JP2003174132A - 半導体装置の製造装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 作業ミスによるリードフレームの変形、破
損、半導体装置の破損等のトラブルを回避し、製造装置
の稼働率を向上させ、製造コストを下げることができる
半導体装置の製造技術を提供する。 【解決手段】 本半導体製造装置は、樹脂モールドされ
た複数の半導体装置２を整列配置したリードフレーム１
を搬送するリードフレーム搬送機構と、該リードフレー
ム搬送機構により搬送されてきたリードフレーム１に搭
載された半導体装置２のリード電極を切断して、個別の
半導体装置２に分離するリード電極切断機構５を有す
る。そして、リード電極切断機構５の前段に、樹脂モー
ルド形状が不良となった半導体装置２を除去する不良品
半導体装置除去機構４を設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
装置及び製造方法に、詳しくは、樹脂モールドされた複
数の半導体装置を搭載しているリードフレームから、半
導体装置のリード電極を切断し、個別に半導体装置を分
離する、半導体装置の製造装置及び製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体装置のパッケージ技術と
して、大量生産を意図して、樹脂で半導体素子を封入す
る樹脂モールドパッケージが採用されており、この種の
半導体装置にあっては、パッケージ本体から外方に延出
する複数のリード電極を備えている。このような半導体
装置は、複数の樹脂モールドされたものがリードフレー
ム上に整列配置され、順次搬送され、リード電極切断機
構によりリード電極を切断され、個別の半導体装置に分
離されている。

【０００３】ところで、上記半導体装置の製造工程にお
いて、半導体装置をリードフレームに搭載し、樹脂モー
ルドする工程において、樹脂が十分に充填されなかった
り、樹脂がモールド部分からはみ出したりする等のモー
ルド形状不良が発生することがある（図３参照）。この
ようなモールド形状不良となった半導体装置は、リード
電極切断におけるリード電極切断機構の破損や、リード
フレーム搬送における搬送ミスなどのトラブルを起こす
原因となる。

【０００４】従って、従来は、センサやカメラ等の機器
や、目視などでモールド形状を検査し、モールド形状不
良が見つかったら製造装置を停止して人手で不良品を切
り取り、除去していた。そのため、作業ミスによるリー
ドフレームの変形、破損、半導体装置の破損等の問題
や、処理速度の低下、作業要員確保による製造コストの
増大という問題があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、こ
のような従来技術の問題点を解消し、作業ミスによるリ
ードフレームの変形、破損、半導体装置の破損等のトラ
ブルを回避し、製造装置の稼働率を向上させ、製造コス
トを下げることができる半導体装置の製造装置及び製造
方法を提供することをその課題とする。また、本発明
は、モールド形状の外観検査の作業要員を不要とするこ
とができる半導体装置の製造装置及び製造方法を提供す
ることを別の課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】かかる技術的課題は、本
発明によれば、下記の技術的手段の採用により解決され
る。 （１）樹脂モールドされた複数の半導体装置を整列配置
したリードフレームを搬送するリードフレーム搬送機構
と、該リードフレーム搬送機構により搬送されてきたリ
ードフレームに搭載されている半導体装置のリード電極
を切断して、個別の半導体装置に分離するリード電極切
断機構を有する半導体装置の製造装置において、該リー
ド電極切断機構の前段に、樹脂モールド形状が不良とな
った半導体装置を除去する不良半導体装置除去機構を設
けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 （２）該不良半導体装置除去機構の前段に、半導体装置
の外観を検査して樹脂モールド形状の良、不良を検査す
る外観検査機構を設けたことを特徴とする前記（１）に
記載の半導体装置の製造装置。 （３）該不良半導体装置除去機構が、パンチとダイを備
えた切断金型からなることを特徴とする前記（１）又は
（２）に記載の半導体装置の製造装置。 （４）樹脂モールドされた複数の半導体装置を整列配置
したリードフレームを搬送し、該リードフレームに搭載
されている半導体装置のリード電極を切断して、個別の
半導体装置に分離する工程を有する半導体装置の製造装
置において、リード電極切断前に、樹脂モールド形状が
不良となった半導体装置を除去する不良半導体装置除去
工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （５）該不良半導体装置除去工程の前に、半導体装置の
外観を検査して樹脂モールド形状の良、不良を検査する
外観検査機構を設けたことを特徴とする前記（４）に記
載の半導体装置の製造方法。 （６）該不良半導体除去工程が、パンチとダイを備えた
切断金型により行われることを特徴とする前記（４）又
は（５）に記載の半導体装置の製造方法。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を好ま
しい実施例に基づいて詳述する。本発明で対象となる半
導体装置とは、ミニモールドトランジスタ、ＩＣ等の半
導体素子などの、リード電極を有し、リードフレームを
用いて一括して製造される各種部品を意味する。下記の
実施例ではＩＣの場合を例に説明する。

【０００８】図１に本発明の一実施例に係る半導体装置
の製造装置の概念図を模式的に示す。図中、１はリード
フレーム、２はＩＣ、３は外観検査機構、４は不良ＩＣ
除去機構としての不良ＩＣ除去用金型、５はリード電極
切断機構としてのリード電極切断用金型、２１は樹脂モ
ールド形状不良となったＩＣ、２２は不良ＩＣ除去用金
型４で除去された部分、２３はリード電極切断用金型５
で打ち抜かれた部分を示す。

【０００９】本実施例の半導体装置の製造装置は、不図
示のリードフレーム搬送機構を備え、このリードフレー
ム搬送機構は周知の搬送手法により、樹脂モールドされ
たＩＣ２を搭載したリードフレーム１を間欠的に順次、
外観検査機構３、不良除去用金型４、リード電極切断用
金型５に搬送する。外観検査機構３は例えば外観検査用
カメラやセンサ等とそれに接続された検査制御部からな
り、リードフレーム１に搭載されたＩＣの樹脂モールド
形状を検査し、良、不良を判断し、その結果に基づき不
良ＩＣ除去用金型４の作動や、リードフレーム１のリー
ド電極用金型５への搬送のタイミングを制御する。不良
ＩＣ除去用金型４は、リード電極切断用金型５の前段に
設置され、図３に示すような構成のものを用い、外観検
査機構３によりモールド不良が見つかったＩＣのみ除去
する。図中４１はパンチ、４２はダイである。リード電
極切断用金型５は、図２に示すような構成のものを用
い、正常なＩＣ２のリード電極を切断し、リードフレー
ム１から個別にＩＣ２を分離する。

【００１０】次に、上記構成の製造装置の動作について
述べる。先ず、不図示のリードフレーム搬送機構により
リードフレーム１を間欠的に順次搬送し、外観検査機構
３においてリードフレーム１に搭載されているＩＣ２の
樹脂モールド形状を検査し、その良、不良を判断する。
ＩＣ２の樹脂モールド形状が良であると判断した場合に
は、リードフレーム搬送機構の搬送動作を制御し、不良
ＩＣ除去用金型４は作動させずに、リードフレーム切断
用金型５にてＩＣ２のリードフレームを切断させ、パン
チ５１とダイ５２により個別の製品に分離させる。ＩＣ
２の樹脂モールド形状が不良であると判断した場合に
は、リードフレーム制御機構の搬送動作を制御し、不良
ＩＣ除去用金型４を作動させ、パンチ４１とダイ４２に
より不良部分を切断、除去する。以上のようにして、作
業ミスによるリードフレームの変形、破損、半導体装置
の破損等のトラブルが回避され、製造装置の稼働率を向
上させ、モールド形状不良監視のための作業要員を不要
とし、製造コストを下げることができる。

【００１１】以上本発明を実施例に基づいて説明してき
たが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
種々の変形、変更が可能である。例えば、上記では、リ
ード電極切断機構として切断金型を用いたが、この切断
金型には上記以外の種々の構成のものを用いることがで
き、また、リード電極切断機構として、切断金型の他、
ロータリーソー、ミル等、適宜の切断手段を用いること
ができる。また、不良ＩＣ除去機構についても切断金型
を用いたが、この切断金型も上記以外の種々の構成のも
のを用いることができ、また、不良ＩＣ除去機構とし
て、切断金型の他、ロータリーソー、ミル等、適宜の切
断手段を用いることができる。また、外観検査は本装置
にて行わず、別の装置で行い、その結果を基に不良半導
体除去機構を制御してもよい。さらに、外観検査は、カ
メラ、センサの他、顕微鏡等を用いた画像処理、機械式
形状測定などによるモールド形状異常検出、目視による
手動検査、その他適宜の検査方法を用いてもよい。

【００１２】

【発明の効果】本発明によれば、樹脂モールド形状不良
となった半導体装置を、リード電極切断工程前に除去す
ることにより、リード電極切断機構の破損、リードフレ
ーム搬送ミスを防止することができる。また、本発明に
よれば、半導体の樹脂モールド形状の検査結果に基づい
て不良半導体除去機構を動作させることにより、人手に
よる不良半導体除去作業を廃止することができる。その
結果、作業ミスによるリードフレームの変形、破損、半
導体装置の破損等のトラブルをなくすことができ、さら
に、装置の稼働率を向上させ、製造コストを低減させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造装置
を模式的に示した概念図である。

【図２】リード電極切断用金型を示す断面図である。

【図３】不良ＩＣ除去用金型を示す断面図である。

【符号の説明】

１ リードフレーム ２ 樹脂モールドされたＩＣ ３ 外観検査機構 ４ 不良ＩＣ除去用金型 ５ リード電極切断用金型 ２１ 樹脂モールド形状不良となったＩＣ ２２ 不良ＩＣ除去用金型で除去された部分 ２３ リード電極切断用金型で打ち抜かれた部分 ４１ 不良ＩＣ除去用金型のパンチ ４２ 不良ＩＣ除去用金型のダイ ５１ リード電極切断用金型のパンチ ５２ リード電極切断用金型のダイ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂モールドされた複数の半導体装置を
   整列配置したリードフレームを搬送するリードフレーム
   搬送機構と、 該リードフレーム搬送機構により搬送されてきたリード
   フレームに搭載されている半導体装置のリード電極を切
   断して、個別の半導体装置に分離するリード電極切断機
   構を有する半導体装置の製造装置において、 該リード電極切断機構の前段に、樹脂モールド形状が不
   良となった半導体装置を除去する不良半導体装置除去機
   構を設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
2. 【請求項２】 該不良半導体装置除去機構の前段に、半
   導体装置の外観を検査して樹脂モールド形状の良、不良
   を検査する外観検査機構を設けたことを特徴とする請求
   項１に記載の半導体装置の製造装置。
3. 【請求項３】 該不良半導体装置除去機構が、パンチと
   ダイを備えた切断金型からなることを特徴とする請求項
   １又は２に記載の半導体装置の製造装置。
4. 【請求項４】 樹脂モールドされた複数の半導体装置を
   整列配置したリードフレームを搬送し、該リードフレー
   ムに搭載されている半導体装置のリード電極を切断し
   て、個別の半導体装置に分離する工程を有する半導体装
   置の製造装置において、 リード電極切断前に、樹脂モールド形状が不良となった
   半導体装置を除去する不良半導体装置除去工程を設けた
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 該不良半導体装置除去工程の前に、半導
   体装置の外観を検査して樹脂モールド形状の良、不良を
   検査する外観検査機構を設けたことを特徴とする請求項
   ４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 該不良半導体除去工程が、パンチとダイ
   を備えた切断金型により行われることを特徴とする請求
   項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。