JP2003160380A - ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体 - Google Patents

ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体

Info

Publication number
JP2003160380A
JP2003160380A JP2001358355A JP2001358355A JP2003160380A JP 2003160380 A JP2003160380 A JP 2003160380A JP 2001358355 A JP2001358355 A JP 2001358355A JP 2001358355 A JP2001358355 A JP 2001358355A JP 2003160380 A JP2003160380 A JP 2003160380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating element
mosi
impurities
main component
wtppm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001358355A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Takamura
博 高村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Mining Holdings Inc
Original Assignee
Nikko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikko Materials Co Ltd filed Critical Nikko Materials Co Ltd
Priority to JP2001358355A priority Critical patent/JP2003160380A/ja
Priority to PCT/JP2002/008710 priority patent/WO2003043952A1/ja
Priority to TW091132046A priority patent/TW564239B/zh
Publication of JP2003160380A publication Critical patent/JP2003160380A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/148—Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/20—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in magnesium oxide, e.g. forsterite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/58085—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides
    • C04B35/58092—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides based on refractory metal silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
    • C04B35/82—Asbestos; Glass; Fused silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/322—Transition aluminas, e.g. delta or gamma aluminas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/3222—Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
    • C04B2235/3463—Alumino-silicates other than clay, e.g. mullite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
    • C04B2235/3463—Alumino-silicates other than clay, e.g. mullite
    • C04B2235/3481—Alkaline earth metal alumino-silicates other than clay, e.g. cordierite, beryl, micas such as margarite, plagioclase feldspars such as anorthite, zeolites such as chabazite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3886—Refractory metal nitrides, e.g. vanadium nitride, tungsten nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208—Fibers
    • C04B2235/5216—Inorganic
    • C04B2235/522—Oxidic
    • C04B2235/5224—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208—Fibers
    • C04B2235/5216—Inorganic
    • C04B2235/522—Oxidic
    • C04B2235/5236—Zirconia
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/018—Heaters using heating elements comprising mosi2

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発熱体の集積性が高く高温化及び温度制御が
容易であり、また加熱時の変形（あばれ）やショート等
の故障が少ないというＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体
の特徴を生かすと同時に、汚染物質（不純物）の少な
い、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含
む）に有用である発熱体を提供する。 【解決手段】 ＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％以
上含み、残余ＳｉＯ２からなる発熱体において、該発熱
体中に含まれる不純物のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉの含有量がそ
れぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするＭ
ｏＳｉ２を主成分とする発熱体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱体の集積性が
高く高温化及び温度制御が容易であり、また加熱時の変
形（あばれ）やショート等の故障が少なく、さらに汚染
物質（不純物）の少ない、特に半導体製造装置用熱処理
炉（酸化・拡散炉を含む）に有用であるＭｏＳｉ２を主
成分として８０ｗｔ％以上含む基材からなる発熱体に関
する。なお、本明細書で使用するＭｏＳｉ２を主成分と
して８０ｗｔ％以上含む基材は、ＭｏＳｉ２基材に絶縁
性酸化物であるＳｉＯ２を含有させて電気抵抗を増加さ
せたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体である。ＭｏＳｉ
２を主成分とする発熱体は、６７３°Ｋ〜８７３°Ｋの
範囲で、ＭｏとＳｉの同時酸化が起こり、さらにＭｏ酸
化物の蒸発減少が伴うという、ペスト（粉化現象）と言
う低温酸化が起こるが、これを防止するために１５００
°Ｋ以上で酸化処理して緻密なシリカ保護被膜を形成す
る。本発明は、このような緻密なシリカ保護被膜を形成
した発熱体を含み、シリカ（ＳｉＯ２）であるガラス質
成分の添加は、このような緻密なシリカ保護被膜の形成
に有効である。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造装置に使用される熱処
理炉においては、金属発熱体（発熱体）が使用されるこ
とが多い。ところが、金属発熱体を半導体製造装置の熱
処理炉等に使用した場合、発熱体の発熱とともに発熱体
に含有される低融点の不純物や金属酸化物等の蒸気圧が
高くなり、発熱体表面から炉雰囲気中に飛散される金属
化合物量が多くなる。これらの金属化合物中の金属は、
デバイスの高集積化が進むとともに、極少量でもデバイ
スに悪影響を及ぼすため、特に熱処理中に混入するウエ
ハの金属汚染が問題になってきている。発熱体から飛散
した金属は、発熱体とウエハとの間にたとえ石英管やＳ
ｉＣ管が存在しても、これらの中を拡散し、最終的には
ウエハにまで到達する。特に、シリコン結晶中の拡散係
数が大きいＣｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｎａ，Ｋ等の不純物元素
は注意が必要であった。
【０００３】最近、金属発熱体では上記のような金属汚
染の問題があるため、また半導体デバイスの微細化及び
デバイス製造時間の短縮化と省エネルギー化のために、
従来の金属発熱体に替えて、ＣＶＤ装置や拡散炉等の半
導体製造装置に、ＭｏＳｉ２を主成分とする高出力性能
の発熱体が利用されるようになってきた。一般に、半導
体製造装置に使用される熱処理炉は炉内の温度分布を厳
密に制御するなど、非常に高精度な温度特性が要求され
るが、ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体は優れた耐熱特
性を有し、金属発熱体の約１０倍の表面負荷が可能であ
り、また急速加熱昇温することができるという大きな特
長を有するので、好適な材料と言える。
【０００４】しかし、これまで半導体製造装置に使用さ
れる熱処理炉においては、炉内の温度分布のコントロー
ルや製造時間短縮のための急速加熱昇温等が主としたね
らいであったので、ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体
は、そのための材料強度（耐熱性）や材料脆化現象を防
止するため、あるいはペスト（粉化現象）と呼ばれてい
る低温酸化を防止するために１５００°Ｋ以上で酸化処
理して緻密なシリカ保護被膜を形成する等、発熱体自体
の材料開発が主であった。ところが、ＭｏＳｉ２を主成
分とする発熱体を半導体製造装置の熱処理炉等に使用し
た場合、金属製発熱体よりはその傾向は小さいものの、
発熱体の発熱とともに、発熱体に含有される不純物が発
熱体表面から炉雰囲気中に飛散するという同様の問題を
生じた。高温での急速加熱昇温を行う場合にそれが顕著
であり、特にウエハの金属汚染が問題になっている。し
たがって、従来のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体は、
半導体製造装置の熱処理炉等の発熱体としては必ずしも
良いとは言えず、問題を有していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発熱体の集
積性が高く高温化及び温度制御が容易であり、また加熱
時の変形（あばれ）やショート等の故障が少ないという
ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の特徴を生かすと同時
に、汚染物質（不純物）の少ない、特に半導体製造装置
用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）に有用であるＭｏＳ
ｉ２を主成分として８０ｗｔ％以上含む発熱体を提供す
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らは、下記の不純物を低減することによ
り、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含
む）に有用であるＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％
以上含む発熱体を提供できるとの知見を得た。本発明は
この知見に基づき、 １．ＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％以上含み、残
余ＳｉＯ２からなる発熱体において、該発熱体中に含ま
れる不純物のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉの含有量がそれぞれ１０
０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするＭｏＳｉ２を
主成分とする発熱体 ２．ＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％以上含み、残
余ＳｉＯ２からなる発熱体において、該発熱体中に含ま
れる不純物のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉの含有量がそれぞれ５０
ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするＭｏＳｉ２を主
成分とする発熱体 ３．不純物であるＡｌ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｎ，Ｃｕ，
Ｂがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とす
る上記１又は２記載のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体 ４．上記１〜３のそれぞれにおいて、ガス成分を除くそ
の他の不純物の総含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下である
ことを特徴とする記載のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱
体 ５．上記１〜３のそれぞれにおいて、ガス成分を除く他
の不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下であることを
特徴とするＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体 ６．半導体製造装置用熱処理炉に使用することを特徴と
する上記１〜５のそれぞれに記載のＭｏＳｉ２を主成分
とする発熱体 ７．ＭｏＳｉ２を主成分として９０ｗｔ％以上含む発熱
体であることを特徴とする上記１〜６のそれぞれに記載
のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のＭｏＳｉ２を主成分とし
て８０ｗｔ％以上含み、残余ＳｉＯ２からなる発熱体
（以下、特に記載しない限り、「ＭｏＳｉ２製発熱体」
と称する。）は、該発熱体中に含有される不純物のＦ
ｅ，Ｃｒ，Ｎｉをそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、好ま
しくは５０ｗｔｐｐｍ以下とする。上記Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎ
ｉをそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下とする数値限定の理
由は、１００ｗｔｐｐｍを超えるとＭｏＳｉ２製発熱体
を高温に保持した時に発熱体表面からＦｅやＣｒ等の酸
化物が飛散するのが確認できたためである。主成分とし
てのＭｏＳｉ２は、好ましくは９０ｗｔ％以上とする。
これは、ＳｉＯ２の体積変化を伴う相転移を考慮したも
ので、ＳｉＯ２の含有量が多くなり過ぎるとその影響が
大きくなり、発熱体の強度に支障をきたす可能性がある
ためである。以上によって、ＭｏＳｉ２製発熱体から飛
散し、半導体製造装置用熱処理炉内及び半導体ウエハを
汚染する主要な物質を防止できるという著しい効果が得
られた。
【０００８】本発明においては、さらにＡｌ，Ｍｇ，Ｎ
ａ，Ｋ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｂがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下
とすることが望ましい。このＡｌ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｋ，Ｍ
ｎ，Ｃｕ，Ｂをそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下とする数値
限定の理由は、ＭｏＳｉ２製発熱体を高温に保持した時
にそれらの元素が発熱体表面から飛散し、半導体製造装
置用熱処理炉内及び半導体ウエハを汚染する可能性が高
いからである。また、ガス成分を除くその他の不純物の
総含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下、より好ましくは５０
ｗｔｐｐｍ以下である。これは同様に、ＭｏＳｉ２製発
熱体を高温に保持した時に発熱体表面から飛散し、半導
体製造装置用熱処理炉内及び半導体ウエハを汚染する可
能性が高いという理由による。
【０００９】以上の不純物には、ＭｏＳｉ２に混入する
不純物及び添加されるシリカ（ＳｉＯ２）等に混入する
不純物があるが、いずれも高純度の材料を使用し、不純
物の量を上記に制限する。通常、高純度シリカはガラス
質形成材料として２０ｗｔ％以下、好ましくは１０ｗｔ
％以下含有させる。これは、ＳｉＯ２の体積変化を伴う
相転移を考慮したもので、ＳｉＯ２の含有量が多くなり
過ぎるとその影響が大きくなり、発熱体の強度に支障を
きたす可能性があるためである。以上のＭｏＳｉ２製発
熱体は、半導体製造装置用熱処理炉に好適であり、半導
体装置への汚染を防止できるという著しい効果がある。
【００１０】このＭｏＳｉ２製発熱体は、高純度ＭｏＳ
ｉ２粉末と高純度ＳｉＯ２粉末をバインダーと混合し、
例えば押出しによって棒状又は平板状に成形する。さら
に、このようにして得た成形体を脱脂、一次焼結及び通
電加熱焼結することによって、密度の高いＭｏＳｉ２製
発熱体を製造する。さらに、このようにして作製した棒
状又は平板状の発熱体を接合し、例えば円弧状又はＵ字
形状等に製造する。このように、ＭｏＳｉ２製発熱体を
各種の形状に成形した後、半導体製造装置用熱処理炉に
設置する。
【００１１】
【実施例及び比較例】以下に実施例及び比較例を説明す
るが、本実施例は理解を容易にするためのものであり、
本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技
術思想の範囲内での他の変形あるいは他の実施例は、当
然本発明に含まれる。 （実施例１）発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末は、ＬＳ
Ｉターゲット用に使用される超高純度粉末を用いる。ま
たＳｉＯ２粉末は市販品を用いるが、不純物を選別除去
した後、さらに１６５０°Ｃ以上の高温で長時間熱処理
することにより、含有する金属成分を蒸発させて精製す
る。ちなみにＳｉＯ２の高温熱処理は、ＳｉＯ２の結晶
構造を石英から高温で安定なクリストバライトに相転移
させるうえでも重要である。使用したＬＳＩターゲット
グレードのＳｉＯ２粉末と精製後のＳｉＯ２粉末中の不
純物量を表１に示す。このようにして得た高純度ＭｏＳ
ｉ２粉９５ｗｔ％と高純度ＳｉＯ２粉末５ｗｔ％とをバ
インダーと混合（なお、バインダーは混合比率には計算
しない。以下、同様とする。）し、この混合物を型から
押出して棒状の成形体とした。この棒状の成形体（グリ
ーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することによ
って、高純度ＭｏＳｉ２製棒状発熱体を得た。表２に不
純物の分析値を示す。表２に示す通り、この高純度Ｍｏ
Ｓｉ２製棒状発熱体には、Ｆｅ９８ｗｔｐｐｍ、Ｃｒ１
６ｗｔｐｐｍ、Ｎｉ１１ｗｔｐｐｍが含有されていた。
なお、表２に示すように、発熱体中の不純物は、発熱体
の製造工程において、容器や工具等からの汚染があり、
表１の出発原料よりも不純物量はやや増加する。粉砕容
器の内壁をＭｏでライニングしたり、気流粉砕方式を用
いるなどして、製造工程からの金属汚染を極力低減する
ことが重要である。
【００１２】
【表１】
【００１３】次に、このようにして得た高純度ＭｏＳｉ
２製棒状発熱体を石英板（３〜１０ｍｍ間）の直下に配
置し、大気中で発熱体の表面温度が１６００°Ｃになる
ように通電加熱した。この試験では、発熱体表面から気
化したり蒸気圧が高くなって飛散した成分が石英板に再
析出されるため、その石英板を観察することにより、発
熱体からの金属汚染量が模擬的に評価できる。上記発熱
体を１０分間通電加熱保持した後、石英板の下面に付着
した不純物量を観察（目視及びＳＥＭ観察）した。目視
による石英板の変色は認められず、ＳＥＭ観察では、極
わずかな粒子が散らばって付着しているのが、観測され
ただけであった。以上から、実施例１に示す発熱体材
は、半導体製造装置用熱処理炉と使用する場合、発熱時
に発熱体材から放散される不純物が被熱処理体を汚染す
る可能性が低く、発熱体材としては極めて好ましい材料
と言える。
【００１４】（実施例２）実施例１と同様に、発熱体の
原料としては、ＬＳＩターゲット用の高純度ＭｏＳｉ２
粉末と精製後の高純度ＳｉＯ２粉末を使用する。発熱体
の原料となる高純度ＭｏＳｉ２粉９６ｗｔ％と高純度Ｓ
ｉＯ２粉末４ｗｔ％とをバインダーと混合し、この混合
物を型から押出して棒状の成形体とした。但し、今回は
実施例１とは異なり、成形機の内壁とスクリューを特殊
合金に改良し、押出し成形した。この棒状の成形体（グ
リーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することに
よって、高純度ＭｏＳｉ２製棒状発熱体を得た。同様
に、表２に不純物の分析値を示す。表２に示す通り、こ
の高純度ＭｏＳｉ ２製棒状発熱体には、Ｆｅ３５ｗｔｐ
ｐｍ、Ｃｒ３ｗｔｐｐｍ、Ｎｉ２ｗｔｐｐｍが含有され
ていた。
【００１５】次に、このようにして得た高純度ＭｏＳｉ
２製棒状発熱体を石英板の直下に配置し、大気中で発熱
体の表面温度が１６００°Ｃになるように通電加熱し
た。実施例１と同様に、発熱体表面から気化したり蒸気
圧が高くなって飛散した成分が石英板に再析出されるた
め、その石英板を観察することにより、発熱体からの金
属汚染量が模擬的に評価できる。上記発熱体を１０分間
通電加熱保持した後、石英板の下面に付着した不純物量
を観察（目視及びＳＥＭ観察）した。目視による石英板
の変色は認められず、ＳＥＭ観察でも粒子の付着は認め
られなかった。以上から、実施例２に示す発熱体は、半
導体製造装置用熱処理炉と使用する場合、発熱時に発熱
体から放散される不純物が被熱処理体を汚染する可能性
が低く、発熱体としては極めて好ましい材料と言える。
【００１６】（比較例１）一般に高純度と言われている
市販品のＭｏＳｉ２粉末９５ｗｔ％（Ｆｅ６００ｗｔｐ
ｐｍ）と、同様に市販品であるＳｉＯ２粉末５ｗｔ％と
を微粉砕後、バインダーと混合し、この混合物を型から
押出して棒状の成形体とした。この棒状の成形体（グリ
ーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することによ
って、ＭｏＳｉ２製棒状発熱体を得た。同様に、表２に
不純物の分析値を示す。表２に示す通り、このＭｏＳｉ
２製棒状発熱体には、Ｆｅ６４７ｗｔｐｐｍ、Ｃｒ７１
ｗｔｐｐｍ、Ｎｉ１９ｗｔｐｐｍが含有されていた。
【００１７】次に、このようにして得たＭｏＳｉ２製棒
状発熱体を石英板直下に配置し、大気中で発熱体の表面
温度が１６００°Ｃになるように通電加熱した。上記実
施例と同様に、発熱体表面から気化したり蒸気圧が高く
なって飛散した成分が石英板に再析出されるため、その
石英板を観察することにより、発熱体からの金属汚染量
が模擬的に評価できる。上記発熱体を１０分間通電加熱
保持した後、石英板に付着した不純物量を観察（目視及
びＳＥＭ観察）した。石英板は目視で茶色に変色してお
り、発熱体の真上に位置した部分には一面に多量の不純
物が付着していた。またこれらの付着物を分析するとＦ
ｅの酸化物であることが分かった。以上から、半導体製
造装置用熱処理炉と使用する場合、発熱時に発熱体材か
ら放散される不純物が被熱処理体を汚染する可能性が高
く、発熱体材としては好ましくない結果が得られた。
【００１８】（比較例２、比較例３）市販されているＭ
ｏＳｉ２製棒状発熱体を使用した。下記表２に不純物含
有量を示す。比較例２のＭｏＳｉ２製棒状発熱体には、
Ｆｅ４８０ｗｔｐｐｍ、Ｃｒ１８０ｗｔｐｐｍ、Ｎｉ１
００ｗｔｐｐｍ等が含有されていた。また、比較例３の
ＭｏＳｉ２製棒状発熱体には、Ｆｅ１１５０ｗｔｐｐ
ｍ、Ｃｒ５１ｗｔｐｐｍ、Ａｌ３３００ｗｔｐｐｍ、Ｍ
ｇ７４０ｗｔｐｐｍ、Ｎａ１０４ｗｔｐｐｍ、Ｋ９５ｗ
ｔｐｐｍ等が含有されていた。このＭｏＳｉ２製棒状発
熱体を石英板直下に配置し、大気中で発熱体の表面温度
が１６００°Ｃになるように通電加熱した。上記実施例
と同様に、発熱体表面から気化したり蒸気圧が高くなっ
て飛散した成分が石英板に再析出されるため、その石英
板を観察することにより、発熱体からの金属汚染量が模
擬的に評価できる。上記発熱体を１０分間通電加熱保持
した後、石英板に付着した不純物量を観察（目視及びＳ
ＥＭ観察）及び測定した。石英板は目視で茶色に変色し
ており、多量の不純物の飛散が確認できた。これらの付
着物を分析すると、比較例２ではＦｅとＣｒが、比較例
３ではＦｅとＮａが検出された。以上から、半導体製造
装置用熱処理炉と使用する場合、発熱時に発熱体材から
放散される不純物が被熱処理体を汚染する可能性が高
く、発熱体材としては好ましくない結果が得られた。
【００１９】
【表２】
【００２０】以上に示す通り、ＭｏＳｉ２製棒状発熱体
を加熱することによって、不純物の量が多い、特にＦ
ｅ，Ｃｒ，Ｎｉの含有量が多い発熱体については、近傍
に配置した石英板が変色するほどに、該発熱体からの不
純物の飛散があり、これらは半導体ウエハ等に混入し、
悪影響を与えることは必須である。本発明は、半導体装
置製造に影響を与える不純物を、ＭｏＳｉ２を主成分と
して８０ｗｔ％以上、好ましくは９０ｗｔ％以上含む発
熱材料から可能な限り減少させ、かつ発熱体の集積性が
高く高温化及び温度制御が容易であり、また加熱時の変
形（あばれ）やショート等の故障が少ないというＭｏＳ
ｉ２を主成分とする発熱体の特徴を生かすことのできる
という優れた特徴を有している。
【００２１】
【発明の効果】本発明のＭｏＳｉ２を主成分として８０
ｗｔ％以上含み、残余ＳｉＯ２からなる発熱体は、発熱
体の集積性が高く高温化及び温度制御が容易であり、ま
た加熱時の変形（あばれ）やショート等の故障が少ない
というＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の特徴を生かす
と同時に、汚染物質（不純物）の少ない、特に半導体製
造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）に有用である
という優れた効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年３月２６日（２００２．３．２
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【実施例及び比較例】以下に実施例及び比較例を説明す
るが、本実施例は理解を容易にするためのものであり、
本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技
術思想の範囲内での他の変形あるいは他の実施例は、当
然本発明に含まれる。 （実施例１）発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末は、ＬＳ
Ｉターゲット用に使用される超高純度粉末を用いる。ま
たＳｉＯ２粉末は市販品を用いるが、不純物を選別除去
した後、さらに１６５０°Ｃ以上の高温で長時間熱処理
することにより、含有する金属成分を蒸発させて精製す
る。ちなみにＳｉＯ２の高温熱処理は、ＳｉＯ２の結晶
構造を石英から高温で安定なクリストバライトに相転移
させるうえでも重要である。使用したＬＳＩターゲット
グレードのＭｏＳｉ ２ 粉末と精製後のＳｉＯ２粉末中の
不純物量を表１に示す。このようにして得た高純度Ｍｏ
Ｓｉ２粉９５ｗｔ％と高純度ＳｉＯ２粉末５ｗｔ％とを
バインダーと混合（なお、バインダーは混合比率には計
算しない。以下、同様とする。）し、この混合物を型か
ら押出して棒状の成形体とした。この棒状の成形体（グ
リーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することに
よって、高純度ＭｏＳｉ２製棒状発熱体を得た。表２に
不純物の分析値を示す。表２に示す通り、この高純度Ｍ
ｏＳｉ２製棒状発熱体には、Ｆｅ９８ｗｔｐｐｍ、Ｃｒ
１６ｗｔｐｐｍ、Ｎｉ１１ｗｔｐｐｍが含有されてい
た。なお、表２に示すように、発熱体中の不純物は、発
熱体の製造工程において、容器や工具等からの汚染があ
り、表１の出発原料よりも不純物量はやや増加する。粉
砕容器の内壁をＭｏでライニングしたり、気流粉砕方式
を用いるなどして、製造工程からの金属汚染を極力低減
することが重要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】次に、このようにして得た高純度ＭｏＳｉ
２製棒状発熱体を石英板の直下（３〜１０ｍｍ間）に配
置し、大気中で発熱体の表面温度が１６００°Ｃになる
ように通電加熱した。この試験では、発熱体表面から気
化したり蒸気圧が高くなって飛散した成分が石英板に再
析出されるため、その石英板を観察することにより、発
熱体からの金属汚染量が模擬的に評価できる。上記発熱
体を１０分間通電加熱保持した後、石英板の下面に付着
した不純物量を観察（目視及びＳＥＭ観察）した。目視
による石英板の変色は認められず、ＳＥＭ観察では、極
わずかな粒子が散らばって付着しているのが、観測され
ただけであった。以上から、実施例１に示す発熱体材
は、半導体製造装置用熱処理炉と使用する場合、発熱時
に発熱体材から放散される不純物が被熱処理体を汚染す
る可能性が低く、発熱体材としては極めて好ましい材料
と言える。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％以
    上含み、残余ＳｉＯ ２からなる発熱体において、該発熱
    体中に含まれる不純物のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉの含有量がそ
    れぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするＭ
    ｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
  2. 【請求項２】 ＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％以
    上含み、残余ＳｉＯ ２からなる発熱体において、該発熱
    体中に含まれる不純物のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉの含有量がそ
    れぞれ５０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするＭｏ
    Ｓｉ２を主成分とする発熱体。
  3. 【請求項３】 不純物であるＡｌ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｋ，Ｍ
    ｎ，Ｃｕ，Ｂがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であること
    を特徴とする請求項１又は２記載のＭｏＳｉ ２を主成分
    とする発熱体。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のそれぞれにおいて、ガス
    成分を除くその他の不純物の総含有量が１００ｗｔｐｐ
    ｍ以下であることを特徴とする記載のＭｏＳｉ２を主成
    分とする発熱体。
  5. 【請求項５】 請求項１〜３のそれぞれにおいて、ガス
    成分を除く他の不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下
    であることを特徴とするＭｏＳｉ２を主成分とする発熱
    体。
  6. 【請求項６】 半導体製造装置用熱処理炉に使用するこ
    とを特徴とする請求項１〜５のそれぞれに記載のＭｏＳ
    ｉ２を主成分とする発熱体。
  7. 【請求項７】 ＭｏＳｉ２を主成分として９０ｗｔ％以
    上含む発熱体であることを特徴とする請求項１〜６のそ
    れぞれに記載のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
JP2001358355A 2001-11-22 2001-11-22 ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体 Withdrawn JP2003160380A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001358355A JP2003160380A (ja) 2001-11-22 2001-11-22 ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体
PCT/JP2002/008710 WO2003043952A1 (fr) 2001-11-22 2002-08-29 ELEMENT CHAUFFANT COMPRENANT DU MoSi2COMME COMPOSANT PRINCIPAL
TW091132046A TW564239B (en) 2001-11-22 2002-10-29 Heating element comprising MoSi2 as primary component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001358355A JP2003160380A (ja) 2001-11-22 2001-11-22 ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003160380A true JP2003160380A (ja) 2003-06-03

Family

ID=19169546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001358355A Withdrawn JP2003160380A (ja) 2001-11-22 2001-11-22 ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2003160380A (ja)
TW (1) TW564239B (ja)
WO (1) WO2003043952A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004307243A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nikko Materials Co Ltd ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP2005164090A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nikko Materials Co Ltd 板状発熱体を備えた薄型高温電気炉
JP2010143823A (ja) * 2010-01-29 2010-07-01 Nippon Mining & Metals Co Ltd ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP2020152585A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 太平洋セメント株式会社 窒化ガリウムの粉砕方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100885719B1 (ko) * 2006-11-04 2009-02-26 (주)위너테크놀로지 이규화 몰리브데넘 및 그 응용

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08143365A (ja) * 1994-11-15 1996-06-04 Riken Corp 二珪化モリブデンヒーター
JPH10324571A (ja) * 1997-05-23 1998-12-08 Riken Corp 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法
JP3657800B2 (ja) * 1998-02-20 2005-06-08 株式会社リケン 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法
JP3681149B2 (ja) * 1998-05-21 2005-08-10 株式会社日鉱マテリアルズ 発熱材料

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004307243A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nikko Materials Co Ltd ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP4515038B2 (ja) * 2003-04-04 2010-07-28 日鉱金属株式会社 ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP2005164090A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nikko Materials Co Ltd 板状発熱体を備えた薄型高温電気炉
JP4563022B2 (ja) * 2003-12-01 2010-10-13 日鉱金属株式会社 板状発熱体からなる薄型高温電気加熱炉
JP2010143823A (ja) * 2010-01-29 2010-07-01 Nippon Mining & Metals Co Ltd ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP2020152585A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 太平洋セメント株式会社 窒化ガリウムの粉砕方法
JP7257830B2 (ja) 2019-03-18 2023-04-14 太平洋セメント株式会社 窒化ガリウムの粉砕方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW564239B (en) 2003-12-01
WO2003043952A1 (fr) 2003-05-30
TW200300743A (en) 2003-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4773438B2 (ja) 水銀放出性組成物およびその製造法
JP4432015B2 (ja) 薄膜配線形成用スパッタリングターゲット
US6861030B2 (en) Method of manufacturing high purity zirconium and hafnium
JPH10324571A (ja) 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法
JP2009068077A (ja) 合金材料、磁性材料、磁性材料の製造方法およびその製造方法により製造した磁性材料
JPH11317282A (ja) 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法
Bourgès et al. Drastic power factor improvement by Te doping of rare earth-free CoSb 3-skutterudite thin films
JP2003160380A (ja) ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体
JP2004012315A (ja) 炭化ケイ素材または窒化ケイ素材の不純物濃度分布測定方法ならびにセラミックスの不純物濃度分布測定方法
JP2001048649A (ja) 炭化ケイ素およびその製造方法
JP5578507B2 (ja) ＣａＦ２−ＭｇＦ２二元系焼結体、及び耐プラズマ性フッ化物焼結体の製造方法
JPH05214519A (ja) チタンスパッタリングターゲット
CN109072413B (zh) 金属蒸发材料
JP2011040506A (ja) ｐ型熱電材料及びその製造方法
JP4969030B2 (ja) 耐溶融金属用部材およびその製造方法
JP2003292337A (ja) プラズマ耐食性石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた装置
JP4515038B2 (ja) ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP2004214075A (ja) ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体
JP2018009233A (ja) Ｎｉ−Ｖ合金スパッタリングターゲット
JP5122593B2 (ja) ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP2001199716A (ja) 低級酸化ケイ素粉末の製造方法
JP2004338961A (ja) 球状ガラス粉末の製造方法および球状ガラス粉末
JP2006179881A (ja) 配線・電極及びスパッタリングターゲット
JP2004047282A (ja) 板状発熱体及びその製造方法
JP2001279362A (ja) モリブデン材料およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050201