JP2010535401A - 高い動作温度を維持しシェーリングを減らす金属および酸化物界面アセンブリ - Google Patents
高い動作温度を維持しシェーリングを減らす金属および酸化物界面アセンブリ Download PDFInfo
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 33
- 238000000429 assembly Methods 0.000 title description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 title description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 78
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 20
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 TiInO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 claims 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 18
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010525 oxidative degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015797 MoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100077717 Mus musculus Morn2 gene Proteins 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/36—Seals between parts of vessels; Seals for leading-in conductors; Leading-in conductors
- H01J61/366—Seals for leading-in conductors
- H01J61/368—Pinched seals or analogous seals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
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- H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
- H01J61/06—Main electrodes
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- H01J61/0732—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the construction of the electrode
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- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
Description
12 エンベロープ
16 充填ガス
14 電極
18 基部
22 箔
Claims (21)
- 放電ランプの電極アセンブリ上に設けられる障壁層であって、少なくとも無酸化材料のナノクラスター層を備える障壁層。
- 無酸化材料はNi−Mo−Cr複合材料である請求項1に記載の障壁層。
- 無酸化材料は金属酸化物である請求項1に記載の障壁層。
- 無酸化材料は、金、シリコン、プラチナ、レニウム、およびオスミウムからなる群から選択される材料である請求項1に記載の障壁層。
- 無酸化材料は金属である請求項1に記載の障壁層。
- 障壁層は2つ以上の層を備え、層のうちの少なくとも1つは無酸化の金属含有層である請求項1に記載の障壁層。
- 障壁層は、ナノクラスターの形態の第1の層を備え、第2の層は酸化物層であり、コーティングの厚さは最大で1500nmである請求項6に記載の障壁層。
- 障壁層は、TiO2、ZO2、InO、Al2O3、TiInO、SrTiO、LaSrTiO、CuAlS、酸窒化物、ン窒化炭素物、硫化物、およびホウ化物から選択される第2の層を備える請求項7に記載の障壁層。
- 1つまたは複数の付加的な無酸化材料層をさらに備える請求項7に記載の障壁層。
- 放電ランプ用の電極アセンブリであって、電極アセンブリを形成するように箔が取り付けられた電極を備え、少なくとも厚さが4/5nm以上の無酸化材料層と少なくとも1つの付加的な無酸化材料層とを備える多層コーティングによって全体のコーティング厚さが最大で1500nmとなるようにコーティングされた電極アセンブリ。
- 第1のコーティング層は金属であり、第2のコーティング層は酸化物である請求項10に記載の電極アセンブリ。
- 第1のコーティング層はナノクラスターの形態で堆積される請求項10に記載の電極アセンブリ。
- 無酸化材料は金属または金属酸化物である請求項10に記載の電極アセンブリ。
- コーティングの層は同じ材料を含む請求項10に記載の電極アセンブリ。
- 第1のコーティング層は少なくとも400℃の温度において堆積される請求項10に記載の電極アセンブリ。
- 電極アセンブリと放電ランプ・エンベロープとの間の熱膨張不整合を減らす方法であって、
電極アセンブリを用意することと、
電極アセンブリの表面上に、少なくとも無酸化材料のナノクラスター層を有するコーティングを堆積することと、
電極アセンブリ領域におけるランプ・エンベロープにピンチングを施してピンチ領域を形成することであって、放電ランプは高温で1000時間を超える長時間、持続動作を示す、形成することと、を含む方法。 - 電極アセンブリは少なくとも電極および箔を備える請求項15に記載の方法。
- コーティングは、ナノクラスター層に加えて少なくとも第2の層を備える請求項15に記載の方法。
- コーティングのナノクラスター層は無酸化金属を含み、少なくとも1つの第2の層は酸化物組成を含む請求項17に記載の方法。
- 放電ランプは、酸化または熱的不整合によるランプ破損を受けることなく600℃を超える温度で動作可能である請求項15に記載の方法。
- 電極アセンブリを収容するエンベロープを備える放電ランプであって、電極アセンブリには、少なくとも1つのナノクラスター層を有する無酸化コーティングが設けられ、前記放電ランプは、600℃を超える温度で1000時間を超える時間、電極アセンブリの酸化または電極アセンブリとエンベロープとの間の熱的不整合によるランプ破損を受けることなく動作可能である放電ランプ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/832,230 | 2007-08-01 | ||
US11/832,230 US7863818B2 (en) | 2007-08-01 | 2007-08-01 | Coil/foil-electrode assembly to sustain high operating temperature and reduce shaling |
PCT/US2008/067265 WO2009017891A1 (en) | 2007-08-01 | 2008-06-18 | Metal and oxide interface assembly to sustain high operating temperature and reduce shaling |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010535401A true JP2010535401A (ja) | 2010-11-18 |
JP2010535401A5 JP2010535401A5 (ja) | 2012-07-12 |
JP5400776B2 JP5400776B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=39739890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010520018A Expired - Fee Related JP5400776B2 (ja) | 2007-08-01 | 2008-06-18 | 高い動作温度を維持しシェーリングを減らす金属および酸化物界面アセンブリ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7863818B2 (ja) |
EP (1) | EP2183763B1 (ja) |
JP (1) | JP5400776B2 (ja) |
CN (1) | CN101772826B (ja) |
PL (1) | PL2183763T3 (ja) |
WO (1) | WO2009017891A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2007
- 2007-08-01 US US11/832,230 patent/US7863818B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-18 JP JP2010520018A patent/JP5400776B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-18 WO PCT/US2008/067265 patent/WO2009017891A1/en active Application Filing
- 2008-06-18 CN CN200880101424XA patent/CN101772826B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-18 EP EP08771296.4A patent/EP2183763B1/en not_active Not-in-force
- 2008-06-18 PL PL08771296T patent/PL2183763T3/pl unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2183763B1 (en) | 2014-03-12 |
PL2183763T3 (pl) | 2014-07-31 |
US7863818B2 (en) | 2011-01-04 |
JP5400776B2 (ja) | 2014-01-29 |
CN101772826A (zh) | 2010-07-07 |
CN101772826B (zh) | 2013-04-24 |
WO2009017891A1 (en) | 2009-02-05 |
US20090033200A1 (en) | 2009-02-05 |
EP2183763A1 (en) | 2010-05-12 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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