JP2003123695A - ショートアーク型超高圧放電ランプ - Google Patents
ショートアーク型超高圧放電ランプInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/84—Lamps with discharge constricted by high pressure
- H01J61/86—Lamps with discharge constricted by high pressure with discharge additionally constricted by close spacing of electrodes, e.g. for optical projection
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/36—Seals between parts of vessels; Seals for leading-in conductors; Leading-in conductors
- H01J61/366—Seals for leading-in conductors
Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光管内の圧力が高くなっても封止部が破損
しないショートアーク型超高圧放電ランプを提供するこ
とにある。 【解決手段】 本発明のショートアーク型超高圧放電ラ
ンプは、石英ガラスからなる発光管１内に一対の電極３
が配置され、発光管１の両側に伸びる石英ガラスからな
る封止部２が形成され、発光管１内に０．１５ｍｇ／ｍ
ｍ３以上の水銀が封入されたショートアーク型超高圧放
電ランプにおいて、封止部２には、金属箔４が埋設され
ており、この金属箔４の表面に金属の粒塊６が凸設され
ていることを特徴とする。
しないショートアーク型超高圧放電ランプを提供するこ
とにある。 【解決手段】 本発明のショートアーク型超高圧放電ラ
ンプは、石英ガラスからなる発光管１内に一対の電極３
が配置され、発光管１の両側に伸びる石英ガラスからな
る封止部２が形成され、発光管１内に０．１５ｍｇ／ｍ
ｍ３以上の水銀が封入されたショートアーク型超高圧放
電ランプにおいて、封止部２には、金属箔４が埋設され
ており、この金属箔４の表面に金属の粒塊６が凸設され
ていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
装置やマイクロディバイスミラーを使用した投影装置の
光源に使用されるショートアーク型超高圧放電ランプに
関する。
装置やマイクロディバイスミラーを使用した投影装置の
光源に使用されるショートアーク型超高圧放電ランプに
関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ装置やマイクロディバ
イスミラーを使用した投影装置の光源には高い演色性と
高輝度が求められている。従来から演色性を高めるため
に種々の発光金属を封入したメタルハライドランプが用
いられていたが、近年更に高演色性と高輝度を併せ持っ
たランプが求められ、水銀の蒸気圧を利用し発光管内部
圧力を非常に高くしたショートアーク型超高圧放電ラン
プが使用されるようになった。
イスミラーを使用した投影装置の光源には高い演色性と
高輝度が求められている。従来から演色性を高めるため
に種々の発光金属を封入したメタルハライドランプが用
いられていたが、近年更に高演色性と高輝度を併せ持っ
たランプが求められ、水銀の蒸気圧を利用し発光管内部
圧力を非常に高くしたショートアーク型超高圧放電ラン
プが使用されるようになった。
【０００３】図６に、このようなショートアーク型超高
圧放電ランプを示す。ショートアーク型超高圧放電ラン
プは、石英ガラス製の発光管１とその両側に形成された
石英ガラス製の封止部２とからなり、該発光管１内には
一対の電極３が対向配置されている。そして、それぞれ
の電極３の一端側が金属箔４に接続されるとともに、金
属箔４と電極３の一部が封止部２に気密に埋設されてい
る。また、金属箔４には外部リード棒５が接続されてお
り、外部リード棒５は封止部２から外部に伸びだしてい
る。
圧放電ランプを示す。ショートアーク型超高圧放電ラン
プは、石英ガラス製の発光管１とその両側に形成された
石英ガラス製の封止部２とからなり、該発光管１内には
一対の電極３が対向配置されている。そして、それぞれ
の電極３の一端側が金属箔４に接続されるとともに、金
属箔４と電極３の一部が封止部２に気密に埋設されてい
る。また、金属箔４には外部リード棒５が接続されてお
り、外部リード棒５は封止部２から外部に伸びだしてい
る。
【０００４】そして、発光管１内には、水銀が０．１５
ｍｇ／ｍｍ３以上封入されている。このように水銀を
０．１５ｍｇ／ｍｍ３以上封入することにより、点灯時
に発光管内の水銀蒸発が１．５×１０７Ｐa以上といっ
た非常に高い圧力になり、アークの広がりを抑え、良好
な演色性と高輝度を実現するものである。
ｍｇ／ｍｍ３以上封入されている。このように水銀を
０．１５ｍｇ／ｍｍ３以上封入することにより、点灯時
に発光管内の水銀蒸発が１．５×１０７Ｐa以上といっ
た非常に高い圧力になり、アークの広がりを抑え、良好
な演色性と高輝度を実現するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなショートアーク型超高圧放電ランプでは、点灯時発
光管１内の圧力が非常に高くなり、封止部２に埋設され
た金属箔４が封止部２を構成している石英ガラスより剥
離する「箔浮き現象」が発生し、封止部２が破損すると
いう問題があった。
うなショートアーク型超高圧放電ランプでは、点灯時発
光管１内の圧力が非常に高くなり、封止部２に埋設され
た金属箔４が封止部２を構成している石英ガラスより剥
離する「箔浮き現象」が発生し、封止部２が破損すると
いう問題があった。
【０００６】これは、金属箔４を構成しているモリブデ
ン箔と石英ガラスは、膨張係数が異なり、製造上金属箔
４と封止部２を構成する石英ガラスとの間に微小な間隙
が形成され、この間隙に発光管１内の極めて高い圧力の
ガスが流れ込むことにより、金属箔４と石英ガラスを引
き離す応力が発生するからである。
ン箔と石英ガラスは、膨張係数が異なり、製造上金属箔
４と封止部２を構成する石英ガラスとの間に微小な間隙
が形成され、この間隙に発光管１内の極めて高い圧力の
ガスが流れ込むことにより、金属箔４と石英ガラスを引
き離す応力が発生するからである。
【０００７】さらには、金属箔４を構成しているモリブ
デン箔と石英ガラスは、膨張係数が異なり、点灯中、金
属箔は高温になり伸びようとするが、石英ガラスはそれ
ほど伸びず、この力の差が熱応力となってクラックを発
生させたり、製造工程中に発生する封止部２のマイクロ
クラックを成長させ、封止部２を破損させることがあっ
た。
デン箔と石英ガラスは、膨張係数が異なり、点灯中、金
属箔は高温になり伸びようとするが、石英ガラスはそれ
ほど伸びず、この力の差が熱応力となってクラックを発
生させたり、製造工程中に発生する封止部２のマイクロ
クラックを成長させ、封止部２を破損させることがあっ
た。
【０００８】本発明は、以上のような問題を解決するた
めに成されたものであって、発光管内の圧力が高くなっ
ても封止部が破損しないショートアーク型超高圧放電ラ
ンプを提供することにある。
めに成されたものであって、発光管内の圧力が高くなっ
ても封止部が破損しないショートアーク型超高圧放電ラ
ンプを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のショー
トアーク型超高圧放電ランプは、石英ガラスからなる発
光管内に一対の電極が配置され、当該発光管の両側に伸
びる石英ガラスからなる封止部が形成され、発光管内に
０．１５ｍｇ／ｍｍ３以上の水銀が封入されたショート
アーク型超高圧放電ランプにおいて、前記封止部には、
金属箔と当該金属箔に接続された前記電極の一部が埋設
されており、前記封止部に埋設された金属箔の表面に金
属の粒塊が凸設されていることを特徴とする。
トアーク型超高圧放電ランプは、石英ガラスからなる発
光管内に一対の電極が配置され、当該発光管の両側に伸
びる石英ガラスからなる封止部が形成され、発光管内に
０．１５ｍｇ／ｍｍ３以上の水銀が封入されたショート
アーク型超高圧放電ランプにおいて、前記封止部には、
金属箔と当該金属箔に接続された前記電極の一部が埋設
されており、前記封止部に埋設された金属箔の表面に金
属の粒塊が凸設されていることを特徴とする。
【００１０】請求項２に記載のショートアーク型超高圧
放電ランプは、請求項１に記載のショートアーク型超高
圧放電ランプであって、特に、前記金属の粒塊は、タン
グステン、タングステン化合物、モリブデン、モリブデ
ン化合物、タングステンとモリブデンの化合物の何れか
よりなることを特徴とする。
放電ランプは、請求項１に記載のショートアーク型超高
圧放電ランプであって、特に、前記金属の粒塊は、タン
グステン、タングステン化合物、モリブデン、モリブデ
ン化合物、タングステンとモリブデンの化合物の何れか
よりなることを特徴とする。
【００１１】請求項３に記載のショートアーク型超高圧
放電ランプは、請求項２に記載のショートアーク型超高
圧放電ランプであって、特に、前記粒塊の厚みが０．０
０１〜１μｍであり、前記粒塊の金属箔を被覆する被覆
率が８０％以下であることを特徴とする。
放電ランプは、請求項２に記載のショートアーク型超高
圧放電ランプであって、特に、前記粒塊の厚みが０．０
０１〜１μｍであり、前記粒塊の金属箔を被覆する被覆
率が８０％以下であることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１に本発明の放電ランプ装置を
示す。ショートアーク型超高圧放電ランプは、石英ガラ
ス製の発光管１とその両側に形成された石英ガラス製の
封止部２とからなり、該発光管１内には一対の電極３が
対向配置されている。そして、それぞれの電極３の一端
側が金属箔４に接続されるとともに、金属箔４と電極３
の一部が封止部２に気密に埋設されている。また、金属
箔４には外部リード棒５が接続されており、外部リード
棒５は封止部２から外部に伸びだしている。
示す。ショートアーク型超高圧放電ランプは、石英ガラ
ス製の発光管１とその両側に形成された石英ガラス製の
封止部２とからなり、該発光管１内には一対の電極３が
対向配置されている。そして、それぞれの電極３の一端
側が金属箔４に接続されるとともに、金属箔４と電極３
の一部が封止部２に気密に埋設されている。また、金属
箔４には外部リード棒５が接続されており、外部リード
棒５は封止部２から外部に伸びだしている。
【００１３】金属箔４はモリブデン箔であり、縦１１ｍ
ｍ、横１．５ｍｍ、厚み２０μｍである。そして、発光
管１内には、水銀が０．１５ｍｇ／ｍｍ３以上、本実施
例では、水銀が０．２８ｍｇ／ｍｍ３封入されている。
この結果、点灯時の発光管１内の水銀蒸気圧が１．６×
１０７Ｐaとなり、発光管内圧力が非常に高くなり、ア
ークの広がりを抑え、良好な演色性と高輝度を実現する
ことができる。
ｍ、横１．５ｍｍ、厚み２０μｍである。そして、発光
管１内には、水銀が０．１５ｍｇ／ｍｍ３以上、本実施
例では、水銀が０．２８ｍｇ／ｍｍ３封入されている。
この結果、点灯時の発光管１内の水銀蒸気圧が１．６×
１０７Ｐaとなり、発光管内圧力が非常に高くなり、ア
ークの広がりを抑え、良好な演色性と高輝度を実現する
ことができる。
【００１４】金属箔４は、図２に示すように、その表面
にタングステンの粒塊６が凸設されている。図２（イ）
は金属箔４の表面状態を示し、図２（ロ）は金属箔の裏
面状態を示す。この粒塊６は、例えば、図３に示すよう
に、金属箔４上に粒塊を生成する基本金属物７を接触さ
せた状態で、金属箔４と基本金属７との間に高電圧を印
加することによって、基本金属物７が高温になり、その
一部が飛散し金属箔４状に高温付着することによって製
造することができる。この時、基本金属物７をタングス
テンとすることにより、タングステンに電圧が印加され
た時に、タングステンの一部が飛散し金属箔４に高温付
着することによって形成されるものである。このように
タングステンが高温で金属箔４に付着するとそれぞれの
物質が合金化し金属箔６に強固に粒塊６を凸設すること
ができる。
にタングステンの粒塊６が凸設されている。図２（イ）
は金属箔４の表面状態を示し、図２（ロ）は金属箔の裏
面状態を示す。この粒塊６は、例えば、図３に示すよう
に、金属箔４上に粒塊を生成する基本金属物７を接触さ
せた状態で、金属箔４と基本金属７との間に高電圧を印
加することによって、基本金属物７が高温になり、その
一部が飛散し金属箔４状に高温付着することによって製
造することができる。この時、基本金属物７をタングス
テンとすることにより、タングステンに電圧が印加され
た時に、タングステンの一部が飛散し金属箔４に高温付
着することによって形成されるものである。このように
タングステンが高温で金属箔４に付着するとそれぞれの
物質が合金化し金属箔６に強固に粒塊６を凸設すること
ができる。
【００１５】なお、基体金属物をモリブデンにした場合
には、粒塊はモリブデンになる。また、基体金属物をタ
ングステンとモリブデンの化合物にした場合には、粒塊
はタングステンとモリブデンの化合物になる。このよう
な作業は通常、大気雰囲気中で行われるものであり、粒
塊は、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、タング
ステンとモリブデンの酸化化合物になる。また、このよ
うな作業を窒素雰囲気中で行えば、粒塊は、タングステ
ン窒化物、モリブデン窒化物、タングステンとモリブデ
ンの窒化化合物になる。さらには、このような作業をＡ
ｒ雰囲気で行えば、粒塊は、純タングステン、純モリブ
デン、タングステンとモリブデンの純粋化合物になる。
には、粒塊はモリブデンになる。また、基体金属物をタ
ングステンとモリブデンの化合物にした場合には、粒塊
はタングステンとモリブデンの化合物になる。このよう
な作業は通常、大気雰囲気中で行われるものであり、粒
塊は、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、タング
ステンとモリブデンの酸化化合物になる。また、このよ
うな作業を窒素雰囲気中で行えば、粒塊は、タングステ
ン窒化物、モリブデン窒化物、タングステンとモリブデ
ンの窒化化合物になる。さらには、このような作業をＡ
ｒ雰囲気で行えば、粒塊は、純タングステン、純モリブ
デン、タングステンとモリブデンの純粋化合物になる。
【００１６】粒塊の製造方法としては、他に、蒸着やス
パッターによっても同じように粒塊を生成することがで
きる。なお、図２、図３では粒塊を分かりやすくするた
めに、意図的に粒塊を実際より大きく描いている。
パッターによっても同じように粒塊を生成することがで
きる。なお、図２、図３では粒塊を分かりやすくするた
めに、意図的に粒塊を実際より大きく描いている。
【００１７】このように、粒塊６を、タングステン、タ
ングステン化合物、モリブデン、モリブデン化合物、タ
ングステンとモリブデンの化合物とした理由は、ランプ
を構成する物質は、電極であればタングステンであり、
発光管と封止部は石英ガラスであり、金属箔はモリブデ
ンであり、外部リード棒はタングステン或いはモリブデ
ンであり、これらの物質以外の物質を粒塊として用いた
場合は、ランプに対して悪影響を与える恐れがある。こ
のことから、ランプへの影響を無くすために、粒塊６は
ランプを構成する物質であるタングステン、タングステ
ン化合物、モリブデン、モリブデン化合物、タングステ
ンとモリブデンの化合物を用いるものである。
ングステン化合物、モリブデン、モリブデン化合物、タ
ングステンとモリブデンの化合物とした理由は、ランプ
を構成する物質は、電極であればタングステンであり、
発光管と封止部は石英ガラスであり、金属箔はモリブデ
ンであり、外部リード棒はタングステン或いはモリブデ
ンであり、これらの物質以外の物質を粒塊として用いた
場合は、ランプに対して悪影響を与える恐れがある。こ
のことから、ランプへの影響を無くすために、粒塊６は
ランプを構成する物質であるタングステン、タングステ
ン化合物、モリブデン、モリブデン化合物、タングステ
ンとモリブデンの化合物を用いるものである。
【００１８】図４は、粒塊６が凸設された金属箔４と封
止部２の石英ガラスとの封着状態を示す拡大断面図であ
る。図４からわかるように、金属箔４の表面に粒塊６が
凸設されているので、封止部２を構成している石英ガラ
スと粒塊６が噛み合った状態になっているので、粒塊６
がアンカー的作用を有し、発光管１内が高圧になって、
高圧状態のガスが金属箔４と石英ガラスとの間隙に流れ
込んできても、石英ガラスが金属箔４から引き剥がされ
ないようにすることができる。つまり「箔浮き現象」が
起こらないものである。
止部２の石英ガラスとの封着状態を示す拡大断面図であ
る。図４からわかるように、金属箔４の表面に粒塊６が
凸設されているので、封止部２を構成している石英ガラ
スと粒塊６が噛み合った状態になっているので、粒塊６
がアンカー的作用を有し、発光管１内が高圧になって、
高圧状態のガスが金属箔４と石英ガラスとの間隙に流れ
込んできても、石英ガラスが金属箔４から引き剥がされ
ないようにすることができる。つまり「箔浮き現象」が
起こらないものである。
【００１９】さらに、金属箔４と石英ガラスとの膨張係
数の違いにより熱応力が発生しても、粒塊６が凸設さ
れ、石英ガラスと粒塊６が噛み合った状態になっている
ので、応力のかかる方向を、図４に示すように、例えば
Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とランダムにすることができ、
それぞれの方向にかかる応力が打ち消しあって、全体的
に熱応力を緩和することができ、クラックの発生を防止
することができる。さらに、製造上封止部２にマイクロ
クラックが存在しても、そのマイクロクラックが成長す
ることがない。この結果、発光管１内の圧力が高くなっ
ても箔浮き現象起こらず、封止部２が破損することな
い。
数の違いにより熱応力が発生しても、粒塊６が凸設さ
れ、石英ガラスと粒塊６が噛み合った状態になっている
ので、応力のかかる方向を、図４に示すように、例えば
Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とランダムにすることができ、
それぞれの方向にかかる応力が打ち消しあって、全体的
に熱応力を緩和することができ、クラックの発生を防止
することができる。さらに、製造上封止部２にマイクロ
クラックが存在しても、そのマイクロクラックが成長す
ることがない。この結果、発光管１内の圧力が高くなっ
ても箔浮き現象起こらず、封止部２が破損することな
い。
【００２０】次に、図１に示す基本構造のショートアー
ク型超高圧放電ランプを作成し、金属箔上の粒塊の有無
と、粒塊となる物資を変え、粒塊の厚みと粒塊の被覆率
を異ならせた場合のそれぞれのランプにおいて、点灯・
消灯を繰り返した後の封止部状態を調べる実験を行っ
た。本願で言う粒塊の厚みとは、図４に示すように金属
箔４の表面から粒塊６の頂部までの距離ｔを言う。ま
た、本願で言う被覆率とは、図２に示すように金属箔４
の表面積（表面裏面の合計面積）をＳ１とし、この金属
箔４の表面（表面裏面）に凸設された粒塊６の接触して
いる領域の合計部分の面積をＳ２とした場合に、Ｓ２／
Ｓ１×１００（％）の値を被覆率とするものである。
ク型超高圧放電ランプを作成し、金属箔上の粒塊の有無
と、粒塊となる物資を変え、粒塊の厚みと粒塊の被覆率
を異ならせた場合のそれぞれのランプにおいて、点灯・
消灯を繰り返した後の封止部状態を調べる実験を行っ
た。本願で言う粒塊の厚みとは、図４に示すように金属
箔４の表面から粒塊６の頂部までの距離ｔを言う。ま
た、本願で言う被覆率とは、図２に示すように金属箔４
の表面積（表面裏面の合計面積）をＳ１とし、この金属
箔４の表面（表面裏面）に凸設された粒塊６の接触して
いる領域の合計部分の面積をＳ２とした場合に、Ｓ２／
Ｓ１×１００（％）の値を被覆率とするものである。
【００２１】なお、粒塊を形成する雰囲気は、大気雰囲
気、窒素雰囲気、Ａｒ雰囲気で行い、点灯・消灯の繰り
返しとは、２分点灯・４０秒消灯を１０回繰り返すモー
ドのことである。
気、窒素雰囲気、Ａｒ雰囲気で行い、点灯・消灯の繰り
返しとは、２分点灯・４０秒消灯を１０回繰り返すモー
ドのことである。
【００２２】実験結果を図５に示す。図中、粒塊の例え
ば「ＷＯＸ」のＯＸとは酸化物を示し、「ＷＮＸ」のＮ
Ｘとは窒化物を示すものである。図５から分かるよう
に、金属箔の表面に粒塊がない比較ランプ１９〜２２の
ランプでは全て箔浮きや封止部破裂が起きている。
ば「ＷＯＸ」のＯＸとは酸化物を示し、「ＷＮＸ」のＮ
Ｘとは窒化物を示すものである。図５から分かるよう
に、金属箔の表面に粒塊がない比較ランプ１９〜２２の
ランプでは全て箔浮きや封止部破裂が起きている。
【００２３】被覆率が８０％以上である比較ランプ２、
比較ランプ５、比較ランプ８、比較ランプ１０、比較ラ
ンプ１２、比較ランプ１４、比較ランプ１５、比較ラン
プ１８では封止部が破裂している。これは、被覆率が８
０％以上になると、金属箔の表面に占める粒塊の割合が
大きくなり、かえって粒塊が形成された金属箔の表面が
平坦化することにより、粒塊によるアンカー作用が小さ
くなり、箔浮きが発生し、この箔浮きが進行して封止部
が破裂するものである。
比較ランプ５、比較ランプ８、比較ランプ１０、比較ラ
ンプ１２、比較ランプ１４、比較ランプ１５、比較ラン
プ１８では封止部が破裂している。これは、被覆率が８
０％以上になると、金属箔の表面に占める粒塊の割合が
大きくなり、かえって粒塊が形成された金属箔の表面が
平坦化することにより、粒塊によるアンカー作用が小さ
くなり、箔浮きが発生し、この箔浮きが進行して封止部
が破裂するものである。
【００２４】粒塊の厚みが０．００１μｍ以下である比
較ランプ４、比較ランプ６、比較ランプ１１、比較ラン
プ１７では封止部に箔浮きが発生している。これは、粒
塊の厚みが０．００１μｍ以下となると、粒塊によるア
ンカー作用が小さくなり、封止部を構成している石英ガ
ラスが金属箔から剥離し、箔浮きが発生するからであ
る。
較ランプ４、比較ランプ６、比較ランプ１１、比較ラン
プ１７では封止部に箔浮きが発生している。これは、粒
塊の厚みが０．００１μｍ以下となると、粒塊によるア
ンカー作用が小さくなり、封止部を構成している石英ガ
ラスが金属箔から剥離し、箔浮きが発生するからであ
る。
【００２５】粒塊の厚みが１μｍ以上である比較ランプ
１、比較ランプ３、比較ランプ７、比較ランプ９、比較
ランプ１６では封止部に箔浮きが発生したり、封止部破
裂している。これは、粒塊の厚みが１μｍ以上となる
と、粒塊が大きすぎ、粒塊を含む金属箔全体の体積が増
えることになり、熱応力が大きくなりすぎ、粒塊によっ
て応力を吸収する割合より発生する応力の方が大きくな
り箔浮きが発し、この箔浮きが進行して封止部が破裂す
るからである。
１、比較ランプ３、比較ランプ７、比較ランプ９、比較
ランプ１６では封止部に箔浮きが発生したり、封止部破
裂している。これは、粒塊の厚みが１μｍ以上となる
と、粒塊が大きすぎ、粒塊を含む金属箔全体の体積が増
えることになり、熱応力が大きくなりすぎ、粒塊によっ
て応力を吸収する割合より発生する応力の方が大きくな
り箔浮きが発し、この箔浮きが進行して封止部が破裂す
るからである。
【００２６】一方、実施ランプ１〜２１は、粒塊の被覆
率が８０％以下であり、粒塊の厚みが０．００１〜１μ
ｍの範囲に入っているので、封止部には箔浮きが発生せ
ず、封止部が破損することがない。図５中では封止部状
態を良好と記載している。
率が８０％以下であり、粒塊の厚みが０．００１〜１μ
ｍの範囲に入っているので、封止部には箔浮きが発生せ
ず、封止部が破損することがない。図５中では封止部状
態を良好と記載している。
【００２７】
【発明の効果】本発明のショートアーク型超高圧放電ラ
ンプによれば、封止部に埋設される金属箔の表面に金属
製の粒塊が凸設されているので、封止部を構成している
石英ガラスが金属箔から剥離することがなく、箔浮きを
防止でき、封止が破損することがない。
ンプによれば、封止部に埋設される金属箔の表面に金属
製の粒塊が凸設されているので、封止部を構成している
石英ガラスが金属箔から剥離することがなく、箔浮きを
防止でき、封止が破損することがない。
【図１】本発明のショートアーク型超高圧放電ランプの
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明のショートアーク型超高圧放電ランプの
金属箔の説明図である。
金属箔の説明図である。
【図３】粒塊を製造する説明図である。
【図４】粒塊が凸設された金属箔と封止部の石英ガラス
との封着状態を示す拡大断面図である。
との封着状態を示す拡大断面図である。
【図５】金属箔の凸設された粒塊の違いと封止部状態を
調べたデータ説明図である。
調べたデータ説明図である。
【図６】従来のショートアーク型超高圧放電ランプの説
明図である。
明図である。
１ 発光管
２ 封止部
３ 電極
４ 金属箔
５ 外部リード棒
６ 粒塊
７ 基体金属物
Claims (3)
- 【請求項１】 石英ガラスからなる発光管内に一対の電
極が配置され、当該発光管の両側に伸びる石英ガラスか
らなる封止部が形成され、発光管内に０．１５ｍｇ／ｍ
ｍ３以上の水銀が封入されたショートアーク型超高圧放
電ランプにおいて、 前記封止部には、金属箔と当該金属箔に接続された前記
電極の一部が埋設されており、 前記封止部に埋設された金属箔の表面に金属の粒塊が凸
設されていることを特徴とするショートアーク型超高圧
放電ランプ。 - 【請求項２】 前記金属の粒塊は、タングステン、タン
グステン化合物、モリブデン、モリブデン化合物、タン
グステンとモリブデンの化合物の何れかよりなることを
特徴とする請求項１に記載のショートアーク型超高圧放
電ランプ。 - 【請求項３】 前記粒塊の厚みが０．００１〜１μｍで
あり、前記粒塊の金属箔を被覆する被覆率が８０％以下
であることを特徴とする請求項２に記載のショートアー
ク型超高圧放電ランプ。
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