JP2003160525A - ２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物、酸化防止剤、及びそれを用いた液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶化合物との相溶性に優れ、低揮
発性で高い酸化防止機能を有し、且つ少量の添加量で酸
化防止効果を発揮する新規酸化防止剤、及び、それを添
加した、液晶材料として使用する液晶組成物を提供する
こと。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で表される、２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物、酸化防止剤、
及びそれを含有する液晶組成物。 【化０】 （式中、Ｒは水素、アルキル基、アルコキシ基、又はア
ルケニル基を表し、Ｚは-CH₂CH₂-、-CH(CH₃)CH₂-、-CH₂
O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-COO-、-OCO-、-CH=CH
-、-CF=CF-、-C≡C-、-O(CH₂)₃-、-(CH₂)₃O-、-(CH₂)
₄-、又は単結合をを表し、環Ａは、 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は酸化防止剤や光安定
剤として有用な、新規の２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール化合物、その酸化防止剤としての適用、及
び、該２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物
を酸化防止剤として添加した液晶組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置(LCD)は、電卓のディスプ
レイとして登場して以来、コンピューターの開発と歩み
を同じくして、TN-LCD(捻れネマチック液晶表示装置)か
ら、STN-LCDへと表示容量の拡大に対応してきた。STN-L
CDは、シェファー(Scheffer)等［SID '85 Digest, 120
頁(1985年)］、あるいは衣川等［SID '86 Digest, 122
頁(1986年)］によって開発され、ワードプロセッサー、
パーソナルコンピューターなどの高度情報処理機用の表
示装置として広く普及している。特に、各画素に薄膜ト
ランジスターをつけたアクティブマトリックス液晶表示
素子(AM-LCD)は、ブラウン管（CRT）にも代替できる高
画質を備え、フラット化、省エネルギー化の後押しを受
けて、もっとも将来性のあるディスプレイとして期待さ
れている。

【０００３】AM-LCDではコントラストを上げるために、
各画素に薄膜トランジスターやダイオードのスイッチン
グ素子をつけて、画素に電圧を供給する。このAM-LCDは
従来のパッシブ駆動方式とは異なり、スイッチング素子
を通して、各画素に数十ms毎に電圧を印加することによ
り駆動する。このため、電圧を印加されてから数十ms後
の次の書き込み時間までの間は、与えられた電圧を完全
に保持できないと、表示の悪化をきたすことになる。電
極間の電圧が下がると、透過光強度が変化してコントラ
ストが低下してしまう。このため、AM-LCDでは、高い電
圧保持特性が求められる。高い電圧保持特性（電圧保持
率）を得るため、AM-LCD用の液晶材料は、高比抵抗を維
持しやすい材料を取捨選択して使用する必要がある。

【０００４】一方、携帯を目的としたノート型コンピュ
ーターの需要が高まり、屋外での使用を可能とする広い
使用温度範囲で、長時間のバッテリー駆動を可能とする
低消費電力の要請が強まっており、低電圧で駆動できる
しきい値電圧の低い液晶材料が求められている。しきい
値電圧を低くするためには、液晶材料として誘電率異方
性（Δε）の大きい液晶化合物が必要であるが、Δεが
大きい液晶化合物を使用すると、粘性が増大してレスポ
ンスが悪化することと、周囲の汚染の影響を受けやす
く、高比抵抗を維持することが難しくなるという問題
や、高温での電圧保持率の低下によるコントラストの低
下、低温では結晶析出、あるいは屋外暴露下での電圧保
持率低下や表示不良がみられる等、温度や環境の影響を
受けやすいといった問題があった。

【０００５】この理由として、Δεの大きな液晶化合物
は、高温環境下あるいは経時により、徐々に酸化が起こ
り極性の高い化合物が生成することが考えられ、これが
電圧保持率低下の原因の一つと考えられる。そこで、液
晶化合物の酸化を防止する目的で、２，６−ジ−tert−
ブチルフェノール等のフェノール系酸化防止剤を液晶材
料に添加することが行われている。しかし、これらの酸
化防止剤は一般に蒸気圧が高く、液晶化合物との相溶性
も十分でないため、液晶材料をセルへ注入する際の加熱
脱気処理で揮発したり、低温環境下で結晶が析出すると
いった問題や、液晶材料中の酸化防止剤の量が減少し酸
化防止効果を十分発揮できないといった問題もある。

【０００６】これに対して特開平９−１２４５２９号公
報には、フェニレン骨格、シクロヘキシレン骨格又はナ
フタレン骨格を有する２，６−ジ−tert−ブチルフェノ
ール化合物からなる酸化防止剤を液晶組成物に添加する
ことが記載されている。この酸化防止剤は、フェニレン
骨格やシクロヘキシレン骨格等の組み合わせからなる液
晶化合物との相溶性に優れているが、より極性の高い液
晶化合物には相溶しづらい。また、該酸化防止剤を添加
した液晶組成物をAM-LCDの液晶材料として使用した際、
長期間使用すると該酸化防止剤の析出がおこったり、セ
ル内部の配向膜に該酸化防止剤が吸着されてしまい、液
晶材料中の酸化防止剤濃度が低下し、酸化防止機能が十
分機能せず、電圧保持率が低下してしまうという問題が
ある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、液晶化合物との相溶性に優れ、低揮発性で
高い酸化防止機能を有し、且つ少量の添加量で酸化防止
効果を発揮する新規酸化防止剤、及び、それを添加し
た、液晶材料として使用する液晶組成物を提供すること
にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一般式（Ｉ）で表される、２，６−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物を提供する。

【０００９】

【化４】 （Ｉ）

【００１０】（式中、Ｒは水素、炭素原子数１〜１２の
アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、又は
炭素原子数２〜１２のアルケニル基を表し、それぞれフ
ッ素又は炭素原子数１〜７のアルコキシ基を、１〜５
個、置換基として有していてもよい。Ｚは、-CH₂CH₂-、
-CH(CH₃)CH₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-COO
-、-OCO-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-O(CH₂)₃-、-(C
H₂)₃O-、-(CH₂)₄-、又は単結合を表す。環Ａは、

【００１１】

【化５】 を表す）

【００１２】また、本発明は上記課題を解決するため
に、前記一般式（Ｉ）で表される２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール化合物を含有する酸化防止剤を提供
する。

【００１３】また、本発明は上記課題を解決するため
に、前記一般式（Ｉ）で表される２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール化合物を含有する液晶組成物を提供
する。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の、一般式（Ｉ）で表され
る２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物の例
を下記に示す。

【００１５】

【化６】

【００１６】

【化７】

【００１７】

【化８】

【００１８】

【化９】

【００１９】

【化１０】

【００２０】

【化１１】

【００２１】

【化１２】

【００２２】

【化１３】

【００２３】

【化１４】

【００２４】

【化１５】

【００２５】

【化１６】

【００２６】

【化１７】

【００２７】

【化１８】

【００２８】

【化１９】

【００２９】

【化２０】

【００３０】

【化２１】

【００３１】

【化２２】

【００３２】

【化２３】

【００３３】中でも、（A1-1〜A1-3）、A2-1、（A3-1〜
A3-2）が液晶組成物に対する溶解性や、原料が入手しや
すいことから特に好ましい。

【００３４】これらの酸化防止剤は次の反応条件等にて
合成することができる。環Ａが、

【化２４】 で、且つＺが単結合のとき、反応式（Ａ）で合成するこ
とができる。

【００３５】

【化２５】 （Ｒ_１は一般式（Ｉ）におけるＲと同じ意味を有する）

【００３６】環Ａが、

【化２６】 で、且つＺが単結合のとき、反応式（Ｂ）で合成するこ
とができる。

【００３７】

【化２７】 （Ｒ_２は一般式（Ｉ）におけるＲと同じ意味を有する）

【００３８】環Ａが、

【化２８】 で、且つＺが単結合のときは、前記反応式（Ｂ）におい
て、化合物（１０）のかわりに化合物（１４）を使用し
て同様に合成することができる。

【００３９】

【化２９】 （Ｒ_３は一般式（Ｉ）におけるＲと同じ意味を有する）

【００４０】また、環Ａが、

【化３０】 で、且つＺが単結合以外の化合物は、反応式（Ｃ）に従
い化合物（１８）を合成し、これを前記反応式（Ａ）に
おける化合物（５）と置き換え、あとは前記反応式
（Ａ）と同様の反応で合成することができる。

【００４１】

【化３１】 （Ｒ_１は一般式（Ｉ）におけるＲと同じ意味を有する）

【００４２】環Ａが、

【化３２】 で、且つＺが単結合以外の化合物は、前記反応式（Ｂ）
において、化合物（８）の代わりに化合物（１９）を使
用して合成することができる。

【００４３】

【化３３】 （１９）

【００４４】本発明の一般式（Ｉ）で表される２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物は、単独で、液
晶組成物をはじめポリマー、ゴム製品など各種工業製品
用の酸化防止剤として使用できる。特に、市販の酸化防
止剤を使用したのでは電圧保持率の低下等を招くおそれ
のある、液晶組成物の酸化防止剤として適している。

【００４５】本発明の一般式（Ｉ）で表される２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物は、テトラリン
骨格やデカリン骨格を有する、特に極性の高い液晶化合
物との相溶性に優れている。このため大部分のＳＴＮ用
液晶組成物、ＴＦＴ用液晶組成物に使用でき、特に、液
晶組成物の成分として、

【００４６】

【化３４】 を液晶骨格に有する液晶化合物を含有する液晶組成物と
の相溶性に優れる。

【００４７】液晶組成物の成分として、

【化３５】 を液晶骨格に有する液晶化合物としては、例えば以下の
化合物等が挙げられる。

【００４８】

【化３６】

【００４９】

【化３７】

【００５０】

【化３８】

【００５１】(式中、Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₃は、各々独立して
ハロゲンで置換されていても良い、炭素原子数１〜１６
のアルキル基、アルコキシ基、炭素原子数２〜１６のア
ルケニル基、炭素原子数３〜１６のアルケニルオキシ
基、又は炭素原子数１〜１０のアルコキシ基で置換され
た炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、Ｙ₁、Ｙ₂及
びＹ₃は、各々独立して水素、フッ素、塩素、トリフル
オロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロ
メチル基、3,3,3-トリフルオロエトキシ基、シアノ基、
水酸基又はカルボキシル基を表す。Ｑ₁、Ｑ₂、Ｑ₃、
Ｑ₄、Ｑ₅、Ｑ₆、Ｑ₇、Ｑ₈及びＱ₉はそれぞれ独立的にフ
ッ素、塩素又は水素を表す。ｌは各々独立して１〜４の
整数を表す。)

【００５２】中でも、液晶材料への適用を考えた時、応
答速度が速く、併用する他の液晶化合物との相溶性か
ら、(2-1a)、(2-1c)、(2-2a)、(2-2c)、(2-3a)、(2-3
c)、(2-3e)、(2-3f)のうちＸ₁、Ｘ₂及びＸ₃が各々炭素
原子数２〜５のアルキル基を表し、Ｙ₁、Ｙ₂及びＹ₃が
各々独立して水素、フッ素、塩素、トリフルオロメトキ
シ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、
又はシアノ基を表し、Ｑ₁、Ｑ₂、Ｑ₃、Ｑ₄、Ｑ₅、Ｑ₆、
Ｑ₇、Ｑ₈及びＱ₉が各々独立してフッ素又は水素を表
し、ｌが各々独立して１〜３である液晶化合物が好まし
い。

【００５３】本発明の酸化防止剤は、一般式（Ｉ）で表
される２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物
を単独で使用するときは、液晶組成物に対して０．０１
〜５質量％、好ましくは０．０５〜１質量％の割合で使
用することが好ましい。

【００５４】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。また、以下の実施例及び比較例の組成物における
「%」は「質量%」を意味する。

【００５５】（実施例１）化合物(A1-3)の合成 化合物(A1-3)は、前記反応式（Ａ）における化合物
（７）の、Ｒ_１がＣ_５Ｈ_１１の化合物である。 （第１ステップ）前記反応式（Ａ）における化合物
（２）の合成 マグネシウム２．０ｇを脱水したテトラヒドロフラン６
ｍｌに入れ加熱して還流したら加熱を止め、ｐ−ブロモ
アニソール（１）１４．６ｇの脱水テトラヒドロフラン
２０ｍｌ溶液を還流が止まらない速度で滴下した。滴下
後、加熱して更に１時間還流させた。冷却後、２０ｍｌ
のテトラヒドロフランで希釈し、ろ過した。ろ液を１
０．４ｇのトリメチルホウ酸とテトラヒドロフラン３０
ｍｌからなる溶液に−７０℃で撹拌しながら滴下した。
滴下終了後、同温度で３０分撹拌し、次に室温で１時間
撹拌した後、０℃に冷却した状態で１０％塩酸６５ｍｌ
を加え、更に室温で１．５時間撹拌した。この溶液に酢
酸エチルと水を加えて酢酸エチル層を分離した後、飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸
ナトリウムで乾燥した。ついで溶剤を留去し８．４ｇ
（収率７０．８％）の化合物（２）を得た。

【００５６】（第２ステップ）前記反応式（Ａ）におけ
る化合物（４）の合成 ２−ペンチル−1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン−６−
オール２１．８ｇをジクロロメタン１００ｍｌに溶解
し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物３１．０ｇを
添加し、５℃に冷却後、反応温度が１５℃をこえないよ
うな速度でピリジン１８ｍｌを滴下した。滴下終了後、
室温で１時間反応させた。次にジクロロメタンと水を加
えてジクロロメタン層を分離後、１０％塩酸、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、最後
に硫酸ナトリウムで乾燥した。次にジクロロメタンを留
去し、充填剤としてシリカゲルを、溶出液としてヘキサ
ンを使用してカラム精製し、ヘキサンを留去して３３．
３ｇ（収率９５．０％）の化合物（４）を得た。

【００５７】（第３ステップ）前記反応式（Ａ）におけ
る化合物（５）の合成 第１ステップで合成した化合物（２）を７．６ｇ、第２
ステップで合成した化合物（４）を１７．５ｇ、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６ｇ、
及び炭酸カリウム１３．２ｇをテトラヒドロフラン７０
ｍｌと水７０ｍｌからなる混合溶剤に入れ還流下で１５
時間反応した。冷却後１０％塩酸、ヘキサンを加えて洗
浄後、ヘキサン層を更に１０％塩酸、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで
乾燥した。次いでろ過し、ろ液を留去後、充填剤として
シリカゲルを、溶出液としてヘキサンを使用してカラム
精製し２８．１ｇ（収率９１．２％）の化合物（５）を
得た。

【００５８】（第４ステップ）前記反応式（Ａ）におけ
る化合物（６）の合成 第３ステップで合成した化合物（５）２５．０ｇに、酢
酸７０ｍｌ、４８％臭化水素酸７０ｍｌを加え、８時間
還流した。室温となるまで放冷した後、水１３０ｍｌを
加え、化合物（６）の結晶２２．７ｇ（収率９５．１
％）を得た。

【００５９】（第５ステップ）前記反応式（Ａ）におけ
る化合物（７）の合成 化合物（６）１４．７ｇを３０ｍｌの硫酸と７２ｍｌの
酢酸に分散させた溶液を０〜５℃に冷却し、この中に撹
拌しながらtert−ブチルアルコール７．４ｇを滴下し、
滴下終了後、室温で５０時間撹拌した。次に水及び酢酸
エチルを加え、酢酸エチル層を分離後、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム
で乾燥した。次に酢酸エチルを留去し、充填剤としてシ
リカゲルを、溶出液としてヘキサンを使用してカラム精
製後、エタノールで再結晶を行い、７．５ｇ（収率３
５．７％）の化合物（７）、即ち化合物(A1-3)を得た。

【００６０】得られた化合物(A1-3)の¹Ｈ−NMR測定結果 δ(ppm)：0.96(t、3H、CH₃)、1.25〜1.33(m、8H、C
H₂)、1.35(s、18H、CH₃)、1.56(q、2H、CH₂)、1.78〜1.
91(m、1H、CH)、2.80(d、2H、CH₂)、2.86(t、2H、C
H₂)、7.07(d、1H、Ph)、7.14(s、2H、Ph)、7.15(d、1
H、Ph)、7.23(s、1H、Ph)

【００６１】（合成例２）化合物(A2-1)の合成 化合物(A2-1)は、前記反応式（Ｂ）における化合物（１
３）の、Ｒ_２がＣ_３Ｈ_７の化合物である。 （第１ステップ）前記反応式（Ｂ）における化合物
（９）の合成 ４−ブロモ−２，６−ジ−（tert−ブチル）フェノール
１８．５ｇの脱水アセトニトリル２６ｍｌ溶液に、ビス
（トリメチルシリル）アセトアミド１５ｇを加え１３時
間還流した。冷却後、溶剤を留去し、生じた結晶をヘキ
サンで再結晶して１８．３ｇ（収率７８．８％）の化合
物（９）を得た。

【００６２】（第２ステップ）前記反応式（Ｂ）におけ
る化合物（１１）の合成 マグネシウム１．４４ｇを脱水したテトラヒドロフラン
３ｍｌ中に入れ、少量のヨウ素を添加した後、還流しな
がら、第１ステップで得た化合物（９）１７．９ｇの脱
水テトラヒドロフラン１５ｍｌ溶液を滴下した。滴下終
了後更に４時間還流して、グリニアード試薬を合成し
た。１２．０ｇの６−プロピル−1,2,3,4−テトラヒド
ロナフタレン−２−オン１２．０ｇを、脱水したテトラ
ヒドロフラン２５ｍｌに溶解し、この中に上で合成した
グリニアード試薬を室温で滴下し、次いで４時間還流し
た。室温となるまで放冷した後、１０％塩酸溶液を加え
てｐＨ５に調節し、トルエンと水を加えてトルエン層を
分離し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥し
た。その後トルエンを留去して２７．２ｇ（収率９４．
６％）の化合物（１１）を得た。

【００６３】（第３ステップ）前記反応式（Ｂ）におけ
る化合物（１２）の合成 化合物（１１）２３．３ｇをトルエン７０ｍｌに溶解
し、ｐ−トルエンスルホン酸水和物１ｇを加えて７時間
還流した。放冷後トルエンと水を加えトルエン層を分離
し、抽出液を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾
燥した。その後トルエンを留去して１４．０ｇ（収率７
４．６％）の化合物（１２）を得た。

【００６４】（第４ステップ）前記反応式（Ｂ）におけ
る化合物（１３）の合成 化合物（１２）１１．３ｇを酢酸エチル１５０ｍｌに溶
解し２．６ｇのPd／Cを加え、オートクレーブ中室温で
３時間、０．５ＭＰaに加圧して水添した。ろ過して触
媒を除いた後、酢酸エチルを留去して１１．２ｇ（収率
９８．７％）の化合物（１３）、即ち化合物(A2-1)を得
た。

【００６５】得られた化合物(A2-1)の¹Ｈ−NMR測定結果 δ(ppm)：0.96(t、3H、CH₃)、1.35(s、18H、CH₃)、1.65
〜1.69(m、2H、CH₂)1.89(q、2H、CH₂)、2.58(q、2H、CH
₂)、2.86(t、2H、CH₂)、2.88〜2.91(m、1H、CH)、3.14
(d、2H、CH₂)、6.79(s、2H、Ph)、6.81(d、1H、Ph)、6.
87(s、1H、Ph)、6.96(d、1H、Ph)

【００６６】（合成例３）化合物（Ａ３−１）の合成 （合成例２）の（第２ステップ）において６−プロピル
−1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン−２−オン１２，０
ｇの代わりに６−プロピル−トランス−デカヒドロナフ
タレン−２−オン１２．４ｇを使用する以外は、合成例
２と同様に行い化合物(A3-1)を得た。

【００６７】得られた化合物(A3-1)の¹Ｈ−NMR測定結果 δ(ppm)：0.96(t、3H、CH₃)、1.35(s、18H、CH₃)、1.21
〜1.25(m、10H、CH₂)1,32〜1.33(m、2H、CH₂)、1.46〜
1.48(m、3H、CH)、1.54(t、2H、CH₂)、1.58(q、2H、C
H₂)、6.79(s、2H、Ph)

【００６８】（応用例１）次の液晶化合物からなる液晶
組成物aを調製した。

【００６９】

【化３９】

【００７０】

【化４０】

【００７１】

【化４１】

【００７２】

【化４２】

【００７３】

【化４３】

【００７４】

【化４４】

【００７５】

【化４５】

【００７６】

【化４６】

【００７７】上記液晶組成物ａに対し、実施例１で合成
した化合物(A1-3)を濃度１％となるように添加した。

【００７８】（応用例２）液晶組成物aに実施例２で合
成した化合物(A2-1)を濃度０．５％となるように添加し
た。

【００７９】（応用例３）液晶組成物aに実施例２で合
成した化合物(A2-1)を濃度０．０２％となるように添加
した。

【００８０】（応用例４）液晶組成物aに実施例３で合
成した化合物(A3-1)を濃度０．２％となるように添加し
た。

【００８１】（応用例５）液晶組成物aに（A3-1）を濃
度０．０２％となるように添加した。

【００８２】（応用例６）次の液晶化合物からなる液晶
組成物ｂを調製した。

【化４７】

【００８３】

【化４８】

【００８４】

【化４９】

【００８５】

【化５０】

【００８６】

【化５１】

【００８７】

【化５２】

【００８８】

【化５３】

【００８９】

【化５４】

【００９０】液晶組成物ｂに化合物(A1-3)を濃度０．５
％となるように添加した。

【００９１】（比較応用例１）液晶組成物ａに酸化防止
剤は添加しなかった。

【００９２】（比較応用例２）液晶組成物ｂに酸化防止
剤は添加しなかった。

【００９３】前記応用例１〜６、比較応用例１、２で調
製した液晶組成物を、空気中１５０℃で１時間加熱し
た。その後、市販のセル厚６μmのTNセルに上記液晶組
成物を注入してTN-LCDを作成し８０℃において５Ｖの電
圧パルスを与えた時の２００msec後の電圧保持率(%)
（ＶＨＲと略す）を測定した。その結果を表１に示す。
この結果、応用例１〜６で調製した液晶組成物はいずれ
も高い表示特性を有し、かつ高い電圧保持率を示した
が、比較例１、２の液晶組成物は電圧保持率が下がって
しまった。尚、液晶相温度範囲(ネマチック液晶相温度
範囲)とは、固体相又はスメクチック相−ネマチック相
転移温度からネマチック相−等方性液体相転移温度まで
を意味する。

【００９４】

【表１】

【００９５】以下に、表中の略語を示す。 TN-I ：ネマチック相−等方性液体相転移温度(℃) T→N ：固体相又はスメクチック相−ネマチック相転移温度(℃) Vth ：セル厚6μmのTN-LCDを構成した時のしきい値電圧(V) Δε ：誘電率異方性 Δn ：屈折率異方性 τr=τd：応答速度 (msec) VHR ：空気中150℃で１時間加熱した後の液晶組成物を使用してセル厚 6μmのTN-LCDを構成し、80℃の測定環境下5Vの電圧パルスを与えた時200msec後 の電圧保持率(%)

【００９６】（応用例７）液晶組成物ａに対して、市販
の酸化防止剤である３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒ
ドロキシトルエン（以下ＢＨＴと略す）を濃度０．５％
となるように添加した後、フラスコに入れ、１２５℃に
加熱してロータリーポンプで脱気し、１０分後の組成物
中のＢＨＴ濃度を液体クロマトグラフィー（島津製作所
社製、LC-10ATVP）で定量した。この結果ＢＨＴ濃度は
０．３５％に減少していた。これよりＢＨＴは揮発し易
い事が明らかである。これに対し、液晶組成物ａに対し
て合成例２で合成した化合物（A2-1）を濃度０．５％と
なるように添加した液晶組成物について、同様の実験を
行ったところ、１０分脱気後の化合物（A2-1）の濃度は
初期と同じ０．５％であった。

【００９７】（応用例８）液晶組成物ｂに対して、次の
構造式で示される化合物Ｔを濃度０．２％となるように
添加した。この液晶組成物をポリイミド配向膜を有する
液晶セルに注入し３ヶ月放置した後、液晶組成物中の化
合物Ｔの濃度を液体クロマトグラフィーで定量した。一
方、液晶組成物ｂに対して合成例３で合成した（Ａ３−
1）を濃度０．２％となるように添加した液晶組成物に
ついても、同様に定量を行った。この結果、初期濃度に
対する残存比は、化合物Ｔが８８．９％であるのに対
し、（Ａ３−１）は９９．９％であった。これより本発
明の酸化防止剤はポリイミドの吸着に対し安定である事
は明らかである。

【００９８】

【化５５】

【００９９】

【発明の効果】本発明の２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール化合物は、液晶化合物との相溶性に優れ、低
揮発性で高い酸化防止機能を有し、且つ少量の添加量で
酸化防止効果を発揮するため、新規酸化防止剤として有
用である。また、本発明の酸化防止剤を添加した液晶組
成物は、高い電圧保持特性を必要とするAM-LCD等の液晶
表示素子用の液晶材料として有用である。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ）で表される、２，６−ジ
   −ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物。 【化１】 （Ｉ） （式中、Ｒは水素、炭素原子数１〜１２のアルキル基、
   炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、又は炭素原子数２
   〜１２のアルケニル基を表し、それぞれフッ素又は炭素
   原子数１〜７のアルコキシ基を、１〜５個、置換基とし
   て有していてもよい。Ｚは、-CH₂CH₂-、-CH(CH₃)CH₂-、
   -CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-COO-、-OCO-、-CH=
   CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-O(CH₂)₃-、-(CH₂)₃O-、-(CH₂)
   ₄-、又は単結合を表す。環Ａは、 【化２】 を表す）
2. 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）で表される２，６−
   ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物を含有すること
   を特徴とする酸化防止剤。
3. 【請求項３】 前記一般式（Ｉ）で表される２，６−
   ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール化合物を含有すること
   を特徴とする液晶組成物。
4. 【請求項４】 前記液晶組成物の成分として、 【化３】 を液晶骨格に有する液晶化合物を含有する、請求項３に
   記載の液晶組成物。