TW201721789A - 具有整合式溫度測量電子元件之基板夾持具 - Google Patents

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Abstract

基板夾持具包含底板、設置於該底板之上的接合層、及設置於該接合層之上的陶瓷層。該陶瓷層具有停止表面，該停止表面包含配置以支撐基板的區域。複數溫度量測電子元件係附接至該陶瓷層。導電線路係內嵌於該陶瓷層，並定位及設定路線以與複數溫度量測電子元件的一或更多電接點電連接。設置電線以電接觸該導電線路。該等電線自該陶瓷層，通過該接合層，且通過該底板，而延伸至控制電路。

Description

具有整合式溫度測量電子元件之基板夾持具
本發明係關於半導體元件製造。
許多現代半導體製造過程係在電漿製程模組中執行，其中在暴露於電漿時，基板係夾持於基板夾持具上。在電漿處理操作期間，基板之溫度控制為可影響處理操作之結果的一因素。為了在電漿處理操作期間提供基板溫度之控制，必須準確地且可靠地量測基板夾持具的溫度，以便推知其上所夾持之基板的溫度。此為本發明產生之背景。
在一例示性實施例中，揭露一種基板夾持具。該基板夾持具包含底板、設置於該底板之上的接合層、及設置於該接合層之上的陶瓷層。該陶瓷層具有頂表面，該頂表面包含配置以支撐基板的區域。該基板夾持具包含複數溫度量測電子元件，其附接至該陶瓷層。該複數溫度量測電子元件之各者係配置以量測該陶瓷層之對應的局部溫度。該複數溫度量測電子元件之各者具有複數電接點。該基板夾持具包含複數導電線路，其內嵌於該陶瓷層。該複數導電線路之若干者係定位而與該複數溫度量測電子元件的該複數電接點其中一或多者電接觸。該基板夾持具亦包含複數電線，其與該複數導電線路其中一或多者電接觸。該複數電線係自該陶瓷層，通過該接合層，且通過該底板，而延伸至控制電路。
在一例示性實施例中，揭露一種系統。該系統包含基板夾持具，其包含底板、以及陶瓷層，該陶瓷層使用設置於該底板與該陶瓷層間之接合層而附接至該底板之頂表面。該陶瓷層具有頂表面，該頂表面包含配置以支撐基板的區域。該系統亦包含複數溫度量測電子元件，其附接至該陶瓷層。該複數溫度量測電子元件之各者係配置以量測該陶瓷層之對應的局部溫度。該複數溫度量測電子元件之各者具有複數電接點。該陶瓷層包含內嵌於該陶瓷層的複數導電線路。該複數導電線路之若干者在該複數溫度量測電子元件之電接點之間設定路線。該複數導電線路之若干者自該複數溫度量測電子元件的該複數電接點其中一或多者，設定路線至複數外露電接點之對應者。該系統亦包含複數電線，其連接至該複數外露電接點之對應者。該系統亦包含監測及控制電路，其包含各自與該複數電線電接觸的複數電節點，該監測及控制電路係配置以控制該複數溫度量測電子元件之操作。
在一例示性實施例中，揭露一種基板夾持具的製造方法。該方法包含形成陶瓷層，其具有包含配置以支撐基板之區域的頂表面。該陶瓷層係形成而包含複數溫度量測電子元件。該陶瓷層係形成而包含嵌入的導電線路，其係設定路線以將該複數溫度量測電子元件電連接至該陶瓷層之底表面的複數外露電接點。該方法亦包含將複數電線各自連接至該複數外露電接點。該方法亦包含使用接合層將該陶瓷層固緊至底板，俾將該複數電線設定路線通過該接合層，且通過該底板。該方法亦包含將該複數電線連接至控制電路。
在一例示性實施例中，揭露一種基板夾持具的溫度量測方法。該方法包含藉由內嵌於該基板夾持具之陶瓷層的第一複數導電線路，而將電力供至該陶瓷層內的複數溫度量測電子元件。該方法亦包含藉由內嵌於該陶瓷層之第二複數導電線路，而將該陶瓷層內之該複數溫度量測電子元件連接至參考接地電位。該方法亦包含藉由內嵌於該基板夾持具之該陶瓷層的第三複數導電線路，而將控制信號供至該陶瓷層內的該複數溫度量測電子元件，以指示該複數溫度量測電子元件量測該陶瓷層之對應的局部溫度。該方法亦包含藉由內嵌於該基板夾持具之該陶瓷層的第四複數導電線路，而自該陶瓷層內之該複數溫度量測電子元件接收溫度量測資料信號。
從以下「實施方式」部分，結合隨附圖式並透過例示的方式說明本發明，本發明的其他態樣及優點將變得更顯而易見。
在以下敘述中，提出許多特定細節以提供對於本發明之徹底瞭解。然而，對於熟習本領域技術而言，顯而易見地，本發明可在不具有此等特定細節之若干或全部的情況下加以實施。在其他情況下，為避免不必要地混淆本揭露內容，眾所周知的製程操作並未詳加描述。
圖1依據本發明之各種實施例，顯示範例基板製程模組100。製程模組100包含基板夾持具102，其配置以在暴露於電漿處理環境（其中會產生電漿104）時夾持基板101。本揭露內容主要涉及設備、系統、及方法，藉由該設備、系統、及方法，可於製程模組100內、在電漿處理操作期間量測基板夾持具102的許多部分之溫度。為提供範例背景，製程模組100係描繪為感應耦合電漿（ICP, inductively coupled plasma）製程模組。然而，應瞭解，在其他實施例中，製程模組100係可定義為用於半導體製造中的其他類型之製程模組。
在範例實施例中，本說明書中所使用之用語「基板101」指涉半導體晶圓。然而，應瞭解，在其他實施例中，本說明書中所使用之用語「基板101」可指涉由藍寶石、GaN、GaAs、或SiC、或其他基板材料所形成之基板，且可包含玻璃面板/基板、金屬箔、金屬片、聚合物材料等。並且，在各種實施例中，如本說明書中所提及之基板101可為不同的形式、形狀、及/或尺寸。例如，在若干實施例中，如本說明書中所提及之基板101可對應於200 mm（毫米）的半導體晶圓、300 mm的半導體晶圓、或450 mm的半導體晶圓。並且，在若干實施例中，如本說明書中所提及之基板101可對應於非圓形的基板，例如在其他形狀中，尤其像是用於平板顯示器的矩形基板等。
製程模組100係配置以使基板101暴露於以電漿為基礎之處理操作，以便以指定的及受控制的方式改變基板101之特性。製程模組100包含由周圍結構所定義的腔室103，其包含一或更多壁部結構103A、底部結構103B、及頂部結構103C。在若干實施例中，頂部結構103C係由可藉其傳遞射頻（RF, radiofrequency）信號的材料所形成，尤其例如石英或陶瓷。製程模組100包含設置於頂部結構103C之上的線圈組件105。
RF電源107係連接以藉由連接件109而將RF功率（RF信號）供至線圈組件105。在各種實施例中，RF電源107包含一或更多RF產生器以及相關聯的阻抗匹配電路，以提供適當的RF功率傳輸至線圈組件105。腔室103可由導電材料所形成，且電連接至參考接地電位106。
在若干實施例中，製程模組100包含可閉出入埠口111（例如門閥或其他元件），基板101可通過可閉出入埠口111而被轉移進出腔室103。製程模組100亦包含複數製程氣體供應埠口113A、113B、113C，一或更多製程氣體組成物（單或複數）可通過製程氣體供應埠口113A、113B、113C而被供至腔室103的內部區域，該內部區域係上覆於基板夾持具102。在操作期間，製程氣體供應源115運作以透過一或更多連接管道117A、117B、117C而將一或更多製程氣體組成物（單或複數）分別輸送至製程氣體供應埠口113A、113B、113C，而RF功率係由RF電源107傳輸至線圈組件105，以使RF功率在電漿產生區域（該區域位於頂部結構103C之下且上覆於基板夾持具102）內產生電磁場，以使一或更多製程氣體組成物（單或複數）在電漿產生區域內轉變為電漿104。然後，電漿104的反應性成分（例如離子及/或自由基）會與基板101之部分暴露表面反應。
製程模組100包含複數側通氣結構119，氣體及副產物物質可透過側通氣結構119而流至排放埠口121，排放埠口121係連接至排放模組123，排放模組123係配置以將負壓施加至腔室103的內部，以促進使用過之製程氣體及副產物物質的排放。並且，在若干實施例中，基板夾持具102係配置以藉由連接件127而自另一RF電源125接收RF功率，以幫助電漿104的產生及/或以在基板夾持具102上產生偏壓電壓，以從電漿104吸引離子朝向基板夾持具102以及夾持於其上的基板101。在各種實施例中，RF電源125包含一或更多RF產生器以及相關聯的阻抗匹配電路以提供適當的RF功率傳輸至基板夾持具102。
儘管製程模組100描繪ICP製程模組的範例，但在各種實施例中，製程模組100實質上可為在半導體元件製造中所使用之任何類型的製程模組。例如，在若干實施例中，製程模組100可為電容耦合電漿（CCP, capacitively coupled plasma）製程模組，其中，CCP製程模組包含設置於腔室103內的一或更多電極來替代ICP製程模組中所使用的線圈組件105，其中RF功率係傳輸至該一或更多電極。在CCP製程模組中，一或更多電極可包含一或更多的頂部電極（尤其例如：噴淋頭電極或固體電極）、底部電極（尤其例如：靜電夾頭或基板支撐體）、及側部電極（尤其例如：周緣環形電極）、其中頂部、底部、及側部電極係配置於電漿產生區域周圍。被傳輸至CCP製程模組之一或更多電極的RF功率係自該一或更多電極，藉由存在於電漿產生區域內的一或更多製程氣體組成物（單或複數）而傳輸至參考接地電位，而如此一來將電漿產生區域內的一或更多製程氣體組成物（單或複數）轉變為電漿104。
應瞭解，為了方便說明，以上所提及之ICP及CCP製程模組範例係以簡明的方式來討論。實際上，製程模組100（無論是ICP、CCP、或某些其他類型）係為複雜的系統，其包含許多本說明書中未描述的元件。然而，對於目前討論應瞭解的是，無論製程模組100的類型為何，其包含基板夾持具102，基板夾持具102係配置以在暴露於電漿104時用固緊的方式夾持基板101，以達成基板101之處理而獲得特定的結果。可用製程模組100來執行的電漿處理操作之範例尤其包含蝕刻操作、沉積操作、及灰化操作。
在各種實施例中，基板夾持具102可為靜電夾頭或其他類型的基板支撐構件。圖2A依據本發明之各種實施例，顯示配置為靜電夾頭的基板夾持具102之範例的垂直橫剖面圖。基板夾持具102包含底板201、設置於底板201之上的接合層203、及設置於接合層203之上的陶瓷層205。接合層203將陶瓷層205固緊至底板201。接合層203亦作為陶瓷層205與底板201間的隔熱體。
底板201在結構上被固緊至設備模組206，以使電氣導通設立於底板201與設備模組206間，以便使RF功率能自RF電源125，透過設備模組206，而傳輸至底板201。設備模組206係配置為中空的導電結構，其用於容置與存在於腔室103內之電漿環境隔離的各種基板夾持具102之支撐元件。在若干實施例中，底板201及設備模組206係由鋁所形成。然而，在其他實施例中，只要底板201及設備模組206能提供足夠的導電性、導熱性、及機械強度以支撐基板夾持具102之操作，底板201及設備模組206即可由其他材料或材料之組合所形成。
陶瓷層205之頂表面包含配置以在處理期間支撐基板101的區域。在若干實施例中，陶瓷層205之頂表面係由被稱為平台結構（mesa structures）的複數舉升結構之共平面的頂表面所形成。在基板101支撐於平台結構之頂表面上的情況下，該等平台結構的側邊之間的區域對基板101的背側而提供流體（例如氦氣）流動，以對基板101提供較佳的溫度控制。
陶瓷層205包含一或更多夾持電極207，其藉由電連接件211而與夾持電壓供應源209電連接。在若干實施例中，一或更多夾持電極207可為單一電極，其用以產生電場而將基板101夾持於陶瓷層205之頂表面上。在若干實施例中，夾持電極207可包含兩分離夾持電極，其係為了雙極性操作而配置，其中一差分電壓係施加於該兩分離夾持電極間，以產生用於將基板101夾持於陶瓷層205之頂表面上的電場。在各種實施例中，該兩分離夾持電極在幾何結構上是叉合或交錯的（geometrically interdigitated or interleaved），以達成雙極性操作。
在若干實施例中，陶瓷層205包含電阻加熱器213，其藉由電連接件217而與加熱器電源215電連接。並且，在若干實施例中，陶瓷層205包含RF功率傳輸電極219以及相關聯的RF功率傳輸連接模組221，RF功率傳輸連接模組221係以實質上均勻的方式分布於陶瓷層205的周緣。各RF功率傳輸連接模組221在底板201與RF功率傳輸電極219間，為RF信號提供低阻抗傳輸路徑。更具體而言，各RF功率傳輸連接模組221係配置以在其各自的位置形成自底板201至RF功率傳輸電極219的電連接，以便在其各自的位置形成自底板201至RF功率傳輸電極219的RF功率傳輸路徑。以此方式，底板201、RF功率傳輸連接模組221、及RF功率傳輸電極219共同形成法拉第籠（Faraday cage），以引導RF功率傳輸環繞基板夾持具102之內部容積，藉此防護基板夾持具102之內部容積免於RF信號，其中該內部容積係存在於底板201之頂表面與RF功率傳輸電極219間、且位於接近陶瓷層205之徑向周緣的周邊（RF功率傳輸連接模組221係沿其而設置）內，而該RF信號可能會干擾存在於基板夾持具102之內部容積內的電子元件之操作。
在若干實施例中，基板夾持具102包含周緣密封件223，其設置於陶瓷層205之底表面與底板201之頂表面間，且位於接合層203之徑向周緣的外側。周緣密封件223係配置以防止電漿104成分及/或製程副產物物質進入內部區域，陶瓷層205及底板201在該內部區域與接合層203介面接合。
在各種實施例中，基板夾持具102可配置以包含各種冷卻機構、加熱機構、夾持機構、偏壓電極、基板舉升銷、及感測器，其中感測器尤其可提供溫度、電壓、及/或電流等參數的量測。例如，底板201可配置成包含複數冷卻管道225，冷卻流體可流經冷卻管道225。並且，陶瓷層205可包含流體流動管道之配置，背側氣體可流經該流體流動管道而分配於基板101底下之平台結構間的區域中。應察知，設備模組206可配置以夾持用於基板夾持具102之內部元件的各種電路、管道、控制元件，及支撐部件，例如用於電阻加熱器213、背側氣體輸送系統、基板舉升銷、夾持電極（單或複數）207、冷卻管道225、感測器等。
特別是關於存在於基板夾持具102內的溫度感測器，本發明的各種實施例包含複數溫度量測電子元件227，其設置於陶瓷層205內。複數溫度量測電子元件227的各者係配置以量測陶瓷層205之對應的局部溫度。並且，複數溫度量測電子元件227的各者具有複數電接點。在若干實施例中，複數溫度量測電子元件227的各者係為分離的積體電路晶片，其配置以量測溫度。在若干實施例中，此等積體電路晶片係配置以儲存所量測的溫度資料，並將溫度量測資料傳輸至其他電路。
圖2B依據本發明之各種實施例，顯示如圖2A中所示之基板夾持具102的垂直橫剖面圖之1/2的放大圖。在若干實施例中，複數溫度量測電子元件227的各者係藉由導熱固緊材料228而固緊至陶瓷層205，以在溫度量測電子元件227與陶瓷層205之間提供熱傳導。在各種實施例中，導熱固緊材料228係為焊接材料或黏著材料。
並且，在若干實施例中，陶瓷層205包含複數凹陷區域233，其分布於陶瓷層205之整個底表面。在若干實施例中，複數凹陷區域233的各者係配置為陶瓷層205內所形成的柱坑，以接收複數溫度量測電子元件227之對應者，以使複數溫度量測電子元件227的各者在配置於其凹陷區域233內時，係位於陶瓷層205的頂表面與底表面之間。在若干實施例中，柱坑的深度係小於陶瓷層205之總厚度（如垂直地量測於陶瓷層205的頂表面與底表面間）的約1/4。例如，若陶瓷層205之總厚度係約為4毫米(mm)至5 mm，則凹陷區域233之柱坑的深度可為約1 mm。並且，在若干實施例中，基板夾持具102可包含具有不同柱坑深度的不同凹陷區域233。在若干實施例中，各凹陷區域之直徑係小於約5 mm。
在若干實施例中，回填材料係配置於複數凹陷區域233的各者內，以覆蓋對應的複數溫度量測電子元件227，並填充複數凹陷區域233的各者至實質上與陶瓷層205之底表面齊平的水平。在此等實施例中，回填材料可為介電材料，且可具有受控制的導熱性。例如，在若干實施例中，回填材料尤其可為高導熱性的環氧化物、高導熱性的矽氧樹脂、高導熱性的摻雜之矽氧樹脂。或者，在若干實施例中，可將複數溫度量測電子元件227表面安裝至陶瓷層205之底表面，其中當陶瓷層205被設置於接合層203上時，接合層203之頂表面係改質/塑形以配合由複數溫度量測電子元件227所佔據的容積。
如圖2A及2B中所示，基板夾持具102包含複數導電線路，例如：229A、229B、231A、231B，其內嵌於陶瓷層205。複數導電線路229A、229B等之若干者係定位而與複數溫度量測電子元件227之複數電接點的一或多者電接觸。在若干實施例中，使用導電墊及對應的穿孔結構235（其形成為在陶瓷層205內垂直延伸），將複數導電線路229A、229B、231A、231B等設定路線通過陶瓷層205之複數層級。在若干實施例中，複數導電線路229A、229B、231A、231B等包含作為電導體的鎢。在若干實施例中，為了導電性，複數導電線路229A、229B、231A、231B等尤其包含鉬、鉭、鎢、鈀，釕、鉑其中一或多者。在若干實施例中，複數導電線路229A、229B、231A、231B等係與陶瓷層205共燒，以使複數導電線路229A、229B、231A、231B等具有與陶瓷層205之溫度反應實質上相等的溫度反應。更具體而言，複數導電線路229A、229B、231A、231B等的導熱性係約與陶瓷層205（複數導電線路229A、229B、231A、231B等係形成於其內）之導熱性相等。
應瞭解，複數導電線路229A、229B、231A、231B等係內嵌於陶瓷層205，以使陶瓷層205包含複數溫度量測電子元件227的互連導體。在各種實施例中，尤其在陶瓷層205之燒結、物理氣相沉積、電鍍、微影遮蔽/蝕刻/填充製程之前，可使用包含但不限於導電性墨水之網版印刷的不同方式來形成複數導電線路229A、229B、231A、231B等。在若干實施例中，複數導電線路229A、229B、231A、231B等其中各者係約為10微米厚。
在若干實施例中，複數導電安裝墊係各自固緊於複數凹陷區域233內，其中複數導電安裝墊之各者係電連接至由複數導電線路229A、229B等其中一或多者所形成的接地匯流排。在此等實施例中，複數溫度量測電子元件227之各者具有外露的接地墊，其焊接至複數導電安裝墊其中各別者。在此等實施例中，自陶瓷層205傳至複數溫度量測電子元件227的大部分熱傳遞會透過對應的複數導電安裝墊及相關聯的焊接連接件而產生。
基板夾持具102亦包含複數電線237，其與複數導電線路229A、229B、231A、231B等其中一或多者電接觸。在若干實施例中，複數電線237自陶瓷層205，通過接合層203，且通過底板201，而延伸至控制電路。在若干實施例中，將複數導電線路229A、229B、231A、231B等其中若干者在複數溫度量測電子元件227的電接點之間設定路線。而在若干實施例中，將複數導電線路229A、229B、231A、231B等其中若干者自複數溫度量測電子元件227的複數電接點之其中一或多者，設定路線至複數外露電接點239之對應者，其中複數電線237係各自連接至複數外露電接點239之對應者。
在若干實施例中，控制電路（複數電線237係設定路線至該控制電路）包含各自與複數電線237電接觸的複數電節點。在若干實施例中，於電路板241上實施控制電路。控制電路係配置以控制複數溫度量測電子元件227之操作，及自複數溫度量測電子元件227接收溫度量測資料。應察知，控制電路與複數溫度量測電子元件227間的資料傳遞係使用數位信號來執行。在若干實施例中，電路板241單獨地與基板夾持具102相關聯。而在若干實施例中，電路板241係設置於設備模組206內的底板201之下。並且，在若干實施例中，電路板241包含資料插孔，其用於藉由連接件245而傳遞資料往來基板夾持具102外部的電腦243。在若干實施例中，可將由複數溫度量測電子元件227所提供的溫度量測資料傳遞至溫度控制系統，其用於提供基板夾持具102之閉迴路的反饋溫度控制。
在若干實施例中，複數溫度量測電子元件227係分布於複數溫度量測區內，其中以相對於陶瓷層205之中心線247的同心方式來界定該等溫度量測區，而中心線247係垂直地延伸通過陶瓷層205之頂表面中心。例如，圖2A的基板夾持具102包含四個溫度量測區，包含內區、中內區、中外區、及外區。然而，應瞭解，在其他實施例中，基板夾持具102可配置成包含實質上任何數量的溫度量測區。在若干實施例中，溫度量測區係定義為空間上對應如由電阻加熱器213所提供的加熱器控制區。
在若干實施例中，複數溫度量測電子元件227，及內嵌於陶瓷層205的複數導電線路229A、229B、231A、231B等、及複數電線237係分成複數溫度量測陣列。在若干實施例中，該複數溫度量測陣列的各者包含：a) 分離的溫度量測電子元件227，其係分別設置於該複數溫度量測區其中不同者內，及b) 專用組的複數導電線路229A、229B、231A、231B等，其內嵌於陶瓷層205，及c) 專用組的複數電線237。以此方式，提供單一專用組的複數電線237以供對應的溫度量測陣列內之所有分離的溫度量測電子元件227使用。
圖3A依據本發明之各種實施例，顯示複數溫度量測陣列的例示性配置。圖3A的視圖A-A係參照於圖2A中。在圖3A之範例中，基板夾持具102包含四個溫度量測陣列301A、301B、301C、301D。各溫度量測陣列301A、301B、301C、301D包含四個溫度量測電子元件227，其分布於四個溫度量測區之中。在若干實施例中，溫度量測電子元件227之各者係設置於形成於陶瓷層205內之各自的凹陷區域233內。在若干實施例中，可將溫度量測電子元件227之各者附接至陶瓷層205之底表面。溫度量測陣列301A、301B、301C、301D之各者包含個別組的外露電接點239以及個別組的複數電線237。
圖3B依據本發明之各種實施例，顯示圖3A中所描繪的複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者的複數導電線路229A、229B、231A、231B等之例示性布局。複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者的複數導電線路229A、229B、231A、231B等包含第一組導電線路231A，其用於將電力供至複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者內的溫度量測電子元件227（例如：積體電路晶片）的各者。並且，在此例示性實施例中，複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者的複數導電線路229A、229B、231A、231B等包含第二組導電線路229A，以對複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者內的溫度量測電子元件227（例如：積體電路晶片）的各者提供參考接地電位。並且，在此例示性實施例中，複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者的複數導電線路229A、229B、231A、231B等包含第三組導電線路231B，其用於將時脈信號供至複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者內的溫度量測電子元件227（例如：積體電路晶片）的各者。並且，在此例示性實施例中，複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者的複數導電線路229A、229B、231A、231B等包含第四組導電線路229B，其用於傳遞資料往來複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者內的溫度量測電子元件227（例如：積體電路晶片）的各者。
在上述例示性實施例中，複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D其中之給定者的複數電線237包含用於供給第一組導電線路231A之電力的第一電線237A，以及用於將第二組導電線路229A連接至參考接地電位的第二電線237B，以及用於將時脈信號供至第三組導電線路231B的第三電線237C，以及用於傳遞資料往來第四組導電線路229B的第四電線237D。以此方式，第一組導電線路231A形成功率匯流排，而第二組導電線路229A形成接地匯流排，而第三組導電線路231B形成時脈匯流排，而第四組導電線路229B形成資料匯流排。
並且，由於不同溫度量測電子元件227的連接需求，在陶瓷層205的不同層級中為第一組導電線路231A、第二組導電線路229A、第三組導電線路231B、及第四組導電線路229B設定路線可能係必要的，以避免不同的導電線路229A、229B、231A、231B一起發生短路。例如，圖3B顯示，接地匯流排的第二組導電線路229A以及資料匯流排的第四組導電線路229B係形成於陶瓷層205的相同層級中。更具體而言，接地匯流排的第二組導電線路229A以及資料匯流排的第四組導電線路229B係形成於陶瓷層205的積體電路晶片介面層級。
圖3B亦顯示，功率匯流排的第一組導電線路231A以及時脈匯流排的第三組導電線路231B係形成於相對於陶瓷層205之較低的積體電路晶片介面層級的陶瓷層205之較高層級。時脈匯流排的第三組導電線路231B係藉由標記1-6的穿孔連接件，而電連接至位於陶瓷層205之較低的積體電路晶片介面層級的對應傳導線路。而功率匯流排的第一組導電線路231A藉由標記7-12的穿孔連接件而電連接至位於陶瓷層205之較低的積體電路晶片介面層級的對應傳導線路。
此外，在若干實施例中，為了減少信號雜訊，資料匯流排的第四組導電線路229B係由第一電阻器R1所結尾，該第一電阻器R1係設置於該資料匯流排的末端與由所第一組導電線路231A形成的功率匯流排之間。相似地，為了減少信號雜訊，時脈匯流排的第三組導電線路231B係由第二電阻器R2所結尾，該第二電阻器R2係設置於該時脈匯流排的末端與由所第一組導電線路231A形成的功率匯流排之間。並且，為了減少信號雜訊，溫度量測電子元件227之各者具有對應的電容器C1、C2、C3、C4，其電連接於其功率輸入端子與參考接地電位之間。應察知，第一電阻器R1、第二電阻器R2、及電容器C1、C2、C3、C4其中各者係內嵌於陶瓷層205。因此，可不必為了控制沿不同的導電線路229A、229B、231A、231B等的信號雜訊，而具有設置於陶瓷層205外部的信號雜訊控制電路。
圖3C依據本發明之各種實施例，顯示如圖3B中所描繪的複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D之給定者的電路簡圖。在此範例中，將溫度量測電子元件227之各者定義為積體電路晶片，其具有資料埠SDA、時脈埠SCL、重設埠OS、接地埠GND、外露墊連接件EPAD、功率埠VDD、及三個位址埠A0、A1、A2。可將各積體電路晶片(227)的三個位址埠A0、A1、A2以不同的組合方式連接至電力及接地，以設立不同的積體電路晶片(227)之專有定址。並且，在若干實施例中，可將各積體電路晶片(227)的三個位址埠A0、A1、A2其中各者連接至電力、接地、時脈埠SCL、或資料埠SDA，以便增加專有位址結合的數量，且藉此實施給定之複數溫度量測陣列內之增加數量的可專有定址之積體電路晶片(227)。以此方式，各積體電路晶片(227)可具有針對積體電路晶片(227)之專有定址的專有線路設計。例如，使用標準內部整合電路（I2C, Inter-Integrated Circuit）串列介面協定，可將各溫度量測電子元件個別地且專有地定址（基於其位址埠的專有連接）。然後，可基於各種溫度量測電子元件之專有定址而識別自溫度量測電子元件所接收的資料封包。在各種實施例中，積體電路晶片(227)可使用數位信號、類比信號、或其組合。在一例示性實施例中，積體電路晶片(227)係以由加州聖荷西（San Jose, California）的美信積體產品公司（Maxim Integrated Products, Inc.）所提供的MAX31725積體電路晶片來實施，其利用I2C串列介面。然而，應瞭解，MAX31725積體電路晶片係為可用於溫度量測電子元件227的許多不同裝置其中一者。例如，在若干實施例中，積體電路晶片(227)可配置以利用串列週邊介面（SPI, Serial Peripheral Interface）協定，或其他以匯流排為基礎的通訊協定。因此，應瞭解，本發明並不限於在所有實施例中針對溫度量測電子元件227使用MAX31725積體電路晶片。應瞭解，圖3C之複數溫度量測陣列內的四個溫度量測電子元件227係提供作為範例。在若干實施例中，給定之複數溫度量測陣列內的複數溫度量測電子元件227可多於4個。此外，在若干實施例中，溫度量測電子元件227之各者可包含複數位址埠，其係多於或少於如圖3C之範例中所示的三個位址埠A0、A1、A2。
在基板夾持具102之各種實施例中，每個溫度量測陣列之溫度量測電子元件227的數量，以及溫度量測陣列的數量與位置兩者皆可改變。例如，在各種實施例中，基板夾持具102可包含一個、兩個、三個、四個、五個、六個、七個、八個等的溫度量測陣列。且在若干實施例中，相同基板夾持具102內的不同溫度量測陣列可包含不同數量的溫度量測電子元件227。
圖4依據本發明之各種實施例，顯示複數溫度量測陣列301A、301B、301C、301D的替代配置。圖4之替代視圖A-A係參照於圖2A中。在圖4之範例中，基板夾持具102包含三個溫度量測陣列401A、401B、401C。各溫度量測陣列401A、401B、401C包含四個溫度量測電子元件227，其分布於四個溫度量測區之中。在若干實施例中，溫度量測電子元件227之各者係設置於陶瓷層205內所形成之個別的凹陷區域233內。在若干實施例中，可將溫度量測電子元件227之各者附接至陶瓷層205之底表面。溫度量測陣列401A、401B、401C之各者包含個別組的外露電接點239以及個別組的複數電線237。
圖5依據本發明之各種實施例，顯示另一配置的複數溫度量測陣列501A、501B、501C、501D、503A、503B、503C、503D。圖5之替代視圖A-A係參照於圖2A中。在圖5之範例中，基板夾持具102包含八個溫度量測陣列501A、501B、501C、501D、503A、503B、503C、503D。各溫度量測陣列501A、501B、501C、501D包含四個溫度量測電子元件227，其分布於四個溫度量測區之中。而各溫度量測陣列503A、503B、503C、503D包含三個溫度量測電子元件227，其分布於四個溫度量測區中的三個之中。在若干實施例中，溫度量測電子元件227之各者係設置於陶瓷層205內所形成之個別的凹陷區域233內。在若干實施例中，可將溫度量測電子元件227之各者附接至陶瓷層205之底表面。溫度量測陣列501A、501B、501C、501D、503A、503B、503C、503D之各者包含個別組的外露電接點239以及個別組的複數電線237。應察知，在溫度量測陣列其中一或多者變得無法操作的情況下，複數可獨立操作的溫度量測陣列之使用提供了備用功能。
圖6依據本發明之各種實施例，顯示另一配置的複數溫度量測陣列601A、601B、601C、601D、601E、601F、601G、601H、601I、601J。圖6之替代視圖A-A係參照於圖2A中。在圖6之範例中，基板夾持具102包含矩形陣列的溫度量測電子元件227。該矩形陣列的溫度量測電子元件227係描繪成複數溫度量測陣列601A、601B、601C、601D、601E、601F、601G、601H、601I、601J，以使複數溫度量測陣列之給定者的溫度量測電子元件227係互連以共用單一組的外露電接點239以及一對應組的複數電線237。在若干實施例中，溫度量測電子元件227之各者係設置於陶瓷層205內所形成之個別的凹陷區域233內。在若干實施例中，可將溫度量測電子元件227之各者附接至陶瓷層205之底表面。應察知，複數溫度量測陣列601A、601B、601C、601D、601E、601F、601G、601H、601I、601J其中不同者包含不同數量的溫度量測電子元件227。並且，應瞭解，所描繪之該等組的外露電接點239之位置係提供作為範例，且在各種實施例中，可將其定位於不同位置中。
圖7依據本發明之各種實施例，顯示象限配置的複數溫度量測陣列701A、701B、701C、701D。圖7之替代視圖A-A係參照於圖2A中。在圖7之範例中，基板夾持具102包含矩形陣列的溫度量測電子元件227。該矩形陣列的溫度量測電子元件227係描繪成象限配置的複數溫度量測陣列701A、701B、701C、701D，以使給定象限（亦即：複數溫度量測陣列之給定者） 之溫度量測電子元件227係互連以共用單一組的外露電接點239以及一對應組的複數電線237。在若干實施例中，溫度量測電子元件227之各者係設置於陶瓷層205內所形成之個別的凹陷區域233內。在若干實施例中，可將溫度量測電子元件227之各者附接至陶瓷層205之底表面。應瞭解，在不同的實施例中，複數溫度量測陣列701A、701B、701C、701D其中不同者可包含不同數量的溫度量測電子元件227。並且，應瞭解，所描繪之該等組的外露電接點239之位置係提供作為範例，且在各種實施例中，可將其定位於不同位置中。
如圖3A、4、及5中所說明，小尺寸的溫度量測電子元件227以及在陶瓷層205內視需求而添加導電線路的能力，容許備用的溫度量測電子元件227可分布於給定的溫度量測區內，以容許給定的溫度量測區內之溫度量測電子元件227其中一或多者的故障。並且，溫度量測電子元件227在空間上可分布於陶瓷層205之方式的彈性，會在相對於陶瓷層205之中心線247的陶瓷層205溫度之方位角量測方面提供改善的準確性。並且，在若干實施例中，溫度量測電子元件227的數量可較溫度量測區的指定數量更大，藉此提供較高密度的溫度量測系統。
基於上述內容，在例示性實施例中，揭露系統包含基板夾持具102、複數溫度量測電子元件227、複數電線237、及在電路板241上所實施的控制電路。基板夾持具102包含底板201、以及使用設置於底板201與陶瓷層205間之接合層203而附接至底板201之頂表面的陶瓷層205。陶瓷層之頂表面包含配置以支撐基板101的區域。複數溫度量測電子元件227係附接至陶瓷層205。複數溫度量測電子元件227之各者係配置以量測陶瓷層205之對應的局部溫度。複數溫度量測電子元件227之各者具有對應的複數電接點。
陶瓷層205包含複數導電線路229A、229B、231A、231B等，其內嵌於陶瓷層205。將複數導電線路229A、229B、231A、231B等其中若干者，在複數溫度量測電子元件227的電接點之間設定路線。將複數導電線路229A、229B、231A、231B等其中若干者自複數溫度量測電子元件227的複數電接點之其中一或多者，設定路線至複數外露電接點239之對應者。複數電線237係連接至複數外露電接點239之對應者。控制電路包含各自與複數電線237電接觸的複數電節點。控制電路係配置以控制複數溫度量測電子元件227之操作，及自複數溫度量測電子元件227接收溫度量測資料。
藉由具有溫度量測電子元件227及內嵌於陶瓷層205之其對應的導電線路，可允許在基板夾持具102安裝於製程模組100內之前，以及甚至是基板夾持具102被運送至半導體製造設施之前，預先校正基板夾持具102之溫度量測效能。基板夾持具102之溫度量測效能的預先校正提供了顯著的成本節約，且在不同的基板夾持具102間提供了更一致的校正。
圖8依據本發明之各種實施例，顯示基板夾持具之製造方法的流程圖。該方法包含用於形成陶瓷層205的操作801。陶瓷層205係形成而具有包含配置以支撐基板101之區域的頂表面。陶瓷層205亦形成而包含複數溫度量測電子元件227。在若干實施例中，複數溫度量測電子元件的各者係為對應的積體電路晶片。在若干實施例中，在操作801中形成陶瓷層205包含形成複數凹陷區域233，其分布於陶瓷層205的整個底表面。複數凹陷區域233的各者係配置以接收複數溫度量測電子元件227之對應者，以使複數溫度量測電子元件227的各者在配置於其凹陷區域233內時，係位於陶瓷層205的頂表面與陶瓷層205的底表面之間。
陶瓷層205亦形成而包含嵌入的導電線路229A、229B、231A、231B等，其係設定路線以將複數溫度量測電子元件227電連接至在陶瓷層205之底表面的複數外露電接點239。在若干實施例中，使用在陶瓷層205內垂直延伸而形成的導電穿孔結構235，將嵌入的導電線路229A、229B、231A、231B等設定路線通過陶瓷層205之複數層級。在若干實施例中，在操作801中形成陶瓷層205包含將嵌入的導電線路229A、229B、231A、231B等與陶瓷層205共燒，以使嵌入的導電線路229A、229B、231A、231B等具有與陶瓷層205之溫度反應實質上相等的溫度反應。
該方法亦包含用於將複數電線237各自連接至複數外露電接點239的操作803。該方法亦包含使用接合層203將陶瓷層205固緊至底板201的操作805，俾將複數電線237設定路線通過接合層203，且通過底板201。該方法亦包含用於將複數電線237連接至控制電路的操作807。在若干實施例中，該方法包含在電路板241上實施控制電路，並將電路板241設置於設備模組206內的底板201之下。
圖9依據本發明之各種實施例，顯示基板夾持具之溫度量測方法的流程圖。該方法包含操作901，其用於藉由內嵌於基板夾持具102之陶瓷層205的第一複數導電線路231A而將電力供至陶瓷層205內的複數溫度量測電子元件227。該方法亦包含操作903，其用於藉由內嵌於陶瓷層205之第二複數導電線路229A而將陶瓷層205內之複數溫度量測電子元件227連接至參考接地電位。該方法亦包含操作905，其用於藉由內嵌於基板夾持具102之陶瓷層205的第三複數導電線路231B而將控制信號供至陶瓷層205內的複數溫度量測電子元件227，以指示複數溫度量測電子元件227量測陶瓷層205之對應的局部溫度。該方法亦包含操作907，其用於藉由內嵌於基板夾持具102之陶瓷層205的第四複數導電線路229B而自陶瓷層205內之複數溫度量測電子元件227接收溫度量測資料信號。在若干實施例中，複數溫度量測電子元件227之各者係為對應的積體電路晶片。
基於上述內容，應察知，複數溫度量測電子元件227係固定性地安裝於基板夾持具102之陶瓷層205內，以使溫度量測電子元件227在搬運時不會受到損害。並且，由於複數溫度量測電子元件227係安裝成與陶瓷層205有極佳的熱接觸（例如：藉由焊接），因此溫度量測電子元件227會提供準確的溫度量測，其不受較冷的底板201溫度所影響。再者，溫度量測電子元件227以及陶瓷層205內之其對應導電線路的形成應會提供低成本的方式來改善陶瓷層205之溫度量測的可靠性及準確性。並且，由於溫度量測電子元件227可與陶瓷層在製程模組100外部進行校正，因此基板101之溫度量測方面的準確性以及基板與基板間之溫度量測的再現性應會改善。
雖然已為了清楚理解之目的而詳細描述前述發明，但顯而易見地，仍可在隨附申請專利範圍的範圍內實施某些變化及修改。因此，本實施例應被認為是說明性的而非限制性的，且本發明不受限於本說明書中所提供的細節，而係可在隨附申請專利範圍的範疇及均等物內修改。
100‧‧‧電漿處理腔室/腔室
101‧‧‧基板
102‧‧‧基板夾持具
103‧‧‧腔室
103A‧‧‧壁部結構
103B‧‧‧底部結構
103C‧‧‧頂部結構
104‧‧‧電漿
105‧‧‧線圈組件
106‧‧‧參考接地電位
107‧‧‧射頻電源
109‧‧‧連接件
111‧‧‧可閉出入埠口
113A‧‧‧製程氣體供應埠口
113B‧‧‧製程氣體供應埠口
113C‧‧‧製程氣體供應埠口
115‧‧‧製程氣體供應源
117A‧‧‧連接管道
117B‧‧‧連接管道
117C‧‧‧連接管道
119‧‧‧側通氣結構
121‧‧‧排放埠口
123‧‧‧排放模組
125‧‧‧射頻電源
127‧‧‧連接件
201‧‧‧底板
203‧‧‧接合層
205‧‧‧陶瓷層
206‧‧‧設備模組
207‧‧‧夾持電極
209‧‧‧夾持電壓供應源
211‧‧‧電連接件
213‧‧‧電阻加熱器
215‧‧‧加熱器電源
217‧‧‧電連接件
219‧‧‧射頻功率傳輸電極
221‧‧‧射頻功率傳輸連接模組
223‧‧‧周緣密封件
225‧‧‧冷卻管道
227‧‧‧溫度量測電子元件/積體電路晶片
228‧‧‧導熱固緊材料
229A‧‧‧導電線路
229B‧‧‧導電線路
231A‧‧‧導電線路
231B‧‧‧導電線路
233‧‧‧凹陷區域
235‧‧‧穿孔結構
237‧‧‧電線
237A‧‧‧第一電線
237B‧‧‧第二電線
237C‧‧‧第三電線
237D‧‧‧第四電線
239‧‧‧外露電接點
241‧‧‧電路板
243‧‧‧電腦
245‧‧‧連接件
247‧‧‧中心線
301A、301B、301C、301D‧‧‧溫度量測陣列
401A、401B、401C‧‧‧溫度量測陣列
501A、501B、501C、501D‧‧‧溫度量測陣列
503A、503B、503C、503D‧‧‧溫度量測陣列
601A、601B、601C、601D‧‧‧溫度量測陣列
601E、601F、601G、601H、601I、601J‧‧‧溫度量測陣列
701A、701B、701C、701D‧‧‧溫度量測陣列
801‧‧‧操作
803‧‧‧操作
805‧‧‧操作
807‧‧‧操作
901‧‧‧操作
903‧‧‧操作
905‧‧‧操作
907‧‧‧操作
圖1依據本發明之各種實施例，顯示範例基板製程模組。
圖2A依據本發明之各種實施例，顯示配置為靜電夾頭的基板夾持具之範例的垂直橫剖面圖。
圖2B依據本發明之各種實施例，顯示如圖2A中所示之基板夾持具的垂直橫剖面圖之1/2的放大圖。
圖3A依據本發明之各種實施例，顯示複數溫度量測陣列的例示性配置。
圖3B依據本發明之各種實施例，顯示圖3A中所描繪的複數溫度量測陣列其中之給定者的複數導電線路之例示性布局。
圖3C依據本發明之各種實施例，顯示如圖3B中所描繪的複數溫度量測陣列之給定者的電路簡圖。
圖4依據本發明之各種實施例，顯示複數溫度量測陣列的替代配置。
圖5依據本發明之各種實施例，顯示另一配置的複數溫度量測陣列。
圖6依據本發明之各種實施例，顯示另一配置的複數溫度量測陣列。
圖7依據本發明之各種實施例，顯示象限配置的複數溫度量測陣列。
圖8依據本發明之各種實施例，顯示基板夾持具之製造方法的流程圖。
圖9依據本發明之各種實施例，顯示基板夾持具之溫度量測方法的流程圖。
101‧‧‧基板
102‧‧‧基板夾持具
125‧‧‧射頻電源
127‧‧‧連接件
201‧‧‧底板
203‧‧‧接合層
205‧‧‧陶瓷層
206‧‧‧設備模組
207‧‧‧夾持電極
209‧‧‧夾持電壓供應源
211‧‧‧電連接件
213‧‧‧電阻加熱器
215‧‧‧加熱器電源
217‧‧‧電連接件
219‧‧‧射頻功率傳輸電極
221‧‧‧射頻功率傳輸連接模組
223‧‧‧周緣密封件
225‧‧‧冷卻管道
227‧‧‧溫度量測電子元件/積體電路晶片
229A‧‧‧導電線路
229B‧‧‧導電線路
231A‧‧‧導電線路
231B‧‧‧導電線路
237‧‧‧電線
241‧‧‧電路板
243‧‧‧電腦
245‧‧‧連接件

Claims (25)

  1. 一種基板夾持具，其包含： 底板； 接合層，其設置於該底板之上； 陶瓷層，其設置於該接合層之上，該陶瓷層具有頂表面，該頂表面包含配置以支撐基板的區域； 複數溫度量測電子元件，其附接至該陶瓷層，該複數溫度量測電子元件之各者係配置以量測該陶瓷層之對應的局部溫度，該複數溫度量測電子元件之各者具有複數電接點； 複數導電線路，其內嵌於該陶瓷層，該複數導電線路之若干者係定位而與該複數溫度量測電子元件的該複數電接點其中一或多者電接觸；及 複數電線，其與該複數導電線路其中一或多者電接觸，該複數電線係自該陶瓷層，通過該接合層，且通過該底板，而延伸至控制電路。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板夾持具，其中該陶瓷層包含複數凹陷區域，其分布於該陶瓷層的整個底表面，該複數凹陷區域之各者係配置以接收該複數溫度量測電子元件之對應者，以使該複數溫度量測電子元件之各者在配置於其凹陷區域內時，係位於該陶瓷層之該頂表面與該底表面之間。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板夾持具，更包含： 複數安裝墊，其各自固緊於該複數凹陷區域內，該複數溫度量測電子元件之各者實體性地連接至該複數安裝墊其中個別者，該複數安裝墊在該複數溫度量測電子元件與該陶瓷層之間提供熱接觸。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板夾持具，更包含： 回填材料，其設置於該複數凹陷區域之各者內，以覆蓋對應的該複數溫度量測電子元件，並填充該複數凹陷區域之各者至實質上與該陶瓷層之該底表面齊平的水平。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板夾持具，其中該複數溫度量測電子元件之各者係為分離的積體電路晶片。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板夾持具，其中該複數導電線路係與該陶瓷層共燒，以使該複數導電線路具有與該陶瓷層之溫度反應實質上相等的溫度反應。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板夾持具，其中該複數導電線路包含作為電導體的鎢、鉑、及鉬其中一或多者。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板夾持具，其中使用在該陶瓷層內垂直延伸而形成的導電穿孔結構，將該複數導電線路設定路線通過該陶瓷層之複數層級。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板夾持具，其中該複數溫度量測電子元件係分布於複數溫度量測區內，該複數溫度量測區係以相對於該陶瓷層之中心線的同心方式來界定，該中心線係垂直地延伸通過該陶瓷層之該頂表面的中央。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板夾持具，其中該複數溫度量測電子元件係以矩形陣列配置分布於整個該陶瓷層。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板夾持具，其中該複數溫度量測電子元件、及內嵌於該陶瓷層的該複數導電線路、及該複數電線係分成複數溫度量測陣列，其中該複數溫度量測陣列之各者包含分別定位於該複數溫度量測區其中不同者內之分離的溫度量測電子元件，以及內嵌於該陶瓷層之專用組的該複數導電線路，以及專用組的該複數電線。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板夾持具，其中該複數溫度量測陣列之數量係於一至八的範圍內。
  13. 一種系統，包含： 基板夾持具，其包含底板、以及陶瓷層，該陶瓷層使用設置於該底板與該陶瓷層間之接合層而附接至該底板之頂表面，該陶瓷層具有頂表面，該頂表面包含配置以支撐基板的區域； 複數溫度量測電子元件，其附接至該陶瓷層，該複數溫度量測電子元件之各者係配置以量測該陶瓷層之對應的局部溫度，該複數溫度量測電子元件之各者具有複數電接點，該陶瓷層包含內嵌於該陶瓷層的複數導電線路，該複數導電線路之若干者在該複數溫度量測電子元件之電接點之間設定路線，該複數導電線路之若干者自該複數溫度量測電子元件的該複數電接點其中一或多者，設定路線至複數外露電接點之對應者； 複數電線，其連接至該複數外露電接點之對應者；及 監測及控制電路，其包含各自與該複數電線電接觸的複數電節點，該監測及控制電路係配置以控制該複數溫度量測電子元件之操作。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板夾持具，其中該複數溫度量測電子元件、及內嵌於該陶瓷層的該複數導電線路、及該複數電線係分成複數溫度量測陣列，其中該複數溫度量測陣列之各者包含至少兩個溫度量測電子元件、及內嵌於該陶瓷層之專用組的該複數導電線路、及專用組的該複數電線。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板夾持具，其中該複數溫度量測陣列之給定者的該複數溫度量測電子元件之各者係為對應的積體電路晶片。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板夾持具，其中該複數溫度量測陣列之給定者的該複數導電線路包含第一組導電線路，其用於將電力供至該複數溫度量測陣列之該給定者內的該等積體電路晶片之各者；以及第二組導電線路，其用以對該複數溫度量測陣列之該給定者內的該等積體電路晶片之各者提供參考接地電位；以及第三組導電線路，其用於將時脈信號供至該複數溫度量測陣列之該給定者內的該等積體電路晶片之各者；以及第四組導電線路，其用於傳遞資料往來該複數溫度量測陣列之該給定者內的該等積體電路晶片之各者。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板夾持具，其中該複數溫度量測陣列之該給定者的該複數電線包含第一電線，其用於供給該第一組導電線路之電力；以及第二電線，其用於將該第二組導電線路連接至該參考接地電位；以及第三電線，其用於將該時脈信號供至該第三組導電線路；以及第四電線，其用於傳遞資料往來該第四組導電線路。
  18. 如申請專利範圍第13項之基板夾持具，其中該監測及控制電路係在電路板內實施，該電路板單獨地與該基板夾持具相關聯，且其中該電路板係設置於該底板之下，且其中該電路板包含資料插孔，其用於傳遞資料往來該基板夾持具外部的電腦。
  19. 一種基板夾持具的製造方法，其包含下列步驟： 形成陶瓷層，其具有包含配置以支撐基板之區域的頂表面，該陶瓷層係形成而包含複數溫度量測電子元件，該陶瓷層係形成而包含嵌入的導電線路，其係設定路線以將該複數溫度量測電子元件電連接至該陶瓷層之底表面的複數外露電接點； 將複數電線各自連接至該複數外露電接點； 使用接合層將該陶瓷層固緊至底板，俾將該複數電線設定路線通過該接合層，且通過該底板；及 將該複數電線連接至控制電路。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板夾持具的製造方法，其中形成該陶瓷層的該步驟包含形成複數凹陷區域，其分布於該陶瓷層的整個底表面，該複數凹陷區域之各者係配置以接收該複數溫度量測電子元件之對應者，以使該複數溫度量測電子元件之各者在配置於其凹陷區域內時，係位於該陶瓷層之該頂表面與該陶瓷層之該底表面之間。
  21. 如申請專利範圍第19項之基板夾持具的製造方法，其中形成該陶瓷層的該步驟包含將該嵌入的導電線路與該陶瓷層共燒，以使該嵌入的導電線路具有與該陶瓷層之溫度反應實質上相等的溫度反應。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板夾持具的製造方法，其中使用在該陶瓷層內垂直延伸而形成的導電穿孔結構，將該嵌入的導電線路設定路線通過該陶瓷層之複數層級。
  23. 如申請專利範圍第19項之基板夾持具的製造方法，其中該複數溫度量測電子元件之各者係為對應的積體電路晶片。
  24. 一種基板夾持具的溫度量測方法，其包含下列步驟： 藉由內嵌於該基板夾持具之陶瓷層的第一複數導電線路，而將電力供至該陶瓷層內的複數溫度量測電子元件； 藉由內嵌於該陶瓷層之第二複數導電線路，而將該陶瓷層內之該複數溫度量測電子元件連接至參考接地電位； 藉由內嵌於該基板夾持具之該陶瓷層的第三複數導電線路，而將控制信號供至該陶瓷層內的該複數溫度量測電子元件，以指示該複數溫度量測電子元件量測該陶瓷層之對應的局部溫度；及 藉由內嵌於該基板夾持具之該陶瓷層的第四複數導電線路，而自該陶瓷層內之該複數溫度量測電子元件接收溫度量測資料信號。
  25. 如申請專利範圍第24項之基板夾持具的溫度量測方法，其中該複數溫度量測電子元件之各者係為對應的積體電路晶片。
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