JP2003188097A - リトグラフ投影装置、装置の製造方法および光学要素を製造する方法 - Google Patents
リトグラフ投影装置、装置の製造方法および光学要素を製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 映像の画質における放射および／または投射
装置における光学要素の熱的効果がさらに減少または除
去されるリトグラフ投影装置を得ること 【解決手段】 リトグラフ投影装置は、放射線の投影ビ
ームを発生するための放射線装置、所望のパターンに従
って投影ビームをパターン化するパターン化装置を支持
する支持構造、基板を保持する基板テーブル、パターン
化されたビームを基板のターゲット部分に投影するため
の投影装置を有する。使用中に熱負荷を受ける少なくと
も一つの要素のゼロ交差温度が、製造温度と前記要素の
平均作動温度の平均値、製造温度から前記要素の平均作
動温度間での積分値がゼロになるような熱膨張係数を有
する低ＣＴＥ物質から作られる。また、その装置の製造
方法および光学要素の製造方法も提供される。
装置における光学要素の熱的効果がさらに減少または除
去されるリトグラフ投影装置を得ること 【解決手段】 リトグラフ投影装置は、放射線の投影ビ
ームを発生するための放射線装置、所望のパターンに従
って投影ビームをパターン化するパターン化装置を支持
する支持構造、基板を保持する基板テーブル、パターン
化されたビームを基板のターゲット部分に投影するため
の投影装置を有する。使用中に熱負荷を受ける少なくと
も一つの要素のゼロ交差温度が、製造温度と前記要素の
平均作動温度の平均値、製造温度から前記要素の平均作
動温度間での積分値がゼロになるような熱膨張係数を有
する低ＣＴＥ物質から作られる。また、その装置の製造
方法および光学要素の製造方法も提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
放射線の投影ビームを供給するための放射線装置、
パターン化装置を支持するための支持構造であって、パ
ターン化装置が所望のパターンに従って投影ビームをパ
ターン化する働きをする前記支持構造、 基板を保持するための基板テブル、 パターン化されたビームを基板のターゲット部分上に投
影するための投影装置を有するリトグラフ投影装置に関
するものである。
ターン化装置が所望のパターンに従って投影ビームをパ
ターン化する働きをする前記支持構造、 基板を保持するための基板テブル、 パターン化されたビームを基板のターゲット部分上に投
影するための投影装置を有するリトグラフ投影装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ここに使用される用語“パターン化装
置”は、入射する放射線ビームに、基板のターゲット部
分に創造されるべきパターンに対応する、パターン化さ
れた断面を与えるため使用可能な装置を指示するとき、
広い意味に解すべきであり、用語“光バルブ”もこれに
関連して使用可能である。一般に、前記パターンは、集
積回路または他の装置（下記参照）のような、ターゲッ
ト部分に創造される装置内の特殊な機能的層に対応する
であろう。そのようなパターン化装置は下記のものを含
んでいる。
置”は、入射する放射線ビームに、基板のターゲット部
分に創造されるべきパターンに対応する、パターン化さ
れた断面を与えるため使用可能な装置を指示するとき、
広い意味に解すべきであり、用語“光バルブ”もこれに
関連して使用可能である。一般に、前記パターンは、集
積回路または他の装置（下記参照）のような、ターゲッ
ト部分に創造される装置内の特殊な機能的層に対応する
であろう。そのようなパターン化装置は下記のものを含
んでいる。
【０００３】マスク：マスクの概念はリトグラフィにお
いて周知であり、それは２進、交流位相シフトおよび薄
くした位相シフトのようなマスクの型、ならびに種々な
ハイブリッドマスクの型を含んでいる。放射線ビーム内
にそのようなマスクを設置することは、マスク上のパタ
ーンに従い、マスクに衝突する放射線の選択的伝達（伝
達性マスクの場合）または反射（反射性マスクの場合）
を生ずる。マスクの場合、支持構造は一般に、マスクが
入射する放射線ビーム内の所望の位置に確実に保持可能
とされ、もし望むならばビームに対して移動可能とされ
る、マスクテーブルであろう。
いて周知であり、それは２進、交流位相シフトおよび薄
くした位相シフトのようなマスクの型、ならびに種々な
ハイブリッドマスクの型を含んでいる。放射線ビーム内
にそのようなマスクを設置することは、マスク上のパタ
ーンに従い、マスクに衝突する放射線の選択的伝達（伝
達性マスクの場合）または反射（反射性マスクの場合）
を生ずる。マスクの場合、支持構造は一般に、マスクが
入射する放射線ビーム内の所望の位置に確実に保持可能
とされ、もし望むならばビームに対して移動可能とされ
る、マスクテーブルであろう。
【０００４】プログラム可能なミラー列：そのような装
置の一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリ
ックスのアドレス可能な表面である。そのような装置を
支持する基本的原理は、（たとえば）反射面のアドレス
された領域は入射光を分散光として反射し、その一方ア
ドレスされない領域は入射光を非分散光として反射す
る。適当なフィルタを使用すると、前記非分散光は反射
ビームからフィルタされ、後方に分散光のみを残すこと
が可能であり、このようにして、ビームはマトリックス
のアドレス可能な表面のアドレス化パターンに従ってパ
ターン化される。プログラム可能なミラー列の別の実施
例は、ごく小さいミラーのマトリックス配置を使用し、
各ミラーは適当な局部的電界を加えることにより、また
はピエゾ電気作動装置を使用することによって軸線の回
りに個々に傾斜可能である。再言すれば、ミラーは、ア
ドレスされたミラーがアドレスされないミラーと異なっ
た方向の入射する放射線ビームを反射するであろうし、
このようにして、反射ビームはマトリックス−アドレス
可能なミラーのアドレスパターンに従ってパターン化さ
れる。必要なマトリックスへのアドレスは適当な電子装
置を使用して実施可能である。上記両方の場合におい
て、パターン化装置は一つ以上のプログラム可能なミラ
ー列を含むことができる。ここに参照されたミラー列に
関するこれ以上の情報は、例えば、米国特許第５２９６
８９１号、および同５５２３１９３、ＰＣＴ特許出願Ｗ
Ｏ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号各
明細書から得られ、それらはここに参照のため引用され
る。プログラム可能なミラー列の場合、前記支持構造
は、たとえば所望により固定または可動とされる、フレ
ームまたはテーブルとして実施される。
置の一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリ
ックスのアドレス可能な表面である。そのような装置を
支持する基本的原理は、（たとえば）反射面のアドレス
された領域は入射光を分散光として反射し、その一方ア
ドレスされない領域は入射光を非分散光として反射す
る。適当なフィルタを使用すると、前記非分散光は反射
ビームからフィルタされ、後方に分散光のみを残すこと
が可能であり、このようにして、ビームはマトリックス
のアドレス可能な表面のアドレス化パターンに従ってパ
ターン化される。プログラム可能なミラー列の別の実施
例は、ごく小さいミラーのマトリックス配置を使用し、
各ミラーは適当な局部的電界を加えることにより、また
はピエゾ電気作動装置を使用することによって軸線の回
りに個々に傾斜可能である。再言すれば、ミラーは、ア
ドレスされたミラーがアドレスされないミラーと異なっ
た方向の入射する放射線ビームを反射するであろうし、
このようにして、反射ビームはマトリックス−アドレス
可能なミラーのアドレスパターンに従ってパターン化さ
れる。必要なマトリックスへのアドレスは適当な電子装
置を使用して実施可能である。上記両方の場合におい
て、パターン化装置は一つ以上のプログラム可能なミラ
ー列を含むことができる。ここに参照されたミラー列に
関するこれ以上の情報は、例えば、米国特許第５２９６
８９１号、および同５５２３１９３、ＰＣＴ特許出願Ｗ
Ｏ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号各
明細書から得られ、それらはここに参照のため引用され
る。プログラム可能なミラー列の場合、前記支持構造
は、たとえば所望により固定または可動とされる、フレ
ームまたはテーブルとして実施される。
【０００５】プログラム可能なＬＣＤ列：そのような構
造の例は、米国特許第５２２９８７２号明細書に記載さ
れ、ここに参照のため引用される。上記のように、支持
構造はこの場合、たとえば所望により固定または可動と
される、フレームまたはテーブルとして実施される。
造の例は、米国特許第５２２９８７２号明細書に記載さ
れ、ここに参照のため引用される。上記のように、支持
構造はこの場合、たとえば所望により固定または可動と
される、フレームまたはテーブルとして実施される。
【０００６】簡単にするため、本明細書の下記の部分
は、ある場合において、とくにマスクとマスクテーブル
を含む例を指向するが、しかしながら、そのような場合
に論じられる一般的原理は、上記に記載されたパターン
化装置の一層広い概念において解されるべきである。
は、ある場合において、とくにマスクとマスクテーブル
を含む例を指向するが、しかしながら、そのような場合
に論じられる一般的原理は、上記に記載されたパターン
化装置の一層広い概念において解されるべきである。
【０００７】リトグラフ投影装置は、たとえば、集積回
路（ＩＣｓ）の製造に使用可能である。そのような場
合、パターン化装置がＩＣの個々の層に対応する回路パ
ターンを描き、このパターンは放射線感知物質（レジス
ト）の層によってコーティングされた基板（シリコンウ
ェーハ）上の（たとえば一つ以上のダイを含む）ターゲ
ット部分上に結像可能である。一般に、ウェーハ単体
は、一度に一つ、投影装置を介して連続的に照射される
隣接するターゲット部分の全ネットワークを含んでい
る。マスクテーブル上のマスクによるパターン化を使用
する現在の装置において、差別化は二つの異なった型の
機械の間で実施可能である。一つの型のリトグラフ投影
装置において、各ターゲット部分は一回の実施において
ターゲット部分上に全マスクパターンを露出することに
よって照射され、そのような装置は普通ウェーハステッ
パと称せられる。普通ステップ−アンド−スキャン装置
と称せられる、別の装置において、各ターゲット部分
は、基準方向に平行にまたは平行でなしに基板テーブル
を同期的に走査している間、所定の基準方向（走査方
向）の投影ビームによってマスクパターンを順次に走査
することにより、照射される。一般に投影装置が拡大係
数Ｍ（＜１）を有するため、基板テーブルが走査される
速度Ｖはマスクテーブルが走査される速度係数のＭ倍と
なるであろう。ここに記載されるリトグラフ装置に関す
るこれ以上の情報は、ここに参照のため引用される。米
国特許第６０４６７９２号明細書から得られるであろ
う。
路（ＩＣｓ）の製造に使用可能である。そのような場
合、パターン化装置がＩＣの個々の層に対応する回路パ
ターンを描き、このパターンは放射線感知物質（レジス
ト）の層によってコーティングされた基板（シリコンウ
ェーハ）上の（たとえば一つ以上のダイを含む）ターゲ
ット部分上に結像可能である。一般に、ウェーハ単体
は、一度に一つ、投影装置を介して連続的に照射される
隣接するターゲット部分の全ネットワークを含んでい
る。マスクテーブル上のマスクによるパターン化を使用
する現在の装置において、差別化は二つの異なった型の
機械の間で実施可能である。一つの型のリトグラフ投影
装置において、各ターゲット部分は一回の実施において
ターゲット部分上に全マスクパターンを露出することに
よって照射され、そのような装置は普通ウェーハステッ
パと称せられる。普通ステップ−アンド−スキャン装置
と称せられる、別の装置において、各ターゲット部分
は、基準方向に平行にまたは平行でなしに基板テーブル
を同期的に走査している間、所定の基準方向（走査方
向）の投影ビームによってマスクパターンを順次に走査
することにより、照射される。一般に投影装置が拡大係
数Ｍ（＜１）を有するため、基板テーブルが走査される
速度Ｖはマスクテーブルが走査される速度係数のＭ倍と
なるであろう。ここに記載されるリトグラフ装置に関す
るこれ以上の情報は、ここに参照のため引用される。米
国特許第６０４６７９２号明細書から得られるであろ
う。
【０００８】リトグラフ投影装置を使用する製造方法に
おいて、（たとえばマスク内の）パターンは、放射線感
知物質（レジスト）の層で少なくとも部分的にカバーさ
れた基板上に結像される。この結像段階の前に、基板は
プライミング、レジストコーティングおよびソフトベー
キングのような種々の処理を受ける。露出後、基板は露
出後のベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベーキング
および結像の特徴の測定／検査のような、他の処理を受
ける。この一連の処理は装置の個々の層、たとえばＩＣ
を、パターン化するため基本的に使用される。そのよう
なパターン化された層はついでエッチング、イオン打込
み（ドーピング）、金属化、酸化、化学−機械的研磨、
等のような種々の処理を受け、すべては個々の層を仕上
げるためのものである。もしいくつかの層が必要であれ
ば、全部の処理またはその変形が新しい各層に対して繰
り返されなければならない。結局、一連の装置は基板
（ウェーハ）上に存在する。これらの装置は、ダイシン
グまたはのこ引きのような技術によって互いに分離さ
れ、かくて個々の装置は、ピンなどに連結されたキャリ
ヤ上に取付け可能である。これ以上の情報はたとえば、
マックグロー・ヒル出版社（ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ
Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．）によって１９９７年に
発行された刊行物、ピーター・バン・ザント（Ｐｅｔｅ
ｒ・Ｖａｎ・Ｚａｎｔ）著“マイクロチップ製造：半導
体処理への実用ガイド”（Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇ
ｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ）第３版、ＩＳＢＮ ０−０７−０６７
２５０−４．から得られ、ここに参照のため引用する。
おいて、（たとえばマスク内の）パターンは、放射線感
知物質（レジスト）の層で少なくとも部分的にカバーさ
れた基板上に結像される。この結像段階の前に、基板は
プライミング、レジストコーティングおよびソフトベー
キングのような種々の処理を受ける。露出後、基板は露
出後のベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベーキング
および結像の特徴の測定／検査のような、他の処理を受
ける。この一連の処理は装置の個々の層、たとえばＩＣ
を、パターン化するため基本的に使用される。そのよう
なパターン化された層はついでエッチング、イオン打込
み（ドーピング）、金属化、酸化、化学−機械的研磨、
等のような種々の処理を受け、すべては個々の層を仕上
げるためのものである。もしいくつかの層が必要であれ
ば、全部の処理またはその変形が新しい各層に対して繰
り返されなければならない。結局、一連の装置は基板
（ウェーハ）上に存在する。これらの装置は、ダイシン
グまたはのこ引きのような技術によって互いに分離さ
れ、かくて個々の装置は、ピンなどに連結されたキャリ
ヤ上に取付け可能である。これ以上の情報はたとえば、
マックグロー・ヒル出版社（ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ
Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．）によって１９９７年に
発行された刊行物、ピーター・バン・ザント（Ｐｅｔｅ
ｒ・Ｖａｎ・Ｚａｎｔ）著“マイクロチップ製造：半導
体処理への実用ガイド”（Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇ
ｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ）第３版、ＩＳＢＮ ０−０７−０６７
２５０−４．から得られ、ここに参照のため引用する。
【０００９】簡単のため、投影装置は今後“レンズ”と
称せられるが、しかしながら、この用語は、たとえば、
屈折光学装置、反射光学装置、および反射屈折光学装置
を含む、種々の型の投影装置を含むものと広く解される
べきである。放射線装置はまた放射線の投影ビームを指
向、形成または制御するためのこれらの設計の型のいず
れかによって作動する要素をも含み、このような要素も
下記において集合的にまたは単独で“レンズ”と称せら
れる。さらに、リトグラフ装置は二つ以上の基板テーブ
ル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有す
る型のものとすることができる。そのような“多段”装
置において、付加的テーブルは平行に使用されるか、ま
たは予備的段階が一つ以上のテーブル上で実施され、一
方一つ以上の他のテーブルが露出のため使用される。二
段階リトグラフ装置は、たとえば米国特許第５９６９４
４１号およびＷＯ９８／４０７９１号各明細書に記載さ
れている。
称せられるが、しかしながら、この用語は、たとえば、
屈折光学装置、反射光学装置、および反射屈折光学装置
を含む、種々の型の投影装置を含むものと広く解される
べきである。放射線装置はまた放射線の投影ビームを指
向、形成または制御するためのこれらの設計の型のいず
れかによって作動する要素をも含み、このような要素も
下記において集合的にまたは単独で“レンズ”と称せら
れる。さらに、リトグラフ装置は二つ以上の基板テーブ
ル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有す
る型のものとすることができる。そのような“多段”装
置において、付加的テーブルは平行に使用されるか、ま
たは予備的段階が一つ以上のテーブル上で実施され、一
方一つ以上の他のテーブルが露出のため使用される。二
段階リトグラフ装置は、たとえば米国特許第５９６９４
４１号およびＷＯ９８／４０７９１号各明細書に記載さ
れている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】さらに小さい機構を結
像するため、現在市販されているリトグラフ装置に使用
されているような、１９３または１５７nmの波長を備え
たＵＶの代わりに、露出放射線として、５から２０nmの
範囲の波長を備えたＥＵＶ放射線を使用することが提案
された。ＥＵＶ放射線用の放射および／または投影装置
はミラー、通常多層ミラーを使用しなければならないた
め、ＥＵＶ放射線用放射および／または投影装置用光学
要素に対する反射レンズを形成し得るいかなる物質も知
られていない。投影された結像の画質は、ミラー内の投
影装置表面変形（形状誤差）、とくに投影装置内のそれ
に極度に敏感である。温度変動によって生じる表面変形
を防止するため、ミラーは所望の形状を有し、熱膨張係
数（ＣＴＥ）がきわめて低いかゼロの多数の層を析出す
ることによって形成される。種々のそのような物質が種
々の供給業者から市販されている。その一つ、ゼロヅー
ル（Ｚｅｒｏｄｕｒ，登録商標）は所望の低いＣＴＥを
得るため種々の添加剤とともに作られたガラスセラミッ
クである。これらの物質はきわめて低いＣＴＥを有する
が、ＣＴＥは、表面変形および結像の質の低下をもたら
す、ある程度の膨張および収縮が発生するように、一つ
の温度だけで正確にゼロである。
像するため、現在市販されているリトグラフ装置に使用
されているような、１９３または１５７nmの波長を備え
たＵＶの代わりに、露出放射線として、５から２０nmの
範囲の波長を備えたＥＵＶ放射線を使用することが提案
された。ＥＵＶ放射線用の放射および／または投影装置
はミラー、通常多層ミラーを使用しなければならないた
め、ＥＵＶ放射線用放射および／または投影装置用光学
要素に対する反射レンズを形成し得るいかなる物質も知
られていない。投影された結像の画質は、ミラー内の投
影装置表面変形（形状誤差）、とくに投影装置内のそれ
に極度に敏感である。温度変動によって生じる表面変形
を防止するため、ミラーは所望の形状を有し、熱膨張係
数（ＣＴＥ）がきわめて低いかゼロの多数の層を析出す
ることによって形成される。種々のそのような物質が種
々の供給業者から市販されている。その一つ、ゼロヅー
ル（Ｚｅｒｏｄｕｒ，登録商標）は所望の低いＣＴＥを
得るため種々の添加剤とともに作られたガラスセラミッ
クである。これらの物質はきわめて低いＣＴＥを有する
が、ＣＴＥは、表面変形および結像の質の低下をもたら
す、ある程度の膨張および収縮が発生するように、一つ
の温度だけで正確にゼロである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、結像の
画質における放射および／または投射装置の光学要素の
熱的効果がさらに減少または除去される、リトグラフ投
影装置を得ることにある。このおよび他の目的は、使用
中に熱負荷を受ける前記装置の少なくとも一つの要素
が、製造温度とその要素の平均作動温度との間の温度に
おいてゼロ交差を有する熱膨張係数を有する低ＣＴＥ物
質から作られていることを特徴とする、冒頭の記載にお
いて特定された本発明によって達成される。
画質における放射および／または投射装置の光学要素の
熱的効果がさらに減少または除去される、リトグラフ投
影装置を得ることにある。このおよび他の目的は、使用
中に熱負荷を受ける前記装置の少なくとも一つの要素
が、製造温度とその要素の平均作動温度との間の温度に
おいてゼロ交差を有する熱膨張係数を有する低ＣＴＥ物
質から作られていることを特徴とする、冒頭の記載にお
いて特定された本発明によって達成される。
【００１２】要素の製造および作動温度の間にＣＴＥゼ
ロ交差温度を有する物質を使用して要素を構成すること
により、作動するときの要素の熱変形が最小にされるか
または除去される。一般に、ＣＴＥがゼロ交差温度以下
ではマイナスでありそれ以上ではプラスであろうため、
要素の温度がその製造温度からその作動温度に変化する
とき、要素は最初変形するが、これらの変形はゼロ交差
温度の反対側で反対になるであろう。
ロ交差温度を有する物質を使用して要素を構成すること
により、作動するときの要素の熱変形が最小にされるか
または除去される。一般に、ＣＴＥがゼロ交差温度以下
ではマイナスでありそれ以上ではプラスであろうため、
要素の温度がその製造温度からその作動温度に変化する
とき、要素は最初変形するが、これらの変形はゼロ交差
温度の反対側で反対になるであろう。
【００１３】ゼロ交差の理想的温度は、ゼロ交差の領域
における温度の関数としてＣＴＥの形状に依存するであ
ろう。もしＣＴＥがその領域において温度によって直線
的に変化するならば、物質が製造および平均作動温度の
正確に中間にＣＴＥ温度を有するものが使用されなけれ
ばならない。一般に、製造、ゼロ交差および装置作動温
度は、製造および平均作動温度の間の温度によって変化
するＣＴＥの積分値がゼロまたはできるだけそれに近い
ようなものでなければならない。
における温度の関数としてＣＴＥの形状に依存するであ
ろう。もしＣＴＥがその領域において温度によって直線
的に変化するならば、物質が製造および平均作動温度の
正確に中間にＣＴＥ温度を有するものが使用されなけれ
ばならない。一般に、製造、ゼロ交差および装置作動温
度は、製造および平均作動温度の間の温度によって変化
するＣＴＥの積分値がゼロまたはできるだけそれに近い
ようなものでなければならない。
【００１４】使用される物質がカラス。またはゼロヅー
ル（Ｚｅｒｏｄｕｒ，登録商標）のようなガラスセラミ
ックである場合、ＣＴＥゼロ交差温度は添加剤および／
または製造方法の適切な制御によって所望のように選択
可能である。もし必要ならば、ガラス（またはガラスセ
ラミック）の一組が試行錯誤によって製造可能である。
装置の平均作動温度が他の配慮によって決定されるかも
知れないにしても、製造温度は一定であるかまたは変化
がわずかなものに限定されるＣＴＥゼロ交差温度を有す
る特殊なガラス（またはガラスセラミック）の使用を可
能にすべく調節される、ことを認識すべきである。
ル（Ｚｅｒｏｄｕｒ，登録商標）のようなガラスセラミ
ックである場合、ＣＴＥゼロ交差温度は添加剤および／
または製造方法の適切な制御によって所望のように選択
可能である。もし必要ならば、ガラス（またはガラスセ
ラミック）の一組が試行錯誤によって製造可能である。
装置の平均作動温度が他の配慮によって決定されるかも
知れないにしても、製造温度は一定であるかまたは変化
がわずかなものに限定されるＣＴＥゼロ交差温度を有す
る特殊なガラス（またはガラスセラミック）の使用を可
能にすべく調節される、ことを認識すべきである。
【００１５】本発明は、いかなるリトグラフ装置の要素
にも適用されるが、放射線ビームの通路における光学装
置、とくにＥＵＶリトグラフ装置のミラー、とくに表面
変形が結像の画質に最大の作用を及ぼす投影装置のも
の、投影ピームの強さが最大である照明装置の起動部分
におけるものに適用するときとくに有利である。本発明
はまたこれもまた大きい温度変化に通ずる、熱負荷が集
中される小さいミラーにもとくに適用可能である。基板
だけの、多層の堆積でない、多層ミラーに対して低ＣＴ
Ｅ物質から作られることが認識されるであろう。
にも適用されるが、放射線ビームの通路における光学装
置、とくにＥＵＶリトグラフ装置のミラー、とくに表面
変形が結像の画質に最大の作用を及ぼす投影装置のも
の、投影ピームの強さが最大である照明装置の起動部分
におけるものに適用するときとくに有利である。本発明
はまたこれもまた大きい温度変化に通ずる、熱負荷が集
中される小さいミラーにもとくに適用可能である。基板
だけの、多層の堆積でない、多層ミラーに対して低ＣＴ
Ｅ物質から作られることが認識されるであろう。
【００１６】もし異なった光学要素の作動温度が異なる
ならば、ゼロ交差温度が一つの要素に対してだけ理想的
であるように、物質の同じ一組からリトグラフ装置の投
影ビームに影響する光学要素のすべてを作ることが一般
に好ましい。その場合に、ゼロ交差温度は好ましくはも
っとも高い熱負荷を有するミラー、一般に第１ミラーに
対して理想的になるように選択される。
ならば、ゼロ交差温度が一つの要素に対してだけ理想的
であるように、物質の同じ一組からリトグラフ装置の投
影ビームに影響する光学要素のすべてを作ることが一般
に好ましい。その場合に、ゼロ交差温度は好ましくはも
っとも高い熱負荷を有するミラー、一般に第１ミラーに
対して理想的になるように選択される。
【００１７】本発明の別の観点によれば、放射線感知物
質の層によって少なくとも部分的にカバーされた基板を
設けること、放射線装置を使用して放射線の投影ビーム
を発生すること、投影ビームにその断面にパターンを与
えるためパターン化装置を使用すること、放射線のパタ
ーン化された投影ビームを放射線感知物質の層のターゲ
ット部分上に投影することの各工程を含む装置の製造方
法において、前記方法が、熱負荷を受ける前記装置の少
なくとも一つの要素が、平均作動温度を有しかつ低ＣＴ
Ｅ物質から、前記低ＣＴＥ物質のＣＴＥゼロ交差温度が
前記要素の製造温度と前記平均作動温度の間にあるよう
に、作られていることを特徴とする前記装置の製造方法
が得られる。
質の層によって少なくとも部分的にカバーされた基板を
設けること、放射線装置を使用して放射線の投影ビーム
を発生すること、投影ビームにその断面にパターンを与
えるためパターン化装置を使用すること、放射線のパタ
ーン化された投影ビームを放射線感知物質の層のターゲ
ット部分上に投影することの各工程を含む装置の製造方
法において、前記方法が、熱負荷を受ける前記装置の少
なくとも一つの要素が、平均作動温度を有しかつ低ＣＴ
Ｅ物質から、前記低ＣＴＥ物質のＣＴＥゼロ交差温度が
前記要素の製造温度と前記平均作動温度の間にあるよう
に、作られていることを特徴とする前記装置の製造方法
が得られる。
【００１８】本発明のさらに別の観点によれば、使用
中、熱負荷を受けかつ平均作動温度で作動されるであろ
う光学要素を製造する方法であって、第１温度において
熱膨張係数がゼロである低ＣＴＥ物質を選択すること、
第２温度において前記選択されたた低ＣＴＥ物質を使用
して少なくとも一つの光学要素を製造することの各工程
を含む方法において、前記第１温度が前記作動温度にお
ける前記光学要素の表面変形を最小にするように前記第
２温度と前記平均作動温度の間にあることを特徴とする
前記光学要素を製造する方法が得られる。
中、熱負荷を受けかつ平均作動温度で作動されるであろ
う光学要素を製造する方法であって、第１温度において
熱膨張係数がゼロである低ＣＴＥ物質を選択すること、
第２温度において前記選択されたた低ＣＴＥ物質を使用
して少なくとも一つの光学要素を製造することの各工程
を含む方法において、前記第１温度が前記作動温度にお
ける前記光学要素の表面変形を最小にするように前記第
２温度と前記平均作動温度の間にあることを特徴とする
前記光学要素を製造する方法が得られる。
【００１９】本明細書において、ＩＣの製造における本
発明による装置の使用に対して特別に参照されるが、そ
のような装置は多くの他の可能な用途を有することが明
白に理解されるべきである。たとえば、複合光学装置、
磁気分野のメモリー用の案内および検出パターン、液晶
ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッドの製造等々におい
て使用される。熟練した技術者は、そのような別の用途
に関連して、本明細書における“網線”、“ウェーハ”
または“ダイ”なる用語の使用が一層一般的な用語“マ
スク”、“基板”および“ターゲット部分”によってそ
れぞれ置換されることを認識すべきである。
発明による装置の使用に対して特別に参照されるが、そ
のような装置は多くの他の可能な用途を有することが明
白に理解されるべきである。たとえば、複合光学装置、
磁気分野のメモリー用の案内および検出パターン、液晶
ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッドの製造等々におい
て使用される。熟練した技術者は、そのような別の用途
に関連して、本明細書における“網線”、“ウェーハ”
または“ダイ”なる用語の使用が一層一般的な用語“マ
スク”、“基板”および“ターゲット部分”によってそ
れぞれ置換されることを認識すべきである。
【００２０】本明細書において、“放射線”および“ビ
ーム”なる用語は、紫外線を含む、（たとえば、３６
５，２４８，１９３，１５７または１２６nmの波長を有
する）すべての型の電磁放射線およびＥＵＶ（たとえば
５〜２０nmの範囲の波長を有する超紫外線）、ならびに
イオンビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含
むために使用される。
ーム”なる用語は、紫外線を含む、（たとえば、３６
５，２４８，１９３，１５７または１２６nmの波長を有
する）すべての型の電磁放射線およびＥＵＶ（たとえば
５〜２０nmの範囲の波長を有する超紫外線）、ならびに
イオンビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含
むために使用される。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を添付の略
図に基づいて、単なる例示として説明する。図面におい
て対応する参照符号は対応する部品を示す。
図に基づいて、単なる例示として説明する。図面におい
て対応する参照符号は対応する部品を示す。
【００２２】図１は本発明の特殊な実施例によるリトグ
ラフ投影装置を概略図示している。装置は、この特殊な
場合には放射線源ＬＡをも含む、放射線の投影ビームＰ
Ｂ（たとえばＥＵＶ放射線）を供給するための放射装置
Ｅｘ、ＩＬ，マスクＭＡ（たとえば網線）を保持するた
めのマスクホルダを備え、かつ物品ＰＬに対してマスク
を正確に位置決めするための第１位置決め装置ＰＭに連
結された第１目的物テーブル（マスクテーブル）、基板
Ｗ（たとえばレジストをコーティングされたシリコンウ
ェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ物品
ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２位置
決め装置ＰＷに連結された第２物品テーブル（基板テー
ブル）マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの（たとえ
ば一つ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に結像す
るための投影装置（レンズ）ＰＬ（たとえば多層ミラー
の一群）を含んでいる。ここに記載されたように、装置
は反射型のもの（すなわち一つ以上の反射マスクを含
む）である。しかしながら、一般に、（たとえば伝達マ
スクを備えた）伝達型のものとすることもできる。そう
でなければ、装置は、上記のような型のプログラムし得
るミラー列のような伝達型のものとすることもできる。
ラフ投影装置を概略図示している。装置は、この特殊な
場合には放射線源ＬＡをも含む、放射線の投影ビームＰ
Ｂ（たとえばＥＵＶ放射線）を供給するための放射装置
Ｅｘ、ＩＬ，マスクＭＡ（たとえば網線）を保持するた
めのマスクホルダを備え、かつ物品ＰＬに対してマスク
を正確に位置決めするための第１位置決め装置ＰＭに連
結された第１目的物テーブル（マスクテーブル）、基板
Ｗ（たとえばレジストをコーティングされたシリコンウ
ェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ物品
ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２位置
決め装置ＰＷに連結された第２物品テーブル（基板テー
ブル）マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの（たとえ
ば一つ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に結像す
るための投影装置（レンズ）ＰＬ（たとえば多層ミラー
の一群）を含んでいる。ここに記載されたように、装置
は反射型のもの（すなわち一つ以上の反射マスクを含
む）である。しかしながら、一般に、（たとえば伝達マ
スクを備えた）伝達型のものとすることもできる。そう
でなければ、装置は、上記のような型のプログラムし得
るミラー列のような伝達型のものとすることもできる。
【００２３】線源ＬＡ（たとえばレーザー発生またはプ
ラズマ放出源）は、放射線のビームを発生する。このビ
ームは、直接またはたとえばビームエキスパンダＥＸの
ような、調節装置を横切った後、照明装置（照明器）Ｉ
Ｌに供給される。照明器ＩＬはビームの強さの分布の外
側および／または内側半径方向延長部（通常それぞれ外
側σおよび内側σと称せられる）を設定するための調節
装置ＡＭを含むことができる。さらに、それは一般に、
積分器ＩＮまたは集光器ＣＯのような、種々な他の要素
を含むであろう。このようにして、マスクＭＡに衝突す
るビームはその断面において所望の均一性および強さを
有する。
ラズマ放出源）は、放射線のビームを発生する。このビ
ームは、直接またはたとえばビームエキスパンダＥＸの
ような、調節装置を横切った後、照明装置（照明器）Ｉ
Ｌに供給される。照明器ＩＬはビームの強さの分布の外
側および／または内側半径方向延長部（通常それぞれ外
側σおよび内側σと称せられる）を設定するための調節
装置ＡＭを含むことができる。さらに、それは一般に、
積分器ＩＮまたは集光器ＣＯのような、種々な他の要素
を含むであろう。このようにして、マスクＭＡに衝突す
るビームはその断面において所望の均一性および強さを
有する。
【００２４】図１に関して、線源ＬＡは（たとえば線源
ＬＡがしばしば水銀ランプであるような場合）リトグラ
フ投影装置のハウジング内にあるが、それはリトグラフ
投影装置から離れており、それが発生する放射線ビーム
が（たとえば適当に指向されるミラーによって）装置内
に導かれることもできることを認識すべきであるが、こ
の後者のシナリオは、しばしば線源ＬＡがエクシマレー
ザーである場合である。本発明はこれらの場合も含んで
いる。
ＬＡがしばしば水銀ランプであるような場合）リトグラ
フ投影装置のハウジング内にあるが、それはリトグラフ
投影装置から離れており、それが発生する放射線ビーム
が（たとえば適当に指向されるミラーによって）装置内
に導かれることもできることを認識すべきであるが、こ
の後者のシナリオは、しばしば線源ＬＡがエクシマレー
ザーである場合である。本発明はこれらの場合も含んで
いる。
【００２５】ビームＰＢは引続いて、マスクテーブルＭ
Ｔ上に保持されている、マスクＭＡに衝突する。マスク
ＭＡによって選択的に反射され、ビームＰＢはレンズＰ
Ｌを通過し、それはビームＰＢを基板Ｗのターゲット部
分Ｃ上に結像する。第２位置決め装置（および干渉測定
装置ＩＦ）によって、基板テーブルＷＴは、たとえばビ
ームＰＢの通路内の異なったターゲット部分Ｃに位置決
めするように、正確に移動可能である。同様に、第１位
置決め装置は、ビームＰＢの通路に対して、たとえばマ
スクライブラリからのマスクＭＡの機械的検索の後、ま
たは走査の間マズクＭＡを正確に位置決めするため使用
可能である。一般に、物品テーブルＭＴ、ＷＴの移動
は、図１に明示されていないが、長行程モジュール（過
程位置決め）および短行程モジュール（精密位置決め）
によって実現されるであろう。しかしながら、（ステッ
プアンドスキャン装置と反対の）ウェーハステッパの場
合、マスクテーブルＭＴは短行程アクチュエータに当然
接続されるか、固定される。
Ｔ上に保持されている、マスクＭＡに衝突する。マスク
ＭＡによって選択的に反射され、ビームＰＢはレンズＰ
Ｌを通過し、それはビームＰＢを基板Ｗのターゲット部
分Ｃ上に結像する。第２位置決め装置（および干渉測定
装置ＩＦ）によって、基板テーブルＷＴは、たとえばビ
ームＰＢの通路内の異なったターゲット部分Ｃに位置決
めするように、正確に移動可能である。同様に、第１位
置決め装置は、ビームＰＢの通路に対して、たとえばマ
スクライブラリからのマスクＭＡの機械的検索の後、ま
たは走査の間マズクＭＡを正確に位置決めするため使用
可能である。一般に、物品テーブルＭＴ、ＷＴの移動
は、図１に明示されていないが、長行程モジュール（過
程位置決め）および短行程モジュール（精密位置決め）
によって実現されるであろう。しかしながら、（ステッ
プアンドスキャン装置と反対の）ウェーハステッパの場
合、マスクテーブルＭＴは短行程アクチュエータに当然
接続されるか、固定される。
【００２６】図示の装置は二つの異なったモードで使用
可能である。１．ステップモードにおいて、マスクテー
ブルＭＴは本質的に静止状態に保持され、全マスク像は
ターゲット部分Ｃ上に一回の行程で（すなわち一回の照
射で）投影される。ついで基板テーブルＷＴは、異なっ
たターゲット部分ＣがビームＰＢによって照射可能であ
るように、ｘおよび／またはｙ方向に移行される。２．
スキャンモードにおいて、同じシナリオが、所定のター
ゲット部分Ｃが一回の照射で露出されないことを除い
て、同じシナリオが適用される。その代わり、マスクテ
ーブルＭＴはある速度ｖで、所定の方向に（いわゆる走
査方向、たとえばｙ方向）に移動可能であり、そこで投
影ビームＰＢはマスク像の上を走査され、同時に基板テ
ーブルＷＴは同じまたは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで動か
され、ここでＭはレンズＰＬの拡大率である（典型的に
はＭ＝１／４または１／５）。このようにして、比較的
大きいターゲット部分Ｃが、解像度を調節する必要なし
に、露出可能である。
可能である。１．ステップモードにおいて、マスクテー
ブルＭＴは本質的に静止状態に保持され、全マスク像は
ターゲット部分Ｃ上に一回の行程で（すなわち一回の照
射で）投影される。ついで基板テーブルＷＴは、異なっ
たターゲット部分ＣがビームＰＢによって照射可能であ
るように、ｘおよび／またはｙ方向に移行される。２．
スキャンモードにおいて、同じシナリオが、所定のター
ゲット部分Ｃが一回の照射で露出されないことを除い
て、同じシナリオが適用される。その代わり、マスクテ
ーブルＭＴはある速度ｖで、所定の方向に（いわゆる走
査方向、たとえばｙ方向）に移動可能であり、そこで投
影ビームＰＢはマスク像の上を走査され、同時に基板テ
ーブルＷＴは同じまたは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで動か
され、ここでＭはレンズＰＬの拡大率である（典型的に
はＭ＝１／４または１／５）。このようにして、比較的
大きいターゲット部分Ｃが、解像度を調節する必要なし
に、露出可能である。
【００２７】図２は、リトグラフ装置１の照明および投
影装置における多層ミラーの基板を作るため使用され
る、ゼロヅール（Ｚｅｒｏｄｕｒ，登録商標）のような
低ＣＴＥガラスセラミックまたはＵＬＥ（登録商標）の
ようなガラスの熱膨張係数の温度による変化を示してい
る。曲線ＣＴＥ（Ｔ）、温度Ｔの関数としての熱膨張係
数は、温度Ｂにおいてゼロで交差し、Ｂの両側の温度範
囲に対して実質的に直線である。本発明によれば、光学
要素は温度Ａで製造され、ＡおよびＣは、ＣＴＥ（Ｔ）
が実質的に直線であり、Ｂが Ａ≦Ｂ≦Ｃ または Ａ≧Ｂ≧Ｃ （１） となるようにＡとＣの間にあるような平均温度で作動さ
れる。
影装置における多層ミラーの基板を作るため使用され
る、ゼロヅール（Ｚｅｒｏｄｕｒ，登録商標）のような
低ＣＴＥガラスセラミックまたはＵＬＥ（登録商標）の
ようなガラスの熱膨張係数の温度による変化を示してい
る。曲線ＣＴＥ（Ｔ）、温度Ｔの関数としての熱膨張係
数は、温度Ｂにおいてゼロで交差し、Ｂの両側の温度範
囲に対して実質的に直線である。本発明によれば、光学
要素は温度Ａで製造され、ＡおよびＣは、ＣＴＥ（Ｔ）
が実質的に直線であり、Ｂが Ａ≦Ｂ≦Ｃ または Ａ≧Ｂ≧Ｃ （１） となるようにＡとＣの間にあるような平均温度で作動さ
れる。
【００２８】好ましくは、ゼロ交差温度Ｂは、製造温度
Ａと平均作動温度Ｃの中間にある。すなわち ＣＴＥ（Ｔ）がＡからＣまでの範囲で直線でない、さら
に一般的な場合、製造温度および／または平均作動温度
は のように選択されるべきである。
Ａと平均作動温度Ｃの中間にある。すなわち ＣＴＥ（Ｔ）がＡからＣまでの範囲で直線でない、さら
に一般的な場合、製造温度および／または平均作動温度
は のように選択されるべきである。
【００２９】もし上記条件が満足されるならば、平均作
動温度におけるミラーの表面変形は、実質的にゼロとな
るであろう。このことは、表面変形を温度Ｔの関数とし
て示す図３から分かるであろう。ＡがＣより小さく、Ｃ
ＴＥ（Ｔ）がＢ以下でマイナスであるこの例において、
その温度がＡからＢまで上昇するときのミラーの最初の
収縮は温度がＢ以上に上昇するとき反対になる。この例
において、製造温度は２２℃であり、平均作動温度は約
３０℃であり、そこで２６℃でＣＴＥゼロ交差するガラ
ス（またはガラスセラミック）が選択される。
動温度におけるミラーの表面変形は、実質的にゼロとな
るであろう。このことは、表面変形を温度Ｔの関数とし
て示す図３から分かるであろう。ＡがＣより小さく、Ｃ
ＴＥ（Ｔ）がＢ以下でマイナスであるこの例において、
その温度がＡからＢまで上昇するときのミラーの最初の
収縮は温度がＢ以上に上昇するとき反対になる。この例
において、製造温度は２２℃であり、平均作動温度は約
３０℃であり、そこで２６℃でＣＴＥゼロ交差するガラ
ス（またはガラスセラミック）が選択される。
【００３０】熟練した読者は、リトグラフ装置に使用さ
れるような高精度光学要素は、通常、まったく一定の温
度に維持されている間にそれらの最終的形状に研磨され
ることを知るであろう。しかしながら、製造行程が異な
った温度で実施される場合、本発明の目的に対し、製造
温度として適切なものは最終の研磨および形状検査温度
である。
れるような高精度光学要素は、通常、まったく一定の温
度に維持されている間にそれらの最終的形状に研磨され
ることを知るであろう。しかしながら、製造行程が異な
った温度で実施される場合、本発明の目的に対し、製造
温度として適切なものは最終の研磨および形状検査温度
である。
【００３１】本発明の特殊な実施例が上記に記載された
が、本発明は記載された以外の方法でも実施される。上
記記載は本発明の限定を意図とするものではない。
が、本発明は記載された以外の方法でも実施される。上
記記載は本発明の限定を意図とするものではない。
【図１】本発明によるリトグラフ投影装置を示す図。
【図２】本発明に使用されるガラス（またはガラスセラ
ミック）の熱膨張係数の温度による変化を示すグラフ。
ミック）の熱膨張係数の温度による変化を示すグラフ。
【図３】本発明による光学要素の表面変形の温度による
変化を示すグラフ。
変化を示すグラフ。
１ リトグラフ投影装置
ＥＸ 放射装置（ビームエキスパンダ）
ＩＬ 放射装置（照明装置）
ＰＢ 投影ビーム
ＬＡ 放射線源（水銀ランプ、エキシマレーザ）
ＭＴ マスクテーブル
ＭＡ マスク
ＰＭ 第１位置決め装置
ＰＬ 投影装置（レンズ）
Ｗ 基板（シリコンウェーハ）
ＷＴ 第２物品テーブル
ＰＷ 第２位置決め装置
Ｃ ターゲット部分
ＡＭ 調節装置
ＩＮ 積分装置
ＣＯ 集光装置
ＩＦ 干渉測定装置
Claims (9)
- 【請求項１】 放射線の投影ビームを発生するための放
射線システム、 パターン化装置を支持するための支持構造であって、パ
ターン化装置が所望のパターンに従って投影ビームをパ
ターン化する働きをする支持構造、 基板を保持するための基板テーブル、 パターン化されたビームを基板のターゲット部分上に投
影するための投影装置、 を有するリトグラフ投影装置において、 使用中に熱負荷を受ける前記装置の少なくとも一つの要
素が、製造温度と前記要素の平均作動温度との間の温度
においてゼロ交差を有する熱膨張係数を有する低ＣＴＥ
物質から作られていることを特徴とするリトグラフ投影
装置。 - 【請求項２】 前記ゼロ交差の温度が実質的に前記製造
温度と前記平均作動温度の平均に等しい請求項１に記載
された装置。 - 【請求項３】 前記製造温度から前記作動温度までの前
記低ＣＴＥ物質の熱膨張係数の積分値が実質的にゼロで
ある請求項１または２に記載された装置。 - 【請求項４】 前記少なくとも一つの要素が前記放射お
よび／または投影装置における光学要素である請求項
１，２または３のいずれか１項に記載された装置。 - 【請求項５】 前記光学要素が使用中最高の熱負荷を受
ける前記放射および／または投影装置における光学要素
である請求項４に記載された装置。 - 【請求項６】 前記光学要素がミラーである請求項４ま
たは５に記載された装置。 - 【請求項７】 前記ミラーが前記低ＣＴＥ物質および多
層の堆積から作られている請求項６に記載された装置。 - 【請求項８】 放射線感知物質の層によって少なくとも
部分的にカバーされた基板を設けること、 放射線装置を使用して放射線の投影ビームを発生するこ
と、 投影ビームにその断面にパターンを与えるためパターン
化装置を使用すること、 放射線のパターン化された投影ビームを放射線感知物質
の層のターゲット部分上に投影すること、 の各工程を含む装置の製造方法において、前記方法が、 熱負荷を受ける前記装置の少なくとも一つの要素が、平
均作動温度を有しかつ低ＣＴＥ物質から、前記低ＣＴＥ
物質のＣＴＥゼロ交差温度が前記要素の製造温度と前記
平均作動温度の間にあるように、作られていることを特
徴とする前記装置の製造方法。 - 【請求項９】 使用中、熱負荷を受けかつ平均作動温度
で作動される光学要素を製造する方法であって、 第１温度において熱膨張係数がゼロである低ＣＴＥ物質
を選択すること、 第２温度において前記選択された低ＣＴＥ物質を使用し
て少なくとも一つの光学要素を製造することの各工程を
含む方法において、 前記第１温度が、前記作動温度における前記光学要素の
表面変形を最小にするように、前記第２温度と前記平均
作動温度との間にあることを特徴とする前記光学要素を
製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01310155 | 2001-12-04 | ||
| EP01310155.5 | 2001-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188097A true JP2003188097A (ja) | 2003-07-04 |
| JP3588095B2 JP3588095B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=8182514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002382893A Expired - Fee Related JP3588095B2 (ja) | 2001-12-04 | 2002-12-02 | リトグラフ投影装置、装置の製造方法および光学要素を製造する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6747730B2 (ja) |
| JP (1) | JP3588095B2 (ja) |
| KR (1) | KR100588126B1 (ja) |
| CN (1) | CN1282039C (ja) |
| SG (1) | SG103376A1 (ja) |
| TW (1) | TWI260469B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005228875A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
| JP2007524214A (ja) * | 2003-09-27 | 2007-08-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | ゼロ転移温度周辺の熱膨張係数に応じて温度の上昇に対する傾きの符号が異なる材料で構成されたミラーを備えたｅｕｖ投影レンズ |
| US7295284B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-11-13 | Canon Kk | Optical system, exposure apparatus using the same and device manufacturing method |
| JP2010251801A (ja) * | 2010-07-26 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | ゼロ転移温度周辺の熱膨張係数に応じて温度の上昇に対する傾きの符号が異なる材料で構成されたミラーを備えたｅｕｖ投影レンズ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7428037B2 (en) * | 2002-07-24 | 2008-09-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical component that includes a material having a thermal longitudinal expansion with a zero crossing |
| JP5620638B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2014-11-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像装置 |
| DE102008002403A1 (de) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagen-Beschichtung, optisches Element und optische Anordnung |
| EP2221669A3 (en) * | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
| DE102010030913A1 (de) * | 2010-07-05 | 2011-10-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Erzeugen eines Substrats für einen EUV-Spiegel mit einer Soll-Oberflächenform bei einer Betriebstemperatur |
| DE102010044969A1 (de) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Steuervorrichtung |
Family Cites Families (13)
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