JP2003142359A - 電流導入端子及び半導体製造装置 - Google Patents
電流導入端子及び半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、取り付けやメンテナンス等におけ
る手間を低減し、容易に電気的な接続を行うことのでき
る電流導入端子及びそのような電流導入端子を用いた半
導体製造装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、真空チャンバと、真空チャン
バ内に設置された、電極端子２６を有する加熱ヒータ２
４と、電源３６が有する電極端子３８とを備えた半導体
製造装置であって、電極端子２６と電極端子３８との間
には電流導入端子１２が配置されており、電流導入端子
１２は、一端には電極端子２６が、また、他端には電極
端子３８が電気的に接続されるようになっている、導電
性材料からなる柱状体４２を備え、柱状体４２には、そ
の長手方向に直交する方向に延びるスリット４４ａ、４
４ｂ、４８ａ、４８ｂが形成されていることを特徴とし
ている。
る手間を低減し、容易に電気的な接続を行うことのでき
る電流導入端子及びそのような電流導入端子を用いた半
導体製造装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、真空チャンバと、真空チャン
バ内に設置された、電極端子２６を有する加熱ヒータ２
４と、電源３６が有する電極端子３８とを備えた半導体
製造装置であって、電極端子２６と電極端子３８との間
には電流導入端子１２が配置されており、電流導入端子
１２は、一端には電極端子２６が、また、他端には電極
端子３８が電気的に接続されるようになっている、導電
性材料からなる柱状体４２を備え、柱状体４２には、そ
の長手方向に直交する方向に延びるスリット４４ａ、４
４ｂ、４８ａ、４８ｂが形成されていることを特徴とし
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を加熱
するための基板サポート等で用いられる電流導入端子及
びそのような電流導入端子を用いた半導体製造装置に関
する。
するための基板サポート等で用いられる電流導入端子及
びそのような電流導入端子を用いた半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置には、所定の真空度に減
圧される真空チャンバを有するものがあり、この真空チ
ャンバ内には一般に種々の電気機器が設置されている。
このような電気機器に対する電気の供給は、真空チャン
バの壁面に気密に固定された電流導入端子からケーブル
を介して行われるのが一般的である。一例として、静電
チャックを備えた従来一般の半導体製造装置の構成を図
６に示す。
圧される真空チャンバを有するものがあり、この真空チ
ャンバ内には一般に種々の電気機器が設置されている。
このような電気機器に対する電気の供給は、真空チャン
バの壁面に気密に固定された電流導入端子からケーブル
を介して行われるのが一般的である。一例として、静電
チャックを備えた従来一般の半導体製造装置の構成を図
６に示す。
【０００３】図示するように、半導体製造装置１は、所
定の真空度に減圧される真空チャンバ２と、真空チャン
バ２内に設置された基板支持装置３とを有している。基
板支持装置３は、上面に半導体ウェハＷが載置されるセ
ラミック製の基板サポート４と、基板サポート４を支持
するステンレス製のステージ５と、両者間に配置されて
熱を絶縁する絶縁プレート６とから構成されている。
定の真空度に減圧される真空チャンバ２と、真空チャン
バ２内に設置された基板支持装置３とを有している。基
板支持装置３は、上面に半導体ウェハＷが載置されるセ
ラミック製の基板サポート４と、基板サポート４を支持
するステンレス製のステージ５と、両者間に配置されて
熱を絶縁する絶縁プレート６とから構成されている。
【０００４】基板サポート４の上面側には電極４ａが埋
設されている。電極４ａの一端は、基板サポート４の下
面まで延びており、基板サポート４の下面に設けられた
電極端子４ｂに接続されている。この電極端子４ｂは、
真空チャンバ２の壁面に気密に取り付けられた電流導入
端子７にケーブル８によって接続され、また、電流導入
端子７は、真空チャンバ２外に設けられた電源９に接続
されている。これにより、電極４ａにケーブル８を介し
て電気が供給されると、電極４ａと半導体ウェハＷとの
間に電位差が生じ、基板サポート４は、この電位差によ
り生じた静電力で半導体ウェハＷを吸着する静電チャッ
クとして機能する。
設されている。電極４ａの一端は、基板サポート４の下
面まで延びており、基板サポート４の下面に設けられた
電極端子４ｂに接続されている。この電極端子４ｂは、
真空チャンバ２の壁面に気密に取り付けられた電流導入
端子７にケーブル８によって接続され、また、電流導入
端子７は、真空チャンバ２外に設けられた電源９に接続
されている。これにより、電極４ａにケーブル８を介し
て電気が供給されると、電極４ａと半導体ウェハＷとの
間に電位差が生じ、基板サポート４は、この電位差によ
り生じた静電力で半導体ウェハＷを吸着する静電チャッ
クとして機能する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような電気機器に対する電気の供給にあっては、ケー
ブルが真空チャンバ内にあるため、ケーブルの取り回し
やメンテナンス等の作業は手間がかかるものであった。
たような電気機器に対する電気の供給にあっては、ケー
ブルが真空チャンバ内にあるため、ケーブルの取り回し
やメンテナンス等の作業は手間がかかるものであった。
【０００６】そこで、本発明は、このような事情に鑑み
てなされたものであり、取り付けやメンテナンス等にお
ける手間を低減し、容易に電気的な接続を行うことので
きる電流導入端子及びそのような電流導入端子を用いた
半導体製造装置を提供することを目的とする。
てなされたものであり、取り付けやメンテナンス等にお
ける手間を低減し、容易に電気的な接続を行うことので
きる電流導入端子及びそのような電流導入端子を用いた
半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の本発明に係る電流導入端子は、導
電性材料からなる柱状体を備えた電流導入端子であっ
て、柱状体には、柱状体の長手方向に直交する方向に延
びるスリットが形成されていることを特徴としている。
に、請求項１に記載の本発明に係る電流導入端子は、導
電性材料からなる柱状体を備えた電流導入端子であっ
て、柱状体には、柱状体の長手方向に直交する方向に延
びるスリットが形成されていることを特徴としている。
【０００８】請求項５に記載するような半導体製造装置
において、上述したように構成された電流導入端子を第
１の電極端子と第２の電極端子との間に配置すれば、第
１の電極端子と第２の電極端子とが正対せずにずれてい
るような場合であっても、柱状体にはスリットが形成さ
れているため、柱状体が撓んで上記ずれを吸収し、柱状
体の一端に第１の電極端子を、他端に第２の電極端子を
それぞれ接続することが可能となる。したがって、半導
体製造装置等においてケーブルを用いることなく、容易
に第１の電気機器と第２の電気機器とを電気的に接続す
ることができる。
において、上述したように構成された電流導入端子を第
１の電極端子と第２の電極端子との間に配置すれば、第
１の電極端子と第２の電極端子とが正対せずにずれてい
るような場合であっても、柱状体にはスリットが形成さ
れているため、柱状体が撓んで上記ずれを吸収し、柱状
体の一端に第１の電極端子を、他端に第２の電極端子を
それぞれ接続することが可能となる。したがって、半導
体製造装置等においてケーブルを用いることなく、容易
に第１の電気機器と第２の電気機器とを電気的に接続す
ることができる。
【０００９】また、スリットは、柱状体の長手方向に直
交する第１の方向に延びる第１のスリットと、柱状体の
長手方向に直交する方向であって、第１の方向と直角と
なる第２の方向に延びる第２のスリットとを含むものと
することが好ましい。柱状体は、スリットが延びる方向
を軸として撓むため、互いに直角となる２つの方向に延
びるスリットを形成すれば、それぞれの方向に柱状体が
撓みやすくなるからである。
交する第１の方向に延びる第１のスリットと、柱状体の
長手方向に直交する方向であって、第１の方向と直角と
なる第２の方向に延びる第２のスリットとを含むものと
することが好ましい。柱状体は、スリットが延びる方向
を軸として撓むため、互いに直角となる２つの方向に延
びるスリットを形成すれば、それぞれの方向に柱状体が
撓みやすくなるからである。
【００１０】また、第１のスリットが柱状体の長手方向
に沿って互い違いに複数形成されると共に、第２のスリ
ットが柱状体の長手方向に沿って互い違いに複数形成さ
れていてもよい。柱状体をあらゆる方向により撓みやす
くすることができるからである。
に沿って互い違いに複数形成されると共に、第２のスリ
ットが柱状体の長手方向に沿って互い違いに複数形成さ
れていてもよい。柱状体をあらゆる方向により撓みやす
くすることができるからである。
【００１１】また、柱状体の外周を囲むように、筒状の
絶縁碍子が設けられていることが好ましい。導電性を有
する柱状体と、その周囲の導電性部分との放電を防止す
るためである。
絶縁碍子が設けられていることが好ましい。導電性を有
する柱状体と、その周囲の導電性部分との放電を防止す
るためである。
【００１２】また、第１の電気機器としては、被処理基
板が載置される基板サポート内に埋設され、基板サポー
トを加熱する加熱ヒータがある。第２の電気機器として
は、電源が一般的である。
板が載置される基板サポート内に埋設され、基板サポー
トを加熱する加熱ヒータがある。第２の電気機器として
は、電源が一般的である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の好適な
一実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書に
おいて、「上」、「下」等の語は、図面に示す状態に基
づいており、便宜的なものである。また、図面の説明に
おいては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を
省略する。
一実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書に
おいて、「上」、「下」等の語は、図面に示す状態に基
づいており、便宜的なものである。また、図面の説明に
おいては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を
省略する。
【００１４】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体
製造装置１０の構成を示す概略図であり、図２は、図１
の半導体製造装置１０に取り付けられた本発明の一実施
形態に係る温度測定装置１２の構成を示す概略図であ
る。半導体製造装置１０は、例えば熱ＣＶＤ装置等であ
り、図１に示すように、所定の真空度に減圧される真空
チャンバ１４を有している。この真空チャンバ１４内に
は、被処理基板である半導体ウェハＷを支持するための
基板支持装置１６が設置されている。
製造装置１０の構成を示す概略図であり、図２は、図１
の半導体製造装置１０に取り付けられた本発明の一実施
形態に係る温度測定装置１２の構成を示す概略図であ
る。半導体製造装置１０は、例えば熱ＣＶＤ装置等であ
り、図１に示すように、所定の真空度に減圧される真空
チャンバ１４を有している。この真空チャンバ１４内に
は、被処理基板である半導体ウェハＷを支持するための
基板支持装置１６が設置されている。
【００１５】基板支持装置１６は、上面に被処理基板で
ある半導体ウェハＷが載置されるセラミック製の基板サ
ポート１８と、基板サポート１８を支持するステンレス
製のステージ２０と、基板サポート１８とステージ２０
との間に配置され、ＳｉＯ2等の熱的絶縁性に優れた材
料からなる絶縁プレート２２と、基板サポート１８内に
埋設され、基板サポート１８を加熱する加熱ヒータ２４
（第１の電気機器）と、加熱ヒータ２４用の電極端子２
６（第１の電極端子）とを備えて構成されている。ステ
ージ２０からは、筒状部２８が下方に向かって延びてお
り、筒状部２８の下端は、真空チャンバ１４の底部に形
成された開口部３０を囲んで真空チャンバ１４の底面に
気密に取り付けられている。
ある半導体ウェハＷが載置されるセラミック製の基板サ
ポート１８と、基板サポート１８を支持するステンレス
製のステージ２０と、基板サポート１８とステージ２０
との間に配置され、ＳｉＯ2等の熱的絶縁性に優れた材
料からなる絶縁プレート２２と、基板サポート１８内に
埋設され、基板サポート１８を加熱する加熱ヒータ２４
（第１の電気機器）と、加熱ヒータ２４用の電極端子２
６（第１の電極端子）とを備えて構成されている。ステ
ージ２０からは、筒状部２８が下方に向かって延びてお
り、筒状部２８の下端は、真空チャンバ１４の底部に形
成された開口部３０を囲んで真空チャンバ１４の底面に
気密に取り付けられている。
【００１６】図２に示すように、絶縁プレート２２の、
基板サポート１８内に埋設された加熱ヒータ２４用の電
極端子２６に対向する位置には、貫通孔３２が形成され
ている。また、ステージ２０上面の、電極端子２６に対
向する位置には、凹部３４が形成されている。この凹部
３４の底部には、真空チャンバ１４外に設けられた電源
（第２の電気機器）３６に接続された電極端子３８（第
２の電極端子）が気密に取り付けられている。電極端子
３８には、上方に向かって凹部３４内に突出したボルト
部材４０が設けられている。
基板サポート１８内に埋設された加熱ヒータ２４用の電
極端子２６に対向する位置には、貫通孔３２が形成され
ている。また、ステージ２０上面の、電極端子２６に対
向する位置には、凹部３４が形成されている。この凹部
３４の底部には、真空チャンバ１４外に設けられた電源
（第２の電気機器）３６に接続された電極端子３８（第
２の電極端子）が気密に取り付けられている。電極端子
３８には、上方に向かって凹部３４内に突出したボルト
部材４０が設けられている。
【００１７】ステージ２０の凹部３４内には電流導入端
子１２が配置されている。電流導入端子１２は、上下方
向に延びる円柱状の柱状体４２を備えている。柱状体４
２には、その長手方向、すなわち上下方向に直交する方
向に延びるスリットが例えば８つ形成されている。柱状
体４２の斜視図を図３に示す。また、図３のＩＶ−ＩＶ
線に沿っての断面図を図４に示し、Ｖ−Ｖ線に沿っての
断面図を図５に示す。なお、図３、図４及び図５それぞ
れにおいて、図示するようにｘ−ｙ座標を設定する。こ
こで、スリットが延びる方向とは、図示実施形態では、
スリットを画す底面（柱状体４２の垂直壁面）の延びる
方向をいう。柱状体４２は、形成されたスリットによ
り、当該スリットの底面の延びる方向を軸として撓みや
すくなる。
子１２が配置されている。電流導入端子１２は、上下方
向に延びる円柱状の柱状体４２を備えている。柱状体４
２には、その長手方向、すなわち上下方向に直交する方
向に延びるスリットが例えば８つ形成されている。柱状
体４２の斜視図を図３に示す。また、図３のＩＶ−ＩＶ
線に沿っての断面図を図４に示し、Ｖ−Ｖ線に沿っての
断面図を図５に示す。なお、図３、図４及び図５それぞ
れにおいて、図示するようにｘ−ｙ座標を設定する。こ
こで、スリットが延びる方向とは、図示実施形態では、
スリットを画す底面（柱状体４２の垂直壁面）の延びる
方向をいう。柱状体４２は、形成されたスリットによ
り、当該スリットの底面の延びる方向を軸として撓みや
すくなる。
【００１８】図３に示すように、柱状体４２の上端側に
は、上方から順にスリット４４ａ、４４ｂ、４８ａ及び
４８ｂが形成されている。さらに、柱状体４２の下端側
にも同様に、上方から順にスリット４４ａ、４４ｂ、４
８ａ及び４８ｂが形成されている。これら８つのスリッ
トは、上下方向に沿ってそれぞれ等間隔に形成されてい
る。
は、上方から順にスリット４４ａ、４４ｂ、４８ａ及び
４８ｂが形成されている。さらに、柱状体４２の下端側
にも同様に、上方から順にスリット４４ａ、４４ｂ、４
８ａ及び４８ｂが形成されている。これら８つのスリッ
トは、上下方向に沿ってそれぞれ等間隔に形成されてい
る。
【００１９】スリット４４ａ（第１のスリット）は、図
４に示すように、その底面４６ａがｙ方向（柱状体４２
の長手方向に直交する第１の方向）に延びている。ま
た、スリット４４ｂは、スリット４４ａに対し互い違い
に形成されており、その底面４６ｂがスリット４４ａと
同様にｙ方向に延びている。
４に示すように、その底面４６ａがｙ方向（柱状体４２
の長手方向に直交する第１の方向）に延びている。ま
た、スリット４４ｂは、スリット４４ａに対し互い違い
に形成されており、その底面４６ｂがスリット４４ａと
同様にｙ方向に延びている。
【００２０】スリット４８ａ（第２のスリット）は、図
５に示すように、その底面５０ａがｘ方向（柱状体４２
の長手方向に直交する第２の方向）に延びている。ま
た、スリット４８ｂは、スリット４８ａに対し互い違い
に形成されており、その底面５０ｂがスリット４８ａと
同様にｘ方向に延びている。
５に示すように、その底面５０ａがｘ方向（柱状体４２
の長手方向に直交する第２の方向）に延びている。ま
た、スリット４８ｂは、スリット４８ａに対し互い違い
に形成されており、その底面５０ｂがスリット４８ａと
同様にｘ方向に延びている。
【００２１】このように、互いに直角となる２つの方向
に延びるスリットをそれぞれ互い違いに形成すれば、柱
状体４２をあらゆる方向に撓みやすくすることができ
る。
に延びるスリットをそれぞれ互い違いに形成すれば、柱
状体４２をあらゆる方向に撓みやすくすることができ
る。
【００２２】また、柱状体４２は導電性材料からなり、
図２に示すように、その上端部及び下端部には、めねじ
部５２及びめねじ部５４がそれぞれ形成されている。上
端部に形成されためねじ部５２には、加熱ヒータ２４用
の電極端子２６に形成された孔を通してボルト５６が螺
合されており、電極端子２６と柱状体４２とが電気的に
接続されている。また、下端部に形成されためねじ部５
４には、電源３６に接続された電極端子３８のボルト部
材４０が螺合されており、電極端子３８と柱状体４２と
が電気的に接続されている。なお、ボルト部材４０に
は、柱状体４２の下方に六角ナット５８が螺合されてい
る。この六角ナット５８は、上方、すなわち柱状体４２
の下端に向かって締め付けられており、ロックナットと
して機能し、柱状体４２はボルト部材４０に固定されて
いる。
図２に示すように、その上端部及び下端部には、めねじ
部５２及びめねじ部５４がそれぞれ形成されている。上
端部に形成されためねじ部５２には、加熱ヒータ２４用
の電極端子２６に形成された孔を通してボルト５６が螺
合されており、電極端子２６と柱状体４２とが電気的に
接続されている。また、下端部に形成されためねじ部５
４には、電源３６に接続された電極端子３８のボルト部
材４０が螺合されており、電極端子３８と柱状体４２と
が電気的に接続されている。なお、ボルト部材４０に
は、柱状体４２の下方に六角ナット５８が螺合されてい
る。この六角ナット５８は、上方、すなわち柱状体４２
の下端に向かって締め付けられており、ロックナットと
して機能し、柱状体４２はボルト部材４０に固定されて
いる。
【００２３】以上のように構成された半導体製造装置１
０及び電流導入端子１２によれば、ステージ２０は真空
チャンバ１４に、電源３６に接続された電極端子３８は
ステージ２０の凹部３４にそれぞれ気密に取り付けられ
ており、電流導入端子１２は凹部３４内に配置されてい
るため、真空チャンバ１４内の気密性が破られることは
ない。
０及び電流導入端子１２によれば、ステージ２０は真空
チャンバ１４に、電源３６に接続された電極端子３８は
ステージ２０の凹部３４にそれぞれ気密に取り付けられ
ており、電流導入端子１２は凹部３４内に配置されてい
るため、真空チャンバ１４内の気密性が破られることは
ない。
【００２４】さらに、柱状体４２と、絶縁プレート２２
の貫通孔３２の内壁面及びステージ２０の凹部３４の内
壁面との間隙には、円筒状の絶縁碍子６０が設けられて
いる。これにより、導電性材料からなる柱状体４２と、
ステンレス製のステージ２０との放電を容易かつ確実に
防止することができる。
の貫通孔３２の内壁面及びステージ２０の凹部３４の内
壁面との間隙には、円筒状の絶縁碍子６０が設けられて
いる。これにより、導電性材料からなる柱状体４２と、
ステンレス製のステージ２０との放電を容易かつ確実に
防止することができる。
【００２５】次に、基板支持装置１６の組み立てについ
て説明する。絶縁プレート２２上に基板サポート１８を
設置する前の状態において、絶縁プレート２２の貫通孔
３２を通して、ステージ２０の凹部３４内に絶縁碍子６
０を設置する。また、凹部３４の底部に設けられた電極
端子３８のボルト部材４０に、六角ナット５８を螺合す
る。そして、柱状体４２の上端が絶縁プレート２２の上
面よりも凹んだ状態となるまで、柱状体４２下端部のめ
ねじ部５４を電極端子３８のボルト部材４０に螺合す
る。この状態で、ボルト部材４０に螺合された六角ナッ
ト５８を上方、すなわち柱状体４２の下端に向かって締
め付け、柱状体４２をボルト部材４０に固定する。
て説明する。絶縁プレート２２上に基板サポート１８を
設置する前の状態において、絶縁プレート２２の貫通孔
３２を通して、ステージ２０の凹部３４内に絶縁碍子６
０を設置する。また、凹部３４の底部に設けられた電極
端子３８のボルト部材４０に、六角ナット５８を螺合す
る。そして、柱状体４２の上端が絶縁プレート２２の上
面よりも凹んだ状態となるまで、柱状体４２下端部のめ
ねじ部５４を電極端子３８のボルト部材４０に螺合す
る。この状態で、ボルト部材４０に螺合された六角ナッ
ト５８を上方、すなわち柱状体４２の下端に向かって締
め付け、柱状体４２をボルト部材４０に固定する。
【００２６】この後、基板サポート１８を絶縁プレート
２２上に取り付け、基板サポート１８上面に形成された
孔６２からボルト５６を挿入し、加熱ヒータ２４用の電
極端子２６に形成された孔を通して、ボルト５６を柱状
体４２上端部のめねじ部５２に螺合する。このとき、加
熱ヒータ２４用の電極端子２６と電源３６に接続された
電極端子３８とが正対せずにずれているような場合であ
っても、スリットにより柱状体４２が撓むため、柱状体
４２の上端が基板サポート１８の下面に接触するまでボ
ルト５６を締め付けて、電極端子２６と柱状体４２とを
確実に接続することができる。したがって、電極端子３
８と電極端子２６とのシビアな位置合わせが不要とな
る。なお、ボルト５６の締め付けにおいては、柱状体４
２が電極端子３８のボルト部材４０に六角ナット５８に
より固定されているため、柱状体４２が供回りするよう
なこともない。
２２上に取り付け、基板サポート１８上面に形成された
孔６２からボルト５６を挿入し、加熱ヒータ２４用の電
極端子２６に形成された孔を通して、ボルト５６を柱状
体４２上端部のめねじ部５２に螺合する。このとき、加
熱ヒータ２４用の電極端子２６と電源３６に接続された
電極端子３８とが正対せずにずれているような場合であ
っても、スリットにより柱状体４２が撓むため、柱状体
４２の上端が基板サポート１８の下面に接触するまでボ
ルト５６を締め付けて、電極端子２６と柱状体４２とを
確実に接続することができる。したがって、電極端子３
８と電極端子２６とのシビアな位置合わせが不要とな
る。なお、ボルト５６の締め付けにおいては、柱状体４
２が電極端子３８のボルト部材４０に六角ナット５８に
より固定されているため、柱状体４２が供回りするよう
なこともない。
【００２７】以上のように、基板サポート１６の組み立
てにおいて、ケーブルを用いることなく、極めて容易に
加熱ヒータ２４と電源３６とを電気的に接続することが
できるため、組み立てにおける手間が低減され、作業時
間を短縮することが可能となる。
てにおいて、ケーブルを用いることなく、極めて容易に
加熱ヒータ２４と電源３６とを電気的に接続することが
できるため、組み立てにおける手間が低減され、作業時
間を短縮することが可能となる。
【００２８】次に、半導体製造装置１０が、例えば熱Ｃ
ＶＤ装置等であり、基板サポート１８が加熱ヒータ２４
により加熱される場合について説明する。基板サポート
１８が加熱ヒータ２４により加熱されると、熱膨張差に
より、基板サポート１８内に埋設された電極端子２６が
柱状体４２に対して水平方向にずれる。しかし、柱状体
４２にはスリットが形成されているため、柱状体４２が
撓んで熱膨張差を吸収することが可能となる。したがっ
て、電極端子２６や電極端子３８等に生じる熱膨張差に
よるストレスを減少させることができ、これらの破損を
防止することが可能となる。
ＶＤ装置等であり、基板サポート１８が加熱ヒータ２４
により加熱される場合について説明する。基板サポート
１８が加熱ヒータ２４により加熱されると、熱膨張差に
より、基板サポート１８内に埋設された電極端子２６が
柱状体４２に対して水平方向にずれる。しかし、柱状体
４２にはスリットが形成されているため、柱状体４２が
撓んで熱膨張差を吸収することが可能となる。したがっ
て、電極端子２６や電極端子３８等に生じる熱膨張差に
よるストレスを減少させることができ、これらの破損を
防止することが可能となる。
【００２９】以上、本発明の好適な一実施形態について
詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されな
いことはいうまでもない。
詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されな
いことはいうまでもない。
【００３０】上記実施形態では、柱状体に８つのスリッ
トが形成された場合について説明したが、本発明はこれ
に限定されない。また、上記実施形態では、スリットは
互いに平行な上下一対の平面と平坦な底面とから画され
ているが、スリットの形状もこれに限定されない。例え
ば、上下一対の平面は互いに非平行であってもよく、ま
た、底面は湾曲されていてもよい。底面が湾曲されてい
る場合、スリットが延びる方向とは、当該スリットによ
り柱状体が撓むときの軸となる方向をいう。なお、各ス
リットの深さやスリットの間隔、或いはスリットの数等
は、加熱ヒータ等、電気機器の所要電流値及び電圧値を
考慮し、また、熱膨張差が生じた場合に必要とされる撓
み量を考慮して、適宜決定される。
トが形成された場合について説明したが、本発明はこれ
に限定されない。また、上記実施形態では、スリットは
互いに平行な上下一対の平面と平坦な底面とから画され
ているが、スリットの形状もこれに限定されない。例え
ば、上下一対の平面は互いに非平行であってもよく、ま
た、底面は湾曲されていてもよい。底面が湾曲されてい
る場合、スリットが延びる方向とは、当該スリットによ
り柱状体が撓むときの軸となる方向をいう。なお、各ス
リットの深さやスリットの間隔、或いはスリットの数等
は、加熱ヒータ等、電気機器の所要電流値及び電圧値を
考慮し、また、熱膨張差が生じた場合に必要とされる撓
み量を考慮して、適宜決定される。
【００３１】また、上記実施形態では、加熱ヒータと電
源とを電気的に接続する場合について説明したが、本発
明によれば、上述したように真空チャンバ内の気密性が
破られることがないため、種々の半導体製造装置におい
て、真空チャンバ内に設置された電気機器と、真空チャ
ンバ外に設けられた電源とを電気的に接続することが可
能である。また、半導体製造装置における電気機器間の
接続に限られず、種々の電気機器間の接続においても適
用可能である。
源とを電気的に接続する場合について説明したが、本発
明によれば、上述したように真空チャンバ内の気密性が
破られることがないため、種々の半導体製造装置におい
て、真空チャンバ内に設置された電気機器と、真空チャ
ンバ外に設けられた電源とを電気的に接続することが可
能である。また、半導体製造装置における電気機器間の
接続に限られず、種々の電気機器間の接続においても適
用可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１の電気機器が有する第１の電極端子と第２の電気機
器が有する第２の電極端子とが正対せずにずれているよ
うな場合であっても、電流導入端子が備えた柱状体に
は、その長手方向に直交する方向に延びるスリットが形
成されているため、柱状体が撓んで上記ずれを吸収する
ことが可能となる。したがって、柱状体の一端には第１
の電極端子を、また、他端には第２の電極端子をそれぞ
れ確実に接続することができ、容易に第１の電気機器と
第２の電気機器とを電気的に接続することが可能とな
る。また、半導体製造装置においては、真空チャンバ内
でケーブルが用いられることがないため、取り付けやメ
ンテナンス等における手間を低減し、作業時間を短縮す
ることができる。
第１の電気機器が有する第１の電極端子と第２の電気機
器が有する第２の電極端子とが正対せずにずれているよ
うな場合であっても、電流導入端子が備えた柱状体に
は、その長手方向に直交する方向に延びるスリットが形
成されているため、柱状体が撓んで上記ずれを吸収する
ことが可能となる。したがって、柱状体の一端には第１
の電極端子を、また、他端には第２の電極端子をそれぞ
れ確実に接続することができ、容易に第１の電気機器と
第２の電気機器とを電気的に接続することが可能とな
る。また、半導体製造装置においては、真空チャンバ内
でケーブルが用いられることがないため、取り付けやメ
ンテナンス等における手間を低減し、作業時間を短縮す
ることができる。
【図１】半導体製造装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１の半導体製造装置に取り付けられた電流導
入端子の構成を示す概略図である。
入端子の構成を示す概略図である。
【図３】柱状体の斜視図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿っての断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線に沿っての断面図である。
【図６】従来の半導体製造装置の構成を示す概略図であ
る。
る。
１０…半導体製造装置、１２…電流導入端子、１４…真
空チャンバ、２４…加熱ヒータ、３６…電源、２６、３
８…電極端子、４２…柱状体、４４ａ、４４ｂ、４８
ａ、４８ｂ…スリット。
空チャンバ、２４…加熱ヒータ、３６…電源、２６、３
８…電極端子、４２…柱状体、４４ａ、４４ｂ、４８
ａ、４８ｂ…スリット。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小野 真徳
千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内
アプライド マテリアルズ ジャパン
株式会社内
Ｆターム(参考） 5E087 EE06 FF01 FF27 GG12 MM08
MM12 QQ06 RR07 RR31
5F031 CA02 HA02 HA19 MA28 NA05
5F045 EK07
Claims (6)
- 【請求項１】 導電性材料からなる柱状体を備えた電流
導入端子であって、 前記柱状体には、前記柱状体の長手方向に直交する方向
に延びるスリットが形成されていることを特徴とする電
流導入端子。 - 【請求項２】 前記スリットは、前記柱状体の長手方向
に直交する第１の方向に延びる第１のスリットと、 前記柱状体の長手方向に直交する方向であって、前記第
１の方向と直角となる第２の方向に延びる第２のスリッ
トとを含むことを特徴とする請求項１に記載の電流導入
端子。 - 【請求項３】 前記第１のスリットが前記柱状体の長手
方向に沿って互い違いに複数形成されると共に、前記第
２のスリットが前記柱状体の長手方向に沿って互い違い
に複数形成されていることを特徴とする請求項２に記載
の電流導入端子。 - 【請求項４】 前記柱状体の外周を囲むように、筒状の
絶縁碍子が設けられていることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項に記載の電流導入端子。 - 【請求項５】 真空チャンバと、前記真空チャンバ内に
設置された、第１の電極端子を有する第１の電気機器
と、前記第１の電気機器と異なる第２の電気機器が有す
る第２の電極端子とを備えた半導体製造装置であって、 前記第１の電極端子と前記第２の電極端子との間には電
流導入端子が配置されており、 前記電流導入端子は、一端に前記第１の電極端子が電気
的に接続されると共に、他端に前記第２の電極端子が電
気的に接続されるようになっている、導電性材料からな
る柱状体を備え、 前記柱状体には、前記柱状体の長手方向に直交する方向
に延びるスリットが形成されていることを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項６】 前記第１の電気機器は、被処理基板が載
置される基板サポート内に埋設され、前記基板サポート
を加熱する加熱ヒータであることを特徴とする請求項５
に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001335144A JP3802795B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001335144A JP3802795B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142359A true JP2003142359A (ja) | 2003-05-16 |
| JP3802795B2 JP3802795B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=19150167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001335144A Expired - Fee Related JP3802795B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3802795B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100845508B1 (ko) | 2007-04-19 | 2008-07-10 | 코리아세미텍 주식회사 | 웨이퍼 고정용 정전척의 알에프전극 로드 연결 장치 |
| WO2009114175A2 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Lam Research Corporation | Cam lock electrode clamp |
| JP2012238730A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体 |
| US20130220545A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table and plasma etching apparatus |
| US20200411354A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Applied Materials, Inc. | Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications |
| CN113767463A (zh) * | 2019-04-30 | 2021-12-07 | 应用材料公司 | 低温可偏置基板支撑件 |
-
2001
- 2001-10-31 JP JP2001335144A patent/JP3802795B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100845508B1 (ko) | 2007-04-19 | 2008-07-10 | 코리아세미텍 주식회사 | 웨이퍼 고정용 정전척의 알에프전극 로드 연결 장치 |
| WO2009114175A2 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Lam Research Corporation | Cam lock electrode clamp |
| WO2009114175A3 (en) * | 2008-03-14 | 2009-12-23 | Lam Research Corporation | Cam lock electrode clamp |
| CN101971321B (zh) * | 2008-03-14 | 2012-05-23 | 朗姆研究公司 | 凸轮锁电极夹具 |
| JP2012238730A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体 |
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| US20200411354A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Applied Materials, Inc. | Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications |
| CN114080669A (zh) * | 2019-06-28 | 2022-02-22 | 应用材料公司 | 用于高温应用的可拆卸、可偏置的静电卡盘 |
| US11887878B2 (en) * | 2019-06-28 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3802795B2 (ja) | 2006-07-26 |
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