JP2003193236A - ダイヤモンドｃｖｄ基板 - Google Patents
ダイヤモンドｃｖｄ基板Info
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- JP2003193236A JP2003193236A JP2001398289A JP2001398289A JP2003193236A JP 2003193236 A JP2003193236 A JP 2003193236A JP 2001398289 A JP2001398289 A JP 2001398289A JP 2001398289 A JP2001398289 A JP 2001398289A JP 2003193236 A JP2003193236 A JP 2003193236A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨しやすいように、反りが緩和された気相
合成ダイヤモンド膜を施したダイヤモンドCVD基板を提
供することである。 【解決手段】 本発明は、基板表面２cにCVDによるダイ
ヤモンド膜3を育成させたダイヤモンドCVD基板1におい
て、前記基板表面2cに複数本の溝2aを設け、前記ダイヤ
モンド膜3の加工面側の表面3bに前記溝位置に対応する
凹溝3aが形成されていることを特徴とするダイヤモンド
CVD基板1である。ダイヤモンドCVD基板上１の溝3aによ
ってダイヤモンドCVD基板１の反りが緩和され、研磨し
やすくなる。
合成ダイヤモンド膜を施したダイヤモンドCVD基板を提
供することである。 【解決手段】 本発明は、基板表面２cにCVDによるダイ
ヤモンド膜3を育成させたダイヤモンドCVD基板1におい
て、前記基板表面2cに複数本の溝2aを設け、前記ダイヤ
モンド膜3の加工面側の表面3bに前記溝位置に対応する
凹溝3aが形成されていることを特徴とするダイヤモンド
CVD基板1である。ダイヤモンドCVD基板上１の溝3aによ
ってダイヤモンドCVD基板１の反りが緩和され、研磨し
やすくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒートシンクやSA
Wフィルターや切削工具に用いる高硬度被膜として有用
な気相合成ダイヤモンド膜を施したダイヤモンドCVD基
板に関し、特に、２次加工時の反りを緩和したダイヤモ
ンドCVD基板に関する。
Wフィルターや切削工具に用いる高硬度被膜として有用
な気相合成ダイヤモンド膜を施したダイヤモンドCVD基
板に関し、特に、２次加工時の反りを緩和したダイヤモ
ンドCVD基板に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から気相合成ダイヤモンド膜を施した
ダイヤモンドCVD基板は、ダイヤモンド膜の表面に凹凸
があるため、ダイヤモンド膜表面を研磨により平滑にす
る必要がある。
ダイヤモンドCVD基板は、ダイヤモンド膜の表面に凹凸
があるため、ダイヤモンド膜表面を研磨により平滑にす
る必要がある。
【０００３】しかし、ダイヤモンド膜被覆時に基板とダ
イヤモンドの熱膨張率の違いに起因して発生する熱応力
とダイヤモンド膜自体が持つ内部応力とにより、ダイヤ
モンドCVD基板に反りが発生する。特に、基板が薄く、
ダイヤモンド被膜の膜厚が厚くなると残留応力が増大
し、ダイヤモンドCVD基板には大きな反りが発生する。
イヤモンドの熱膨張率の違いに起因して発生する熱応力
とダイヤモンド膜自体が持つ内部応力とにより、ダイヤ
モンドCVD基板に反りが発生する。特に、基板が薄く、
ダイヤモンド被膜の膜厚が厚くなると残留応力が増大
し、ダイヤモンドCVD基板には大きな反りが発生する。
【０００４】この反りのあるダイヤモンドCVD基板を研
磨すると、図３(a)に示すようにダイヤモンドCVD基板が
凹型に反っている場合には凹底部に未研磨部が残り、図
３(b)に示すようにダイヤモンドCVD基板が凸型に反って
いる場合には外周部付近に未研磨部が残る。また、反り
のあるダイヤモンドCVD基板を無理に研磨すると、ダイ
ヤモンドCVD基板が割れたり、片当たりするため、一様
に研磨できない。
磨すると、図３(a)に示すようにダイヤモンドCVD基板が
凹型に反っている場合には凹底部に未研磨部が残り、図
３(b)に示すようにダイヤモンドCVD基板が凸型に反って
いる場合には外周部付近に未研磨部が残る。また、反り
のあるダイヤモンドCVD基板を無理に研磨すると、ダイ
ヤモンドCVD基板が割れたり、片当たりするため、一様
に研磨できない。
【０００５】この反りの問題を解決すべく、特開平８−
７４０５６号公報には、反りのないダイヤモンドCVD基
板が開示され、特開平７−３１２３４７号公報や特開平
８−１９５３６７号公報には、ダイヤモンドCVD基板全
体を一様に研磨できるダイヤモンドCVD基板が開示さ
れ、特開平７−３１４３０２号公報には、ダイヤモンド
CVD基板の研磨方法が開示されている。
７４０５６号公報には、反りのないダイヤモンドCVD基
板が開示され、特開平７−３１２３４７号公報や特開平
８−１９５３６７号公報には、ダイヤモンドCVD基板全
体を一様に研磨できるダイヤモンドCVD基板が開示さ
れ、特開平７−３１４３０２号公報には、ダイヤモンド
CVD基板の研磨方法が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ダイヤモンドCVD基板や研磨方法においても依然として
ダイヤモンドCVD基板はその面積が大きくなると、反り
が発生するため、研磨が非常に困難であるという問題点
がある。
ダイヤモンドCVD基板や研磨方法においても依然として
ダイヤモンドCVD基板はその面積が大きくなると、反り
が発生するため、研磨が非常に困難であるという問題点
がある。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的とするところは、研磨しやすいよ
うに、反りが緩和された気相合成ダイヤモンド膜を施し
たダイヤモンドCVD基板を提供することである。
のであって、その目的とするところは、研磨しやすいよ
うに、反りが緩和された気相合成ダイヤモンド膜を施し
たダイヤモンドCVD基板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため鋭意検討した結果、溝を入れた基板にダイ
ヤモンド被覆を施すと、この溝によってダイヤモンドCV
D基板の反りが緩和され、研磨しやすくなるという知見
を得て本発明を完成した。
解決するため鋭意検討した結果、溝を入れた基板にダイ
ヤモンド被覆を施すと、この溝によってダイヤモンドCV
D基板の反りが緩和され、研磨しやすくなるという知見
を得て本発明を完成した。
【０００９】すなわち、請求項１記載の発明は、基板表
面にCVDによるダイヤモンド膜を育成させたダイヤモン
ドCVD基板において、前記基板表面に複数本の溝を設
け、前記ダイヤモンド膜の加工面側の表面に前記溝位置
に対応する凹溝が形成されていることを特徴とするダイ
ヤモンドCVD基板である。
面にCVDによるダイヤモンド膜を育成させたダイヤモン
ドCVD基板において、前記基板表面に複数本の溝を設
け、前記ダイヤモンド膜の加工面側の表面に前記溝位置
に対応する凹溝が形成されていることを特徴とするダイ
ヤモンドCVD基板である。
【００１０】シリコン等の基板の表面に溝を入れた後に
CVDによるダイヤモンド膜を育成すると、ダイヤモンドC
VD基板上に溝が形成される。このダイヤモンドCVD基板
上に形成された溝によって、ダイヤモンドCVD基板の反
りの原因となる応力が分散されるため、ダイヤモンドCV
D基板の反りが緩和される。
CVDによるダイヤモンド膜を育成すると、ダイヤモンドC
VD基板上に溝が形成される。このダイヤモンドCVD基板
上に形成された溝によって、ダイヤモンドCVD基板の反
りの原因となる応力が分散されるため、ダイヤモンドCV
D基板の反りが緩和される。
【００１１】CVDによるダイヤモンド被覆を施す基板と
しては、ケイ素（シリコン）・モリブデン・タングステ
ン・白金・イリジウム・ニオブ・鉄・銅・銀・ニッケル
などのダイヤモンドのCVDに適した金属、炭化ケイ素
（炭化シリコン）・窒化ケイ素（窒化シリコン）・炭化
モリブデン・炭化タングステン・窒化ホウ素（窒化ボロ
ン）などのダイヤモンドのCVDに適した炭化物・窒化物
・炭窒化物、黒鉛・ホウ素（ボロン）などの非金属単体
が好適である。また、アルミナ・シリカなどの金属酸化
物にも応用できる。
しては、ケイ素（シリコン）・モリブデン・タングステ
ン・白金・イリジウム・ニオブ・鉄・銅・銀・ニッケル
などのダイヤモンドのCVDに適した金属、炭化ケイ素
（炭化シリコン）・窒化ケイ素（窒化シリコン）・炭化
モリブデン・炭化タングステン・窒化ホウ素（窒化ボロ
ン）などのダイヤモンドのCVDに適した炭化物・窒化物
・炭窒化物、黒鉛・ホウ素（ボロン）などの非金属単体
が好適である。また、アルミナ・シリカなどの金属酸化
物にも応用できる。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明の構成に加えて、前記基板表面に設けられた溝が格子
状に設けられていることを特徴とするダイヤモンドCVD
基板である。
明の構成に加えて、前記基板表面に設けられた溝が格子
状に設けられていることを特徴とするダイヤモンドCVD
基板である。
【００１３】格子状に溝を入れることによって、応力は
各格子内の小片で個々に発生し、その格子内の小片毎に
発生する応力は、隣接する小片同士で互いに打ち消し合
うように作用するため、ダイヤモンドCVD基板の反りの
原因となる応力が全体として分散されるため、ダイヤモ
ンドCVD基板の反りが一層緩和される。
各格子内の小片で個々に発生し、その格子内の小片毎に
発生する応力は、隣接する小片同士で互いに打ち消し合
うように作用するため、ダイヤモンドCVD基板の反りの
原因となる応力が全体として分散されるため、ダイヤモ
ンドCVD基板の反りが一層緩和される。
【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２に記載の発明の構成に加えて、前記基板表面に設け
られた溝の形状が矩形状に形成されていることを特徴と
するダイヤモンドCVD基板である。
項２に記載の発明の構成に加えて、前記基板表面に設け
られた溝の形状が矩形状に形成されていることを特徴と
するダイヤモンドCVD基板である。
【００１５】CVDによるダイヤモンド膜を育成する基板
の溝の形状を矩形状に形成すると、基板の溝の底面は、
基板表面に対して一段低い床状になる。このため、たと
え溝の底面からダイヤモンドの結晶が成長した場合でも
加工面の高さまで成長しない。これにより、ダイヤモン
ド膜の表面（加工面）には、溝が形成されやすくなる。
の溝の形状を矩形状に形成すると、基板の溝の底面は、
基板表面に対して一段低い床状になる。このため、たと
え溝の底面からダイヤモンドの結晶が成長した場合でも
加工面の高さまで成長しない。これにより、ダイヤモン
ド膜の表面（加工面）には、溝が形成されやすくなる。
【００１６】本発明は、請求項１乃至又は請求項２記載
の発明の構成に加えて、前記基板表面に設けられた溝の
深さが前記ダイヤモンド膜の膜厚の３０％以上且つ、前
記基板の厚さの５０％以下に形成されていることを特徴
とするダイヤモンドCVD基板である。
の発明の構成に加えて、前記基板表面に設けられた溝の
深さが前記ダイヤモンド膜の膜厚の３０％以上且つ、前
記基板の厚さの５０％以下に形成されていることを特徴
とするダイヤモンドCVD基板である。
【００１７】CVDによるダイヤモンド被覆を施す基板の
溝の深さがダイヤモンド膜の膜厚の３０％未満（例え
ば、ダイヤモンド膜の膜厚が５０μmで基板の厚さが１
００μmである場合、CVDによるダイヤモンド被覆を施す
基板の溝の深さが１５μm未満）であれば、ダイヤモン
ドCVD基板上に現れた溝がダイヤモンド膜の表面粗さと
同程度となり、ダイヤモンド膜の凹凸とダイヤモンドCV
D上の溝との差が無くなるためである。ダイヤモンド膜
の膜厚の３０％以上の下限が有効になるのは、ダイヤモ
ンド膜の膜厚が、例えば１〜５０μmのように薄い場合
である。
溝の深さがダイヤモンド膜の膜厚の３０％未満（例え
ば、ダイヤモンド膜の膜厚が５０μmで基板の厚さが１
００μmである場合、CVDによるダイヤモンド被覆を施す
基板の溝の深さが１５μm未満）であれば、ダイヤモン
ドCVD基板上に現れた溝がダイヤモンド膜の表面粗さと
同程度となり、ダイヤモンド膜の凹凸とダイヤモンドCV
D上の溝との差が無くなるためである。ダイヤモンド膜
の膜厚の３０％以上の下限が有効になるのは、ダイヤモ
ンド膜の膜厚が、例えば１〜５０μmのように薄い場合
である。
【００１８】一方、CVDによるダイヤモンド被覆を施す
基板の溝の深さが、CVDによるダイヤモンド被覆を施す
基板の厚さの５０％を越えると（例えば、ダイヤモンド
膜の膜厚が１００μmで基板の厚さが１００μmである場
合、CVDによるダイヤモンド被覆を施す基板の溝の深さ
が５０μmを越えると）、ダイヤモンドCVD基板の研磨中
にダイヤモンドCVD基板が溝に沿って分断されやすくな
るためである。ダイヤモンド被覆を施す基板の厚さの５
０％以下の上限が有効になるのは、例えば５０〜５００
μmのように薄い場合である。
基板の溝の深さが、CVDによるダイヤモンド被覆を施す
基板の厚さの５０％を越えると（例えば、ダイヤモンド
膜の膜厚が１００μmで基板の厚さが１００μmである場
合、CVDによるダイヤモンド被覆を施す基板の溝の深さ
が５０μmを越えると）、ダイヤモンドCVD基板の研磨中
にダイヤモンドCVD基板が溝に沿って分断されやすくな
るためである。ダイヤモンド被覆を施す基板の厚さの５
０％以下の上限が有効になるのは、例えば５０〜５００
μmのように薄い場合である。
【００１９】本発明は、上記のいずれかに記載の発明の
構成に加えて、前記基板表面に設けられた溝の幅が前記
ダイヤモンド膜の膜厚の1.0倍以上10倍以下に形成され
ていることを特徴とするダイヤモンドCVD基板である。
構成に加えて、前記基板表面に設けられた溝の幅が前記
ダイヤモンド膜の膜厚の1.0倍以上10倍以下に形成され
ていることを特徴とするダイヤモンドCVD基板である。
【００２０】CVDによるダイヤモンド被覆を施す基板の
溝の幅がダイヤモンド膜の膜厚の1.0倍未満（例えば、
ダイヤモンド膜の膜厚が１００μmである場合、CVDによ
るダイヤモンド被覆を施す基板の溝の幅は１００μm未
満）であると、CVDによるダイヤモンド被覆を施す基板
の溝幅が狭すぎて、結晶成長過程においてダイヤモンド
膜が接合し、ダイヤモンド膜は基板表面全体を覆ってし
まい、ダイヤモンド膜の表面（加工面）には溝が形成さ
れないため、ダイヤモンドCVD基板の反りが緩和されな
いからである。
溝の幅がダイヤモンド膜の膜厚の1.0倍未満（例えば、
ダイヤモンド膜の膜厚が１００μmである場合、CVDによ
るダイヤモンド被覆を施す基板の溝の幅は１００μm未
満）であると、CVDによるダイヤモンド被覆を施す基板
の溝幅が狭すぎて、結晶成長過程においてダイヤモンド
膜が接合し、ダイヤモンド膜は基板表面全体を覆ってし
まい、ダイヤモンド膜の表面（加工面）には溝が形成さ
れないため、ダイヤモンドCVD基板の反りが緩和されな
いからである。
【００２１】一方、CVDによるダイヤモンド被覆を施す
基板の溝の幅がダイヤモンド膜の膜厚の10倍を越えると
（例えば、ダイヤモンド膜の膜厚が１００μmである場
合にCVDによるダイヤモンド被覆を施す基板の溝の幅が
１０００μmを越えると）、一般的なダイヤモンドCVD基
板の面積に対して溝幅が大きくなり、ダイヤモンドCVD
基板をチップ化する際に同一のダイヤモンドCVD基板か
らとれるチップ数が少なくなるからである。
基板の溝の幅がダイヤモンド膜の膜厚の10倍を越えると
（例えば、ダイヤモンド膜の膜厚が１００μmである場
合にCVDによるダイヤモンド被覆を施す基板の溝の幅が
１０００μmを越えると）、一般的なダイヤモンドCVD基
板の面積に対して溝幅が大きくなり、ダイヤモンドCVD
基板をチップ化する際に同一のダイヤモンドCVD基板か
らとれるチップ数が少なくなるからである。
【００２２】
【実施の形態】本発明の実施形態に係るダイヤモンドCV
D基板を説明する。図１及び図２に示すように、ダイヤ
モンドCVD基板１は、２インチのシリコン基板２にCVDに
よるダイヤモンド膜３を施したものである。
D基板を説明する。図１及び図２に示すように、ダイヤ
モンドCVD基板１は、２インチのシリコン基板２にCVDに
よるダイヤモンド膜３を施したものである。
【００２３】CVDによるダイヤモンド膜３を育成する前
のシリコン基板２（以下、「シリコン基板２」とい
う。）には、格子状に溝２aが入れられている。格子状
に溝2aを入れることによって、ダイヤモンド膜３の加工
面３bに溝３aが形成されるため、小片1a毎に発生する応
力は、隣接する小片1a同士で互いに打ち消し合うように
作用する。このため、ダイヤモンドCVD基板1の反りが緩
和され研磨しやすくなる。
のシリコン基板２（以下、「シリコン基板２」とい
う。）には、格子状に溝２aが入れられている。格子状
に溝2aを入れることによって、ダイヤモンド膜３の加工
面３bに溝３aが形成されるため、小片1a毎に発生する応
力は、隣接する小片1a同士で互いに打ち消し合うように
作用する。このため、ダイヤモンドCVD基板1の反りが緩
和され研磨しやすくなる。
【００２４】次に、この溝2aについて詳述する。シリコ
ン基板2の溝2aは、図２に示すように、ダイヤモンドCVD
基板１の反りが緩和されやすいように、溝2aの底面2bが
床状になる矩形状に形成されている。ここで、溝幅L1
は、ダイヤモンド膜３の膜厚L2によって適当な長さに決
められる。ダイヤモンド膜３の膜厚L2を厚くする場合に
は、膜厚L2に応じて溝幅L1を大きくとる必要がある。こ
れは、膜厚L2に対して溝幅L1が狭いと、ダイヤモンドの
結晶成長過程において溝２aを隔てた基板表面２c上のダ
イヤモンド膜３同士が接合してしまうためである。即
ち、ダイヤモンド膜3がシリコン基板２の表面全体を覆
ってしまうため、ダイヤモンド膜3の表面（加工面）3b
には溝3aが形成されず、ダイヤモンドCVD基板1の反りが
緩和されないためである。なお、薄い膜厚L2の場合に
は、膜厚L2に応じて溝幅L1を小さくしてもよい。
ン基板2の溝2aは、図２に示すように、ダイヤモンドCVD
基板１の反りが緩和されやすいように、溝2aの底面2bが
床状になる矩形状に形成されている。ここで、溝幅L1
は、ダイヤモンド膜３の膜厚L2によって適当な長さに決
められる。ダイヤモンド膜３の膜厚L2を厚くする場合に
は、膜厚L2に応じて溝幅L1を大きくとる必要がある。こ
れは、膜厚L2に対して溝幅L1が狭いと、ダイヤモンドの
結晶成長過程において溝２aを隔てた基板表面２c上のダ
イヤモンド膜３同士が接合してしまうためである。即
ち、ダイヤモンド膜3がシリコン基板２の表面全体を覆
ってしまうため、ダイヤモンド膜3の表面（加工面）3b
には溝3aが形成されず、ダイヤモンドCVD基板1の反りが
緩和されないためである。なお、薄い膜厚L2の場合に
は、膜厚L2に応じて溝幅L1を小さくしてもよい。
【００２５】ダイヤモンド膜3の膜厚L2が例えば、１０
０μmである場合、溝幅L1は、ダイヤモンド膜3の膜厚L2
の２倍程度、即ち、２００μmに形成される。
０μmである場合、溝幅L1は、ダイヤモンド膜3の膜厚L2
の２倍程度、即ち、２００μmに形成される。
【００２６】シリコン基板2の溝2aの深さL3は、シリコ
ン基板２の厚さL4とダイヤモンド膜３の膜厚L2によって
適当な長さに決められる。ダイヤモンド膜３の膜厚L2を
厚くする場合には、膜厚L2に応じて溝深さL3を大きくと
る必要がある。これは、膜厚L2に対して溝深さL3が浅い
と、ダイヤモンドCVD基板１上に形成される溝深さL5も
浅くなり、ダイヤモンドCVD基板１上に形成された溝3a
がダイヤモンド膜3の表面粗さと同程度となるためであ
る。また、薄いシリコン基板2を用いる場合には、シリ
コン基板2の厚さL4に応じて溝深さL3を浅めにとる必要
がある。これは、薄い基板2に対して溝深さL3を大きく
とりすぎると、深い溝L5の付いたダイヤモンドCVD基板1
を得られるが、ダイヤモンドCVD基板1の研磨中に基板1
が割れてしまうためである。
ン基板２の厚さL4とダイヤモンド膜３の膜厚L2によって
適当な長さに決められる。ダイヤモンド膜３の膜厚L2を
厚くする場合には、膜厚L2に応じて溝深さL3を大きくと
る必要がある。これは、膜厚L2に対して溝深さL3が浅い
と、ダイヤモンドCVD基板１上に形成される溝深さL5も
浅くなり、ダイヤモンドCVD基板１上に形成された溝3a
がダイヤモンド膜3の表面粗さと同程度となるためであ
る。また、薄いシリコン基板2を用いる場合には、シリ
コン基板2の厚さL4に応じて溝深さL3を浅めにとる必要
がある。これは、薄い基板2に対して溝深さL3を大きく
とりすぎると、深い溝L5の付いたダイヤモンドCVD基板1
を得られるが、ダイヤモンドCVD基板1の研磨中に基板1
が割れてしまうためである。
【００２７】シリコン基板2の厚さL4が例えば、５００
μmでダイヤモンド膜3の膜厚L2を例えば１００μmにす
る場合、溝深さL3は、ダイヤモンド膜３の膜厚L2の1.0
倍（シリコン基板２の厚さL4の２０％程度）、即ち、１
００μmに形成される。
μmでダイヤモンド膜3の膜厚L2を例えば１００μmにす
る場合、溝深さL3は、ダイヤモンド膜３の膜厚L2の1.0
倍（シリコン基板２の厚さL4の２０％程度）、即ち、１
００μmに形成される。
【００２８】以上のように、シリコン基板2に溝2aを入
れた後にCVDによるダイヤモンド膜3を育成すると、シリ
コン基板2の溝2aにもシリコン基板表面2cと同様にダイ
ヤモンド膜3が形成されるため、ダイヤモンドCVD基板1
上に溝3aが形成される。このダイヤモンドCVD基板上1に
形成された溝3aによって、ダイヤモンドCVD基板１の反
りの原因となる応力が分散されるため、ダイヤモンドCV
D基板１の反りが緩和される。
れた後にCVDによるダイヤモンド膜3を育成すると、シリ
コン基板2の溝2aにもシリコン基板表面2cと同様にダイ
ヤモンド膜3が形成されるため、ダイヤモンドCVD基板1
上に溝3aが形成される。このダイヤモンドCVD基板上1に
形成された溝3aによって、ダイヤモンドCVD基板１の反
りの原因となる応力が分散されるため、ダイヤモンドCV
D基板１の反りが緩和される。
【００２９】本実施形態では、CVDによるダイヤモンド
膜３を育成する基板として、シリコンを例に説明した
が、基板はシリコンに限るものではなく、モリブデン・
タングステン・白金・イリジウム・ニオブ・鉄・銅・銀
・ニッケルなどのダイヤモンドのCVDに適した金属、炭
化ケイ素（炭化シリコン）・窒化ケイ素（窒化シリコ
ン）・炭化モリブデン・炭化タングステン・窒化ホウ素
（窒化ボロン）などのダイヤモンドのCVDに適した炭化
物・窒化物・炭窒化物、黒鉛・ホウ素（ボロン）などの
非金属単体、アルミナ・シリカなどの金属酸化物であっ
てもよい。
膜３を育成する基板として、シリコンを例に説明した
が、基板はシリコンに限るものではなく、モリブデン・
タングステン・白金・イリジウム・ニオブ・鉄・銅・銀
・ニッケルなどのダイヤモンドのCVDに適した金属、炭
化ケイ素（炭化シリコン）・窒化ケイ素（窒化シリコ
ン）・炭化モリブデン・炭化タングステン・窒化ホウ素
（窒化ボロン）などのダイヤモンドのCVDに適した炭化
物・窒化物・炭窒化物、黒鉛・ホウ素（ボロン）などの
非金属単体、アルミナ・シリカなどの金属酸化物であっ
てもよい。
【００３０】また、本実施形態では、２インチのシリコ
ン基板２を用いた場合を説明したが、シリコン基板２の
寸法やダイヤモンド膜３の膜厚等の寸法は、上記の寸法
に限るものではない。
ン基板２を用いた場合を説明したが、シリコン基板２の
寸法やダイヤモンド膜３の膜厚等の寸法は、上記の寸法
に限るものではない。
【００３１】さらに、本実施形態では、シリコン基板２
の溝２aが矩形状に形成されている場合を例に説明した
が、溝２aの形状は、矩形状に限られず、V字型やU字型
に形成されていてもよい。
の溝２aが矩形状に形成されている場合を例に説明した
が、溝２aの形状は、矩形状に限られず、V字型やU字型
に形成されていてもよい。
【００３２】また、ダイヤモンド膜３の膜厚がシリコン
基板２より薄い場合、溝２aの深さL3は、研磨中にダイ
ヤモンドCVD基板１が割れない程度に深い方がよい。溝
２aの深さL3が深い方がダイヤモンドCVD基板１の反りの
原因となる応力が分散されやすいためである。
基板２より薄い場合、溝２aの深さL3は、研磨中にダイ
ヤモンドCVD基板１が割れない程度に深い方がよい。溝
２aの深さL3が深い方がダイヤモンドCVD基板１の反りの
原因となる応力が分散されやすいためである。
【００３３】
【発明の効果】請求項１乃至請求項５のいずれかに記載
の発明は、ダイヤモンドCVD基板上に形成された溝によ
って、ダイヤモンドCVD基板の反りの原因となる応力が
分散されるため、ダイヤモンドCVD基板の反りが緩和さ
れる。これにより、ダイヤモンドCVD基板の研磨が容易
になるという効果を奏する。特に、シリコン基板の面積
が大きくなればなるほど、反りが問題になるが、本発明
によるダイヤモンドCVD基板では、面積の大きいダイヤ
モンドCVD基板でも研磨しやすいという効果を奏する。
の発明は、ダイヤモンドCVD基板上に形成された溝によ
って、ダイヤモンドCVD基板の反りの原因となる応力が
分散されるため、ダイヤモンドCVD基板の反りが緩和さ
れる。これにより、ダイヤモンドCVD基板の研磨が容易
になるという効果を奏する。特に、シリコン基板の面積
が大きくなればなるほど、反りが問題になるが、本発明
によるダイヤモンドCVD基板では、面積の大きいダイヤ
モンドCVD基板でも研磨しやすいという効果を奏する。
【図１】本発明に係るダイヤモンドCVD基板を説明する
図である。
図である。
【図２】本発明に係るダイヤモンドCVD基板の部分拡大
断面図である。
断面図である。
【図３】ダイヤモンドCVD基板の反りの状態を説明する
図である。
図である。
１ ダイヤモンドCVD基板
２ シリコン基板
２a 溝
２b 底面
２c 基板表面
３ ダイヤモンド膜
３a 溝
３b 加工面
Claims (3)
- 【請求項１】 基板表面にCVDによるダイヤモンド膜を育
成させたダイヤモンドCVD基板において、 前記基板表面に複数本の溝を設け、前記ダイヤモンド膜
の加工面側の表面に前記溝位置に対応する凹溝が形成さ
れていることを特徴とするダイヤモンドCVD基板。 - 【請求項２】前記基板表面に設けられた溝は、格子状に
設けられていることを特徴とする請求項１記載のダイヤ
モンドCVD基板。 - 【請求項３】前記基板表面に設けられた溝の形状は、矩
形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は請
求項２に記載のダイヤモンドCVD基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398289A JP2003193236A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | ダイヤモンドｃｖｄ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398289A JP2003193236A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | ダイヤモンドｃｖｄ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003193236A true JP2003193236A (ja) | 2003-07-09 |
Family
ID=27603765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398289A Pending JP2003193236A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | ダイヤモンドｃｖｄ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003193236A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06183890A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-07-05 | Nippon Seiko Kk | 人工ダイヤモンド被覆材 |
| JPH07314302A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質ウエハ−の研磨方法及び研磨装置 |
| JPH11199379A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-27 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド膜の形成方法 |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001398289A patent/JP2003193236A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06183890A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-07-05 | Nippon Seiko Kk | 人工ダイヤモンド被覆材 |
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