JP2003152240A

JP2003152240A - 酸化物層を含んだ積層体及びこれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録再生装置

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Publication number: JP2003152240A
Application number: JP2001346850A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Hoshino; 勝美星野; Takao Imagawa; 尊雄今川; Keishi Shigematsu; 恵嗣重松; Hiroyuki Hoshiya; 裕之星屋
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-11-13
Filing date: 2001-11-13
Publication date: 2003-05-23
Also published as: US20030091864A1

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録密度の高密度化に伴い、新規な多層媒
体や、出力の高いスピンバルブを用いた磁気抵抗効果型
ヘッドおよび磁気ディスク装置を安定して作製すること
が必要である。【解決手段】積層フェリ構造における反強磁性結合層と
強磁性層との界面に酸化物層あるいは酸化物と磁性体と
の混合層を形成しても、2枚の強磁性層間の反強磁性結
合は大きく劣化しない。これをスピンバルブの磁化固定
層、磁化自由層に用いることにより、高い出力を有する
磁気ヘッド、磁気ディスクが作製できる。【効果】磁気記録密度の高密度化に伴い、出力の高いス
ピンバルブを用いた磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。
さらに、上記磁気ヘッドを用いることにより、高性能な
磁気記録再生装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高い磁気記録密度
に対応した磁気ヘッド、磁気記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、HDD装置の
再生ヘッドとしてスピンバルブ素子が用いられており、
今日に至るまでに膜構成の改良により再生出力を向上さ
せている。スピンバルブの膜構成は反強磁性層/強磁性
層/非磁性中間層/磁化自由層の構造を有する。反強磁性
膜と強磁性層界面に生じる交換結合磁界によりこの強磁
性層の磁化は固定され、磁化自由層が外部磁界により磁
化反転するために磁性層の磁化の相対的な向きが変化
し、その時の電気抵抗が変化することにより磁場を検出
する。近年では、磁化固定層や磁化性自由層の近傍に電
子反射層として酸化膜を配置する、いわゆる“スペキュ
ラ効果”を利用することによりスピンバルブの出力が大
きく向上することが報告されている。磁化自由層の近傍
に電子反射層として酸化膜を配置する例として、特開20
00-15630に記載の「積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗
効果素子」には、Co,Fe,Niなどの酸化物層を、特開2000
-276710に記載の「磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型
ヘッドおよび磁気抵抗効果型ヘッドを用いたハードディ
スク装置」には、NiO,Fe2O3,Al2O3などの酸化物層を、
日本応用磁気学会誌Vol25,No4(2001年)に記載の「スピ
ンバルブ膜の背後膜/保護膜構成に依存する磁気抵抗効
果と層間結合」ではTaの酸化物層を用いたスピンバルブ
膜が開示されている。磁化固定層に酸化膜を挿入する例
としては、特開2000-156530に記載の「積層薄膜機能デ
バイス及び磁気抵抗効果素子」あるいは特開2000-25254
8に記載の「磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置」には
磁化固定層として、強磁性層/酸化物層/強磁性層のサン
ドイッチ構造もしくは強磁性層/酸化物層/強磁性層/反
強磁性結合層/強磁性層の５層構造が挙げられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のようにスペキュ
ラ効果を用いたスピンバルブの例は幾つか報告されてい
る。しかし、磁化固定層にスペキュラ効果を用いる場
合、上記のように[第１の強磁性層/酸化物層/第２の強
磁性層]の３層構造にした場合、酸化物層を介した二つ
の強磁性層間の強磁性結合は弱くなる。従って、酸化物
上の第１の強磁性層とが低い外部磁界でも反転してしま
い、外部磁界に対する磁化固定層の安定性が劣化する。
また、積層フェリ構造の[第１の強磁性層/酸化物層/第
１の強磁性層/反強磁性結合層/第２の強磁性層]の５層
構造でも同様に、酸化物層を介した２枚の第１の強磁性
層間の強磁性結合は弱くなる。これに伴い、第２の強磁
性層と反強磁性結合層に接した第１の強磁性層の磁化は
比較的高い磁場を印加しても反平行状態を保つことがで
きるが、反対側の第１の強磁性層の磁化は低い外部磁界
を印加しても容易に反転してしまうため、スピンバルブ
の磁化固定層に用いる場合には問題がある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、[第1の強
磁性層/反強磁性結合層/第2の強磁性層]構造、いわゆる
積層フェリ構造における反強磁性結合層と強磁性層との
界面に酸化物層あるいは酸化物と磁性体との混合層を形
成しても、することにより、2枚の強磁性層間の反強磁
性結合が大きく低減しないことを見出した。これをスピ
ンバルブの磁化固定層として用いることにより、磁化固
定層の安定性も問題がなく、磁気抵抗変化率の向上、お
よび酸化物磁性層上の結晶粒径も小さくなり、軟磁性自
由層の軟磁気特性も良好となる。特に、Feを主成分とす
る酸化物層を形成することにより、磁化固定層が安定
し、高出力の磁気抵抗効果素子を作製できる。また、上
記磁気抵抗効果型ヘッドと誘導型薄膜磁気ヘッドを組み
合わせることにより良好な磁気ヘッドが得られる。さら
に、この磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置は優れ
た特性を有する。本技術は磁化自由層として積層フェリ
構造の自由層に用いた場合にも効果的である。また、多
層磁気記録媒体の結晶粒制御にも有効である。

【０００５】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例を挙げ、
図表を参照しながらさらに具体的に説明する。（実施例１）多層膜の作製には高周波マグネトロンスパ
ッタリング法を用いた。到達真空度は1e-5Pa以下とし
た。形成した積層フェリ構造の多層膜の断面構造を図１
に示す。基板11にはガラス基板を用いた。基板クリーニ
ング後、バッファ層12としてNiFe(2nm)/Ta(3nm)を用い
た。その上に第1の強磁性層13としてCo-10at%Fe(1.2nm)
を、反強磁性結合層14として Ru(0.8nm)を、第2の強磁
性層16としてCo-10at%Fe (2nm)とし、反強磁性結合層と
第2の強磁性層との界面に酸化物層15として、Feを形成
した後、酸素に曝すことによりFeの酸化物を形成した。
Feの厚さは0.6nmおよび1.5nmの２種類形成した。最後に
Ta(3nm)の保護膜17を形成した。これらの試料をそれぞ
れA,Bとする。また、図２に示す多層膜も形成した。基
板21にはガラス基板を用いた。基板クリーニング後、バ
ッファ層22としてNiFe(2nm)/Ta(3nm)を用いた。その上
に第1の強磁性層23としてCo-10at%Fe(1.2nm)を、反強磁
性結合層24として Ru(0.8nm)を形成した。その上に第２
の強磁性層として、強磁性層25/酸化物層26/強磁性層27
のサンドイッチ膜を用いた。具体的には、25としてCo-1
0at%Fe (1nm)、26としてFeを0.6nm形成した後、自然酸
化し、その上に27としてCo-10at%Fe (2nm)形成した。最
後にTa(3nm)の保護膜28を形成した。この試料をCとす
る。さらに、比較用の試料として、図１における酸化物
磁性層15がない試料も作成した。この試料をDとする。
これらの磁化曲線を図３に示す。第１の強磁性層と第２
の強磁性層とが反強磁性的に結合している場合にはDの
比較例の磁化曲線が得られる。Aでは、ほぼ同じような
磁化曲線が得られており、第１の強磁性層と第２の強磁
性層とが反強磁性的に結合していると思われる。Bでは
ゼロ磁界で反転している磁化量が非常に多い。これは、
Feの酸化が十分進行しておらず、Ru上にはFe/Fe酸化物/
第２の強磁性層の構造となっているためと考えられる。
すなわち、Fe酸化物を介したFeと第２の強磁性層16との
間の磁気的な結合が弱いため、第２の強磁性層の磁化
は、低い外部磁界で反転しており、第２の強磁性層と第
１の強磁性層とは低い磁界領域でしか磁化の反平行状態
が実現しない。Cの場合も同様な理由で、Fe層は十分に
酸化されているものの、Ruに接した強磁性層25と第１の
強磁性層23は反強磁性的な結合をしているが、Ruに接し
た強磁性層25とRuに接していない強磁性層27との間の酸
化物層26を介した磁気的な結合が弱いため、Ruに接して
いない強磁性層27の磁化は、低い外部磁界で反転してし
まい、Ruに接していない強磁性層27と第１の強磁性層23
とは低い磁界領域でしか磁化の反平行状態が実現しな
い。以上のように積層フェリ構造における２枚の磁性層
間の相互作用は、酸化物の挿入位置によって大きく異な
ることがわかる。反強磁性結合層と強磁性層との界面に
酸化物層を入れても、２枚の磁性層の間には、比較的強
い反強磁性的な結合が観測されるが、強磁性層の真中に
酸化物を挿入すると、酸化物の上下に形成した磁性層間
の磁気的な結合が弱くなり、反強磁性結合層の上下の磁
性層の磁化が反平行状態にすることは難しいことがわか
る。以上の結果から、本発明の[第1の強磁性層/酸化物
層/反強磁性結合層/第2の強磁性層]積層フェリ構造は多
層記録媒体やスピンバルブに用いることにより、特性向
上が見こまれる。本発明を多層記録媒体に用いた例を示
す。図１における基板11にはガラス基板あるいはAl基板
を用い、CrMo等のバッファ層12を形成する。その上に第
1の強磁性層13としてCoCrPtやCoCrTa等を、反強磁性結
合層14としてRuを、酸化物層15としてFeの酸化物を、第
2の強磁性層16としてCoCrPtやCoCrTa等を、保護膜とし
てCを順次形成した。積層フェリ構造にすることによ
り、見かけ上の異方性磁界Hkが増加したことによる効果
と、酸化物層挿入による結晶粒径の微細化の効果によ
り、記録再生に優れた多層記録媒体が形成可能である。
次に本発明の積層フェリ構造をスピンバルブの磁化固定
層に用いた例を示す。膜構成を図4に示す。基板31には
ガラス基板を用いた。基板クリーニング後、バッファ層
32として、NiFeCr(5nm)、反強磁性膜33にはMn-50at%Pt
合金(10nm)を用いた。磁化固定層43は積層フェリ構造と
した。第1の強磁性層34としてCo-10at%Fe(1.2nm)を、反
強磁性結合層35として Ru(0.8nm)を、第2の強磁性層37
としてCo-10at%Fe (2nm)とし、反強磁性結合層と第2の
強磁性層との界面に酸化物層36として、FeまたはCo-10a
t%Feを形成した後、酸素に曝すことによりFeまたはCo-1
0at%Feの酸化物を形成した。第2の強磁性層37の上に、
非磁性中間層38としてCu(2nm)を、磁化自由層39としてC
o-10at%Fe (2nm)を、導電性非磁性層40としてCu(0.6nm)
を順次形成し、酸化物層41としてTaを1nm形成した後、
酸化した。その後保護膜42としてTa(2nm)を形成した。
また、比較のため、反強磁性結合層と第2の強磁性層と
の界面に何も形成しない試料も作製した。図5にはFe,Co
Fe膜厚と磁気抵抗変化率との関係を示す。CoFeを酸化し
た場合、CoFe膜厚が1nm以下の領域では磁気抵抗変化率
のわずかな増加しか見られず、1nm以上になると急激に
減少する。Feを酸化した場合、Fe膜厚が1nm以下の領域
でFeを形成していない試料（図中膜厚0nm）と比較し
て、MR比が高くなっている。Fe(CoFe)膜厚が1nm以上の
領域でMR比が急激に低くなっているのは、磁性膜が十分
に酸化されず、層構造が[酸化残りFe/Feの酸化物/CoF
e]、 [酸化残りCoFe/CoFeの酸化物/CoFe]の構造とな
り、酸化残りの磁性膜とCoFeとの酸化物を介した強磁性
的な結合が弱く、中間層側のCoFeの磁化は、本来固定さ
れていなければならない磁界領域で回転してしまうため
と考えられる。また、CoFeと比較すると、Feの酸化物を
用いることによりさらに高い磁気抵抗変化率が得られ
る。本実施例では、Feの酸化物を用いたが、Feを主成分
とする金属材料であれば同様な効果が得られる。また、
バッファ層32としてNiFeCrを用いたが、NiFeCr/Ta, NiF
e/NiFeCr, Ta, NiFe/Taなどを用いても反強磁性体であ
るMnPtが反強磁性膜として機能するように結晶配向する
ため、問題とならない。また、反強磁性膜33としてMn-P
tを用いたが、Mn-Pd, Mn-Ir, Mn-Niなど他のMn系の材料
をもちいても構わない。反強磁性結合膜35としてRuを用
いたが、Ruを主成分とする金属膜やCr,Irなどを用いて
も同様な効果が得られる。磁化固定層43である第1の強
磁性層および第2の強磁性層としてCo-10at%Feを用いた
が、2枚の強磁性層との間に反強磁性的な結合が生じる
ようであれば、第1の強磁性層および第2の強磁性層とし
て組成を変化させたCo-Fe系材料やFe, NiFe あるいはCo
-NiFeなどの材料を用いても構わないし、第1の強磁性層
と第2の強磁性層とが異なる材料を用いても構わない。
さらに、磁化自由層39としてCo-10at%Fe(２nm)単層膜を
用いたが、CoFe/ NiFe2層膜やCo-Ni-Fe単層膜を用いて
も構わない。導電性非磁性層40としてCu(0.6nm)を形成
したが、他の導電性の材料、例えばAuやRu,Pd,Ptなどを
用いても構わないし、導電性非磁性膜がなくても問題は
ない。また、酸化物層41としてTaの酸化膜を用いたが、
他の酸化物、例えばMn, Nb, Cr, Mn, Alなどの酸化物を
用いてもスペキュラー効果は得られる。また、本実施例
では、膜面内方向に電流を流した結果を示したが、膜面
に垂直方向に電流を流しても同様な効果が得られると考
えられる。（実施例２）実施例１と同様な方法により作製した、積
層フェリ構造をスピンバルブの固定層に用いた別の実施
例を示す。膜構成を図4に示す。基板31にはガラス基板
を用いた。基板クリーニング後、バッファ層32として、
NiFeCr(5nm)、反強磁性膜33にはMn-50at%Pt合金(10nm)
を用いた。磁化固定層33は積層フェリ構造とした。第1
の強磁性層34としてCo-10at%Fe(1.2nm)を、反強磁性結
合層35として Ru(0.8nm)を、第2の強磁性層37としてCo-
10at%Fe (2nm)とし、反強磁性結合層と第2の強磁性層と
の界面に酸化物層36として、酸化物ターゲット上に磁性
材料チップをおいてスパッタすることにより、酸化物層
を形成した。膜厚は1nm一定とした。第2の強磁性層37の
上に、非磁性中間層38としてCu(2nm)を、磁化自由層39
としてCo-10at%Fe (2nm)を、導電性非磁性層40としてCu
(0.6nm)を順次形成し、酸化層41としてTaを1nm形成した
後、酸化した。その後保護膜42としてTa(2nm)を形成し
た。これらの膜の磁気抵抗変化率を測定した。これらの
結果を表1に示す。

【０００６】

【表１】この膜構成において、酸化物層36のない試料の磁気抵抗
変化率は14.8％である。表のように、CoOやNiOなどは反
強磁性体であるので、このまま36に適用した場合には第
1の強磁性層34と第2の強磁性層37との間には反強磁性的
な結合は得られないため、磁気抵抗変化率は非常に低
い。それぞれFe,Coのチップを置いた場合には比較的高
い磁気抵抗変化率が得られている。これは、磁性金属と
の混合物を形成することにより、第1の強磁性層34と第2
の強磁性層37との間には反強磁性的な結合が得られてい
るためと考えられる。Coチップを置いた場合には、やや
磁気抵抗変化率が低くなっているが、Coチップ数の最適
化により磁気抵抗変化率が増加すると思われる。また、
Feチップを置いた場合には効果が大きい。さらにFe3O4
ターゲットおよびFe3O4ターゲット上にFe,Coチップを置
いた場合、さらに高い磁気抵抗変化率が得られている。
本実施例では、Fe3O4ターゲットからスパッタリング法
により作製した例を示したが、形成した膜構造は完全な
Fe3O4とはなっておらず、Fe3O4やFe2O3などのFe系の酸
化物の混合状態になっていると思われる。完全なFe3O4
が形成できれば、さらに高い磁気抵抗変化率が得られる
ものと考えられる。また、Fe3O4の代わりにγ-Fe2O3、F
eOまたはMFe2O4(M = Fe, Co, Ni, Mn, Cr, Zn)などをも
ちいても同様な効果が得られる。さらに、本実施例では
NiO,CoO,Fe2O3のターゲットを用いたが、Mn,Cr,Cu,Znな
どの酸化物ターゲットを用いても同様な効果が得られ
る。また、本実施例では、酸化物ターゲット上に磁性金
属チップをおいて膜を形成したが、Fe, Ni, Co あるい
はNi-Fe, CoFeなどの磁性ターゲット上にNiO,Fe3O4,ZnO
などの酸化物チップを置いて作製することも可能であ
る。（実施例３）実施例１と同様な方法により作製した、本
発明の積層フェリ構造をスピンバルブの磁化自由層に用
いた別の実施例を示す。図６に多層膜の構成を示す。基
板51にはガラス基板を用いた。基板クリーニング後、バ
ッファ層52としてNiFeCr(5nm)を、反強磁性膜53にはMn-
50at%Pt合金(10nm)を用いた。磁化固定層65は積層フェ
リ構造とした。第1の強磁性層54としてCo-10at%Fe(1.2n
m)を、反強磁性結合層55として Ru(0.8nm)を、第2の強
磁性層56としてCo-10at%Fe (2nm)とした。非磁性中間層
57にはCu(2nm)を用いた。磁化自由層66も積層フェリ構
造とした。膜構成は基板側から第1の強磁性層58/59とし
てCo-10at%Fe (0.5nm)/NiFe(2nm)2層膜を、反強磁性結
合膜60としてRu(0.8nm)を、第2の強磁性層62としてNiFe
(1.0nm)とし、反強磁性結合膜60と第2の強磁性層62との
界面にFeを1nm形成し、酸素にさらすことによりFeの酸
化物層61を形成した。第2の強磁性層62上に導電性非磁
性層63としてCu(0.6nm)を、保護膜64としてTa(2nm)を順
次形成した。比較のために、Feの酸化物磁性層61のない
磁気抵抗効果多層膜も作製した。これらの膜の特性を表
2に示す。

【０００７】

【表２】表のように、磁気抵抗変化率は、磁化自由層に酸化物層
を挿入することにより、積層フェリ自由層としての特性
をそれほど劣化することなく、磁気抵抗変化率の向上が
見られた。本実施例では、CoFe/NiFe/Ru/NiFeの積層フ
ェリ構造を用いたが、CoFe/Ru/NiFe, CoFe/Ru/CoFe/NiF
eなど、いずれの膜構成においても同様な効果が得られ
る。（実施例４）実施例１で作製した磁気抵抗効果型ヘッド
と記録ヘッドを組み合わせた磁気ヘッドを作製した。図
7は、記録再生分離型ヘッドの一部分を切断した場合の
斜視図である。再生ヘッドの構成は実施例１と同じ構成
とした。記録ヘッドのコイル74は電気めっき方で作製し
たCuを用いた。また、下部磁極75、上部磁極76は、電気
めっき法により作製した46wt%Ni-Fe膜およびCo-Ni-Fe膜
を用いた。記録ヘッドの磁気ギャップ膜及び保護膜はAl
2O3膜を用いた。記録ヘッドのトラック幅は0.30ｍ、再
生ヘッドのトラック幅は0.22ｍとした。本発明の磁気ヘ
ッドは、従来の磁気ギャップ膜と比較して、絶縁性に優
れた狭ギャップに対応した磁気ヘッドの作製が可能であ
る。また、実施例１のヘッドを用いたが、実施例２〜３
に用いたいずれの磁気抵抗効果素子を再生ヘッドとして
用いても同様な効果が得られる。（実施例５）本発明の記録再生分離型ヘッドを用い、磁
気ディスク装置を作製した。図8に磁気ディスク装置の
構造の概略図を示す。磁気記録媒体81には保磁力4.3kOe
のCo-Cr-Pt系合金からなる材料を用いた。磁気ヘッド83
は実施例４で作製した磁気ヘッドを用いた。これによ
り、絶縁性に優れ、高出力の磁気ヘッドの作製が可能で
ある。これにより、記録密度の高い磁気ディスク装置を
作製できる。本発明の磁気ヘッドは４0Gbit/in2以上の
記録密度を有する磁気記録再生装置に有効である。ま
た、７０Gbit/in2以上の記録密度を有する磁気記録再生
装置には、必須と考えられる。

【０００８】

【発明の効果】上述のように、スピンバルブにおける磁
化固定層として、[第1の強磁性層/反強磁性結合層/第2
の強磁性層]構造、いわゆる積層フェリ構造における反
強磁性結合層と強磁性層との界面に酸化物層あるいは酸
化物と磁性体との混合層を形成することにより、2枚の
強磁性層間の反強磁性結合を大きく弱めることなく、か
つ磁気抵抗変化率の向上が実現できる。特に、Feを主成
分とする酸化物層を形成することにより、磁化固定層の
安定性も問題がなく、磁気抵抗変化率の向上、および強
磁性自由層の磁気特性も良好になる。本構造により磁化
固定層が安定した高出力の磁気抵抗効果素子を作製でき
る。さらに、上記磁気抵抗効果型ヘッドと誘導型薄膜磁
気ヘッドを組み合わせることにより良好な磁気ヘッドが
得られる。さらに、この磁気ヘッドを搭載した磁気記録
再生装置は優れた特性を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層フェリ構成例。

【図２】比較用積層フェリ構成例。

【図３】本発明および比較用積層フェリ構成多層膜の磁
化曲線。

【図４】本発明の高出力スピンバルブ構成例。

【図５】磁気抵抗変化率のFeおよびCoFe膜厚依存性

【図６】本発明の別の高出力スピンバルブ構成例。

【図７】本発明の磁気ヘッドの斜視図。

【図８】本発明の磁気ディスク装置の概略図。

【符号の説明】

11,21,31,51. 基板12,22,32,52. バッファ層13,23,3
4,54,58,59. 第１の強磁性層16,29,37,56,62. 第２の
強磁性層25,27. 強磁性層33,53. 反強磁性層14,24,3
5,55,60. 反強磁性結合層43,65. 磁化固定層 38,57.
非磁性中間層39,66. 磁化自由層40,63. 導電性非磁
性層15,26,36,41,61. 酸化物層17,28,42,64. 保護膜7
1. 磁気抵抗効果膜78. 電極72. 下部シールド膜73.
上部シールド膜75. 下部磁極74. コイル76. 上部磁
極77. 基体81. 磁気記録媒体82.磁気記録媒体駆動部8
3. 磁気ヘッド84. 磁気ヘッド駆動部85. 記録再生信
号処理系。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者重松恵嗣神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者星屋裕之東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内Ｆターム(参考） 5D034 BA04 BA05 CA08 5E049 AB03 BA12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の強磁性層と反強磁性結合層と第２の
強磁性層とが順次積層された構造を含む積層体であっ
て、前記強磁性層と反強磁性結合層との界面に形成され
た酸化物層あるいは酸化物と磁性体との混合層と有する
ことを特徴とする積層体。
【請求項２】請求項１に記載の積層体において、前記磁
性混合層はFe, Ni, Co, Mn, Cr, Cu,Zn あるいはこれら
を主成分とする酸化物を含有することを特徴とする積層
体。
【請求項３】請求項１に記載の積層体において、前記酸
化物層はFeあるいはFeを主成分とする磁性材料の酸化物
を含有することを特徴とする積層体。
【請求項４】請求項３に記載の積層体において、前記酸
化物層はFe3O4,γ-Fe2O3,FeOまたはMFe2O4(M：Fe, Co,
Ni, Mn, Cr, Zn)からなる強磁性酸化物であることを特
徴とする積層体。
【請求項５】請求項２に記載の積層体において、前記磁
性混合層は、Fe3O4,γ-Fe2O3,FeOまたはMFe2O4(M = Fe,
Co, Ni, Mn, Cr, Zn)からなる強磁性酸化物と強磁性金
属との混合物である層を用いたことを特徴とする積層
体。
【請求項６】反強磁性層/磁化固定層/非磁性中間層/磁
化自由層を含んだ積層構造を有し、該磁化固定層として
請求項1から請求項５に記載の積層体を用いたことを特
徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項７】請求項６に記載の磁気抵抗効果素子を備え
た磁気ヘッド。
【請求項８】請求項７に記載の磁気ヘッドを搭載した磁
気記録再生装置。