JP2003180038A - 充電制御装置 - Google Patents

充電制御装置

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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、ICのパッケージングや回路基板へ
の実装に際して発生する応力の影響等をキャンセルし、
二次電池の充電制御を高精度に行うことが可能な充電制
御装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明に係る充電制御装置3は、二次電池
2の充電電圧及び充電電流を基に満充電を検出する第
1、第2満充電検出回路31、34と、各検出回路3
1、34の出力に応じて二次電池2への給電制御を行う
制御回路35と、外部入力された制御情報を不揮発的に
記憶するメモリ37と、メモリ37から読み出した制御
情報に応じて各検出回路31、34の満充電検出レベル
を設定する可変直流電圧源32及びオフセット回路36
と、を有して成る。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、二次電池の充電状
態を監視してその充電制御を行う充電制御装置に関する
ものである。 【0002】 【従来の技術】図2は充電制御装置を搭載したバッテリ
パックの一従来例を示す概略構成図である。本図に示す
バッテリパック1’は、充電可能な二次電池セル2’
と、該二次電池セル2’の充電状態を監視してその充電
制御を行う充電制御IC3’と、充電器(不図示)から
直流電源が供給される給電端子4a’、4b’と、給電
端子4a’と二次電池セル2’の正極との間に接続され
たスイッチ素子5’と、二次電池セル2’の負極と給電
端子4b’(グランド線)との間に接続されたセンス抵
抗6’と、を有して成る。なお、センス抵抗6’は、二
次電池セル2’に流れる充電電流を電圧の形で検出する
ための微少抵抗(一般に数十mΩ)である。 【0003】充電制御IC3’は、二次電池セル2’の
充電電圧と所定の参照電圧を比較することで二次電池セ
ル2’が満充電状態であるか否かを検出する第1満充電
検出回路31’と、前記参照電圧を生成する直流電圧源
32’と、センス抵抗6’の両端電圧を比較することで
二次電池セル2’が満充電状態であるか否かを検出する
第2満充電検出回路34’と、第1、第2満充電検出回
路31’、34’の出力信号に応じてスイッチ素子5’
をオン/オフすることで二次電池セル2’への給電制御
を行う制御回路35’と、を1つのパッケージに封入し
て成る。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】確かに、上記構成から
成るバッテリパック1’であれば、充電制御IC3’に
よって二次電池セル2’の充電状態を監視し、その充電
制御をある程度適正に行うことができる。 【0005】しかしながら、上記構成から成る充電制御
IC3’では、直流電圧源32’にて生成される参照電
圧(すなわち、第1満充電検出回路31’における充電
電圧の満充電検出レベル)が回路を作り込んだ段階で固
定されていたため、回路形成後に生じる前記参照電圧の
ばらつき要因(充電制御IC3’のパッケージングや回
路基板への実装に際して発生する応力の影響等)や、充
電制御IC3’の監視対象となる二次電池セル2’自体
の製造ばらつきをキャンセルすることができなかった。
従って、上記構成から成る充電制御IC3’では、充電
動作の安全性を担保するために充電電圧の満充電検出レ
ベルを低めに設定しなければならず、二次電池セル2’
の充電容量を最大限に利用することができなかった。 【0006】一方、第2満充電検出回路34’は、外部
接続されたセンス抵抗6’の両端電圧を比較することで
二次電池セル2’が満充電状態であるか否かを検出する
構成であるため、センス抵抗6’の抵抗値を適宜選択す
ることで、充電電流の満充電検出レベルを変化させるこ
とができる。しかし、センス抵抗6’は微少抵抗である
ために接続抵抗や配線抵抗のばらつき等の影響を受けや
すく、満充電検出レベルのばらつきを補正することは非
常に難しかった。従って、上記構成から成る充電制御I
C3’では、充電動作の安全性を担保するために充電電
流の満充電検出レベルも低めに設定しなければならず、
二次電池セル2’の充電容量を最大限に利用することが
できなかった。また、外部接続されたセンス抵抗6’
は、バッテリパック1’の規模縮小やコストダウンを妨
げる要因にもなっていた。 【0007】本発明は、上記の問題点に鑑み、ICのパ
ッケージングや回路基板への実装に際して発生する応力
の影響等をキャンセルし、二次電池の充電制御を高精度
に行うことが可能な充電制御装置を提供することを目的
とする。 【0008】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る充電制御装置は、二次電池の充電電圧
及び/または充電電流に基づいて該二次電池が満充電状
態であるか否かを検出する満充電検出手段と、該満充電
検出手段の出力信号に応じて前記二次電池への給電制御
を行う制御手段と、外部から入力された制御情報を不揮
発的に記憶する記憶手段と、該記憶手段から読み出した
前記制御情報に応じて前記満充電検出手段における前記
充電電圧及び/または充電電流の満充電検出レベルを設
定する設定手段と、を有して成る構成としている。 【0009】 【発明の実施の形態】図1は本発明に係る充電制御装置
を搭載したバッテリパックの一実施形態を示す概略構成
図である。本実施形態のバッテリパック1は、充電可能
な二次電池セル2(リチウムイオン電池など)と、該二
次電池セル2の充電状態を監視してその充電制御を行う
充電制御IC3と、充電器(不図示)から直流電源が供
給される給電端子4a、4bと、該給電端子4aと二次
電池セル2の正極との間に接続されたスイッチ素子5
(MOSトランジスタなど)と、を有して成る。 【0010】充電制御IC3は、二次電池セル2の充電
電圧と所定の参照電圧を比較することで二次電池セル2
が満充電状態であるか否かを検出する第1満充電検出回
路31と、前記参照電圧を生成する可変直流電圧源32
と、二次電池セル2の負極と給電端子4b(グランド
線)との間に接続されたセンス抵抗33と、センス抵抗
33の両端電圧を比較することで二次電池セル2が満充
電状態であるか否かを検出する第2満充電検出回路34
と、第1、第2満充電検出回路31、34の出力信号に
応じてスイッチ素子5をオン/オフすることで二次電池
セル2への給電制御を行う制御回路35と、第2満充電
検出回路34の出力反転レベルをオフセットさせるオフ
セット回路36と、外部から入力された制御情報を記憶
する不揮発性メモリ37(フラッシュメモリ等)と、を
1つのパッケージに封入して成る。 【0011】第1満充電検出回路31の出力信号レベル
は、二次電池セル2の充電電圧が可変直流電圧源32で
生成された参照電圧よりも低ければLレベルとなり、高
ければHレベルとなる。一方、第2満充電検出回路34
の出力信号レベルは、センス抵抗33の両端電圧がオフ
セット回路36で設定されたオフセット値よりも高けれ
ばLレベルとなり、低ければHレベルとなる。 【0012】制御回路35は、第1、第2満充電検出回
路31、34の出力信号レベルがHレベルとなったと
き、二次電池セル2の充電電圧及び充電電流の少なくと
も一方が満充電状態を示していると判断して、スイッチ
素子5を閉状態にする。このような構成とすることによ
り、二次電池セル2が過充電状態となることを未然に防
止することができる。 【0013】ここで、本実施形態の可変直流電圧源32
は、不揮発性メモリ37から読み出した制御情報に応じ
て、前記参照電圧(すなわち、第1満充電検出回路31
における前記充電電圧の満充電検出レベル)を設定する
ことが可能である。また、本実施形態のオフセット回路
36は、同じく不揮発性メモリ37から読み出した制御
情報に応じて、前記オフセット値(すなわち、第2満充
電検出回路34における前記充電電流の満充電検出レベ
ル)を設定することが可能である。 【0014】このような構成とすることにより、本実施
形態の充電制御IC3では、充電制御IC3のパッケー
ジング後や回路基板への実装後、或いは二次電池セル2
の接続後等であっても、不揮発性メモリ37の内容を書
き換えることで、容易に前記充電電圧及び前記充電電流
の満充電検出レベルを設定変更することができる。 【0015】従って、充電制御IC3をバッテリパック
1に組み込んだ後で不揮発性メモリ37に制御情報を書
き込むといったプロセスを構築すれば、回路形成後に生
じる前記参照電圧のばらつき要因(充電制御IC3のパ
ッケージングや回路基板への実装に際して発生する応力
の影響等)や、充電制御IC3の監視対象となる二次電
池セル2自体の製造ばらつき等を全てキャンセルして、
前記充電電圧及び前記充電電流の満充電検出レベルを最
適化することが可能となる。 【0016】すなわち、従来の充電制御IC3’(図2
参照)では、前記充電電圧及び前記充電電流の検出値に
±0.5%程度のばらつきがあることを考慮して、充電
動作の安全性を担保するために前記満充電検出レベルを
低めに設定していたが、本実施形態の充電制御IC3で
は、検出値のばらつきを±0.1%以下にまで低減する
ことができるので、前記満充電検出レベルを不必要に下
げておく必要がなくなり、二次電池セル2の充電容量を
より有効に利用することが可能となる。 【0017】また、本実施形態の充電制御IC3では、
前記制御情報の記憶媒体として不揮発性メモリ37を採
用しているので、充電制御IC3への電源供給が絶たれ
ても記憶内容が消去されることはない。従って、一度満
充電検出レベルの最適化を行えば、その後は不揮発性メ
モリ37に制御情報の再書き込みを行う必要がない。 【0018】さらに、本実施形態の充電制御IC3を採
用すれば、二次電池セル2の充電電流を検出するセンス
抵抗を外部接続する必要がなくなるので、バッテリパッ
ク1の規模縮小やコストダウンに貢献することもでき
る。 【0019】なお、充電制御IC3内にスイッチ素子5
を含めたり、不揮発性メモリ37を別ICチップとして
充電制御IC3にチップオンチップした構成でも構わな
い。 【0020】 【発明の効果】上記で説明したように、本発明に係る充
電制御装置は、二次電池の充電電圧及び/または充電電
流に基づいて該二次電池が満充電状態であるか否かを検
出する満充電検出手段と、該満充電検出手段の出力信号
に応じて前記二次電池への給電制御を行う制御手段と、
外部から入力された制御情報を不揮発的に記憶する記憶
手段と、該記憶手段から読み出した前記制御情報に応じ
て前記満充電検出手段における前記充電電圧及び/また
は充電電流の満充電検出レベルを設定する設定手段と、
を有して成る構成としている。 【0021】このような構成とすることにより、ICの
パッケージングや回路基板への実装に際して発生する応
力の影響等をキャンセルし、二次電池の充電制御を高精
度に行うことが可能な充電制御装置を実現することが可
能となる。
【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明に係る充電制御装置を搭載したバッテ
リパックの一実施形態を示す概略構成図である。 【図2】 充電制御装置を搭載したバッテリパックの一
従来例を示す概略構成図である。 【符号の説明】 1 バッテリパック 2 二次電池セル 3 充電制御IC 4a、4b 給電端子 5 スイッチ素子(MOSトランジスタ) 31 第1満充電検出回路 32 可変直流電圧源 33 センス抵抗 34 第2満充電検出回路 35 制御回路 36 オフセット回路 37 不揮発性メモリ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】二次電池の充電電圧及び/または充電電流
    に基づいて該二次電池が満充電状態であるか否かを検出
    する満充電検出手段と、該満充電検出手段の出力信号に
    応じて前記二次電池への給電制御を行う制御手段と、外
    部から入力された制御情報を不揮発的に記憶する記憶手
    段と、該記憶手段から読み出した前記制御情報に応じて
    前記満充電検出手段における前記充電電圧及び/または
    充電電流の満充電検出レベルを設定する設定手段と、を
    有して成る充電制御装置。
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