基板１４ａ、１４ｂが接地されるため、光偏向基板１４
ａ、１４ｂに静電気が蓄積されるのを防止することがで
き、静電気による素子の破壊が防止される。
【００４５】また、図１及び図２に示すように、制御基
板１０上には、コネクタ部１６ａ、１６ｂが設けられて
いる。
板１０上には、コネクタ部１６ａ、１６ｂが設けられて
いる。
【００４６】コネクタ部１６ａ、１６ｂには、それぞ
れ、例えば４本の光ファイバケーブル５６が差し込まれ
るようになっている。光ファイバケーブル５６の芯線５
８は、コネクタ部１６ａ、１６ｂに形成された孔に差し
込まれている。
れ、例えば４本の光ファイバケーブル５６が差し込まれ
るようになっている。光ファイバケーブル５６の芯線５
８は、コネクタ部１６ａ、１６ｂに形成された孔に差し
込まれている。
【００４７】こうして、本実施形態による光スイッチが
構成されている。
構成されている。
【００４８】次に、本実施形態による光スイッチの動作
原理について図６を用いて説明する。
原理について図６を用いて説明する。
【００４９】図６は、本実施形態による光スイッチの動
作原理を示す概念図である。
作原理を示す概念図である。
【００５０】図６に示すように、プリズム電極１８ｂ1
〜１８ｂ4には電圧が印加されており、プリズム電極１
８ａ1〜１８ａ4には電圧が印加されていない。
〜１８ｂ4には電圧が印加されており、プリズム電極１
８ａ1〜１８ａ4には電圧が印加されていない。
【００５１】プリズム電極１８ｂ1〜１８ｂ4に電圧が印
加されているため、プリズム電極１８ｂ1〜１８ｂ4と基
板１４との間に挟まれたプリズム領域において屈折率が
変化する。プリズム領域が構成されていない領域におけ
るスラブ光導波路層４０の屈折率をｎとすると、プリズ
ム電極１８ｂ1〜１８ｂ4と基板１４との間に挟まれたプ
リズム領域における屈折率は、ｎ−Δｎとなる。
加されているため、プリズム電極１８ｂ1〜１８ｂ4と基
板１４との間に挟まれたプリズム領域において屈折率が
変化する。プリズム領域が構成されていない領域におけ
るスラブ光導波路層４０の屈折率をｎとすると、プリズ
ム電極１８ｂ1〜１８ｂ4と基板１４との間に挟まれたプ
リズム領域における屈折率は、ｎ−Δｎとなる。
【００５２】一方、プリズム電極１８ａ1〜１８ａ4には
電圧が印加されていないため、プリズム電極１８ａ1〜
１８ａ4と基板１４との間にはプリズム領域は構成され
ず、屈折率は変化しない。プリズム電極１８ａ1〜１８
ａ4と基板１４との間の屈折率はｎのままとなる。
電圧が印加されていないため、プリズム電極１８ａ1〜
１８ａ4と基板１４との間にはプリズム領域は構成され
ず、屈折率は変化しない。プリズム電極１８ａ1〜１８
ａ4と基板１４との間の屈折率はｎのままとなる。
【００５３】光偏向基板１４のスラブ光導波路層４０に
導入された光信号は、プリズム領域を通過する毎に偏向
され、図６に示すような光路で進行する。
導入された光信号は、プリズム領域を通過する毎に偏向
され、図６に示すような光路で進行する。
【００５４】次に、本実施形態による光スイッチの動作
について図７を用いて説明する。
について図７を用いて説明する。
【００５５】図７（ａ）は、光路が切り換えられていな
い状態を示しており、図７（ｂ）は、光路が切り換えら
れた状態を示している。
い状態を示しており、図７（ｂ）は、光路が切り換えら
れた状態を示している。
【００５６】まず、図７（ａ）に示す状態について説明
する。
する。
【００５７】図７（ａ）に示す状態では、光偏向基板１
４ａ、１４ｂのいずれのプリズム電極１８にも電圧が印
加されていない。このため、光ファイバケーブル５６ａ
〜５６ｄから導入される光信号は、光路が切り換えられ
ることなく、対応する光ファイバケーブル５６ｅ〜５６
ｈにそれぞれ導入される。
４ａ、１４ｂのいずれのプリズム電極１８にも電圧が印
加されていない。このため、光ファイバケーブル５６ａ
〜５６ｄから導入される光信号は、光路が切り換えられ
ることなく、対応する光ファイバケーブル５６ｅ〜５６
ｈにそれぞれ導入される。
【００５８】図７（ｂ）に示す状態では、光偏向基板１
４ａ、１４ｂのプリズム電極１８に電圧が適宜印加され
ている。このため、光ファイバケーブル５６ｂから導入
される光信号は、光路が切り換えられ、例えば光ファイ
バケーブル５６ｇに導入される。また、光ファイバケー
ブルから導入される光信号は、光路が切り換えられ、光
ファイバケーブル５６ｈに導入される。また、光ファイ
バケーブル５６ｄから導入される光信号は、光路が切り
換えられ、光ファイバケーブル５６ｆに導入される。一
方、光ファイバケーブル５６ａから導入される光信号
は、光路が切り換えられることなく、光ファイバケーブ
ル５６ｅに導入される。
４ａ、１４ｂのプリズム電極１８に電圧が適宜印加され
ている。このため、光ファイバケーブル５６ｂから導入
される光信号は、光路が切り換えられ、例えば光ファイ
バケーブル５６ｇに導入される。また、光ファイバケー
ブルから導入される光信号は、光路が切り換えられ、光
ファイバケーブル５６ｈに導入される。また、光ファイ
バケーブル５６ｄから導入される光信号は、光路が切り
換えられ、光ファイバケーブル５６ｆに導入される。一
方、光ファイバケーブル５６ａから導入される光信号
は、光路が切り換えられることなく、光ファイバケーブ
ル５６ｅに導入される。
【００５９】本実施形態による光スイッチは、プリズム
電極１８と制御回路とが、ピン２０を介して電気的に接
続されていることに主な特徴がある。
電極１８と制御回路とが、ピン２０を介して電気的に接
続されていることに主な特徴がある。
【００６０】上述したように、ボンディングにより接続
された配線によりプリズム電極に電圧を印加する場合に
は、配線の引き回しが非常に煩雑となる。
された配線によりプリズム電極に電圧を印加する場合に
は、配線の引き回しが非常に煩雑となる。
【００６１】また、ビアが埋め込まれた光導波路基板を
制御基板上に直接実装し、ビア及び半田バンプを介して
プリズム電極に電圧を印加する場合には、上述したよう
に、接合プロセスにおいて、制御基板と光導波路基板と
の熱膨張係数の相違に起因して接合部に剪断応力が加わ
り、信頼性の低下を招く虞がある。
制御基板上に直接実装し、ビア及び半田バンプを介して
プリズム電極に電圧を印加する場合には、上述したよう
に、接合プロセスにおいて、制御基板と光導波路基板と
の熱膨張係数の相違に起因して接合部に剪断応力が加わ
り、信頼性の低下を招く虞がある。
【００６２】これに対し、本実施形態では、ピン２０を
介して、制御回路とプリズム電極１８とが電気的に接続
されている。ピン２０は、基部２０ａと柱状部２０ｂと
から構成されており、柱状部２０ｂが細く形成されてい
るため、柱状部２０ｂは外力に応じて撓む。このため、
本実施形態によれば、制御基板１０と光偏向基板１４
ａ、１４ｂとの熱膨張係数が大きく相違している場合で
あっても、ピン２０の柱状部２０ｂが外力に応じて撓む
ため、接合プロセスにおいて接合部にダメージが加わる
のを防止することができる。従って、本実施形態によれ
ば、信頼性の高い光スイッチを提供することが可能とな
る。
介して、制御回路とプリズム電極１８とが電気的に接続
されている。ピン２０は、基部２０ａと柱状部２０ｂと
から構成されており、柱状部２０ｂが細く形成されてい
るため、柱状部２０ｂは外力に応じて撓む。このため、
本実施形態によれば、制御基板１０と光偏向基板１４
ａ、１４ｂとの熱膨張係数が大きく相違している場合で
あっても、ピン２０の柱状部２０ｂが外力に応じて撓む
ため、接合プロセスにおいて接合部にダメージが加わる
のを防止することができる。従って、本実施形態によれ
ば、信頼性の高い光スイッチを提供することが可能とな
る。
【００６３】また、本実施形態による光スイッチは、光
偏向基板１４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０が形成
された面と、光導波路基板１２のスラブ光導波路層２４
が形成された面とが互いに対向するように、光導波路基
板１２上に光導波路基板１４ａ、１４ｂが実装されてい
ることにも、主な特徴の一つがある。
偏向基板１４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０が形成
された面と、光導波路基板１２のスラブ光導波路層２４
が形成された面とが互いに対向するように、光導波路基
板１２上に光導波路基板１４ａ、１４ｂが実装されてい
ることにも、主な特徴の一つがある。
【００６４】本実施形態によれば、光偏向基板１４ａ、
１４ｂのスラブ光導波路層４０が形成された面と、光導
波路基板１２のスラブ光導波路層２４が形成された面と
が互いに対向するように、光導波路基板１２上に光導波
路基板１４ａ、１４ｂが実装されているため、光偏向基
板１４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０と光導波路基
板１２のスラブ光導波路層２４とを確実に位置合わせす
ることができる。従って、本実施形態によれば、光偏向
基板１４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０と光導波路
基板１２のスラブ光導波路層２４との間で良好な光学的
な結合を実現することができ、ひいては光学的特性が良
好な光スイッチを提供することができる。
１４ｂのスラブ光導波路層４０が形成された面と、光導
波路基板１２のスラブ光導波路層２４が形成された面と
が互いに対向するように、光導波路基板１２上に光導波
路基板１４ａ、１４ｂが実装されているため、光偏向基
板１４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０と光導波路基
板１２のスラブ光導波路層２４とを確実に位置合わせす
ることができる。従って、本実施形態によれば、光偏向
基板１４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０と光導波路
基板１２のスラブ光導波路層２４との間で良好な光学的
な結合を実現することができ、ひいては光学的特性が良
好な光スイッチを提供することができる。
【００６５】また、本実施形態による光スイッチは、制
御基板１０と光導波路基板１２との間、及び光導波路基
板１２と光偏向基板１４ａ、１４ｂとの間に、それぞれ
板バネ２２ａ、２２ｂ、５４が挟まれていることにも、
主な特徴の一つがある。
御基板１０と光導波路基板１２との間、及び光導波路基
板１２と光偏向基板１４ａ、１４ｂとの間に、それぞれ
板バネ２２ａ、２２ｂ、５４が挟まれていることにも、
主な特徴の一つがある。
【００６６】本実施形態によれば、板バネ２２ａ、２２
ｂ、５４により光偏向基板１４ａ、１４ｂと光導波路基
板１２とを密着させることができるので、光偏向基板１
４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０と光導波路基板１
２のスラブ光導波路層２４とを高精度に位置合わせする
ことができる。従って、本実施形態によれば、光学的な
結合をより良好にすることができる。
ｂ、５４により光偏向基板１４ａ、１４ｂと光導波路基
板１２とを密着させることができるので、光偏向基板１
４ａ、１４ｂのスラブ光導波路層４０と光導波路基板１
２のスラブ光導波路層２４とを高精度に位置合わせする
ことができる。従って、本実施形態によれば、光学的な
結合をより良好にすることができる。
【００６７】また、本実施形態による光スイッチは、板
バネ２２ａ、２２ｂ、５４や支持板５２ａ、５２ｂが導
電体により構成されており、光偏向基板１４ａ、１４ｂ
が板バネ５４や支持板５２ａ、５２ｂ等を介して接地さ
れることにも、主な特徴の一つがある。
バネ２２ａ、２２ｂ、５４や支持板５２ａ、５２ｂが導
電体により構成されており、光偏向基板１４ａ、１４ｂ
が板バネ５４や支持板５２ａ、５２ｂ等を介して接地さ
れることにも、主な特徴の一つがある。
【００６８】本実施形態によれば、光偏向基板１４ａ、
１４ｂが板バネ５４や支持板５２ａ、５２ｂ等を介して
接地されるため、光偏向基板１４ａ、１４ｂに静電気が
蓄積されるのを防止することができる。従って、本実施
形態によれば、静電気による素子の破壊を防止すること
ができ、信頼性の高い光スイッチを提供することができ
る。
１４ｂが板バネ５４や支持板５２ａ、５２ｂ等を介して
接地されるため、光偏向基板１４ａ、１４ｂに静電気が
蓄積されるのを防止することができる。従って、本実施
形態によれば、静電気による素子の破壊を防止すること
ができ、信頼性の高い光スイッチを提供することができ
る。
【００６９】（変形例）本実施形態の変形例による光ス
イッチを図８を用いて説明する。図８は、本変形例によ
る光スイッチを示す概略図である。
イッチを図８を用いて説明する。図８は、本変形例によ
る光スイッチを示す概略図である。
【００７０】本変形例による光スイッチは、光偏向基板
１４ａ、１４ｂと制御基板１０との間にスペーサ６２が
挟まれていることに、主な特徴がある。
１４ａ、１４ｂと制御基板１０との間にスペーサ６２が
挟まれていることに、主な特徴がある。
【００７１】図８に示すように、光偏向基板１４ａ、１
４ｂと制御基板１０との間には、スペーサ６２が設けら
れている。スペーサ６２には、ストライプ状に開口部６
４が形成されている。
４ｂと制御基板１０との間には、スペーサ６２が設けら
れている。スペーサ６２には、ストライプ状に開口部６
４が形成されている。
【００７２】図１や図２等に示す光スイッチでは、光導
波路基板１２に開口部３２内にピン２０を実装していた
が、本変形例では、光偏向基板１４ａ、１４ｂと制御基
板１０との間にスペーサ６２を挟み、スペーサ６２に形
成された開口部６４内にピンを設けている。
波路基板１２に開口部３２内にピン２０を実装していた
が、本変形例では、光偏向基板１４ａ、１４ｂと制御基
板１０との間にスペーサ６２を挟み、スペーサ６２に形
成された開口部６４内にピンを設けている。
【００７３】このように、光偏向基板１４ａ、１４ｂと
制御基板１０との間にスペーサ６２を挟み、スペーサ６
２に形成された開口部６４内にピン２０を設けてもよ
い。
制御基板１０との間にスペーサ６２を挟み、スペーサ６
２に形成された開口部６４内にピン２０を設けてもよ
い。
【００７４】［変形実施形態］本発明は上記実施形態に
限らず種々の変形が可能である。
限らず種々の変形が可能である。
【００７５】例えば、上記実施形態では、基部２０ａが
制御基板１０側になるようにピン２０を実装したが、基
部２０ａが光偏向基板１４ａ、１４ｂ側になるようにピ
ン２０を実装してもよい。この場合には、ピン２０の基
部２０ａ側を高融点半田を用いてプリズム電極１８に固
定し、ピン２０の柱状部２０ｂを低融点半田を用いて制
御基板１０の電極パッド（図示せず）に固定すればよ
い。
制御基板１０側になるようにピン２０を実装したが、基
部２０ａが光偏向基板１４ａ、１４ｂ側になるようにピ
ン２０を実装してもよい。この場合には、ピン２０の基
部２０ａ側を高融点半田を用いてプリズム電極１８に固
定し、ピン２０の柱状部２０ｂを低融点半田を用いて制
御基板１０の電極パッド（図示せず）に固定すればよ
い。
【００７６】また、上記実施形態では、ピン２０を用い
てプリズム電極１８と制御回路とを電気的に接続した
が、必ずしもピン２０を用いることに限定されるもので
はなく、外力に応じて撓む導電体を広く用いることがで
きる。
てプリズム電極１８と制御回路とを電気的に接続した
が、必ずしもピン２０を用いることに限定されるもので
はなく、外力に応じて撓む導電体を広く用いることがで
きる。
【００７７】また、上記実施形態の変形例では、スペー
サ６２に形成された開口部６４内にピンを設けたが、必
ずしも開口部内にピンを設けなくてもよい。即ち、光偏
向基板１４ａ、１４ｂと制御基板１０との間にスペーサ
を挟み、スペーサにより隔てられた光偏向基板１４ａ、
１４ｂと制御基板１０との間にピンを実装すればよい。
サ６２に形成された開口部６４内にピンを設けたが、必
ずしも開口部内にピンを設けなくてもよい。即ち、光偏
向基板１４ａ、１４ｂと制御基板１０との間にスペーサ
を挟み、スペーサにより隔てられた光偏向基板１４ａ、
１４ｂと制御基板１０との間にピンを実装すればよい。
【００７８】また、上記実施形態では、光ファイバが４
本差し込まれる光スイッチを例に説明したが、更に多く
の光ファイバを差し込めるようにして、更にチャネル数
の多い光スイッチを提供してもよい。但し、チャネル数
に応じて、プリズム電極を形成することを要する。
本差し込まれる光スイッチを例に説明したが、更に多く
の光ファイバを差し込めるようにして、更にチャネル数
の多い光スイッチを提供してもよい。但し、チャネル数
に応じて、プリズム電極を形成することを要する。
【００７９】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、制御回路
とプリズム電極とがピンを介して電気的に接続されてい
るため、制御基板と光偏向基板との熱膨張係数が大きく
相違している場合であっても、ピンが撓み、接合プロセ
スにおいて接合部にダメージが加わるのを防止すること
ができる。従って、本発明によれば、信頼性の高い光ス
イッチを提供することが可能となる。
とプリズム電極とがピンを介して電気的に接続されてい
るため、制御基板と光偏向基板との熱膨張係数が大きく
相違している場合であっても、ピンが撓み、接合プロセ
スにおいて接合部にダメージが加わるのを防止すること
ができる。従って、本発明によれば、信頼性の高い光ス
イッチを提供することが可能となる。
【００８０】また、本発明によれば、光偏向基板のスラ
ブ光導波路層が形成された面と、光導波路基板のスラブ
光導波路層が形成された面とが互いに対向するように、
光導波路基板上に光導波路基板が実装されているため、
光偏向基板のスラブ光導波路層と光導波路基板のスラブ
光導波路層とを確実に位置合わせすることができる。従
って、本発明によれば、光偏向基板のスラブ光導波路層
と光導波路基板のスラブ光導波路層との間で良好な光学
的な結合を実現することができ、ひいては光学的特性が
良好な光スイッチを提供することができる。
ブ光導波路層が形成された面と、光導波路基板のスラブ
光導波路層が形成された面とが互いに対向するように、
光導波路基板上に光導波路基板が実装されているため、
光偏向基板のスラブ光導波路層と光導波路基板のスラブ
光導波路層とを確実に位置合わせすることができる。従
って、本発明によれば、光偏向基板のスラブ光導波路層
と光導波路基板のスラブ光導波路層との間で良好な光学
的な結合を実現することができ、ひいては光学的特性が
良好な光スイッチを提供することができる。
【００８１】また、本発明によれば、制御基板と光導波
路基板との間、及び光導波路基板と光偏向基板との間
に、それぞれ板バネが挟まれているため、光偏向基板と
光導波路基板とを密着させることができる。従って、本
発明によれば、光偏向基板のスラブ光導波路層と光導波
路基板のスラブ光導波路層とを高精度に位置合わせする
ことができ、光学的な結合をより良好にすることができ
る。
路基板との間、及び光導波路基板と光偏向基板との間
に、それぞれ板バネが挟まれているため、光偏向基板と
光導波路基板とを密着させることができる。従って、本
発明によれば、光偏向基板のスラブ光導波路層と光導波
路基板のスラブ光導波路層とを高精度に位置合わせする
ことができ、光学的な結合をより良好にすることができ
る。
【００８２】また、本発明によれば、板バネや支持板が
導電体により構成されており、光偏向基板が板バネや支
持板を介して接地されるため、光偏向基板に静電気が蓄
積されるのを防止することができる。従って、本発明に
よれば、静電気による素子の破壊を防止することがで
き、信頼性の高い光スイッチを提供することができる。
導電体により構成されており、光偏向基板が板バネや支
持板を介して接地されるため、光偏向基板に静電気が蓄
積されるのを防止することができる。従って、本発明に
よれば、静電気による素子の破壊を防止することがで
き、信頼性の高い光スイッチを提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態による光スイッチを示す概
略図（その１）である。
略図（その１）である。
【図２】本発明の一実施形態による光スイッチを示す概
略図（その２）である。
略図（その２）である。
【図３】光導波路基板を示す断面図である。
【図４】光偏向基板を示す概略図（その１）である。
【図５】光偏向基板を示す概略図（その２）である。
【図６】本発明の一実施形態による光スイッチの動作原
理を示す概念図である。
理を示す概念図である。
【図７】本発明の一実施形態による光スイッチの動作を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】本発明の一実施形態の変形例による光スイッチ
の動作を示す平面図である。
の動作を示す平面図である。
【図９】ボンディングにより接続された配線によりプリ
ズム電極に電圧を印加する場合を示す概略図である。
ズム電極に電圧を印加する場合を示す概略図である。
１０…制御基板
１２…光導波路基板、石英基板
１３…固定金具
１４…基板、ＳＴＯ基板
１４ａ、１４ｂ…光偏向基板
１６ａ、１６ｂ…コネクタ部
１８、１８ａ1〜１８ａ4、１８ｂ1〜１８ｂ4…プリズム
電極 ２０…ピン ２０ａ…基部 ２０ｂ…柱状部 ２２ａ、２２ｂ…板バネ ２４…スラブ光導波路層 ２６…コア層 ２８…上部クラッド層 ３０…チャネル導波路 ３１…レンズ ３２…開口部 ３４…下部クラッド層 ３６…コア層 ３８…上部クラッド層 ４０…スラブ光導波路層 ４２…ソルダーレジスト ４４…コンタクトホール ４６…電極パッド ４８…半田バンプ ５２ａ、５２ｂ…支持板 ５４…板バネ ５６、５６ａ〜５６ｈ…光ファイバケーブル ５８…芯線 ６２…スペーサ ６４…開口部 １０２…配線 １０６…半田バンプ １１２…光導波路基板 １１８…プリズム電極 １４０…スラブ光導波路層
電極 ２０…ピン ２０ａ…基部 ２０ｂ…柱状部 ２２ａ、２２ｂ…板バネ ２４…スラブ光導波路層 ２６…コア層 ２８…上部クラッド層 ３０…チャネル導波路 ３１…レンズ ３２…開口部 ３４…下部クラッド層 ３６…コア層 ３８…上部クラッド層 ４０…スラブ光導波路層 ４２…ソルダーレジスト ４４…コンタクトホール ４６…電極パッド ４８…半田バンプ ５２ａ、５２ｂ…支持板 ５４…板バネ ５６、５６ａ〜５６ｈ…光ファイバケーブル ５８…芯線 ６２…スペーサ ６４…開口部 １０２…配線 １０６…半田バンプ １１２…光導波路基板 １１８…プリズム電極 １４０…スラブ光導波路層
─────────────────────────────────────────────────────
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Ｆターム(参考） 2H047 KA02 NA02 PA05 QA01 QA04
QA05
2K002 AA02 AB04 AB05 AB06 AB07
CA02 DA05 EA26 EB09 HA03
Claims (10)
- 【請求項１】 制御回路が形成された第１の基板と、 前記第１の基板の上方に設けられ、電気光学効果により
屈折率が変化する光導波路層と、前記光導波路層に電圧
を印加するプリズム電極とが形成された第２の基板とを
有し、 前記制御回路と前記プリズム電極とが、柱状の導電体を
介して電気的に接続されていることを特徴とする光学装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光学装置において、 少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板との間に設
けられた第３の基板を更に有し、 前記光導波路層は、前記第２の基板の前記第３の基板と
対向する面側に形成されており、 前記プリズム電極は、前記光導波路層の前記第３の基板
と対向する面側に形成されており、 前記第３の基板には、前記光導波路層と光学的に結合す
る他の光導波路層が形成されており、 前記柱状の導電体は、前記第３の基板に形成された開口
部内に設けられていることを特徴とする光学装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光学装置において、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれたスペ
ーサと、 前記第１の基板上に設けられた第３の基板とを更に有
し、 前記光導波路層は、前記第２の基板の前記スペーサと対
向する面側に形成されており、 前記プリズム電極は、前記光導波路層の前記スペーサと
対向する面側に形成されており、 前記第３の基板には、前記光導波路層と光学的に結合す
る他の光導波路層が形成されていることを特徴とする光
学装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の光学装置において、 前記柱状の導電体は、前記スペーサに形成された開口部
内に設けられていることを特徴とする光学装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
光学装置において、 前記柱状の導電体と一体に形成され、前記柱状の導電体
を支える基部を更に有することを特徴とする光学装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
光学装置において、 前記柱状の導電体が、半田バンプにより接合されている
ことを特徴とする光学装置。 - 【請求項７】 請求項２乃至６のいずれか１項に記載の
光学装置において、 前記第２の基板と前記第３の基板とを密着するバネを更
に有することを特徴とする光学装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の光学装置において、 前記バネは、板バネであることを特徴とする光学装置。
- 【請求項９】 請求項７又は８記載の光学装置におい
て、 前記バネは、導電体より成ることを特徴とする光学装
置。 - 【請求項１０】 請求項７乃至９のいずれか１項に記載
の光学装置において、 前記第２の基板が、前記バネを介して接地されることを
特徴とする光学装置。
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- 2001-12-26 JP JP2001393686A patent/JP3946514B2/ja not_active Expired - Fee Related
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