JP2017002385A - 成膜装置、成膜方法および基板載置台 - Google Patents

成膜装置、成膜方法および基板載置台 Download PDF

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Abstract

【課題】均一な膜を形成することができ、かつ基板のみに膜を形成することができる成膜装置およびそれに用いる基板載置台を提供する。【解決手段】成膜装置１００は、基板載置台１と、基板Ｇに成膜処理を施す処理室１０と、処理ガス供給機構１３とを有する。基板載置台１は、その上面が基板Ｇを載置する載置面４ａとなる載置部４と、載置部４の外周を囲むように設けられた外周リング５と、載置部４を、処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調する第１の温調部２０ａと、外周リング５を、処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調する第２の温調部２０ｂとを有し、載置部４と外周リング５との間には、全周に亘って断熱部として機能する隙間６が設けられており、載置面４ａは、基板Ｇよりも小さく形成され、隙間６は、載置面４ａに基板Ｇが載置された際に、基板Ｇのはみ出し部分が全周に亘って外周リング５にかかるように形成されている。【選択図】 図１

Description

本発明は、基板に対して処理ガスを供給して膜を形成する成膜装置および成膜方法、ならびに成膜装置に用いる基板載置台に関する。
有機ＥＬ表示装置に用いられる封止層等に有機材料膜が用いられている。このような有機材料膜を製造するにあたっては、有機原料を気化器等で蒸発させて成膜室内に供給し、基板上でこれらを蒸着重合させて有機膜を成膜する方法が知られている（例えば特許文献１）。
特許４２８３９１０号公報
しかし、蒸着重合により大面積の基板に対して有機材料膜を成膜する場合、均一に成膜することが難しい。また、処理室内の基板以外の部分に膜が形成されてしまうため、メンテナンス周期が短いという問題がある。
このような問題は、蒸着重合により有機材料膜を成膜する場合に限らず、処理室に処理ガスを供給して成膜処理を行う場合に少なからず存在する。
したがって、本発明は、処理ガスを供給して基板上に成膜する際に、均一な膜を形成することができ、かつ基板のみに膜を形成することができる成膜装置および成膜方法、ならびにそのような成膜装置に用いる基板載置台を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明は、基板が載置される基板載置台と、前記基板載置台に載置された基板に成膜処理を施す処理室と、前記処理室に成膜処理のための処理ガスを供給する処理ガス供給手段とを有し、前記基板載置台上の基板に成膜処理を施す成膜装置であって、前記基板載置台は、その上面が基板を載置する載置面となる載置部と、前記載置部の外周を囲むように設けられた外周リングと、前記載置部を、前記処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調する第１の温調部と、前記外周リングを、前記処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調する第２の温調部とを有し、前記載置部と前記外周リングとの間には、全周に亘ってこれらの間の熱交換を抑制する断熱部として機能する隙間が設けられており、前記載置部の前記載置面は、前記基板よりも小さく形成され、前記隙間は、前記載置面に前記基板が載置された際に、前記基板の前記載置面からのはみ出し部分が全周に亘って前記外周リングにかかるように形成されていることを特徴とする成膜装置を提供する。
また、本発明は、処理ガスを供給して基板に成膜処理を施す成膜装置に用いられる基板載置台であって、その上面が基板を載置する載置面となる載置部と、前記載置部の外周を囲むように設けられた外周リングと、前記載置部を、前記処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調する第１の温調部と、前記外周リングを、前記処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調する第２の温調部とを有し、前記載置部と前記外周リングとの間には、全周に亘ってこれらの間の熱交換を抑制する断熱部として機能する隙間が設けられており、前記載置部の前記載置面は、前記基板よりも小さく形成され、前記隙間は、前記載置面に前記基板が載置された際に、前記基板の前記載置面からのはみ出し部分が全周に亘って前記外周リングにかかるように形成されていることを特徴とする基板載置台を提供する。
さらに、本発明は、その上面が基板を載置する載置面となる載置部と、全周に亘って前記載置部との間の熱交換を抑制する断熱部として機能する隙間を介して、前記載置部の外周を囲むように設けられた外周リングとを有する基板載置台を処理室内に配置した成膜装置を用い、前記載置部に基板を載置した状態で前記処理室に処理ガスを供給して基板に成膜処理を施す成膜方法であって、前記基板を、全周に亘って前記隙間を遮蔽し前記外周リングにかかるように前記載置面に載置する工程と、前記載置部を、前記処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調する工程と、前記外周リングを、前記処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調する工程とを有することを特徴とする成膜方法を提供する。
前記基板載置台は、基体を有し、前記載置部は、前記基体の中央部から上方に突出して設けられ、前記外周リングは、前記基体に断熱材を介して設けられている構成とすることができる。
前記載置面に前記基板が載置された際の前記基板のはみ出し部分の幅は、製品として使用されない領域の幅以下であることが好ましい。この場合に、前記はみ出し部分の幅が１０ｍｍ未満であり、前記隙間の幅が１〜９ｍｍとすることができる。前記はみ出し部分の幅が５ｍｍ以上１０ｍｍ未満であり、前記隙間の幅が３〜５ｍｍであることが好ましい。
前記基板載置台を覆うように設けられ、前記処理室を画成する上部カバーと、前記上部カバーを前記処理ガスにより成膜されない第３の温度に温調する第３の温調部とをさらに有してもよい。
前記載置面と対向するように設けられたシャワー部材をさらに有し、前記処理ガス供給手段から供給された処理ガスを前記シャワー部材から吐出するようにすることができる。
前記処理ガスとして有機系ガスを用い、前記基板上に蒸着重合により有機膜を成膜するものとすることができる。この場合に、前記有機膜はポリウレア膜であり、前記第１の温調部により、前記載置部の前記第１の温度が１００℃以下になるように温調され、前記第２の温調部により、前記外周リングの前記第２の温度が１５０℃以上になるように温調されるものとすることができる。
本発明によれば、載置部を処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調し、外周リングを処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調するので、基板上のみに膜を形成することができる。また、載置部と外周リングとの間に、全周に亘ってこれらの間の熱交換を抑制する断熱部として機能する隙間を設けたので、外周リングから載置部への直接的な熱伝達を防止することができる。このため、載置部の温度を外周リングの熱影響を抑制した状態で制御することができ、基板の温度を均一にして均一な膜を成膜することができる。また、外周リングの上面を載置面と同一面とし、載置面を基板より小さく構成し、さらに、隙間を、基板が載置面に載置された際に、基板の外周部が全周に亘って外周リングの上面にかかるような寸法としたので、基板により隙間が遮蔽され、隙間内に処理ガスが入り込むことを防止することができる。
本発明の一実施形態に係る成膜装置を示す断面図である。 図１の成膜装置の温調機構を模式的に示す平面図である。 図１の成膜装置の基板載置台の一部を拡大して示す断面図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る成膜装置を示す断面図、図２は図１の成膜装置の温調機構を模式的に示す平面図である。
成膜装置１００は、基板Ｇを載置する基板載置台１と、基板載置台１に載置された基板Ｇに対して成膜処理を行う処理室を画成する上部カバー２とを有している。
基板載置台１は、板状をなす基体３と、基体３の中央部から上方に突出するように柱状に設けられ、その上面が基板Ｇを載置する載置面４ａとなる載置部４と、基体３の載置部４の周囲に断熱材７を介して設けられた外周リング５とを有している。載置部４の上面を形成する載置面４ａは基板Ｇより小さく形成されている。本例では、基板Ｇおよび載置面４ａは矩形状をなしている。
外周リング５は、隙間６を介して載置部４の外周を囲むように設けられており、額縁状をなしている。隙間６は、外周リング５と載置部４との熱交換を抑制する断熱部として機能する。外周リング５の上面は、載置面４ａと同一平面となっている。
基板Ｇは、載置面４ａに載置された際に、その外周部が全周に亘って載置面４ａからはみ出したはみ出し部分となるようになっており、隙間６の寸法は、基板Ｇのはみ出し部分が隙間６を越えて外周リング５の上面に達し、全周に亘って外周リング５の上面にかかるような寸法となっている。したがって、基板Ｇが載置面４ａに載置された際に、基板Ｇにより隙間６が遮蔽される。
断熱材７は、外周リング５と対応する額縁状をなし、内周面は載置部４の外周に接触して設けられている。断熱材７は、外周リング５と基体３とを断熱するために設けられており、ステアタイトやマコール（登録商標）のような熱伝導率の低いセラミックス材料を好適に用いることができる。なお、外周リング５および断熱材７の外周は、基体３の外周位置まで達している。
図３の拡大図に示すように、基板Ｇの載置面４ａからのはみ出し部分の幅Ｄ１は、プロセス保障外で製品として使用されない領域の幅以下とされる。このプロセス保障外の領域の幅は、通常１０ｍｍ程度であるから、その場合は、はみ出し部分の幅は１０ｍｍ未満とすることが好ましい。また、隙間６の幅Ｄ２は、基板Ｇのはみ出し部分の幅Ｄ１に応じて変化し、はみ出し部分の幅Ｄ１が１０ｍｍ未満の場合は、隙間６の幅Ｄ２は１〜９ｍｍ程度である。好ましくは、基板Ｇのはみ出し部分の幅Ｄ１が５ｍｍ以上１０ｍｍ未満、隙間の幅Ｄ２が３〜５ｍｍである。
上部カバー２は、側壁２ａと天壁２ｂとを有しており、側壁２ａが外周リング５の上面にシール部材（図示せず）を介して密閉状態で支持される。天壁２ｂの下方には空間８を介してシャワープレート９が設けられており、側壁２ａとシャワープレート９で囲まれた部分が処理室１０となる。なお、上部カバー２を直接基体３により支持する構造としてもよい。その場合、外周リング５および断熱材７は、それらの外周が基体３の外周よりも内側となるように形成される。
天壁２ｂの中央には空間８に達するガス導入孔１１が形成されており、ガス導入孔１１には配管１２を介して処理ガス供給機構１３が接続されている。そして、処理ガス供給機構１３からの処理ガスが、配管１２を介して空間８に達し、シャワープレート９に設けられた多数のガス吐出孔９ａから処理室１０内に吐出される。ガス吐出孔９ａは、シャワープレート９の基板Ｇに対向する領域に均一に配置されてもよいし、特定のパターンを描いて配置されてもよい。
このようにして処理室１０内に処理ガスを供給することにより、基板Ｇ上に所定の膜が成膜される。このとき、処理ガス供給機構１３から処理ガスとして、所定の有機系ガスを用いることにより、基板Ｇ上に蒸着重合により有機膜を成膜することができる。蒸着重合により成膜される有機膜としては、代表的なものとしてポリウレア膜を挙げることができる。ポリウレア膜を成膜する際には、ジイソシアネートとジアミンを気化器等により気化させた状態で処理ガスとして供給する。これにより、これらを基板Ｇ上で蒸着重合させてポリウレア膜を成膜することができる。
上部カバー２の側壁２ａには、その下部に排気口１４が形成されており、排気口１４には排気配管１５が接続されている。排気配管１５には真空ポンプおよび圧力制御バルブ等からなる排気機構１６が設けられており、処理室１０内を所定の真空雰囲気に保持可能となっている。ジイソシアネートとジアミンとによりポリウレア膜を成膜する場合には、処理室１０内の圧力は１０Ｔｏｒｒ（１３３３Ｐａ）以下、好ましくは０．２〜２．０Ｔｏｒｒ（２６．７〜２６６Ｐａ）に制御される。
また、図示はしていないが、上部カバー２の側壁２ａには、基板Ｇを搬入出する搬入出口が形成されており、この搬入出口はゲートバルブ等の開閉機構により開閉可能となっている。
載置部４の内部には第１の温調媒体流路１７が設けられており、この第１の温調媒体流路１７に第１の温調媒体が通流されることにより載置部４が温調されるようになっている。この第１の温調媒体により、載置面４ａに載置された基板Ｇが成膜可能な第１の温度Ｔ１になるように温調される。有機膜を蒸着重合により成膜する場合には、第１の温度Ｔ１は、蒸着可能な程度に低い温度であることが必要であり、ポリウレア膜を蒸着重合により成膜する場合には、第１の温度Ｔ１は、蒸着重合可能な１００℃以下、好ましくは５０〜１００℃になるように制御される。
外周リング５の内部には第２の温調媒体流路１８が設けられており、この第２の温調媒体流路１８に第２の温調媒体が通流されることにより外周リング５が温調されるようになっている。この第２の温調媒体により、外周リング５は、その表面に膜が形成されない第２の温度Ｔ２になるように温調される。有機膜を蒸着重合により成膜する場合には、第２の温度Ｔ２は、蒸着されない程度に高い温度であることが必要であり、ポリウレア膜を蒸着重合により成膜する場合には、外周リング５の温度は、蒸着重合されない１５０℃以上、好ましくは、１５０〜１８０℃になるように温調される。
上部カバー２の天壁２ｂには第３の温調媒体流路１９が設けられており、この第３の温調媒体流路１９に第３の温調媒体が通流されることにより上部カバー２が温調されるようになっている。この第３の温調媒体により、上部カバー２は、その内壁に膜が形成されない第３の温度Ｔ３になるように温調される。有機膜を蒸着重合により成膜する場合には、第３の温度Ｔ３は、蒸着されない程度に高い温度であることが必要であり、ポリウレア膜を蒸着重合により成膜する場合には、上部カバー２の温度は、確実に膜が形成されない１５０℃以上、好ましくは、１５０〜１８０℃になるように制御される。
第１〜第３の温調媒体は、温調媒体供給ユニット２０からそれぞれ第１〜第３の温調媒体流路１７〜１９へ供給されるようになっている。温調媒体供給ユニット２０は、第１の温調媒体を第１の温調媒体流路１７に供給する第１の温調媒体供給部（ＣＨ１）２０ａ、第２の温調媒体を第２の温調媒体流路１８に供給する第２の温調媒体供給部（ＣＨ２）２０ｂ、第３の温調媒体を第３の温調媒体流路１９に供給する第３の温調媒体供給部（ＣＨ３）２０ｃを有している。
第１の温調媒体供給部（ＣＨ１）２０ａには、第１の温調媒体流路１７へ第１の温調媒体を供給する供給配管２１ａと、第１の温調媒体流路１７から第１の温調媒体を返戻する返戻配管２１ｂ（図２）とが接続されており、第１の温調媒体は第１の温調媒体流路１７に循環供給されるようになっている。また、第１の温調媒体供給部（ＣＨ１）２０ａは、第１の温調媒体を第１の温度Ｔ１に温度制御するようになっている。
第２の温調媒体供給部（ＣＨ２）２０ｂには、第２の温調媒体流路１８へ第２の温調媒体を供給する供給配管２２ａと、第２の温調媒体流路１８から第２の温調媒体を返戻する返戻配管２２ｂ（図２）とが接続されており、第２の温調媒体は第２の温調媒体流路１８に循環供給されるようになっている。また、第２の温調媒体供給部（ＣＨ２）２０ｂは、第２の温調媒体を第２の温度Ｔ２に温度制御するようになっている。
第３の温調媒体供給部（ＣＨ３）２０ｃには、第３の温調媒体流路１９へ第３の温調媒体を供給する供給配管２３ａと、第３の温調媒体流路１９から第３の温調媒体を返戻する返戻配管２３ｂ（図２）とが接続されており、第３の温調媒体は第３の温調媒体流路１９に循環供給されるようになっている。また、第３の温調媒体供給部（ＣＨ３）２０ｃは、第３の温調媒体を第３の温度Ｔ３に温度制御するようになっている。
なお、温調媒体供給ユニット２０は、第２の温調媒体流路１８と第３の温調媒体流路１９に供給する温調媒体を一括して温度制御するものであってもよい。また、図１、２では、第１〜第３の温調媒体流路１７〜１９を模式的に描いており、実際にはこれらは所定の温度に温調されるように、適宜の形状に配置される。
成膜装置１００は、成膜装置１００の各構成部を制御するための制御部２５を有している。制御部２５は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えており、処理ガス供給機構１３、排気機構１６、温調媒体供給ユニット２０等を制御するようになっている。制御部２５は、所定の処理レシピを実行するようになっており、そのために必要な制御パラメータや処理レシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えている。
このように構成された成膜装置１００においては、基板搬入出口（図示せず）から処理室１０内に搬送されてきた基板Ｇを載置部４の載置面４ａに、隙間６を遮蔽して全周に亘って外部リング５にかかるように載置し、排気機構１６により処理室１０内を所定の真空状態に保持する。そして、温調媒体供給ユニット２０から、第１の温調媒体流路１７、第２の温調媒体流路１８、第３の温調媒体流路１９に、それぞれ第１の温調媒体、第２の温調媒体、第３の温調媒体を供給することにより、載置部４を成膜可能な第１の温度Ｔ１、外周リング５および上部カバー２を、それぞれ成膜されない第２の温度Ｔ２および第３の温度Ｔ３に温調する。なお、第２の温度Ｔ２と第３の温度Ｔ３は同じであってもよい。
この状態で、処理ガス供給機構１３から配管１２およびシャワープレート９を介して処理室１０内に処理ガスを供給し、基板Ｇの表面に所定の膜を成膜する。
例えば、処理ガスとして、所定の有機系ガスを用いて、基板上に蒸着重合により有機膜を成膜することができる。有機膜としてポリウレア膜を蒸着重合により成膜する場合には、処理室１０内の圧力を１０Ｔｏｒｒ（１３３３Ｐａ）以下、好ましくは０．２〜２．０Ｔｏｒｒ（２６．７〜２６６Ｐａ）に制御し、処理ガスとしてジイソシアネートとジアミンを気化器等により気化させた状態で処理室１０に供給し、これらを基板Ｇ上で蒸着重合させる。
この場合に、載置部４の温度である第１の温度Ｔ１が、蒸着可能な程度に低い温度、ポリウレア膜を成膜する場合には、１００℃以下、好ましくは５０〜１００℃となるように、載置部４を第１の温調媒体により温調する。一方、外周リング５の温度である第２の温度Ｔ２および上部カバー２の温度である第３の温度Ｔ３が、蒸着されない程度に高い温度、ポリウレア膜を成膜する場合には、１５０℃以上、好ましくは、１５０〜１８０℃になるように、外周リング５および上部カバー２をそれぞれ第２の温調媒体および第３の温調媒体により温調する。
これにより、基板Ｇの表面にのみ成膜することができ、載置部４の外周に設けられた外周リング５の表面や上部カバー２の内壁に対する膜の形成を抑制することができる。
しかし、このように隣接する載置部４と外周リング５を別々の温度に温調する場合、これらが接触していると、載置部４は外周リング５と容易に熱交換して、載置部４の温度制御性が低下し、基板Ｇ上に均一な膜を形成することが困難となる。特に、基板Ｇが大型化するとその傾向が顕著になる。
これに対し、本実施形態では、載置面４ａを含む載置部４と外周リング５との間に断熱部となる隙間６を設けたので、外周リング５から載置部４への直接的な熱伝達が防止される。特に、隙間６が上部まで達し載置面４ａと外周リング５の上面とを確実に隔絶させるため、これらの間において互いの温度が干渉することがない。しかも、断熱材７により基板載置台１の基体３を介しての外周リング５から載置部４への熱伝達が抑制される。このため、載置部４の温度を、外周リング５からの熱影響を抑制した状態で制御することができ、基板Ｇの温度を均一にして均一な膜を成膜することができる。
また、このような隙間６を設ける場合、隙間６に処理ガスが入り込むと、パーティクルの原因になったり、隙間６内に成膜されることにより断熱効果が得られなくなったりする不都合があるが、本実施形態では、外周リング５の上面を載置面４ａと同一面とし、かつ載置部４の上面である載置面４ａを基板Ｇより小さく構成し、さらに、隙間６の寸法を、載置面４ａに基板Ｇが載置された際の基板Ｇの載置面４ａからのはみ出し部分が全周に亘って外周リング５の上面にかかるような寸法としたので、このような不都合を防止することができる。すなわち、上記のような構成にすることにより、載置面４ａを基板Ｇに載置した際に、載置面４ａの全周に亘って存在する基板Ｇのはみ出し部分が外周リング５にかかることにより、隙間６が遮蔽され、隙間６内に処理ガスが入り込むことを防止することができる。
さらに、基板Ｇの外周部分にはプロセス保障外で製品として使用されない領域が存在するので、はみ出し部分の幅Ｄ１をその領域の幅以下にすれば、製品の歩留まりを低下させることがない。
プロセス保障外の領域の幅は、通常１０ｍｍ程度であるから、はみ出し部分の幅Ｄ１は１０ｍｍ未満が好ましい。また、隙間６の幅Ｄ２は、基板Ｇのはみ出し部分の幅Ｄ１に応じて変化し、はみ出し部分の幅Ｄ１が１０ｍｍ未満の場合は、隙間６の幅Ｄ２は１〜９ｍｍ程度である。また、隙間６の幅Ｄ２は、載置台４と外周リング５との断熱効果の観点からも好ましい範囲が存在し、これらを総合すると、基板Ｇのはみ出し部分の幅Ｄ１が５ｍｍ以上１０ｍｍ未満、隙間の幅Ｄ２が３〜５ｍｍであることが好ましい。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、処理ガスとして所定の有機系ガスを用いることにより、基板上に蒸着重合により有機膜を成膜する場合、特にポリウレア膜を成膜する場合について示したが、これに限らず、例えばＣＶＤ等、処理ガスを用いて成膜する場合全般に適用可能である。
また、上記実施形態では、載置部や外周リング等を温調媒体で温調する場合について示したが、抵抗加熱ヒーター等の他の温調手段を用いてもよいことは言うまでもない。
さらに、上記実施形態では、基板および載置部の載置面の形状を矩形状にした場合について説明したが、これに限るものでないことはもちろんである。
１；基板載置台
２；上部カバー
３；基体
４；載置部
５；外周リング
６；隙間
７；断熱材
８；空間
９；シャワープレート
１０；処理室
１３；処理ガス供給機構
１６；排気機構
１７，１８，１９；温調媒体流路
２０；温調媒体供給ユニット
２５；制御部
１００；成膜装置
Ｇ；基板

Claims (15)

  1. 基板が載置される基板載置台と、
    前記基板載置台に載置された基板に成膜処理を施す処理室と、
    前記処理室に成膜処理のための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と
    を有し、
    前記基板載置台上の基板に成膜処理を施す成膜装置であって、
    前記基板載置台は、
    その上面が基板を載置する載置面となる載置部と、
    前記載置部の外周を囲むように設けられた外周リングと、
    前記載置部を、前記処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調する第１の温調部と、
    前記外周リングを、前記処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調する第２の温調部と
    を有し、
    前記載置部と前記外周リングとの間には、全周に亘ってこれらの間の熱交換を抑制する断熱部として機能する隙間が設けられており、
    前記載置部の前記載置面は、前記基板よりも小さく形成され、前記隙間は、前記載置面に前記基板が載置された際に、前記基板の前記載置面からのはみ出し部分が全周に亘って前記外周リングにかかるように形成されていることを特徴とする成膜装置。
  2. 前記基板載置台は、基体を有し、前記載置部は、前記基体の中央部から上方に突出して設けられ、前記外周リングは、前記基体に断熱材を介して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  3. 前記載置面に前記基板が載置された際の前記基板のはみ出し部分の幅は、製品として使用されない領域の幅以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の成膜装置。
  4. 前記はみ出し部分の幅が１０ｍｍ未満であり、前記隙間の幅が１〜９ｍｍであることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
  5. 前記はみ出し部分の幅が５ｍｍ以上１０ｍｍ未満であり、前記隙間の幅が３〜５ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
  6. 前記基板載置台を覆うように設けられ、前記処理室を画成する上部カバーと、前記上部カバーを前記処理ガスにより成膜されない第３の温度に温調する第３の温調部とをさらに有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の成膜装置。
  7. 前記基板載置面と対向するように設けられたシャワー部材をさらに有し、前記処理ガス供給手段から供給された処理ガスを前記シャワー部材から吐出することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の成膜装置。
  8. 前記処理ガスとして有機系ガスを用い、前記基板上に蒸着重合により有機膜を成膜することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の成膜装置。
  9. 前記有機膜はポリウレア膜であり、前記第１の温調部により、前記載置部の前記第１の温度が１００℃以下になるように温調され、前記第２の温調部により、前記外周リングの前記第２の温度が１５０℃以上になるように温調されることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。
  10. 処理ガスを供給して基板に成膜処理を施す成膜装置に用いられる基板載置台であって、
    その上面が基板を載置する載置面となる載置部と、
    前記載置部の外周を囲むように設けられた外周リングと、
    前記載置部を、前記処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調する第１の温調部と、
    前記外周リングを、前記処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調する第２の温調部と
    を有し、
    前記載置部と前記外周リングとの間には、全周に亘ってこれらの間の熱交換を抑制する断熱部として機能する隙間が設けられており、
    前記載置部の前記載置面は、前記基板よりも小さく形成され、前記隙間は、前記載置面に前記基板が載置された際に、前記基板の前記載置面からのはみ出し部分が全周に亘って前記外周リングにかかるように形成されていることを特徴とする基板載置台。
  11. さらに基体を有し、前記載置部は、前記基体の中央部から上方に突出して設けられ、前記外周リングは、前記基体に断熱材を介して設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の基板載置台。
  12. 前記載置面に前記基板が載置された際の前記基板のはみ出し部分の幅は、製品として使用されない領域の幅以下であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の基板載置台。
  13. 前記はみ出し部分の幅が１０ｍｍ未満であり、前記隙間の幅が１〜９ｍｍであることを特徴とする請求項１２に記載の基板載置台。
  14. 前記はみ出し部分の幅が５ｍｍ以上１０ｍｍ未満であり、前記隙間の幅が３〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１３に記載の基板載置台。
  15. その上面が基板を載置する載置面となる載置部と、全周に亘って前記載置部との間の熱交換を抑制する断熱部として機能する隙間を介して、前記載置部の外周を囲むように設けられた外周リングとを有する基板載置台を処理室内に配置した成膜装置を用い、前記載置部に基板を載置した状態で前記処理室に処理ガスを供給して基板に成膜処理を施す成膜方法であって、
    前記基板を、全周に亘って前記隙間を遮蔽し前記外周リングにかかるように前記載置面に載置する工程と、
    前記載置部を、前記処理ガスにより成膜可能な第１の温度に温調する工程と、
    前記外周リングを、前記処理ガスにより成膜されない第２の温度に温調する工程と
    を有することを特徴とする成膜方法。
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