JP2003167392A - 有機単層感光体を用いた電子写真方法における現像条件の補正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機単層感光体を用いて電子写真による画像
形成を行うに際し、極めて簡単に、しかも自動化によ
り、感光層の膜厚変動による現像条件の補正を行なうこ
とが可能な現像条件の補正方法を提供する。 【解決手段】 有機単層感光体を用いて電子写真による
画像形成を行うに際し、予め、主帯電後の感光体表面の
暗電位と明電位との差に相当するコントラスト電位（Ｖ
ｃ）を設定しておき、次いで、一定状態の前記感光体に
ついて、その表面を、異なる２つの主帯電電位に帯電さ
せ、それぞれについて暗電位と明電位とを測定し、該測
定結果に基づいて、式： Ｖｒ＝α・Ｖｏ＋β （式
中、Ｖｏは、暗電位（Ｖ）、Ｖｒは、明電位（Ｖ）、α
及びβは定数）からα及びβを算出し、前記算出結果か
ら画定される式（１）のＶｏ−Ｖｒ直線と前記コントラ
スト電位（Ｖｃ）とから、該コントラスト電位（Ｖｃ）
を示す暗電位を算出し、このような暗電位が得られるよ
うに、主帯電条件を変更する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、有機単層感光体を用い
ての電子写真方法における現像条件の補正方法に関する
ものであり、より詳細には、電子写真による画像形成サ
イクルを繰り返し行ったときに生じる有機単層感光体の
劣化に応じて、現像条件を容易に補正して良好な画像を
形成することができる方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真による画像形成では、現在、反
転現像が主流であり、この反転現像によれば、感光体を
一様に帯電させた後、所定の画像情報に基づいてレーザ
照射による画像露光を行なって静電潜像を形成させ、こ
の静電潜像をトナーで現像し、トナー像を感光体から転
写紙に転写し、転写紙上のトナー像を定着して画像を形
成させる。

【０００３】このような画像形成で使用される感光体と
しては、セレン、アモルファスシリコン等の無機感光体
や、電荷発生剤や電荷輸送剤を含有する有機感光層を導
電性基体上に形成させた有機感光体が知られており、特
に有機感光体は、軽量性やコストの点で優れており、現
在、広く使用されている。ところで、有機感光体には、
電荷発生剤及び電荷輸送剤が単一の有機感光層中に分散
されている単層型のもの（有機単層感光体）と、電荷発
生剤を分散させた電荷発生層と、電荷発生層上に形成さ
れ且つ電荷輸送剤を分散させた電荷輸送層とから有機感
光層が形成されている積層型のもの（有機積層感光体）
とが知られている。この内、有機単層感光体は、特に製
造が容易であり、コストの面でも極めて安価であること
から、現在、広く使用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機単
層感光体を用いて画像形成を行う場合には、画像形成サ
イクルを繰り返し行うことによる感光層の摩耗による膜
厚低下が画像形成に及ぼす影響が大きく、耐久性が乏し
いという欠点がある。即ち、ある程度の回数の画像形成
を繰り返し行うと、感光層表面に残存したトナーを除去
するためのブレードクリーニングにより感光層が摩耗
し、その膜厚が低下すると、画像濃度の低下やカブリ等
を生じてしまうという欠点がある。即ち、有機積層感光
体では、電荷発生層上に電荷輸送層が形成されているた
め、画像形成サイクルを繰り返して行なっても、電荷輸
送層が保護層として機能するため、電荷発生層が摩耗す
ることはないが、有機単層感光体では、電荷発生剤を含
有する有機感光層が直接摩耗してしまうため、その膜厚
低下による感度変化等が大きく、有機積層感光体に比し
て、その耐久性が低いものとなっている。

【０００５】そこで、有機単層感光体では、通常、画像
形成サイクルをある程度の回数繰り返して行なった後、
適正な画像が形成されるように現像条件を補正すること
により、その寿命を引き延ばすことが行なわれている。
具体的には、感光体の主帯電電位を増大させるなどによ
り、適正濃度の画像が得られるように調整される。

【０００６】しかるに、上記のような現像条件の補正
は、例えば、主帯電を行うための帯電器の帯電条件や現
像バイアス電圧を種々変更し、その都度、実際に画像形
成を行ない、得られる画像を確認しながら行われていた
ため、一般にサービスマンにより行なわれ、一般ユーザ
により行なうことは非常に難しいという問題がある。ま
た、サービスマンにより行なうとしても、その補正は極
めて面倒である。

【０００７】従って、本発明の目的は、有機単層感光体
を用いて電子写真による画像形成を行うに際し、極めて
簡単に、しかも自動化により、感光層の膜厚変動による
現像条件の補正を行なうことが可能な現像条件の補正方
法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明によれば、
単層の有機感光層を有する有機単層感光体を使用し、有
機単層感光体表面を均一に主帯電し、帯電された該感光
体表面に画像情報に基づいて光照射を行なって静電潜像
を形成し、この静電潜像を、一定の現像バイアス電圧を
印加しながら現像することにより画像形成を行う電子写
真方法において、予め、主帯電後の感光体表面の暗電位
と明電位との差に相当するコントラスト電位（Ｖｃ）を
設定しておき、次いで、一定状態の前記感光体につい
て、その表面を、異なる２つの主帯電電位に帯電させ、
それぞれについて暗電位と明電位とを測定し、該測定結
果に基づいて、下記式： Ｖｒ＝α・Ｖｏ＋β （１） 式中、Ｖｏは、暗電位（Ｖ）を示し、Ｖｒは、明電位
（Ｖ）を示し、α及びβは、それぞれ定数を示す、から
α及びβを算出し、前記算出結果から画定される式
（１）のＶｏ−Ｖｒ直線と前記コントラスト電位（Ｖ
ｃ）とから、該コントラスト電位（Ｖｃ）を示す暗電位
を算出し、このような暗電位が得られるように、主帯電
条件を変更することを特徴とする現像条件の補正方法が
提供される。

【０００９】電子写真法により画像形成を行う場合に
は、既に述べた通り、感光体表面を所定の電位に均一に
主帯電し、この状態で、画像情報に基づいて光照射を行
ない、静電潜像を形成する。即ち、光が照射された部分
の電位は低下し（明電位）、一方、光が照射されない部
分の電位はほとんど低下せず（暗電位）、暗電位と明電
位との電位差により、画像情報に対応する電荷像（静電
潜像）が形成されるわけである。従って、例えば、現在
汎用されている反転現像方式では、主帯電極性と同極性
に帯電された現像剤（トナー）を感光体表面に供給する
ことにより、該トナーが、電位の低い光照射部分に付着
し、可視像化されたトナー像が形成され、光未照射部分
が画像のバックグラウンドとなる。所謂、正規現像方式
は、この逆であり、主帯電極性と逆極性に帯電されたト
ナーが使用され、帯電トナーは、電位の高い光未照射部
分に付着してトナー像が形成され、電位の低い光照射部
分が画像のバックグラウンドとなる。このことから理解
されるように、反転現像或いは正規現像、何れの現像方
式においても、暗電位と明電位との差が画像のコントラ
ストに対応するコントラスト電位（Ｖｃ）となる。従っ
て、一定の濃度の画像を得るためには、一定のコントラ
スト電位（Ｖｃ）を確保しておくことが必要である。し
かるに、有機感光体の場合には、画像形成サイクルの繰
り返しにより、有機感光層が摩耗し、その帯電特性が劣
化し、一定の条件で主帯電を行ったとしても、暗電位が
低下し、上記のコントラスト電位（Ｖｃ）が低下し、こ
の結果、画像濃度の低下等の画像劣化を生じることにな
り、有機単層感光体では、この傾向が著しく大きい。

【００１０】本発明は、感光層厚みが一定の有機単層感
光体では、画像露光条件（例えば光照射に用いるレーザ
の出力）が一定であるときには、暗電位と明電位との間
に、比例関係が成立するという新規知見に基づいてなさ
れたものである。即ち、後述する実験例での実験結果を
示す図２のグラフを参照されたい。この図２は、有機単
層感光体の感光層の厚み毎に、帯電電圧を変化させて、
暗電位に対して明電位をプロットした曲線を示すもので
ある。（例えば、暗電位を測定した後、同一条件で帯電
を行ない、次いでレーザ光照射を行い、明電位を測定し
たものであり、レーザ光照射は全て同じ出力で行なわれ
ている。）図２から明らかな通り、少なくとも電荷のリ
ーク等を生じない有効な感光層厚みを有する領域では、
膜厚毎に、明電位は暗電位に比例しており、両者の間に
は直線関係があることがわかる。即ち、ある厚みの単層
の有機感光層については、前記式（１）で表される関係
が成立するのである。

【００１１】このような明電位と暗電位との関係は、従
来、全く知られておらず、本発明者等が初めて見出した
新規知見である。しかも、このような関係は、有機単層
感光体に特有であり、例えば有機積層感光体では、この
ような直線関係は成立しない。上記の明電位と暗電位と
の直線関係が有機単層感光体に特有であることの理由は
正確に解明されたわけではない。しかるに、有機単層感
光体では、感光層中に電荷発生剤が均一に分散されてい
るため、電荷発生剤量が感光層の厚みに比例するが、例
えば、有機積層感光体では、感光層が下方の電荷発生層
と表面側の電荷輸送層とに分けられており、感光層厚み
と電荷発生剤量との間には比例関係はなく、これが、有
機単層感光体では、明電位と暗電位との間に直線関係が
成立するが、有機積層感光体では両者の間に直線関係が
成立しない一因になっているものと思われる。

【００１２】従って、本発明では、上述した明電位と暗
電位との直線関係を利用し、ある程度の画像形成サイク
ルが繰り返され、感光層厚みが低下した有機単層感光体
について、２つの主帯電条件で主帯電を行い、それぞれ
について、暗電位と明電位とを測定する。この測定結果
から、このときの有機単層感光体について、前記式
（１）から、α及びβの定数を算出することができ、こ
れにより、式（１）のＶｏ−Ｖｒ直線を画定することが
できる。

【００１３】例えば、暗電位の測定値をＶｏ１，Ｖｏ２
とし、これらの暗電位に対応する明電位の測定値を、そ
れぞれ、Ｖｒ１，Ｖｒ２とすると、これらを式（１）に
代入すると、次の関係式（１ａ），（１ｂ）が得られ
る。 Ｖｒ１＝α・Ｖｏ１＋β （１ａ） Ｖｒ２＝α・Ｖｏ２＋β （１ｂ） この連立方程式を解いて、α、βの値を求めることがで
きる。 α＝（Ｖｒ２-Ｖｒ１）/（Ｖｏ２-Ｖｏ１） (2ａ) β＝（Ｖｒ１Ｖｏ２-Ｖｏ１Ｖｒ２）/（Ｖｏ２-Ｖｏ１） （2ｂ） 従って、この状態での有機単層感光体における式（１）
のＶｏ−Ｖｒ直線を画定することができる。

【００１４】一方、予め、一定のコントラスト電位（Ｖ
ｃ）が設定されているから、上記で画定された式（１）
のＶｏ−Ｖｒ直線を用いて、このようなコントラスト電
位（Ｖｃ）を与える暗電位を算出する。即ち、コントラ
スト電位（Ｖｃ）は、下記式（３）： Ｖｃ＝Ｖｏ−Ｖｒ （３） 式中、Ｖｏは、暗電位（Ｖ）を示し、Ｖｒは、明電位
（Ｖ）を示す、で表されるから、画定した式（１）に、
上記式（３）を代入することにより、予め設定されたコ
ントラスト電位（Ｖｃ）を与える暗電位を求めることが
できる。

【００１５】例えば、このような暗電位をＶｏｃとする
と、式（３）と画定した式（１）とから、下記式（４）
が成立する。 Ｖｃ＝Ｖｏｃ−（α・Ｖｏｃ＋β） （４） 式中、α及びβは、前記式（２ａ）及び（２ｂ）を満足
する定数である。従って、式（４）から、かかる有機単
層感光体について、予め設定されたコントラスト電位
（Ｖｃ）を与える暗電位（Ｖｏｃ）を求めると、下記式
（５）の通りとなる。 Ｖｏｃ＝（Ｖｃ＋β）／（１−α） （５）

【００１６】かくして本発明によれば、上記式（５）を
満足するように、主帯電条件を変更して現像条件を補正
することにより、画像形成を繰り返して行うことによっ
て摩耗して厚みが減少した有機単層感光体について、適
正な濃度を有し、カブリ等の不具合のない良好な画像を
得ることができる。

【００１７】このような本発明の補正方法は、明電位と
暗電位との間に式（１）で示す直線関係が成立すること
を利用するものであることから、有機単層感光体を用い
ての電子写真法にのみ適用されるものであり、上記のよ
うな直線関係の成立しない有機積層感光体を用いた場合
には適用されない。

【００１８】本発明において、上記式（５）を満足させ
るような主帯電条件の変更は、用いる主帯電器の種類に
応じて、容易に行なうことができる。例えば、スコロト
ロン帯電器を用いて主帯電を行う場合には、スコロトロ
ン帯電器のグリッド電圧を調整すればよく、接触帯電ロ
ーラを用いて主帯電を行う場合には、この帯電ローラに
印加する電圧を調整すればよい。また、２つの主帯電条
件で主帯電を行い、それぞれについて、暗電位と明電位
とを測定する操作は、このような動作条件を予めプログ
ラムしておき、且つ画像露光部と現像部との間の領域に
電位センサを設け、画像形成装置の操作パネルに補正ス
イッチをＯＮとすることにより、自動的に行なうことが
できる。更に、その測定結果からのα、βの算出（式
（１）の直線の画定）や、画定した式（１）の直線に基
づいての暗電位（Ｖｏｃ）の算出は、所定の演算プログ
ラムを組み込んでおくことにより、やはり自動的に行な
うことができる。従って、本発明によれば、現像条件の
補正を極めて容易に行なうことができ、サービスマンの
労力を著しく軽減することができ、また、場合によって
は、このような補正を一般ユーザが容易に行なうことも
できる。

【００１９】

【発明の実施形態】以下、添付図面に示す具体例に基づ
いて、本発明を説明する。本発明の現像条件補正方法を
適用する画像形成装置の一例を示す図１において、回転
可能に設けられている感光体ドラム１の周囲には、その
回転方向に沿って、帯電手段２、レーザ光学装置３、現
像手段４、転写手段５、クリーニング装置６及び除電ラ
ンプ７が配置されており、所定の紙等の転写シート９が
転写手段５と感光体ドラム２との間に搬送され、この転
写シート９の表面に、画像が形成されるようになってい
る。また、レーザ光学装置３と現像手段４との間には、
電位センサ１０が設けられており、更に、図１では省略
されているが、上記転写シート９の排出側には、熱ロー
ラ等からなる定着装置が配置されている。

【００２０】即ち、感光体ドラム１の全面を、帯電手段
２により所定極性に一様に主帯電し、次いで、レーザ光
学装置３を用いて、所定の画像情報に基づいてレーザ光
が帯電された感光体ドラム１の表面に照射され、画像露
光による静電潜像の形成が行なわれる。このようにして
形成された静電潜像は、現像手段４により現像され、ト
ナー像が感光体ドラム１表面に形成される。形成された
トナー像は、転写手段５により、転写シート９の表面に
転写され、トナー像が転写された転写シート９は、図示
されていない定着装置に導入され、熱及び圧力により、
トナー像が転写シート９の表面に定着される。一方、ト
ナー像を転写シート９に転写した後は、クリーニング装
置６により感光体ドラム１表面に付着残存するトナーが
除去され、更に除電ランプによる光照射によって、感光
体ドラム１表面に残存する電荷が除去され、これによ
り、画像形成サイクルの一工程が終了し、次の画像形成
サイクルが行なわれる。

【００２１】本発明において、感光体ドラム１は、アル
ミ等の導電性素管上に形成させた有機感光体ドラムであ
り、この有機感光層は、それ自体公知であり、電荷発生
剤及び電荷輸送剤を結着樹脂中に分散させた単一の層か
らなる。即ち、このような単層の有機感光層を備えた感
光体ドラム１において、明電位と暗電位との間に前述し
た式（１）に示す直線関係が成立し、本発明の補正方法
が適用されることは既に述べた通りである。

【００２２】上記感光層中に分散させる電荷発生剤とし
ては、例えば、セレン、セレン−テルル、アモルファス
シリコン、ピリリウム塩、アゾ系顔料、ジスアゾ系顔
料、アンサンスロン系顔料、フタロシアニン系顔料、イ
ンジコ系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラ
ゾリン系顔料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料等
が例示され、所望の領域に吸収波長域を有するよう、一
種または二種以上混合して用いられる。

【００２３】特に好適な電荷発生剤として、次のものが
例示される。 Ｘ型メタルフリーフタロシアニン。 オキソチタニルフタロシアニン。

【００２４】ペリレン系顔料、特に一般式（Ａ）、

【化１】 式中、Ｒ_１及びＲ_２の各々は、炭素数１８以下の置換ま
たは未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アルカリール基、またはアラールキル基である、で
表されるもの。上記一般式（Ａ）において、アルキル基
としては、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチ
ルヘキシル基等が挙げられ、シクロアルキル基として
は、シクロヘキシル基等が挙げられ、アリール基として
は、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、アルカリー
ル基としては、トリル基、キシリル基、エチルフェニル
基等が挙げられ、アラールキル基としては、ベンジル
基、フェネチル基等が挙げられる。置換基としては、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子等がある。

【００２５】ビスアゾ顔料、特に下記一般式（Ｂ）

【化２】 式中、Ａは水素原子または置換または未置換のアルキル
基、アリール基また複素環基であり、ｎはゼロまたは１
であり、Ｃｐはカップラー残基である、で表わされるビ
スアゾ顔料。上記一般式（Ｂ）において、ピラゾール環
の３位には、直接或いはビニリデン基を介して、置換或
いは未置換のアルキル基、アリール基或いは複素環基が
結合していてもよく、ここで、アルキル基としては、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、アミル基等が挙げら
れ、アリール基としてはフェニル、ナフチル、ビフェニ
ル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル基等が
挙げられ、複素環基としては、窒素、酸素、硫黄或いは
これらの組み合わせを環中に含有する単環或いは多環の
飽和乃至不飽和の複素環基、例えばチエニル基、フリル
基、イミダゾリル基、ピロリル基、ピリミジニル基、イ
ミダゾール基、ピラジニル基、ピラゾリニル基、ピロリ
ジニル基、ピラニル基、ピペリジル基、ピペラジニル
基、モルホリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピロリ
ジニル基、ピロリニル基、ベンゾフリル基、ベンゾイミ
ダゾリル基、ベンゾフラニル基、インドリル基、キノリ
ル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基等が挙げら
れる。これらの基が有していてもよい置換基としては、
低級アルキル基、低級アルコキシ基、アシルオキシ基、
クロール等のハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトリル
基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、アシルオキシ基、
カルボキシル基等が挙げられる。一方、式（Ｂ）におけ
るカプラー残基としては、この種のアゾ顔料に使用され
るカプラー（アゾカップリング成分）の残基であれば任
意のもの、例えば置換或いは未置換のフェノール類、ナ
フトール類、或いは水酸基含有複素環環化合物等であっ
てよく、ここで置換基としては、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、アリール基、アシルオキシ基、クロール
等のハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトリル基、ニト
ロ基、アミノ基、アミド基、アシルオキシ基、カルボキ
シル基等が挙げられる。

【００２６】また、電荷発生剤を分散させる樹脂媒質
（結着樹脂）としては、種々の樹脂が使用でき、例え
ば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン−
アクリル系重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポ
リプロピレン、アイオノマー等のオレフィン系重合体、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リエステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、シリコー
ン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂、フェノール樹脂や、エポキシアクリレー
ト等の光硬化型樹脂等、各種の重合体が例示できる。こ
れらの結着樹脂は、一種または二種以上混合して用いる
こともできる。好適な樹脂は、スチレン系重合体、アク
リル系重合体、スチレン−アクリル系重合体、ポリエス
テル、アルキッド樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレ
ート等である。

【００２７】好適な樹脂としては、ポリカーボネート、
特に帝人化成社製パンライト、三菱瓦斯化学社製ＰＣ
Ｚ、出光興産社製タフゼット（ＢグレードやＨグレー
ド）等、下記一般式（Ｃ）：

【化３】 式中、Ｒ_３及びＲ_４は水素原子または低級アルキル基で
あって、Ｒ_３及びＲ_４は連結して、結合炭素原子と共
に、シクロヘキサン環のごときシクロ環を形成していて
もよい、で表されるビスフェノール類とホスゲンとから
誘導される構成単位を含むポリカーボネートを挙げるこ
とができる。

【００２８】また、耐摩耗性を考慮すると、下記一般式
（Ｄ）：

【化４】 式中、Ｒは、水素原子または炭素数１８以下の置換又は
未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、
アルカリール基、またはアラールキル基であり、ｐ及び
ｑは、共重合比を示す数であり、ｐ＋ｑ＝１とした時、
ｐが０．１〜０．４となる数である、で表される構造を
有する共重合ポリカーボネートが好適である。

【００２９】結着樹脂の分子量は粘度平均分子量（ＰＣ
−Ａ換算）で１０，０００〜２００，０００が好ましい
が、耐摩耗性と生産性を考慮すると、１８，０００〜８
０，０００が特に好適である。更に、感光層中に占める
結着樹脂の割合は、４０〜７０重量％が好ましいが、特
に前記一般式（Ｄ）の構造の共重合ポリカーボネートを
使用して耐摩耗性の向上を図るならば、５０〜７０重量
％の範囲が好適である。

【００３０】電荷輸送剤としてはそれ自体公知の任意の
電子輸送性或いは正孔輸送性のものを使用できる。その
適当な例は、次の通りである。

【００３１】電子輸送剤としては、無水コハク酸、無水
マレイン酸、ジブロム無水コハク酸、無水フタル酸、３
−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ無水フタル酸、無水
ピロメリット酸、ピロメリット酸、トリメリット酸、無
水トリメリット酸、フタルイミド、４−ニトロフタルイ
ミド、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、クロルアニル、ブロモアニル、ｏ−ニトロ安息香
酸、マロノニトリル、トリニトロフルオレノン、トリニ
トロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアン
トラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノ
ン、ジニトロアントラキノン、チオピラン系化合物、キ
ノン系化合物、ベンゾキノン系化合物、ジフェノキノン
系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化
合物、スチルベンキノン系化合物などの電子吸引性物質
を単独または２種以上の組み合わせで用いることができ
る。

【００３２】特に好ましいものとして、以下のものを例
示することができる。

【００３３】下記一般式（Ｅ）：

【化５】 式中、Ｒ^ａは置換基を有してもよいアルキル基または置
換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ^ｂは置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリー
ル基又は基−Ｏ−ＲG を示す。該基中のＲG は、置換基
を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよい
アリール基を示す、で表されるナフトキノン。

【００３４】下記一般式（Ｆ）：

【化６】 式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８の各々は水素原子、ア
ルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基等である、で表されるジフェノキノ
ン。Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８は非対称構造の置換基で
あることが好ましく、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８の内、
２個が低級アルキル基であり、他の２個が分岐鎖アルキ
ル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラールキ
ル基であることが好ましい。

【００３５】そのジフェノキノン誘導体の適当な例は、
これに限定されないが、３，５−ジメチル−３’，５’
−ジｔ−ブチルジフェノキノン、３，５−ジ メトキシ
−３’，５’−ジｔ−ブチルジフェノキノン、３，３’
−ジメチル−５，５’−ジｔ−ブチルジフェノキノン、
３，５’−ジメチル−３’，５−ジｔ−ブチルジフェノ
キノン、３，５，３’，５’−テトラメチルジフェノキ
ノン、２，６，２’，６’−テトラｔ−ブチルジフェノ
キノン、３，５，３’，５’−テトラフェニルジフェノ
キノン、３，５，３’，５’−テトラシクロヘキシルジ
フェノキノン、等を挙げることができる。これらのジフ
ェノキノン誘導体は、分子の対称性が低いために分子間
の相互作用が小さく、溶解性に優れているために好まし
い。

【００３６】下記一般式（Ｇ）：

【化７】 式中、Ｒは、同一でも異なっていてもよく、水素原子、
炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコ
キシ基、それぞれ置換基を有していてもよいアリール
基、シクロアルキル基、アラルキル基、ハロゲン化アル
キル基を示す、で表されるジフェノキノン。置換基とし
ては、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素
数１〜６のアルコキシ基、水酸基、シアノ基、アミノ
基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基が挙げられる。

【００３７】下記一般式（Ｈ）：

【化８】 式中、Ｒは、同一でも異なっていてもよく、水素原子、
炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコ
キシ基、それぞれ置換基を有していてもよいアリール
基、シクロアルキル基、アラルキル基、ハロゲン化アル
キル基を示す、で表されるナフトキノン。置換基として
は、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数
１〜６のアルコキシ基、水酸基、シアノ基、アミノ基、
ニトロ基、ハロゲン化アルキル基が挙げられる。

【００３８】下記一般式（Ｊ）：

【化９】 式中、Ｒは、同一でも異なっていてもよく、水素原子、
炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコ
キシ基、それぞれ置換基を有していてもよいアリール
基、シクロアルキル基、アラルキル基、ハロゲン化アル
キル基を示し、Ｘは、同一でも異なっていてもよく、炭
素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキ
シ基、それぞれ置換基を有していてもよいアリール基、
シクロアルキル基、アラルキル基、フェノキシ基、およ
びハロゲン化アルキル基を示し、これら基が互いに縮合
して環を形成していてもよく、ｎは、０〜５の整数であ
る、で表されるスチルベンキノン。

【００３９】一方、正孔輸送性物質としては、例えば次
のものが知られており、これらの内から、溶解性や、正
孔輸送性に優れているものが使用される。ピレン；Ｎ−
エチルカルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、
Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン
−９−カルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−
３−メチリデン−９−エチルカルバゾール、などのカル
バゾール類；Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−１０−エチルフェノチアジン；Ｎ，Ｎ−ジフェ
ニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフェノ
キサジン；ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ，
Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾン、
ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニル
ヒドラゾン、１，３，３−トリメチルインドレニン−ω
−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジ
エチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾリノ
ン−２−ヒドラゾン、などのヒドラゾン塩；２，５−ビ
ス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキ
サジゾール；１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラ
ゾリン、１−［キノニル（２）］−３−（ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）ピラゾリン、１−［６−メトキシ−ピリジル
（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（３）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−［レピジル（３）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−
（α−メチル−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−３−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェ
ニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチ
ル−５−（ｐ−ジエチルアミノフフェル）ピラゾリン、
スピロピラゾリン、などのピラゾリン類；２−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−３−ジエチルアミノベンズオ
キサゾール、２−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４
−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−クロロ
フェニル）オキサゾール、などのオキサゾール系化合
物；２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチ
ルアミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化合物；
ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェ
ニルメタンなどのトリアリ−ルメタン系化合物；１，１
−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェ
ニル）ヘプタン、１，１，２，２−テトラキス（４−
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）エタ
ン、などのポリアリールアルカン類；Ｎ，Ｎ´−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（メチルフェニル）ベンジジン、
Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（エチルフェニ
ル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビ
ス（プロピルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ´−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（ブチルフェニル）ベンジジン、
Ｎ，Ｎ´−ビス（イソプロピルフェニル）ベンジジン、
Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（第２級ブチル
フェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ
´−ビス（第３級ブチルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ
´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（２，４−ジメチルフ
ェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´
−ビス（クロロフェニル）ベンジジンなどのベンジジン
系化合物；フェニレンジアミン誘導体；ジアミノナフタ
レン誘導体；ジアミノフェナントレン誘導体；トリフェ
ニルアミン；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール；ポリビニ
ルピレン；ポリビニルアントラセン；ポリビニルアリク
ジン；ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン；ピレン
−ホルムアルデヒド樹脂；エチルカルバゾールホルムア
ルデヒド樹脂。

【００４０】正孔輸送剤の好適なものとして、下記式
（Ｋ）：

【化１０】 式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３及びＡｒ_４の各々は置換
或いは未置換のアリール基であり、Ｙは置換或いは未置
換のアリーレン基であり、ｎはゼロまたは１の数であ
る、で表される芳香族アミン類が挙げられる。

【００４１】更に、正孔輸送剤の他の好適なものとし
て、ヒドラゾン類、特に下記式（Ｌ）：

【化１１】 式中、Ａｒ_５は、同一でも異なっていてもよく置換或い
は未置換のアリール基である、で表されるヒドラゾン類
を挙げることができる。

【００４２】また、以下の式（Ｍ）で表される構造の正
孔輸送剤は、高移動度を有しており、好適である。

【化１２】 式中、Ｒは、同一でも異なっていてもよく、水素原子、
炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ
基を示し、また、各ベンゼン環は、置換基として、炭素
数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基を
有していてよい。

【００４３】上述した単層の有機感光層において、電荷
発生剤（ＣＧＭ）は固形分当たり０．５乃至７重量％、
特に２乃至５重量％の範囲の内、感度に悪影響を及ぼさ
ない範囲で可及的に少ない量で感光層中に含有されるの
がよく、また電荷輸送剤（ＣＴＭ）は固形分当たり２０
乃至７０重量％、特に２５乃至６０重量％の範囲の内、
感度に影響を及ぼさない範囲で可及的に少ない量で感光
層中に含有されるのがよい。

【００４４】また、感度の点や、反転現像を可能とする
という用途の広さからは、電子輸送剤（ＥＴ）と、正孔
輸送剤（ＨＴ）とを組み合わせで使用するのがよく、こ
の場合、ＥＴ：ＨＴの重量比は１０：１乃至１：１０、
特に１：５乃至１：１の範囲にあるのが最もよい。

【００４５】また、上記の単層の有機感光層中には、電
子写真学的特性に悪影響を及ぼさない範囲で、それ自体
公知の種々の配合剤、例えば、ビフェニル、ｏ−ターフ
ェニル、ｍ−ターフェニル、ｐ−ターフェニル、ｐ−ベ
ンジルフェニル及び水素化ターフェニル等のビフェノー
ル誘導体、ステアリン酸ブチル等のアルキルエステル、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、
ポリエチレングリコールモノエステル、ポリエチレング
リコールモノエーテル、ポリエチレングリコールジアル
キレート、ポリエチレングリコールジアルキルエーテル
等のポリアルキルオキシド類やポリフェニレンオキシド
等の可塑剤や潤滑剤、ヒンダードアミン、ヒンダードフ
ェノール等の酸化防止剤が配合されていてもよい。ま
た、形成した膜のレベリング性の向上や潤滑性の付与を
目的として、シリコーンオイルやフッ素系オイルなどの
レベリング剤を含有させることもできる。

【００４６】特に、全固形分当たり０．１乃至５０重量
％の立体障害性フェノール系酸化防止剤を配合すると、
電子写真学的特性に悪影響を与えることなく、感光層の
耐久性を顕著に向上させることができる。

【００４７】単層の有機感光層を設ける導電性基板とし
ては、導電性を有する種々の材料が使用でき、例えば、
アルミニウム、銅、錫、白金、金、銀、バナジウム、モ
リブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、イ
ンジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金
属が蒸着またはラミネートされたプラスック材料；ヨウ
化アルミニウム、酸化錫、酸化インジウム等で被覆され
たガラス；等が例示される。本発明に用いる単層有機感
光体では、通常のアルミニウム素管、また膜厚が１乃至
５０μｍとなるようにアルマイト処理を施した素管を用
いことができる。

【００４８】単層有機感光体を形成させるには、電荷発
生材料、電荷輸送剤等と結着樹脂等を、従来公知の方
法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペ
イントシェイカーあるいは超音波分散機等を用いて調製
し、従来公知の塗布手段により塗布、乾燥すればよい。
感光層の厚みは、特に制限されないが、一般に１０乃至
５０μｍの範囲内で、感度低下や残留電位増大を来さな
い範囲で可及的に厚く設けることが望ましい。

【００４９】塗布液を形成するのに使用する溶剤として
は、種々の有機溶剤が使用でき、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、
ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等、種々の溶剤が例示さ
れ、一種または二種以上混合して用いられる。塗布液の
固形分濃度は一般に５乃至５０％とするのがよい。

【００５０】また上記単層の感光層は、前記導電性基板
上に直接形成してもよいが、下引き層を介して形成する
こともできる。このような下引き層としては、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポ
リアミド、メラミン、セルロース、ポリチオフェン、ポ
リピロール、ポリアニリン、ポリエステル、ポリアクリ
レート、ポリスチレン等の高分子膜を例示することがで
きる。下引き層の厚みは、０．０１μｍ乃至２０μｍの
範囲が好ましい。また、下引き層に導電性を付与するた
めに、金、銀、アルミ等の金属粉末、酸化チタン、酸化
スズ等の酸化金属粉末、カーボンブラック等の導電性微
粉末を分散させることもできる。

【００５１】感光体ドラム１の表面を主帯電するための
帯電手段２としては、コロトロンやスコロトロン等のコ
ロナ帯電器や接触帯電ローラなどが使用されるが、特に
スコロトロンが好適である。かかる帯電手段による感光
体ドラム１表面の帯電極性は、正及び負の何れでもよい
が、オゾン等の発生を防止するという見地からは、正極
性がよい。

【００５２】また、感光体ドラム１の主帯電電位は、同
一条件で主帯電を行うと、画像形成サイクルの繰り返し
による感光層の摩耗に伴って低下するが、その初期設定
値は、暗電位（Ｖｏ）と明電位（Ｖｒ）との差に相当す
るコントラスト電位（Ｖｃ）が４００Ｖ以上、特に５５
０Ｖ以上となるような電位、例えば７００乃至７２０Ｖ
の範囲に設定される。即ち、画像形成サイクルの繰り返
しにより主帯電電位及びコントラスト電位（Ｖｃ）が低
下して画像濃度の低下等を来したときには、本発明に従
って補正を行ない、コントラスト電位（Ｖｃ）が上記範
囲内となるように、主帯電電位を高める。具体的には、
帯電手段２としてコロナ帯電器を用いているときには、
コロナワイヤへの印加電圧を高めたり或いはグリッド電
圧を調整することにより、また接触帯電ローラを用いて
いる場合には、該ローラへの印加電圧を高めることによ
り、主帯電電位を適正な範囲に調整することができる。
特に帯電手段２としてスコロトロンを用いている場合に
は、グリッド電圧の調整により、容易に主帯電電位の調
整を行うことができる。

【００５３】レーザ光学装置３を用いての画像露光は、
それ自体公知の手段で行なうことができる。例えば、ス
キャナ等によって読み込まれた画像情報に基づいて、或
いはコンピュータ等から送られた画像情報に基づいて、
レーザ光を照射することにより行なわれる。勿論、この
ようなレーザ光学装置３を用いる代わりに、ＬＥＤを用
いたり、ハロゲンランプ等の光学系を使用し、このよう
な光学系からの原稿反射光を直接感光体ドラム１表面に
照射することにより画像露光を行なうことも可能であ
る。

【００５４】本発明において、レーザ光学装置３と現像
手段４との間には、電位センサ１０が設けられており、
現像条件の補正を行なうときには、この電位センサ１０
により、暗電位及び明電位の測定を行なう。電位センサ
１０による測定個所は、感光体ドラム１表面の中心部
分、即ち画像形成領域にあたる部分である。即ち、現像
条件の補正は、一定の電位に感光体ドラム１表面を帯電
した後、画像露光のための光照射を行わずに電位センサ
１０により暗電位を測定し、次いで、同じ条件で同電位
に帯電された感光体ドラム１表面について、通常の画像
形成サイクルで行なわれる画像露光と同じ条件（例えば
同じレーザ出力）で光照射を行ない、電位センサ１０に
より明電位を測定する。次いで、主帯電条件を変えて、
上記とは異なる電位に帯電された感光体ドラム１表面に
ついて、上記と同様にして暗電位及び明電位を測定す
る。この測定値に基づいて、前述した演算により、現像
条件の補正、具体的には、主帯電条件の調整が行なわ
れ、予め設定されたコントラスト電位（Ｖｃ）が得られ
るように、感光体ドラム１表面の主帯電が行なわれるわ
けである。尚、上記の暗電位及び明電位の測定は、異な
る２つの電位に感光体ドラム１表面を帯電させて行うこ
とが、前述した式（１）の直線を画定させるために必須
であるが、このような異なる２つの電位の差は、通常、
１００Ｖ以上であることが好ましい。両者の電位差があ
まり小さいと、測定誤差が大きくなるおそれがあるため
である。

【００５５】現像手段４は、それ自体公知であり、例え
ば、現像ローラにより、少なくとも所定極性に帯電され
たトナーを含む磁性現像剤を、磁力を利用して感光体ド
ラム１表面に搬送することにより行なわれる。このよう
な現像剤も特に制限されず、例えば非磁性トナーと、フ
ェライトや鉄粉等の磁性キャリヤとからなる二成分系現
像剤や、磁性トナーからなる一成分系現像剤の何れをも
使用することができる。トナーの帯電極性は、現像方式
によって異なり、例えば、現在汎用されている反転現像
方式では、感光体ドラム１の帯電極性と同極性であり、
正規現像方式では、感光体ドラム１の帯電極性と逆極性
であり、通常、所定の帯電部材或いはキャリヤとの摩擦
帯電により、適当な帯電量を有するように帯電される。

【００５６】上記現像手段４による現像は、接触現像及
び非接触現像の何れでもよく、また、現像に際しては、
通常、現像バイアス電圧を、感光体ドラム１と現像ロー
ラとの間に印加して行なわれる。この現像バイアス電圧
は、帯電トナーを感光体ドラム１表面側に容易に移行し
得るような極性及び大きさを有するものであり、例えば
反転現像では、感光体ドラム１側がその帯電極性とは逆
性となるような向きで、且つ、絶対値が暗電位と明電位
との間の大きさとなるようなものである。従って、本発
明では、前述した現像条件の補正に伴って、上記範囲と
なるように現像バイアス電圧の調整を行なうことが好ま
しい。

【００５７】転写手段５としては、コロナ帯電器や転写
ローラが使用される。コロナ帯電器を用いる場合には、
搬送されてきた転写シート９の背面を、コロナ放電によ
り帯電トナーとは逆極性にコロナ帯電させることにより
行なわれ、この場合、転写用のコロナ帯電器と共に、転
写シート９の感光体ドラム１への巻きつきを防止する分
離用帯電器を使用するのがよい。また、転写ローラを用
いる場合には、該ローラが帯電トナーと逆極性の電位と
なるような転写電圧を印加して転写が行なわれる。

【００５８】クリーニング装置６は、ポリウレタン等の
ゴム製のブレード或いはローラを備えており、これらを
感光体ドラム１表面に摺擦することにより、転写後の感
光体ドラム１表面に残存するトナーが分離回収される。
また、除電ランプ７は、感光体ドラム１表面に形成され
ている単層の有機感光層が感度を有する波長の光を、該
ドラム１表面に照射することにより、感光体ドラム１表
面の残留電位を除去する。図１では、この除電ランプ７
は、感光体ドラム１の回転方向に対して下流側に配置さ
れているが、これをクリーニング装置６と転写手段５と
の間の領域に配置することも可能である。

【００５９】

【実施例】本発明を次の実験例で説明する。

【００６０】感光体の作製：電荷発生剤としてＸ型メタ
ルフリーフタロシアニンを５重量部、正孔輸送剤とし
て、下記式：

【化１３】 の化合物を４０重量部、電子輸送剤として２−ｔ−ブチ
ルカルボニル−３−フェニル−１，４−ナフトキノンを
４０重量部、結着剤として、下記式：

【化１４】 のポリカーボネート共重合樹脂（ＰＣ−Ａ換算での粘度
平均分子量：５０，０００）を１００重量部、更に溶媒
としてテトラヒドロフラン８００重量部を加え、ボール
ミルで５０時間混合分散して単層型感光層用塗布液を調
製し、この塗布液をアルミニウム素管（Φ：７８ｍｍ）
上に塗布した後、１００℃で６０分間熱風乾燥すること
により、膜厚が１２μｍ、１４μｍ、１６μｍ、２０μ
ｍ及び３６μｍの単層有機感光体を作製した。

【００６１】図１と同様の構成を有し、表面電位計を備
えた複写機に、上記で作製された感光体ドラムをそれぞ
れ装着した。尚、主帯電器としてはスコロトロンが使用
されている。この装置を使用し、主帯電電位を変化さ
せ、各主帯電電位毎に、暗電位と明電位とを測定した。
尚、測定に際してのレーザ出力は一定とした。その結果
を図２に示す。図２の結果から、このような単層有機感
光体では、明電位と暗電位とは比例関係にあり、式
（１）： Ｖｒ＝α・Ｖｏ＋β （１） 式中、Ｖｏは、暗電位（Ｖ）を示し、Ｖｒは、明電位
（Ｖ）を示し、α及びβは、それぞれ定数を示す、が成
立することが判る。

【００６２】次いで、上記で作製された厚みが３６μｍ
の単層有機感光体ドラムが装着されたマシーンを使用
し、初期設定条件を次のように設定し、連続して４００
Ｋの画像形成を行った。このときに得られた画像の濃度
を反射濃度計で測定したところ、１．２４であり、画像
濃度はかなり低く、不鮮明であった。 主帯電電位： ７７０Ｖ （暗電位６７０Ｖ） コントラスト電位： ５５０Ｖ 現像方式： 反転現像 現像剤： 正帯電型二成分系現像剤 現像バイアス電圧： ５２０Ｖ 感光体ドラム周速： ２９０ｍｍ／ｓｅｃ

【００６３】上記の画像形成終了後、主帯電電位を、８
２０Ｖ及び７２０Ｖに調整し、それぞれについて、暗電
位及び明電位を測定した。結果は、次の通りであった。 主帯電電位： ８２０Ｖ ７２０Ｖ 暗電位： ６７０Ｖ ５７０Ｖ 明電位： １４０Ｖ １２５Ｖ 上記の結果から、式（１）のα及びβを算出し、以下の
結果を得た。 α： ０．１５ β： ３９．５ 以上の結果により画定した式（１）の直線から、初期設
定値と同じコントラスト電位（Ｖｃ）を得られるための
暗電位は、６９４Ｖであることがわかった。そこで、ス
コロトロンのグリッド電圧を調整し、主帯電電位を７９
５Ｖとし、暗電位が上記の値となるように補正を行なっ
た。この条件で、再び画像形成を行なったところ、その
画像濃度は、１．４３に上昇し、鮮明な画像が得られ
た。

【００６４】上記のように補正された条件で、再び、連
続して１００Ｋの画像形成を行なった。このとき、画像
濃度は、１．１６に低下し、再び不鮮明となった。そこ
で、上記と同様にして、暗電位及び明電位を測定した。
結果は、次の通りであった。 主帯電電位： ８７０Ｖ ７７０Ｖ 暗電位： ６７０Ｖ ５７０Ｖ 明電位： １８０Ｖ １６０Ｖ 上記の結果から、式（１）のα及びβを算出し、以下の
結果を得た。 α： ０．２ β： ４６ 以上の結果により画定した式（１）の直線から、初期設
定値と同じコントラスト電位（Ｖｃ）を得られるための
暗電位は、７４１Ｖであることがわかった。そこで、ス
コロトロンのグリッド電圧を調整し、主帯電電位を９３
０Ｖとし、暗電位が上記の値となるように補正を行な
い、また現像バイアス電圧を、６８７Ｖに調整した。こ
の条件で、画像形成を行なったところ、その画像濃度
は、１．３５に上昇し、再び鮮明な画像が得られた。

【００６５】

【発明の効果】本発明によれば、有機単層感光体では、
暗電位と明電位とが直線関係（比例関係）にあるという
新規知見に基づき、２点の主帯電電位のそれぞれについ
て、暗電位と明電位とを測定することにより、その感光
層膜厚での上記直線関係を画定させることによって、適
正なコントラスト電位を与えるように主帯電条件を補正
設定することができる。したがって、現像条件の補正を
極めて容易に行なうことができ、サービスマンの労力を
著しく軽減することができ、また、このような補正を一
般ユーザが容易に行なうこともできる。さらに、本発明
方法を画像形成サイクルを繰り返して感光層の膜厚が低
下したときに適用することを主体として説明したが、本
発明方法を、初期感光体を用いたときの現像条件の初期
設定に利用することも可能であることは、当業者であれ
ば容易に理解されよう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法が適用される画像形成装置の概略を
示す図。

【図２】実験例で求めた単層有機感光体における明電位
と暗電位との関係を示す線図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 敬 大阪市中央区玉造１丁目２番28号 京セラ ミタ株式会社内 (72)発明者 彦阪 有儀 大阪市中央区玉造１丁目２番28号 京セラ ミタ株式会社内 (72)発明者 渡辺 征正 大阪市中央区玉造１丁目２番28号 京セラ ミタ株式会社内 (72)発明者 東 潤 大阪市中央区玉造１丁目２番28号 京セラ ミタ株式会社内 (72)発明者 永島 高志 大阪市中央区玉造１丁目２番28号 京セラ ミタ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H027 DA02 EA01 EA05 EC03 EC06 EC07 EC20

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単層の有機感光層を有する有機単層感光
   体を使用し、有機単層感光体表面を均一に主帯電し、帯
   電された該感光体表面に画像情報に基づいて光照射を行
   なって静電潜像を形成し、この静電潜像を、一定の現像
   バイアス電圧を印加しながら現像することにより画像形
   成を行う電子写真方法において、予め、主帯電後の感光
   体表面の暗電位と明電位との差に相当するコントラスト
   電位（Ｖｃ）を設定しておき、次いで、一定状態の前記
   感光体について、その表面を、異なる２つの主帯電電位
   に帯電させ、それぞれについて暗電位と明電位とを測定
   し、該測定結果に基づいて、下記式： Ｖｒ＝α・Ｖｏ＋β （１） 式中、Ｖｏは、暗電位（Ｖ）を示し、 Ｖｒは、明電位（Ｖ）を示し、 α及びβは、それぞれ定数を示す、からα及びβを算出
   し、 前記算出結果から画定される式（１）のＶｏ−Ｖｒ直線
   と前記コントラスト電位（Ｖｃ）とから、該コントラス
   ト電位（Ｖｃ）を示す暗電位を算出し、このような暗電
   位が得られるように、主帯電条件を変更することを特徴
   とする現像条件の補正方法。
2. 【請求項２】 画定された式（１）のＶｏ−Ｖｒ直線と
   前記コントラスト電位（Ｖｃ）とから、該コントラスト
   電位（Ｖｃ）を示す暗電位及び明電位を算出し、この算
   出結果から現像バイアス電圧を調整する請求項１に記載
   の現像条件の補正方法。
3. 【請求項３】 スコロトロン帯電器を用いて前記主帯電
   を行ない、主帯電条件の変更を、スコロトロン帯電器の
   グリッド電圧を調整することにより行なう請求項１に記
   載の現像条件の補正方法。