JP2003168667A - ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置 - Google Patents
ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置Info
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Abstract
及び装置を提供する。 【解決手段】研磨パッド16に形成された観測窓26を
通して光源ユニット32からの白色光を研磨中のウェー
ハWに照射し、その反射光を分光測定解析することによ
り、ウェーハWの研磨終点を検出する。この際、反射光
の光量を測定し、その反射光の光量が一定になるように
光源ユニット32の輝度を修正する。これにより正確な
終点検出ができる。
Description
及び装置に係り、特に化学的機械研磨法(CMP:Chem
ical Mechanical Polishing )によってウェーハを研磨
するウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置に関
する。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭い
状況になってきている。特に0.5μm以下の光リソグ
ラフィの場合、焦点深度が浅くなるため、ステッパの結
像面の平坦度が必要となる。このため、半導体ウェーハ
表面の平坦化が必要となるが、この平坦化の一手段とし
てCMPによるウェーハ表面の研磨が行われている。
貼付された研磨定盤と、ウェーハを保持する研磨ヘッド
とで構成されており、研磨ヘッドで保持したウェーハを
研磨パッドに押し付けて、そのウェーハと研磨定盤との
間に研磨材(スラリ)を供給しながら、両者を回転させ
ることによりウェーハを研磨する。
表面に形成された酸化膜やメタル膜を研磨する装置であ
るため、微妙な研磨量のコントロールが要求され、正確
に研磨終点を検出することが必要とされている。
するため、加工中のウェーハに単一波長の光を照射し、
その反射光の強度変化から研磨終点を検出する方法が知
られている。
長の光を用いて終点を検出する方法では、単一の情報に
基づいて終点を検出するため、誤判定が生じやすいとい
う欠点があった。
たもので、正確に研磨終点を検出することができるウェ
ーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置を提供するこ
とを目的とする。
するために、研磨パッドにウェーハを押し付け、スラリ
を供給しながら相対摺動させることにより、ウェーハを
研磨するウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法におい
て、前記研磨パッドに形成された窓材を通して光源から
の白色光を研磨中のウェーハに照射し、その反射光を分
光測定解析することにより、前記ウェーハの研磨終点を
検出することを特徴とするウェーハ研磨装置の研磨終点
検出方法を提供する。
ハに照射し、その反射光を分光測定解析してウェーハの
研磨終点を検出するので、単一波長の光で終点検出する
場合に比べ終点検出に利用できる情報量が増え、精度よ
く研磨終点を検出することができる。
に、前記分光測定解析は、前記反射光の光強度スペクト
ルを測定し、あらかじめ取得したリファレンス試料から
の反射光の光強度スペクトルとの比を求め、その比に基
づいて研磨終点を検出することを特徴とする請求項1に
記載のウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法を提供す
る。
ルを測定し、あらかじめ取得したリファレンス試料から
の反射光の光強度スペクトルとの比を求め、その比に基
づいて研磨終点を検出することにより、より正確な終点
検出ができる。
に、前記反射光の光量を測定し、該反射光の光量が一定
になるように前記光源の輝度を修正することを特徴とす
る請求項1又は2に記載のウェーハ研磨装置の研磨終点
検出方法を提供する。
て、窓材の透過率が変化することによる反射光の光量変
化を是正し、これを常に一定に保つことにより、常に正
確な終点検出を行うことができる。
に、修正された光源の輝度に基づいてリファレンス試料
からの反射光の光強度スペクトルを修正することを特徴
とする請求項3に記載のウェーハ研磨装置の研磨終点検
出方法を提供する。
によるリファレンスの修正がなされるので、より正確な
終点検出ができる。
に、前記光源の輝度修正は、前記光源に供給する電力量
を可変することにより行うことを特徴とする請求項3又
は請求項4に記載のウェーハ研磨装置の研磨終点検出方
法を提供する。
に供給する電力量を可変することにより行う。
に、前記光源の輝度修正は、輝度の異なる光源を複数用
意し、該光源の1つを選択することにより行うことを特
徴とする請求項3又は請求項4に記載のウェーハ研磨装
置の研磨終点検出方法を提供する。
用意し、この光源のなかから1つを選択することによ
り、光源の輝度修正を行う。
係るウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置の好
ましい実施の形態について詳説する。
研磨終点検出装置の構成を示すブロック図である。
タに駆動されて水平に回転するプラテン14と、このプ
ラテン14の表面に貼着された研磨パッド16と、ウェ
ーハWを保持して研磨パッド16に所定の圧力で押し付
けるウェーハ保持ヘッド18と、研磨パッド16の表面
に研磨液を供給する研磨液供給ノズル20と、装置全体
の駆動を制御する制御部22とで構成されている。
り、所定の位置に観測孔24が形成されている。観測孔
24は、プラテン14を貫通して形成されており、その
上端開口部には透明な観測窓26が嵌め込まれている。
の回転中心から偏心した位置でウェーハWを研磨パッド
16に押圧するとともに、図示しないモータに駆動され
て水平に回転する。また、このウェーハ保持ヘッド18
は、図示しない昇降手段に駆動されることにより、研磨
パッド16に対して垂直に昇降する。
18で保持したウェーハWを研磨パッド16に所定の圧
力で押し付け、その研磨パッド16とウェーハWとを回
転させながら、研磨液供給ノズル20から研磨パッド1
6に研磨液を供給して研磨する。
受光光学系28、2分岐ライトガイド30、光源ユニッ
ト32、分光器34及びコンピュータ36で構成されて
いる。
図示しない集光レンズを内蔵しており、図示しないブラ
ケットに支持されて観測孔24の下方位置に設置されて
いる。
イバーを結束して構成したもので、一方側の端部が二手
に分岐されている。分岐された一方のライトガイド30
Aは照射側ライトガイド30Aとして光源ユニット32
に接続され、他方のライトガイド30Bは受光側ライト
ガイド30Bとして分光器34に接続される。また、結
合された一端は照射・受光光学系28に接続される。
ば、ハロゲンランプ)32Aを内蔵しており、この光源
ランプ32Aから出射した白色光が、2分岐ライトガイ
ド30の照射側ライトガイド30Aによって照射・受光
光学系28へと導かれる。そして、その2分岐ライトガ
イド30から出た白色光が照射・受光光学系28で集光
されたのち、プラテン14に形成された観測窓26を通
して研磨パッド16上のウェーハWの研磨面に照射され
る。ウェーハWの研磨面に照射された白色光はウェーハ
Wの研磨面で反射し、その反射光が照射・受光光学系2
8で集光されて2分岐ライトガイド30へと導かれ、受
光側ライトガイド30Bを介して分光器34へと導かれ
る。
ンプ32Aの輝度を調整する輝度調整機構32Bが内蔵
されており、輝度調整機構32Bはコンピュータ36か
ら出力される制御信号に基づいて光源ランプ32Aの輝
度を調整する。この輝度調整機構32Bは、たとえば光
源ランプ32Aに供給する電力量を調整することによ
り、光源ランプ32Aの輝度を調整する。
によって導かれた反射光を各波長ごとの光に分光する。
そして、その分光した光を各波長ごとに光強度に応じた
電気信号に変換し、各波長ごとの光強度信号としてコン
ピュータ36に出力する。
ゴリズムに従って分光器34からの光強度信号を演算処
理し、特定の膜の研磨終点を検出する。そして、研磨終
点を検出した時点でウェーハ研磨装置10の制御部22
に研磨終点信号を出力し、研磨工程を終了させる。
磨終点検出装置12の作用は次のとおりである。
は、ウェーハWの研磨面に光を照射し、その反射光の光
強度スペクトルを測定して研磨終点を検出する。まず、
この光強度スペクトルの測定方法について説明する。
灯すると、その光源ランプ32Aの白色光が2分岐ライ
トガイド30の照射側ライトガイド30Aに入射され、
照射・受光光学系28に導かれる。そして、その照射・
受光光学系28で集光されたのち、ウェーハ研磨装置1
0のプラテン14に形成された観測窓26を通して研磨
中のウェーハWの研磨面に照射される。
窓26を通って照射・受光光学系28で集光されたの
ち、2分岐ライトガイド30に導入される。そして、分
岐された受光側ライトガイド30Bによって分光器34
へと導かれる。
器34で各波長ごとの光に分光され、その各波長ごとに
光強度に応じた電気信号に変換されて各波長ごとの光強
度信号(光強度スペクトル)としてコンピュータ36に
出力される。
ごとの光強度信号(光強度スペクトル)を所定の終点検
出アルゴリズムに従って演算処理することにより、特定
の膜の研磨終点を検出する。より詳しくは、分光器34
から取得したウェーハWの光強度スペクトルと、メモリ
に記憶されたリファレンス試料からの反射光の光強度ス
ペクトルとの比を演算し、この比を測定反射率とし、こ
の測定反射率のデータに基づいて研磨終点を検出する。
たとえば、この測定反射率のデータに基づいて色座標の
変化から研磨終点を検出する。
ルミ製の板)の光強度スペクトルは、研磨パッド16の
交換後、新たに研磨を開始する前にあらかじめ測定して
おき、これをコンピュータ36に内蔵されたメモリに記
憶させておく。このリファレンス試料からの反射光の光
強度スペクトルの測定は、研磨パッド16の観測窓26
の上にリファレンス試料を載置して測定する。
は、観測窓26を介して照射されることから、分光器3
4で測定されるウェーハWの光強度スペクトルは、この
観測窓26や光学系自体の影響を受ける。このような観
測窓26や光学系自体の影響はダークネス成分(いわゆ
るノイズ成分)として、終点検出に悪影響を及ぼす。
4で測定されたウェーハWの光強度スペクトルに対して
ダークネス成分を取り除いて終点検出を行う。すなわ
ち、検出されたウェーハの光強度スペクトルからダーク
ネスを引いたものを真の光強度スペクトルとし、これを
用いて終点検出を行う。このダークネス成分は、リファ
レンス試料の光強度スペクトルにも含まれていることか
ら、同様にダークネス成分を取り除いて終点検出を行
う。すなわち、測定したリファレンス試料の光強度スペ
クトルからダークネスを引いたものを真の光強度スペク
トルとし、これを用いて終点検出を行う。
磨パッド16の観測窓26上に何も置かない状態で観測
窓26に光を入射し、その反射光の光強度スペクトルを
測定することにより行う。測定されたダークネスは、コ
ンピュータ36に内蔵されたメモリに記憶される。
出装置12では、ウェーハの研磨面に光を照射し、その
反射光の光強度スペクトルを測定し、リファレンス試料
の光強度スペクトルとの比(測定反射率)に基づいて研
磨終点を検出する。
磨終点検出装置12は、観測窓26を介してウェーハW
の研磨面に光を照射するようにしているが、この観測窓
26は、ウェーハWの処理条件や環境が変わると透過率
が変化する。そして、この透過率が変化すると、分光器
34に入射する反射光の光量が変化し、正確な終点検出
ができなくなるという問題がある。
12では、観測窓26の状態が変化しても分光器34に
入射する反射光の光量が常に一定に保たれるように、光
源の輝度を自動調整する。また、この光源の輝度が変わ
ることによるリファレンス試料の光強度スペクトルの変
更で自動修正する。
ウェーハWの処理方法について説明する(図2参照)。
ップS1)、その新規な研磨パッド16の下で光源の輝
度設定が行われる(ステップS2)。このときの光源の
輝度をL1 とする。
タ36は、その設定された輝度L1の下でリファレンス
試料の光強度スペクトルを測定する。そして、求めた光
強度スペクトルを基準の光強度スペクトルR1 に設定
し、メモリに記憶する(ステップS3)。
ウェーハの連続加工が開始される(ステップS4)。
定される(ステップS5)。上述したようにダークネス
の測定は、研磨パッド16の観測窓26上に何も置かな
い状態で観測窓26に白色光を入射し、その反射光の光
強度スペクトルを測定することにより行う。測定された
ダークネスD1 は、コンピュータ36に内蔵されたメモ
リに記憶される。
16上にセットされ、その1枚目のウェーハW1 の加工
が開始される(ステップS6)。そして、この加工と同
時に1枚目のウェーハW1 の光強度スペクトルT1 が測
定される。
ペクトルT1 とメモリに記憶されたリファレンス試料の
光強度スペクトルR1 及びダークネスD1 に基づいて終
点検出を行う(ステップS7)。すなわち、まず、ダー
クネス成分を取り除くために、測定された光強度スペク
トルT1 とリファレンス試料の光強度スペクトルR1と
からダークネスD1 を引き、そのダークネス成分を取り
除いたあとのウェーハW1 の光強度スペクトルT1 とリ
ファレンス試料の光強度スペクトルR1 とから測定反射
率V1 を求めて、その測定反射率V1 に基づいて終点検
出を行う。そして、終点検出後、制御部22に研磨終点
信号を出力し、研磨を終了させる。
1 は、研磨パッド16が1回転するごとに測定され、測
定された光強度スペクトルは測定データとしてコンピュ
ータ36のメモリに記憶される。
が研磨パッド16から回収され、その回収後、再びダー
クネスD2 が測定される(ステップS9)。ダークネス
D2が測定されると、2枚目のウェーハW2 が研磨パッ
ド16上にセットされ、研磨が開始される(ステップS
10)。そして、この研磨開始と同時に終点検出が行わ
れる(ステップS11)。
検出は、光源の輝度を変えずに行い(L2 =L1 )、ま
た、1枚目のウェーハW1 と同じリファレンス試料の光
強度スペクトルを用いて行う(R2 =R1 )。また、ダ
ークネスには2枚目のウェーハW2 の加工開始前に測定
したダークネスD2 を使用する。
れて研磨が完了すると、研磨パッド16上から2枚目の
ウェーハW2 が回収される(ステップS12)。
コンピュータ36は、図3に示すフローに従って光源の
輝度修正を行う(ステップS13)。
ーハW1 の研磨時に測定された光強度スペクトルT1 と
2枚目のウェーハW2 の研磨時に測定された光強度スペ
クトルT2 とから反射光、すなわち分光器34に入射す
る光の光量変化Xを求める(ステップS13−1)。
時に測定された光強度スペクトルT 1 と2枚目のウェー
ハW2 の研磨時に測定された光強度スペクトルT2 は、
上記のようにメモリに測定データとして記憶されている
ので、この測定データを利用して反射光の光量変化Xを
求める。
ら終点検出まで複数回測定されているので、複数回測定
された光強度スペクトルのうち、あらかじめ指定された
測定回数範囲の光強度スペクトルを用いて反射光の光量
変化Xを求める。
の光量の変化をなくすような新たな光源の輝度L3 を推
定する(ステップS13−2)。そして、推定した光源
の輝度L3 を新たな光源の輝度に設定する(ステップS
13−3)。
光量変化Xに基づく光源の輝度Lの補正量がデータとし
て記憶されており、この光量変化Xと光源の輝度Lとの
関係データに基づいて新たな光源の輝度L3 が求められ
る。
ンピュータ36は光源ユニット32の輝度調整機構32
Bに制御信号を出力し、光源ランプ32Aの輝度が設定
された新たな輝度L3 になるように輝度調整を行う。
ファレンス試料の光強度スペクトルも変わるので、設定
した新たな光源の輝度L3 に基づいて2枚目研磨時のリ
ファレンス試料の光強度スペクトルR2 (=1枚目研磨
時のリファレンス試料の光強度スペクトルR1 )を修正
する(ステップS13−4)。
光源の輝度変化に基づくリファレンス試料の光強度スペ
クトルRの修正量がデータとして記憶されており、この
輝度変化Xと修正量との関係データに基づいて2枚目研
磨時のリファレンス試料の光強度スペクトルR2 (=1
枚目研磨時のリファレンス試料の光強度スペクトル
R 1 )を修正する。そして、その修正した新たなリファ
レンス試料の光強度スペクトルR3 を3枚目研磨時のリ
ファレンス試料の光強度スペクトルに設定する(ステッ
プS13−5、ステップS14)。
ス試料の光強度スペクトルの修正が完了する。この光源
の輝度修正とリファレンス試料の光強度スペクトルの修
正が完了すると、ダークネスD3 が測定され(ステップ
S15)、そのダークネスD 3 の測定後、3枚目のウェ
ーハW3 が研磨パッド16上にセットされ、研磨が開始
される(ステップS16)。そして、この研磨開始と同
時に終点検出が行われる(ステップS17)。
検出は、新たに設定した輝度L3 の下で新たに設定した
リファレンス試料の光強度スペクトルR3 と3枚目のウ
ェーハW3 の加工開始前に測定したダークネスD3 を使
用する。
れて研磨が完了すると、研磨パッド16上から3枚目の
ウェーハW3 が回収される(ステップS18)。そし
て、この3枚目のウェーハW3 の加工終了後、コンピュ
ータ36は、再び光源の輝度修正を行う。修正方法は、
上述した方法と同じである。
研磨時に測定された光強度スペクトルT2 と3枚目のウ
ェーハW3 の研磨時に測定された光強度スペクトルT3
とから反射光の光量変化Xを求める。次に、その求めた
光量変化Xをなくすような新たな光源の設定輝度L4 を
求める。
と、コンピュータ36は光源ユニット32の輝度調整機
構32Bに制御信号を出力し、光源ランプ32Aの輝度
が求めた輝度L4 になるように輝度調整を行う。
ファレンス試料の光強度スペクトルも変わるので、設定
した新たな光源の輝度L4 に基づいて3枚目研磨時のリ
ファレンス試料の光強度スペクトルR3 を修正する。そ
して、その修正した新たなリファレンス試料の光強度ス
ペクトルを4枚目研磨時のリファレンス試料の光強度ス
ペクトルR4 に設定する。
たびに光源の輝度とリファレンス試料の光強度スペクト
ルを修正し、ウェーハを連続的に処理してゆく。
Wn の加工が終了すると、前回研磨されたウェーハW
n-1 の光強度スペクトルTn-1 と今回研磨されたウェー
ハWnの光強度スペクトルTn とから反射光の光量変化
Xを求め、その光量変化Xがなくなるような光源の輝度
Lを求め、これを新たな光源の輝度Lに設定する。
ファレンス試料の光強度スペクトルも変わるので、設定
した新たな光源の輝度に基づいて研磨時のリファレンス
試料の光強度スペクトルRn を修正し、その修正した新
たなリファレンス試料の光強度スペクトルを次のウェー
ハWn+1 の研磨時のリファレンス試料の光強度スペクト
ルRn+1 に設定する。
では、ウェーハを1枚処理するたびに光源の輝度とリフ
ァレンス試料の光強度スペクトルを修正する。これによ
り、観測窓26の状態が変化した場合であっても、分光
器34に入射する光(反射光)の光量が一定に保たれる
ので、常に正確な終点検出を行うことができる。
Aに供給する電力量を調整することにより、光源ランプ
32Aの輝度を調整するようにしているが、光源の輝度
調整方法は、これに限定されるものではない。
る光源ランプ58A〜58Gを複数揃え、このうちの1
つをスイッチ60で選択して点灯させることにより、光
源の輝度を調整するようにしてもよい。
4上をスライドするスライドブロック66上に光源ラン
プ62を設置し、光源ランプ62を照射側ライトガイド
30Aに対して前後移動させることにより、光源ランプ
62から観測窓26までの光路長を可変して、光源の輝
度を調整するようにしてもよい。
8の前段に絞り装置70を設置し、この絞り装置70の
開口量Uを可変することにより、光源の輝度を調整する
ようにしてもよい。
白色光を研磨中のウェーハに照射し、その反射光を分光
測定解析してウェーハの研磨終点を検出するので、単一
波長の光で終点検出する場合に比べ終点検出に利用でき
る情報量が増え、精度よく研磨終点を検出することがで
きる。
変化して、窓材の透過率が変化することによる反射光の
光量変化を是正し、これを常に一定に保つことにより、
常に正確な終点検出を行うことができる。
を示すブロック図
ハの処理手順を示すフローチャート
ト
4…プラテン、16…研磨パッド、18…ウェーハ保持
ヘッド、20…研磨液供給ノズル、22…制御部、24
…観測孔、26…観測窓、28…照射・受光光学系、3
0…2分岐ライトガイド、30A…照射側ライトガイ
ド、30B…受光側ライトガイド、32…光源ユニッ
ト、32A…光源ランプ、32B…輝度調整機構、34
…分光器、36…コンピュータ、58A〜58G…光源
ランプ、60…スイッチ、62…光源ランプ、64…ガ
イドレール、66…スライドブロック、68…光源ラン
プ、70…絞り装置
Claims (14)
- 【請求項1】 研磨パッドにウェーハを押し付け、スラ
リを供給しながら相対摺動させることにより、ウェーハ
を研磨するウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法におい
て、 前記研磨パッドに形成された窓材を通して光源からの白
色光を研磨中のウェーハに照射し、その反射光を分光測
定解析することにより、前記ウェーハの研磨終点を検出
することを特徴とするウェーハ研磨装置の研磨終点検出
方法。 - 【請求項2】 前記分光測定解析は、前記反射光の光強
度スペクトルを測定し、あらかじめ取得したリファレン
ス試料からの反射光の光強度スペクトルとの比を求め、
その比に基づいて研磨終点を検出することを特徴とする
請求項1に記載のウェーハ研磨装置の研磨終点検出方
法。 - 【請求項3】 前記反射光の光量を測定し、該反射光の
光量が一定になるように前記光源の輝度を修正すること
を特徴とする請求項1又は2に記載のウェーハ研磨装置
の研磨終点検出方法。 - 【請求項4】 修正された光源の輝度に基づいてリファ
レンス試料からの反射光の光強度スペクトルを修正する
ことを特徴とする請求項3に記載のウェーハ研磨装置の
研磨終点検出方法。 - 【請求項5】 前記光源の輝度修正は、前記光源に供給
する電力量を可変することにより行うことを特徴とする
請求項3又は請求項4に記載のウェーハ研磨装置の研磨
終点検出方法。 - 【請求項6】 前記光源の輝度修正は、輝度の異なる光
源を複数用意し、該光源の1つを選択することにより行
うことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のウェ
ーハ研磨装置の研磨終点検出方法。 - 【請求項7】 研磨パッドにウェーハを押し付け、スラ
リを供給しながら相対摺動させることにより、ウェーハ
を研磨するウェーハ研磨装置の研磨終点検出装置におい
て、 前記研磨パッドに形成された窓材と、 前記窓材を通して研磨中のウェーハに白色光を照射する
光源と、 前記ウェーハの研磨面で反射した前記白色光の反射光を
分光測定解析することにより、前記ウェーハの研磨終点
を検出する終点検出手段と、 からなることを特徴とするウェーハ研磨装置の研磨終点
検出装置。 - 【請求項8】 前記終点検出手段は、 前記反射光の光強度スペクトルを測定する測定手段と、 あらかじめ取得したリファレンス試料からの反射光の光
強度スペクトルが記憶された記憶手段と、 前記測定手段で測定された前記反射光の光強度スペクト
ルと前記記憶手段に記憶された前記リファレンス試料か
らの反射光の光強度スペクトルとの比を求め、その比に
基づいて研磨終点を判定する判定手段と、からなること
を特徴とする請求項7に記載のウェーハ研磨装置の研磨
終点検出装置。 - 【請求項9】 前記反射光の光量を測定する光量測定手
段と、 前記光源の輝度を調整する輝度調整手段と、 前記光量測定手段で測定された反射光の光量が一定にな
るような前記光源の輝度を求める演算手段と、 前記演算手段で求められた輝度になるように前記輝度調
整手段を制御して前記光源の輝度を修正する制御手段
と、を備えたことを特徴とする請求項7又は8に記載の
ウェーハ研磨装置の研磨終点検出装置。 - 【請求項10】 修正された光源の輝度に基づいてリフ
ァレンス試料からの反射光の光強度スペクトルを修正す
るリファレンス修正手段を備えたことを特徴とする請求
項9に記載のウェーハ研磨装置の研磨終点検出装置。 - 【請求項11】 前記輝度調整手段は、前記光源へ供給
する電力量を可変して調整することを特徴とする請求項
9又は請求項10に記載のウェーハ研磨装置の研磨終点
検出装置。 - 【請求項12】 前記輝度調整手段は、輝度の異なる複
数の光源を備え、該光源の1つを選択して調整すること
を特徴とする請求項9又は請求項10に記載のウェーハ
研磨装置の研磨終点検出装置。 - 【請求項13】 前記輝度調整手段は、前記光源から前
記窓材までの光路長を可変して調整することを特徴とす
る請求項9又は請求項10に記載のウェーハ研磨装置の
研磨終点検出装置。 - 【請求項14】 前記輝度調整手段は、前記光源から出
射した白色光を絞りに通し、該絞りの開口量を可変して
調整することを特徴とする請求項9又は請求項10に記
載のウェーハ研磨装置の研磨終点検出装置。
Priority Applications (4)
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Cited By (15)
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