JP2003186210A - 圧電振動片、圧電振動子及び圧電デバイスの製造方法、並びにフォトマスク及びその位置合わせ方法 - Google Patents

圧電振動片、圧電振動子及び圧電デバイスの製造方法、並びにフォトマスク及びその位置合わせ方法

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JP2003186210A
JP2003186210A JP2001380394A JP2001380394A JP2003186210A JP 2003186210 A JP2003186210 A JP 2003186210A JP 2001380394 A JP2001380394 A JP 2001380394A JP 2001380394 A JP2001380394 A JP 2001380394A JP 2003186210 A JP2003186210 A JP 2003186210A
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Yukio Ishii
幸男 石井
Yoshiyuki Yamada
祥之 山田
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Seiko Epson Corp
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 碁盤目54のマス目により画定される正
方形の第1開口27からなる第1アライメントパターン
26を有する第1フォトマスク24と、同じ碁盤目のマ
ス目により画定される正方形の第2開口34からなる第
2アライメントパターン33を有する第2フォトマスク
31とを、これらフォトマスクを整合させたとき、第2
開口が、その正方形の頂点で隣接する4つの第1開口と
その頂点と一致するように外接する幾何学的位置関係を
有するように用意する。第1フォトマスクを用いて第1
開口に対応する基準アライメントマーク29をウエハ2
1表面に転写し、第2フォトマスクをウエハに対して、
各第2開口と隣接する基準アライメントマークとがかか
る幾何学的位置関係を実現するように位置合わせする。 【効果】 パターンの微細化に対応可能で、位置ずれの
有無及び程度を目視で容易に判断でき、フォトマスクの
アライメント精度が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報通信機器やコ
ンピュータ等のOA機器、電子時計等の民生機器を含む
様々な電子機器について使用される圧電振動子や加速度
センサとして使用される圧電素子等の圧電デバイスの製
造方法に関し、特に圧電デバイスに使用する圧電振動片
を、水晶等の圧電材料からなるウエハをパターニングす
ることにより製造する方法に関する。また本発明は、特
にこれらの方法に使用するのに適したフォトマスク及び
その位置合わせ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、様々な圧電デバイスに搭載され
る音叉型水晶振動片やATカット水晶振動片等の圧電振
動片は、水晶等の圧電材料からなるウエハに複数回フォ
トエッチングを行い、振動片の外形を加工して多数の圧
電素子片を形成し、かつそれらの表面に電極材料を成膜
してパターニングすることにより製造される。また最近
は、音叉型圧電振動片において、電界効率の向上及びC
I値の低下を実現するために、振動腕の両面又は片面に
設けた溝の内面に駆動電極を形成する構造のものや、厚
みすべりモードを主振動とする圧電振動片において、そ
の主面に薄肉励振部を凹設した所謂逆メサ構造のものが
開発されており、これらを製造する場合には、振動片の
外形加工した後で更にウエハ表面をフォトエッチングす
る工程が追加される。
【0003】図22乃至図24は、上述した振動腕の両
面に溝を設けて駆動電極を形成する構造の音叉型圧電振
動片を製造する工程を具体的に示している。先ず、所定
寸法の水晶ウエハ1を用意し、その表裏両面にCr膜及
びその上にAu膜を蒸着又はスパッタリングにより所定
厚さに成膜して、水晶のエッチング液であるフッ酸に対
する耐蝕膜2を形成し、その表面にフォトレジストを塗
布しかつ乾燥させて、レジスト膜3を形成する。次に、
水晶ウエハ1の表裏両側に、所望の圧電振動片の外形に
対応する同一のエッチングパターン4を描画した上下1
対の第1フォトマスク5を各レジスト膜3の上に配置
し、紫外線で露光して該エッチングパターンを転写する
(図22(A))。レジスト膜3は、その感光部分を現
像除去して耐蝕膜2のAu膜表面を露出させる(図22
(B))。更に、露出させた耐蝕膜2のAu膜及びCr
膜をそれぞれ適当なエッチング液で順次エッチングし、
水晶ウエハ1の表面を露出させる(図22(C))。
【0004】次に、残存するレジスト膜3を全部剥離し
た後、残存する耐蝕膜2を含む水晶ウエハ1の全面にフ
ォトレジストを再度塗布しかつ乾燥させて、新たにレジ
スト膜6を形成する。この水晶ウエハ1の表裏両側に、
圧電振動片の外形及び振動腕の溝形状に対応するエッチ
ングパターン7を描画した上下1対の第2フォトマスク
8を各レジスト膜5の上に配置し、紫外線で露光して該
エッチングパターンを転写する(図22(D))。レジ
スト膜6は、その感光部分を現像除去して、圧電振動片
の外形に対応する水晶ウエハ1の表面及び振動腕の溝形
状に対応する耐蝕膜2のAu膜表面を露出させる(図2
3(E))。
【0005】次に、再び露出させた水晶ウエハ1の表面
部分を、適当な水晶用エッチング液でエッチングし、振
動腕9を含む圧電振動片の外形形状を加工する(図23
(F))。更に、露出させた耐蝕膜2のAu膜及びCr
膜をそれぞれエッチング液で順次エッチングして、前記
振動腕の溝形状に対応する水晶ウエハ1の表面部分を露
出させる(図23(G))。これにより露出した水晶ウ
エハ1の表面部分を水晶用エッチング液で所定の深さま
でハーフエッチングし、振動腕9に溝10を形成する
(図23(H))。残存するレジスト膜6及び耐蝕膜2
を剥離すると、所望の圧電振動片の外形を有しかつその
振動腕に溝形状を設けた多数の水晶素子片11が、水晶
ウエハ1の枠部と一体に連結・支持した状態で形成され
る(図23(I))。
【0006】次に、各水晶素子片11の全面に電極材料
を蒸着、スパッタリング等することにより電極膜12を
成膜し(図24(J))、その上にフォトレジストを全
面に塗布しかつ乾燥させてレジスト膜13を形成する。
この水晶ウエハ1の表裏両側に、所望の電極及び配線パ
ターンに対応するエッチングパターン14を描画した上
下1対の第3フォトマスク15を各レジスト膜13の上
に配置し、紫外線で露光して該エッチングパターンを転
写する(図24(K))。レジスト膜13の感光部分を
現像除去して電極膜12の表面を露出させ(図24
(L))、かつその露出面を適当なエッチング液でエッ
チングして水晶ウエハ1の表面を露出させることにより
前記電極膜を分極し、所望の電極16及び配線を得る
(図24(M))。
【0007】最後に、残存するレジスト膜13を剥離除
去することにより、水晶ウエハ1の前記枠部と一体に連
結・支持した状態で並べた多数の音叉型水晶振動片17
が完成する。各水晶振動片17は、水晶ウエハ1の前記
枠部との連結部分を折り取って個々に切り離し、圧電デ
バイスのパッケージにマウントする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来方法の製造工程では、圧電振動片の外形をフォト
エッチングする際(図22(A))に、上下の第1フォ
トマスク5を、各エッチングパターン4が互いに完全に
重なるように目視で確認しながら位置合わせするが、全
く同じエッチングパターンなため、両フォトマスク間で
位置ずれを生じ易く、かつそのずれの量・程度を判断し
難いという問題がある。そのため、上下の第1フォトマ
スク5が、仮にエッチングパターン4の中の1つの圧電
振動片については概ね整合していたとしても、マスク全
体を一度に見ることができないので、残りの圧電振動片
については縦又は横方向に位置ずれを生じ易い。更に、
フォトマスクのずれ具合によっては、両方のエッチング
パターン4が全く同じであるため、互いに見えなくなっ
てしまい、作業がより一層面倒になる虞がある。
【0009】また、振動腕の溝形状をパターニングする
際(図22(D))には、上下の第2フォトマスク8
を、それぞれ水晶ウエハ1各面の耐蝕膜2に転写された
圧電振動片の外形パターン18を基準にして、その振動
腕に対応する部分にエッチングパターン7の前記溝に対
応する部分が整合するように、目視で位置合わせする。
このため、上下の各第2フォトマスク8においてそれぞ
れ位置ずれを生じ易く、しかも、仮に外形パターン18
の中の1つの圧電振動片については概ね整合していたと
しても、マスク全体を一度に見ることができないので、
残りの圧電振動片については縦又は横方向に位置ずれを
生じ易いという問題がある。同様の問題は、水晶素子片
11の加工後にその表面に形成した電極膜12を所望の
電極及び配線にパターニングするために、水晶ウエハ1
の表裏両側に上下の第3フォトマスク15を位置合わせ
する際にも発生する。
【0010】しかも最近は、電子機器の小型化に伴う圧
電デバイスの小型化に対応して、これに搭載する圧電振
動片の小型化、及びその表面に成膜する電極・配線パタ
ーンの微細化が要求されている。そのため、上述したよ
うに圧電振動片の外形や電極を転写するためのエッチン
グパターンを利用して目視でフォトマスクを位置合わせ
する従来の方法では、アライメント精度が低くかつ調整
作業が面倒で、不良品が発生したり作業効率が低下し、
歩留まり及び生産性を低下させる虞がある。
【0011】そこで本発明は、上述した従来の問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、複数のフォト
マスクを用いてエッチングにより圧電材料のウエハに圧
電振動片の外形を加工しかつ電極をパターニングする工
程において、ウエハに対する各フォトマスクのアライメ
ント精度を向上させ、いずれのフォトマスクも目視で正
確にかつ簡単に位置合わせすることができ、かつ圧電振
動片の小型化及び電極・配線パターンの微細化に対応し
得る圧電振動片の製造方法を提供することにある。
【0012】更に本発明は、かかる方法により製造され
た圧電振動片を搭載した圧電振動子及び圧電デバイスの
製造方法を提供することを目的とする。
【0013】また、本発明の目的は、複数のフォトマス
クを用いてワークの表面をパターニングする際に、ワー
ク表面に対する各フォトマスクのアライメント精度を向
上させ、いずれのフォトマスクも目視で正確に位置合わ
せでき、しかもワークの小型化及びパターンの微細化に
対応し得るようにしたフォトマスク、及びその位置合わ
せ方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するために、第1主パターン及び複数の第1開
口からなる第1アライメントパターンを有する第1フォ
トマスクを用いて、エッチングにより例えば水晶である
圧電材料のウエハに圧電振動片の外形を加工して複数の
圧電素子片を形成し、かつウエハの表面に前記第1開口
に対応する複数の基準アライメントマークを転写し、第
2主パターン及び1つ又は複数の第2開口からなる第2
アライメントパターンを有する第2フォトマスクを用い
て、フォトリソグラフィ法により各圧電素子片の表面に
電極パターンを成膜する過程からなり、前記第2開口
が、第2フォトマスクを第1フォトマスクと整合させた
とき、その内周上の少なくとも3つの異なる位置で、そ
れぞれ隣接する第1開口の内周との間に一定の幾何学的
関係を有するように設けられており、各圧電素子片の表
面に電極パターンを成膜する際に、ウエハ表面に転写さ
れた前記基準アライメントマークに対して前記第2開口
が前記幾何学的関係を有するように、第2フォトマスク
をウエハに位置合わせすることを特徴とする圧電振動片
の製造方法が提供される。
【0015】このように第2フォトマスクの第2開口
は、ウエハ表面に転写した基準アライメントマークに対
して、その内周上の少なくとも3つの異なる位置で一定
の幾何学的関係を有するように構成されているので、第
2フォトマスクが所望の整合位置から縦横又は回転方向
のいずれの方向にずれても、位置ずれの有無及びその程
度を目視で容易に判断することができる。従って、フォ
トマスク間のアライメント精度が向上し、調整作業が簡
単にかつ正確に位置合わせでき、異なるフォトマスクを
順に用いてエッチングで同時に多数の圧電振動片をウエ
ハに形成するときに、ウエハ上の全ての圧電振動片につ
いて電極パターンのずれ、それによる不良品の発生を確
実に防止することができる。
【0016】前記一定の幾何学的関係は、例えば互いに
隣接する第1開口と第2開口とがその内周上の前記少な
くとも3つの位置においてそれぞれ外接するような位置
関係をいう。別の実施例では、前記幾何学的関係を、互
いに隣接する前記開口と開口とがその内周上の前記位置
においてそれぞれ等しく重なる位置関係、又はそれぞれ
等しく離隔する位置関係をいう。これらいずれの場合に
も、その幾何学的関係が前記内周上の少なくとも3つの
位置において等しく維持されているかどうかによって、
フォトマスクの位置ずれの有無及びその程度を目視で簡
単に判断できる。
【0017】或る実施例では、前記ウエハに圧電素子片
を形成しかつ前記基準アライメントマークを転写した後
に、第3主パターン及び前記第2開口とは異なる1つ又
は複数の第3開口からなる第3アライメントパターンを
有する第3フォトマスクを用いて、エッチングにより圧
電素子片の表面に電極パターンの一部を設けるための凹
所を形成する過程を更に含み、前記第3開口が、第1フ
ォトマスクと整合させたとき、その内周上の少なくとも
3つの異なる位置で、それぞれ隣接する第1開口の内周
との間に一定の幾何学的関係を有するように設けられて
おり、各圧電素子片の表面に凹所を形成する際に、ウエ
ハ表面に転写された前記基準アライメントマークに対し
て前記第3開口が前記幾何学的関係を有するように位置
合わせする。
【0018】これにより、例えば音叉型圧電振動片の振
動腕に電極を形成するための溝を形成したり、所謂逆メ
サ構造を有する厚みすべりモードの圧電振動片の主面に
薄肉励振部を凹設するために、ウエハ表面に更に異なる
パターンを転写する工程を追加するときに、上記第2フ
ォトマスクと同様にウエハ表面の基準アライメントマー
クを利用して、それに対して第3開口が前記幾何学的関
係を有するかどうか、即ちその内周が外接し、等しく重
なり又は離隔することを確認することによって、第3フ
ォトマスクの正確な位置合わせを目視で容易に判断する
ことができる。このとき、第3フォトマスクの第3開口
はウエハ表面に転写されることになるが、第2フォトマ
スクの位置合わせは、第3フォトマスクの場合とは異な
る基準アライメントマークを使用して行うので、十分な
アライメント精度が確保されている。従って、更にパタ
ーニングの工程が追加されて、使用するフォトマスクが
3枚を超える多数になっても、予めその数に合わせた基
準アライメントマークをウエハ表面に設けておくことに
よって、常に全てのフォトマスクを同様に正確に位置合
わせすることができる。
【0019】別の実施例では、前記第1フォトマスクが
第1主パターンを有する1対の第1上下マスクからな
り、第1上マスクが、基準アライメントマークを転写す
るための複数の第1上側開口からなる第1アライメント
パターンを有し、第1下マスクが、1つ又は複数の第1
下側開口からなる第1下側アライメントパターンを有
し、かつ第1下側開口が、第1上マスクと整合させたと
き、その内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それ
ぞれ隣接する第1上側開口の内周との間に一定の幾何学
的関係を有するように設けられており、前記第1フォト
マスクを用いてウエハをパターニングする際に、第1上
マスクと第1下マスクとを、第1下側開口と隣接する第
1上側開口とが前記幾何学的関係を有するように位置合
わせし、それらの間に前記ウエハを配置する過程を更に
含む。
【0020】このように第1上下マスクの第1上側開口
と第1下側開口とが互いに異なる位置に、かつ一定の幾
何学的関係を有するように設けられるので、両フォトマ
スクが所望の整合位置からいずれの方向にずれても、位
置ずれの有無及びその程度を目視で簡単に判断すること
ができる。従って、ウエハの両面から同時に圧電振動片
の外形をパターニングするときに、簡単な調整作業で正
確な位置合わせが可能になる。
【0021】更に別の実施例では、前記第2フォトマス
クが1対の第2上下マスクからなり、第2上マスクが、
1つ又は複数の第2上側開口からなる第2アライメント
パターンを有し、かつ第2上側開口が、第1フォトマス
クと整合させたとき、その内周上の少なくとも3つの異
なる位置で、それぞれ隣接する第1開口の内周との間に
一定の幾何学的関係を有するように設けられており、第
2下マスクが、複数の第2下側開口からなる第2下側ア
ライメントパターンを有し、かつ第2下側開口が、第2
上マスクと整合させたとき、その内周上の少なくとも3
つの異なる位置で、それぞれ隣接する第2上側開口の内
周との間に一定の幾何学的関係を有するように設けられ
ており、第2フォトマスクを用いて各圧電素子片表面に
電極パターンを成膜する際に、ウエハに対して第2上マ
スクを、ウエハ表面に転写された基準アライメントマー
クに対して第2上側開口が前記幾何学的関係を有するよ
うに位置合わせして配置し、ウエハを一旦取り外した
後、第2上マスクの下側に第2下マスクを、第2上側開
口と隣接する第2下側開口とが前記幾何学的関係を有す
るように位置合わせして配置し、それらの間にウエハ
を、再び第2上側開口が基準アライメントマークに対し
て前記幾何学的関係を有するように位置合わせして配置
する過程を更に含む。
【0022】これにより、同様にウエハの両面から各圧
電素子片の両面に同時に電極パターンを成膜するとき
に、第2上下マスクの第2上側開口と第2下側開口とが
互いに異なる位置に、かつ同様に一定の幾何学的関係を
有するように設けられているので、両フォトマスクが所
望の整合位置からいずれの方向にずれても、位置ずれの
有無及びその程度を目視で簡単に判断することができ、
簡単な調整作業で正確な位置合わせが可能になる。
【0023】更にまた、別の実施例では、前記第3フォ
トマスクが1対の第3上下マスクからなり、第3上マス
クが、1つ又は複数の第3上側開口からなる第3アライ
メントパターンを有し、かつ第3上側開口が、第1フォ
トマスクと整合させたとき、その内周上の少なくとも3
つの異なる位置で、それぞれ隣接する第1開口の内周と
の間に一定の幾何学的関係を有するように設けられてお
り、第3下マスクが、複数の第3下側開口からなる第3
下側アライメントパターンを有し、かつ第3下側開口
が、第3上マスクと整合させたとき、それぞれ隣接する
第3上側開口の内周との間に一定の幾何学的関係を有す
るように設けられており、圧電素子片の表面に電極パタ
ーンの一部を設けるための凹所を形成する際に、ウエハ
に対して第3上マスクを、ウエハ表面に転写された基準
アライメントマークに対して前記幾何学的関係を有する
ように位置合わせして配置し、ウエハを一旦取り外した
後、第3上マスクの下側に第3下マスクを、第3上側開
口と隣接する第3下側開口とが前記幾何学的関係を有す
るように位置合わせして配置し、それらの間にウエハ
を、再び第3上側開口が基準アライメントマークに対し
て前記幾何学的関係を有するように位置合わせして配置
する過程を更に含む。
【0024】これにより、例えば音叉型圧電振動片の振
動腕に電極を形成するための溝や厚みすべりモードの逆
メサ型構造圧電振動片の主面に薄肉励振部を設けるため
に、ウエハの両面から同時に行うフォトエッチングの工
程を追加するときにも、同様に第3上下マスクの第3上
側開口と第3下側開口とが互いに異なる位置に、かつ同
様に一定の幾何学的関係を有するように設けられるの
で、両フォトマスクの位置ずれ及びその程度を目視で簡
単に判断でき、簡単な調整作業で正確に位置合わせが可
能になる。また、ウエハの両面から同時に行うパターニ
ングの工程が更に追加された場合も、同様に全てのフォ
トマスクについて上下マスクを正確に位置合わせするこ
とができる。
【0025】本発明の別の側面によれば、上述した本発
明の方法により製造された圧電振動片をウエハから分離
し、パッケージ内にマウントしかつ封止することを特徴
とする圧電振動子の製造方法が提供される。
【0026】更に本発明の別の側面によれば、上述した
本発明の方法により製造された圧電振動片をウエハから
分離し、IC(半導体集積回路)素子と共に、パッケー
ジ内にマウントしかつ封止することを特徴とする圧電デ
バイスの製造方法が提供される。
【0027】また、本発明の異なる側面によれば、第1
主パターン及び複数の第1開口からなる第1アライメン
トパターンを有する第1フォトマスクと、第2主パター
ン及び1つ又は複数の第2開口からなる第2アライメン
トパターンを有する第2フォトマスクとを備え、前記第
1及び第2アライメントパターンが、第1フォトマスク
と第2フォトマスクとを整合させたとき、第2開口がそ
の内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それぞれ隣
接する第1開口の内周との間に一定の幾何学的関係を有
するように設けられていることを特徴とするフォトマス
クが提供される。
【0028】第1フォトマスクを用いた最初のパターニ
ングで、ワーク表面に第1アライメントパターンが転写
されるので、その転写された第1開口を基準アライメン
トマークとして利用することにより、第2フォトマスク
をワーク表面に対して目視で正確にかつ簡単に位置合わ
せでき、ワーク表面に異なるパターンを位置ずれなくパ
ターニングすることができる。
【0029】或る実施例では、前記第2フォトマスク
が、互いに異なる1つ又は複数の第2開口からなる第2
アライメントパターンを有する複数のフォトマスクから
なる。ワークの同じ表面を多数の異なるフォトマスクを
用いて多数回パターニングする場合に、いずれのフォト
マスクも、ワーク表面に最初に転写された第1アライメ
ントパターンの第1開口を基準アライメントマークとし
て利用することにより、常に目視による正確に位置合わ
せが可能となる。
【0030】従って本発明の別の側面によれば、これら
のフォトマスクを用いてワークの表面をパターニングす
るために、ワーク表面に対向させて第1フォトマスクを
配置し、第1主パターン及び第1アライメントパターン
を転写して、第1開口に対応する複数の基準アライメン
トマークをワーク表面に形成し、該ワーク表面に対向さ
せて第2フォトマスクを配置し、ワーク表面に転写され
た前記基準アライメントマークに対して第2開口が前記
幾何学的関係を有するように位置合わせすることを特徴
とするフォトマスクの位置合わせ方法が提供される。
【0031】また、別の実施例のフォトマスクでは、ワ
ークの上下両面を同時にパターニングするために、前記
第1フォトマスクが1対の第1上下マスクからなり、該
第1上マスクが複数の第1開口からなる第1アライメン
トパターンを有し、第1下マスクが、1つ又は複数の第
1下側開口からなる第1下側アライメントパターンを有
し、かつ第1下側開口が、第1上マスクと整合させたと
き、その内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それ
ぞれ隣接する第1開口の内周との間に一定の幾何学的関
係を有するように設けられている。
【0032】このフォクマスクでは、上側の第1開口と
第1下側開口とが互いに異なる位置に、かつ同様に一定
の幾何学的関係を有するように設けられているので、第
1上マスクと第1下マスクとを、第1下側開口とそれに
隣接する第1開口とが前記幾何学的関係を有するように
位置合わせすることにより、両マスクが所望の整合位置
からいずれの方向にずれても、位置ずれの有無及びその
程度を目視で簡単に判断することができる。従って、そ
れらマスクの間にワークを配置することにより、その両
面を同時にパターニングするときに、簡単な調整作業で
正確な位置合わせが可能になる。
【0033】従って、本発明の別の側面によれば、この
フォトマスクを用いてワークの両面をパターニングする
ために、第1上マスクと第1下マスクとを、第1下側開
口が隣接する第1上側開口と前記幾何学的関係を有する
ように位置合わせし、それらの間にワークを第1上マス
ク及び第1下マスクにそれぞれ対向させて配置すること
を特徴とするフォトマスクの位置合わせ方法が提供され
る。
【0034】更に別の実施例のフォトマスクでは、前記
第2フォトマスクが1対の第2上下マスクからなり、第
2上マスクが、複数の第2開口からなる第2アライメン
トパターンを有し、第2下マスクが、1つ又は複数の第
2下側開口からなる第2下側アライメントパターンを有
し、かつ第2下側開口が、第2上マスクと整合させたと
き、その内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それ
ぞれ隣接する第2開口の内周との間に一定の幾何学的関
係を有するように設けられている。
【0035】このフォクマスクでは、ワークの両面を複
数回パターニングするとき、同様に第1フォトマスクに
よりワーク表面に転写された第1開口に対応する基準ア
ライメントマークを利用して、第2上マスクを、該基準
アライメントマークに対して第2開口が前記幾何学的関
係を有するように位置合わせして配置し、ワークを一旦
取り外した後に、第2下マスクを第2上マスクの下側
に、上側の第2開口と隣接する第2下側開口とが前記幾
何学的関係を有するように位置合わせして配置すること
により、第2上下マスクを、それらが所望の整合位置か
らいずれの方向にずれても位置ずれの有無及びその程度
を目視で簡単に判断できるので、正確に位置合わせする
ことができる。更に、これら第2上下マスクの間にワー
クを、再び上側の第2開口が基準アライメントマークに
対して前記幾何学的関係を有するように位置合わせして
配置することにより、ワークをその両面から複数回、各
パターン間でかつそれぞれの上下マスク間で位置ずれな
くパターニングすることが可能になる。
【0036】従って、本発明の別の側面によれば、この
フォトマスクを用いてワークの両面をパターニングする
ために、ワークの一方の表面に対向させて第1フォトマ
スクを配置し、第1主パターン及び第1アライメントパ
ターンを転写して、前記第1開口に対応する複数の基準
アライメントマークを前記一方の表面に形成し、ワーク
の前記一方の表面に対向させて第2上マスクを、該ワー
ク表面に転写された基準アライメントマークに対して第
2開口が前記幾何学的関係を有するように位置合わせし
て配置し、ワークを一旦取り外した後、第2上マスクの
下側に第2下マスクを、第2開口と隣接する第2下側開
口とが前記幾何学的関係を有するように位置合わせして
配置し、それらの間にワークを、再びワーク表面に転写
された前記基準アライメントマークに対して第2開口が
前記幾何学的関係を有するように位置合わせして配置す
ることを特徴とするフォトマスクの位置合わせ方法が提
供される。
【0037】また、或る実施例のフォトマスクでは、第
1フォトマスクに形成される第1アライメントパターン
を構成する前記複数の第1開口が、縦横に直交する格子
状に配列された2列の同一形状かつ同一寸法の矩形開口
からなり、前記第2開口が、第1フォトマスクと第2フ
ォトマスクとを整合させたとき、互いに隣接するいずれ
か4つの第1開口の間に位置する矩形開口からなり、か
つその4つの頂点において、前記隣接する4つの第1開
口の各頂点との間に前記幾何学的関係を有するように構
成される。
【0038】このようにワーク表面の基準アライメント
マークを形成する第1フォトマスクの第1開口を格子状
に配列された矩形開口で形成し、かつこれと一定の幾何
学的関係を有する矩形開口で第2フォトマスクの第2開
口を形成することによって、両フォトマスクがいずれの
方向にずれても、第2開口の4つの角部のいずれかが、
隣接するいずれかの第1開口又は基準アライメントマー
クの角部との間に前記幾何学的関係を有するかどうか
を、第2開口から覗くことにより目視で簡単に確認する
ことができる。更に、第1アライメントパターンは2列
の矩形開口から構成されることから、使用するフォトマ
スクの数が多くなって第1開口の数が増えても、その分
前記各列の長さを長くするだけで、フォトマスクの側辺
に沿って設けることができ、比較的狭いスペースしか占
有しないので、フォトマスク及びワークの表面積の有効
利用を図ることができる。
【0039】また、これら本発明のフォトマスクにおい
ても、前記一定の幾何学的関係は、例えば互いに隣接す
る第1開口と第2開口とがその内周上の前記少なくとも
3つの位置においてそれぞれ外接する場合である。別の
実施例では、前記幾何学的関係を、互いに隣接する前記
開口と開口とがその内周上の前記位置においてそれぞれ
等しく重なる場合、又はそれぞれ等しく離隔する場合を
いう。
【0040】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による圧電振動片
の製造方法を適用して、振動腕に形成した溝に駆動電極
を設けた音叉型水晶振動片を製造する工程を、添付図面
に基づいて詳細に説明する。尚、各図において、同じ構
成要素には同じ参照番号を付すことにする。
【0041】図1〜図4は、本発明の第1の実施形態に
より、振動腕の一方の表面にのみ駆動電極を設けるため
の溝を形成する音叉型水晶振動片の製造方法を工程順に
示している。先ず、従来の工程と同様に、所定寸法の水
晶ウエハ21を用意し、その一方の表面に所定厚さのC
r膜とAu膜とを蒸着又はスパッタリングにより積層し
て、水晶のエッチング液であるフッ酸に対する耐蝕膜2
2を形成する。耐蝕膜22の表面には、フォトレジスト
を塗布しかつ乾燥させて、レジスト膜23を形成する。
【0042】次に、レジスト膜23の上に第1フォトマ
スク24を配置し、紫外線で露光する(図1(A))。
本実施例の第1フォトマスク24は、図5(A)に示す
ように概ね正方形をなし、所望の音叉型水晶振動片の外
形形状を多数並べた第1エッチングパターン25と、第
1アライメントパターン26とが描画されている。本実
施例の第1アライメントパターン26は、第1フォトマ
スク24の左右両側辺に沿った狭い範囲に、それぞれ2
列に配置された複数の第1開口27で構成される。図5
(B)によく示すように、第1開口27は、縦横に直交
する想像線で示す縦3列に区切られた碁盤目54におい
て、その左右2列の一番上から1つ置きに各列10個ず
つ選択したマス目により画定される正方形の開口で形成
されている。尚、図1の各断面図における右側部分は、
第1フォトマスク24の第1開口27を横切る図5
(A)のV−V線に対応する断面を示している。
【0043】レジスト膜23の感光部分を現像液で現像
して除去し、水晶振動片の外形に対応する領域以外の耐
蝕膜22のAu膜を露出させる(図1(B))。次に、
露出させた耐蝕膜22のAu膜及びその下側のCr膜を
それぞれ適当なエッチング液で順次エッチングして、水
晶ウエハ21の表面を露出させる(図1(C))。ここ
で、残存するレジスト膜23を完全に剥離する(図1
(D))。これにより、水晶ウエハ21の表面には、第
1エッチングパターン25に対応した音叉型水晶振動片
の外形パターン28と、第1アライメントパターン26
の第1開口27に対応した複数の正方形からなる基準ア
ライメントマーク29とが耐蝕膜22に転写される。基
準アライメントマーク29は、第1フォトマスク24に
おける第1アライメントパターン26と同様に、水晶ウ
エハ21の左右両側辺に沿った狭い範囲に形成され、多
数の水晶振動片を製造するための十分な面積をウエハ表
面に確保することができるので、その結果実質的な歩留
まり及び生産性の低下を招くことはない。
【0044】次に、上述したようにパターニングされた
耐蝕膜22の上に、フォトレジストを再度塗布しかつ乾
燥させて、新たにレジスト膜30を形成する。このレジ
スト膜30の上に第2フォトマスク31を配置し、紫外
線で露光する(図2(E))。
【0045】第2フォトマスク31は、図6(A)に示
すように第1フォトマスク24と同じ寸法形状の概ね正
方形をなし、所望の振動腕の溝形状に対応する第2エッ
チングパターン32と、該第2エッチングパターンを設
けた領域32´の外側に第2アライメントパターン33
とが描画されている。第2アライメントパターン33
は、第2フォトマスク31の左右両側辺に沿った狭い範
囲に、それぞれ縦1列に配置された3つの第2開口34
で構成される。図6(B)によく示すように、第2開口
34は、図5(B)に関連して上述した想像線で示す同
じ碁盤目54の中央1列に、前記第1開口の位置とは1
つずつずらして、上から2番目及びそれから1つ置きに
連続する3つのマス目により画定される正方形の開口で
形成されている。
【0046】第2フォトマスク31の位置合わせには、
第1アライメントパターン26の上から4番目までの8
つの第1開口27に対応する基準アライメントマーク2
9を利用する。第1アライメントパターン26と第2ア
ライメントパターン33とは上述したように構成されて
いるので、第2フォトマスク31と第1フォトマスク2
4とを整合させたとき、各第2開口34とそれに隣接す
る4つの第1開口27とは、同じ碁盤目54において第
2開口34の内周を構成する正方形の頂点と各第1開口
27の内周を構成する正方形の隣接する頂点とが一致す
るように、それぞれ外接する位置関係にあるという幾何
学的関係を有する。
【0047】このため、第2フォトマスク31と第1フ
ォトマスク24とが正しく整合すると、図7(A)に示
すような市松模様を形成する。ところが、第2フォトマ
スク31と第1フォトマスク24とがいずれかの方向に
ずれると、図7(A)に想像線で示すように、第2開口
34´の4つの角部のいずれかが、隣接するいずれかの
第1開口27の角部と重なるので、その重なり具合を目
視で簡単に確認することができる。従って、第2フォト
マスク31をレジスト膜30の上に、各第2開口34
が、それぞれ透明なレジスト膜30を通してその下に見
える4つの基準アライメントマーク29と隣接し、かつ
その4つの頂点が隣接する4つの基準アライメントマー
ク29とそれらの正方形の頂点において外接するように
配置すると、正確に位置合わせすることができる。
【0048】次に、レジスト膜30の感光部分を現像液
で現像して除去し、残存する耐蝕膜22の、振動腕の溝
形状に対応する領域のAu膜表面を露出させる(図2
(F))。ここで、図2(F´)は、第2フォトマスク
31の第2開口34を横切る図6のVI−VI線に対応
する断面を示しており、レジスト膜30には、第2アラ
イメントパターン33の第2開口34が転写されてい
る。次に、露出している水晶ウエハ21の部分を、例え
ばフッ化水素酸とフッ化アンモニウムとの混合液からな
る水晶用エッチング液でエッチングし、水晶振動片の外
形形状を形成する(図2(G))。このとき、水晶ウエ
ハ21の裏面には、予めエッチング液に対する耐蝕膜
(図示せず)が形成されている。また、基準アライメン
トマーク29を形成した水晶ウエハ21の表面は、耐蝕
膜22が存在しないので、前記エッチング液がレジスト
膜30を透過してエッチングされ、凹み35が形成され
る。
【0049】次に、露出している耐蝕膜22のAu膜及
びその下側のCr膜をそれぞれ適当なエッチング液で順
次エッチングし、水晶ウエハ21の表面を露出させる
(図3(H)(H´))。これにより、水晶ウエハ21
の表面には、第2エッチングパターン32に対応した振
動腕の溝パターン36と、第2アライメントパターン3
3の第2開口34に対応した正方形からなる確認マーク
37とが耐蝕膜22に転写される。耐蝕膜22に転写さ
れた基準アライメントマーク29と確認マーク37と
は、図7(B)に示すように、確認マーク37を構成す
る正方形の4つの頂点がそれぞれ隣接する4つの基準ア
ライメントマーク29の内側に、それらの隣接する各頂
点と一致するように外接して、市松模様を形成するの
で、第2フォトマスク31が正確に位置合わせされたか
どうかを容易に確認できる。
【0050】この水晶ウエハ21の露出面を、上述した
水晶用エッチング液で所望の深さまでハーフエッチング
して、振動腕の溝38と確認マーク37とを形成する
(図3(I)(I´))。次に、残存するレジスト膜3
0と耐蝕膜22とを完全に剥離すると、振動腕39の一
方の面に溝38を有する構造の水晶素子片40を多数並
べた水晶ウエハ21が形成される(図3(J)(J
´))。
【0051】次に、各水晶素子片40の側面及び溝38
の内面を含む水晶ウエハ21の全面に電極材料を蒸着、
スパッタリング等することにより電極膜41を成膜し、
その上にフォトレジストを全面に塗布しかつ乾燥させて
レジスト膜42を形成する(図4(K))。電極膜41
は、先の工程で水晶ウエハ1の表面に形成された基準ア
ライメントマーク29及び確認マーク37の凹みの内面
にも成膜される。この水晶ウエハ21の振動腕39の溝
38を形成した側に、第3フォトマスク43をレジスト
膜42の上に配置し、紫外線で露光する(図4
(L))。
【0052】第3フォトマスク43は、図8(A)に示
すように第1フォトマスク24と同じ寸法形状の概ね正
方形をなし、所望の電極及び配線パターンに対応する第
3エッチングパターン45と、該第3エッチングパター
ンを設けた領域45´の外側に第3アライメントパター
ン46とが描画されている。第3アライメントパターン
46は、第3フォトマスク43の左右両側辺に沿った狭
い範囲に、それぞれ第2開口34と同様に縦1列に配置
された3つの第3開口47で構成される。第3開口47
は、図8(B)によく示すように、第2開口34と同様
に図5(B)に関連して上述した碁盤目54の中央1列
に、前記第1開口の位置とは1つずつずらして、一番下
の前記第2開口より下へ1つ置きに連続する3つのマス
目により画定される正方形の開口で形成される。
【0053】第3フォトマスク43の位置合わせには、
第1アライメントパターン26の上から4番目以降の次
の8つの第1開口27に対応する基準アライメントマー
ク29を利用する。第3アライメントパターン43は第
2アライメントパターン33と同様に構成されているの
で、各第3開口47とそれに隣接する4つの第1開口2
7とは、同じ碁盤目54において第3開口47の内周を
構成する正方形の頂点と各第1開口27の内周を構成す
る正方形の隣接する頂点とが一致するように、それぞれ
外接する位置関係という幾何学的関係を有する。
【0054】第3フォトマスク43と第1フォトマスク
24とが正しく整合すると、図9(A)に示すような市
松模様を形成する。しかし、第3フォトマスク43と第
1フォトマスク24とがいずれかの方向にずれると、図
9(A)に想像線で示すように第3開口47´の4つの
角部のいずれかが、隣接するいずれかの第1開口27の
角部と重なるので、その重なり具合を目視で簡単に確認
できる。従って、第3フォトマスク31をレジスト膜4
2の上に、各第3開口47が、それぞれ透明なレジスト
膜42を通してその下に見える4つの基準アライメント
マーク29と隣接し、かつその4つの頂点が隣接する4
つの基準アライメントマーク29とそれらの正方形の頂
点において外接するように配置することにより、正確に
位置合わせできる。
【0055】次に、レジスト膜42の感光部分を現像除
去して電極膜41の表面を露出させる(図4(M))。
この電極膜41の露出面を適当なエッチング液でエッチ
ングして、水晶ウエハ21の表面を露出させることによ
り前記電極膜を分極し、所望の電極48及び配線を得る
(図4(N))。更に水晶ウエハ21の表面には、第2
フォトマスク31の場合と同様に、第3エッチングパタ
ーン45に対応する前記電極及び配線パターンに加え
て、第3アライメントパターン46の第3開口47に対
応した正方形からなる確認マーク49が電極膜41に転
写される。水晶ウエハ21表面に転写された基準アライ
メントマーク29と確認マーク49とは、図9(B)に
示すように、確認マーク49を構成する正方形の4つの
頂点がそれぞれ隣接する4つの基準アライメントマーク
29の内側に、それらの隣接する各頂点と一致するよう
に外接して、市松模様を形成するので、第3フォトマス
ク43が正確に位置合わせされたかどうかを容易に確認
できる。
【0056】最後に、残存するレジスト膜42を剥離除
去することにより、水晶ウエハ1の前記枠部と一体に連
結・支持した状態で並べた多数の音叉型水晶振動片50
が完成する(図4(O))。各水晶振動片50は、水晶
ウエハ1の前記枠部との連結部分を折り取って個々に切
り離し、圧電デバイスのパッケージにマウントする。
【0057】また必要に応じて、水晶振動片50を水晶
ウエハ1から切り離す前に、例えばその基端部にパッケ
ージに実装するためのマウント部をパターニングする等
の工程を追加することができる。この追加のパターニン
グ工程には、所定のエッチングパターンと、第2及び第
3フォトマスクと同様のアライメントパターンとを設け
た第4のフォトマスク(図示せず)を使用する。図10
(A)に示すように、この第4アライメントパターン5
1は、前記第2及び第3アライメントパターンと同様
に、図5(B)に関連して上述した碁盤目54の中央1
列に、前記第1開口の位置とは1つずつずらして、一番
下の前記第3開口より更に下へ1つ置きに連続する3つ
のマス目により画定される3つの正方形の第4開口52
で構成することができる。
【0058】前記第4のフォトマスクの位置合わせに
は、第1アライメントパターン26の上から7番目以降
の次の8つの第1開口27に対応する基準アライメント
マーク29を利用する。第4開口52は、前記第2及び
第3開口の場合と同様に、それに隣接する4つの第1開
口27との間に、碁盤目54において第4開口52の内
周を構成する正方形の頂点と各第1開口27の内周を構
成する正方形の隣接する頂点とが一致するように、それ
ぞれ外接する位置関係という幾何学的関係を有する。従
って、第3フォトマスク43と第1フォトマスク24と
が正しく整合すると、図10(A)に示すような市松模
様を形成するが、両フォトマスク43、24間に位置ず
れがあると、同図に想像線で示す第4開口52´の4つ
の角部のいずれかが、隣接するいずれかの第1開口27
と重なるので、目視で簡単に確認できる。更に、この追
加のパターニングにより、水晶ウエハ21の表面には、
図10(B)に示すように、アライメントパターン51
の第4開口52に対応した正方形からなる確認マーク5
3が同様に転写され、正確な位置合わせかどうかが確認
される。
【0059】このように、使用するフォトマスクの数が
増えても、それに対応して基準アライメントマーク29
の各列の第1開口の数を増やし、かつそれらと前記幾何
学的関係を有する追加の開口を追加のフォトマスクに設
けるだけで、各フォトマスクを常に正確に位置合わせす
ることができる。しかも、基準アライメントマーク29
は水晶ウエハ1の余白部分に、即ち本実施例の左右側辺
領域だけでなく、上下の周辺領域や並べられた多数の水
晶振動片を支持する中央の枠部にも設けることができる
ので、同時にウエハ面積の有効利用を図ることができ
る。
【0060】また、基準アライメントマーク及び各フォ
トマスクに形成されるアライメントパターン、並びにそ
れらを構成する開口間の幾何学的関係は、その内周にお
いて外接する上記実施例に限定されるものではなく、様
々に変形・変更することができる。例えば、図11
(A)、(B)の変形例は、第1及び第2アライメント
パターン26、33の第1及び第2開口27、34が、
それぞれ図5(B)に示す碁盤目54と同じ位置でそれ
より僅かに大きい寸法の正方形で構成されている。従っ
て、第1フォトマスク24と第2フォトマスク31とを
重ね合わせた場合に、図11(C)に示すように、各第
2開口34が、その正方形の各角部において隣接する各
第1開口27の角部と、それぞれ等しく僅かな大きさd
1だけ重なることにより、両者が所定の幾何学的関係を
有し、正確に整合していることを確認できる。
【0061】これに対し、図12(A)、(B)の変形
例は、第1及び第2アライメントパターン26、33の
第1及び第2開口27、34が、それぞれ図5(B)に
示す碁盤目54と同じ位置でそれより僅かに小さい寸法
の正方形で構成されている。従って、第1フォトマスク
24と第2フォトマスク31とを重ね合わせた場合に、
図12(C)に示すように、各第2開口34が、その正
方形の各角部において隣接する各第1開口27の角部
と、それぞれ等しく僅かな大きさd2だけ離隔すること
により、両者が所定の幾何学的関係を有し、かつ正確に
整合していることが確認される。
【0062】また、上述した各実施例から、第1アライ
メントパターン26と第2、第3アライメントパターン
33、46(及びそれ以降のアライメントパターン)と
が上下左右方向及び回転方向に関して正しく整合するた
めには、第2及び第3開口34、47(並びにそれ以降
の開口)が、その内周上の少なくとも3つの位置で第1
開口27と上述したような所定の幾何学的関係を有すれ
ば良いことが分かる。更に、上述した各実施例のよう
に、そのような幾何学的関係を第1開口との間に保持す
る第2及び第3開口(並びにそれ以降の開口)が複数あ
れば、各アライメントパターンを互いにより正確に整合
させ得ることは明らかである。
【0063】或る実施例では、図5(B)に示すように
碁盤目54の左右2列の一番上から1つ置きに選択した
マス目からなる第1アライメントパターン26の第1開
口27の一部を省略することができる。例えば、図13
(A)の実施例では、1つの第2開口34に対していず
れかの対角方向に2つの第1開口27を省略し、残りの
2つが隣接するように構成されている。従って、この場
合には、2つ以上の第2開口34を設けることによっ
て、その内周上の3つ以上の位置で両者が外接するとい
う所定の幾何学的位置関係が得られる。また、図13
(B)の実施例では、1つの第2開口34に対して一方
の対角方向に2つの第1開口27を省略し、残りの2つ
が隣接するように構成されており、同様に2つ以上の第
2開口34によって、その内周上の3つ以上の位置で両
者が外接するという所定の幾何学的位置関係が得られ
る。
【0064】更に本発明によれば、前記各開口の形状
は、所定の幾何学的関係が維持されかつそれが目視で確
認できる限り、上記正方形以外の様々な形状を採用する
ことができる。例えば、前記各開口を三角形とし、かつ
それらの頂点が一致し、又は互いに等しく重なり若しく
は離隔するようにしたり、円形の開口をその内周で外接
させ、又は互いに等しく重ならせたり離隔させることが
できる。また、基準アライメントマークを形成する第1
アライメントパターン26の第1開口27と、これに対
して所定の幾何学的関係を有する他のアライメントパタ
ーンの各開口とを異なる形状や寸法にすることができ
る。例えば、前記第2開口を五角形又はそれ以上に多角
形とし、その各頂点に対して隣接するような頂点を有す
る第1開口を設けることができる。
【0065】図14〜図17は、本発明の第2の実施形
態により、振動腕の表裏両面に駆動電極を設けるための
溝を形成する音叉型水晶振動片の製造方法を工程順に示
している。先ず、上述した第2の実施形態と同様に、所
定寸法の水晶ウエハ21を用意し、その表裏両面にそれ
ぞれ所定厚さのCr膜とAu膜とを蒸着又はスパッタリ
ングにより積層して、水晶のエッチング液であるフッ酸
に対する耐蝕膜22a、22bを形成する。両耐蝕膜2
2a、22bの表面には、フォトレジストを塗布しかつ
乾燥させて、レジスト膜23a、23bを形成する。
【0066】次に、1対の第1上下マスク24a、24
bからなる第1フォトマスクを互いに位置合わせし、そ
の間に水晶ウエハ21を、それぞれレジスト膜23a、
23bに対向させて配置し、紫外線で露光する(図14
(A))。上側の第1フォトマスク即ち第1上マスク2
4aは、図5(A)に示す第1フォトマスク24と全く
同じものであり、所望の音叉型水晶振動片の外形形状を
多数並べた第1上側エッチングパターン25aと、その
左右両側辺に沿った狭い範囲に複数の第1上側開口27
aを各2列に配置した第1上側アライメントパターン2
6aとが描画されている。第1上側開口27aは、図5
(B)の第1開口27と同様に、縦3列に区切られた前
記碁盤目の左右2列の一番上から1つ置きに各列10個
ずつ選択したマス目により画定される正方形の開口で形
成される。図11の各断面図における右側部分は、図1
と同様に第1上マスク24aの第1上側開口27aを横
切る断面を示している。
【0067】下側の第1フォトマスク即ち第1下マスク
24bは、図18(A)に示すように、第1上側エッチ
ングパターン25aに対応させて多数の音叉型水晶振動
片の外形形状を並べた第1下側エッチングパターン25
bと、第1下側アライメントパターンとが描画されてい
る。本実施例の第1下側アライメントパターンは、第1
下マスク24bの左右両側辺に沿った狭い範囲に配置さ
れた、第1上側開口27aと同じ正方形の1つの第1下
側開口27bからなる。第1下側開口27bは、前記碁
盤目の中央1列の上から2番目又はそれから1つ置きに
配置されたいずれか1つ又は複数のマス目により画定さ
れる正方形の開口で形成される。従って、第1上側アラ
イメントパターン26aと第1下側アライメントパター
ンとは、上述した構成により、第1上下マスク24a、
24bを整合させたとき、第1下側開口27bの内周を
構成する正方形の頂点とそれに隣接する4つの第1上側
開口27aの内周を構成する正方形の隣接する頂点とが
一致するように、それぞれ外接する位置関係にあるとい
う幾何学的関係を有する。
【0068】第1上下マスク24a、24bの位置合わ
せは、図19に示すようなテレセントリック光学系を使
用し、顕微鏡55で観察しながら行うことができる。第
1下マスク24bを適当な載置台(図示せず)に水平に
固定し、その上にハーフミラーからなる水平なダミーウ
エハ56及び45°に傾けたハーフミラー57を挟ん
で、第1上マスク24aを水平に配置する。第1上下マ
スク24a、24b間の側方には、顕微鏡55の対物レ
ンズからなる検出部58をハーフミラー57に向けて配
置する。第1上マスク24aの上方及び第1下マスク2
4bの下方には、それらに対向させてそれぞれ平行光を
照射する照明装置59a、59bが配置される。
【0069】照明装置59aから第1上マスク24aの
第1上側開口27aを通過した光Laは、その一部がハ
ーフミラー57を透過し、ダミーウエハ58に反射され
て逆方向に戻り、ハーフミラー57に反射されて顕微鏡
55の検出部58に入射する。他方、照明装置59bか
ら第1下マスク24bの第1下側開口27bを通過した
光Lbは、その一部がハーフミラー57に反射されて、
同様に顕微鏡55の検出部58に入射する。このような
光学系を用いることにより、照明装置59a、59bか
ら照射された光は同軸上に合成されるので、第1上下マ
スク24a、24b相互の位置関係即ち整合状態は顕微
鏡55で簡単に確認できる。
【0070】第1上側アライメントパターン26aと第
1下側アライメントパターンとが上述した位置関係を有
するので、第1上下マスク24a、24bは、それらが
正しく整合すると、顕微鏡55で見たときに図18
(B)に示すような市松模様を形成する。しかし、それ
らがいずれかの方向にずれると、図18(B)に想像線
で示すように、第2下側開口27b´の4つの角部のい
ずれかが、隣接するいずれかの第1上側開口27aと重
なる。従って、第1上マスク24aと第1下マスク24
bとは、第1下側開口27bが、その正方形の4つの頂
点においてそれぞれ隣接する第1上側開口27aと、そ
れらの正方形の頂点で一致するように外接するべく配置
することによって、目視で簡単にかつ正確に位置合わせ
することができる。
【0071】次に、レジスト膜23a、23bの感光部
分を現像液で現像して除去し、水晶振動片の外形に対応
する領域以外の耐蝕膜22a、22bのAu膜を露出さ
せる(図14(B))。露出させた耐蝕膜22a、22
bのAu膜及びその下側のCr膜をそれぞれ適当なエッ
チング液で順次エッチングして、水晶ウエハ21の表面
を露出させる(図14(C))。ここで、残存するレジ
スト膜23a、23bを完全に剥離する(図14
(D))。これにより、水晶ウエハ21の表裏両面に
は、それぞれ第1上側及び下側エッチングパターン25
a、25bに対応した音叉型水晶振動片の外形パターン
28a、28bが耐蝕膜22に転写され、かつその表面
には、第1上側アライメントパターン26aの第1上側
開口27aに対応した複数の正方形からなる基準アライ
メントマーク29が耐蝕膜22aに転写される。基準ア
ライメントマーク29は、第1フォトマスク24におけ
る第1アライメントパターン26と同様に、水晶ウエハ
21の左右両側辺に沿った狭い範囲に形成され、多数の
水晶振動片を製造するための十分な面積をウエハ表面に
確保することができるので、その結果実質的な歩留まり
及び生産性の低下を招くことはない。
【0072】次に、上述したようにパターニングされた
各耐蝕膜22a、22bの上に、それぞれフォトレジス
トを再度塗布しかつ乾燥させて、新たにレジスト膜30
a、30bを形成する。水晶ウエハ21の表裏両側に、
1対の第2上下マスク31a、31bからなる第2フォ
トマスクを各レジスト膜30a、30bに対向させて配
置し、紫外線で露光する(図15(E))。先ず、水晶
ウエハ21の表面に対して第2上マスク31aを位置合
わせして固定し、一旦水晶ウエハ21を取り外した後、
第2上マスク31aに対して第2下マスク31bを位置
合わせして固定する。これらの間に水晶ウエハ21を戻
し、第2上マスク31aに対して位置合わせする。
【0073】上側の第2フォトマスク即ち第2上マスク
31aは、図6に示す第2フォトマスク31と全く同じ
ものであり、所望の振動腕の溝形状に対応する第2上側
エッチングパターン32aと、その左右両側辺に沿った
狭い範囲に、それぞれ3つの第2上側開口34aを縦1
列に配置した第2上側アライメントパターン33aとが
描画されている。第2上側開口34aは、図5(B)に
関連して上述した想像線で示す碁盤目54の中央1列
に、前記第1開口の位置とは1つずつずれるように、上
から2番目及びそれから1つ置きに連続する3つのマス
目により画定される正方形の開口で形成される。
【0074】第2上マスク31aの水晶ウエハ21に対
する位置合わせには、第1上側アライメントパターン2
6aの上から4番目までの8つの第1上側開口27aに
対応する基準アライメントマーク29を利用する。第1
上側アライメントパターン26aと第2上側アライメン
トパターン33aとは上述したように構成されているの
で、図7(A)の場合と同様に、第2上マスク31aと
第1上マスク24aとを整合させたとき、各第2上側開
口34aとそれに隣接する4つの第1開口27とは、同
じ碁盤目54において第2上側開口34aの内周を構成
する正方形の頂点と各第1開口27の内周を構成する正
方形の隣接する頂点とが一致するように、それぞれ外接
する位置関係にあるという幾何学的関係を有する。
【0075】このため、第2上マスク31aと第1上マ
スク24aとが正しく整合すると、図7(A)の場合と
同様の市松模様を形成する。ところが、両マスク31
a、24aがいずれかの方向にずれると、図7(A)に
想像線で示す場合と同様に、第2上側開口34aの4つ
の角部のいずれかが、隣接するいずれかの第1上側開口
27aと重なるので、その重なり具合は目視で簡単に確
認できる。従って、第2上マスク31aをレジスト膜3
0aの上に、各第2上側開口34aが、それぞれ透明な
レジスト膜30aを通してその下に見える4つの基準ア
ライメントマーク29と隣接し、かつその4つの頂点が
隣接する4つの基準アライメントマーク29とそれらの
正方形の頂点において外接するように配置することによ
り、正確に位置合わせできる。
【0076】下側の第2フォトマスク即ち第2下マスク
31bは、図20(A)に示すように、第2上側エッチ
ングパターン32aに対応させた振動腕の溝形状をなす
第2下側エッチングパターン32bと、第2下側アライ
メントパターン33bとが描画されている。本実施例の
第2下側アライメントパターン33bは、第2下マスク
31bの左右両側辺に沿った狭い範囲にそれぞれ配置し
た第2下側開口34bからなる。第2下側開口34b
は、図5(B)の碁盤目54においてその左右両側2列
の一番上及びそれから1つ置きに4番目までのマス目に
より画定される8つの正方形の開口で形成される。
【0077】第2上下マスク31a、31bの位置合わ
せは、第1上下マスク24a、24bの場合と同様に、
図19に示すテレセントリック光学系及び顕微鏡55を
使用して行う。第2上側アライメントパターン33aと
第2下側アライメントパターン33bとが上述した位置
関係を有することから、第2上マスク31aと第2下マ
スク31bとが正しく整合すると、各第2上側開口34
aの正方形の4つの頂点がそれぞれ隣接する第2下側開
口34bとそれらの4つの頂点で外接するように配置さ
れて、図20(B)に示すような市松模様を形成する。
従って、第2上マスク31aと第2下マスク31bと
は、目視で簡単にかつ正確に位置合わせすることができ
る。
【0078】次に、両レジスト膜30a、30bの感光
部分を現像液で現像して除去し、残存する耐蝕膜22
a、22bの、振動腕の溝形状に対応する領域のAu膜
表面を露出させる(図15(F))。ここで、図15
(F´)は、図2(F´)と同様に第2上マスク31a
の第2上側開口34aを横切る断面を示しており、上側
のレジスト膜30aには、第2上側アライメントパター
ン33aの第2上側開口34aが転写されている。次
に、露出している水晶ウエハ21の部分を表裏両側か
ら、例えばフッ化水素酸とフッ化アンモニウムとの混合
液からなる水晶用エッチング液でエッチングし、水晶振
動片の外形形状を形成する(図15(G))。また、基
準アライメントマーク29を形成した水晶ウエハ21の
表面は、耐蝕膜22aが存在しないので、前記エッチン
グ液がレジスト膜30aを透過してエッチングされ、凹
み35が形成される。
【0079】次に、露出している各耐蝕膜22a、22
bのAu膜及びその下側のCr膜をそれぞれ適当なエッ
チング液で順次エッチングし、水晶ウエハ21の表面を
露出させる(図16(H)(H´))。これにより、水
晶ウエハ21の表裏両面には、第2上側及び下側エッチ
ングパターン32a、32bに対応した振動腕の溝パタ
ーン36a、36bが各耐蝕膜22a、22b転写さ
れ、かつ水晶ウエハ21の表面には、第2上側アライメ
ントパターン33aの第2上側開口34aに対応した正
方形からなる確認マーク37が耐蝕膜22aに転写され
る。耐蝕膜22aに転写された基準アライメントマーク
29と確認マーク37とは、図7(B)の場合と同様
に、確認マーク37の4つの頂点がそれぞれ隣接する4
つの基準アライメントマーク29の内側に、それらの正
方形の頂点において外接するように形成されるので、第
2上マスク31aが水晶ウエハ21に対して正確に位置
合わせされたかどうかを容易に確認できる。
【0080】この水晶ウエハ21の露出面を表裏両側か
ら、上述した水晶用エッチング液で所望の深さまでハー
フエッチングして、水晶ウエハ21の表裏両面には振動
腕の溝38a、38bを、水晶ウエハ21の表面には確
認マーク37を形成する(図16(I)(I´))。次
に、残存するレジスト膜30a、30bと耐蝕膜22
a、22bとを完全に剥離すると、振動腕39の表裏両
面にそれぞれ溝38a、38bを有する構造の水晶素子
片40を多数並べた水晶ウエハ21が形成される(図1
6(J)(J´))。
【0081】次に、各水晶素子片40の側面及び溝38
の内面を含む水晶ウエハ21の全面に電極材料を蒸着、
スパッタリング等することにより電極膜41を成膜し、
その上にフォトレジストを全面に塗布しかつ乾燥させて
レジスト膜42を形成する(図17(K))。電極膜4
1は、先の工程で水晶ウエハ1の表面に形成された基準
アライメントマーク29及び確認マーク37の凹みの内
面にも成膜される。水晶ウエハ21の表裏両側に、1対
の第3上下マスク43a、43bからなる第3フォトマ
スクをレジスト膜42の上に配置し、紫外線で露光する
(図17(L))。
【0082】図15(E)に関連して上述した前記第2
フォトマスクと同様に、先ず、水晶ウエハ21の表面に
対して第3上マスク43aを位置合わせして固定し、一
旦水晶ウエハ21を取り外した後、第3上マスク43a
に対して第3下マスク43bを位置合わせして固定す
る。これらの間に水晶ウエハ21を戻し、第3上マスク
43aに対して位置合わせする。
【0083】上側の第3フォトマスク即ち第3上マスク
43aは、図8に示す第3フォトマスク43と全く同じ
ものであり、所望の電極及び配線パターンに対応する第
3上側エッチングパターン45aと、その左右両側辺に
沿った狭い範囲に、それぞれ3つの第3上側開口47a
を縦1列に配置した第2上側アライメントパターン33
aとが描画されている。第3上側開口47aは、図5
(B)に関連して上述した想像線で示す碁盤目54の中
央1列に、前記第1開口の位置とは1つずつずれるよう
に、一番下の前記第2上側開口から1つ置きに連続する
3つのマス目により画定される正方形の開口で形成され
る。
【0084】第3上マスク43aの水晶ウエハ21に対
する位置合わせには、第1上側アライメントパターン2
6aの上から4番目以降の次の8つの第1上側開口27
aに対応する基準アライメントマーク29を利用する。
第1上側アライメントパターン26aと第3上側アライ
メントパターン46aとは上述したように構成されてい
るので、図7(A)の場合と同様に、第3上マスク43
aと第1上マスク24aとを整合させたとき、各第3上
側開口47aとそれに隣接する4つの第1開口27と
は、碁盤目54において第3上側開口47aの内周を構
成する正方形の頂点と各第1開口27の内周を構成する
正方形の隣接する頂点とが一致するように、それぞれ外
接する位置関係にあるという幾何学的関係を有する。
【0085】このため、第3上マスク43aと第1上マ
スク24aとが正しく整合すると、図9(A)の場合と
同様の市松模様を形成する。ところが、両マスク43
a、24aがいずれかの方向にずれると、図9(A)に
想像線で示す場合と同様に、第3上側開口47aの4つ
の角部のいずれかが、隣接するいずれかの第1上側開口
27aと重なるので、その重なり具合を目視で簡単に確
認することができる。従って、第3上マスク43aをレ
ジスト膜30aの上に、各第2上側開口34aが、それ
ぞれ透明なレジスト膜30aを通してその下に見える4
つの基準アライメントマーク29と隣接し、かつその4
つの頂点が隣接する4つの基準アライメントマーク29
とそれらの正方形の頂点において外接するように配置す
ることにより、正確に位置合わせできる。
【0086】下側の第3フォトマスク即ち第3下マスク
43bは、図21(A)に示すように、第3上側エッチ
ングパターン45aに対応させた電極及び配線パターン
をなす第3下側エッチングパターン45bと、第3下側
アライメントパターン46bとが描画されている。本実
施例の第3下側アライメントパターン46bは、第3下
マスク43bの左右両側辺に沿った狭い範囲にそれぞれ
配置した第3下側開口47bからなる。第3下側開口4
7bは、図5(B)の碁盤目54の左右両側2列におい
て一番下の第2下側開口34bから1つ置きに4番目ま
でのマス目により画定される8つの正方形の開口で形成
される。
【0087】同様に、第3上下マスク43a、43bの
位置合わせは、図15に示すテレセントリック光学系及
び顕微鏡55を使用して行う。第3上側アライメントパ
ターン46aと第3下側アライメントパターン46bと
が上述した位置関係を有することから、第3上マスク4
3aと第3下マスク43bとが正しく整合すると、各第
3上側開口47aの正方形の4つの頂点がそれぞれ隣接
する第3下側開口47bとそれらの4つの頂点で外接す
るように配置されて、図21(B)に示すような市松模
様を形成する。従って、第3上マスク43aと第3下マ
スク43bとは、目視で簡単にかつ正確に位置合わせす
ることができる。
【0088】次に、レジスト膜42の感光部分を現像除
去して電極膜41の表面を露出させる(図17
(M))。この電極膜41の露出面を適当なエッチング
液でエッチングして、水晶ウエハ21の表面を露出させ
ることにより前記電極膜を分極し、所望の電極48及び
配線を得る(図17(N))。更に水晶ウエハ21の表
面には、前記第2フォトマスクの場合と同様に、第3上
側エッチングパターン45aに対応する前記電極及び配
線パターンに加えて、第3上側アライメントパターン4
6aの第3上側開口47aに対応した正方形からなる確
認マーク49が電極膜41に転写される。水晶ウエハ2
1表面に転写された基準アライメントマーク29と確認
マーク49とは、図9(B)の場合と同様に、確認マー
ク49の4つの角部がそれぞれ隣接する4つの基準アラ
イメントマーク29の内側に、それらの角部において外
接するように形成されるので、第3フォトマスク43が
正確に位置合わせされたかどうかを容易に確認できる。
【0089】最後に、残存するレジスト膜42を剥離除
去することにより、水晶ウエハ1の前記枠部と一体に連
結・支持した状態で並べた多数の音叉型水晶振動片50
が完成する(図17(O))。各水晶振動片50は、水
晶ウエハ1の前記枠部との連結部分を折り取って個々に
切り離し、圧電デバイスのパッケージにマウントする。
【0090】また、この第2の実施態様においても、第
1の実施態様について上述した変形例と同様に、基準ア
ライメントマーク及び各フォトマスクに形成されるアラ
イメントパターン、並びにそれらを構成する各開口の幾
何学的関係や前記開口の形状を様々に変形して実施する
ことができる。
【0091】以上、本発明の好適実施例について詳細に
説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技
術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を
加えて実施することができる。例えば、図1(D)の工
程で残存しているレジスト膜23を剥離せずにそのまま
再度使用することにより、図2(E)の新たなレジスト
膜30を形成する工程を省略することができ、それによ
り工程を簡略化して工数を少なくし、作業効率の向上及
び作業コストの低減を図ることができる。
【0092】また、本発明は、上記実施例の音叉型水晶
振動片の製造だけでなく、同様に複数のフォトマスクを
使用してパターニングする工程を含む、厚みすべりモー
ドの圧電振動片や加速度センサとして使用する圧電素子
の製造に適用することができる。更に本発明は、圧電振
動片以外の様々なワークの表面をパターニングする場合
にも、適用することができる。
【0093】
【発明の効果】本発明は、上述したように構成すること
により、以下に記載するような格別の効果を奏する。
【0094】本発明の圧電振動片の製造方法によれば、
複数の第1開口からなる第1アライメントパターンを有
する第1フォトマスクと、1つ又は複数の第2開口から
なる第2アライメントパターンを有する第2フォトマス
クとを、これらのフォトマスクを整合させると、第2開
口がその内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それ
ぞれ隣接する第1開口の内周との間に一定の幾何学的関
係、例えば外接し、等しく重なり又は離隔する位置関係
を有するように用意し、前記第1フォトマスクを用い
て、圧電振動片の外形と共に前記第1開口に対応する複
数の基準アライメントマークを圧電材料のウエハに表面
に転写し、その基準アライメントマークに対して第2開
口が前記幾何学的関係を有するように、第2フォトマス
クをウエハに位置合わせすることにより、圧電振動片の
小型化及び電極・配線パターンの微細化に拘わらず、第
2フォトマスクが所望の整合位置からいずれの方向にず
れても、位置ずれの有無及びその程度を目視で容易に判
断できるので、ウエハ上の全ての圧電素子片の表面に電
極パターンを正確に成膜することができる。このように
圧電振動片の小型化及び電極・配線パターンの微細化に
対応して、フォトマスクのアライメント精度が向上しか
つ調整作業が簡単なため、不良品の発生を確実に防止で
きると共に作業効率が良く、歩留まり及び生産性の向上
を図ることができる。
【0095】また、本発明のフォトマスクによれば、複
数の第1開口からなる第1アライメントパターンを有す
る第1フォトマスクと、1つ又は複数の第2開口からな
る第2アライメントパターンを有する第2フォトマスク
とを、第1及び第2アライメントパターンが、両フォト
マスクとを整合させたとき、第2開口がその内周上の少
なくとも3つの異なる位置で、それぞれ隣接する第1開
口の内周との間に一定の幾何学的関係、即ち同様に両者
が外接し、等しく重なり又は離隔する位置関係を有する
ように構成されるので、第1フォトマスクを用いた最初
のパターニングでワーク表面に転写された第1アライメ
ントパターンの第1開口を基準アライメントマークとし
て利用することにより、第2フォトマスクをワーク表面
に対して目視で正確にかつ簡単に位置合わせでき、ワー
クの小型化及びパターンの微細化に対応して、ワーク表
面に異なるパターンを位置ずれなくパターニングするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)図〜(D)図は、それぞれ本発明による
第1実施例の方法に従って水晶振動片を製造する過程を
工程順に示す断面図。
【図2】(E)図〜(G)図は、それぞれ図1に連続す
る第1実施例の水晶振動片製造過程を工程順に示す断面
図、(F´)図は、図6のVI−VI線に対応する位置
における水晶ウエハの断面図。
【図3】(H)図〜(J)図は、それぞれ図2に連続す
る第1実施例の水晶振動片製造過程を工程順に示す断面
図、(H´)図〜(J´)図は、それぞれ図6のVI−
VI線に対応する位置における水晶ウエハの断面図。
【図4】(K)図〜(O)図は、それぞれ図3に連続す
る第1実施例の水晶振動片製造過程を工程順に示す断面
図。
【図5】(A)図は第1実施例に使用する第1フォトマ
スクの平面図、(B)図は第1アライメントパターンを
を示す部分拡大図。
【図6】(A)図は第1実施例に使用する第2フォトマ
スクの平面図、(B)図は第2アライメントパターンを
を示す部分拡大図。
【図7】(A)図は第2フォトマスクと水晶ウエハの基
準アライメントマークとの整合状態を示す拡大平面図、
(B)図は現像後の水晶ウエハの表面を示す拡大平面
図。
【図8】(A)図は第1実施例に使用する第3フォトマ
スクの平面図、(B)図は第3アライメントパターンを
を示す部分拡大図。
【図9】(A)図は第3フォトマスクと水晶ウエハの基
準アライメントマークとの整合状態を示す拡大平面図、
(B)図は現像後の水晶ウエハの表面を示す拡大平面
図。
【図10】(A)図は第4フォトマスクと水晶ウエハの
基準アライメントマークとの整合状態を示す拡大平面
図、(B)図は現像後の水晶ウエハの表面を示す拡大平
面図。
【図11】(A)図は第1アライメントパターン及びこ
れに整合させる第2アライメントパターンの変形例によ
る別の幾何学的関係を示す平面図、(B)図はその1つ
の第2開口及びそれに隣接する第1開口を示す拡大平面
図。
【図12】(A)図は第1アライメントパターン及びこ
れに整合させる第2アライメントパターンの別の変形例
による更に別の幾何学的関係を示す平面図、(B)図は
その1つの第2開口及びそれに隣接する第1開口を示す
拡大平面図。
【図13】(A)図及び(B)図は、それぞれ第1アラ
イメントパターン及び第2アライメントパターンの更に
別の変形例における整合状態を示す平面図。
【図14】(A)図〜(D)図は、それぞれ本発明によ
る第2実施例の方法に従って水晶振動片を製造する過程
を工程順に示す断面図。
【図15】(E)図〜(G´)図は、それぞれ図14に
連続する第2実施例の水晶振動片製造過程を工程順に示
す断面図。
【図16】(H)図〜(J´)図は、それぞれ図15に
連続する第2実施例の水晶振動片製造過程を工程順に示
す断面図。
【図17】(K)図〜(O)図は、それぞれ図16に連
続する第2実施例の水晶振動片製造過程を工程順に示す
断面図。
【図18】(A)図は図5と同一の第1上マスクと対を
なす第1下マスクの平面図、(B)図はそれらの整合状
態を示す拡大平面図。
【図19】顕微鏡を用いて第1上下マスクの位置合わせ
を行うための光学系の構成を示す概略図。
【図20】(A)図は図6と同一の第2上マスクと対を
なす第2下マスクの平面図、(B)図はそれらの整合状
態を示す拡大平面図。
【図21】(A)図は図8と同一の第3上マスクと対を
なす第3下マスクの平面図、(B)図はそれらの整合状
態を示す拡大平面図。
【図22】(A)図〜(D)図は、従来の方法に従って
水晶振動片を製造する過程を工程順に示す断面図。
【図23】(E)図〜(I)図は、それぞれ図22に連
続する従来の水晶振動片製造過程を工程順に示す断面
図。
【図24】(J)図〜(N)図は、それぞれ図23に連
続する従来の水晶振動片製造過程を工程順に示す断面
図。
【符号の説明】
1,21 水晶ウエハ 2,22,22a,22b 耐蝕膜 3,6,13,23,23a,23b,30,30a,
30b,42 レジスト膜 4,7,14 エッチングパターン 5,24 第1フォトマスク 8,31 第2フォトマスク 9,39 振動腕 10,38,38a,38b 溝 11,40 水晶素子片 12,41 電極膜 15,43 第3フォトマスク 16,48 電極 17,50 水晶振動片 18,28,28a,28b 外形パターン 24a 第1上マスク 24b 第1下マスク 25 第1エッチングパターン 25a 第1上側エッチングパターン 25b 第1下側エッチングパターン 26 第1アライメントパターン 26a 第1上側アライメントパターン 26b 第1下側アライメントパターン 27 第1開口 27a 第1上側開口 27b,27b´ 第1下側開口 29 基準アライメントマーク 31a 第2上マスク 31b 第2下マスク 32 第2エッチングパターン 32a 第2上側エッチングパターン 32b 第2下側エッチングパターン 32´,45´ 領域 33 第2アライメントパターン 33a 第2上側アライメントパターン 33b 第2下側アライメントパターン 34,34´ 第2開口 34a 第2上側開口 34b 第2下側開口 35 凹み 36,36a,36b 溝パターン 37,49,53 確認マーク 43a 第3上マスク 43b 第3下マスク 45 第3エッチングパターン 45a 第3上側エッチングパターン 45b 第3下側エッチングパターン 46 第3アライメントパターン 46a 第3上側アライメントパターン 46b 第3下側アライメントパターン 47,47´ 第3開口 47a 第3上側開口 47b 第3下側開口 51 第4アライメントパターン 52,52´ 第4開口 54 碁盤目 55 顕微鏡 56 ダミーウエハ 57 ハーフミラー 58 検出部 59a,59b 照明装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H095 BA03 BA12 BB02 BE03 2H097 CA12 GA45 KA03 KA12 KA13 KA15 LA20 5J108 MM14

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1主パターン及び複数の第1開口か
    らなる第1アライメントパターンを有する第1フォトマ
    スクを用いて、エッチングにより圧電材料のウエハに圧
    電振動片の外形を加工して複数の圧電素子片を形成し、
    かつ前記ウエハの表面に前記第1開口に対応する複数の
    基準アライメントマークを転写し、 第2主パターン及び1つ又は複数の第2開口からなる第
    2アライメントパターンを有する第2フォトマスクを用
    いて、フォトリソグラフィ法により前記各圧電素子片の
    表面に電極パターンを成膜する過程からなり、 前記第2開口が、前記第2フォトマスクを前記第1フォ
    トマスクと整合させたとき、その内周上の少なくとも3
    つの異なる位置で、それぞれ隣接する前記第1開口の内
    周との間に一定の幾何学的関係を有するように設けられ
    ており、前記各圧電素子片の表面に前記電極パターンを
    成膜する際に、前記ウエハ表面に転写された前記基準ア
    ライメントマークに対して前記第2開口が前記幾何学的
    関係を有するように、前記第2フォトマスクを前記ウエ
    ハに位置合わせすることを特徴とする圧電振動片の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 前記ウエハに前記圧電素子片を形成し
    かつ前記基準アライメントマークを転写した後に、第3
    主パターン及び前記第2開口とは異なる1つ又は複数の
    第3開口からなる第3アライメントパターンを有する第
    3フォトマスクを用いて、エッチングにより前記圧電素
    子片の表面に前記電極パターンの一部を設けるための凹
    所を形成する過程を更に含み、 前記第3開口が、前記第1フォトマスクと整合させたと
    き、その内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それ
    ぞれ隣接する前記第1開口の内周との間に一定の幾何学
    的関係を有するように設けられており、前記各圧電素子
    片の表面に前記凹所を形成する際に、前記ウエハ表面に
    転写された前記基準アライメントマークに対して前記第
    3開口が前記幾何学的関係を有するように位置合わせす
    ることを特徴とする請求項1記載の圧電振動片の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 前記第1フォトマスクが前記第1主パ
    ターンを有する1対の第1上下マスクからなり、 前記第1上マスクが、前記基準アライメントマークを転
    写するための複数の第1上側開口からなる前記第1アラ
    イメントパターンを有し、 前記第1下マスクが、1つ又は複数の第1下側開口から
    なる第1下側アライメントパターンを有し、かつ前記第
    1下側開口が、前記第1上マスクと整合させたとき、そ
    の内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それぞれ隣
    接する前記第1上側開口の内周との間に一定の幾何学的
    関係を有するように設けられており、 前記第1フォトマスクを用いて前記ウエハをパターニン
    グする際に、前記第1上マスクと前記第1下マスクと
    を、前記第1下側開口と前記隣接する第1上側開口とが
    前記幾何学的関係を有するように位置合わせし、それら
    の間に前記ウエハを配置する過程を更に含むことを特徴
    とする請求項1又は2に記載の圧電振動片の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記第2フォトマスクが1対の第2上
    下マスクからなり、 前記第2上マスクが、1つ又は複数の第2上側開口から
    なる前記第2アライメントパターンを有し、かつ前記第
    2上側開口が、前記第1フォトマスクと整合させたと
    き、その内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それ
    ぞれ隣接する前記第1開口の内周との間に一定の幾何学
    的関係を有するように設けられており、 前記第2下マスクが、複数の第2下側開口からなる第2
    下側アライメントパターンを有し、かつ前記第2下側開
    口が、前記第2上マスクと整合させたとき、その内周上
    の少なくとも3つの異なる位置で、それぞれ隣接する前
    記第2上側開口の内周との間に一定の幾何学的関係を有
    するように設けられており、 前記第2フォトマスクを用いて前記各圧電素子片表面に
    前記電極パターンを成膜する際に、前記ウエハに対して
    前記第2上マスクを、前記ウエハ表面に転写された前記
    基準アライメントマークに対して前記第2上側開口が前
    記幾何学的関係を有するように位置合わせして配置し、 前記ウエハを一旦取り外した後、前記第2上マスクの下
    側に前記第2下マスクを、前記第2上側開口と前記隣接
    する第2下側開口とが前記幾何学的関係を有するように
    位置合わせして配置し、 それらの間に前記ウエハを、再び前記第2上側開口が前
    記基準アライメントマークに対して前記幾何学的関係を
    有するように位置合わせして配置する過程を更に含むこ
    とを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の圧電
    振動片の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記第3フォトマスクが1対の第3上
    下マスクからなり、前記第3上マスクが、1つ又は複数
    の第3上側開口からなる前記第3アライメントパターン
    を有し、かつ前記第3上側開口が、前記第1フォトマス
    クと整合させたとき、その内周上の少なくとも3つの異
    なる位置で、それぞれ隣接する前記第1開口の内周との
    間に一定の幾何学的関係を有するように設けられてお
    り、 前記第3下マスクが、複数の第3下側開口からなる第3
    下側アライメントパターンを有し、かつ前記第3下側開
    口が、前記第3上マスクと整合させたとき、それぞれ隣
    接する前記第3上側開口の内周との間に一定の幾何学的
    関係を有するように設けられており、 前記圧電素子片の表面に前記電極パターンの一部を設け
    るための凹所を形成する際に、前記ウエハに対して前記
    第3上マスクを、前記ウエハ表面に転写された前記基準
    アライメントマークに対して前記幾何学的関係を有する
    ように位置合わせして配置し、 前記ウエハを一旦取り外した後、前記第3上マスクの下
    側に前記第3下マスクを、前記第3上側開口と前記隣接
    する第3下側開口とが前記幾何学的関係を有するように
    位置合わせして配置し、 それらの間に前記ウエハを、再び前記第3上側開口が前
    記基準アライメントマークに対して前記幾何学的関係を
    有するように位置合わせして配置する過程を更に含むこ
    とを特徴とする請求項2に記載の圧電振動片の製造方
    法。
  6. 【請求項6】 前記幾何学的関係は、互いに隣接する
    前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそれ
    ぞれ外接することであることを特徴とする請求項1乃至
    5のいずれかに記載の圧電振動片の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記幾何学的関係は、互いに隣接する
    前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそれ
    ぞれ等しく重なることであることを特徴とする請求項1
    乃至5のいずれかに記載の圧電振動片の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記幾何学的関係は、互いに隣接する
    前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそれ
    ぞれ等しく離隔することであることを特徴とする請求項
    1乃至5のいずれかに記載の圧電振動片の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記圧電材料が水晶であることを特徴
    とする請求項1乃至8のいずれかに記載の圧電振動片の
    製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至9のいずれかに記載の
    方法により製造された前記圧電振動片を前記ウエハから
    分離し、パッケージ内にマウントしかつ封止することを
    特徴とする圧電振動子の製造方法。
  11. 【請求項11】 請求項1乃至9のいずれかに記載の
    方法により製造された前記圧電振動片を前記ウエハから
    分離し、IC(半導体集積回路)素子と共に、パッケー
    ジ内にマウントしかつ封止することを特徴とする圧電デ
    バイスの製造方法。
  12. 【請求項12】 第1主パターン及び複数の第1開口
    からなる第1アライメントパターンを有する第1フォト
    マスクと、 第2主パターン及び1つ又は複数の第2開口からなる第
    2アライメントパターンを有する第2フォトマスクとを
    備え、 前記第1及び第2アライメントパターンが、前記第1フ
    ォトマスクと第2フォトマスクとを整合させたとき、前
    記第2開口がその内周上の少なくとも3つの異なる位置
    で、それぞれ隣接する前記第1開口の内周との間に一定
    の幾何学的関係を有するように設けられていることを特
    徴とするフォトマスク。
  13. 【請求項13】 前記第2フォトマスクが、互いに異
    なる1つ又は複数の第2開口からなる第2アライメント
    パターンを有する複数のフォトマスクからなることを特
    徴とする請求項12に記載のフォトマスク。
  14. 【請求項14】 前記第1フォトマスクが1対の第1
    上下マスクからなり、 前記第1上マスクが前記複数の第1開口からなる前記第
    1アライメントパターンを有し、 前記第1下マスクが、1つ又は複数の第1下側開口から
    なる第1下側アライメントパターンを有し、かつ前記第
    1下側開口が、前記第1上マスクと整合させたとき、そ
    の内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それぞれ隣
    接する前記第1開口の内周との間に一定の幾何学的関係
    を有するように設けられていることを特徴とする請求項
    12に記載のフォトマスク。
  15. 【請求項15】 前記第2フォトマスクが1対の第2上
    下マスクからなり、前記第2上マスクが、前記複数の第
    2開口からなる前記第2アライメントパターンを有し、 前記第2下マスクが、1つ又は複数の第2下側開口から
    なる第2下側アライメントパターンを有し、かつ前記第
    2下側開口が、前記第2上マスクと整合させたとき、そ
    の内周上の少なくとも3つの異なる位置で、それぞれ隣
    接する前記第2開口の内周との間に一定の幾何学的関係
    を有するように設けられていることを特徴とする請求項
    12又は13に記載のフォトマスク。
  16. 【請求項16】 前記複数の第1開口が、縦横に直交す
    る格子状に配列された2列の同一形状かつ同一寸法の矩
    形開口からなり、 前記第2開口が、前記第1フォトマスクと第2フォトマ
    スクとを整合させたとき、互いに隣接するいずれか4つ
    の前記第1開口の間に位置する矩形開口からなり、かつ
    その4つの頂点において、前記隣接する4つの前記第1
    開口の各頂点との間に前記幾何学的関係を有することを
    特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載のフォ
    トマスク。
  17. 【請求項17】 前記幾何学的関係は、互いに隣接す
    る前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそ
    れぞれ外接することであることを特徴とする請求項12
    乃至16のいずれかに記載のフォトマスク。
  18. 【請求項18】 前記幾何学的関係は、互いに隣接す
    る前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそ
    れぞれ等しく重なることであることを特徴とする請求項
    12乃至16のいずれかに記載のフォトマスク。
  19. 【請求項19】 前記幾何学的関係は、互いに隣接す
    る前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそ
    れぞれ等しく離隔することであることを特徴とする請求
    項12乃至16のいずれかに記載のフォトマスク。
  20. 【請求項20】 請求項12又は13に記載のフォトマ
    スクを用いてワークの表面をパターニングするために、 前記ワーク表面に対向させて前記第1フォトマスクを配
    置し、前記第1主パターン及び第1アライメントパター
    ンを転写して、前記第1開口に対応する複数の基準アラ
    イメントマークを前記ワーク表面に形成し、 前記ワーク表面に対向させて前記第2フォトマスクを配
    置し、前記ワーク表面に転写された前記基準アライメン
    トマークに対して前記第2開口が前記幾何学的関係を有
    するように位置合わせすることを特徴とするフォトマス
    クの位置合わせ方法。
  21. 【請求項21】 請求項14に記載のフォトマスクを用
    いてワークの両面をパターニングするために、 前記第1上マスクと前記第1下マスクとを、前記第1下
    側開口が前記隣接する第1上側開口と前記幾何学的関係
    を有するように位置合わせし、 それらの間に前記ワークを前記第1上マスク及び第1下
    マスクにそれぞれ対向させて配置することを特徴とする
    フォトマスクの位置合わせ方法。
  22. 【請求項22】 請求項15に記載のフォトマスクを用
    いてワークの両面をパターニングするために、 前記ワークの一方の表面に対向させて前記第1フォトマ
    スクを配置し、前記第1主パターン及び第1アライメン
    トパターンを転写して、前記第1開口に対応する複数の
    基準アライメントマークを前記一方の表面に形成し、 前記ワークの前記一方の表面に対向させて前記第2上マ
    スクを、前記ワーク表面に転写された前記基準アライメ
    ントマークに対して前記第2開口が前記幾何学的関係を
    有するように位置合わせして配置し、 前記ワークを一旦取り外した後、前記第2上マスクの下
    側に前記第2下マスクを、前記第2開口と前記隣接する
    第2下側開口とが前記幾何学的関係を有するように位置
    合わせして配置し、 それらの間に前記ワークを、再び前記ワーク表面に転写
    された前記基準アライメントマークに対して前記第2開
    口が前記幾何学的関係を有するように位置合わせして配
    置することを特徴とするフォトマスクの位置合わせ方
    法。
  23. 【請求項23】 前記幾何学的関係は、互いに隣接す
    る前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそ
    れぞれ外接することであることを特徴とする請求項20
    乃至22のいずれかに記載のフォトマスクの位置合わせ
    方法。
  24. 【請求項24】 前記幾何学的関係は、互いに隣接す
    る前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそ
    れぞれ等しく重なることであることを特徴とする請求項
    20乃至22のいずれかに記載のフォトマスクの位置合
    わせ方法。
  25. 【請求項25】 前記幾何学的関係は、互いに隣接す
    る前記開口と開口とがその内周上の前記位置においてそ
    れぞれ等しく離隔することであることを特徴とする請求
    項20乃至22のいずれかに記載のフォトマスクの位置
    合わせ方法。
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