JP2003151896A - 高圧処理装置および高圧処理方法 - Google Patents

高圧処理装置および高圧処理方法

Info

Publication number
JP2003151896A
JP2003151896A JP2002202343A JP2002202343A JP2003151896A JP 2003151896 A JP2003151896 A JP 2003151896A JP 2002202343 A JP2002202343 A JP 2002202343A JP 2002202343 A JP2002202343 A JP 2002202343A JP 2003151896 A JP2003151896 A JP 2003151896A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
pressure
fluid
processed
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002202343A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4358486B2 (ja
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
Takashi Miyake
孝志 三宅
Kimitsugu Saito
公続 斉藤
Takahiko Ishii
孝彦 石井
Yoshihiko Sakashita
由彦 坂下
Katsumitsu Watanabe
克充 渡邉
Tomomi Iwata
智巳 岩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP2002202343A priority Critical patent/JP4358486B2/ja
Priority to PCT/JP2002/007401 priority patent/WO2003009932A1/ja
Priority to CNB028024729A priority patent/CN100366332C/zh
Priority to KR10-2003-7003751A priority patent/KR100539294B1/ko
Priority to US10/380,610 priority patent/US20040031441A1/en
Priority to TW091116319A priority patent/TWI227920B/zh
Publication of JP2003151896A publication Critical patent/JP2003151896A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4358486B2 publication Critical patent/JP4358486B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物
を処理流体として被処理体の表面に接触させて被処理体
の表面に対して所定の表面処理を施すに際して、その表
面処理の均一性を向上させるとともに、スループットを
向上させることができる高圧処理装置および高圧処理方
法を提供する。 【解決手段】 供給ノズル１３，１３から基板Ｗの表面
側に向けて処理流体を単に供給するのではなく、各供給
ノズル１３より供給された処理流体の流れ方向Ｒ１，Ｒ
１が基板Ｗの表面内で相互にずれている。そのため、基
板Ｗの表面上で処理流体の旋回流ＴＦが形成され、その
処理流体が基板Ｗの表面に接触して所定の表面処理（洗
浄処理、第１リンス処理、第２リンス処理、乾燥処理な
ど）が実行される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高圧流体あるいは
高圧流体と薬剤との混合物を処理流体とし、基板などの
被処理体の表面に接触させて前記被処理体の表面に対し
て所定の表面処理（現像処理、洗浄処理や乾燥処理な
ど）を施す高圧処理装置および高圧処理方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの微細化が近年急速に進
められているが、この微細化に伴って基板処理において
新たな問題が生じることとなった。例えば、基板上に塗
布されたレジストをパターニングして微細パターンを形
成する場合、現像処理、洗浄処理および乾燥処理をこの
順序で行う。ここで、アルカリ現像では基板に塗布され
たレジストを現像する現像処理では、不要なレジストを
除去するためにアルカリ性水溶液が使用され、洗浄処理
ではそのアルカリ性水溶液を除去するために（現像を停
止するために）純水などの洗浄液が使用され、乾燥処理
では基板を回転させることにより基板上に残っている洗
浄液に遠心力を作用させて基板から洗浄液を除去し、乾
燥させる（スピン乾燥）。このうち乾燥において、乾燥
の進展とともに洗浄液と気体との界面が基板上に現れ、
半導体デバイスの微細パターンの間隙にこの界面が現れ
ると、洗浄液の粘性により微細パターン同士が表面張力
により互いに引き寄せられて倒壊する問題があった。
【０００３】加えて、この微細パターンの倒壊には、洗
浄液を振り切る際の流体抵抗や、洗浄液が微細パターン
から排出される時に生じる印圧や、３０００ｒｐｍ超の
高速回転による空気抵抗や遠心力も関与していると考え
られている。
【０００４】この問題の解決のために、基板を圧力容器
内に設置し、低粘性、高拡散性の性質を持つ超臨界流体
（以下、「ＳＣＦ」という）を使用した高圧洗浄処理の
技術提案が従来よりなされている。その従来技術とし
て、例えば特開平８−２０６４８５号公報に記載された
洗浄装置がある。この洗浄装置は、洗浄槽（圧力容器）
内に基板などの被洗浄物質（被処理体）を装填した後、
その洗浄槽にＳＣＦを導入して被洗浄物質の洗浄を行っ
ている。また、この洗浄装置では、洗浄処理の均一化を
図るために、洗浄槽の開口部分に層流ダクト又はスノコ
を設置している。この層流ダクトやスノコには複数の孔
が一定の間隔で形成されており、その孔を通って、ＳＣ
Ｆが洗浄槽へ流入出する。こうして、被洗浄物質の表面
上にＳＣＦが所定方向に流れ、層流を形成する。このよ
うに、超臨界流体を洗浄槽内で均一に流すことにより、
被洗浄物質を均一に洗浄することが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単にＳ
ＣＦの層流を形成し、その層流に被処理体を曝したのみ
では、ある程度の均一性は得られるものの所望の均一性
を得られるまでには至っていない。また処理時間につい
ても、さらに短縮してスループットの向上を図ることが
所望されている。
【０００６】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処
理流体として被処理体の表面に接触させて被処理体の表
面に対して所定の表面処理を施すに際して、その表面処
理の均一性およびスループットを向上させることができ
る高圧処理装置および高圧処理方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、高圧流体あ
るいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として被処
理体の表面に接触させて前記被処理体の表面に対して所
定の表面処理を施す高圧処理装置および高圧処理方法で
あって、上記目的を達成するために、以下のように構成
している。
【０００８】この発明にかかる高圧処理装置は、その内
部に表面処理を行うための処理チャンバーを有する圧力
容器と、処理チャンバー内で被処理体を保持する保持手
段と、処理チャンバーに処理流体を導入して被処理体の
表面上に処理流体を供給する複数の導入手段とを備えて
いる（請求項１）。このように構成された発明では、複
数の導入手段が設けられており、処理流体が複数箇所か
ら被処理体の表面に沿って流れる。このため、単なる層
流を供給して表面処理を行っていた従来技術に比べて本
発明では、積極的に被処理体表面での撹拌が助長される
ので、表面処理の均一性を向上させることができるとと
もに、処理時間についても大幅に短縮することができ、
スループットを向上させることができる。
【０００９】また、この発明にかかる高圧処理装置は、
その内部に表面処理を行うための処理チャンバーを有す
る圧力容器と、処理チャンバー内で被処理体を保持する
保持手段と、処理チャンバーに処理流体を導入して被処
理体の表面上に処理流体を供給する導入手段と、保持手
段により保持されている被処理体を処理チャンバー内で
回転させる回転手段とを備えている（請求項５）。この
ように構成された発明では、導入手段から供給された処
理流体が回転手段により回転されている被処理体の表面
に沿って流れ込む。このため、被処理体の回転動作と、
被処理体の表面に沿った処理流体の流動動作との相互作
用によって被処理体表面での処理流体の撹拌が助長され
るとともに、処理流体の入れ換えが積極的に促進され
る。したがって、表面処理の均一性を向上させることが
できるとともに、処理時間についても大幅に短縮するこ
とができ、スループットを向上させることができる。
【００１０】また、この発明にかかる高圧処理装置は、
その内部に表面処理を行うための処理チャンバーを有す
る圧力容器と、処理チャンバー内で被処理体を保持する
保持手段と、処理チャンバーに処理流体を導入して被処
理体の表面上に処理流体を供給する導入手段と、処理チ
ャンバー内に供給された処理流体を撹拌する撹拌手段と
を備えている（請求項６）。このように構成された発明
では、導入手段から供給された処理流体が撹拌手段によ
り撹拌された状態で被処理体の表面に供給される。この
ため、処理流体の撹拌動作と、被処理体の表面に沿った
処理流体の流動動作との相互作用によって被処理体表面
での処理流体の撹拌が助長されるとともに、処理流体の
入れ換えが積極的に促進される。したがって、表面処理
の均一性を向上させることができるとともに、処理時間
についても大幅に短縮することができ、スループットを
向上させることができる。
【００１１】また、この発明にかかる高圧処理方法は、
被処理体の表面上に処理流体の旋回流を形成している
（請求項１５）。このように構成された発明では、被処
理体の表面に処理流体が単に供給されるのではなく、被
処理体の表面上で処理流体の旋回流を形成し、その処理
流体が被処理体の表面に接触して所定の表面処理（例え
ば、現像処理、洗浄処理、乾燥処理など）が実行され
る。したがって、単なる層流を供給して表面処理を行っ
ていた従来技術に比べて本発明では、積極的に被処理体
表面での撹拌が助長されるので、表面処理の均一性を向
上させることができるとともに、処理時間についても大
幅に短縮することができ、スループットを向上させるこ
とができる。
【００１２】さらに、この発明にかかる高圧処理方法
は、被処理体の表面に沿って処理流体を所定方向に流す
とともに、その処理流体に対して外乱を与えて処理流体
を被処理体の表面内において撹拌している（請求項１
６）。このように構成された発明では、被処理体の表面
に沿って処理流体が所定方向に流れているが、その処理
流体に対して外乱が与えられて処理流体が被処理体の表
面内において撹拌される。このように、被処理体の表面
には撹拌された状態で処理流体が接触して所定の表面処
理（例えば、現像処理、洗浄処理、乾燥処理など）が実
行される。したがって、本発明では撹拌に加えて処理流
体の入れ換えを積極的に促進しているため、単なる層流
を供給して表面処理を行っていた従来技術に比べて表面
処理の均一性を向上させることができるとともに、処理
時間についても大幅に短縮することができ、スループッ
トを向上させることができる。
【００１３】なお、本発明における「被処理体の表面」
とは、高圧処理を施すべき面を意味しており、被処理体
が例えば半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液
晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光デ
ィスク用基板などの各種基板である場合、その基板の両
主面のうち回路パターンなどが形成された一方主面に対
して高圧処理を施す必要がある場合には、該一方主面が
本発明の「被処理体の表面」に相当する。また、他方主
面に対して高圧処理を施す必要がある場合には、該他方
主面が本発明の「被処理体の表面」に相当する。もちろ
ん、両面実装基板のように両主面に対して高圧処理を施
す必要がある場合には、両主面が本発明の「被処理体の
表面」に相当する。
【００１４】また、本発明における表面処理とは、例え
ばレジストが付着した半導体基板のように汚染物質が付
着している被処理体から、汚染物質を剥離・除去する洗
浄処理が代表例としてあげられる。被処理体としては、
半導体基板に限定されず、金属、プラスチック、セラミ
ックス等の各種基材の上に、異種物質の非連続または連
続層が形成もしくは残留しているようなものが含まれ
る。また、洗浄処理に限られず、高圧流体と高圧流体以
外の薬剤を用いて、被処理体上から不要な物質を除去す
る処理（例えば、乾燥、現像等）は、全て本発明の高圧
処理装置および高圧処理方法の対象とすることができ
る。
【００１５】また、本発明において、用いられる高圧流
体としては、安全性、価格、超臨界状態にするのが容
易、といった点で、二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素
以外には、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等
も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が
大きく、溶解した汚染物質を媒体中に分散することがで
きるためであり、より高圧にして超臨界流体にした場合
には、気体と液体の中間の性質を有するようになって微
細なパターン部分にもより一層浸透することができるよ
うになるためである。また、高圧流体の密度は、液体に
近く、気体に比べて遥かに大量の添加剤（薬剤）を含む
ことができる。
【００１６】ここで、本発明における高圧流体とは、１
ＭＰａ以上の圧力の流体である。好ましく用いることの
できる高圧流体は、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散
性の性質が認められる流体であり、さらに好ましいもの
は超臨界状態または亜臨界状態の流体である。二酸化炭
素を超臨界流体とするには３１゜Ｃ、７．１ＭＰａ以上
とすればよい。洗浄並びに洗浄後のリンス工程や乾燥・
現像工程等は、５〜３０ＭＰａの亜臨界（高圧流体）ま
たは超臨界流体を用いることが好ましく、７．１〜２０
ＭＰａ下でこれらの処理を行うことがより好ましい。な
お、後の「発明の実施の形態」では、表面処理として洗
浄処理および乾燥処理を実施する場合について説明する
が、上述したように高圧処理は洗浄処理および乾燥処理
のみには限られない。
【００１７】本発明においては、半導体基板に付着した
レジストやエッチングポリマー等の高分子汚染物質も除
去するため、二酸化炭素等の高圧流体のみからなる処理
流体を用いた場合では洗浄力が不充分である点を考慮し
て、薬剤を添加して洗浄処理を行う。薬剤としては、洗
浄成分として塩基性化合物を用いることが好ましい。レ
ジストに多用される高分子物質を加水分解する作用があ
り、洗浄効果が高いためである。塩基性化合物の具体例
としては、第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモ
ニウムフッ化物、アルキルアミン、アルカノールアミ
ン、ヒドロキシルアミン（ＮＨ２ＯＨ）およびフッ化ア
ンモニウム（ＮＨ４Ｆ）よりなる群から選択される１種
以上の化合物が挙げられる。洗浄成分は、高圧流体に対
し、０．０５〜８質量％含まれていることが好ましい。
なお、乾燥や現像のために本発明の高圧処理装置を用い
る場合は、乾燥または現像すべきレジストの性質に応じ
て、キシレン、メチルイソブチルケトン、第４級アンモ
ニウム化合物、フッ素系ポリマー等を薬剤とすればよ
い。
【００１８】上記塩基性化合物等の洗浄成分が高圧流体
に対して溶解度が低い場合には、この洗浄成分を高圧流
体に溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶化
剤を第２の薬剤として用いることが好ましい。この相溶
化剤は、洗浄工程終了後のリンス工程で、汚れを再付着
させないようにする作用も有している。
【００１９】相溶化剤としては、洗浄成分を高圧流体と
相溶化させることができれば特に限定されないが、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類や、ジメチルスルホキシド等のアルキルスルホキシド
が好ましいものとして挙げられる。洗浄工程では、相溶
化剤は高圧流体の５０質量％以下の範囲で適宜選択すれ
ばよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る高圧処理装
置の第１実施形態の全体構成を示す図であり、図２は、
図１の高圧処理装置における圧力容器およびその内部構
造を示す図である。この高圧処理装置は、圧力容器１の
内部に形成される処理チャンバー１１に超臨界二酸化炭
素（高圧流体）または超臨界二酸化炭素と薬剤との混合
物を処理流体として導入し、その処理チャンバー１１に
おいて保持されている略円形の半導体ウエハなどの基板
（被処理体）Ｗに対して所定の洗浄および乾燥処理を行
う装置である。以下、その構成および動作について詳細
に説明する。
【００２１】この高圧処理装置では、超臨界二酸化炭素
を繰り返して循環使用する一方、処理チャンバー１１を
大気圧に開放するなどによって系内の二酸化炭素が減少
すると、ボンベ２から液体状の二酸化炭素を補給するよ
うに構成されている。このボンベ２は凝縮器などからな
る液化部３と接続されており、ボンベ２内に二酸化炭素
が５〜６ＭＰａの圧力で液体状流体として貯留されてお
り、この液体二酸化炭素が図示しないポンプによりボン
ベ２より取り出され液化部３を介して系内に補給され
る。
【００２２】この液化部３の出力側には加圧ポンプなど
の昇圧器４が接続されており、この昇圧器４で液化二酸
化炭素を加圧して高圧液化二酸化炭素を得るとともに、
高圧液化二酸化炭素を加熱器５および高圧弁Ｖ１を介し
て混合器６に圧送する。
【００２３】このように圧送される高圧液化二酸化炭素
は加熱器５で加熱されて表面処理（洗浄処理および乾燥
処理）に適した温度にまで加熱され、超臨界二酸化炭素
となり、高圧弁Ｖ１を介して混合器６に送られる。
【００２４】この混合器６には、基板Ｗの表面処理に適
した薬剤を貯蔵・供給する２種類の薬剤供給部、つまり
第１薬剤供給部７ａおよび第２薬剤供給部７ｂがそれぞ
れ高圧弁Ｖ３およびＶ４を介して接続されている。この
ため、高圧弁Ｖ３、Ｖ４の開閉制御によって第１薬剤供
給部７ａから第１薬剤が、また第２薬剤供給部７ｂから
第２薬剤が開閉制御に応じた量だけ混合器６にそれぞれ
供給されて超臨界二酸化炭素に対する薬剤の混合量が調
整される。このように、この実施形態では、処理流体と
して「超臨界二酸化炭素」、「超臨界二酸化炭素＋第１
薬剤」、「超臨界二酸化炭素＋第２薬剤」および「超臨
界二酸化炭素＋第１薬剤＋第２薬剤」を選択的に調製し
て圧力容器１の処理チャンバー１１に供給可能となって
おり、表面処理の内容に応じて適宜高圧弁Ｖ３、Ｖ４を
装置全体を制御部（図示書略）により開閉制御すること
によって処理流体の種類を選択するとともに、薬剤濃度
をコントロールすることができるように構成されてい
る。
【００２５】この圧力容器１の内部、つまり処理チャン
バー１１には、図２に示すように、基板Ｗを保持する基
板保持部１２が設けられている。この基板保持部１２
は、圧力容器１の内底部に固着された保持本体１２１
と、保持本体１２１の上面から上方に突設された３本の
支持ピン１２２とで構成されており、表面処理（高圧処
理）を施すべき表面Ｓ1を上向きにした状態で３本の支
持ピン１２２によって１枚の基板Ｗの外縁部を支持可能
となっている。そして、圧力容器１の側面部に設けられ
たゲートバルブ（図示省略）を開き、搬送ロボットによ
ってゲートバルブを介して未処理の基板Ｗを１枚、基板
保持部１２に搬入した後、ゲートバルブを閉じて後述す
るようにして表面処理を施す一方、表面処理後にゲート
バルブを開いて処理済みの基板Ｗを搬送ロボットによっ
て搬出することができるように構成されている。このよ
うに、この実施形態では、基板Ｗを１枚ずつ保持して所
定の表面処理を行う、いわゆる枚葉方式の高圧処理装置
となっている。
【００２６】また、この圧力容器１の上面には、２本の
供給ノズル１３，１３が取り付けられており、混合器６
から送られてくる処理流体を基板保持部１２により保持
されている基板Ｗの表面に向けて吐出する。特に、この
実施形態では、図２に示すように、各供給ノズル１３か
ら供給される処理流体の流れ方向Ｒ１が基板Ｗの表面Ｓ
1（図２（ｂ）の紙面）内で相互にずれ、また、基板Ｗ
の接線方向と略平行となるように配置されている。同図
の矢印で示すように処理流体は基板Ｗの表面Ｓ1上で旋
回流ＴＦを形成する。このように、この実施形態では供
給ノズル１３，１３が基板保持部（保持手段）１２によ
り保持されている基板Ｗの表面Ｓ1に処理流体を供給す
る導入手段として機能している。
【００２７】さらに、圧力容器１の下面には、排気ポー
ト１４が設けられており、処理チャンバー１１内の処理
流体や表面処理に伴い発生する汚染物質などを圧力容器
１の外に排気可能となっている。
【００２８】このように構成された圧力容器１の排気ポ
ート１４には、高圧弁Ｖ２を介して減圧器などからなる
ガス化部８が接続されており、減圧処理によって排気ポ
ート１４を介して処理チャンバー１１から排気される流
体（処理流体＋汚染物質など）を完全にガス化して分離
回収部９に送り込む。また、この分離回収部９では、二
酸化炭素を気体成分とし、汚染物質と薬剤の混合物を液
体成分として気液分離する。ここで、汚染物質は固体と
して析出し、薬剤の中に混入して分離されることもあ
る。また、分離回収部９としては、単蒸留、蒸留（精
留）、フラッシュ分離等の気液分離を行うことができる
種々の装置や、遠心分解機などを使用することができ
る。
【００２９】このように、この実施形態では、ガス化部
８を用いて処理チャンバー１１から排気される流体（処
理流体＋汚染物質など）を分離回収部９に送り込む前に
予め完全にガス化しているが、その理由は、減圧された
二酸化炭素等の流体が温度との関係で気体状流体（炭酸
ガス）と液体状流体（液化二酸化炭素）との混合物とな
るため、分離回収部９での分離効率および二酸化炭素の
リサイクル効率を向上させる観点からである。
【００３０】なお、分離回収部９で分離された汚染物質
を含む洗浄成分や相溶化剤からなる液体（または固体）
成分は、分離回収部９から排出され、必要に応じて後処
理される。一方、気体成分の二酸化炭素については、液
化部３に送り込んで再利用に供する。
【００３１】次に、上記のように構成された高圧処理装
置の動作について説明する。この高圧処理装置は、前工
程、例えば現像工程において現像液による現像処理が施
された基板Ｗを受取り、制御部のメモリ（図示省略）に
予め記憶されているプログラムにしたがって制御部が装
置各部を制御して洗浄工程、リンス工程および乾燥工程
をこの順序で行う装置である。その動作は以下のとおり
である。
【００３２】まず、圧力容器１の側面部に設けられたゲ
ートバルブを開く。そして、搬送ロボットによってゲー
トバルブを介して未処理の基板Ｗが１枚搬入され、表面
処理（高圧処理）を施すべき表面Ｓ1を上向きにした状
態で基板保持部１２に載置されると、基板保持部１２の
支持ピン１２２で基板Ｗを保持する。こうして基板保持
が完了するとともに、搬送ロボットが処理チャンバー１
１から退避すると、ゲートバルブを閉じて洗浄工程を行
う。
【００３３】この洗浄工程では、系内の液化二酸化炭素
を昇圧器４で加圧して高圧液化二酸化炭素を形成し、さ
らにその高圧液化二酸化炭素を加熱器５で加熱して超臨
界二酸化炭素を形成しつつ、高圧弁Ｖ１を開いて混合器
６に送り込む。また、薬剤用の高圧弁Ｖ３，Ｖ４をとも
に開いて第１薬剤供給部７ａおよび第２薬剤供給部７ｂ
を供給モードとし、第１薬剤供給部７ａから第１薬剤を
混合器６へと圧送するとともに、第２薬剤供給部７ｂか
ら第１薬剤を混合器６へと圧送する。これによって、こ
れら第１および第２薬剤が超臨界二酸化炭素に混合され
て洗浄処理に適した処理流体が調製される。
【００３４】そして、混合器６で調製された処理流体が
圧力容器１の供給ノズル１３，１３より基板保持部１２
により保持されている基板Ｗの表面Ｓ1に向けて吐出さ
れる。このとき、この実施形態では、上記したように各
供給ノズル１３から供給される処理流体の流れ方向Ｒ１
が基板Ｗの表面Ｓ1（図２（ｂ）の紙面）内で相互にず
れているため、基板Ｗの表面Ｓ1上で処理流体の旋回流
ＴＦが形成され、基板Ｗの表面Ｓ1に接触して所定の洗
浄処理が実行される。なお、洗浄工程中は、処理チャン
バー１１の下流の高圧弁Ｖ２は閉じられている。
【００３５】この洗浄工程によって基板Ｗに付着してい
た汚染物質は、処理チャンバー１１内の処理流体（超臨
界二酸化炭素＋第１薬剤＋第２薬剤）に溶解することと
なる。ここで、例えば第１薬剤を洗浄成分とし、第２薬
剤を相溶化剤と設定すると、汚染物質は洗浄成分（第１
薬剤）および相溶化剤（第２薬剤）の働きにより超臨界
二酸化炭素に溶解しているので、処理チャンバー１１に
超臨界二酸化炭素のみを流通させると、溶解していた汚
染物質が析出する可能性があるため、洗浄工程後に超臨
界二酸化炭素と相溶化剤からなる第１リンス用処理流体
による第１リンス工程と、超臨界二酸化炭素のみからな
る第２リンス用処理流体による第２リンス工程とをこの
順序で行うのが望ましい。
【００３６】そこで、この実施形態では、第１および第
２薬剤の供給開始、つまり洗浄工程の開始から所定時間
経過すると、高圧弁Ｖ３を閉じて第１薬剤供給部７ａを
供給停止モードとし、第１薬剤供給部７ａからの第１薬
剤（洗浄成分）の混合器６へと圧送を停止して混合器６
において超臨界二酸化炭素と相溶化剤とを混合させて第
１リンス用処理流体を調製し、処理チャンバー１１に供
給する。また、これと同時に、高圧弁Ｖ２を開く。これ
によって第１リンス用処理流体が処理チャンバー１１内
を流通して処理チャンバー１１内の洗浄成分および汚染
物質が次第に少なくなっていき、最終的には第１リンス
用処理流体（超臨界二酸化炭素＋相溶化剤）で満たされ
ることとなる。
【００３７】こうして、第１リンス工程が完了すると、
続いて第２リンス工程を行う。この第２リンス工程で
は、さらに高圧弁Ｖ４を閉じて第２薬剤供給部７ｂを供
給停止モードとし、第２薬剤供給部７ｂからの第２薬剤
（相溶化剤）の混合器６へと圧送を停止して超臨界二酸
化炭素のみを第２リンス用処理流体として処理チャンバ
ー１１に供給する。これによって第２リンス用処理流体
が処理チャンバー１１内を流通して処理チャンバー１１
が第２リンス用処理流体（超臨界二酸化炭素）で満たさ
れることとなる。
【００３８】これに続いて、高圧弁Ｖ１を閉じて減圧
し、基板Ｗに対する乾燥処理を実行する。そして、処理
チャンバー１１が大気圧に戻ると、圧力容器１の側面部
に設けられたゲートバルブを開く。そして、搬送ロボッ
トによってゲートバルブを介して処理済みの基板Ｗが搬
出されて一連の処理（洗浄処理＋第１リンス処理＋第２
リンス処理＋乾燥処理）が完了する。そして、次の未処
理基板が搬送されてくると、上記動作が繰り返されてい
く。
【００３９】以上のように、この実施形態によれば、複
数の供給ノズル１３，１３から基板Ｗの表面Ｓ1に向け
て処理流体を供給するように構成しているので、処理流
体が複数箇所から基板Ｗの表面Ｓ1に沿って流れ、基板
Ｗの表面Ｓ1と接触して所定の表面処理が行われる。し
たがって、単なる層流を供給して表面処理を行っていた
従来技術に比べて表面処理の均一性を向上させることが
できるとともに、処理時間についても大幅に短縮するこ
とができ、スループットを向上させることができる。
【００４０】また、この実施形態では、単に複数箇所か
ら処理流体を供給するだけではなく、各供給ノズル１３
より供給された処理流体の流れ方向が基板Ｗの表面Ｓ1
内で相互にずれるように構成されているため、基板Ｗの
表面Ｓ1上で処理流体の旋回流ＴＦが形成され、その処
理流体が基板Ｗの表面Ｓ1に接触して所定の表面処理
（洗浄処理、第１リンス処理、第２リンス処理、乾燥処
理など）が実行されるので、表面処理の均一性およびス
ループットをさらに向上させることができる。
【００４１】図３は、本発明に係る高圧処理装置の第２
実施形態で採用されている圧力容器およびその内部構造
を示す図である。この第２実施形態は、基板保持部（保
持手段）１２によって複数枚の基板Ｗを同時に保持しな
がら、各基板Ｗに対して所定の表面処理（洗浄処理、第
１リンス処理、第２リンス処理、乾燥処理など）を実行
する、いわゆるバッチ方式の高圧処理装置であり、この
点で枚葉方式の第１実施形態と大きく相違している。
【００４２】すなわち、この第２実施形態では、図３
（ａ）に示すように、複数の基板Ｗ（この実施形態では
８枚の基板Ｗ）が互いに離間し、しかも互いに積層され
た状態で基板保持部１２の支持コラム１２３で保持され
ている。また、このように保持された複数の基板Ｗの各
々について、該基板Ｗに対応して２つの供給ノズル１
３，１３が設けられている。
【００４３】これらの供給ノズル１３のうち同図（ｂ）
の左手側に配置された供給ノズル１３Ｌは基板Ｗの積層
方向に沿って延びる供給管１５Ｌの側面に連通接続され
ており、混合器６から供給される処理流体が供給管１５
Ｌを介して各供給ノズル１３Ｌに導かれ、各供給ノズル
１３Ｌから対応する基板Ｗの表面側に吐出される。ま
た、同図（ｂ）の右手側に配置された供給ノズル１３Ｒ
については、基板Ｗの積層方向に沿って延びる供給管１
５Ｒの側面に連通接続され、混合器６から供給される処
理流体が供給管１５Ｒを介して各供給ノズル１３Ｒに導
かれ、各供給ノズル１３Ｒから対応する基板Ｗの表面側
に吐出される。しかも、この実施形態においても、各基
板Ｗに対応して設けられた一対の各供給ノズル１３Ｌ，
１３Ｒは、第１実施形態と同様に、各供給ノズル１３
Ｌ，１３Ｒからの処理流体の流れ方向Ｒ１，Ｒ１が該基
板Ｗの表面内で相互にずれるように、配置されている。
なお、その他の基本的構成は第１実施形態と同一である
ため、同一構成については同一符号を付して説明を省略
する。
【００４４】このように構成された高圧処理装置におい
ても、未処理の基板Ｗが搬送ロボットにより処理チャン
バー１１内に搬入されると、上記第１実施形態と同様
に、洗浄工程、第１リンス工程、第２リンス工程および
乾燥工程の順序で実行される。そして、各工程において
処理流体が処理チャンバー１１に供給される際、各基板
Ｗに対応して設けられた供給ノズル１３Ｌ，１３Ｒから
吐出される処理流体の流れ方向Ｒ１，Ｒ１が該基板Ｗの
表面内で相互にずれているため、いずれの基板Ｗにおい
ても、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。すな
わち、各基板Ｗに対応して設けられた複数の供給ノズル
１３，１３から基板Ｗの表面に向けて処理流体を供給す
るように構成しているので、処理流体が複数箇所から基
板Ｗの表面に沿って流れ、基板Ｗの表面と接触して所定
の表面処理が行われる。したがって、単なる層流を供給
して表面処理を行っていた従来技術に比べて表面処理の
均一性を向上させることができるとともに、処理時間に
ついても大幅に短縮することができ、スループットを向
上させることができる。
【００４５】また、この実施形態では、単に複数箇所か
ら処理流体を供給するだけではなく、各基板Ｗの表面上
で処理流体の旋回流ＴＦが形成され、その処理流体が基
板Ｗの表面に接触して所定の表面処理（洗浄処理、第１
リンス処理、第２リンス処理、乾燥処理など）が実行さ
れるので、表面処理の均一性およびスループットをさら
に向上させることができる。
【００４６】さらに、図３のバッチ式高圧処理装置で
は、処理流体が基板Ｗの両主面のうち上方向を向いた一
方主面のみならず下方向を向いた他方主面にも接触し、
両主面に上記一連の表面処理が同時に施される。
【００４７】図４は、本発明に係る高圧処理装置の第３
実施形態で採用されている圧力容器を示す図である。こ
の第３実施形態は、基板保持部（保持手段）１２によっ
て複数枚の基板Ｗを同時に保持しながら、各基板Ｗに対
して所定の表面処理（洗浄処理、第１リンス処理、第２
リンス処理、乾燥処理など）を実行する、いわゆるバッ
チ方式の高圧処理装置であり、この点で同じくバッチ方
式の第２実施形態と共通しているが、処理流体の供給方
式が大きく相違している。以下、第２実施形態との相違
点を中心に第３実施形態の構成および動作について説明
する。
【００４８】この第３実施形態では、第２実施形態と同
様に、図４に示すように、複数の基板Ｗが互いに離間
し、しかも互いに積層された状態で基板保持部１２の支
持コラム１２３で保持されている。しかしながら、ノズ
ル構成および配置関係が第２実施形態と大きく相違して
いる。すなわち、この第３実施形態では、複数の基板Ｗ
の各々について、該基板Ｗに対応して２つのノズル１
３，１４ａが基板Ｗの対称中心軸を挟んで対向配置され
ている。そして、これらのうちノズル１３が処理流体を
供給するための供給ノズルであり、もう一方のノズル１
４ａは基板Ｗの表面に沿って流れてきた処理流体を排気
するための排気ノズルであり、排気管１６の側面と連通
接続されて高圧弁Ｖ２を介してガス化部８に排気可能と
なっている。
【００４９】したがって、このように構成された高圧処
理装置では、混合器６（図１）から供給された処理流体
は供給管１５を介して各供給ノズル１３に分岐し、基板
Ｗの表面側に吐出されて排気ノズル１４ａ側に流通す
る。そして、排気ノズル１４ａは流れてきた処理流体を
吸い込み、排気管１６を介してガス化部８に向けて排気
する。
【００５０】ここで、単に供給ノズル１３と排気ノズル
１４ａとを各基板Ｗごとに設けたのみでは従来技術と同
様に基板Ｗの表面に処理流体の層流を形成したに過ぎな
いが、この実施形態では、図４に示すように、処理チャ
ンバー１１の上面にファン１７が追加的に設けられてお
り、基板Ｗの表面に沿って流れる処理流体に対して外乱
を与えて基板Ｗの表面内において撹拌するように構成さ
れている。
【００５１】上記のように構成された高圧処理装置にお
いても、未処理の基板Ｗが搬送ロボットにより処理チャ
ンバー１１内に搬入されると、上記第１および第２実施
形態と同様に、洗浄工程、第１リンス工程、第２リンス
工程および乾燥工程の順序で実行される。そして、各工
程において処理流体が処理チャンバー１１に供給される
際、各供給ノズル１３から処理流体を基板Ｗの表面に向
けて吐出させるとともに、ファン１７を作動させて基板
表面に沿って流れる処理流体に外乱を与えて撹拌してい
る。その結果、上記第１および第２実施形態と同様に、
その撹拌状態で処理流体が基板Ｗの表面に接触して所定
の表面処理（洗浄処理、第１リンス処理、第２リンス処
理、乾燥処理など）が実行されるので、単なる層流を供
給して表面処理を行っていた従来技術に比べて表面処理
の均一性を向上させることができるとともに、処理時間
についても大幅に短縮することができ、スループットを
向上させることができる。
【００５２】また、この実施形態では、本発明の「撹拌
手段」として機能するファン１７による処理流体の撹拌
動作と、基板Ｗの表面に沿った処理流体の流動動作との
相互作用によって基板表面での処理流体の撹拌が助長さ
れるとともに、処理流体の入れ換えが積極的に促進され
る。その結果、表面処理の均一性およびスループットを
さらに向上させることができる。
【００５３】なお、第３実施形態では、処理チャンバー
１１の上面にファン１７を配置しているが、ファンの配
設位置および／または個数については任意である。ま
た、この第３実施形態ではいわゆるバッチ方式の高圧処
理装置に本発明を適用した場合について説明したが、例
えば図５に示すように、いわゆる枚葉方式の高圧処理装
置（第４実施形態）に対して本発明を適用することも可
能である。
【００５４】また、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記第１および第２実施形態では、各基板
Ｗに対応して２つの供給ノズル１３，１３を設けている
が、各基板に対応するノズル個数は３以上であってもよ
く、要は基板に対応して設けた複数のノズルの各々から
供給される処理流体の流れ方向が基板の表面内で相互に
ずれるように構成することによって上記第１および第２
実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００５５】また、枚葉式の第１実施形態では、基板Ｗ
の両主面のうち上方向に向いた一方主面Ｓ1を本発明の
「表面」として所定の表面処理を施しているが、基板Ｗ
の他方主面に対して表面処理を施す場合には、例えば図
６（ａ）に示すように、他方主面Ｓ2を上方向に向けた
状態で支持ピン１２２によって保持するようにすればよ
い（第５実施形態）。また、両面実装基板のように両主
面に対して表面処理を施す必要がある場合には、例えば
同図（ｂ）に示すように、各主面Ｓ1，Ｓ2に対応して複
数の供給ノズル１３，１３を配置すればよい（第６実施
形態）。
【００５６】また、上記実施形態のいずれにおいても、
基板保持部１２によって保持された基板Ｗを固定配置し
たまま処理チャンバー１１に処理流体を供給して表面処
理を実行しているが、例えば図７や図８に示すように、
基板保持部１２にモータなどの回転手段（図示省略）を
連結して処理流体の供給と同時、あるいは前後して基板
Ｗを回転させるように構成してもよく、これによって基
板表面と処理流体との接触頻度が高くなり、処理効率を
さらに向上させることができる。特に、接触頻度を高め
て処理効率を向上させるために、最初に形成される旋回
流の旋回方向と反対方向に相対的に回転させるのが望ま
しい。また、基板Ｗの回転動作と、基板Ｗの表面に沿っ
た処理流体の流動動作との相互作用によって基板表面で
の処理流体の撹拌が助長されるとともに、処理流体の入
れ換えが積極的に促進される。その結果、表面処理の均
一性およびスループットをさらに向上させることができ
る。なお、図７は枚葉式の高圧処理装置（第７実施形
態）を示す一方、図８はバッチ式の高圧処理装置（第８
実施形態）を示している。
【００５７】また、上記実施形態では、各供給ノズル１
３から吐出される処理流体は基板Ｗの表面（主面）に向
けて供給されているが、図９に示すように、基板Ｗの側
方から供給するようにしてもよい（第９実施形態）。な
お、枚葉式の高圧処理装置においても、基板Ｗの側方か
ら処理流体を供給するように構成してもよいことはいう
までもない。
【００５８】また、図４、図５（ａ）、図７および図８
に示す実施形態では、各基板Ｗに対応して供給ノズル１
３から供給された処理流体を該供給ノズル１３に対応す
る排気ノズル１４ａで排気するように構成しているが、
各基板Ｗに対する供給ノズル１３の個数や配置などは任
意であり、また排気ノズル１４ａの個数や配置などにつ
いても任意である。例えば図１０に示すように、各基板
Ｗに対応して複数個の供給ノズル１３を該基板Ｗの外周
に沿って設けるとともに、複数個の排気ノズル１４ａを
該基板Ｗの外周に沿って設けるようにしてもよい（第１
０実施形態）。ここで、供給ノズル１３から供給される
処理流体の流れＲ1が同図（ａ）に示すようにほぼ平行
となるように供給ノズル１３を配置してもよいし、同図
（ｂ）に示すように流れＲ1が鋭角をなすように供給ノ
ズル１３を配置してもよい。
【００５９】また、上記実施形態では基板保持部１２が
基板Ｗを直接保持しているが、例えば図１１に示すよう
に基板Ｗを搬送用容器１００内に収容した状態で搬送す
ることも考えられる。この場合には搬送用容器１００を
基板保持部１２によって支持することにより基板Ｗを間
接的に保持するようにしてもよい。また、このように搬
送用容器１００に基板Ｗを単に収容するのみならず、基
板搬送途中に基板表面が自然乾燥するのを防止するた
め、搬送用容器１００に純水や有機溶媒などの保湿用液
１０１を入れてその表面が濡れた状態で基板搬送を行う
場合も同様である。
【００６０】また、上記実施形態では、供給ノズル１３
から処理流体を吐出するように構成しているが、供給ノ
ズル１３から噴霧させるように構成してもよく、この場
合、噴霧状に処理流体を供給することで処理効率を高め
ることができる。
【００６１】また、上記実施形態では、２種類の薬剤を
超臨界二酸化炭素（高圧流体）に混合させて処理流体を
調製しているが、薬剤の種類や数などについては任意で
ある。また、薬剤を使用しないで表面処理を行う場合に
は、薬剤供給部が不要となる。
【００６２】さらに、上記実施形態では、表面処理とし
て洗浄処理、第１リンス処理、第２リンス処理、乾燥処
理を実行しているが、本発明の適用対象はこれらすべて
の処理を行う高圧処理装置に限定されるものではなく、
これらの一部の処理を行う高圧処理装置、例えば現像工
程と洗浄・リンス工程が施された基板を受取り、乾燥処
理のみを行う装置や別の表面処理（現像処理など）を実
行する高圧処理装置などにも本発明を適用することがで
きる。
【００６３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、複数
の導入手段を設け、各導入手段から処理流体を被処理体
の表面に供給するように構成しているので、処理流体が
複数箇所から被処理体の表面に沿って流れ、被処理体の
表面と接触して所定の表面処理（例えば、現像処理、洗
浄処理、乾燥処理など）を行っている。したがって、単
なる層流を供給して表面処理を行っていた従来技術に比
べて表面処理の均一性を向上させることができるととも
に、処理時間についても大幅に短縮することができ、ス
ループットを向上させることができる。
【００６４】また、この発明によれば、導入手段から供
給された処理流体を、回転手段により回転されている被
処理体の表面に供給するように構成しているので、処理
流体が回転している被処理体の表面に沿って流れ、その
被処理体の表面と接触して所定の表面処理（例えば、現
像処理、洗浄処理、乾燥処理など）を行っている。ここ
では、被処理体の回転動作と、被処理体の表面に沿った
処理流体の流動動作との相互作用によって被処理体表面
で処理流体を積極的に撹拌することができるとともに、
処理流体の入れ換えを促進することができる。その結
果、表面処理の均一性を向上させることができるととも
に、処理時間についても大幅に短縮することができ、ス
ループットを向上させることができる。
【００６５】また、この発明によれば、導入手段から供
給された処理流体を撹拌手段により撹拌し、その撹拌状
態の処理流体を被処理体の表面に供給するように構成し
ているので、処理流体の撹拌動作と、被処理体の表面に
沿った処理流体の流動動作との相互作用によって被処理
体表面での処理流体の撹拌を助長することができるとと
もに、処理流体の入れ換えを促進させることができる。
その結果、表面処理の均一性を向上させることができる
とともに、処理時間についても大幅に短縮することがで
き、スループットを向上させることができる。
【００６６】また、この発明によれば、被処理体の表面
に処理流体を単に供給するのではなく、被処理体の表面
上で処理流体の旋回流が形成されるように構成している
ので、単なる層流を供給して表面処理を行っていた従来
技術に比べて表面処理の均一性を向上させることができ
るとともに、処理時間についても大幅に短縮することが
でき、スループットを向上させることができる。
【００６７】さらに、この発明によれば、被処理体の表
面に沿って処理流体が所定方向に流れているが、その処
理流体に対して外乱を与えて処理流体を被処理体の表面
内において撹拌するように構成しているので、単なる層
流を供給して表面処理を行っていた従来技術に比べて表
面処理の均一性を向上させることができるとともに、処
理時間についても大幅に短縮することができ、スループ
ットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高圧処理装置の第１実施形態の全
体構成を示す図である。
【図２】図１の高圧処理装置における圧力容器およびそ
の内部構造を示す図である。
【図３】本発明に係る高圧処理装置の第２実施形態で採
用されている圧力容器およびその内部構造を示す図であ
る。
【図４】本発明に係る高圧処理装置の第３実施形態で採
用されている圧力容器を示す図である。
【図５】本発明に係る高圧処理装置の第４実施形態を示
す図である。
【図６】本発明に係る高圧処理装置の第５および第６実
施形態を示す図である。
【図７】本発明に係る高圧処理装置の第７実施形態を示
す図である。
【図８】本発明に係る高圧処理装置の第８実施形態を示
す図である。
【図９】本発明に係る高圧処理装置の第９実施形態を示
す図である。
【図１０】本発明に係る高圧処理装置の第１０実施形態
を示す図である。
【図１１】基板の搬送形態を示す図である。
【符号の説明】
１…圧力容器 １１…処理チャンバー １２…基板保持部（保持手段） １３，１３Ｌ，１３Ｒ…供給ノズル（導入手段） １４…排気ポート（排気手段） １４ａ…排気ノズル（排気手段） １７…ファン（撹拌手段） １００…搬送用容器 Ｒ１…流れ方向 ＴＦ…旋回流 Ｗ…基板（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 3/04 Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｂ Ｂ０８Ｂ 3/02 3/10 Ｚ 3/10 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１Ｌ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１ 21/30 ５６９Ａ ５６９Ｃ (72)発明者 村岡 祐介 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 三宅 孝志 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 斉藤 公続 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 石井 孝彦 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 (72)発明者 坂下 由彦 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 (72)発明者 渡邉 克充 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 (72)発明者 岩田 智巳 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB03 AB34 AB44 BB23 BB92 BB94 CB12 5F046 LA03 LA04 LA05 LA06 LA07 LA08 LA12 LA14 LA19

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混
    合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記
    被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理
    装置において、 その内部に前記表面処理を行うための処理チャンバーを
    有する圧力容器と、 前記処理チャンバー内で被処理体を保持する保持手段
    と、 前記処理チャンバーに処理流体を導入して前記被処理体
    の表面上に処理流体を供給する複数の導入手段と、を備
    えることを特徴とする高圧処理装置。
  2. 【請求項２】 前記複数の導入手段のうちの少なくとも
    ２つ以上の導入手段が、互いに前記被処理体を挟んで配
    置されていることを特徴とする請求項１に記載の高圧処
    理装置。
  3. 【請求項３】 前記複数の導入手段が、各導入手段によ
    り供給された処理流体の流れ方向が前記被処理体の表面
    内で相互にずれるように、配置されていることを特徴と
    する請求項１に記載の高圧処理装置。
  4. 【請求項４】 前記複数の導入手段の少なくとも１つは
    被処理体に向けて処理流体を噴霧するノズルであること
    を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高圧
    処理装置。
  5. 【請求項５】 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混
    合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記
    被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理
    装置において、 その内部に前記表面処理を行うための処理チャンバーを
    有する圧力容器と、 前記処理チャンバー内で被処理体を保持する保持手段
    と、 前記処理チャンバーに処理流体を導入して前記被処理体
    の表面上に処理流体を供給する導入手段と、 前記保持手段により保持されている被処理体を前記処理
    チャンバー内で回転させる回転手段とを備えることを特
    徴とする高圧処理装置。
  6. 【請求項６】 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混
    合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記
    被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理
    装置において、 その内部に前記表面処理を行うための処理チャンバーを
    有する圧力容器と、 前記処理チャンバー内で被処理体を保持する保持手段
    と、 前記処理チャンバーに処理流体を導入して前記被処理体
    の表面上に処理流体を供給する導入手段と、 前記処理チャンバー内に供給された処理流体を撹拌する
    撹拌手段とを備えることを特徴とする高圧処理装置。
  7. 【請求項７】 前記導入手段は被処理体に向けて処理流
    体を噴霧するノズルであることを特徴とする請求項５ま
    たは６に記載の高圧処理装置。
  8. 【請求項８】 前記導入手段は、前記保持手段により保
    持されている被処理体の側方から処理流体を該被処理体
    に向けて供給することを特徴とする請求項１ないし７の
    いずれかに記載の高圧処理装置。
  9. 【請求項９】 前記導入手段は被処理体の表面に向けて
    処理流体を供給するノズルであることを特徴とする請求
    項１ないし７のいずれかに記載の高圧処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記被処理体は基板であり、前記保持
    手段は前記基板を１枚保持することを特徴とする請求項
    １ないし９のいずれかに記載の高圧処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記被処理体は基板であり、 前記保持手段は、複数の基板を互いに離間し、しかも互
    いに積層された状態で保持することを特徴とする請求項
    １ないし９のいずれかに記載の高圧処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記被処理体は略円形の基板で、前記
    導入手段により供給された処理流体の流れ方向が前記略
    円形基板の接線方向になるよう前記導入手段が配置され
    ることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記
    載の高圧処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記被処理体を挟んで前記導入手段の
    反対側に配置されて前記導入手段により供給された処理
    流体を前記圧力容器から排出する排出手段をさらに備え
    たことを特徴とする請求項１、３、４、５、６または７
    に記載の高圧処理装置。
  14. 【請求項１４】 前記被処理体はその表面が濡れた状態
    で搬送用容器内に収容されたまま前記圧力容器に搬送さ
    れるとともに、前記保持手段は前記搬送用容器を支持す
    ることによって前記被処理体を間接的に保持する請求項
    １ないし１３のいずれかに記載の高圧処理装置。
  15. 【請求項１５】 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との
    混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前
    記被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処
    理方法において、 被処理体の表面上に処理流体の旋回流を形成することを
    特徴とする高圧処理方法。
  16. 【請求項１６】 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との
    混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前
    記被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処
    理方法において、 前記被処理体の表面に沿って処理流体を所定方向に流す
    とともに、その処理流体に対して外乱を与えて処理流体
    を前記被処理体の表面内において撹拌することを特徴と
    する高圧処理方法。
JP2002202343A 2001-07-25 2002-07-11 高圧処理装置および高圧処理方法 Expired - Fee Related JP4358486B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002202343A JP4358486B2 (ja) 2001-07-25 2002-07-11 高圧処理装置および高圧処理方法
PCT/JP2002/007401 WO2003009932A1 (en) 2001-07-25 2002-07-22 High-pressure treatment apparatus and high-pressure treatment method
CNB028024729A CN100366332C (zh) 2001-07-25 2002-07-22 高压处理装置和高压处理方法
KR10-2003-7003751A KR100539294B1 (ko) 2001-07-25 2002-07-22 고압 처리장치 및 고압 처리방법
US10/380,610 US20040031441A1 (en) 2001-07-25 2002-07-22 High-pressure treatment apparatus and high-pressure treatment method
TW091116319A TWI227920B (en) 2001-07-25 2002-07-23 High pressure treating apparatus and high pressure treating method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001224118 2001-07-25
JP2001-224118 2001-07-25
JP2002202343A JP4358486B2 (ja) 2001-07-25 2002-07-11 高圧処理装置および高圧処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003151896A true JP2003151896A (ja) 2003-05-23
JP4358486B2 JP4358486B2 (ja) 2009-11-04

Family

ID=26619220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002202343A Expired - Fee Related JP4358486B2 (ja) 2001-07-25 2002-07-11 高圧処理装置および高圧処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040031441A1 (ja)
JP (1) JP4358486B2 (ja)
KR (1) KR100539294B1 (ja)
CN (1) CN100366332C (ja)
TW (1) TWI227920B (ja)
WO (1) WO2003009932A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005288388A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Showa Tansan Co Ltd 気液分離装置
JP2005334823A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Taiheiyo Cement Corp 処理容器、並びに処理容器用供給装置及び排出装置
JP2006313882A (ja) * 2005-03-30 2006-11-16 Supercritical Systems Inc プロセスチャンバの等温制御
JP2006332215A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Hitachi High-Tech Science Systems Corp 微細構造処理方法及びその装置
CN100350560C (zh) * 2003-12-02 2007-11-21 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP2008023467A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Dainippon Printing Co Ltd フィルム洗浄装置
JP2009220005A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Noriami Eco Net Co Ltd 網洗浄装置
KR101394456B1 (ko) * 2011-09-30 2014-05-15 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20180050236A (ko) * 2016-11-04 2018-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
KR20180101227A (ko) * 2017-03-02 2018-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2020170873A (ja) * 2016-11-04 2020-10-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
JP2021503714A (ja) * 2017-11-17 2021-02-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高圧処理システムのためのコンデンサシステム
KR20210032603A (ko) * 2019-09-16 2021-03-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060280027A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Battelle Memorial Institute Method and apparatus for mixing fluids
US7361231B2 (en) * 2005-07-01 2008-04-22 Ekc Technology, Inc. System and method for mid-pressure dense phase gas and ultrasonic cleaning
US20130081658A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
KR102037844B1 (ko) 2013-03-12 2019-11-27 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법
JP2018081966A (ja) * 2016-11-14 2018-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102358561B1 (ko) 2017-06-08 2022-02-04 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH0653196A (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 Nec Yamagata Ltd 半導体ウェーハの洗浄方法
US6544379B2 (en) * 1993-09-16 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
JP3457758B2 (ja) * 1995-02-07 2003-10-20 シャープ株式会社 超臨界流体を利用した洗浄装置
DE19506404C1 (de) * 1995-02-23 1996-03-14 Siemens Ag Verfahren zum Freiätzen (Separieren) und Trocknen mikromechanischer Komponenten
US5839455A (en) * 1995-04-13 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Enhanced high pressure cleansing system for wafer handling implements
JP3135209B2 (ja) * 1996-02-22 2001-02-13 シャープ株式会社 半導体ウェハの洗浄装置
US6096100A (en) * 1997-12-12 2000-08-01 Texas Instruments Incorporated Method for processing wafers and cleaning wafer-handling implements
US6062240A (en) * 1998-03-06 2000-05-16 Tokyo Electron Limited Treatment device
JP3120425B2 (ja) * 1998-05-25 2000-12-25 旭サナック株式会社 レジスト剥離方法及び装置
US6277753B1 (en) * 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US6274506B1 (en) * 1999-05-14 2001-08-14 Fsi International, Inc. Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6596093B2 (en) * 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100350560C (zh) * 2003-12-02 2007-11-21 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP2005288388A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Showa Tansan Co Ltd 気液分離装置
JP4757452B2 (ja) * 2004-04-02 2011-08-24 昭和炭酸株式会社 気液分離装置
JP2005334823A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Taiheiyo Cement Corp 処理容器、並びに処理容器用供給装置及び排出装置
JP2006313882A (ja) * 2005-03-30 2006-11-16 Supercritical Systems Inc プロセスチャンバの等温制御
JP2006332215A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Hitachi High-Tech Science Systems Corp 微細構造処理方法及びその装置
JP2008023467A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Dainippon Printing Co Ltd フィルム洗浄装置
JP2009220005A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Noriami Eco Net Co Ltd 網洗浄装置
KR101394456B1 (ko) * 2011-09-30 2014-05-15 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20180050236A (ko) * 2016-11-04 2018-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
JP2020170873A (ja) * 2016-11-04 2020-10-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
KR102433528B1 (ko) 2016-11-04 2022-08-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
KR20180101227A (ko) * 2017-03-02 2018-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2018147970A (ja) * 2017-03-02 2018-09-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102462157B1 (ko) * 2017-03-02 2022-11-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2021503714A (ja) * 2017-11-17 2021-02-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高圧処理システムのためのコンデンサシステム
US11610773B2 (en) 2017-11-17 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Condenser system for high pressure processing system
KR20210032603A (ko) * 2019-09-16 2021-03-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102360937B1 (ko) * 2019-09-16 2022-02-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003009932A1 (en) 2003-02-06
TWI227920B (en) 2005-02-11
KR20030032029A (ko) 2003-04-23
KR100539294B1 (ko) 2005-12-27
CN100366332C (zh) 2008-02-06
US20040031441A1 (en) 2004-02-19
CN1464798A (zh) 2003-12-31
JP4358486B2 (ja) 2009-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003151896A (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
KR100891062B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
JP3725051B2 (ja) 基板処理装置
JP4641964B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008198958A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2002543976A (ja) 超希薄洗浄液を使用して、ミクロ電子基材を洗浄する方法
US20060151007A1 (en) Workpiece processing using ozone gas and chelating agents
US20050124518A1 (en) Substrate treating apparatus
JP4812563B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2002343698A (ja) アルカリ液の製造方法，アルカリ液，パターン形成方法，レジスト膜の剥離方法，薬液塗布装置，基板処理方法，及び薬液供給方法
JPH11340184A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20070055515A (ko) 기판 처리 장치
JP2007036109A (ja) 高圧処理装置
JP2008177495A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5063138B2 (ja) 基板現像方法および現像装置
JP2007255752A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2003103228A (ja) 電子工業用基板表面附着物の除去装置及び除去方法
JP2001269631A (ja) 基板洗浄装置
JP3035450B2 (ja) 基板の洗浄処理方法
JP2001203182A (ja) 物品表面の清浄化方法およびそのための清浄化装置
JP2002141269A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2002261068A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH08290128A (ja) 超臨界および亜臨界流体を用いた洗浄方法
JP2001217218A (ja) ウェハ処理装置及び方法
JP4347765B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090605

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090804

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090806

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees