JP2003140703A - 電磁弁制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】安全装置あるいは安全対策等を備えた電磁弁制
御装置を提供する。 【解決手段】電磁弁制御装置３０は、入力ユニット３２
と、電磁弁駆動部５８、６２、６４、６６および６８と
所望の回路パターンが形成された回路部６０とをそれぞ
れ含む電磁弁ユニット３４、３６、３８、４０および４
２とから構成される。そして、入力ユニット３２と電磁
弁ユニット３４との間および（または）任意の電磁弁ユ
ニットと該電磁弁ユニットに隣り合う電磁弁ユニットと
の間に選択的、且つ着脱自在にインタロックユニット４
４、４６および４８を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、安全装置あるいは
安全対策等を備えた電磁弁制御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、マニホールド化された電磁弁
制御装置では、入出力端子とともに回路パターンが形成
された回路部を含む電磁弁ユニットが複数連接される構
造が知られている。

【０００３】この種の従来技術として、実用新案登録第
２５１１４０２号公報を挙げることができる。

【０００４】図１２に示されるように、この従来技術に
係る電磁弁制御装置１では、例えば、電磁弁ユニット
２、３および４が連接され、入力ユニット５とともにマ
ニホールド化される。

【０００５】この場合、入力ユニット５から入力された
制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮ（ここで、Ｎは任
意の自然数を表し、Ｎ番目という意味である。）は、入
力端子群６を介して電磁弁ユニット２に導入される。そ
して、電磁弁ユニット２では、電磁弁駆動部７に備えら
れた２つの電磁弁ソレノイド８に対応する制御信号ｉｎ
ｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２のみが取り込まれ、前記電
磁弁ソレノイド８のそれぞれに関連する図示しない電磁
弁が駆動される。なお、入力ユニット５中に示された符
号ｃｏｍはコモン信号を表す。

【０００６】次いで、制御信号ｉｎｐｕｔ３〜ｉｎｐｕ
ｔＮは、回路部９にあるように、段階的に回路パターン
を配列方向にずらして出力端子群１０に導出される。

【０００７】続いて、電磁弁ユニット３および電磁弁ユ
ニット４では、前述の電磁弁ユニット２の場合と同様
に、電磁弁駆動部１１および電磁弁駆動部１２に備えら
れた電磁弁ソレノイド８のそれぞれに対応する制御信号
ｉｎｐｕｔ３とｉｎｐｕｔ４およびｉｎｐｕｔ５のみが
取り込まれ、前記電磁弁ソレノイド８にそれぞれ関連す
る図示しない電磁弁を駆動するようにしている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ユーザの安
全意識の高揚に伴い、電磁弁およびその関連製品におい
ても安全装置あるいは安全対策等を施した電磁弁制御装
置が望まれている。

【０００９】しかしながら、前記の従来技術に係る電磁
弁制御装置１では、安全装置あるいは安全対策等が備え
られていなかった。

【００１０】本発明は、前記の問題に鑑みなされたもの
であり、安全装置あるいは安全対策等を備えた電磁弁制
御装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、電磁弁ユニッ
トと、該電磁弁ユニットに制御信号を導出する入力ユニ
ットとを有する電磁弁制御装置において、前記入力ユニ
ットと前記電磁弁ユニットとの間に着脱自在なインタロ
ックユニットを備えることを特徴とする。

【００１２】また、本発明は、複数の制御信号を導出す
る入力ユニットと、前記複数の制御信号がそれぞれ導入
される複数の電磁弁ユニットとを備える電磁弁制御装置
において、前記入力ユニットと前記電磁弁ユニットとの
間、または前記電磁弁ユニットと該電磁弁ユニットに隣
り合う電磁弁ユニットとの間のどちらか一方、あるいは
前記入力ユニットと前記電磁弁ユニットとの間、および
前記電磁弁ユニットと該電磁弁ユニットに隣り合う電磁
弁ユニットとの間の両方に、着脱自在なインタロックユ
ニットを備えることを特徴とする。

【００１３】この場合、前記インタロックユニットは、
前記電磁弁ユニットの１つに２つの電磁弁ソレノイドが
設けられているとき、どちらか一方の前記電磁弁ソレノ
イドを動作させるようにしている。また、前記インタロ
ックユニットは、前記電磁弁ユニットの１つに１つの電
磁弁ソレノイドが設けられているとき、隣り合う前記電
磁弁ユニットの中、どちらか一方の電磁弁ユニットに設
けられた前記電磁弁ソレノイドのみを動作させるように
している。

【００１４】本発明によれば、入力ユニットと電磁弁ユ
ニットとの間および（または）電磁弁ユニットと該電磁
弁ユニットに隣り合う電磁弁ユニットとの間にインタロ
ックユニットを着脱自在に備えるようにしているので、
所望の電磁弁およびその関連装置に対して選択的に安全
対策を施すことが可能となる。

【００１５】また、外部に安全対策を施すための装置ま
たは回路等を設ける必要がないので、外部配線を簡素化
することができる。

【００１６】さらに、前記インタロックユニットは、予
め電磁弁の制御ロジックを備え、且つ関連する回路パタ
ーンを組み込むようにしているので、外部制御機器（例
えば、シーケンサ等）でのプログラミング作業を省略す
ることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明に係る電磁弁制御装置につ
いて好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しなが
ら以下詳細に説明する。

【００１８】本発明の実施の形態に係る電磁弁制御装置
３０のシステム構成図を図１に示す。なお、図２〜図４
は図１に示す電磁弁制御装置３０の部分詳細説明図であ
る。

【００１９】この電磁弁制御装置３０は、入力ユニット
３２と、電磁弁ユニット３４、３６、３８、４０および
４２と、インタロックユニット４４、４６および４８と
から構成される。

【００２０】入力ユニット３２は、図２に示されるよう
に、図示しない外部制御機器（例えば、シーケンサ、シ
リアル／パラレル変換ユニット等）からの制御信号ｉｎ
ｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮ（ここで、Ｎは任意の自然数を
表し、Ｎ番目という意味である。）が導入され、出力端
子群５０に接続される任意の電磁弁ユニットまたは任意
のインタロックユニットへ前記制御信号ｉｎｐｕｔ１〜
ｉｎｐｕｔＮを導出する機能を有する。なお、入力ユニ
ット３２内の符号ｃｏｍはコモン信号を示す。

【００２１】電磁弁ユニット３４は、入力端子群５２
と、出力端子群５４と、電磁弁ソレノイド５６が設けら
れた電磁弁駆動部５８と、所望の回路パターンが形成さ
れた回路部６０とから構成される。

【００２２】この電磁弁ユニット３４は、入力端子群５
２を介して入力ユニット３２の出力端子群５０に接続さ
れる。

【００２３】入力端子群５２は、図２に示されるよう
に、端子ａ１〜ａＮおよびコモン信号用の端子ｃｏｍ１
〜ｃｏｍ３を有している。また、出力端子群５４は、端
子ｂ１〜ｂＮおよび入力端子群５２に共通の端子ｃｏｍ
１〜ｃｏｍ３を有している。これらの入力端子群５２と
出力端子群５４は、任意の電磁弁ユニットおよび任意の
インタロックユニットに共通して使用されるものであ
る。なお、図１〜図４では、３つのコモン信号用の端子
ｃｏｍ１〜ｃｏｍ３が示されているが、この端子の数は
任意に設定可能である。

【００２４】電磁弁駆動部５８は、２つの電磁弁ソレノ
イド５６が設けられ１系統のコモン信号が配線される。
そして、制御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２に基
づいて、前記電磁弁ソレノイド５６のそれぞれに関連す
る図示しない電磁弁を駆動する機能を有する。

【００２５】回路部６０は、所望のパターンに形成され
た回路によって、入力端子群５２を介して導入された制
御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮを電磁弁駆動部５８
および出力端子群５４へと導出する機能を有する。な
お、図１〜図４において、端子ｃｏｍ３に対応する回路
パターンは、各電磁弁ユニットに共通して形成される。

【００２６】この際、制御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎ
ｐｕｔ２に対応する回路パターンが電磁弁駆動部５８に
向けて形成される。次いで、その他の制御信号ｉｎｐｕ
ｔ３〜ｉｎｐｕｔＮに対応する回路パターンは、前記制
御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２を除いて、段階
的に配列方向にずらした状態で出力端子群５４の端子ｂ
１〜ｂＮ−２へ向けて形成される。なお、“−２”は、
出力端子群５４において配列方向にずらした端子数を意
味する。

【００２７】このようにすることによって、任意の電磁
弁ユニットに設けられた電磁弁ソレノイド５６のそれぞ
れに対応する任意の制御信号（例えば、ｉｎｐｕｔＮ−
１およびｉｎｐｕｔＮ）が段階的にずらされて導出され
るので、入力端子群５２において端子ａ１およびａ２が
一義的に決定づけされる。

【００２８】なお、電磁弁ユニット３６、３８、４０お
よび４２は、基本的には電磁弁ユニット３４と同様に構
成されるものである。ただし、電磁弁ソレノイド５６の
数とコモン信号の配線経路とに基づいて若干の変更が加
えられるものである。

【００２９】すなわち、電磁弁ユニット３６および４２
では、２つの電磁弁ソレノイド５６が設けられ、２系統
のコモン信号が配線された電磁弁駆動部６２および６８
が設けられる。また、電磁弁ユニット３８および４０で
は、１つの電磁弁ソレノイド５６が設けられ、１系統の
コモン信号が配線された電磁弁駆動部６４および６６が
設けられる。

【００３０】従って、図１に示される電磁弁制御装置３
０の場合、電磁弁ユニット３６と４２、および電磁弁ユ
ニット３８と４０は、実質的に同一の電磁弁ユニットが
使用されている。

【００３１】次に、インタロックユニット４４、４６お
よび４８について説明する。なお、前述の電磁弁ユニッ
ト３４、３６、３８、４０および４２と同一の構成要素
には同一の参照符号を付して、以下詳細な説明は省略す
る。

【００３２】インタロックユニット４４、４６および４
８は、図２〜図４に示されるように、それぞれ入力端子
群５２と出力端子群５４とを含み、それぞれインタロッ
ク制御部７０、７２および７４と所望の回路パターンが
形成された回路部７６、７８および８０とから構成され
る。

【００３３】このインタロックユニット４４、４６およ
び４８は、基本的にはインタロック制御されるべき電磁
弁ユニットの前段側、すなわち、該電磁弁ユニットの入
力端子群５２側に接続される。

【００３４】従って、電磁弁ユニット３６にはインタロ
ックユニット４４が対応し、電磁弁ユニット３８および
４０にはインタロックユニット４６が対応し、次いで、
電磁弁ユニット４２にはインタロックユニット４８が対
応してそれぞれ接続される。

【００３５】インタロック制御部７０、７２および７４
には、少なくとも１つのメカニカルリレーＲａまたはＲ
ｂが設けられる。このメカニカルリレーＲａおよびＲｂ
は、コイルと接点とから構成される。また、必要に応じ
て外部接続端子群８２が設けられる。

【００３６】インタロック制御部７０では、２つのメカ
ニカルリレーＲａおよびＲｂが設けられている。そし
て、入力端子群５２の端子ａ１およびａ２を介して導入
された制御信号ｉｎｐｕｔ３およびｉｎｐｕｔ４に基づ
いてインタロック制御を行い、出力端子群５４の端子ｂ
１およびｂ２へインタロック制御された信号を導出する
機能を有する。

【００３７】回路部７６は、前記インタロック制御部７
０の構成およびインタロック制御されるべき電磁弁ユニ
ット３６の制御ロジックに基づいて、所望の回路パター
ンが形成される。

【００３８】インタロック制御部７２では、２つのメカ
ニカルリレーＲａおよびＲｂと、外部接続端子群８２と
が設けられている。この場合、図示しない外部入力機器
（例えば、エリアセンサ、シリンダあるいはアクチュエ
ータ等の位置を検出するポジションセンサ、電磁弁が制
御する流体の過圧力検出センサ等）から前記外部接続端
子群８２を介して入力信号が導入される。そして、該入
力信号に基づいて入力端子群５２の端子ａ１およびａ２
を介して導入された制御信号ｉｎｐｕｔ５およびｉｎｐ
ｕｔ６のインタロック制御を行い、出力端子群５４の端
子ｂ１およびｂ２へインタロック制御された信号を導出
する機能を有する。

【００３９】回路部７８は、前記インタロック制御部７
２の構成およびインタロック制御されるべき電磁弁ユニ
ット３８および４０の制御ロジックに基づいて、所望の
回路パターンが形成される。

【００４０】インタロック制御部７４は、前述のインタ
ロック制御部７２と同一の構成、同一の機能を有する。

【００４１】ただし、回路部８０では、インタロック制
御されるべき電磁弁ユニット４２の制御ロジックおよび
回路パターンに基づいて、コモン信号側においてインタ
ロック制御を行うように回路パターンが形成される。例
えば、コモン信号が接地されているとき等、より安全に
配慮してインタロック制御を施す場合に適用される。

【００４２】本発明の実施の形態に係る電磁弁制御装置
３０は、基本的には以上のように構成されるものであ
り、次にその動作並びに作用効果について説明する。

【００４３】先ず、図示しない外部制御機器等のプログ
ラムあるいは動作命令に基づき各制御信号ｉｎｐｕｔ１
〜ｉｎｐｕｔＮが入力ユニット３２に導入される。

【００４４】電磁弁ユニット３４では、導入された制御
信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２に基づき、電磁弁
駆動部５８に設けられた２つの電磁弁ソレノイド５６を
それぞれ動作させる。そして、前記電磁弁ソレノイド５
６のそれぞれに関連する図示しない電磁弁が駆動され
る。

【００４５】この場合、インタロック制御は施されず、
前記制御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２に基づい
てのみ関連する図示しない電磁弁が駆動される。

【００４６】電磁弁ユニット３６では、制御信号ｉｎｐ
ｕｔ３およびｉｎｐｕｔ４が、インタロックユニット４
４のインタロック制御部７０によってインタロック制御
が施された後導入される。そして、電磁弁駆動部６２に
設けられた２つの電磁弁ソレノイド５６をそれぞれ動作
させることによって、前記電磁弁ソレノイド５６のそれ
ぞれに関連する図示しない電磁弁が駆動される。

【００４７】この場合、インタロック制御部７０におい
て、メカニカルリレーＲａとＲｂの制御ロジックに基づ
いて、どちらか一方の制御信号ｉｎｐｕｔ３またはｉｎ
ｐｕｔ４のみが導出され、電磁弁駆動部６２に設けられ
たどちらか一方の電磁弁ソレノイド５６を動作させるよ
うにしている。

【００４８】電磁弁ユニット３８および４０では、それ
ぞれ制御信号ｉｎｐｕｔ５とｉｎｐｕｔ６とが、インタ
ロックユニット４６のインタロック制御部７２によって
インタロック制御が施された後導入される。そして、電
磁弁駆動部６４および６６にそれぞれ設けられた電磁弁
ソレノイド５６をそれぞれ動作させることによって、前
記電磁弁ソレノイド５６のそれぞれに関連する図示しな
い電磁弁が駆動される。

【００４９】この場合、インタロック制御部７２におい
て、外部接続端子群８２から導入された入力信号とメカ
ニカルリレーＲａとＲｂの制御ロジックとに基づいて、
どちらか一方の制御信号ｉｎｐｕｔ５またはｉｎｐｕｔ
６のみが導出され、電磁弁駆動部６４または６６のどち
らかに設けられた電磁弁ソレノイド５６を動作させるよ
うにしている。

【００５０】電磁弁ユニット４２では、制御信号ｉｎｐ
ｕｔ７およびｉｎｐｕｔ８が導入され電磁弁駆動部６８
を経た後、端子ｃｏｍ１およびｃｏｍ２を介したコモン
信号側において、インタロックユニット４８のインタロ
ック制御部７４によってインタロック制御が施される。
そして、電磁弁駆動部６８に設けられた２つの電磁弁ソ
レノイド５６をそれぞれ動作させることによって、前記
電磁弁ソレノイド５６のそれぞれに関連する図示しない
電磁弁が駆動される。

【００５１】この場合、インタロック制御部７４におい
て、外部接続端子群８２から導入された入力信号とメカ
ニカルリレーＲａとＲｂの制御ロジックとに基づいて、
端子ｃｏｍ１またはｃｏｍ２のどちらか一方に対応する
コモン信号のみが導通され、電磁弁駆動部６８に設けら
れたどちらか一方の電磁弁ソレノイド５６を動作させる
ようにしている。

【００５２】以上のようにすることによって、任意の１
つの電磁弁ユニットに設けられた２つの電磁弁ソレノイ
ド５６あるいは１つの電磁弁ソレノイド５６が設けられ
た任意の２つの電磁弁ユニットが、同時に動作すること
を回避させることができる。

【００５３】例えば、どちらか一方の電磁弁ソレノイド
５６の動作中（前記電磁弁ユニット３６および４２の場
合）、あるいはどちらか一方の電磁弁ユニットの動作中
（前記電磁弁ユニット３８および４０の場合）に、ノイ
ズ等の外乱によって他方の電磁弁ソレノイド５６、ある
いは他方の電磁弁ユニットに異常信号が導入されたとし
ても、この異常信号による誤動作を回避させることがで
きる。

【００５４】さらに、この場合、前記電磁弁ソレノイド
５６のそれぞれに関連する図示しない電磁弁が制御すべ
きそれぞれの流体において、前記電磁弁が同時に駆動さ
れると前記流体が混入してしまう等の不都合が生じる場
合に適用することができる。

【００５５】なお、本実施の形態では、インタロックユ
ニット４４、４６および４８と、それぞれに対応する電
磁弁ユニット３６、３８と４０、および４２とが連接さ
れた状態の電磁弁制御装置３０を例示している。この電
磁弁制御装置３０は、任意のインタロックユニットが着
脱自在な電磁弁マニホールドとして市場に供される。

【００５６】また、インタロックユニット４４、４６お
よび４８は、それぞれに対応する電磁弁ユニット３６、
３８と４０、および４２とともに、それぞれ単独に使用
されてもよいことは勿論である。

【００５７】従って、出力端子群５０、入力端子群５２
および出力端子群５４の端子数は、連接されるインタロ
ックユニットの数と、インタロック制御されるべき任意
の電磁弁ユニットの数および（または）電磁弁ソレノイ
ドの数とに基づいて任意に設定可能であることは勿論で
ある。

【００５８】また、本実施の形態に係る電磁弁制御装置
３０では、インタロック制御部７０、７２および７４に
おいて、メカニカルリレーＲａおよびＲｂを採用した場
合を例示している。このインタロック制御部７０、７２
および７４には、例えば、半導体スイッチやソリッドス
テートリレーあるいは一般的なロジック回路等を採用し
てもよいことは勿論である。

【００５９】続いて、本実施の形態において用いられる
インタロックユニット４４、４６の第１〜第７の変形例
につき、図５〜図１１を参照しながら説明する。

【００６０】図５に示される第１の変形例に係るインタ
ロックユニット１００は、インタロックユニット４６に
対してメカニカルリレーＲａを１つ設けたものである。
この場合、外部接続端子群８２から導入された１つの入
力信号に基づき、１つの制御信号に対してインタロック
制御を施す場合に適用される。

【００６１】図６に示される第２の変形例に係るインタ
ロックユニット１０２は、インタロックユニット４６に
対してメカニカルリレーＲａとＲｂとをそれぞれ独立的
に動作させるようにしたものである。この場合、外部接
続端子群８２から導入されたそれぞれの入力信号に基づ
き、２つの制御信号のそれぞれに対して独立的にインタ
ロック制御を施す場合に適用される。

【００６２】図７に示される第３の変形例に係るインタ
ロックユニット１０４は、インタロックユニット４６に
対してメカニカルリレーＲａとＲｂとの接点側を直列に
配置させたものである。この場合、外部接続端子群８２
から導入されたそれぞれの入力信号の論理積に基づき、
１つの制御信号に対してインタロック制御を施す場合に
適用される。

【００６３】図８に示される第４の変形例に係るインタ
ロックユニット１０６は、インタロックユニット４４に
対してコモン信号側においてインタロック制御を施すよ
うに回路パターンを形成したものである。この場合、メ
カニカルリレーＲａとＲｂの制御ロジックに基づき、２
つの制御信号のそれぞれに対応するコモン信号側に対し
てインタロック制御を施す場合に適用される。

【００６４】図９に示される第５の変形例に係るインタ
ロックユニット１０６は、インタロックユニット１０４
（図７参照）に対してコモン信号側においてインタロッ
ク制御を施すように回路パターンを形成したものであ
る。この場合、外部接続端子群８２から導入されたそれ
ぞれの入力信号の論理積に基づき、１つの制御信号に対
応するコモン信号側に対してインタロック制御を施す場
合に適用される。

【００６５】図１０に示される第６の変形例に係るイン
タロックユニット１１０は、インタロックユニット１０
０（図５参照）に対してコモン信号側においてもインタ
ロック制御を施すように回路パターンを追加形成したも
のである。この場合、外部接続端子群８２から導入され
た１つの入力信号に基づき、１つの制御信号と該制御信
号に対応するコモン信号側とに対してインタロック制御
を施す場合に適用される。

【００６６】図１１に示される第７の変形例に係るイン
タロックユニット１１２は、インタロックユニット１０
２（図６参照）に対してコモン信号側においてもインタ
ロック制御を施すように回路パターンを追加形成したも
のである。この場合、外部接続端子群８２から導入され
たそれぞれの入力信号に基づき、２つの制御信号のそれ
ぞれと該制御信号に対応するそれぞれのコモン信号側と
に対して独立的にインタロック制御を施す場合に適用さ
れる。

【００６７】なお、前記インタロックユニット１００、
１０２、１０４、１０６、１０８、１１０および１１２
以外にも、インタロック制御すべき電磁弁ユニットの数
および（または）電磁弁ユニットに設けられる電磁弁ソ
レノイドの数に対応させ、且つ外部から導入される入力
信号および（または）制御ロジック等を考慮して種々変
形例が適用できることは勿論である。

【００６８】以上説明したように、本実施の形態に係る
電磁弁制御装置３０によれば、任意の電磁弁ユニットに
対して、インタロック制御すべき電磁弁ユニットの数お
よび（または）電磁弁ユニットに設けられる電磁弁ソレ
ノイドの数に対応させ、且つ外部から導入される入力信
号および（または）制御ロジック等を考慮して、前述の
各インタロックユニットを選択できるとともに着脱自在
に備えることができる。

【００６９】その結果、図示しない任意の電磁弁および
その関連装置に対して選択的に安全対策を施すことが可
能となる。

【００７０】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果が得られ
る。

【００７１】すなわち、入力ユニットと電磁弁ユニット
との間および（または）電磁弁ユニットと該電磁弁ユニ
ットに隣り合う電磁弁ユニットとの間にインタロックユ
ニットを着脱自在に備えるようにしているので、所望の
電磁弁およびその関連装置に対して選択的に安全対策を
施すことが可能となる。

【００７２】また、外部に安全対策を施すための装置ま
たは回路等を設ける必要がないので、外部配線を簡素化
することができる。

【００７３】さらに、前記インタロックユニットは、予
め電磁弁の制御ロジックを備え、且つ関連する回路パタ
ーンを組み込むようにしているので、外部制御機器（例
えば、シーケンサ等）でのプログラミング作業を省略す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る電磁弁制御装置のシ
ステム構成図である。

【図２】図１に示す電磁弁制御装置の電磁弁ユニット
（３６）に至るまでの部分詳細説明図である。

【図３】図１に示す電磁弁制御装置の電磁弁ユニット
（４０）に至るまでの部分詳細説明図である。

【図４】図１に示す電磁弁制御装置の電磁弁ユニット
（４２）に至るまでの部分詳細説明図である。

【図５】第１の変形例に係るインタロックユニットを示
すシステム構成図である。

【図６】第２の変形例に係るインタロックユニットを示
すシステム構成図である。

【図７】第３の変形例に係るインタロックユニットを示
すシステム構成図である。

【図８】第４の変形例に係るインタロックユニットを示
すシステム構成図である。

【図９】第５の変形例に係るインタロックユニットを示
すシステム構成図である。

【図１０】第６の変形例に係るインタロックユニットを
示すシステム構成図である。

【図１１】第７の変形例に係るインタロックユニットを
示すシステム構成図である。

【図１２】従来技術に係る電磁弁制御装置のシステム構
成図である。

【符号の説明】

３０…電磁弁制御装置 ３２…入力ユニット ３４、３６、３８、４０、４２…電磁弁ユニット ４４、４６、４８、１００、１０２、１０４、１０６…
インタロックユニット ５０、５４…出力端子群 ５２…入力端子群 ５８、６２、６４、６６、６８…電磁弁駆動部 ７０、７２、７４…インタロック制御部 ６０、７６、７８、８０…回路部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電磁弁ユニットと、該電磁弁ユニットに制
   御信号を導出する入力ユニットとを有する電磁弁制御装
   置において、 前記入力ユニットと前記電磁弁ユニットとの間に着脱自
   在なインタロックユニットを備えることを特徴とする電
   磁弁制御装置。
2. 【請求項２】複数の制御信号を導出する入力ユニット
   と、 前記複数の制御信号がそれぞれ導入される複数の電磁弁
   ユニットとを有する電磁弁制御装置において、 前記入力ユニットと前記電磁弁ユニットとの間、または
   前記電磁弁ユニットと該電磁弁ユニットに隣り合う電磁
   弁ユニットとの間のどちらか一方、 あるいは前記入力ユニットと前記電磁弁ユニットとの
   間、および前記電磁弁ユニットと該電磁弁ユニットに隣
   り合う電磁弁ユニットとの間の両方に、着脱自在なイン
   タロックユニットを備えることを特徴とする電磁弁制御
   装置。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の電磁弁制御装置に
   おいて、 前記インタロックユニットは、前記電磁弁ユニットの１
   つに２つの電磁弁ソレノイドが設けられているとき、ど
   ちらか一方の前記電磁弁ソレノイドを動作させるように
   することを特徴とする電磁弁制御装置。
4. 【請求項４】請求項２記載の電磁弁制御装置において、 前記インタロックユニットは、前記電磁弁ユニットの１
   つに１つの電磁弁ソレノイドが設けられているとき、隣
   り合う前記電磁弁ユニットの中、どちらか一方の電磁弁
   ユニットに設けられた前記電磁弁ソレノイドのみを動作
   させるようにすることを特徴とする電磁弁制御装置。