JPH088473A - 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH088473A JPH088473A JP6136987A JP13698794A JPH088473A JP H088473 A JPH088473 A JP H088473A JP 6136987 A JP6136987 A JP 6136987A JP 13698794 A JP13698794 A JP 13698794A JP H088473 A JPH088473 A JP H088473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic film
- film
- magnetoresistive
- permeability soft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬
質磁性膜１と、これにより磁気的にバイアスされた磁性
膜２、及び高透磁率軟磁性膜３を備え、磁性膜２と高透
磁率軟磁性膜３との間に非磁性金属膜４を備えたことに
より、室温・微小磁界動作が可能でかつ大きなＭＲ比を
示す高感度素子を提供する。 【構成】硬質磁性膜１と磁性膜２、高透磁率軟磁性膜
３、非磁性金属膜４より磁気抵抗効果素子は構成され、
ＭＲヘッドの場合はこれに信号磁界を導くためのヨーク
と絶縁膜が付け加わる。動作原理は硬質磁性膜１により
磁性膜２の磁化は一方向に固定され、非磁性金属膜４に
より磁性膜２との磁気的結合を断たれている軟磁性膜３
の磁化は信号磁界により自由に磁化反転するため、両磁
性膜２、３の磁化が平行もしくは反平行となり大きな磁
気抵抗効果を示す。
質磁性膜１と、これにより磁気的にバイアスされた磁性
膜２、及び高透磁率軟磁性膜３を備え、磁性膜２と高透
磁率軟磁性膜３との間に非磁性金属膜４を備えたことに
より、室温・微小磁界動作が可能でかつ大きなＭＲ比を
示す高感度素子を提供する。 【構成】硬質磁性膜１と磁性膜２、高透磁率軟磁性膜
３、非磁性金属膜４より磁気抵抗効果素子は構成され、
ＭＲヘッドの場合はこれに信号磁界を導くためのヨーク
と絶縁膜が付け加わる。動作原理は硬質磁性膜１により
磁性膜２の磁化は一方向に固定され、非磁性金属膜４に
より磁性膜２との磁気的結合を断たれている軟磁性膜３
の磁化は信号磁界により自由に磁化反転するため、両磁
性膜２、３の磁化が平行もしくは反平行となり大きな磁
気抵抗効果を示す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗センサー等の
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッドに関するも
のである。
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッドに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気抵抗素子を用いた磁気抵
抗センサー（以下ＭＲセンサーという）、及び磁気抵抗
ヘッド（以下ＭＲヘッドという）の開発が進められてお
り、磁性体には、主にＮｉ0.8 Ｆｅ0.2 のパーマロイや
Ｎｉ0.8 Ｃｏ0.2 合金膜が用いられている。これら磁気
抵抗効果材料の場合は、磁気抵抗変化率（以下ＭＲ比と
記す）が２．５％程度であり、より高感度な磁気抵抗素
子を得るためには、よりＭＲ比の大きなものが求められ
ている。近年Ｃｒ、Ｒｕ等の金属非磁性薄膜を介して反
強磁性的結合をしている［Ｆｅ／Ｃｒ］、［Ｃｏ／Ｒ
ｕ］人工格子膜が、強磁場（１〜１０ｋＯｅ）で巨大磁
気抵抗効果を示す発見された（フィジカルレビュー レ
ター、61巻第2472項（1988年）；同64巻第2304項（199
0）（Physical Review Letter Vol.61,p2472,1988; 同
Vol.64,p2304,1990））。
抗センサー（以下ＭＲセンサーという）、及び磁気抵抗
ヘッド（以下ＭＲヘッドという）の開発が進められてお
り、磁性体には、主にＮｉ0.8 Ｆｅ0.2 のパーマロイや
Ｎｉ0.8 Ｃｏ0.2 合金膜が用いられている。これら磁気
抵抗効果材料の場合は、磁気抵抗変化率（以下ＭＲ比と
記す）が２．５％程度であり、より高感度な磁気抵抗素
子を得るためには、よりＭＲ比の大きなものが求められ
ている。近年Ｃｒ、Ｒｕ等の金属非磁性薄膜を介して反
強磁性的結合をしている［Ｆｅ／Ｃｒ］、［Ｃｏ／Ｒ
ｕ］人工格子膜が、強磁場（１〜１０ｋＯｅ）で巨大磁
気抵抗効果を示す発見された（フィジカルレビュー レ
ター、61巻第2472項（1988年）；同64巻第2304項（199
0）（Physical Review Letter Vol.61,p2472,1988; 同
Vol.64,p2304,1990））。
【０００３】また、金属非磁性薄膜Ｃｕで分離され磁気
的結合をしていない磁性薄膜Ｎｉ−ＦｅとＣｏを用いた
［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ／Ｃｏ］人工格子膜でも、巨大磁気
抵抗効果が発見され、室温印加磁界３ｋＯｅでＭＲ比が
約10％のものが得られている（ジャーナル オブ フィ
ジカル ソサイアティー オブ ジャパン 59巻第3061
項（1990年）（Journal of Physical Society of Japan
Vol.59,p3061,1990））。更にＣｕを介して反強磁性的
結合をしている磁性薄膜Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏを用い
た［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ］、［Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ／Ｃｕ］人工格子膜でも、巨大磁気抵抗効果が発見
され、室温印加磁界０．５ｋＯｅでＭＲ比が約15％のも
のが得られている（電子情報通信学会技術研究報告ＭＲ
91-9）。
的結合をしていない磁性薄膜Ｎｉ−ＦｅとＣｏを用いた
［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ／Ｃｏ］人工格子膜でも、巨大磁気
抵抗効果が発見され、室温印加磁界３ｋＯｅでＭＲ比が
約10％のものが得られている（ジャーナル オブ フィ
ジカル ソサイアティー オブ ジャパン 59巻第3061
項（1990年）（Journal of Physical Society of Japan
Vol.59,p3061,1990））。更にＣｕを介して反強磁性的
結合をしている磁性薄膜Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏを用い
た［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ］、［Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ／Ｃｕ］人工格子膜でも、巨大磁気抵抗効果が発見
され、室温印加磁界０．５ｋＯｅでＭＲ比が約15％のも
のが得られている（電子情報通信学会技術研究報告ＭＲ
91-9）。
【０００４】しかしながら、このような金属人工格子膜
を磁気ヘッドに使用するには、更に印加磁界が小さくて
も動作するものが求められている。微小印加磁界で動作
するものとしては、Ｆｅ−ＭｎをＮｉ−Ｆｅ／Ｃｕ／Ｎ
ｉ−Ｆｅにつけたスピンバルブ型のものが提案されてい
る（ジャーナル オブ マグネティズム アンド マグ
ネティック マテリアルズ、93巻第101項（1991年）（J
ournal of Magnetismand Magnetic Materials 93,p101,
1991)）。この場合、動作磁界は確かに小さいもののＭ
Ｒ比は約２％と小さく、Ｆｅ−Ｍｎの耐蝕性の問題点が
ある。
を磁気ヘッドに使用するには、更に印加磁界が小さくて
も動作するものが求められている。微小印加磁界で動作
するものとしては、Ｆｅ−ＭｎをＮｉ−Ｆｅ／Ｃｕ／Ｎ
ｉ−Ｆｅにつけたスピンバルブ型のものが提案されてい
る（ジャーナル オブ マグネティズム アンド マグ
ネティック マテリアルズ、93巻第101項（1991年）（J
ournal of Magnetismand Magnetic Materials 93,p101,
1991)）。この場合、動作磁界は確かに小さいもののＭ
Ｒ比は約２％と小さく、Ｆｅ−Ｍｎの耐蝕性の問題点が
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の通り前記従来技
術は、印加磁界が大きいという問題があり、ＭＲ比も小
さいという問題があった。
術は、印加磁界が大きいという問題があり、ＭＲ比も小
さいという問題があった。
【０００６】本発明は、前記従来の課題を解決するた
め、微小磁界動作が可能でかつ大きなＭＲ比を示す高感
度磁気抵抗素子及び磁気抵抗効果型ヘッドを提供するこ
とを目的とする。
め、微小磁界動作が可能でかつ大きなＭＲ比を示す高感
度磁気抵抗素子及び磁気抵抗効果型ヘッドを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の磁気抵抗効果素子は、基板上のいずれかの
部分に高保持力を有する硬質磁性膜と、これにより磁気
的にバイアスされた磁性膜、及び高透磁率軟磁性膜を少
なくとも備えた磁気抵抗効果素子であって、前記磁性膜
と前記高透磁率軟磁性膜との間に非磁性金属膜を備えた
ことを特徴とする。
め、本発明の磁気抵抗効果素子は、基板上のいずれかの
部分に高保持力を有する硬質磁性膜と、これにより磁気
的にバイアスされた磁性膜、及び高透磁率軟磁性膜を少
なくとも備えた磁気抵抗効果素子であって、前記磁性膜
と前記高透磁率軟磁性膜との間に非磁性金属膜を備えた
ことを特徴とする。
【０００８】また本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、基
板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬質磁性膜
と、これにより磁気的にバイアスされた磁性膜と、高透
磁率軟磁性膜と、磁気媒体からの信号磁束を軟磁性膜に
導くためのヨークとを少なくとも備えた磁気抵抗効果型
ヘッドであって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁性膜と
の間に非磁性金属膜を備えたことを特徴とする。
板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬質磁性膜
と、これにより磁気的にバイアスされた磁性膜と、高透
磁率軟磁性膜と、磁気媒体からの信号磁束を軟磁性膜に
導くためのヨークとを少なくとも備えた磁気抵抗効果型
ヘッドであって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁性膜と
の間に非磁性金属膜を備えたことを特徴とする。
【０００９】前記本発明の磁気抵抗効果素子及び磁気抵
抗効果型ヘッドの構成においては、非磁性金属膜が、磁
性膜と高透磁率軟磁性膜との磁気的結合を隔離している
ことが好ましい。
抗効果型ヘッドの構成においては、非磁性金属膜が、磁
性膜と高透磁率軟磁性膜との磁気的結合を隔離している
ことが好ましい。
【００１０】また前記構成においては、硬質磁性膜は少
なくとも二つの部分に分割されて着磁されており、磁性
膜に接していることが好ましい。また前記構成において
は、高透磁率軟磁性膜が非晶質磁性膜であることが好ま
しい。
なくとも二つの部分に分割されて着磁されており、磁性
膜に接していることが好ましい。また前記構成において
は、高透磁率軟磁性膜が非晶質磁性膜であることが好ま
しい。
【００１１】また前記構成においては、高透磁率軟磁性
膜がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする磁性膜であること
が好ましい。また前記構成においては、磁性膜が、Ｎｉ
X ＣｏY ＦｅZ を主成分とし、原子組成比でＸは0.6 〜
0.9 、Ｙは0 〜0.4 、Ｚは0 〜0.3 の範囲であることが
好ましい。
膜がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする磁性膜であること
が好ましい。また前記構成においては、磁性膜が、Ｎｉ
X ＣｏY ＦｅZ を主成分とし、原子組成比でＸは0.6 〜
0.9 、Ｙは0 〜0.4 、Ｚは0 〜0.3 の範囲であることが
好ましい。
【００１２】また前記構成においては、磁性膜が、Ｎｉ
X´ＣｏY´ＦｅZ´を主成分し、原子組成比でX´は0 〜
0.4 、Y´は0.2 〜0.95、Z´は0 〜0.5 の範囲であるこ
とが好ましい。
X´ＣｏY´ＦｅZ´を主成分し、原子組成比でX´は0 〜
0.4 、Y´は0.2 〜0.95、Z´は0 〜0.5 の範囲であるこ
とが好ましい。
【００１３】また前記構成においては、非磁性金属膜
が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれる少なくとも一つの元
素を含むことが好ましい。また前記構成においては、非
磁性金属膜の膜厚が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で
あることが好ましい。
が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれる少なくとも一つの元
素を含むことが好ましい。また前記構成においては、非
磁性金属膜の膜厚が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で
あることが好ましい。
【００１４】また前記構成においては、硬質磁性膜が、
ＣｏＰｔで形成されていることが好ましい。
ＣｏＰｔで形成されていることが好ましい。
【００１５】
【作用】前記した本発明の磁気抵抗効果素子及び磁気抵
抗効果型ヘッドの構成によれば、磁性膜は硬質磁性膜に
より一方向に磁化されており、外部磁界もしくはヨーク
により導かれる弱い信号磁界によって磁化方向が変化し
ないように固定されており、一方高透磁率軟磁性膜は、
非磁性金属膜によって磁性膜との磁気的結合から隔離さ
れ、かつ磁性膜の磁気シールドにより硬質磁性膜の磁界
の影響からも隔離されているため、外部磁界もしくはヨ
ークからの信号磁界により容易に磁化反転することが可
能である。従って、硬質磁性膜のバイアス磁界方向と反
対に外部磁界もしくはヨークより弱い信号磁界が印加さ
れると、高透磁率軟磁性膜はその方向に磁化反転し、磁
性膜とは磁化方向が反平行となる。この時、素子を流れ
る電流の電子は主に磁性膜／非磁性金属膜／高透磁率軟
磁性膜の界面において磁気的散乱を受け、抵抗が増加す
る。一方硬質磁性膜のバイアス磁界方向に信号磁界が印
加されると、磁性膜と高透磁率軟磁性膜の磁化方向は平
行となり、上記の磁気的散乱が低減し抵抗が減少する。
上記の原理により素子は信号磁界変化により、大きな磁
気抵抗変化を示す。
抗効果型ヘッドの構成によれば、磁性膜は硬質磁性膜に
より一方向に磁化されており、外部磁界もしくはヨーク
により導かれる弱い信号磁界によって磁化方向が変化し
ないように固定されており、一方高透磁率軟磁性膜は、
非磁性金属膜によって磁性膜との磁気的結合から隔離さ
れ、かつ磁性膜の磁気シールドにより硬質磁性膜の磁界
の影響からも隔離されているため、外部磁界もしくはヨ
ークからの信号磁界により容易に磁化反転することが可
能である。従って、硬質磁性膜のバイアス磁界方向と反
対に外部磁界もしくはヨークより弱い信号磁界が印加さ
れると、高透磁率軟磁性膜はその方向に磁化反転し、磁
性膜とは磁化方向が反平行となる。この時、素子を流れ
る電流の電子は主に磁性膜／非磁性金属膜／高透磁率軟
磁性膜の界面において磁気的散乱を受け、抵抗が増加す
る。一方硬質磁性膜のバイアス磁界方向に信号磁界が印
加されると、磁性膜と高透磁率軟磁性膜の磁化方向は平
行となり、上記の磁気的散乱が低減し抵抗が減少する。
上記の原理により素子は信号磁界変化により、大きな磁
気抵抗変化を示す。
【００１６】また前記において、硬質磁性膜は少なくと
も二つの部分に分割されて着磁されており、磁性膜に接
しているという好ましい構成によれば、高いバイアス効
果を発揮できる。
も二つの部分に分割されて着磁されており、磁性膜に接
しているという好ましい構成によれば、高いバイアス効
果を発揮できる。
【００１７】また前記において、高透磁率軟磁性膜が非
晶質磁性膜であるという好ましい構成によれば、軟磁性
で高透磁性が得られる。また前記において、高透磁率軟
磁性膜がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする磁性膜である
という好ましい構成によれば、極めて弱い磁界でも磁化
反転できる。
晶質磁性膜であるという好ましい構成によれば、軟磁性
で高透磁性が得られる。また前記において、高透磁率軟
磁性膜がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする磁性膜である
という好ましい構成によれば、極めて弱い磁界でも磁化
反転できる。
【００１８】また前記において、磁性膜が、ＮｉX Ｃｏ
Y ＦｅZ を主成分とし、原子組成比でＸは0.6 〜0.9 、
Ｙは0 〜0.4 、Ｚは0 〜0.3 の範囲であるという好まし
い構成によれば、バイアス磁界が弱い場合であっても、
弱い磁界で飽和することができる。
Y ＦｅZ を主成分とし、原子組成比でＸは0.6 〜0.9 、
Ｙは0 〜0.4 、Ｚは0 〜0.3 の範囲であるという好まし
い構成によれば、バイアス磁界が弱い場合であっても、
弱い磁界で飽和することができる。
【００１９】また前記において、磁性膜が、ＮｉX´Ｃ
ｏY´ＦｅZ´を主成分し、原子組成比でX´は0 〜0.4
、Y´は0.2 〜0.95、Z´は0 〜0.5 の範囲であるとい
う好ましい構成によれば、バイアス磁界が十分大きく、
大きなＭＲ変化を必要とする場合に好適である。
ｏY´ＦｅZ´を主成分し、原子組成比でX´は0 〜0.4
、Y´は0.2 〜0.95、Z´は0 〜0.5 の範囲であるとい
う好ましい構成によれば、バイアス磁界が十分大きく、
大きなＭＲ変化を必要とする場合に好適である。
【００２０】また前記において、非磁性金属膜が、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含
むと好ましい構成によれば、磁性膜と固溶しにくい金属
膜とすることができる。
ｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含
むと好ましい構成によれば、磁性膜と固溶しにくい金属
膜とすることができる。
【００２１】また前記において、非磁性金属膜の膜厚
が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲であるという好まし
い構成によれば、ＭＲ変化率を安定化し、かつ大きな磁
気抵抗効果を得ることができる。
が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲であるという好まし
い構成によれば、ＭＲ変化率を安定化し、かつ大きな磁
気抵抗効果を得ることができる。
【００２２】また前記において、硬質磁性膜が、ＣｏＰ
ｔで形成されているという好ましい構成によれば、保持
力が大きく、かつ耐蝕性に優れたものとなる。
ｔで形成されているという好ましい構成によれば、保持
力が大きく、かつ耐蝕性に優れたものとなる。
【００２３】
【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。本発明の磁気抵抗素子は図１に一例として示
したように、基板７上に保磁力が大きい硬質磁性膜１と
これによりにより磁気的にバイアスされた磁性膜２、及
び高透磁率軟磁性膜３、更に磁性膜１、２と３の間の磁
気的な結合を弱めるべく磁性膜２と３の間に設けられた
非磁性金属膜４を主な構成要素とする。図１では硬質磁
性膜が二つに分割され着磁されたものの場合を示した
が、分割しないものでも良いし、よりバイアス効果を強
める為に複数個に分割されたものを用いても良い。磁気
抵抗効果型ヘッドにおいては図２に一例として示したよ
うに更に絶縁膜６と磁気媒体からの信号磁束を高透磁率
軟磁性膜３に導くためのヨ−ク５をこれにつけ加え、基
板部７は通常フェライト８に絶縁膜９をつけた構成とな
る。なお電流は図１〜２では紙面に垂直に素子の１、
２、３、４の部分を流れる。図１〜２ではヨークにより
導入された信号磁界と硬質磁性膜のバイアス磁界方向が
平行の場合を一例として示したが、直行方向でも良い
し、上記の電流方向を変えても良い。又バルクハウゼン
ノイズを低減するには高透磁率軟磁性膜３の磁化容易軸
方向と信号磁界方向とが直行するように構成することが
望ましい。
説明する。本発明の磁気抵抗素子は図１に一例として示
したように、基板７上に保磁力が大きい硬質磁性膜１と
これによりにより磁気的にバイアスされた磁性膜２、及
び高透磁率軟磁性膜３、更に磁性膜１、２と３の間の磁
気的な結合を弱めるべく磁性膜２と３の間に設けられた
非磁性金属膜４を主な構成要素とする。図１では硬質磁
性膜が二つに分割され着磁されたものの場合を示した
が、分割しないものでも良いし、よりバイアス効果を強
める為に複数個に分割されたものを用いても良い。磁気
抵抗効果型ヘッドにおいては図２に一例として示したよ
うに更に絶縁膜６と磁気媒体からの信号磁束を高透磁率
軟磁性膜３に導くためのヨ−ク５をこれにつけ加え、基
板部７は通常フェライト８に絶縁膜９をつけた構成とな
る。なお電流は図１〜２では紙面に垂直に素子の１、
２、３、４の部分を流れる。図１〜２ではヨークにより
導入された信号磁界と硬質磁性膜のバイアス磁界方向が
平行の場合を一例として示したが、直行方向でも良い
し、上記の電流方向を変えても良い。又バルクハウゼン
ノイズを低減するには高透磁率軟磁性膜３の磁化容易軸
方向と信号磁界方向とが直行するように構成することが
望ましい。
【００２４】磁性膜２としては硬質磁性膜３からのバイ
アス磁界が弱い場合は、(1) ＮｉXＣｏY ＦｅZ を主成
分とし、原子組成比が、(1´)Ｘ＝0.6 〜0.9 、Ｙ＝0
〜0.4、Ｚ＝0 〜0.3 の弱い磁界で飽和するＮｉ高成分
系の軟磁性膜が望ましい。また、バイアス磁界が十分大
きく大きなＭＲ変化を必要とする場合には、(2) Ｎｉ X
´ＣｏY´ＦｅZ´を主成分し、原子組成比が、(2´)Ｘ
´＝0 〜0.4 、Ｙ´＝0.2 〜0.95、Ｚ´＝0 〜0.5 のＣ
ｏ高成分系の磁性膜を用いることが望ましい。これらの
組成の膜はセンサ−やＭＲヘッド用として要求される低
磁歪（１×１０-5の程度かそれ以下）特性を有する。
アス磁界が弱い場合は、(1) ＮｉXＣｏY ＦｅZ を主成
分とし、原子組成比が、(1´)Ｘ＝0.6 〜0.9 、Ｙ＝0
〜0.4、Ｚ＝0 〜0.3 の弱い磁界で飽和するＮｉ高成分
系の軟磁性膜が望ましい。また、バイアス磁界が十分大
きく大きなＭＲ変化を必要とする場合には、(2) Ｎｉ X
´ＣｏY´ＦｅZ´を主成分し、原子組成比が、(2´)Ｘ
´＝0 〜0.4 、Ｙ´＝0.2 〜0.95、Ｚ´＝0 〜0.5 のＣ
ｏ高成分系の磁性膜を用いることが望ましい。これらの
組成の膜はセンサ−やＭＲヘッド用として要求される低
磁歪（１×１０-5の程度かそれ以下）特性を有する。
【００２５】磁性膜３は極めて弱い磁界でも磁化反転し
やすい高透磁率磁性膜が望ましく、この条件を満足する
ものとしてはＣｏ系非晶質磁性膜やＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ
（センダスト）を主成分とする磁性膜がある。
やすい高透磁率磁性膜が望ましく、この条件を満足する
ものとしてはＣｏ系非晶質磁性膜やＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ
（センダスト）を主成分とする磁性膜がある。
【００２６】非磁性金属膜４は磁性膜２、３と固溶しに
くいＣｕ、Ａｇ、Ａｕのいずれかであることが望まし
く、特にＣｕが好ましい。硬質磁性膜１は保磁力が十分
大きい磁石材料で、かつ耐蝕性の良好なものが望まし
く、一例としてはＣｏＰｔ等があげられる。
くいＣｕ、Ａｇ、Ａｕのいずれかであることが望まし
く、特にＣｕが好ましい。硬質磁性膜１は保磁力が十分
大きい磁石材料で、かつ耐蝕性の良好なものが望まし
く、一例としてはＣｏＰｔ等があげられる。
【００２７】ヨーク５は軟磁性で高透磁率のものが望ま
しく、一例としてはＣｏ系の非晶質磁性膜があげられ
る。以上の構成を有するので、磁性膜２は硬質磁性膜１
により一方向に磁化されており、外部磁界もしくはヨー
ク５により導かれる弱い信号磁界によって磁化方向が変
化しないように固定されている。一方高透磁率軟磁性膜
３は非磁性金属膜４によって磁性膜２との磁気的結合か
ら隔離され、かつ磁性膜２の磁気シールドにより硬質磁
性膜１の磁界の影響からも隔離されているため、外部磁
界もしくはヨーク５からの信号磁界により容易に磁化反
転することが可能である。
しく、一例としてはＣｏ系の非晶質磁性膜があげられ
る。以上の構成を有するので、磁性膜２は硬質磁性膜１
により一方向に磁化されており、外部磁界もしくはヨー
ク５により導かれる弱い信号磁界によって磁化方向が変
化しないように固定されている。一方高透磁率軟磁性膜
３は非磁性金属膜４によって磁性膜２との磁気的結合か
ら隔離され、かつ磁性膜２の磁気シールドにより硬質磁
性膜１の磁界の影響からも隔離されているため、外部磁
界もしくはヨーク５からの信号磁界により容易に磁化反
転することが可能である。
【００２８】従って硬質磁性膜のバイアス磁界方向と反
対に外部磁界もしくはヨーク５より弱い信号磁界が印加
されると高透磁率軟磁性膜３はその方向に磁化反転し、
磁性膜２とは磁化方向が反平行となる。この時素子を流
れる電流の電子は主に磁性膜２／非磁性金属膜４／高透
磁率軟磁性膜３の界面に於いて磁気的散乱を受け、抵抗
が増加する。一方硬質磁性膜のバイアス磁界方向に信号
磁界が印加されると、磁性膜２と高透磁率軟磁性膜３の
磁化方向は平行となり、上記の磁気的散乱が低減し抵抗
が減少する。上記の原理により素子は信号磁界変化によ
り、大きな磁気抵抗変化を示す。
対に外部磁界もしくはヨーク５より弱い信号磁界が印加
されると高透磁率軟磁性膜３はその方向に磁化反転し、
磁性膜２とは磁化方向が反平行となる。この時素子を流
れる電流の電子は主に磁性膜２／非磁性金属膜４／高透
磁率軟磁性膜３の界面に於いて磁気的散乱を受け、抵抗
が増加する。一方硬質磁性膜のバイアス磁界方向に信号
磁界が印加されると、磁性膜２と高透磁率軟磁性膜３の
磁化方向は平行となり、上記の磁気的散乱が低減し抵抗
が減少する。上記の原理により素子は信号磁界変化によ
り、大きな磁気抵抗変化を示す。
【００２９】磁性膜２は低磁歪の膜であることが必要で
ある。これは実用上磁歪が大きいとノイズの原因や特性
のばらつきが生じるからである。この条件を満足するも
のには上記の(1) 式で示されるＮｉ高成分系の膜と(2)
式で示されるＣｏ高成分系の膜がある。(1) 式のＮｉ高
成分系の膜のＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ系合金はその組成比が前
記(1´)式を満足するとき磁歪が小さく軟磁性を示す。
その代表的なものはＮｉ0.8 Ｆｅ0.2 、Ｎｉ0.8 Ｃｏ
0.15Ｆｅ0.05、Ｎｉ0.68Ｃｏ0.2 Ｆｅ0.12等である。ま
た、更に軟磁性を改良したり耐摩耗性及び耐食性を改良
するために(1) の組成や以下で述べる(2) の組成にＮ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｒｕ等を添加しても良い。一方
(2) 式のＣｏ−高成分系のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金は(2
´)式を満足するときやはり低磁歪となる。その代表的
なものはＣｏ0.9 Ｆｅ0.1 、Ｃｏ0.7 Ｎｉ0.1 Ｆｅ0.2
等である。
ある。これは実用上磁歪が大きいとノイズの原因や特性
のばらつきが生じるからである。この条件を満足するも
のには上記の(1) 式で示されるＮｉ高成分系の膜と(2)
式で示されるＣｏ高成分系の膜がある。(1) 式のＮｉ高
成分系の膜のＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ系合金はその組成比が前
記(1´)式を満足するとき磁歪が小さく軟磁性を示す。
その代表的なものはＮｉ0.8 Ｆｅ0.2 、Ｎｉ0.8 Ｃｏ
0.15Ｆｅ0.05、Ｎｉ0.68Ｃｏ0.2 Ｆｅ0.12等である。ま
た、更に軟磁性を改良したり耐摩耗性及び耐食性を改良
するために(1) の組成や以下で述べる(2) の組成にＮ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｒｕ等を添加しても良い。一方
(2) 式のＣｏ−高成分系のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金は(2
´)式を満足するときやはり低磁歪となる。その代表的
なものはＣｏ0.9 Ｆｅ0.1 、Ｃｏ0.7 Ｎｉ0.1 Ｆｅ0.2
等である。
【００３０】磁性膜２は硬質磁性膜１により磁化されや
すい膜であれば良く、用いる硬質磁性膜１の特性に応じ
て磁性膜２を上記組成のＮｉ−高成分系かＣｏ−高成分
系にするかを決定すれば良い。大きなＭＲ特性を得るに
はＣｏ−高成分系の膜を用いることが望ましい。
すい膜であれば良く、用いる硬質磁性膜１の特性に応じ
て磁性膜２を上記組成のＮｉ−高成分系かＣｏ−高成分
系にするかを決定すれば良い。大きなＭＲ特性を得るに
はＣｏ−高成分系の膜を用いることが望ましい。
【００３１】軟磁性膜３は、微小磁界でも磁化反転が生
じ易い高透磁率軟磁性膜であることが望ましく、Ｃｏ−
（Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ）等のＣｏ系非晶質磁性膜やＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ（センダスト）等がその例である。
じ易い高透磁率軟磁性膜であることが望ましく、Ｃｏ−
（Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ）等のＣｏ系非晶質磁性膜やＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ（センダスト）等がその例である。
【００３２】これらの磁性膜２と高透磁率軟磁性膜３と
の間に介在させる非磁性金属膜４はこれらの磁性膜との
界面での反応が少なく、かつ磁性膜２、３の間の磁気的
結合を断つために非磁性であることが必要で、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ等が適しており、特にＭＲ特性的にはＣｕが望
ましい。非磁性金属膜４の厚さが１０ｎｍより厚くなる
と素子全体のＭＲ変化率が低下し、又非磁性金属膜４の
厚さが１ｎｍ未満となると磁性膜２、３が磁気的に結合
してしまい大きな磁気抵抗効果は得られない。
の間に介在させる非磁性金属膜４はこれらの磁性膜との
界面での反応が少なく、かつ磁性膜２、３の間の磁気的
結合を断つために非磁性であることが必要で、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ等が適しており、特にＭＲ特性的にはＣｕが望
ましい。非磁性金属膜４の厚さが１０ｎｍより厚くなる
と素子全体のＭＲ変化率が低下し、又非磁性金属膜４の
厚さが１ｎｍ未満となると磁性膜２、３が磁気的に結合
してしまい大きな磁気抵抗効果は得られない。
【００３３】硬質磁性膜１は保磁力が十分大きい磁石材
料で、かつ耐蝕性の良好なものが望ましく、一例として
はＣｏＰｔ等があげられる。ヨーク５は軟磁性で高透磁
率のものが望ましく、一例としては非晶質磁性膜のＣｏ
82Ｎｂ12Ｚｒ6 等があげられる。
料で、かつ耐蝕性の良好なものが望ましく、一例として
はＣｏＰｔ等があげられる。ヨーク５は軟磁性で高透磁
率のものが望ましく、一例としては非晶質磁性膜のＣｏ
82Ｎｂ12Ｚｒ6 等があげられる。
【００３４】以下具体的な実施例の説明を行う。 （実施例１）ターゲットにＣｏ0.7 Ｎｉ0.1 Ｆｅ
0.2 （磁性膜２）、Ｃｏ79Ｎｂ14Ｚｒ7 （軟磁性膜
３）、Ｃｕ（非磁性金属膜４）、Ｃｏ0.75Ｐｔ0.25（硬
質磁性膜１）を用い（組成はすべて原子％）、多元スパ
ッタ装置により基板上に、基板／ＣｏＮｂＺｒ（20）／
Ｃｕ（2.2)／ＣｏＮｉＦｅ（20）／ＣｏＰｔ（20)［（)
内は厚さ（ｎｍ）を表わす］を成膜した。なお各膜厚は
シャッターで制御し、軟磁性膜３は磁界中で成膜して一
軸異方性を付加した。硬質磁性膜１のＣｏＰｔを着磁し
た後、リソグラフィーによりパターニングして、図１に
示すような構成の磁気抵抗素子を作製した。得られた素
子のＭＲ特性を室温、印加磁界１００Ｏｅで測定したと
ころＭＲ比は10％で、ＭＲ変化が生じる磁界幅は２Ｏｅ
であった。
0.2 （磁性膜２）、Ｃｏ79Ｎｂ14Ｚｒ7 （軟磁性膜
３）、Ｃｕ（非磁性金属膜４）、Ｃｏ0.75Ｐｔ0.25（硬
質磁性膜１）を用い（組成はすべて原子％）、多元スパ
ッタ装置により基板上に、基板／ＣｏＮｂＺｒ（20）／
Ｃｕ（2.2)／ＣｏＮｉＦｅ（20）／ＣｏＰｔ（20)［（)
内は厚さ（ｎｍ）を表わす］を成膜した。なお各膜厚は
シャッターで制御し、軟磁性膜３は磁界中で成膜して一
軸異方性を付加した。硬質磁性膜１のＣｏＰｔを着磁し
た後、リソグラフィーによりパターニングして、図１に
示すような構成の磁気抵抗素子を作製した。得られた素
子のＭＲ特性を室温、印加磁界１００Ｏｅで測定したと
ころＭＲ比は10％で、ＭＲ変化が生じる磁界幅は２Ｏｅ
であった。
【００３５】（実施例２）ターゲットにＣｏ0.7 Ｎｉ
0.1 Ｆｅ0.2 （磁性膜２）、Ｆｅ85Ｓｉ9.6 Ａｌ
5. 4 （軟磁性膜３、この場合のみ重量％）、Ｃｕ（非磁
性金属膜４）、Ｃｏ0.75Ｐｔ0.25（硬質磁性膜１）を用
い、多元スパッタ装置により基板上に、基板／ＦｅＳｉ
Ａｌ（20）／Ｃｕ（2.2）／ＣｏＮｉＦｅ（20）／Ｃｏ
Ｐｔ（20)［()内は厚さ（ｎｍ）を表わす］を成膜し
た。なお各膜厚はシャッターで制御した。硬質磁性膜１
のＣｏＰｔを着磁した後、リソグラフィーによりパター
ニングして、図１に示すような構成の磁気抵抗素子を作
製した。得られた素子のＭＲ特性を室温、印加磁界１０
０Ｏｅで測定したところＭＲ比は10％で、ＭＲ変化が生
じる磁界幅は３Ｏｅであった。
0.1 Ｆｅ0.2 （磁性膜２）、Ｆｅ85Ｓｉ9.6 Ａｌ
5. 4 （軟磁性膜３、この場合のみ重量％）、Ｃｕ（非磁
性金属膜４）、Ｃｏ0.75Ｐｔ0.25（硬質磁性膜１）を用
い、多元スパッタ装置により基板上に、基板／ＦｅＳｉ
Ａｌ（20）／Ｃｕ（2.2）／ＣｏＮｉＦｅ（20）／Ｃｏ
Ｐｔ（20)［()内は厚さ（ｎｍ）を表わす］を成膜し
た。なお各膜厚はシャッターで制御した。硬質磁性膜１
のＣｏＰｔを着磁した後、リソグラフィーによりパター
ニングして、図１に示すような構成の磁気抵抗素子を作
製した。得られた素子のＭＲ特性を室温、印加磁界１０
０Ｏｅで測定したところＭＲ比は10％で、ＭＲ変化が生
じる磁界幅は３Ｏｅであった。
【００３６】（実施例３）実施例１と同様にターゲット
にＣｏ0.75Ｐｔ0.25（硬質磁性膜１）を用いてフェライ
ト（８）と絶縁膜（９）より成る基板上にＣｏＰｔを成
膜し、着磁した後リソグラフィーによりパターニング
し、この上にターゲットにＮｉ0.68Ｃｏ0.2Ｆｅ
0.12（磁性膜２）、Ｃｏ82Ｎｂ12Ｚｒ6 （軟磁性膜
３）、Ｃｕ（非磁性金属膜４）、ＳｉＯ2 （絶縁膜６）
を用いて磁性膜２、非磁性金属膜４、軟磁性膜３、絶縁
膜６を順次成膜し、更にこの上にタ−ゲットにＣｏ82Ｎ
ｂ12Ｚｒ6 （ヨーク５）を用いて成膜しリソグラフィー
によりパターニングしてヨーク部５を作製し、基板／Ｃ
ｏＰｔ(20)／ＮｉＣｏＦｅ(15)／Ｃｕ(2.2) ／ＣｏＮｂ
Ｚｒ(15)／ＳｉＯ(100) ／ＣｏＮｂＺｒ(1000)［（）内
は厚さ（ｎｍ）を表わす］より成り、図２に示すような
磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を作製した。
にＣｏ0.75Ｐｔ0.25（硬質磁性膜１）を用いてフェライ
ト（８）と絶縁膜（９）より成る基板上にＣｏＰｔを成
膜し、着磁した後リソグラフィーによりパターニング
し、この上にターゲットにＮｉ0.68Ｃｏ0.2Ｆｅ
0.12（磁性膜２）、Ｃｏ82Ｎｂ12Ｚｒ6 （軟磁性膜
３）、Ｃｕ（非磁性金属膜４）、ＳｉＯ2 （絶縁膜６）
を用いて磁性膜２、非磁性金属膜４、軟磁性膜３、絶縁
膜６を順次成膜し、更にこの上にタ−ゲットにＣｏ82Ｎ
ｂ12Ｚｒ6 （ヨーク５）を用いて成膜しリソグラフィー
によりパターニングしてヨーク部５を作製し、基板／Ｃ
ｏＰｔ(20)／ＮｉＣｏＦｅ(15)／Ｃｕ(2.2) ／ＣｏＮｂ
Ｚｒ(15)／ＳｉＯ(100) ／ＣｏＮｂＺｒ(1000)［（）内
は厚さ（ｎｍ）を表わす］より成り、図２に示すような
磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を作製した。
【００３７】比較のため従来材料のＮｉ80Ｆｅ20を磁気
抵抗効果膜に、Ｃｏ82Ｎｂ12Ｚｒ6をヨ−クに用いた従
来構成のＭＲヘッド作製を作製した。このＭＲヘッドと
上記の本発明ＭＲヘッドとに１００Ｏｅの交流信号磁界
を印加して両ヘッドの再生出力比較を行ったところ、本
実施例のＭＲヘッドは比較用の従来ヘッドに比べて約２
倍の出力を示すことがわかった。
抵抗効果膜に、Ｃｏ82Ｎｂ12Ｚｒ6をヨ−クに用いた従
来構成のＭＲヘッド作製を作製した。このＭＲヘッドと
上記の本発明ＭＲヘッドとに１００Ｏｅの交流信号磁界
を印加して両ヘッドの再生出力比較を行ったところ、本
実施例のＭＲヘッドは比較用の従来ヘッドに比べて約２
倍の出力を示すことがわかった。
【００３８】以上説明したように本実施例は、室温・微
小磁界で大きな磁気抵抗効果を示し、優れた特性の磁気
抵抗効果素子及びＭＲヘッドを可能とするものである。
小磁界で大きな磁気抵抗効果を示し、優れた特性の磁気
抵抗効果素子及びＭＲヘッドを可能とするものである。
【００３９】
【発明の効果】以上の通り本発明の磁気抵抗効果素子に
よれば、基板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬
質磁性膜と、これにより磁気的にバイアスされた磁性
膜、及び高透磁率軟磁性膜を少なくとも備えた磁気抵抗
効果素子であって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁性膜
との間に非磁性金属膜を備えたことにより、微小磁界動
作が可能でかつ大きなＭＲ比を示す高感度磁気抵抗素子
を実現できる。
よれば、基板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬
質磁性膜と、これにより磁気的にバイアスされた磁性
膜、及び高透磁率軟磁性膜を少なくとも備えた磁気抵抗
効果素子であって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁性膜
との間に非磁性金属膜を備えたことにより、微小磁界動
作が可能でかつ大きなＭＲ比を示す高感度磁気抵抗素子
を実現できる。
【００４０】また本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、基
板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬質磁性膜
と、これにより磁気的にバイアスされた磁性膜と、高透
磁率軟磁性膜と、磁気媒体からの信号磁束を軟磁性膜に
導くためのヨークとを少なくとも備えた磁気抵抗効果型
ヘッドであって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁性膜と
の間に非磁性金属膜を備えたことにより、微小磁界動作
が可能でかつ大きなＭＲ比を示す磁気抵抗効果型ヘッド
を実現できる。
板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬質磁性膜
と、これにより磁気的にバイアスされた磁性膜と、高透
磁率軟磁性膜と、磁気媒体からの信号磁束を軟磁性膜に
導くためのヨークとを少なくとも備えた磁気抵抗効果型
ヘッドであって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁性膜と
の間に非磁性金属膜を備えたことにより、微小磁界動作
が可能でかつ大きなＭＲ比を示す磁気抵抗効果型ヘッド
を実現できる。
【図１】本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子の概念断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の一実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの概
念断面図である。
念断面図である。
１：硬質磁性膜 ２：磁性膜 ３：高透磁率軟磁性膜 ４：非磁性金属膜 ５：ヨーク ６：絶縁膜 ７：基板 ８：フェライト ９：絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川分 康博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (20)
- 【請求項１】 基板上のいずれかの部分に高保持力を有
する硬質磁性膜と、これにより磁気的にバイアスされた
磁性膜、及び高透磁率軟磁性膜を少なくとも備えた磁気
抵抗効果素子であって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁
性膜との間に非磁性金属膜を備えたことを特徴とする磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 非磁性金属膜が、磁性膜と高透磁率軟磁
性膜との磁気的結合を隔離している請求項１に記載の磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項３】 硬質磁性膜は少なくとも二つの部分に分
割されて着磁されており、磁性膜に接している請求項１
に記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】 高透磁率軟磁性膜が非晶質磁性膜である
請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】 高透磁率軟磁性膜がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌを
主成分とする磁性膜である請求項１または２に記載の磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項６】 磁性膜が、ＮｉX ＣｏY ＦｅZ を主成分
とし、原子組成比でＸは0.6 〜0.9 、Ｙは0 〜0.4 、Ｚ
は0 〜0.3 の範囲である請求項１、２または３に記載の
磁気抵抗効果素子。 - 【請求項７】 磁性膜が、ＮｉX´ＣｏY´ＦｅZ´を主
成分し、原子組成比でX´は0 〜0.4 、Y´は0.2 〜0.9
5、Z´は0 〜0.5 の範囲である請求項１、２または３に
記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項８】 非磁性金属膜が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから
選ばれる少なくとも一つの元素を含む請求項１または２
に記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項９】 非磁性金属膜の膜厚が、１ｎｍ以上１０
ｎｍ以下の範囲である請求項１、２または８に記載の磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項１０】 硬質磁性膜が、ＣｏＰｔで形成されて
いる請求項１または３に記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項１１】 基板上のいずれかの部分に高保持力を
有する硬質磁性膜と、これにより磁気的にバイアスされ
た磁性膜と、高透磁率軟磁性膜と、磁気媒体からの信号
磁束を軟磁性膜に導くためのヨークとを少なくとも備え
た磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記磁性膜と前記高
透磁率軟磁性膜との間に非磁性金属膜を備えたことを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１２】 非磁性金属膜が、磁性膜と高透磁率軟
磁性膜との磁気的結合を隔離している請求項１１に記載
の磁気抵抗効果型ヘッド。磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 硬質磁性膜が少なくとも二つの部分に
分割されて着磁されており、磁性膜に接している請求項
１１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１４】 高透磁率軟磁性膜が非晶質磁性膜であ
る請求項１１または１２に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項１５】 高透磁率軟磁性膜がＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ
を主成分とする磁性膜である請求項１１または１２に記
載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１６】 磁性膜が、ＮｉX ＣｏY ＦｅZ を主成
分とし、原子組成比でＸは0.6 〜0.9 、Ｙは0 〜0.4 、
Ｚは0 〜0.3 の範囲である請求項１１、１２または１３
に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１７】 磁性膜が、ＮｉX´ＣｏY´ＦｅZ´を
主成分し、原子組成比でX´は0 〜0.4 、Y´は0.2 〜0.
95、Z´は0 〜0.5 の範囲である請求項１１、１２また
は１３に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１８】 非磁性金属膜が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕか
ら選ばれる少なくとも一つの元素を含む請求項１１また
は１２に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１９】 非磁性金属膜の膜厚が、１ｎｍ以上１
０ｎｍ以下の範囲である請求項１１、１２または１８に
記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２０】 硬質磁性膜が、ＣｏＰｔで形成されて
いる請求項１１または１３に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6136987A JPH088473A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6136987A JPH088473A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088473A true JPH088473A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15188138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6136987A Pending JPH088473A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088473A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198610B1 (en) | 1996-02-22 | 2001-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
| WO2004025745A1 (ja) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 磁気抵抗効果素子およびこの製造方法並びに使用方法 |
| CN113884956A (zh) * | 2020-07-02 | 2022-01-04 | 华润微电子控股有限公司 | 锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法 |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP6136987A patent/JPH088473A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198610B1 (en) | 1996-02-22 | 2001-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
| WO2004025745A1 (ja) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 磁気抵抗効果素子およびこの製造方法並びに使用方法 |
| CN113884956A (zh) * | 2020-07-02 | 2022-01-04 | 华润微电子控股有限公司 | 锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法 |
| CN113884956B (zh) * | 2020-07-02 | 2024-01-19 | 华润微电子控股有限公司 | 锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3293437B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子 | |
| US6118624A (en) | Magneto-resistance effect element having a magnetic biasing film | |
| JP2771128B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、メモリー素子、及び増幅素子 | |
| KR100238912B1 (ko) | 자기저항효과헤드 | |
| US7423850B2 (en) | CPP-GMR read head sensor with synthetic free layer providing suppression of spin torque noise | |
| JPH04358310A (ja) | 磁気抵抗センサ | |
| JPH04247607A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2009026400A (ja) | 差動磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| US6101072A (en) | Yoke type or flux guide type magnetoresistive head in which the yoke or flux guide is provided to the magnetic resistive element via an interposed soft magnetic layer | |
| JPH06243673A (ja) | メモリー素子 | |
| JPH1041132A (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
| JP3177184B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| EP0560350B1 (en) | Magneto-resistance effect element | |
| JPH088473A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH076329A (ja) | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| EP0620572B1 (en) | Element having magnetoresistive effect | |
| EP0755086A2 (en) | Magnetoresistive device | |
| JPH06310329A (ja) | 多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド | |
| JPH0745884A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP3243092B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH09260744A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH1049834A (ja) | 多層磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH0774022A (ja) | 多層磁気抵抗効果膜及び磁気ヘッド | |
| JPH07288347A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH05258248A (ja) | 多層磁気抵抗効果膜とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |