JP2003142419A - 半導体素子製造用ヒータアセンブリ - Google Patents
半導体素子製造用ヒータアセンブリInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ表面を均一に加熱することができる
半導体素子製造装置用ヒータアセンブリを提供する。 【解決手段】 基板を支持するサセプター４００と、サ
セプター４００の下部で基板を加熱する複数のヒータ
と、複数のヒータを支持する支持台３００と、ヒータに
電流を供給するパワー供給部２００により形成される。
支持台３００は複数のヒータ相互間の伝導性熱伝達を抑
制する熱遮蔽部３３０を備え、熱遮蔽部３３０はヒータ
間の境界領域に形成された空間からなり、ヒータ相互間
を熱的に分離することにより伝導性熱伝達を遮断する。
ここで、ヒータの温度は３９０℃乃至４２０℃間で形成
されるようにヒータの供給電流を制御する。
半導体素子製造装置用ヒータアセンブリを提供する。 【解決手段】 基板を支持するサセプター４００と、サ
セプター４００の下部で基板を加熱する複数のヒータ
と、複数のヒータを支持する支持台３００と、ヒータに
電流を供給するパワー供給部２００により形成される。
支持台３００は複数のヒータ相互間の伝導性熱伝達を抑
制する熱遮蔽部３３０を備え、熱遮蔽部３３０はヒータ
間の境界領域に形成された空間からなり、ヒータ相互間
を熱的に分離することにより伝導性熱伝達を遮断する。
ここで、ヒータの温度は３９０℃乃至４２０℃間で形成
されるようにヒータの供給電流を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造装置
用ヒータアセンブリに関するものであり、より詳細に
は、ヒータ支持台の形状を変更することにより、被加熱
体であるウェーハの全面にわたって均一な温度分布を得
ることができる半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ
に関するものである。
用ヒータアセンブリに関するものであり、より詳細に
は、ヒータ支持台の形状を変更することにより、被加熱
体であるウェーハの全面にわたって均一な温度分布を得
ることができる半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体集積回路は集積回路に
含まれる電子部品とその接続部分を全て微細なパターン
よりなり、複数層の材料をパターニングして製作され
る。即ち、半導体集積回路は、まず、シリコン単結晶か
らシリコンウェーハを製作し、前記ウェーハ表面に電子
回路を形成（ｗａｆｅｒ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ；以
下ＦＡＢ段階と称する）した後、前記ウェーハ上のチッ
プを個々に切って、リードフレームと結合して完製品に
組立て、動作異常の有無を検査することにより完成され
る。
含まれる電子部品とその接続部分を全て微細なパターン
よりなり、複数層の材料をパターニングして製作され
る。即ち、半導体集積回路は、まず、シリコン単結晶か
らシリコンウェーハを製作し、前記ウェーハ表面に電子
回路を形成（ｗａｆｅｒ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ；以
下ＦＡＢ段階と称する）した後、前記ウェーハ上のチッ
プを個々に切って、リードフレームと結合して完製品に
組立て、動作異常の有無を検査することにより完成され
る。
【０００３】前記ＦＡＢ段階は、ウェーハの表面に半導
体素子を形成するための薄膜層を形成した後、薄膜層を
所望する形態にパターニングすることにより、ウェーハ
上に所定の機能を達成することができる電子回路を形成
することになる。したがって、薄膜層の厚さが均一でな
い場合、多様な工程不良を惹起することになり、電子回
路の安定性を阻害することになる。
体素子を形成するための薄膜層を形成した後、薄膜層を
所望する形態にパターニングすることにより、ウェーハ
上に所定の機能を達成することができる電子回路を形成
することになる。したがって、薄膜層の厚さが均一でな
い場合、多様な工程不良を惹起することになり、電子回
路の安定性を阻害することになる。
【０００４】ウェーハ上に蒸着される薄膜の蒸着率は、
ウェーハの温度に大きく影響を受ける。たとえば、同じ
条件で膜を蒸着しても、ウェーハの温度が高い所に蒸着
される膜の厚さは温度が低い所で蒸着される膜の厚さよ
り厚くなる。
ウェーハの温度に大きく影響を受ける。たとえば、同じ
条件で膜を蒸着しても、ウェーハの温度が高い所に蒸着
される膜の厚さは温度が低い所で蒸着される膜の厚さよ
り厚くなる。
【０００５】これにより、ウェーハの表面に蒸着された
薄膜の厚さ、組成、抵抗などがウェーハの全表面にわた
って均一であることができなくなって、薄膜表面にパタ
ーニングされた電子回路の動作信頼性を低下させる。
薄膜の厚さ、組成、抵抗などがウェーハの全表面にわた
って均一であることができなくなって、薄膜表面にパタ
ーニングされた電子回路の動作信頼性を低下させる。
【０００６】このため、ウェーハ表面温度の均一性は半
導体集積回路の動作信頼度を向上させる直接的な要因に
なる。
導体集積回路の動作信頼度を向上させる直接的な要因に
なる。
【０００７】最近では、半導体素子の集積度が増加し、
パターニング間隔が段々狭くなる趨勢であるので、半導
体集積回路の動作信頼度向上のためのウェーハ表面温度
の均一性確保はさらに重要な問題になっている。特に、
集積度が増加することにより、半導体集積回路の配線物
質として広く使用されるタングステンシリサイドは、工
程中の温度に敏感に反応する特性を有しているために、
上述したような表面温度の均一性はさらに重要な問題に
扱われている。
パターニング間隔が段々狭くなる趨勢であるので、半導
体集積回路の動作信頼度向上のためのウェーハ表面温度
の均一性確保はさらに重要な問題になっている。特に、
集積度が増加することにより、半導体集積回路の配線物
質として広く使用されるタングステンシリサイドは、工
程中の温度に敏感に反応する特性を有しているために、
上述したような表面温度の均一性はさらに重要な問題に
扱われている。
【０００８】半導体製造工程で、薄膜を形成する最も一
般の方法は、ＣＶＤを通じて薄膜をウェーハ上部面に蒸
着するものである。特に、ＣＶＤはウェーハの表面に供
給された反応ガスが加熱されたウェーハ上で化学反応を
通じて薄膜を形成する方法として、薄膜形成のために最
も広く利用される方法である。
般の方法は、ＣＶＤを通じて薄膜をウェーハ上部面に蒸
着するものである。特に、ＣＶＤはウェーハの表面に供
給された反応ガスが加熱されたウェーハ上で化学反応を
通じて薄膜を形成する方法として、薄膜形成のために最
も広く利用される方法である。
【０００９】前記熱ＣＶＤ工程は、内部に印加される圧
力を基準に常圧ＣＶＤと低圧ＣＶＤに区分され、タング
ステンシリサイドのような高融点金属シリサイドの蒸着
は低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）工程により蒸着される。
力を基準に常圧ＣＶＤと低圧ＣＶＤに区分され、タング
ステンシリサイドのような高融点金属シリサイドの蒸着
は低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）工程により蒸着される。
【００１０】ＬＰＣＶＤ装置のチャンバは、上部で反応
ガスを供給するガス供給部と下部に位置するヒータアセ
ンブリとを含む。
ガスを供給するガス供給部と下部に位置するヒータアセ
ンブリとを含む。
【００１１】ヒータアセンブリはウェーハを固定する支
持台であるサセプター（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）及びサセ
プターの下部に位置してサセプターに熱を供給するヒー
タユニットを含む。
持台であるサセプター（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）及びサセ
プターの下部に位置してサセプターに熱を供給するヒー
タユニットを含む。
【００１２】したがって、ウェーハの表面温度はヒータ
ユニットから供給される熱量により左右される。
ユニットから供給される熱量により左右される。
【００１３】しかし、ウェーハの周辺部は中央部と比較
してサセプターの側面を通じて輻射熱が放出されるため
に、前記サセプターからウェーハの周辺部と中央部に同
一の熱量が供給されると、ウェーハ周辺部の表面温度は
中央部の表面温度より低下する。したがって、サセプタ
ー上部に定着されるウェーハの表面温度は常に中央部か
ら周辺部に行くほど低下するという温度偏差が生じるこ
とになる。
してサセプターの側面を通じて輻射熱が放出されるため
に、前記サセプターからウェーハの周辺部と中央部に同
一の熱量が供給されると、ウェーハ周辺部の表面温度は
中央部の表面温度より低下する。したがって、サセプタ
ー上部に定着されるウェーハの表面温度は常に中央部か
ら周辺部に行くほど低下するという温度偏差が生じるこ
とになる。
【００１４】このような、温度偏差を解消するために、
ヒータ構造を改善する努力が多様に進行されている。た
とえば、特許文献１（ＺＯＮＥ ＨＥＡＴＩＮＧ ＳＹ
ＳＴＥＭ ＷＩＴＨ ＦＥＥＤＢＡＣＫ ＣＯＮＴＲＯ
Ｌ ＳＹＳＴＥＭ）によると、ヒータの表面を複数個に
区画し、各区画別に発熱量を各々制御することにより、
ウェーハ表面温度を均一にする方法が提案されており、
特許文献２（ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＲＡＰＩＤＬＹ
ＴＨＥＲＭＡＬＬＹ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧＡ ＳＥＭ
ＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＷＡＦＥＲ ＢＹ ＩＲＲＡＤ
ＩＡＴＩＯＮＵＳＩＮＧ ＳＥＭＩＣＩＲＣＵＬＡＲ
ＯＲ ＰＡＲＡＢＯＬＩＣ ＲＥＦＬＥＣＴＯＲＳ）に
は、ウェーハの周辺部に多く熱量を供給してウェーハ表
面で温度を均一にする方法が開示されている。
ヒータ構造を改善する努力が多様に進行されている。た
とえば、特許文献１（ＺＯＮＥ ＨＥＡＴＩＮＧ ＳＹ
ＳＴＥＭ ＷＩＴＨ ＦＥＥＤＢＡＣＫ ＣＯＮＴＲＯ
Ｌ ＳＹＳＴＥＭ）によると、ヒータの表面を複数個に
区画し、各区画別に発熱量を各々制御することにより、
ウェーハ表面温度を均一にする方法が提案されており、
特許文献２（ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＲＡＰＩＤＬＹ
ＴＨＥＲＭＡＬＬＹ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧＡ ＳＥＭ
ＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＷＡＦＥＲ ＢＹ ＩＲＲＡＤ
ＩＡＴＩＯＮＵＳＩＮＧ ＳＥＭＩＣＩＲＣＵＬＡＲ
ＯＲ ＰＡＲＡＢＯＬＩＣ ＲＥＦＬＥＣＴＯＲＳ）に
は、ウェーハの周辺部に多く熱量を供給してウェーハ表
面で温度を均一にする方法が開示されている。
【００１５】また、熱ＣＶＤ装置に汎用されているＧＥ
ＮＵＳ７０００ＣＶＤ装置に利用されたヒータアセンブ
リによると、サセプター中央部を加熱する内側ヒータと
周辺部を加熱する外側ヒータに分離させ、別途に制御す
ることができるように構成されたデュアルヒータシステ
ムを利用し、外側ヒータの発生熱量を内側ヒータの発生
熱量より大きくすることにより、ウェーハ周辺部で輻射
により喪失される熱量を補償して上述したような温度偏
差を減少させることができるようにしている。しかし、
上述したように、ヒータを分割し外側ヒータの温度を内
側ヒータの温度より相対的に高くする場合にも、ウェー
ハ表面で満足するほどの温度均一性は達成されないとい
う問題点がある。
ＮＵＳ７０００ＣＶＤ装置に利用されたヒータアセンブ
リによると、サセプター中央部を加熱する内側ヒータと
周辺部を加熱する外側ヒータに分離させ、別途に制御す
ることができるように構成されたデュアルヒータシステ
ムを利用し、外側ヒータの発生熱量を内側ヒータの発生
熱量より大きくすることにより、ウェーハ周辺部で輻射
により喪失される熱量を補償して上述したような温度偏
差を減少させることができるようにしている。しかし、
上述したように、ヒータを分割し外側ヒータの温度を内
側ヒータの温度より相対的に高くする場合にも、ウェー
ハ表面で満足するほどの温度均一性は達成されないとい
う問題点がある。
【００１６】図１は、従来の熱ＣＶＤ装置に使用される
ヒータアセンブリを概略的に示す断面図であり、現在タ
ングステンシリサイド膜を蒸着するＧＥＮＵＳ７０００
設備のヒータアセンブリに利用されている。図２はヒー
タアセンブリの概略的な平面図である。
ヒータアセンブリを概略的に示す断面図であり、現在タ
ングステンシリサイド膜を蒸着するＧＥＮＵＳ７０００
設備のヒータアセンブリに利用されている。図２はヒー
タアセンブリの概略的な平面図である。
【００１７】図１及び図２に示すように、従来の半導体
素子製造装置用ヒータアセンブリ９０はウェーハ５０を
支持するサセプター４０の下部に位置して、前記サセプ
ター４０に熱を供給するためのヒータ１０、前記ヒータ
１０に電源を供給する電源供給部２０及びヒータ１０を
支持するための支持台３０とを含む。
素子製造装置用ヒータアセンブリ９０はウェーハ５０を
支持するサセプター４０の下部に位置して、前記サセプ
ター４０に熱を供給するためのヒータ１０、前記ヒータ
１０に電源を供給する電源供給部２０及びヒータ１０を
支持するための支持台３０とを含む。
【００１８】ヒータ１０はサセプター４０の周辺部を加
熱する外側ヒータ（ｏｕｔｅｒ ｈｅａｔｅｒ）１２及
び周辺部内側を加熱する内側ヒータ（ｉｎｎｅｒ ｈｅ
ａｔｅｒ）１４に分離されるデュアルヒータ（ｄｕａｌ
ｈｅａｔｅｒ）構造で形成され、前記外側ヒータ１２
と内側ヒータ１４は熱伝達を遮断することができるよう
に、空間１６を隔てて互いに独立的に形成されている。
ここで、内側ヒータ１４はサセプター４０の大部分に熱
を加熱し、外側ヒータ１２はサセプター４０の外郭円周
に沿って周辺部に熱を供給する。ヒータ１０は黒鉛（ｇ
ｒａｐｈｉｔｅ）材質によりなった薄い板（ｐｌａｔ
ｅ）形状を有し、電流が供給されると内部抵抗により熱
を発生する。
熱する外側ヒータ（ｏｕｔｅｒ ｈｅａｔｅｒ）１２及
び周辺部内側を加熱する内側ヒータ（ｉｎｎｅｒ ｈｅ
ａｔｅｒ）１４に分離されるデュアルヒータ（ｄｕａｌ
ｈｅａｔｅｒ）構造で形成され、前記外側ヒータ１２
と内側ヒータ１４は熱伝達を遮断することができるよう
に、空間１６を隔てて互いに独立的に形成されている。
ここで、内側ヒータ１４はサセプター４０の大部分に熱
を加熱し、外側ヒータ１２はサセプター４０の外郭円周
に沿って周辺部に熱を供給する。ヒータ１０は黒鉛（ｇ
ｒａｐｈｉｔｅ）材質によりなった薄い板（ｐｌａｔ
ｅ）形状を有し、電流が供給されると内部抵抗により熱
を発生する。
【００１９】前記パワー供給部は外部電源（図示せず）
から供給される電流を前記ヒータ１０に供給するための
部材として、外側ヒータ１２に電源を供給するための第
１パワー供給部（図示せず）及び内側ヒータ１４に電源
を供給するための第２パワー供給部２０により構成され
る。第１パワー供給部（図示せず）及び第２パワー供給
部２０は互いに独立的に動作して、外側ヒータ１２と内
側ヒータ１４に対する電源供給を独立的に制御する。
から供給される電流を前記ヒータ１０に供給するための
部材として、外側ヒータ１２に電源を供給するための第
１パワー供給部（図示せず）及び内側ヒータ１４に電源
を供給するための第２パワー供給部２０により構成され
る。第１パワー供給部（図示せず）及び第２パワー供給
部２０は互いに独立的に動作して、外側ヒータ１２と内
側ヒータ１４に対する電源供給を独立的に制御する。
【００２０】支持台３０はフッ化水素酸を除外した酸及
びアルカリに侵害されずに、化学的に相当に純粋な物質
である石英に形成され、蒸着ガスその他の汚染物質から
腐蝕されることを防止する。
びアルカリに侵害されずに、化学的に相当に純粋な物質
である石英に形成され、蒸着ガスその他の汚染物質から
腐蝕されることを防止する。
【００２１】したがって、パワー供給部を通じて外部電
源（図示せず）からヒータ１０に電源が供給されると、
電気的に良好な導体である黒鉛で形成されたヒータ１０
から抵抗熱が発生され、サセプター４０に輻射される。
ヒータ１０の輻射熱により加熱されたサセプター４０
は、上部に定着されたウェーハ５０に熱が導電されウェ
ーハ５０が加熱される。ここで、外側ヒータ１２の発生
熱量を内側ヒータ１４の発生熱量より大きくしてウェー
ハ５０の側面輻射により損失される熱量を補償すること
により、ウェーハ５０の中央部と周辺部での温度偏差を
減少させている。
源（図示せず）からヒータ１０に電源が供給されると、
電気的に良好な導体である黒鉛で形成されたヒータ１０
から抵抗熱が発生され、サセプター４０に輻射される。
ヒータ１０の輻射熱により加熱されたサセプター４０
は、上部に定着されたウェーハ５０に熱が導電されウェ
ーハ５０が加熱される。ここで、外側ヒータ１２の発生
熱量を内側ヒータ１４の発生熱量より大きくしてウェー
ハ５０の側面輻射により損失される熱量を補償すること
により、ウェーハ５０の中央部と周辺部での温度偏差を
減少させている。
【００２２】しかし、上述したように、互いに独立的に
制御されるデュアルヒータ構造を利用した場合にも、ウ
ェーハ５０の表面温度は依然に中心部から周辺部に行く
ほど低下される偏差を示している。
制御されるデュアルヒータ構造を利用した場合にも、ウ
ェーハ５０の表面温度は依然に中心部から周辺部に行く
ほど低下される偏差を示している。
【００２３】図３は、タングステンシリサイド蒸着工程
中のウェーハ表面温度を測定した結果を示す図である。
中のウェーハ表面温度を測定した結果を示す図である。
【００２４】図３に示した温度実測結果は、ＧＥＮＵＳ
７０００装置を利用して９ラインタングステンシリサイ
ド工程中のウェーハ表面温度を測定したものである。こ
こで、チャンバ内部の圧力は３００ｍｔｏｒｒに維持さ
れ、内側ヒータ１４及び外側ヒータ１２のセットポイン
トを各々３８７℃及び３７７℃に設定した２５ポイント
ｔ／ｃ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｃｏｕｐｌｅ）ウェーハに測定
したものである。
７０００装置を利用して９ラインタングステンシリサイ
ド工程中のウェーハ表面温度を測定したものである。こ
こで、チャンバ内部の圧力は３００ｍｔｏｒｒに維持さ
れ、内側ヒータ１４及び外側ヒータ１２のセットポイン
トを各々３８７℃及び３７７℃に設定した２５ポイント
ｔ／ｃ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｃｏｕｐｌｅ）ウェーハに測定
したものである。
【００２５】図３に示すように、ウェーハの中心部であ
るＴＣ１３地点の温度が最も高く示され、周辺部で相対
的に温度が低く分布されていることが確認できる。本測
定の場合、最高温度（ＴＣ１３地点）と最低温度（ＴＣ
１０地点）の偏差は８．８℃を形成している。したがっ
て、ウェーハ表面での温度均一性を達成するために外側
ヒータ１２の発熱量を増加させたことにもかかわらず、
温度偏差が満足するほど改善されなかった。
るＴＣ１３地点の温度が最も高く示され、周辺部で相対
的に温度が低く分布されていることが確認できる。本測
定の場合、最高温度（ＴＣ１３地点）と最低温度（ＴＣ
１０地点）の偏差は８．８℃を形成している。したがっ
て、ウェーハ表面での温度均一性を達成するために外側
ヒータ１２の発熱量を増加させたことにもかかわらず、
温度偏差が満足するほど改善されなかった。
【００２６】上述したような、ウェーハ上面での温度偏
差を改善するために内側ヒータの温度を固定した状態
で、外側ヒータの温度をさらに上昇させるテストをし
た。
差を改善するために内側ヒータの温度を固定した状態
で、外側ヒータの温度をさらに上昇させるテストをし
た。
【００２７】図４乃至図７は、内側ヒータ１４のセット
ポイントを４０５℃に設定した状態で、外側ヒータのセ
ットポイントを３７５℃、３９５℃、４１５℃、４５０
℃に設定した後、２５ポイントｔ／ｃウェーハを利用し
て測定したウェーハ表面の温度分布を示す図面である。
ポイントを４０５℃に設定した状態で、外側ヒータのセ
ットポイントを３７５℃、３９５℃、４１５℃、４５０
℃に設定した後、２５ポイントｔ／ｃウェーハを利用し
て測定したウェーハ表面の温度分布を示す図面である。
【００２８】図４乃至図７に示すように、内側ヒータ１
４の温度は固定されているにもかかわらず、外側ヒータ
１２の温度が増加することによりウェーハ中央部の温度
も共に増加することにより、ウェーハ中央部と周辺部の
温度偏差は全く改善されないことが確認できる。特に、
各テストで外側ヒータ１２の温度が相異するにもかかわ
らず、ウェーハ表面での最高温度と最低温度の偏差は同
一に示されている。
４の温度は固定されているにもかかわらず、外側ヒータ
１２の温度が増加することによりウェーハ中央部の温度
も共に増加することにより、ウェーハ中央部と周辺部の
温度偏差は全く改善されないことが確認できる。特に、
各テストで外側ヒータ１２の温度が相異するにもかかわ
らず、ウェーハ表面での最高温度と最低温度の偏差は同
一に示されている。
【００２９】即ち、ウェーハの側面を通じてチャンバ内
部空間に損失される熱量を補償することにより、ウェー
ハの表面温度を均一にする目的で、外側ヒータ１２の発
熱量を増加させたが、ウェーハ周辺部と中央部の温度が
共に上昇することにより、温度偏差は全く改善されなか
った。これにより、デュアルヒータ構造を有するヒータ
アセンブリを対象にして、その原因を糾明するためのシ
ミュレーションを実施した。
部空間に損失される熱量を補償することにより、ウェー
ハの表面温度を均一にする目的で、外側ヒータ１２の発
熱量を増加させたが、ウェーハ周辺部と中央部の温度が
共に上昇することにより、温度偏差は全く改善されなか
った。これにより、デュアルヒータ構造を有するヒータ
アセンブリを対象にして、その原因を糾明するためのシ
ミュレーションを実施した。
【００３０】
【特許文献１】米国特許第６，０３１，２１１号明細書
【特許文献２】米国特許第４，９８１，８１５号明細書
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体素子を製造するための基板であるウェーハの表面で均
一な温度分布を形成することができるウェーハ加熱用ヒ
ータアセンブリを提供することにある。
体素子を製造するための基板であるウェーハの表面で均
一な温度分布を形成することができるウェーハ加熱用ヒ
ータアセンブリを提供することにある。
【００３２】
【発明の解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明は、被加熱体を支持する第１支持部材と、
第１支持部材の下部で被加熱体を加熱し、熱伝達を遮断
することができる隔離空間により分離された複数の加熱
要素と、分離された加熱要素相互間の伝導性熱伝達を抑
制するための熱遮蔽部を備え、複数の加熱要素を支持す
る第２支持部材とを含むことを特徴とする加熱装置であ
る。
ための本発明は、被加熱体を支持する第１支持部材と、
第１支持部材の下部で被加熱体を加熱し、熱伝達を遮断
することができる隔離空間により分離された複数の加熱
要素と、分離された加熱要素相互間の伝導性熱伝達を抑
制するための熱遮蔽部を備え、複数の加熱要素を支持す
る第２支持部材とを含むことを特徴とする加熱装置であ
る。
【００３３】ここで、熱遮蔽部は前記隔離空間及び隔離
空間を隔てて相互隣接する加熱要素の周辺部を同時に支
持するように第２支持部材の表面に所定の幅と深さを有
する溝と前記溝の内部に挿入された耐熱部材とを含む。
空間を隔てて相互隣接する加熱要素の周辺部を同時に支
持するように第２支持部材の表面に所定の幅と深さを有
する溝と前記溝の内部に挿入された耐熱部材とを含む。
【００３４】上述した他の目的を達成するための本発明
は、被加熱体を支持する第１支持部材と、第１支持部材
の下部に環（ｒｉｎｇ）状に形成され内部に熱伝達のた
めの連続的な輻射空間を備え、第１支持部材の周辺部を
加熱する加熱要素と、加熱要素を支持し、加熱要素から
導電された熱を輻射空間を通じて輻射することにより、
輻射空間に対応する第１支持部材の下部表面を加熱する
第２支持部材とを含む。
は、被加熱体を支持する第１支持部材と、第１支持部材
の下部に環（ｒｉｎｇ）状に形成され内部に熱伝達のた
めの連続的な輻射空間を備え、第１支持部材の周辺部を
加熱する加熱要素と、加熱要素を支持し、加熱要素から
導電された熱を輻射空間を通じて輻射することにより、
輻射空間に対応する第１支持部材の下部表面を加熱する
第２支持部材とを含む。
【００３５】また、上述した目的を達成するための本発
明は、半導体素子用基板を支持するサセプターと、サセ
プターの下部で基板を加熱し、熱伝達を遮断することが
できる隔離空間を隔てて分離された複数のヒータと、分
離されたヒータ相互間の伝導性熱伝達を抑制することが
できる熱遮蔽部を備え、複数のヒータを支持する支持台
とを含む半導体素子製造装置用ヒータアセンブリとを提
供する。
明は、半導体素子用基板を支持するサセプターと、サセ
プターの下部で基板を加熱し、熱伝達を遮断することが
できる隔離空間を隔てて分離された複数のヒータと、分
離されたヒータ相互間の伝導性熱伝達を抑制することが
できる熱遮蔽部を備え、複数のヒータを支持する支持台
とを含む半導体素子製造装置用ヒータアセンブリとを提
供する。
【００３６】この時、熱遮蔽部は前記隔離空間及び隔離
空間を隔てて相互隣接するヒータの周辺部を同時に支持
するように、前記第２支持部材の表面に所定の幅と深さ
を有する溝と溝の内部に挿入された耐熱部材とを含む。
また、ヒータの温度は３９０℃乃至４２０℃の範囲を有
するように制御する。
空間を隔てて相互隣接するヒータの周辺部を同時に支持
するように、前記第２支持部材の表面に所定の幅と深さ
を有する溝と溝の内部に挿入された耐熱部材とを含む。
また、ヒータの温度は３９０℃乃至４２０℃の範囲を有
するように制御する。
【００３７】また、上述した他の目的を達成するための
本発明は、ウェーハを支持するサセプターと、サセプタ
ーの下部に環状に形成され内部に熱伝達のための連続的
な輻射空間を備え、サセプターの周辺部を加熱するヒー
タと、前記ヒータを支持し、ヒータから伝導された熱を
輻射空間を通じて輻射することにより、輻射空間に対応
するサセプターの下部表面を加熱する支持台とを含むこ
とを特徴とする半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ
を提供する。
本発明は、ウェーハを支持するサセプターと、サセプタ
ーの下部に環状に形成され内部に熱伝達のための連続的
な輻射空間を備え、サセプターの周辺部を加熱するヒー
タと、前記ヒータを支持し、ヒータから伝導された熱を
輻射空間を通じて輻射することにより、輻射空間に対応
するサセプターの下部表面を加熱する支持台とを含むこ
とを特徴とする半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ
を提供する。
【００３８】上述したような加熱装置によると、分離さ
れた複数の加熱要素が支持台を媒介にして熱交換できる
可能性を減少させることにより、周辺部加熱要素の温度
を上昇させるとしても、中心部加熱要素が同時に上昇さ
れることを防止することができる。したがって、周辺部
加熱要素の温度を中心部加熱要素の温度より高く形成す
ることにより、ウェーハ表面での温度均一性を達成する
ことができる。ここで、ヒータの温度を適正範囲内に制
御することにより、反射度（ＲＩ）、メタパルスの密度
及びタングステン（Ｗ）に対するシリコン（Ｓｉ）の比
率を一定した範囲内に制御することにより、半導体製造
工程中の不良を減少させることができる。
れた複数の加熱要素が支持台を媒介にして熱交換できる
可能性を減少させることにより、周辺部加熱要素の温度
を上昇させるとしても、中心部加熱要素が同時に上昇さ
れることを防止することができる。したがって、周辺部
加熱要素の温度を中心部加熱要素の温度より高く形成す
ることにより、ウェーハ表面での温度均一性を達成する
ことができる。ここで、ヒータの温度を適正範囲内に制
御することにより、反射度（ＲＩ）、メタパルスの密度
及びタングステン（Ｗ）に対するシリコン（Ｓｉ）の比
率を一定した範囲内に制御することにより、半導体製造
工程中の不良を減少させることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい一実施形態を詳細に説明する。
ましい一実施形態を詳細に説明する。
【００４０】図８は、内側ヒータ３９０℃、外側ヒータ
４５０℃に設定されたデュアルヒータアセンブリの温度
分布を示す図面として、前記ＧＥＮＵＳ７０００装置を
利用した蒸着工程中の温度分布を、スーパーコンピュー
タを利用して解析した結果を示すための図面である。ス
ーパーコンピュータは、ヒータアセンブリの温度分布を
表現するために温度と色相を一対一に対応させ、同一の
温度は同一の色相（以下、温度色相）に表現している
が、本図面では外側ヒータ１２と内側ヒータ１４及びヒ
ータカップ６０の温度変化をハッチングの濃度に表現し
た。説明の便宜上、対比される部分の温度を強調するた
めにヒータアセンブリの特定領域のみハッチングした。
４５０℃に設定されたデュアルヒータアセンブリの温度
分布を示す図面として、前記ＧＥＮＵＳ７０００装置を
利用した蒸着工程中の温度分布を、スーパーコンピュー
タを利用して解析した結果を示すための図面である。ス
ーパーコンピュータは、ヒータアセンブリの温度分布を
表現するために温度と色相を一対一に対応させ、同一の
温度は同一の色相（以下、温度色相）に表現している
が、本図面では外側ヒータ１２と内側ヒータ１４及びヒ
ータカップ６０の温度変化をハッチングの濃度に表現し
た。説明の便宜上、対比される部分の温度を強調するた
めにヒータアセンブリの特定領域のみハッチングした。
【００４１】図８によると、デュアルヒータアセンブリ
は外側ヒータ１２及び内側ヒータ１４を支持する支持台
３０と、被加熱体であるウェーハを支持するサセプター
４０及び前記支持台３０を収容してヒータアセンブリの
形状を決定するヒータカップ６０とを含む。最も温度が
高い外側ヒータ１２領域（Ａ領域）は最も濃い濃度を有
するハッチングに表現され、実際コンピュータ解析結果
によると、最も高い温度を意味する温度色相に表現され
る。
は外側ヒータ１２及び内側ヒータ１４を支持する支持台
３０と、被加熱体であるウェーハを支持するサセプター
４０及び前記支持台３０を収容してヒータアセンブリの
形状を決定するヒータカップ６０とを含む。最も温度が
高い外側ヒータ１２領域（Ａ領域）は最も濃い濃度を有
するハッチングに表現され、実際コンピュータ解析結果
によると、最も高い温度を意味する温度色相に表現され
る。
【００４２】この時、外側ヒータ１２と接触する支持台
３０と、支持台３０と接触している内側ヒータ１４及び
支持台３０を含んでいるヒータカップ６０を含む領域
（Ｂ領域）の濃度は、Ａ領域の濃度と大きい差異を示さ
ない。これは、実際コンピュータ解析結果による温度色
相の色相差異がＡ領域とＢ領域で大きくないことを意味
する。
３０と、支持台３０と接触している内側ヒータ１４及び
支持台３０を含んでいるヒータカップ６０を含む領域
（Ｂ領域）の濃度は、Ａ領域の濃度と大きい差異を示さ
ない。これは、実際コンピュータ解析結果による温度色
相の色相差異がＡ領域とＢ領域で大きくないことを意味
する。
【００４３】即ち、ウェーハ表面での温度偏差を解消す
るために人為的に、外側ヒータ１２の温度を上昇させた
ことにもかかわらず、外側ヒータ１２と内側ヒータ１４
の温度偏差は大きくないことを示している。また、支持
台３０と外側ヒータ１２が同一な色相で表現されるの
で、結局外側ヒータ１２の熱量が支持台３０を媒介で導
電されることに判断することができる。再び、ウェーハ
表面での温度均一性を達成するために、外側ヒータ１２
の温度を上昇させる場合、外側ヒータ１２を支持してい
る支持台３０を通じて外側ヒータ１２の熱が内側ヒータ
１４に伝導されることにより、ウェーハの中央部表面温
度も同時に上昇する結果を招来する。
るために人為的に、外側ヒータ１２の温度を上昇させた
ことにもかかわらず、外側ヒータ１２と内側ヒータ１４
の温度偏差は大きくないことを示している。また、支持
台３０と外側ヒータ１２が同一な色相で表現されるの
で、結局外側ヒータ１２の熱量が支持台３０を媒介で導
電されることに判断することができる。再び、ウェーハ
表面での温度均一性を達成するために、外側ヒータ１２
の温度を上昇させる場合、外側ヒータ１２を支持してい
る支持台３０を通じて外側ヒータ１２の熱が内側ヒータ
１４に伝導されることにより、ウェーハの中央部表面温
度も同時に上昇する結果を招来する。
【００４４】したがって、ヒータと支持台が直接接触す
る構造を有するヒータアセンブリでは、ヒータを複数個
に分割し、サセプターの周辺部を加熱する外側ヒータ１
２の温度を内側ヒータ１４の温度より高く形成すること
のみでは、ウェーハ表面での温度偏差を大きく改善でき
ないことが分かる。このような結果は、サセプターの表
面温度を測定して比較したグラフを通じて容易に確認す
ることができる。
る構造を有するヒータアセンブリでは、ヒータを複数個
に分割し、サセプターの周辺部を加熱する外側ヒータ１
２の温度を内側ヒータ１４の温度より高く形成すること
のみでは、ウェーハ表面での温度偏差を大きく改善でき
ないことが分かる。このような結果は、サセプターの表
面温度を測定して比較したグラフを通じて容易に確認す
ることができる。
【００４５】図９は内側ヒータの温度を固定させた状態
で、外側ヒータの温度を別にした場合のサセプター表面
温度を測定して比較したグラフである。曲線Ｉ、ＩＩ、
ＩＩＩは温度偏差を示し、曲線ＩＶ、Ｖ、ＶＩはサセプ
ターの表面温度を示す。
で、外側ヒータの温度を別にした場合のサセプター表面
温度を測定して比較したグラフである。曲線Ｉ、ＩＩ、
ＩＩＩは温度偏差を示し、曲線ＩＶ、Ｖ、ＶＩはサセプ
ターの表面温度を示す。
【００４６】本実験は内側ヒータ１４の温度は３９０℃
として同一であるが、外側ヒータ１２の温度が４５０℃
（曲線Ｉ及びＩＶ）、４２０℃（曲線ＩＩ及びＶ）、４
００℃曲線（ＩＩＩ及びＶＩ）に相異するように設定さ
れた３種類のヒータアセンブリで、各サセプターの表面
温度を測定して一つのグラフに表示したものである。こ
こで、横軸はサセプターの中心から測定した半径であ
り、縦軸は実測されたサセプターの表面温度（曲線Ｉ
Ｖ、Ｖ、ＶＩ）と温度偏差（曲線Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を
示す。
として同一であるが、外側ヒータ１２の温度が４５０℃
（曲線Ｉ及びＩＶ）、４２０℃（曲線ＩＩ及びＶ）、４
００℃曲線（ＩＩＩ及びＶＩ）に相異するように設定さ
れた３種類のヒータアセンブリで、各サセプターの表面
温度を測定して一つのグラフに表示したものである。こ
こで、横軸はサセプターの中心から測定した半径であ
り、縦軸は実測されたサセプターの表面温度（曲線Ｉ
Ｖ、Ｖ、ＶＩ）と温度偏差（曲線Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を
示す。
【００４７】図９の曲線Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩによると、外
側ヒータ１２の温度を上昇させることにより、サセプタ
ーの中央部から周辺部に行くほど温度偏差は増加する傾
向を示し、これにより、外側ヒータ１２の温度を上昇さ
せても温度偏差は改善されない。また、曲線ＩＶ、Ｖ、
ＶＩに示されたように、内側ヒータ１４の温度を一定に
維持し、外側ヒータ１２の温度のみ上昇させるとして
も、サセプターの表面温度もやはり増加する傾向を示
す。したがって、単純に外側ヒータ１２の温度のみ上昇
させることにより、ウェーハ表面での温度均一性を達成
することは困難であることがわかる。
側ヒータ１２の温度を上昇させることにより、サセプタ
ーの中央部から周辺部に行くほど温度偏差は増加する傾
向を示し、これにより、外側ヒータ１２の温度を上昇さ
せても温度偏差は改善されない。また、曲線ＩＶ、Ｖ、
ＶＩに示されたように、内側ヒータ１４の温度を一定に
維持し、外側ヒータ１２の温度のみ上昇させるとして
も、サセプターの表面温度もやはり増加する傾向を示
す。したがって、単純に外側ヒータ１２の温度のみ上昇
させることにより、ウェーハ表面での温度均一性を達成
することは困難であることがわかる。
【００４８】図８及び図９で、伝導性熱伝達を確認する
ために、外側ヒータ１２と内側ヒータ１４間の熱伝達を
遮断することができるように支持台３０を変形した後、
蒸着装置のチャンバに適用して再びコンピュータシミュ
レーションを実施した。コンピュータシミュレーション
結果は、図１０乃至図１２に示している。ただ、シミュ
レーション条件は、図８の条件と同一である。
ために、外側ヒータ１２と内側ヒータ１４間の熱伝達を
遮断することができるように支持台３０を変形した後、
蒸着装置のチャンバに適用して再びコンピュータシミュ
レーションを実施した。コンピュータシミュレーション
結果は、図１０乃至図１２に示している。ただ、シミュ
レーション条件は、図８の条件と同一である。
【００４９】図１０は外側ヒータ１２と接触している支
持台３０の一部を除去することにより、外側ヒータ１２
で支持台３０への熱伝達を遮断することができるように
変形したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。
持台３０の一部を除去することにより、外側ヒータ１２
で支持台３０への熱伝達を遮断することができるように
変形したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。
【００５０】図１０に示すように、人為的に温度を高く
した外側ヒータ１２領域（Ｃ領域）と比較して内側ヒー
タ１４と、内側ヒータ１４を支持する支持台３０及び前
記支持台３０を収容するヒータカップ６０とを含む内側
ヒータ領域（Ｄ領域）は、顕著に低い濃度に表現されて
いる。
した外側ヒータ１２領域（Ｃ領域）と比較して内側ヒー
タ１４と、内側ヒータ１４を支持する支持台３０及び前
記支持台３０を収容するヒータカップ６０とを含む内側
ヒータ領域（Ｄ領域）は、顕著に低い濃度に表現されて
いる。
【００５１】これは内側ヒータ領域（Ｄ領域）の温度色
相は黄色いに表現され、外側ヒータ領域（Ｃ領域）より
顕著に低い温度分布を示している。即ち、コンピュータ
解析結果による温度色相の差異がＣ領域とＤ領域で大き
く発生していることがわかる。
相は黄色いに表現され、外側ヒータ領域（Ｃ領域）より
顕著に低い温度分布を示している。即ち、コンピュータ
解析結果による温度色相の差異がＣ領域とＤ領域で大き
く発生していることがわかる。
【００５２】したがって、外側ヒータ１２と接触してい
る領域の支持台３０を除去した場合、前記内側ヒータ１
４の温度は外側ヒータ１２の温度と大きい差異を示して
いるので、図８及び図９で推論したように内側ヒータ１
４の温度上昇原因が支持台３０を媒介にした外側ヒータ
１２からの伝導性熱伝達であったことを確認することが
できる。
る領域の支持台３０を除去した場合、前記内側ヒータ１
４の温度は外側ヒータ１２の温度と大きい差異を示して
いるので、図８及び図９で推論したように内側ヒータ１
４の温度上昇原因が支持台３０を媒介にした外側ヒータ
１２からの伝導性熱伝達であったことを確認することが
できる。
【００５３】しかし、蒸着装置でヒータカップ６０は、
チャンバの内部に位置するので、支持台３０が除去され
ると、工程中の蒸着ガスとか洗浄ガスなどによりヒータ
カップ６０内部が腐蝕され、装置の寿命を低下させるこ
とになるので、支持台３０を完全に除去することができ
ない。これにより、支持台３０を内側ヒータ１４を支持
する内側支持台と外側ヒータ１２を支持する外側支持台
に分離し、内側支持台と外側支持台間に熱伝達を抑制す
ることができるように、空間を形成した。
チャンバの内部に位置するので、支持台３０が除去され
ると、工程中の蒸着ガスとか洗浄ガスなどによりヒータ
カップ６０内部が腐蝕され、装置の寿命を低下させるこ
とになるので、支持台３０を完全に除去することができ
ない。これにより、支持台３０を内側ヒータ１４を支持
する内側支持台と外側ヒータ１２を支持する外側支持台
に分離し、内側支持台と外側支持台間に熱伝達を抑制す
ることができるように、空間を形成した。
【００５４】図１１は内側ヒータ１４と外側ヒータ１２
間の支持台３０に熱伝達の抑制のための熱遮蔽空間３３
を形成したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。したがって、支持台３０は熱遮蔽空間３３を隔てて
内側ヒータ１４を支持する内側支持台３４と外側ヒータ
１２を支持する外側支持台３２に分割されている。
間の支持台３０に熱伝達の抑制のための熱遮蔽空間３３
を形成したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。したがって、支持台３０は熱遮蔽空間３３を隔てて
内側ヒータ１４を支持する内側支持台３４と外側ヒータ
１２を支持する外側支持台３２に分割されている。
【００５５】図１１に示すように、内側ヒータ１４、内
側ヒータ１４を支持する内側支持台３４及び内側支持台
３４を収容するヒータカップ６０を含む内側ヒータ領域
（Ｆ領域）のハッチング濃度は、外側ヒータ１２及び外
側ヒータ１２を支持する外側支持台３２を含む外側ヒー
タ領域（Ｅ領域）のハッチング濃度と比較して低く表現
されている。即ち、外側支持台３２の温度と内側支持台
３４の温度が別に表現されているので、熱遮蔽空間３３
を通じて熱伝達が遮断されていることを確認することが
できる。
側ヒータ１４を支持する内側支持台３４及び内側支持台
３４を収容するヒータカップ６０を含む内側ヒータ領域
（Ｆ領域）のハッチング濃度は、外側ヒータ１２及び外
側ヒータ１２を支持する外側支持台３２を含む外側ヒー
タ領域（Ｅ領域）のハッチング濃度と比較して低く表現
されている。即ち、外側支持台３２の温度と内側支持台
３４の温度が別に表現されているので、熱遮蔽空間３３
を通じて熱伝達が遮断されていることを確認することが
できる。
【００５６】図１２は、ボルトによりヒータと支持台３
０の接触面積を最少化したヒータアセンブリの温度分布
を示す図面である。
０の接触面積を最少化したヒータアセンブリの温度分布
を示す図面である。
【００５７】図１２のヒータアセンブリは外側ヒータ１
２と外側支持台３２との間の接触面積を最少化するため
に、外側ヒータ１２と外側支持台３２間にボルト３６が
挿入されたことのみ除外しては、図１１のヒータアセン
ブリと同一の構造を有する。
２と外側支持台３２との間の接触面積を最少化するため
に、外側ヒータ１２と外側支持台３２間にボルト３６が
挿入されたことのみ除外しては、図１１のヒータアセン
ブリと同一の構造を有する。
【００５８】図１２で、内側ヒータ領域（Ｆ’領域）の
ハッチング濃度は、図１１に示した内側ヒータ領域（Ｆ
領域）のそれよりさらに低く表現されている。即ち、外
側ヒータ１２と内側ヒータ１４相互間の温度偏差は、図
１１に示した変形支持台を採択した場合よりさらに大き
く示している。図１１と比較すると、外側ヒータ１２と
外側支持台３２の面接触がボルト３６を利用した点接触
に変換して接触面積を減少させたことであるので、図１
１と比較して改善された温度偏差は外側ヒータ１２と外
側支持台３２との間で、熱伝達量を減少させたことに起
因する。即ち、外側ヒータ１２から内側支持台３４に伝
導される熱量を減少させることにより、ウェーハの温度
偏差を改善することができる。
ハッチング濃度は、図１１に示した内側ヒータ領域（Ｆ
領域）のそれよりさらに低く表現されている。即ち、外
側ヒータ１２と内側ヒータ１４相互間の温度偏差は、図
１１に示した変形支持台を採択した場合よりさらに大き
く示している。図１１と比較すると、外側ヒータ１２と
外側支持台３２の面接触がボルト３６を利用した点接触
に変換して接触面積を減少させたことであるので、図１
１と比較して改善された温度偏差は外側ヒータ１２と外
側支持台３２との間で、熱伝達量を減少させたことに起
因する。即ち、外側ヒータ１２から内側支持台３４に伝
導される熱量を減少させることにより、ウェーハの温度
偏差を改善することができる。
【００５９】図１３は、図１０乃至図１２によるシミュ
レーション結果を比較するためのグラフである。即ち、
内側ヒータ１４及び外側ヒータ１２の温度を各々３９０
℃と４５０℃に固定し、形状が変更された支持台を備え
たヒータアセンブリでサセプターの表面温度及び温度偏
差を測定してグラフに表示した。曲線Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ
は温度偏差を示し、曲線ＩＶ、Ｖ、ＶＩは、前記サセプ
ターの表面温度を示す。横軸はサセプターの中心から測
定した半径であり、縦軸は実測された温度（曲線ＩＶ、
Ｖ、ＶＩ）及び前記サセプターの周辺部と中心部の温度
偏差（曲線Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を示す。ここで、曲線Ｉ
及びＩＶは従来のように、外側ヒータ１２と内側ヒータ
１４を同時に支持する一体形支持台を有する場合の温度
偏差及び表面温度曲線であり、曲線ＩＩとＶは外側ヒー
タ１２を支持する外側支持台と内側ヒータを支持する内
側支持台に分離した後、外側支持台を除去した場合の温
度偏差及び表面温度曲線である。曲線ＩＩＩとＶＩは、
外側ヒータと外側支持台をボルトにより固定した場合の
温度偏差及び表面温度曲線である。
レーション結果を比較するためのグラフである。即ち、
内側ヒータ１４及び外側ヒータ１２の温度を各々３９０
℃と４５０℃に固定し、形状が変更された支持台を備え
たヒータアセンブリでサセプターの表面温度及び温度偏
差を測定してグラフに表示した。曲線Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ
は温度偏差を示し、曲線ＩＶ、Ｖ、ＶＩは、前記サセプ
ターの表面温度を示す。横軸はサセプターの中心から測
定した半径であり、縦軸は実測された温度（曲線ＩＶ、
Ｖ、ＶＩ）及び前記サセプターの周辺部と中心部の温度
偏差（曲線Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を示す。ここで、曲線Ｉ
及びＩＶは従来のように、外側ヒータ１２と内側ヒータ
１４を同時に支持する一体形支持台を有する場合の温度
偏差及び表面温度曲線であり、曲線ＩＩとＶは外側ヒー
タ１２を支持する外側支持台と内側ヒータを支持する内
側支持台に分離した後、外側支持台を除去した場合の温
度偏差及び表面温度曲線である。曲線ＩＩＩとＶＩは、
外側ヒータと外側支持台をボルトにより固定した場合の
温度偏差及び表面温度曲線である。
【００６０】図１３に示した曲線Ｉによると、従来デュ
アルヒータシステムの周辺部と中心部の温度偏差は大き
く示されているが、曲線ＩＩに示されたように、外側支
持台が除去された場合の温度偏差は相当に減少してい
る。即ち、外側支持台が除去されることにより、外側ヒ
ータ１２から内側ヒータ１４への伝導性熱伝達が抑制さ
れ、内側ヒータ１４への熱伝達は、必ず輻射によっての
み伝達されることができる。これにより、サセプターの
周辺部と中心部での温度偏差が減少される。
アルヒータシステムの周辺部と中心部の温度偏差は大き
く示されているが、曲線ＩＩに示されたように、外側支
持台が除去された場合の温度偏差は相当に減少してい
る。即ち、外側支持台が除去されることにより、外側ヒ
ータ１２から内側ヒータ１４への伝導性熱伝達が抑制さ
れ、内側ヒータ１４への熱伝達は、必ず輻射によっての
み伝達されることができる。これにより、サセプターの
周辺部と中心部での温度偏差が減少される。
【００６１】しかし、上述したように、外側支持台を除
去すると、チャンバ内部で蒸着ガス、その他汚染物によ
り前記ヒータカップ６０が損傷されるので、外側ヒータ
の完全な除去は望ましくない。これにより、外側ヒータ
１２と外側支持台３２との間にボルトを挿入して外側ヒ
ータ１２と外側支持台３２との間の接触面積を減少させ
た場合には、曲線ＩＩＩに示されたように、曲線ＩＩに
よる温度偏差より大きく示されているが、曲線Ｉと比較
すると、相当な温度偏差改善効果を示している。即ち、
デュアルヒータシステムで外側ヒータ１２から内側ヒー
タ１４への伝導性熱伝達を抑制することにより、ウェー
ハ表面の温度偏差をさらに改善させることができること
が確認できる。
去すると、チャンバ内部で蒸着ガス、その他汚染物によ
り前記ヒータカップ６０が損傷されるので、外側ヒータ
の完全な除去は望ましくない。これにより、外側ヒータ
１２と外側支持台３２との間にボルトを挿入して外側ヒ
ータ１２と外側支持台３２との間の接触面積を減少させ
た場合には、曲線ＩＩＩに示されたように、曲線ＩＩに
よる温度偏差より大きく示されているが、曲線Ｉと比較
すると、相当な温度偏差改善効果を示している。即ち、
デュアルヒータシステムで外側ヒータ１２から内側ヒー
タ１４への伝導性熱伝達を抑制することにより、ウェー
ハ表面の温度偏差をさらに改善させることができること
が確認できる。
【００６２】上述したように、ウェーハの周辺部を加熱
する熱量を独立的に制御することができるデュアルヒー
タ構造を採択するとしても、ウェーハ表面で満足するほ
どの温度均一性を達成しなく、これはデュアルヒータを
支持している支持台３０を媒介にして外側ヒータ１２の
熱量が内側ヒータ１４方向に伝導され、内側ヒータ１４
の温度を上昇させるためである。即ち、ヒータの構造及
び形状変更のみではウェーハ表面で満足するほどの温度
均一性を達成せず、これによりウェーハ上の全ての地点
で蒸着された薄膜の厚さ、組成、抵抗などの物理的性質
が不均一になる問題点がある。
する熱量を独立的に制御することができるデュアルヒー
タ構造を採択するとしても、ウェーハ表面で満足するほ
どの温度均一性を達成しなく、これはデュアルヒータを
支持している支持台３０を媒介にして外側ヒータ１２の
熱量が内側ヒータ１４方向に伝導され、内側ヒータ１４
の温度を上昇させるためである。即ち、ヒータの構造及
び形状変更のみではウェーハ表面で満足するほどの温度
均一性を達成せず、これによりウェーハ上の全ての地点
で蒸着された薄膜の厚さ、組成、抵抗などの物理的性質
が不均一になる問題点がある。
【００６３】図１４は、本発明の第１実施形態により半
導体素子製造装置である化学気相蒸着装置（ＣＶＤ）の
ヒータアセンブリを示す断面図である。
導体素子製造装置である化学気相蒸着装置（ＣＶＤ）の
ヒータアセンブリを示す断面図である。
【００６４】本実施形態では、ディスク形状を有するウ
ェーハを加熱するヒータは、ウェーハ周辺部を加熱する
ための外側ヒータ１２と中央部を加熱するための内側ヒ
ータ１４の２部分に分割されている。一実施形態とし
て、外側ヒータ１２と内側ヒータ１４は同一の中心を有
し、外側ヒータ１２は環形状及び、内側ヒータ１４は外
側ヒータ１２の内部に位置するディスク形状を有するこ
とができる。しかし、ヒータは同一な中心を基準に相異
する半径を有する複数の環状と一つのディスク形状に分
割することにより、３部分以上に分割されることができ
る。
ェーハを加熱するヒータは、ウェーハ周辺部を加熱する
ための外側ヒータ１２と中央部を加熱するための内側ヒ
ータ１４の２部分に分割されている。一実施形態とし
て、外側ヒータ１２と内側ヒータ１４は同一の中心を有
し、外側ヒータ１２は環形状及び、内側ヒータ１４は外
側ヒータ１２の内部に位置するディスク形状を有するこ
とができる。しかし、ヒータは同一な中心を基準に相異
する半径を有する複数の環状と一つのディスク形状に分
割することにより、３部分以上に分割されることができ
る。
【００６５】図１４に示すように、本発明の第１実施形
態によるヒータアセンブリ９００は、半導体素子を形成
するための基板として、被加熱体であるウェーハ５００
を支持するための支持部材であるサセプター４００と、
サセプター４００の下部に位置してサセプター４００に
熱を供給するための加熱要素であるヒータ１００と、ヒ
ータ１００に電流を供給するパワー供給部２００、及び
ヒータ１００を支持するための第２支持部材である支持
台３００とを含む。ウェーハ５００は一実施形態とし
て、ディスク形状を有し、ウェーハ５００を支持するサ
セプター４００もディスク形状を有する。
態によるヒータアセンブリ９００は、半導体素子を形成
するための基板として、被加熱体であるウェーハ５００
を支持するための支持部材であるサセプター４００と、
サセプター４００の下部に位置してサセプター４００に
熱を供給するための加熱要素であるヒータ１００と、ヒ
ータ１００に電流を供給するパワー供給部２００、及び
ヒータ１００を支持するための第２支持部材である支持
台３００とを含む。ウェーハ５００は一実施形態とし
て、ディスク形状を有し、ウェーハ５００を支持するサ
セプター４００もディスク形状を有する。
【００６６】サセプター４００は蒸着ガスを噴射する分
散ヘッド（図示せず）と、熱を供給するヒータ１００と
の間で、その中心が分散ヘッド及びヒータ１００の中心
と一直線を形成するように位置する。サセプター４００
の両端にはリフトフィンガー５２０が位置して分散ヘッ
ド（図示せず）とサセプター４００の間隔を一定に維持
してくれる。
散ヘッド（図示せず）と、熱を供給するヒータ１００と
の間で、その中心が分散ヘッド及びヒータ１００の中心
と一直線を形成するように位置する。サセプター４００
の両端にはリフトフィンガー５２０が位置して分散ヘッ
ド（図示せず）とサセプター４００の間隔を一定に維持
してくれる。
【００６７】ヒータ１００は一実施形態として、サセプ
ター４００の周辺部を加熱する外側ヒータ１２０及び周
辺部内側を加熱する内側ヒータ１４０に分離されるデュ
アルヒータ構造で形成され、外側ヒータ１２０と内側ヒ
ータ１４０は相互間に熱伝達を遮断することができるよ
うに隔離空間１６０を隔てて、相互に独立的に形成され
ている。ここで、内側ヒータ１４０はサセプター４００
の大部分に熱を加熱し、外側ヒータ１２０はサセプター
４００の外郭円周に沿って周辺部に熱を供給する。内側
ヒータ１４０は薄い円板（ｄｉｓｃ）形状を有して、大
略０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍ程度の厚さを有し、外側ヒ
ータ１２０は内側ヒータ１４０と同一の中心を有し、内
側ヒータ１４０を取囲む環形状で形成される。
ター４００の周辺部を加熱する外側ヒータ１２０及び周
辺部内側を加熱する内側ヒータ１４０に分離されるデュ
アルヒータ構造で形成され、外側ヒータ１２０と内側ヒ
ータ１４０は相互間に熱伝達を遮断することができるよ
うに隔離空間１６０を隔てて、相互に独立的に形成され
ている。ここで、内側ヒータ１４０はサセプター４００
の大部分に熱を加熱し、外側ヒータ１２０はサセプター
４００の外郭円周に沿って周辺部に熱を供給する。内側
ヒータ１４０は薄い円板（ｄｉｓｃ）形状を有して、大
略０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍ程度の厚さを有し、外側ヒ
ータ１２０は内側ヒータ１４０と同一の中心を有し、内
側ヒータ１４０を取囲む環形状で形成される。
【００６８】ヒータ１００は電気的な良導体により構成
され、電流が供給されると抵抗によりジュールの法則
（ｊｏｕｌｅ’ｓ ｌａｗ）を発生する構造を有してい
る。また、ヒータ１００の表面には工程中の蒸着ガス又
は洗浄ガスなどその他不純物からヒータ１００の損傷を
防止するための表面保護膜（図示せず）を備えている。
され、電流が供給されると抵抗によりジュールの法則
（ｊｏｕｌｅ’ｓ ｌａｗ）を発生する構造を有してい
る。また、ヒータ１００の表面には工程中の蒸着ガス又
は洗浄ガスなどその他不純物からヒータ１００の損傷を
防止するための表面保護膜（図示せず）を備えている。
【００６９】パワー供給部２００は外部電源（図示せ
ず）から供給される電流をヒータ１００に供給するため
の部材として、外側ヒータ１２０に電源を供給するため
の第１パワー供給部２２０及び内側ヒータ１４０に電源
を供給するための第２パワー供給部２４０により構成さ
れる。第１パワー供給部２２０及び第２パワー供給部２
４０は、外側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０に対する
電流供給を独立的に制御して、外側ヒータ１２０及び内
側ヒータ１４０の温度を相異に形成することができる。
望ましくは、外側ヒータ１２０の温度を内側ヒータ１４
０より高く形成して、サセプター４００の縁部位で輻射
により損失される熱量を補償することにより、サセプタ
ー４００の全表面で温度が均一に形成され得るようにす
る。
ず）から供給される電流をヒータ１００に供給するため
の部材として、外側ヒータ１２０に電源を供給するため
の第１パワー供給部２２０及び内側ヒータ１４０に電源
を供給するための第２パワー供給部２４０により構成さ
れる。第１パワー供給部２２０及び第２パワー供給部２
４０は、外側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０に対する
電流供給を独立的に制御して、外側ヒータ１２０及び内
側ヒータ１４０の温度を相異に形成することができる。
望ましくは、外側ヒータ１２０の温度を内側ヒータ１４
０より高く形成して、サセプター４００の縁部位で輻射
により損失される熱量を補償することにより、サセプタ
ー４００の全表面で温度が均一に形成され得るようにす
る。
【００７０】ヒータ１００は支持台３００により支持さ
れている。ここで、支持台３００はフッ化水素酸を除外
した酸及びアルカリに侵害されずに、化学的に相当に純
粋な物質である石英で形成され、蒸着ガスなどその他反
応副産物から腐蝕されることを防止する。支持台３００
はヒータアセンブリ９００の全体的な形状を決定するヒ
ータカップ６００に収容される。
れている。ここで、支持台３００はフッ化水素酸を除外
した酸及びアルカリに侵害されずに、化学的に相当に純
粋な物質である石英で形成され、蒸着ガスなどその他反
応副産物から腐蝕されることを防止する。支持台３００
はヒータアセンブリ９００の全体的な形状を決定するヒ
ータカップ６００に収容される。
【００７１】支持台３００はヒータ１００を支持する上
部支持台３１０と上部支持台３１０を支持し、蒸着ガス
などその他反応副産物がヒータの背面に流入されること
を防止するためのアルゴンガス注入口を備える下部支持
台３２０により構成される。
部支持台３１０と上部支持台３１０を支持し、蒸着ガス
などその他反応副産物がヒータの背面に流入されること
を防止するためのアルゴンガス注入口を備える下部支持
台３２０により構成される。
【００７２】上部支持台３１０と下部支持台３２０との
間にパワー供給部２００と外部電源（図示せず）を電気
的に連結するための連結ライン（図示せず）が設けられ
る。
間にパワー供給部２００と外部電源（図示せず）を電気
的に連結するための連結ライン（図示せず）が設けられ
る。
【００７３】上部支持台３１０の表面には上部支持台３
１０を媒介にして外側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０
との間の熱交換を抑制するための熱遮蔽部３３０が形成
されている。
１０を媒介にして外側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０
との間の熱交換を抑制するための熱遮蔽部３３０が形成
されている。
【００７４】熱遮蔽部３３０は隔離空間１６０の下部
で、外側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０の周辺部を同
時に支持することができる幅と所定の深さを有するよう
に、支持台３００の上部表面に溝３３２を形成した後、
溝３３２の内部に耐熱部材３３４を挿入することにより
完成される。これにより、外側ヒータ１２０の熱量が上
部支持台３１０を媒介で内側ヒータ１４０に伝導される
ことを抑制することにより、内側ヒータ１４０の温度上
昇を防止することができる。熱遮蔽部３３０の詳細な構
成については、以下で説明する。
で、外側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０の周辺部を同
時に支持することができる幅と所定の深さを有するよう
に、支持台３００の上部表面に溝３３２を形成した後、
溝３３２の内部に耐熱部材３３４を挿入することにより
完成される。これにより、外側ヒータ１２０の熱量が上
部支持台３１０を媒介で内側ヒータ１４０に伝導される
ことを抑制することにより、内側ヒータ１４０の温度上
昇を防止することができる。熱遮蔽部３３０の詳細な構
成については、以下で説明する。
【００７５】上述したような、化学気相蒸着装置のヒー
タアセンブリ９００によると、パワー供給部２００を通
じて外部電源（図示せず）からヒータ１００に電源が供
給されると、電気的に良好な導電である黒鉛で形成され
たヒータ１００から抵抗熱が発生され、サセプター４０
０に輻射される。ヒータ１００の輻射熱により加熱され
たサセプター４００は上部に定着されたウェーハ５００
に熱が伝導され、ウェーハ５００が加熱される。ここ
で、外側ヒータ１２０の温度を内側ヒータ１４０の温度
より高く形成して、サセプター４００の側面複写により
損失される熱量を補償するようにする。
タアセンブリ９００によると、パワー供給部２００を通
じて外部電源（図示せず）からヒータ１００に電源が供
給されると、電気的に良好な導電である黒鉛で形成され
たヒータ１００から抵抗熱が発生され、サセプター４０
０に輻射される。ヒータ１００の輻射熱により加熱され
たサセプター４００は上部に定着されたウェーハ５００
に熱が伝導され、ウェーハ５００が加熱される。ここ
で、外側ヒータ１２０の温度を内側ヒータ１４０の温度
より高く形成して、サセプター４００の側面複写により
損失される熱量を補償するようにする。
【００７６】熱遮蔽部３３０は上部支持台３１０を媒介
にして相対的に高温である外側ヒータ１２０から低温で
ある内側ヒータ１４０への伝導性熱伝達を抑制すること
により、内側ヒータ１４０の温度が上昇されることを防
止する。これにより、外側ヒータ１２０の温度上昇によ
り増加された発生熱量は内側ヒータ１４０の温度上昇に
影響を及ぼさなく、サセプター４００側面での損失熱量
を十分に補償することになる。したがって、ウェーハ５
００表面での温度偏差を改善することができる。
にして相対的に高温である外側ヒータ１２０から低温で
ある内側ヒータ１４０への伝導性熱伝達を抑制すること
により、内側ヒータ１４０の温度が上昇されることを防
止する。これにより、外側ヒータ１２０の温度上昇によ
り増加された発生熱量は内側ヒータ１４０の温度上昇に
影響を及ぼさなく、サセプター４００側面での損失熱量
を十分に補償することになる。したがって、ウェーハ５
００表面での温度偏差を改善することができる。
【００７７】図１５は、ヒータを支持する支持台を中心
に、図１４に示したヒータアセンブリを概念的に示した
概念図であり、図１６乃至図１８は図１５に示したヒー
タアセンブリの変形された実施形態を示す概念図であ
る。
に、図１４に示したヒータアセンブリを概念的に示した
概念図であり、図１６乃至図１８は図１５に示したヒー
タアセンブリの変形された実施形態を示す概念図であ
る。
【００７８】図１５によると、外側ヒータ１２０の内側
周辺部及び内側ヒータ１４０の周辺部を同時に支持する
上部支持台３１０の表面には所定の幅（ｗ）と深さ
（ｄ）を有する環状の溝で形成された熱遮蔽部３３０が
形成されている。
周辺部及び内側ヒータ１４０の周辺部を同時に支持する
上部支持台３１０の表面には所定の幅（ｗ）と深さ
（ｄ）を有する環状の溝で形成された熱遮蔽部３３０が
形成されている。
【００７９】一実施形態として、熱遮蔽部３３０の幅
（ｗ）は、外側ヒータ１２０の内側面１２４から外側面
１２２方向に所定の距離ほど離れた第１距離（ａ）、外
側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０との間の間隔である
隔離空間１６０の幅（ｂ）及び内側ヒータ１４０の外側
面１４２から内側ヒータ１４０の中心方向に所定の距離
ほど離れた第２距離（ｃ）により構成される。ここで、
第１距離（ａ）は、外側ヒータ１２０の内側面１２４と
外側面１２２との間の中点を超えないように形成され、
第２距離（ｃ）はヒータカップ６００の境界壁６１０ま
で延びられる。
（ｗ）は、外側ヒータ１２０の内側面１２４から外側面
１２２方向に所定の距離ほど離れた第１距離（ａ）、外
側ヒータ１２０と内側ヒータ１４０との間の間隔である
隔離空間１６０の幅（ｂ）及び内側ヒータ１４０の外側
面１４２から内側ヒータ１４０の中心方向に所定の距離
ほど離れた第２距離（ｃ）により構成される。ここで、
第１距離（ａ）は、外側ヒータ１２０の内側面１２４と
外側面１２２との間の中点を超えないように形成され、
第２距離（ｃ）はヒータカップ６００の境界壁６１０ま
で延びられる。
【００８０】また、熱遮蔽部３３０の深さ（ｄ）は、遮
断しようとする伝達熱量と支持台の応力変化を考慮して
形成され、上部支持台３１０の表面から下部支持台３２
０の基底面までの距離を最大値とする範囲内で任意の値
を有することができる。
断しようとする伝達熱量と支持台の応力変化を考慮して
形成され、上部支持台３１０の表面から下部支持台３２
０の基底面までの距離を最大値とする範囲内で任意の値
を有することができる。
【００８１】熱遮蔽部３３０の深さ（ｄ）が、下部支持
台３２０の基底面まで形成された場合にも、図１６に示
したように、支持台３００は内側ヒータ１４０を支持す
る内側支持台３８０と、外側ヒータ１２０を支持する外
側支持台３６０に分離される分割構造を有する。本実施
形態では、二つのヒータ構造を有するヒータアセンブリ
を例示しているが、三つ以上のヒータ構造を有する場合
には、支持台もこれに対応して分割され、複数の支持台
間に形成される熱遮蔽部の数も共に増加する。
台３２０の基底面まで形成された場合にも、図１６に示
したように、支持台３００は内側ヒータ１４０を支持す
る内側支持台３８０と、外側ヒータ１２０を支持する外
側支持台３６０に分離される分割構造を有する。本実施
形態では、二つのヒータ構造を有するヒータアセンブリ
を例示しているが、三つ以上のヒータ構造を有する場合
には、支持台もこれに対応して分割され、複数の支持台
間に形成される熱遮蔽部の数も共に増加する。
【００８２】したがって、熱遮蔽部３３０は外側ヒータ
１２０と内側ヒータ１４０に共通にかかっており、熱遮
蔽特性が優れる窒化ホウ素などのような絶縁物質を挿入
することにより、熱伝達を抑制することができる。望ま
しくは、絶縁物質として空気を利用することにより、優
れる熱遮蔽効果と工程効率及び減価節減を達成すること
ができる。絶縁物質として、空気を利用する場合、熱遮
蔽部３３０と隔離空間１６０が連動され内側ヒータ１４
０と外側ヒータ１２０は互いに空間的に隔離される。
１２０と内側ヒータ１４０に共通にかかっており、熱遮
蔽特性が優れる窒化ホウ素などのような絶縁物質を挿入
することにより、熱伝達を抑制することができる。望ま
しくは、絶縁物質として空気を利用することにより、優
れる熱遮蔽効果と工程効率及び減価節減を達成すること
ができる。絶縁物質として、空気を利用する場合、熱遮
蔽部３３０と隔離空間１６０が連動され内側ヒータ１４
０と外側ヒータ１２０は互いに空間的に隔離される。
【００８３】これにより、外側ヒータ１２０の温度が上
昇される場合、外側ヒータ１２０で内側ヒータ１４０へ
の伝導性熱伝達を抑制することにより、外側ヒータ１２
０の温度上昇と共に内側ヒータ１４０の温度も共に上昇
される現象を防止することができる。したがって、ウェ
ーハ周辺部に供給される熱量を高く設定することによ
り、ウェーハ表面での温度偏差を減少させることができ
る。
昇される場合、外側ヒータ１２０で内側ヒータ１４０へ
の伝導性熱伝達を抑制することにより、外側ヒータ１２
０の温度上昇と共に内側ヒータ１４０の温度も共に上昇
される現象を防止することができる。したがって、ウェ
ーハ周辺部に供給される熱量を高く設定することによ
り、ウェーハ表面での温度偏差を減少させることができ
る。
【００８４】図１７によると、上部支持台３１０はヒー
タ１００の下部面から所定の距離ほど離隔され位置する
ことにより、ヒータ１００と上部支持台３１０間に一定
したサイズの空間を形成する。空間はヒータ１００と支
持台３００との間の直接的な接触を防止することによ
り、支持台を媒介にした外側ヒータ１２０と内側ヒータ
１４０との間の伝導性熱伝達を抑制する熱遮蔽部３３０
を形成することになる。
タ１００の下部面から所定の距離ほど離隔され位置する
ことにより、ヒータ１００と上部支持台３１０間に一定
したサイズの空間を形成する。空間はヒータ１００と支
持台３００との間の直接的な接触を防止することによ
り、支持台を媒介にした外側ヒータ１２０と内側ヒータ
１４０との間の伝導性熱伝達を抑制する熱遮蔽部３３０
を形成することになる。
【００８５】ここで、上部支持台３１０の上部表面に
は、ヒータ１００との接触面積を最少化しながら、ヒー
タ１００を支持するための複数の支持バー３９０が形成
されている。
は、ヒータ１００との接触面積を最少化しながら、ヒー
タ１００を支持するための複数の支持バー３９０が形成
されている。
【００８６】支持バー３９０は外側ヒータ１２０の下部
面中央部に沿って円周状に外側ヒータ１２０を支持する
第１支持バー３９０ａ及び内側ヒータ１４０の下部面周
辺部に沿って円周状に内側ヒータ１４０を支持する第２
支持バー３９０ｂを含む。第１支持バー３９０ａと第２
支持バー３９０ｂとの間に位置する熱遮蔽部３３０は、
内側ヒータ１４０と外側ヒータ１２０との間に位置する
隔離空間１６０と連通されている。したがって、外側ヒ
ータ１２０と内側ヒータ１４０は物理的に互いに隔離さ
れ伝導性熱伝達が抑制される。
面中央部に沿って円周状に外側ヒータ１２０を支持する
第１支持バー３９０ａ及び内側ヒータ１４０の下部面周
辺部に沿って円周状に内側ヒータ１４０を支持する第２
支持バー３９０ｂを含む。第１支持バー３９０ａと第２
支持バー３９０ｂとの間に位置する熱遮蔽部３３０は、
内側ヒータ１４０と外側ヒータ１２０との間に位置する
隔離空間１６０と連通されている。したがって、外側ヒ
ータ１２０と内側ヒータ１４０は物理的に互いに隔離さ
れ伝導性熱伝達が抑制される。
【００８７】一実施形態として、支持バー３９０は上部
支持台３１０にタップを形成し、タップとねじ結合によ
り形成されたボルトに形成されることができる。
支持台３１０にタップを形成し、タップとねじ結合によ
り形成されたボルトに形成されることができる。
【００８８】ボルトの上端部には、ヒータ１００を支持
することができる水平面を形成する。熱遮蔽部３３０の
内部は熱遮蔽特性が優れる絶縁物質で埋めることができ
るが、望ましくは空気により埋められて、空いた空間を
形成してヒータアセンブリの製作便宜性を考慮する。
することができる水平面を形成する。熱遮蔽部３３０の
内部は熱遮蔽特性が優れる絶縁物質で埋めることができ
るが、望ましくは空気により埋められて、空いた空間を
形成してヒータアセンブリの製作便宜性を考慮する。
【００８９】したがって、ヒータ１００とこれを支持す
る支持台３００の接触方式を従来の面接触方式でボルト
などのような支持バーを利用した点接触方式に変更する
ことにより、ヒータと支持台との間の接触面積を減少さ
せることができる。これにより、外側ヒータ１２０から
上部支持台３１０に伝導される熱量を減少させ、内側ヒ
ータ１４０の温度上昇を抑制することができる。
る支持台３００の接触方式を従来の面接触方式でボルト
などのような支持バーを利用した点接触方式に変更する
ことにより、ヒータと支持台との間の接触面積を減少さ
せることができる。これにより、外側ヒータ１２０から
上部支持台３１０に伝導される熱量を減少させ、内側ヒ
ータ１４０の温度上昇を抑制することができる。
【００９０】また、図１８に示したように、第１支持バ
ー３９０ａを含む外側支持台３６０と第２支持バー３９
０ｂを含む内側支持台３８０に支持台３００を分割す
る。したがって、熱遮蔽部３３０は外側支持台３６０と
内側支持台３８０との間の空間を含むように拡張され、
熱遮蔽効果をさらに向上することができる。
ー３９０ａを含む外側支持台３６０と第２支持バー３９
０ｂを含む内側支持台３８０に支持台３００を分割す
る。したがって、熱遮蔽部３３０は外側支持台３６０と
内側支持台３８０との間の空間を含むように拡張され、
熱遮蔽効果をさらに向上することができる。
【００９１】図１９は、本発明の第２実施形態による半
導体素子製造装置である化学気相蒸着装置（ＣＶＤ）の
ヒータアセンブリを示す断面図である。本実施形態によ
るヒータアセンブリは図１４に示した第１実施形態によ
るヒータアセンブリと比較してヒータ、上部支持台及び
パワー供給部を除外し、全て同一の構造を有する。した
がって、第１実施形態によるヒータアセンブリの構成部
材と同一の部材は同一の参照符号を利用し、同一の参照
符号は同一の機能を有する。
導体素子製造装置である化学気相蒸着装置（ＣＶＤ）の
ヒータアセンブリを示す断面図である。本実施形態によ
るヒータアセンブリは図１４に示した第１実施形態によ
るヒータアセンブリと比較してヒータ、上部支持台及び
パワー供給部を除外し、全て同一の構造を有する。した
がって、第１実施形態によるヒータアセンブリの構成部
材と同一の部材は同一の参照符号を利用し、同一の参照
符号は同一の機能を有する。
【００９２】図１９に示すように、本発明の第２実施形
態によるヒータアセンブリ９００は半導体素子を形成す
るための基板として、被加熱体であるウェーハ５００を
支持するための第１支持部材であるサセプター４００、
サセプター４００の下部に位置してサセプター４００に
熱を供給するための加熱要素であるヒータ１００、ヒー
タ１００に電流を供給するパワー供給部２００及びヒー
タ１００を支持するための第２支持部材である支持台３
００を含む。
態によるヒータアセンブリ９００は半導体素子を形成す
るための基板として、被加熱体であるウェーハ５００を
支持するための第１支持部材であるサセプター４００、
サセプター４００の下部に位置してサセプター４００に
熱を供給するための加熱要素であるヒータ１００、ヒー
タ１００に電流を供給するパワー供給部２００及びヒー
タ１００を支持するための第２支持部材である支持台３
００を含む。
【００９３】ここで、ヒータ１００はディスク形状を有
するサセプター４００の縁からサセプター４００の中心
方向に一定した距離ほど加熱することができる環状に備
えられ、従来のデュアルヒータシステムと比較してサセ
プター４００の中央部を加熱するための内側ヒータは除
去されている。したがって、ヒータの内部には輻射によ
り熱を伝達することができる輻射空間１８０が形成され
ている。特に、ヒータ１００の内側にはもう以上のヒー
タが位置しないので、輻射空間１８０はヒータ１００の
内部に連続的に形成される。また、ヒータ１００の下端
部には外部電源（図示せず）からヒータ１００に電流を
供給するためのパワー供給部２００が形成されている。
するサセプター４００の縁からサセプター４００の中心
方向に一定した距離ほど加熱することができる環状に備
えられ、従来のデュアルヒータシステムと比較してサセ
プター４００の中央部を加熱するための内側ヒータは除
去されている。したがって、ヒータの内部には輻射によ
り熱を伝達することができる輻射空間１８０が形成され
ている。特に、ヒータ１００の内側にはもう以上のヒー
タが位置しないので、輻射空間１８０はヒータ１００の
内部に連続的に形成される。また、ヒータ１００の下端
部には外部電源（図示せず）からヒータ１００に電流を
供給するためのパワー供給部２００が形成されている。
【００９４】ヒータ１００は一体で形成され、ヒータカ
ップ６００内部に収容された支持台３００により支持さ
れている。支持台３００はヒータ１００を支持する上部
支持台３１０と上部支持台３１０を支持し、蒸着ガスな
どその他反応副産物がヒータの背面に流入されることを
防止するためのアルゴンガス注入口を備える下部支持台
３２０により構成される。したがって、ヒータ１００と
接触しない支持台３００の上部面は支持台３００とサセ
プター４００間に形成された輻射空間１８０を隔ててサ
セプター４００の下部面と対向するように形成される。
ップ６００内部に収容された支持台３００により支持さ
れている。支持台３００はヒータ１００を支持する上部
支持台３１０と上部支持台３１０を支持し、蒸着ガスな
どその他反応副産物がヒータの背面に流入されることを
防止するためのアルゴンガス注入口を備える下部支持台
３２０により構成される。したがって、ヒータ１００と
接触しない支持台３００の上部面は支持台３００とサセ
プター４００間に形成された輻射空間１８０を隔ててサ
セプター４００の下部面と対向するように形成される。
【００９５】パワー供給部２００を通じて外部電源（図
示せず）からヒータ１００に電源が供給されると、電気
的に良好な導体である黒鉛に形成されたヒータ１００か
ら抵抗熱が発生され、サセプター４００の周辺部に輻射
されると同時に支持台３００を媒介で伝導された後、輻
射空間１８０を通じて輻射されることにより、輻射空間
１８０に対応するサセプター４００の下部表面を加熱す
ることになる。
示せず）からヒータ１００に電源が供給されると、電気
的に良好な導体である黒鉛に形成されたヒータ１００か
ら抵抗熱が発生され、サセプター４００の周辺部に輻射
されると同時に支持台３００を媒介で伝導された後、輻
射空間１８０を通じて輻射されることにより、輻射空間
１８０に対応するサセプター４００の下部表面を加熱す
ることになる。
【００９６】これにより、サセプター４００の周辺部で
は、直接的にヒータ１００により加熱されるので、高い
熱量が放出され、周辺部を除外したサセプター４００の
下部表面は支持台３００を媒介にした伝導性熱量が輻射
により伝達されるので、相対的に少ない熱量が放出され
る。したがって、サセプター４００の側面で輻射により
損失される熱量が十分に補償されるので、ウェーハ表面
での温度偏差を減少させることができる効果がある。
は、直接的にヒータ１００により加熱されるので、高い
熱量が放出され、周辺部を除外したサセプター４００の
下部表面は支持台３００を媒介にした伝導性熱量が輻射
により伝達されるので、相対的に少ない熱量が放出され
る。したがって、サセプター４００の側面で輻射により
損失される熱量が十分に補償されるので、ウェーハ表面
での温度偏差を減少させることができる効果がある。
【００９７】上述したように、形状が変更された支持台
を備えるヒータアセンブリで温度偏差の改善効果を確認
するために、ウェーハの表面温度を測定するテストを実
施した。
を備えるヒータアセンブリで温度偏差の改善効果を確認
するために、ウェーハの表面温度を測定するテストを実
施した。
【００９８】図２０乃至図２３は、上述した本発明の第
１実施形態による分割された支持台を備えるヒータアセ
ンブリをＧＥＮＵＳ７０００装置に装着した後、２５ポ
イントｔ／ｃウェーハを利用してウェーハの表面温度を
測定した結果を示す図面である。ここで、内側ヒータは
３９５℃に固定され、外側ヒータは各々３８５℃、３９
５℃、４０５℃、４１５℃に続けて増加しながら、ウェ
ーハの表面温度を測定した。図２４乃至図２７は図２０
乃至図２３に対応する温度プロファイル示す図面であ
る。ここで、太く表示された実線はウェーハの平均温度
を示す平均温度曲線（ＭＴ ＣＵＲＶＥ）である。ま
た、測定データを整理した結果を表１に示す。
１実施形態による分割された支持台を備えるヒータアセ
ンブリをＧＥＮＵＳ７０００装置に装着した後、２５ポ
イントｔ／ｃウェーハを利用してウェーハの表面温度を
測定した結果を示す図面である。ここで、内側ヒータは
３９５℃に固定され、外側ヒータは各々３８５℃、３９
５℃、４０５℃、４１５℃に続けて増加しながら、ウェ
ーハの表面温度を測定した。図２４乃至図２７は図２０
乃至図２３に対応する温度プロファイル示す図面であ
る。ここで、太く表示された実線はウェーハの平均温度
を示す平均温度曲線（ＭＴ ＣＵＲＶＥ）である。ま
た、測定データを整理した結果を表１に示す。
【００９９】図２０乃至図２３及び表１に示すように、
外側ヒータの温度が上昇することにより、ウェーハ表面
で最高温度及び最低温度も共に上昇し、これによりウェ
ーハ表面の平均温度も上昇することが確認できる。特
に、表１によると、外側ヒータの温度が３９５℃乃至４
１５℃に形成される場合には、通常的な外側ヒータの使
用温度である３８５℃と比較してウェーハ表面での温度
偏差が約半分程度に減少されることが分かる。
外側ヒータの温度が上昇することにより、ウェーハ表面
で最高温度及び最低温度も共に上昇し、これによりウェ
ーハ表面の平均温度も上昇することが確認できる。特
に、表１によると、外側ヒータの温度が３９５℃乃至４
１５℃に形成される場合には、通常的な外側ヒータの使
用温度である３８５℃と比較してウェーハ表面での温度
偏差が約半分程度に減少されることが分かる。
【０１００】図２４乃至図２７に示すように、外側ヒー
タの温度が上昇するによって、ウェーハ表面の温度プロ
ファイルは間隔が広く示される。これは、ヒータ表面で
温度が別に示される領域が減少されることを意味するの
で、ウェーハ表面の温度偏差が改善されることを視覚的
に確認することができる。
タの温度が上昇するによって、ウェーハ表面の温度プロ
ファイルは間隔が広く示される。これは、ヒータ表面で
温度が別に示される領域が減少されることを意味するの
で、ウェーハ表面の温度偏差が改善されることを視覚的
に確認することができる。
【０１０１】また、平均温度曲線（ＭＴ ＣＵＲＶＥ）
は、ウェーハ表面で中心部と周辺部の温度偏差が小さけ
れば小さいほどウェーハの縁方向に偏って表示され、閉
円を形成できなくなる。最も理想的に、温度偏差が全く
なければ、ウェーハの縁と一致して平均温度曲線は示さ
れない。
は、ウェーハ表面で中心部と周辺部の温度偏差が小さけ
れば小さいほどウェーハの縁方向に偏って表示され、閉
円を形成できなくなる。最も理想的に、温度偏差が全く
なければ、ウェーハの縁と一致して平均温度曲線は示さ
れない。
【０１０２】図２４乃至図２７の平均温度曲線（ＭＴ
ＣＵＲＶＥ）の変化を見ると、外側ヒータの温度が上昇
するほど、平均温度曲線（ＭＴ ＣＵＲＶＥ）がウェー
ハ周辺部に押され、閉円を形成せずに、円弧形状を部分
的に示されることが確認できる。これにより、外側ヒー
タの温度上昇は内側ヒータの温度上昇に影響を及ぼさな
く、ウェーハ表面の温度偏差改善に直接的に寄与するこ
とが分かる。
ＣＵＲＶＥ）の変化を見ると、外側ヒータの温度が上昇
するほど、平均温度曲線（ＭＴ ＣＵＲＶＥ）がウェー
ハ周辺部に押され、閉円を形成せずに、円弧形状を部分
的に示されることが確認できる。これにより、外側ヒー
タの温度上昇は内側ヒータの温度上昇に影響を及ぼさな
く、ウェーハ表面の温度偏差改善に直接的に寄与するこ
とが分かる。
【０１０３】即ち、外側ヒータの温度上昇による増加さ
れた熱量は、内側ヒータの温度増加には大きい影響を及
ぼさなく、サセプターの側面で輻射により損失される熱
量を補償することにより、ウェーハ表面での温度偏差を
改善することになる。
れた熱量は、内側ヒータの温度増加には大きい影響を及
ぼさなく、サセプターの側面で輻射により損失される熱
量を補償することにより、ウェーハ表面での温度偏差を
改善することになる。
【０１０４】図２８は、上述した本発明の第２実施形態
により一体型支持台と外側ヒータのみ備えたヒータアセ
ンブリをＧＥＮＵＳ７０００装置に装着した後、２５ポ
イントｔ／ｃウェーハを利用して、ウェーハの表面温度
を測定した結果を示す図面である。ここで、外側ヒータ
は３９５℃に固定される。図２９は図２８に対応する温
度プルファイルを示す図面である。ここで、上述したよ
うに太い実線はウェーハの平均温度を示し、実験データ
を整理した結果は表１に示す。
により一体型支持台と外側ヒータのみ備えたヒータアセ
ンブリをＧＥＮＵＳ７０００装置に装着した後、２５ポ
イントｔ／ｃウェーハを利用して、ウェーハの表面温度
を測定した結果を示す図面である。ここで、外側ヒータ
は３９５℃に固定される。図２９は図２８に対応する温
度プルファイルを示す図面である。ここで、上述したよ
うに太い実線はウェーハの平均温度を示し、実験データ
を整理した結果は表１に示す。
【０１０５】図２８及び表１に示すように、ウェーハ表
面での最高温度は３７７℃、最低温度は３７２℃に測定
された。測定データを通じた平均温度は３７４℃である
ことが分かる。外側ヒータの温度が３９５℃として同一
の状態で内側ヒータが除去されない場合（図２１参照）
と比較すると、ウェーハ表面の平均温度は３７４℃で同
一に維持され、ウェーハ中心部の最高温度は低下され、
温度偏差はさらに改善された５℃の分布を示している。
面での最高温度は３７７℃、最低温度は３７２℃に測定
された。測定データを通じた平均温度は３７４℃である
ことが分かる。外側ヒータの温度が３９５℃として同一
の状態で内側ヒータが除去されない場合（図２１参照）
と比較すると、ウェーハ表面の平均温度は３７４℃で同
一に維持され、ウェーハ中心部の最高温度は低下され、
温度偏差はさらに改善された５℃の分布を示している。
【０１０６】また、図２９によると、温度プロファイル
の間隔は図２５と比較してさらに広く示され、ウェーハ
表面の平均温度曲線（ＭＴ ＣＵＲＶＥ）もウェーハ周
辺部に偏った円弧形状で形成され、ウェーハ表面での温
度偏差がさらに改善されたことを視覚的に確認すること
ができる。
の間隔は図２５と比較してさらに広く示され、ウェーハ
表面の平均温度曲線（ＭＴ ＣＵＲＶＥ）もウェーハ周
辺部に偏った円弧形状で形成され、ウェーハ表面での温
度偏差がさらに改善されたことを視覚的に確認すること
ができる。
【０１０７】したがって、一つのヒータのみを使用して
温度を制御する必要がある場合には、環状を有する外側
ヒータのみを使用することがウェーハ表面での温度偏差
改善にさらに効果的であることが確認された。
温度を制御する必要がある場合には、環状を有する外側
ヒータのみを使用することがウェーハ表面での温度偏差
改善にさらに効果的であることが確認された。
【０１０８】表１は図２０乃至図２３及び図２８に表示
された測定データを利用してウェーハ表面の平均温度と
温度偏差を示した表である。
された測定データを利用してウェーハ表面の平均温度と
温度偏差を示した表である。
【０１０９】
【表１】
【０１１０】表１で試料Ｉ乃至ＩＶは、図２０乃至図２
３に示した測定資料を分析したものであり、試料Ｖは図
２８に示した測定資料を分析したものである。したがっ
て、試料１乃至ＩＶは内側ヒータの温度が３９５℃に固
定された状態で、外側ヒータの温度を３８５℃、３９５
℃、４０５℃、４１５℃に増加させた場合のウェーハ平
均温度及び温度偏差を示している。また、試料Ｖは内側
ヒータを除去し外側ヒータの温度を３９５℃に設定した
場合のウェーハ平均温度及び温度偏差を示している。
３に示した測定資料を分析したものであり、試料Ｖは図
２８に示した測定資料を分析したものである。したがっ
て、試料１乃至ＩＶは内側ヒータの温度が３９５℃に固
定された状態で、外側ヒータの温度を３８５℃、３９５
℃、４０５℃、４１５℃に増加させた場合のウェーハ平
均温度及び温度偏差を示している。また、試料Ｖは内側
ヒータを除去し外側ヒータの温度を３９５℃に設定した
場合のウェーハ平均温度及び温度偏差を示している。
【０１１１】表１の結果を参照すると、外側ヒータの温
度が上昇すると、ウェーハ表面での温度偏差は減少され
るが、ウェーハの平均温度は上昇される。しかし、ウェ
ーハの平均温度が高く形成されると、タングステンシリ
サイドの蒸着時にタングステンシリサイドグレーン（Ｗ
Ｓｉｘ ｇｒａｉｎ）が過度に形成され、又はブリッジ
不良を発生させる。
度が上昇すると、ウェーハ表面での温度偏差は減少され
るが、ウェーハの平均温度は上昇される。しかし、ウェ
ーハの平均温度が高く形成されると、タングステンシリ
サイドの蒸着時にタングステンシリサイドグレーン（Ｗ
Ｓｉｘ ｇｒａｉｎ）が過度に形成され、又はブリッジ
不良を発生させる。
【０１１２】高温でタングステンシリサイドを蒸着する
と、過剰シリコンが発生して後続工程で酸化され、酸化
シリコン（ＳｉＯ2）を形成する。ブリッジ不良とは、
酸化シリコンがタングステンシリサイドグレーンをゲー
トライン外に押して、パッドポリ（ｐａｄ ｐｏｌｙ）
と結合することにより惹起される半導体素子の接続不良
をいう。
と、過剰シリコンが発生して後続工程で酸化され、酸化
シリコン（ＳｉＯ2）を形成する。ブリッジ不良とは、
酸化シリコンがタングステンシリサイドグレーンをゲー
トライン外に押して、パッドポリ（ｐａｄ ｐｏｌｙ）
と結合することにより惹起される半導体素子の接続不良
をいう。
【０１１３】一方、高温蒸着によるグレーン形成とかブ
リッジ不良を防止するために、ヒータの温度を低下させ
ると、ウェーハ表面の温度偏差が大きくなってウェーハ
の周辺部と比較して、相対的に温度が低く形成される周
辺部では低温状態で蒸着工程が進行される。低温でタン
グステンシリサイドを蒸着すると、過剰タングステンが
発生して下部膜と蒸着される膜との間の結合力が弱くな
り、内部応力が増加され、後続熱処理工程で下部膜と分
離される層剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ又はリフテ
ィング（ｌｉｆｔｉｎｇ）と称する）現象が発生する。
リッジ不良を防止するために、ヒータの温度を低下させ
ると、ウェーハ表面の温度偏差が大きくなってウェーハ
の周辺部と比較して、相対的に温度が低く形成される周
辺部では低温状態で蒸着工程が進行される。低温でタン
グステンシリサイドを蒸着すると、過剰タングステンが
発生して下部膜と蒸着される膜との間の結合力が弱くな
り、内部応力が増加され、後続熱処理工程で下部膜と分
離される層剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ又はリフテ
ィング（ｌｉｆｔｉｎｇ）と称する）現象が発生する。
【０１１４】したがって、上述したグレーン生成とかブ
リッジ不良を防止することができる第１温度を上限に有
し、層剥離現象を防止することができる第２の温度を下
限に有する温度範囲内で、ウェーハ表面温度が決定され
る時、上述したウェーハ表面での温度均一性も工程効率
を改善することになる。温度範囲を超えたウェーハ表面
温度を有し、ウェーハの全表面を通じて温度が均一に形
成されると、ウェーハの全てのセルで同時にブリッジ不
良又は層剥離現象が発生される。
リッジ不良を防止することができる第１温度を上限に有
し、層剥離現象を防止することができる第２の温度を下
限に有する温度範囲内で、ウェーハ表面温度が決定され
る時、上述したウェーハ表面での温度均一性も工程効率
を改善することになる。温度範囲を超えたウェーハ表面
温度を有し、ウェーハの全表面を通じて温度が均一に形
成されると、ウェーハの全てのセルで同時にブリッジ不
良又は層剥離現象が発生される。
【０１１５】即ち、ウェーハ表面で膜を均一に蒸着する
ために、ウェーハの表面温度を均一に形成しなければな
らないが、均一に形成されたウェーハの表面温度は過剰
シリコン又は過剰タングステンを形成しないように、第
１温度及び第２温度を最高温度と最低温度とする特定の
範囲内で決定されなければならない。
ために、ウェーハの表面温度を均一に形成しなければな
らないが、均一に形成されたウェーハの表面温度は過剰
シリコン又は過剰タングステンを形成しないように、第
１温度及び第２温度を最高温度と最低温度とする特定の
範囲内で決定されなければならない。
【０１１６】これにより、過剰シリコン発生を抑制する
ことができる上限を定めるために、メタパルス（ｍｅｔ
ａｐｕｌｓｅ）計測器を通じてタングステンシリサイド
薄膜のメタパルス密度を測定した。
ことができる上限を定めるために、メタパルス（ｍｅｔ
ａｐｕｌｓｅ）計測器を通じてタングステンシリサイド
薄膜のメタパルス密度を測定した。
【０１１７】図３０は、各温度別にタングステンシリサ
イド薄膜のメタパルス密度を測定した結果を示すグラフ
である。図３０で、横軸はＧＥＮＵＳ７００装置の３．
９バージョン（ｖｅｒｓｉｏｎ）チャンバの内側ヒータ
に設定された温度を意味し、縦軸は測定されたメタパル
スの密度を示す。Ｐ１乃至Ｐ９はウェーハ表面の任意の
地点を意味する。
イド薄膜のメタパルス密度を測定した結果を示すグラフ
である。図３０で、横軸はＧＥＮＵＳ７００装置の３．
９バージョン（ｖｅｒｓｉｏｎ）チャンバの内側ヒータ
に設定された温度を意味し、縦軸は測定されたメタパル
スの密度を示す。Ｐ１乃至Ｐ９はウェーハ表面の任意の
地点を意味する。
【０１１８】図３０に示すように、内側ヒータの温度が
４０５℃である場合を境界にしてウェーハ内の全て測定
地点でメタパルスの密度が急激に増加したことが分か
る。即ち、４０５℃でメタパルスの密度は５．２乃至
５．４の範囲を有するが、４１５℃では垂直上昇して４
２５℃の場合には、６．２乃至６．８の範囲を有する。
したがって、内側ヒータの温度が４０５℃以下である場
合で安定的なメタパルス密度分布を有することが分か
る。
４０５℃である場合を境界にしてウェーハ内の全て測定
地点でメタパルスの密度が急激に増加したことが分か
る。即ち、４０５℃でメタパルスの密度は５．２乃至
５．４の範囲を有するが、４１５℃では垂直上昇して４
２５℃の場合には、６．２乃至６．８の範囲を有する。
したがって、内側ヒータの温度が４０５℃以下である場
合で安定的なメタパルス密度分布を有することが分か
る。
【０１１９】また、２５ポイントｔ／ｃウェーハを利用
して、ここでのウェーハ表面温度を測定した結果による
と、ウェーハ表面の平均温度は３７０℃であった。
して、ここでのウェーハ表面温度を測定した結果による
と、ウェーハ表面の平均温度は３７０℃であった。
【０１２０】即ち、ウェーハ表面の平均温度が３７０℃
以上であれば、高温蒸着状態になって過剰シリコンを含
有する薄膜が形成され、上述したようなグレーンとかブ
リッジ不良が発生することが分かる。このような結果は
ヒータ温度によるＩＬＳ（Ｉｎ−Ｌｉｎｅ Ｓｅｍ）写
真にも確認できる。
以上であれば、高温蒸着状態になって過剰シリコンを含
有する薄膜が形成され、上述したようなグレーンとかブ
リッジ不良が発生することが分かる。このような結果は
ヒータ温度によるＩＬＳ（Ｉｎ−Ｌｉｎｅ Ｓｅｍ）写
真にも確認できる。
【０１２１】図３１はヒータ温度変化によるタングステ
ンシリサイドグレーンの発生程度を示すＩＬＳ写真であ
る。図３１で、蒸着温度は蒸着当時のヒータ温度を意味
し、４００℃で５℃間隔に４１５℃まで測定された。
ンシリサイドグレーンの発生程度を示すＩＬＳ写真であ
る。図３１で、蒸着温度は蒸着当時のヒータ温度を意味
し、４００℃で５℃間隔に４１５℃まで測定された。
【０１２２】図３１によると、蒸着温度が上昇するによ
り、粒子形状のグレーン８１０密度が増加することを確
認することができる。蒸着温度が４００℃及び４０５℃
である場合には、グレーン８１０の形成が微弱に確認さ
れるが、４１０℃では確実に確認することができ、４１
５℃では密度が非常に高くなっている。したがって、４
０５℃を境界にしてグレーン８１０の密度が急激に高く
なることを写真により確認できる。
り、粒子形状のグレーン８１０密度が増加することを確
認することができる。蒸着温度が４００℃及び４０５℃
である場合には、グレーン８１０の形成が微弱に確認さ
れるが、４１０℃では確実に確認することができ、４１
５℃では密度が非常に高くなっている。したがって、４
０５℃を境界にしてグレーン８１０の密度が急激に高く
なることを写真により確認できる。
【０１２３】また、グレーン８１０の密度が高くなるほ
ど反射度（Ｒｅｆｌｅｃｔ Ｉｎｄｅｘ、以下ＲＩと称
する）も減少することを確認することができる。ＲＩと
は、工程が完了されたシリコンウェーハの反射率を１０
０にする時、工程進行中のウェーハ反射率を相対的に示
す指数である。工程初期段階では、蒸着される不純物が
小さくなるので、反射率が高くウェーハ製造工程が進行
されるほど、反射率は１００になる。したがって、ウェ
ーハ製造工程の初期段階ではＲＩ値が高くなり、工程が
進行されるほど低下される。したがって、各工程では目
標ＲＩ値を定めて工程不良可否を評価する基準とする。
ど反射度（Ｒｅｆｌｅｃｔ Ｉｎｄｅｘ、以下ＲＩと称
する）も減少することを確認することができる。ＲＩと
は、工程が完了されたシリコンウェーハの反射率を１０
０にする時、工程進行中のウェーハ反射率を相対的に示
す指数である。工程初期段階では、蒸着される不純物が
小さくなるので、反射率が高くウェーハ製造工程が進行
されるほど、反射率は１００になる。したがって、ウェ
ーハ製造工程の初期段階ではＲＩ値が高くなり、工程が
進行されるほど低下される。したがって、各工程では目
標ＲＩ値を定めて工程不良可否を評価する基準とする。
【０１２４】図１７によると、蒸着温度が上昇しながら
反射度が減少することが分かる。これは蒸着温度が上昇
しながら蒸着される薄膜内部にグレーン密度が増加する
ことに起因する。したがって、ＲＩ値は１１９乃至１２
２間で形成するようにし、望ましくは１２２の値を有す
るように形成する。
反射度が減少することが分かる。これは蒸着温度が上昇
しながら蒸着される薄膜内部にグレーン密度が増加する
ことに起因する。したがって、ＲＩ値は１１９乃至１２
２間で形成するようにし、望ましくは１２２の値を有す
るように形成する。
【０１２５】前記ＲＩ値は、蒸着温度上昇によるグレー
ンの成長に連関される指数であり、タングステンシリサ
イドを蒸着する場合、上述したように高温蒸着工程では
過剰シリコンが増加され、低温蒸着では過剰タングステ
ンが増加されるので、ＲＩタングステンに対するシリコ
ンの比率（Ｓｉ／Ｗ）の変化（以下、Ｓｉ／Ｗ比）によ
っても確認することができる。これにより、蒸着温度増
加による過剰シリコン増加を確認するために蒸着温度を
別にして、Ｓｉ／Ｗ比を測定するためのオージェ電子分
光学（ＡＥＳ、Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｐｅ）テストを実施した。ＡＥＳテストは
半導体素子の膜質に対する表面及び深さに対する汚染又
は組成物の組成比などを分析するためのテストである。
ンの成長に連関される指数であり、タングステンシリサ
イドを蒸着する場合、上述したように高温蒸着工程では
過剰シリコンが増加され、低温蒸着では過剰タングステ
ンが増加されるので、ＲＩタングステンに対するシリコ
ンの比率（Ｓｉ／Ｗ）の変化（以下、Ｓｉ／Ｗ比）によ
っても確認することができる。これにより、蒸着温度増
加による過剰シリコン増加を確認するために蒸着温度を
別にして、Ｓｉ／Ｗ比を測定するためのオージェ電子分
光学（ＡＥＳ、Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｐｅ）テストを実施した。ＡＥＳテストは
半導体素子の膜質に対する表面及び深さに対する汚染又
は組成物の組成比などを分析するためのテストである。
【０１２６】前記ＡＥＳテストは、試料表面の原子に電
子ビームを照射して放出されるオージェ電子（Ａｕｇｅ
ｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）の運動エネルギー値をスキャン
ニングして試料内の元素を分析するテストとして、ウェ
ーハ表面のパーティクル分析、損傷部分分析、薄膜の組
成比分析などに利用されている。
子ビームを照射して放出されるオージェ電子（Ａｕｇｅ
ｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）の運動エネルギー値をスキャン
ニングして試料内の元素を分析するテストとして、ウェ
ーハ表面のパーティクル分析、損傷部分分析、薄膜の組
成比分析などに利用されている。
【０１２７】図３２及び図３３は、ヒータ温度が４０５
℃である場合のＡＥＳテスト結果を示すグラフであり、
図３４及び図３５はヒータ温度が３９５℃である場合の
ＡＥＳテスト結果を示す図面である。ここで、横軸はウ
ェーハ表面に対する電子ビームの照射時間を示し、縦軸
は放出されるオージェ電子（Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ）の集中度を示す。図３２及び図３４はイオン注入
層を拡散させる前のシリサイドに対するＳｉ／Ｗ比を示
し、図３３及び図３５はイオン注入層を拡散させた後の
中央でＳｉ／Ｗ比を示すものである。
℃である場合のＡＥＳテスト結果を示すグラフであり、
図３４及び図３５はヒータ温度が３９５℃である場合の
ＡＥＳテスト結果を示す図面である。ここで、横軸はウ
ェーハ表面に対する電子ビームの照射時間を示し、縦軸
は放出されるオージェ電子（Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ）の集中度を示す。図３２及び図３４はイオン注入
層を拡散させる前のシリサイドに対するＳｉ／Ｗ比を示
し、図３３及び図３５はイオン注入層を拡散させた後の
中央でＳｉ／Ｗ比を示すものである。
【０１２８】図３２及び図３３に示すように、タングス
テン原子の集中度を示す曲線Ｉが、常にシリコン原子の
集中程度を示す曲線ＩＩよりグラフの上部に位置する。
イオン注入層拡散可否により、集中度のサイズは異なる
が、タングステン原子の集中度がシリコン原子の集中度
より大きく示される傾向は同一である。ここで、イオン
注入層が形成される前のＳｉ／Ｗ値は２．５１であり、
イオン注入層形成後のＳｉ／Ｗ値は２．６５である。図
３４及び図３５の場合にも、図３２及び図３３に示され
た傾向と同一である。
テン原子の集中度を示す曲線Ｉが、常にシリコン原子の
集中程度を示す曲線ＩＩよりグラフの上部に位置する。
イオン注入層拡散可否により、集中度のサイズは異なる
が、タングステン原子の集中度がシリコン原子の集中度
より大きく示される傾向は同一である。ここで、イオン
注入層が形成される前のＳｉ／Ｗ値は２．５１であり、
イオン注入層形成後のＳｉ／Ｗ値は２．６５である。図
３４及び図３５の場合にも、図３２及び図３３に示され
た傾向と同一である。
【０１２９】しかし、Ｓｉ／Ｗの値はイオン注入層前と
後に各々２．４３及び２．６４として図３２及び図３３
に示された結果より小さい値を有する。即ち、温度が高
くなるほど蒸着膜内でタングステンより相対的にシリコ
ンの成分が増加することを確認することができる。これ
により、グレーンの密度も増加され、結局ＲＩの値の温
度増加により減少される。望ましくは、Ｓｉ／Ｗの値が
２．５辺りで形成されるように蒸着中の温度を制御す
る。
後に各々２．４３及び２．６４として図３２及び図３３
に示された結果より小さい値を有する。即ち、温度が高
くなるほど蒸着膜内でタングステンより相対的にシリコ
ンの成分が増加することを確認することができる。これ
により、グレーンの密度も増加され、結局ＲＩの値の温
度増加により減少される。望ましくは、Ｓｉ／Ｗの値が
２．５辺りで形成されるように蒸着中の温度を制御す
る。
【０１３０】したがって、ウェーハ製造工程でブリッジ
不良とか層剥離現象を防止するためには、タングステン
シリサイドの蒸着工程で適切な蒸着温度を形成すること
により、過剰シリコンの成分を適切に調節することであ
り、これを確認する指標として上述したメタパルス密
度、ＲＩ値、Ｓｉ／Ｗ比などを利用することができる。
本発明の一実施形態によるヒータアセンブリは、メタパ
ルス密度を６．２以下に制御し、ＲＩ値が１１７乃至１
２７範囲で形成されるようにし、Ｓｉ／Ｗ比率が２．２
乃至２．６の範囲を有するように蒸着温度を調節する。
これのために、ウェーハ表面の平均温度は３５０℃乃至
３８０℃の範囲で形成されなければならない。本発明の
一実施形態によるヒータアセンブリのヒータは３９０℃
乃至４２０℃範囲で加熱されるように制御する。ただ、
具体的な作業環境でウェーハ表面の平均温度を形成する
ためのヒータの加熱温度範囲は誤差を有することができ
る。
不良とか層剥離現象を防止するためには、タングステン
シリサイドの蒸着工程で適切な蒸着温度を形成すること
により、過剰シリコンの成分を適切に調節することであ
り、これを確認する指標として上述したメタパルス密
度、ＲＩ値、Ｓｉ／Ｗ比などを利用することができる。
本発明の一実施形態によるヒータアセンブリは、メタパ
ルス密度を６．２以下に制御し、ＲＩ値が１１７乃至１
２７範囲で形成されるようにし、Ｓｉ／Ｗ比率が２．２
乃至２．６の範囲を有するように蒸着温度を調節する。
これのために、ウェーハ表面の平均温度は３５０℃乃至
３８０℃の範囲で形成されなければならない。本発明の
一実施形態によるヒータアセンブリのヒータは３９０℃
乃至４２０℃範囲で加熱されるように制御する。ただ、
具体的な作業環境でウェーハ表面の平均温度を形成する
ためのヒータの加熱温度範囲は誤差を有することができ
る。
【０１３１】以上、本発明の実施形態を詳細に説明した
が、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分
野において通常の知識を有するものであれば本発明の思
想と精神を離れることなく、本発明の実施形態を修正ま
たは変更できるであろう。
が、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分
野において通常の知識を有するものであれば本発明の思
想と精神を離れることなく、本発明の実施形態を修正ま
たは変更できるであろう。
【０１３２】
【発明の効果】本発明によると、ヒータ支持台の形状を
変更して分離されたヒータ相互間の伝導性熱伝達を遮断
することにより、ウェーハ表面での温度均一性を向上す
ることができる。また、ウェーハ表面の温度を所定の範
囲以内に制御することにより、メタパルスの密度、ＲＩ
値及びＳｉ／Ｗ比率を一定した範囲内に制限することが
できる。これにより、蒸着される金属性薄膜の厚さとか
密度などを一定に維持することができ、ウェーハ製造工
程でブリッジとか層剥離現象による不良を減少させるこ
とができる。
変更して分離されたヒータ相互間の伝導性熱伝達を遮断
することにより、ウェーハ表面での温度均一性を向上す
ることができる。また、ウェーハ表面の温度を所定の範
囲以内に制御することにより、メタパルスの密度、ＲＩ
値及びＳｉ／Ｗ比率を一定した範囲内に制限することが
できる。これにより、蒸着される金属性薄膜の厚さとか
密度などを一定に維持することができ、ウェーハ製造工
程でブリッジとか層剥離現象による不良を減少させるこ
とができる。
【図１】 従来の熱ＣＶＤ装置に使用されるヒータアセ
ンブリを概略的に示す断面図である。
ンブリを概略的に示す断面図である。
【図２】 図１に示したヒータアセンブリの概略的な平
面図である。
面図である。
【図３】 タングステンシリサイド蒸着工程中のウェー
ハ表面温度を測定した結果を示す図面である。
ハ表面温度を測定した結果を示す図面である。
【図４】 内側ヒータの温度を固定し外側ヒータの温度
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
【図５】 内側ヒータの温度を固定し外側ヒータの温度
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
【図６】 内側ヒータの温度を固定し外側ヒータの温度
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
【図７】 内側ヒータの温度を固定し外側ヒータの温度
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
を変更しながら測定したウェーハ表面の温度分布を示す
図面である。
【図８】 内側ヒータ３９０℃、外側ヒータ４５０℃に
設定されたデュアルヒータアセンブリの温度分布を解析
した結果を示す図面である。
設定されたデュアルヒータアセンブリの温度分布を解析
した結果を示す図面である。
【図９】 内側ヒータの温度を固定させた状態で内側ヒ
ータの温度を別にした場合のサセプター表面温度を測定
して比較したグラフである。
ータの温度を別にした場合のサセプター表面温度を測定
して比較したグラフである。
【図１０】 外側ヒータと接触している支持台の一部を
変形したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。
変形したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。
【図１１】 内側ヒータと外側ヒータとの間の支持台に
熱伝達を抑制のための空間を形成したヒータアセンブリ
の温度分布を示す図面である。
熱伝達を抑制のための空間を形成したヒータアセンブリ
の温度分布を示す図面である。
【図１２】 ボルトによりヒータと支持台の接触面積を
最少化したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。
最少化したヒータアセンブリの温度分布を示す図面であ
る。
【図１３】 図１０乃至図１２によるシミュレーション
結果を比較するためのグラフである。
結果を比較するためのグラフである。
【図１４】 本発明の第１実施形態による半導体素子製
造装置用ヒータアセンブリを示す断面図である。
造装置用ヒータアセンブリを示す断面図である。
【図１５】 図１４に示したヒータアセンブリを概念的
に示した概念図である。
に示した概念図である。
【図１６】 図１５に示したヒータアセンブリの変形実
施形態を示す概念図である。
施形態を示す概念図である。
【図１７】 図１５に示したヒータアセンブリの変形実
施形態を示す概念図である。
施形態を示す概念図である。
【図１８】 図１５に示したヒータアセンブリの変形実
施形態を示す概念図である。
施形態を示す概念図である。
【図１９】 本発明の第２実施形態による半導体素子製
造装置のヒータアセンブリを示す断面図である。
造装置のヒータアセンブリを示す断面図である。
【図２０】 本発明の第１実施形態による分割支持台を
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
【図２１】 本発明の第１実施形態による分割支持台を
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
【図２２】 本発明の第１実施形態による分割支持台を
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
【図２３】 本発明の第１実施形態による分割支持台を
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
備えるヒータアセンブリを利用してウェーハの表面温度
を測定した結果を示す断面図である。
【図２４】 図２０乃至図２３に対応する温度プロファ
イルを示す図面である。
イルを示す図面である。
【図２５】 図２０乃至図２３に対応する温度プロファ
イルを示す図面である。
イルを示す図面である。
【図２６】 図２０乃至図２３に対応する温度プロファ
イルを示す図面である。
イルを示す図面である。
【図２７】 図２０乃至図２３に対応する温度プロファ
イルを示す図面である。
イルを示す図面である。
【図２８】 本発明の第２実施形態によるヒータアセン
ブリを利用してウェーハの表面温度を測定した結果を示
す図面である。
ブリを利用してウェーハの表面温度を測定した結果を示
す図面である。
【図２９】 図２８に対応する温度プロファイルを示す
図面である。
図面である。
【図３０】 各温度別にタングステンシリサイド薄膜の
メタパルス密度を測定した結果を示すグラフである。
メタパルス密度を測定した結果を示すグラフである。
【図３１】 ヒータ温度変化によるタングステンシリサ
イドグレーンの発生程度を示すＩＬＳ写真である。
イドグレーンの発生程度を示すＩＬＳ写真である。
【図３２】 ヒータ温度が４０５℃である場合のＡＥＳ
テスト結果を示すグラフである。
テスト結果を示すグラフである。
【図３３】 ヒータ温度が４０５℃である場合のＡＥＳ
テスト結果を示すグラフである。
テスト結果を示すグラフである。
【図３４】 ヒータ温度が３９５℃である場合のＡＥＳ
テスト結果を示す図面である。
テスト結果を示す図面である。
【図３５】 ヒータ温度が３９５℃である場合のＡＥＳ
テスト結果を示す図面である。
テスト結果を示す図面である。
１００ ヒータ
１２０ 外側ヒータ
１２２ 外側ヒータの外側面
１２４ 外側ヒータの内側面
１４０ 内側ヒータ
１４２ 内側ヒータの外側面
１６０ 隔離空間
１８０ 輻射空間
２００ パワー供給部
３００ 支持台
３１０ 上部支持台
３２０ 下部支持台
３３０ 熱遮蔽部
３６０ 外側支持台
３８０ 内側支持台
３９０ 支持バー
４００ サセプター
５００ ウェーハ
６００ ヒータカップ
９００ ヒータアセンブリ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 金 容 甲
大韓民国京畿道水原市勸善区金谷洞 エル
ジービレッジアパート520番地407洞1201号
(72)発明者 張 盛 煥
大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里サン７
−１番地 月桂樹洞624号
(72)発明者 李 東 元
大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里サン７
−１番地 マロニエ洞506号
(72)発明者 李 敏 雨
大韓民国ソウル特別市西瑞区西瑞洞1430−
11番地
(72)発明者 金 ▲けい▼ 台
大韓民国京畿道水原市八達区遠川洞548番
地 遠川住公２団地219棟701号
Ｆターム(参考） 4K030 BA48 CA04 GA02 KA12 KA23
KA46 LA15
5F045 AA04 AD07 AD08 BB01 DP02
EK08 EK22
Claims (20)
- 【請求項１】 被加熱体を支持する第１支持部材と、 前記第１支持部材の下部で前記被加熱体を加熱し、熱伝
達を遮断することができる隔離空間により分離された複
数の加熱要素と、 分離された前記加熱要素相互間の伝導性熱伝達を抑制す
るための熱遮蔽部を備え、前記複数の加熱要素を支持す
る第２支持部材とを含むことを特徴とする加熱装置。 - 【請求項２】 前記熱遮蔽部は前記隔離空間及び前記隔
離空間を隔てて相互隣接する前記加熱要素の周辺部を同
時に支持するように、前記第２支持部材の表面に所定の
幅と深さを有する溝と前記溝の内部に挿入された耐熱部
材とを含むことを特徴とする請求項１に記載の加熱装
置。 - 【請求項３】 前記溝の深さは前記第２支持部材の厚さ
と同一であることを特徴とする請求項２に記載の加熱装
置。 - 【請求項４】 前記第２支持部材は、前記加熱要素と所
定の距離ほど離隔され位置し、前記第２支持部材の上部
表面に前記各加熱要素との接触面積を最少化しながら、
前記各加熱要素を支持するための複数の支持バーをさら
に含むことを特徴とする請求項２に記載の加熱装置。 - 【請求項５】 前記支持バーは前記第２支持部材と前記
各加熱要素を機械的に結合するボルトであることを特徴
とする請求項４に記載の加熱装置。 - 【請求項６】 前記耐熱部材は空気又は窒化ホウ素であ
ることを特徴とする請求項２に記載の加熱装置。 - 【請求項７】 前記加熱要素は電気抵抗によるジュール
の法則を利用する抵抗発熱体であり、前記抵抗発熱体に
電流を供給するためのパワー供給部をさらに含むことを
特徴とする請求項１に記載の加熱装置。 - 【請求項８】 被加熱体を支持する第１支持部材と、 前記第１支持部材の下部に環状に形成され内部に熱伝達
のための連続的な輻射空間を備え、前記第１支持部材の
周辺部を加熱する加熱要素と、 前記加熱要素を支持し、前記加熱要素から導電された熱
を前記輻射空間を通じて輻射することにより、前記輻射
空間に対応する前記第１支持部材の下部表面を加熱する
第２支持部材とを含むことを特徴とする加熱装置。 - 【請求項９】 前記被加熱体は、ディスク形状を有する
半導体ウェーハであることを特徴とする請求項８に記載
の加熱装置。 - 【請求項１０】 前記第１支持部材は、ディスク形状を
有するサセプターであることを特徴とする請求項９に記
載の加熱装置。 - 【請求項１１】 半導体素子用基板を支持するサセプタ
ーと、 前記サセプターの下部で前記基板を加熱し、熱伝達を遮
断することができる隔離空間を隔てて分離された複数の
ヒータと、 分離された前記ヒータ相互間の伝導性熱伝達を抑制する
ことができる熱遮蔽部を備え、 前記複数のヒータを支持する支持台とを含むことを特徴
とする半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ。 - 【請求項１２】 前記熱遮蔽部は、前記隔離空間及び前
記隔離空間を隔てて相互隣接する前記ヒータの周辺部を
同時に支持するように、前記第２支持部材の表面に所定
の幅と深さを有する溝と、前記溝の内部に挿入された耐
熱部材とを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半
導体素子製造装置用ヒータアセンブリ。 - 【請求項１３】 前記溝の深さは、前記支持台の基底面
まで形成されることを特徴とする請求項１２に記載の半
導体素子製造装置用ヒータアセンブリ。 - 【請求項１４】 前記支持台は、前記ヒータと所定の距
離ほど離隔され位置し、前記支持台の上部表面に前記各
ヒータとの接触面積を最少化しながら、前記各加熱要素
を支持するための複数の支持バーをさらに含むことを特
徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造装置用ヒー
タアセンブリ。 - 【請求項１５】 前記支持バーは前記ヒータと前記支持
部材を機械的に連結するボルトであることを特徴とする
請求項１４に記載の半導体素子製造装置用ヒータアセン
ブリ。 - 【請求項１６】 前記耐熱部材は、空気又は窒化ホウ素
であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子
製造装置用ヒータアセンブリ。 - 【請求項１７】 前記ヒータの温度は、３９０℃乃至４
２０℃の範囲を有することを特徴とする請求項１１に記
載の半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ。 - 【請求項１８】 ウェーハを支持するサセプターと、 前記サセプターの下部に環状に形成され内部に熱伝達の
ための連続的な輻射空間を備え、前記サセプターの周辺
部を加熱するヒータと、 前記ヒータを支持し、前記ヒータから伝導された熱を輻
射空間を通じて輻射することにより、前記輻射空間に対
応する前記サセプターの下部表面を加熱する支持台とを
含むことを特徴とする半導体素子製造装置用ヒータアセ
ンブリ。 - 【請求項１９】 前記ヒータの温度は、３９０℃乃至４
２０℃の範囲を有することを特徴とする請求項１８に記
載の半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ。 - 【請求項２０】 前記ウェーハは、均一な温度分布を形
成して前記ウェーハの表面で均一の蒸着からなるように
することを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子製
造装置用ヒータアセンブリ。
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| KR2001-064808 | 2001-10-19 |
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