JP2003152240A5 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003152240A5 JP2003152240A5 JP2001346850A JP2001346850A JP2003152240A5 JP 2003152240 A5 JP2003152240 A5 JP 2003152240A5 JP 2001346850 A JP2001346850 A JP 2001346850A JP 2001346850 A JP2001346850 A JP 2001346850A JP 2003152240 A5 JP2003152240 A5 JP 2003152240A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ferromagnetic
- oxide
- magnetic head
- laminated structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (8)
- 反強磁性層/磁化固定層/非磁性中間層/磁化自由層を含んだ積層構造と、前記積層構造の膜厚/膜面方向に電流を供給する手段とを有し、
前記磁化固定層は、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に形成された反強磁性結合層と、前記第1の強磁性層と反強磁性結合層との界面に形成された酸化物層あるいは酸化物と磁性体との混合層とを含有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 反強磁性層/磁化固定層/非磁性中間層/磁化自由層を含んだ積層構造と、前記積層構造の膜厚/膜面方向に電流を供給する手段とを有し、
前記磁化固定層は、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に形成された反強磁性結合層と、前記反強磁性結合層と第2の強磁性層との界面に形成された酸化物層あるいは酸化物と磁性体との混合層とを含有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 反強磁性層/磁化固定層/非磁性中間層/磁化自由層を含んだ積層構造と、前記積層構造の膜厚/膜面方向に電流を供給する手段とを有し、
前記磁化自由層は、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に形成された反強磁性結合層と、前記第1の強磁性層と反強磁性結合層との界面に形成された酸化物層あるいは酸化物と磁性体との混合層とを含有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 反強磁性層/磁化固定層/非磁性中間層/磁化自由層を含んだ積層構造と、前記積層構造の膜厚/膜面方向に電流を供給する手段とを有し、
前記磁化自由層は、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に形成された反強磁性結合層と、前記反強磁性結合層と第2の強磁性層との界面に形成された酸化物層あるいは酸化物と磁性体との混合層とを含有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 請求項1〜4の何れかに記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁性混合層はFe, Ni, Co, Mn, Cr, Cu, Zn あるいはこれらを主成分とする酸化物を含有することを特徴とする磁気ヘッド。
- 請求項1〜4の何れかに記載の磁気ヘッドにおいて、前記酸化物層はFeあるいはFeを主成分とする磁性材料の酸化物を含有することを特徴とする磁気ヘッド。
- 請求項6に記載の磁気ヘッドにおいて、前記酸化物層はFe3O4,γ-Fe2O3,FeOまたはMFe2O4(M:Fe, Co, Ni, Mn, Cr, Zn)からなる強磁性酸化物であることを特徴とする磁気ヘッド。
- 請求項5に記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁性混合層は、Fe3O4,γ-Fe2O3,FeOまたはMFe2O4(M = Fe, Co, Ni, Mn, Cr, Zn)からなる強磁性酸化物と強磁性金属との混合物である層を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001346850A JP2003152240A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 酸化物層を含んだ積層体及びこれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録再生装置 |
US10/292,544 US20030091864A1 (en) | 2001-11-13 | 2002-11-13 | Lamination comprising oxide layer, magnetoresistive head using the same, and magnetic recording and reproducing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001346850A JP2003152240A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 酸化物層を含んだ積層体及びこれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003152240A JP2003152240A (ja) | 2003-05-23 |
JP2003152240A5 true JP2003152240A5 (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=19159943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001346850A Pending JP2003152240A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 酸化物層を含んだ積層体及びこれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030091864A1 (ja) |
JP (1) | JP2003152240A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6835464B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-28 | Seagate Technology Llc | Thin film device with perpendicular exchange bias |
US6934131B2 (en) * | 2003-01-13 | 2005-08-23 | Veeco Instruments, Inc. | Spin valve with thermally stable pinned layer structure having ruthenium oxide specular reflecting layer |
JP5389370B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2014-01-15 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 強磁性薄膜材料とその製造方法 |
JP5768494B2 (ja) | 2011-05-19 | 2015-08-26 | ソニー株式会社 | 記憶素子、記憶装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6303218B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element |
US6567246B1 (en) * | 1999-03-02 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element and method for producing the same, and magnetoresistance effect type head, magnetic recording apparatus, and magnetoresistance effect memory element |
JP3363410B2 (ja) * | 1999-08-12 | 2003-01-08 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気変換素子および薄膜磁気ヘッド |
JP2001176030A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Alps Electric Co Ltd | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド |
JP2001308413A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-11-02 | Sony Corp | 磁気抵抗効果薄膜、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP3260741B1 (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-25 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
KR100463616B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2004-12-29 | 가부시끼가이샤 도시바 | 요크형 자기 헤드 및 자기 디스크 유닛 |
US6853520B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001346850A patent/JP2003152240A/ja active Pending
-
2002
- 2002-11-13 US US10/292,544 patent/US20030091864A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5949622A (en) | Magnetoresistance effect element | |
KR100238912B1 (ko) | 자기저항효과헤드 | |
EP1321943A3 (en) | Magnetic memory | |
KR960011854A (ko) | 자기저항효과 박막 및 그 제조방법 | |
US6331773B1 (en) | Pinned synthetic anti-ferromagnet with oxidation protection layer | |
JPH09198622A (ja) | トンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー | |
KR970063044A (ko) | 박막 자기헤드 | |
EP0814519A3 (en) | Magnetoresistive effect device, process for fabricating the same, and magnetic head produced using the same | |
EP0883196A3 (en) | Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head | |
JP2004118894A (ja) | ディスク状磁気記録媒体 | |
JP2001160640A5 (ja) | ||
JP2003152240A5 (ja) | 磁気ヘッド | |
SG136800A1 (en) | Magnetoresistive head and manufacturing method thereof | |
JP2000057538A5 (ja) | 磁気ヘッド | |
JP2003249700A5 (ja) | ||
CN114927543A (zh) | 一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法 | |
JP2005527970A5 (ja) | ||
JP3331389B2 (ja) | 垂直磁気ヘッド | |
JPH0774022A (ja) | 多層磁気抵抗効果膜及び磁気ヘッド | |
JPS631642B2 (ja) | ||
JPH05175572A (ja) | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置 | |
JPH035079B2 (ja) | ||
JPS5840802A (ja) | 複合磁石材料 | |
JPH088473A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH08279115A (ja) | 磁気抵抗効果素子用多層膜および磁性層の磁化の調整方法 |