JP2003117426A - 粉砕装置および粉砕方法 - Google Patents
粉砕装置および粉砕方法Info
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- JP2003117426A JP2003117426A JP2001311526A JP2001311526A JP2003117426A JP 2003117426 A JP2003117426 A JP 2003117426A JP 2001311526 A JP2001311526 A JP 2001311526A JP 2001311526 A JP2001311526 A JP 2001311526A JP 2003117426 A JP2003117426 A JP 2003117426A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所定の温度条件化で粉砕処理を行なうことが
できる粉砕装置を提供することである。 【解決手段】 アウタハウジング１１内にインナハウジ
ング１３を設け、アウタハウジング１１には両ハウジン
グ１１、１３間に形成されたガスチャンバ１２に連通す
るガス供給口１５を形成する。そのガス供給口１５から
ガスチャンバ１２内に所定温度の高圧ガスを供給してイ
ンナハウジング１３内に形成された粉砕室１４内の温度
の均一化を図る。原料噴射ノズル１６から一定の温度に
保持された粉砕室１４内に粉体原料を噴射し、ガスチャ
ンバ１２内の高圧ガスをガス噴射ノズル１７から粉砕室
１４内に噴射し、その噴射ガスの衝突および粉体原料同
士の衝突によって粉体原料を粉砕する。
できる粉砕装置を提供することである。 【解決手段】 アウタハウジング１１内にインナハウジ
ング１３を設け、アウタハウジング１１には両ハウジン
グ１１、１３間に形成されたガスチャンバ１２に連通す
るガス供給口１５を形成する。そのガス供給口１５から
ガスチャンバ１２内に所定温度の高圧ガスを供給してイ
ンナハウジング１３内に形成された粉砕室１４内の温度
の均一化を図る。原料噴射ノズル１６から一定の温度に
保持された粉砕室１４内に粉体原料を噴射し、ガスチャ
ンバ１２内の高圧ガスをガス噴射ノズル１７から粉砕室
１４内に噴射し、その噴射ガスの衝突および粉体原料同
士の衝突によって粉体原料を粉砕する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、粉体を粉砕する
粉砕装置および粉砕方法に関するものである。
粉砕装置および粉砕方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石の製造に
用いられる磁石粒子は、母合金インゴットを粗粉砕し、
その粉砕物を窒化処理したのち、微粉砕することにより
製造される。
用いられる磁石粒子は、母合金インゴットを粗粉砕し、
その粉砕物を窒化処理したのち、微粉砕することにより
製造される。
【０００３】一般に、粉砕物の微粉砕にはジェットミル
が用いられるが、上記のような磁石粒子は、磁化および
保持力を有するため、微粉砕により得られた微粒子が凝
集し易く、その凝集によって効果的に粉砕することがで
きず、粗大粒子の割合が多くなって均一な粒子径の微粒
子を得ることができない。
が用いられるが、上記のような磁石粒子は、磁化および
保持力を有するため、微粉砕により得られた微粒子が凝
集し易く、その凝集によって効果的に粉砕することがで
きず、粗大粒子の割合が多くなって均一な粒子径の微粒
子を得ることができない。
【０００４】そのような問題点を解決するために、特開
平５−１７５０２２号公報においては、粗粉砕された合
金粒子を窒化処理し、その窒化粒子（磁石粒子）を微粉
砕する際に、その磁石粒子をキュリー温度付近から窒素
の放出温度までの間の温度、例えば３００〜６５０℃に
保つ状態でジェットミルにより微粉砕する粉砕方法が提
案されている。
平５−１７５０２２号公報においては、粗粉砕された合
金粒子を窒化処理し、その窒化粒子（磁石粒子）を微粉
砕する際に、その磁石粒子をキュリー温度付近から窒素
の放出温度までの間の温度、例えば３００〜６５０℃に
保つ状態でジェットミルにより微粉砕する粉砕方法が提
案されている。
【０００５】上記のように、磁石粒子をキュリー温度付
近から窒化の放射温度までの間の温度状態に保って微粉
砕することにより、磁石粒子の磁化および保持力が極め
て小さくなるか、あるいは消失することになるので、微
粉砕の際に磁石粒子が凝集するのを防止することがで
き、磁石粒子をきわめて効果的に粉砕処理することがで
きる。
近から窒化の放射温度までの間の温度状態に保って微粉
砕することにより、磁石粒子の磁化および保持力が極め
て小さくなるか、あるいは消失することになるので、微
粉砕の際に磁石粒子が凝集するのを防止することがで
き、磁石粒子をきわめて効果的に粉砕処理することがで
きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記公報に
は、磁石粒子を高温状態で微粉砕処理する記載はあるも
のの、具体的な粉砕処理について何も記載がない。
は、磁石粒子を高温状態で微粉砕処理する記載はあるも
のの、具体的な粉砕処理について何も記載がない。
【０００７】ここで、一般的に用いられる渦流式のジェ
ットミルは、粉砕室内に粉体原料を供給して旋回流動さ
せ、その粉砕室の周壁に支持された複数のガス噴射ノズ
ルから粉砕室内の外周、接線方向に向けて高圧ガスを噴
射し、その高圧ガスとの衝突および粉体原料同士の衝突
によって粉体原料を微粉砕し、粉砕室の中央部に移動す
る粉砕後の粉砕粒子を粉砕室の中央部に連通する排出口
から吸引排出させてバッグフィルタ等の捕集装置により
回収するようにしている。
ットミルは、粉砕室内に粉体原料を供給して旋回流動さ
せ、その粉砕室の周壁に支持された複数のガス噴射ノズ
ルから粉砕室内の外周、接線方向に向けて高圧ガスを噴
射し、その高圧ガスとの衝突および粉体原料同士の衝突
によって粉体原料を微粉砕し、粉砕室の中央部に移動す
る粉砕後の粉砕粒子を粉砕室の中央部に連通する排出口
から吸引排出させてバッグフィルタ等の捕集装置により
回収するようにしている。
【０００８】このため、上記のような渦流式のジェット
ミルによって磁石粒子を高温状態で微粉砕処理しようと
すると、粉砕室内に高圧ガスを噴射するガス噴射ノズル
に高温の高圧ガスを供給する必要が生じる。このとき、
粉砕室内のガス噴射位置での温度が高く、粉砕室内の温
度を全体を均一の温度に保つことが困難であって磁石粒
子の全体を均一に加熱することができず、磁石粒子の凝
集を完全に防止することができない。
ミルによって磁石粒子を高温状態で微粉砕処理しようと
すると、粉砕室内に高圧ガスを噴射するガス噴射ノズル
に高温の高圧ガスを供給する必要が生じる。このとき、
粉砕室内のガス噴射位置での温度が高く、粉砕室内の温
度を全体を均一の温度に保つことが困難であって磁石粒
子の全体を均一に加熱することができず、磁石粒子の凝
集を完全に防止することができない。
【０００９】この発明の課題は、粉砕室内の温度の均一
化を図り、一定の温度条件化で粉体原料を粉砕処理する
ことができるようにして、粉体原料の凝集をほぼ完全に
防止することができるようにした粉砕効率の高い粉砕装
置および粉砕方法を提供することである。
化を図り、一定の温度条件化で粉体原料を粉砕処理する
ことができるようにして、粉体原料の凝集をほぼ完全に
防止することができるようにした粉砕効率の高い粉砕装
置および粉砕方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明に係る粉砕装置においては、アウタハウ
ジング内にインナハウジングを組み込んで、インナハウ
ジングの外周囲に所定温度の高圧ガスが供給されるガス
チャンバを設け、前記インナハウジングには、その内部
に形成された粉砕室内に粉体原料を供給する原料噴射ノ
ズルと、ガスチャンバ内の高圧ガスを粉砕室内に噴射す
るガス噴射ノズルとを設け、前記インナハウジングには
粉砕室内において粉砕された粉砕粒子の排出口を形成し
た構成を採用したのである。ここで、ガスとして、チッ
素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスやエアを挙げるこ
とができる。
めに、この発明に係る粉砕装置においては、アウタハウ
ジング内にインナハウジングを組み込んで、インナハウ
ジングの外周囲に所定温度の高圧ガスが供給されるガス
チャンバを設け、前記インナハウジングには、その内部
に形成された粉砕室内に粉体原料を供給する原料噴射ノ
ズルと、ガスチャンバ内の高圧ガスを粉砕室内に噴射す
るガス噴射ノズルとを設け、前記インナハウジングには
粉砕室内において粉砕された粉砕粒子の排出口を形成し
た構成を採用したのである。ここで、ガスとして、チッ
素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスやエアを挙げるこ
とができる。
【００１１】上記のように構成すれば、ガスチャンバ内
に所定温度の高圧ガスを供給することによりインナハウ
ジングの全体が加熱されるため、粉砕室内の温度は全体
にわたって均一化されることになり、ガス噴射ノズルか
ら噴射される高圧ガスとの衝突によって、一定温度の条
件化で粉体原料の粉砕処理を行なうことができる。
に所定温度の高圧ガスを供給することによりインナハウ
ジングの全体が加熱されるため、粉砕室内の温度は全体
にわたって均一化されることになり、ガス噴射ノズルか
ら噴射される高圧ガスとの衝突によって、一定温度の条
件化で粉体原料の粉砕処理を行なうことができる。
【００１２】このため、磁石粒子の微粉砕に際し、ガス
チャンバ内に磁石粒子のキュリー温度以上の不活性ガス
から成る高温ガスを供給することにより、粉砕室内の全
体が高温状態とされるため、粉砕室内に供給される磁石
粒子の磁化および保持力を微小化あるいは消失させるこ
とができ、磁石粒子の凝集をほぼ完全に防止することが
できる。このため、磁石粒子をきわめて効果的に粉砕処
理することができる。
チャンバ内に磁石粒子のキュリー温度以上の不活性ガス
から成る高温ガスを供給することにより、粉砕室内の全
体が高温状態とされるため、粉砕室内に供給される磁石
粒子の磁化および保持力を微小化あるいは消失させるこ
とができ、磁石粒子の凝集をほぼ完全に防止することが
できる。このため、磁石粒子をきわめて効果的に粉砕処
理することができる。
【００１３】ここで、前記粉砕室を円形とし、その円形
粉砕室内の中央部に粉砕粒子の排出口を設け、前記原料
噴射ノズルから噴射される粉体原料およびガス噴射ノズ
ルから噴射される高圧ガスを粉砕室内の外周接線方向に
向けて噴射させるようにした粉砕装置を採用することに
より、粉砕室内に供給された粉体原料は粉砕室内の外周
部を旋回する状態で粉砕処理されるため、粉体原料を所
定の温度まで直ちに昇温させることができ、効率よく粉
砕処理することができる。
粉砕室内の中央部に粉砕粒子の排出口を設け、前記原料
噴射ノズルから噴射される粉体原料およびガス噴射ノズ
ルから噴射される高圧ガスを粉砕室内の外周接線方向に
向けて噴射させるようにした粉砕装置を採用することに
より、粉砕室内に供給された粉体原料は粉砕室内の外周
部を旋回する状態で粉砕処理されるため、粉体原料を所
定の温度まで直ちに昇温させることができ、効率よく粉
砕処理することができる。
【００１４】また、ガスチャンバ内の高圧ガスを原料噴
射ノズルに供給する循環路を設けると、原料噴射ノズル
から粉砕室内に供給される粉体原料を予熱することがで
きるため、粉体原料を粉砕室内の温度まで直ちに昇温さ
せることができ、粉砕処理をより効果的に行なうことが
できる。
射ノズルに供給する循環路を設けると、原料噴射ノズル
から粉砕室内に供給される粉体原料を予熱することがで
きるため、粉体原料を粉砕室内の温度まで直ちに昇温さ
せることができ、粉砕処理をより効果的に行なうことが
できる。
【００１５】この発明に係る粉砕方法においては、前記
粉砕装置のガスチャンバに対する所定温度の高圧ガスの
供給によりインナハウジングの全体を加熱して前記粉砕
室内を全体にわたり一定の温度に保ち、その粉砕室内に
粉体原料を供給し、かつガスチャンバ内の高圧ガスをガ
ス噴射ノズルにより粉砕室内に噴射して、その噴射ガス
との衝突により粉体原料を粉砕し、前記粉砕室に連通す
る排気口から吸引排出される粉砕粒子を冷却したのち、
捕集装置によって回収するようにした構成を採用したの
である。
粉砕装置のガスチャンバに対する所定温度の高圧ガスの
供給によりインナハウジングの全体を加熱して前記粉砕
室内を全体にわたり一定の温度に保ち、その粉砕室内に
粉体原料を供給し、かつガスチャンバ内の高圧ガスをガ
ス噴射ノズルにより粉砕室内に噴射して、その噴射ガス
との衝突により粉体原料を粉砕し、前記粉砕室に連通す
る排気口から吸引排出される粉砕粒子を冷却したのち、
捕集装置によって回収するようにした構成を採用したの
である。
【００１６】上記のように、粉砕処理された粉体原料
を、例えば不活性ガスにより冷却することにより、粉砕
後の粉砕粒子の劣化を防止することができる。
を、例えば不活性ガスにより冷却することにより、粉砕
後の粉砕粒子の劣化を防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る粉砕装置
を用いた粉砕処理装置の全体を示す概略図である。図示
のように、高圧ガス源１から粉砕装置１０のガス供給口
に高圧ガスを供給するガス供給路２の途中にはヒータ装
置３が組み込まれ、そのヒータ装置３によって高圧ガス
が加熱され、所定温度の高圧ガスが粉砕装置１０に供給
されるようになっている。
面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る粉砕装置
を用いた粉砕処理装置の全体を示す概略図である。図示
のように、高圧ガス源１から粉砕装置１０のガス供給口
に高圧ガスを供給するガス供給路２の途中にはヒータ装
置３が組み込まれ、そのヒータ装置３によって高圧ガス
が加熱され、所定温度の高圧ガスが粉砕装置１０に供給
されるようになっている。
【００１８】粉砕装置１０の排出口には冷却装置３０が
接続されている。冷却装置３０には、ガス供給路２から
分岐路４に供給される常温のガスが供給され、その常温
ガスとの接触によって粉砕処理後の粉砕粒子が冷却され
るようになっている。
接続されている。冷却装置３０には、ガス供給路２から
分岐路４に供給される常温のガスが供給され、その常温
ガスとの接触によって粉砕処理後の粉砕粒子が冷却され
るようになっている。
【００１９】冷却装置３０によって冷却処理された粉砕
粒子はバッグフィルタから成る捕集装置４０内に回収さ
れるようになっている。ここで、回収は吸引あるいは押
出しのいずれでもよい。
粒子はバッグフィルタから成る捕集装置４０内に回収さ
れるようになっている。ここで、回収は吸引あるいは押
出しのいずれでもよい。
【００２０】図２および図３は、粉砕装置１０の詳細を
示す。この粉砕装置１０は、アウタハウジング１１内に
形成されたガスチャンバ１２内にインナハウジング１３
を組込み、そのインナハウジング１３内に円形の粉砕室
１４を設けている。
示す。この粉砕装置１０は、アウタハウジング１１内に
形成されたガスチャンバ１２内にインナハウジング１３
を組込み、そのインナハウジング１３内に円形の粉砕室
１４を設けている。
【００２１】アウタハウジング１１にガスチャンバ１２
に連通するガス供給口１５が設けられ、そのガス供給口
１５に図１に示すガス供給路２が接続され、上記ガス供
給口１５からガスチャンバ１２内に所定温度の高圧ガス
が供給されるようになっている。
に連通するガス供給口１５が設けられ、そのガス供給口
１５に図１に示すガス供給路２が接続され、上記ガス供
給口１５からガスチャンバ１２内に所定温度の高圧ガス
が供給されるようになっている。
【００２２】インナハウジング１３には原料噴射ノズル
１６と、複数のガス噴射ノズル１７とが設けられ、前記
ガスチャンバ１２内に供給された所定温度の高圧ガスは
複数のガス噴射ノズル１７から粉砕室１４内の外周接線
方向に向けて噴射されるようになっている。
１６と、複数のガス噴射ノズル１７とが設けられ、前記
ガスチャンバ１２内に供給された所定温度の高圧ガスは
複数のガス噴射ノズル１７から粉砕室１４内の外周接線
方向に向けて噴射されるようになっている。
【００２３】原料噴射ノズル１６の後端部にはノズル接
続筒１８が接続され、そのノズル接続筒１８にガス供給
ノズル１９が接続されている。ガス供給ノズル１９と原
料噴射ノズル１６とは同軸上に配置され、その両ノズル
１６、１９の対向端部間に形成された混合室２０に原料
ホッパ２１の下端開口が連通している。
続筒１８が接続され、そのノズル接続筒１８にガス供給
ノズル１９が接続されている。ガス供給ノズル１９と原
料噴射ノズル１６とは同軸上に配置され、その両ノズル
１６、１９の対向端部間に形成された混合室２０に原料
ホッパ２１の下端開口が連通している。
【００２４】このため、ガス供給ノズル１９から原料噴
射ノズル１６に向けて高圧ガスを供給することにより、
混合室２０内は負圧とされて原料ホッパ２１内の粉体原
料が混合室２０内に引き込まれ、高圧ガスと共に原料噴
射ノズル１６から粉砕室１４内の外周接線方向に向けて
噴射される。
射ノズル１６に向けて高圧ガスを供給することにより、
混合室２０内は負圧とされて原料ホッパ２１内の粉体原
料が混合室２０内に引き込まれ、高圧ガスと共に原料噴
射ノズル１６から粉砕室１４内の外周接線方向に向けて
噴射される。
【００２５】ガス供給ノズル１９に対する高圧ガスの供
給に際し、ここでは、高圧ガス源１の高圧ガスをガス噴
射ノズル１７に供給するガス供給路２’とガスチャンバ
１２とを循環路２２で連通し、その循環路２２に設けた
切換バルブ２３ａとガス供給路２’に設けた切換バルブ
２３ｂの操作によってガス源１の高圧ガスとガスチャン
バ１２内の高圧ガスを選択的にガス供給ノズル１９内に
供給し得るようにしているが、高圧ガス源１の高圧ガス
のみをガス供給ノズル１９に送り込むようにしてもよ
く、あるいは、ガスチャンバ１２内の高圧ガスのみをガ
ス供給ノズル１９に送り込むようにしてもよい。
給に際し、ここでは、高圧ガス源１の高圧ガスをガス噴
射ノズル１７に供給するガス供給路２’とガスチャンバ
１２とを循環路２２で連通し、その循環路２２に設けた
切換バルブ２３ａとガス供給路２’に設けた切換バルブ
２３ｂの操作によってガス源１の高圧ガスとガスチャン
バ１２内の高圧ガスを選択的にガス供給ノズル１９内に
供給し得るようにしているが、高圧ガス源１の高圧ガス
のみをガス供給ノズル１９に送り込むようにしてもよ
く、あるいは、ガスチャンバ１２内の高圧ガスのみをガ
ス供給ノズル１９に送り込むようにしてもよい。
【００２６】図２に示すように、アウタハウジング１１
には、粉砕室１４の中央部に連通する排出口２４が形成
され、その排出口２４に図１に示す冷却装置３０が接続
されている。
には、粉砕室１４の中央部に連通する排出口２４が形成
され、その排出口２４に図１に示す冷却装置３０が接続
されている。
【００２７】実施の形態で示す粉砕処理装置は上記の構
造から成り、その粉砕処理装置を用いて、例えば、Ｓｍ
−Ｆｅ−Ｎ系磁石の粗粉砕された磁石原料の粉砕に際し
ては、その磁石原料を原料ホッパ２１内に供給する。ま
た、圧縮ガス源１からガス供給路２に供給される不活性
ガスから成る高圧ガスをヒータ装置３により加熱して、
高圧ガスを磁石粒子のキュリー温度、例えば３００〜６
５０℃の高温状態とし、その高温、高圧ガスを粉砕装置
１０のガス供給口１５からガスチャンバ１２内に供給す
る。
造から成り、その粉砕処理装置を用いて、例えば、Ｓｍ
−Ｆｅ−Ｎ系磁石の粗粉砕された磁石原料の粉砕に際し
ては、その磁石原料を原料ホッパ２１内に供給する。ま
た、圧縮ガス源１からガス供給路２に供給される不活性
ガスから成る高圧ガスをヒータ装置３により加熱して、
高圧ガスを磁石粒子のキュリー温度、例えば３００〜６
５０℃の高温状態とし、その高温、高圧ガスを粉砕装置
１０のガス供給口１５からガスチャンバ１２内に供給す
る。
【００２８】原料ホッパ２１内に磁石原料を供給したの
ち、図３に示すガス供給ノズル１９に高圧ガスを供給す
ると、原料ホッパ２１内の磁石原料は混合室２０内に引
き込まれて、高圧ガスと共に原料噴射ノズル１６内に供
給され、その原料噴射ノズル１６から粉砕室１４内に噴
射され、粉砕室１４内において旋回する。
ち、図３に示すガス供給ノズル１９に高圧ガスを供給す
ると、原料ホッパ２１内の磁石原料は混合室２０内に引
き込まれて、高圧ガスと共に原料噴射ノズル１６内に供
給され、その原料噴射ノズル１６から粉砕室１４内に噴
射され、粉砕室１４内において旋回する。
【００２９】このとき、ガスチャンバ１２内に供給され
る高温、高圧ガスによってインナハウジング１３の全体
が均一に加熱され、そのインナハウジング１３内の粉砕
室１４内は全体にわたって均一な高温状態に保持され、
その高温雰囲気中において磁石原料が旋回する。このた
め、磁石原料は全体にわかって均一に加熱されることに
なり、一定の温度に保持される。
る高温、高圧ガスによってインナハウジング１３の全体
が均一に加熱され、そのインナハウジング１３内の粉砕
室１４内は全体にわたって均一な高温状態に保持され、
その高温雰囲気中において磁石原料が旋回する。このた
め、磁石原料は全体にわかって均一に加熱されることに
なり、一定の温度に保持される。
【００３０】一方、ガスチャンバ１２内の高温、高圧ガ
スはガス噴射ノズル１７から粉砕室１４内に向けて噴射
され、その噴射ガスとの衝突および磁石原料同士の衝突
によって磁石原料は微粉砕される。その粉砕によって得
られた粉砕粒子は高温の雰囲気に保持された粉砕室１４
内を旋回するため、高温状態に保持されて磁化および保
持力が極めて小さくなり、あるいは消失されるので、凝
集が防止される。このため、磁石原料をきわめて効果的
に粉砕することができる。
スはガス噴射ノズル１７から粉砕室１４内に向けて噴射
され、その噴射ガスとの衝突および磁石原料同士の衝突
によって磁石原料は微粉砕される。その粉砕によって得
られた粉砕粒子は高温の雰囲気に保持された粉砕室１４
内を旋回するため、高温状態に保持されて磁化および保
持力が極めて小さくなり、あるいは消失されるので、凝
集が防止される。このため、磁石原料をきわめて効果的
に粉砕することができる。
【００３１】粉砕後の粉砕粒子は粉砕室１４内の中央部
に移行し、排出口２４から吸引排出され、冷却装置３０
によって冷却される。その冷却によって微粒子の劣化・
変質が防止される。冷却後の微粒子は捕集装置４０によ
り回収される。
に移行し、排出口２４から吸引排出され、冷却装置３０
によって冷却される。その冷却によって微粒子の劣化・
変質が防止される。冷却後の微粒子は捕集装置４０によ
り回収される。
【００３２】このように、ガスチャンバ１２内に高温、
高圧ガスを供給することにより、インナハウジング１３
の全体が均一に加熱されて、粉砕室１４内の温度が全体
にわたって均一な高温状態とされ、その高温雰囲気中に
おいて磁石原料が粉砕されるため、微粒子の磁化および
保持力をきわめて小さくすることができ、あるいは消失
させることができるので、磁石原料の凝集を完全に防止
することができ、磁石原料をきわめて効果的に粉砕処理
することができる。
高圧ガスを供給することにより、インナハウジング１３
の全体が均一に加熱されて、粉砕室１４内の温度が全体
にわたって均一な高温状態とされ、その高温雰囲気中に
おいて磁石原料が粉砕されるため、微粒子の磁化および
保持力をきわめて小さくすることができ、あるいは消失
させることができるので、磁石原料の凝集を完全に防止
することができ、磁石原料をきわめて効果的に粉砕処理
することができる。
【００３３】また、ガスチャンバ１２内に高温、高圧ガ
スを供給することによってインナハウジング１３の全体
が均一に加熱されるため、粉砕室１４内の全体が均一に
昇温することになる。このため、粉砕室１４内の温度む
らがなく、粉砕室１４内の温度管理が容易であり、微粒
子を所定の温度まで確実に昇温させることができる。
スを供給することによってインナハウジング１３の全体
が均一に加熱されるため、粉砕室１４内の全体が均一に
昇温することになる。このため、粉砕室１４内の温度む
らがなく、粉砕室１４内の温度管理が容易であり、微粒
子を所定の温度まで確実に昇温させることができる。
【００３４】ここで、ガスチャンバ１２内の高温、高圧
ガスを循環路２２からガス供給ノズル１９を介して原料
噴射ノズル１６内に供給することにより、磁石原料を予
熱することができるため、粉砕室１４内において磁石原
料を直ちに所定の温度まで加熱することができ、粉砕効
果をより向上させることができる。
ガスを循環路２２からガス供給ノズル１９を介して原料
噴射ノズル１６内に供給することにより、磁石原料を予
熱することができるため、粉砕室１４内において磁石原
料を直ちに所定の温度まで加熱することができ、粉砕効
果をより向上させることができる。
【００３５】図４は、この発明に係る粉砕装置１０の他
の例を示す。この例で示す粉砕装置１０は、第１粉砕ユ
ニットＵ1 と第２粉砕ユニットＵ2 から成る。各粉砕ユ
ニットＵ1 、Ｕ2 は円筒状のアウタハウジング５０内に
円筒状のインナハウジング５１を同軸上に配置し、アウ
タハウジング５０には、両ハウジング５０、５１間に形
成されたガスチャンバ５２内に所定温度の高圧ガスを供
給するガス供給口５３を設けている。
の例を示す。この例で示す粉砕装置１０は、第１粉砕ユ
ニットＵ1 と第２粉砕ユニットＵ2 から成る。各粉砕ユ
ニットＵ1 、Ｕ2 は円筒状のアウタハウジング５０内に
円筒状のインナハウジング５１を同軸上に配置し、アウ
タハウジング５０には、両ハウジング５０、５１間に形
成されたガスチャンバ５２内に所定温度の高圧ガスを供
給するガス供給口５３を設けている。
【００３６】インナハウジング５１にはガスチャンバ５
２内の高圧ガスをインナハウジング５１内に形成された
粉砕室５４内に向けて斜め方向に噴射する複数のガス噴
射ノズル５５を設けている。
２内の高圧ガスをインナハウジング５１内に形成された
粉砕室５４内に向けて斜め方向に噴射する複数のガス噴
射ノズル５５を設けている。
【００３７】また、第１粉砕ユニットＵ1 におけるアウ
タハウジング５０の端板に粉砕室５４内に粉体原料を噴
射する原料噴射ノズル５６を接続し、その原料噴射ノズ
ル５６の後端部に接続したノズル接続筒５７にガス供給
ノズル５８を接続して、そのガス供給ノズル５８と原料
噴射ノズル５６の対向端部間に形成された混合室５９に
ホッパ６０の下端出口を連通している。
タハウジング５０の端板に粉砕室５４内に粉体原料を噴
射する原料噴射ノズル５６を接続し、その原料噴射ノズ
ル５６の後端部に接続したノズル接続筒５７にガス供給
ノズル５８を接続して、そのガス供給ノズル５８と原料
噴射ノズル５６の対向端部間に形成された混合室５９に
ホッパ６０の下端出口を連通している。
【００３８】一方、第２粉砕ユニットＵ2 の端板に粉砕
室５４に連通する排出口６１を設けている。
室５４に連通する排出口６１を設けている。
【００３９】上記の構成から成る粉砕装置は、ガス供給
ノズル５８から原料噴射ノズル５６内に高圧ガスを噴射
し、ホッパ６０内に充填された粉体原料を混合室５９内
に吸引して、その粉体原料を高圧ガスと共に原料噴射ノ
ズル５６から粉砕室５４内に噴射するようにしている。
ノズル５８から原料噴射ノズル５６内に高圧ガスを噴射
し、ホッパ６０内に充填された粉体原料を混合室５９内
に吸引して、その粉体原料を高圧ガスと共に原料噴射ノ
ズル５６から粉砕室５４内に噴射するようにしている。
【００４０】一方、第１粉砕ユニットＵ1 のガス供給口
５３からガスチャンバ５２内に所定温度の高圧ガスを供
給し、その高圧ガスによってインナハウジング５１を加
熱して粉砕室５４内の温度を所定の温度に保つと共に、
ガス噴射ノズル５５から粉砕室５４内に高圧ガスを噴射
し、その噴射ガスとの衝突および粉体原料同士の衝突に
よって粉体原料を微粉砕するようにしている。
５３からガスチャンバ５２内に所定温度の高圧ガスを供
給し、その高圧ガスによってインナハウジング５１を加
熱して粉砕室５４内の温度を所定の温度に保つと共に、
ガス噴射ノズル５５から粉砕室５４内に高圧ガスを噴射
し、その噴射ガスとの衝突および粉体原料同士の衝突に
よって粉体原料を微粉砕するようにしている。
【００４１】上記粉砕装置においても、粉砕室内の温度
を均一な温度に保持することができると共に、一定温度
の雰囲気中で粉体原料を微粉砕することができるため、
磁石原料の粉砕に際しては、粉砕された粉砕粒子の凝集
を防止することができ、磁石原料をきわめて効果的に微
粉砕することができる。
を均一な温度に保持することができると共に、一定温度
の雰囲気中で粉体原料を微粉砕することができるため、
磁石原料の粉砕に際しては、粉砕された粉砕粒子の凝集
を防止することができ、磁石原料をきわめて効果的に微
粉砕することができる。
【００４２】なお、ガス噴射ノズル５５に対する高圧ガ
スの供給に際し、ガスチャンバ５２内の高圧ガスをガス
噴射ノズル５５に供給するようにしてもよい。
スの供給に際し、ガスチャンバ５２内の高圧ガスをガス
噴射ノズル５５に供給するようにしてもよい。
【００４３】実施の形態では、磁石原料の粉砕を例にと
って説明したが、粉砕の対象物は磁石原料に限定される
ものではない。また、実施の形態ではガスチャンバ内を
高温に保持する場合について述べたが、低温冷却に保持
することも可能である。
って説明したが、粉砕の対象物は磁石原料に限定される
ものではない。また、実施の形態ではガスチャンバ内を
高温に保持する場合について述べたが、低温冷却に保持
することも可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、この発明においては、ガ
スチャンバ内に所定温度の高圧ガスを供給することによ
って、インナハウジングの全体が均一に加熱されるた
め、インナハウジング内に設けられた粉砕室内の温度を
全体にわたって均一な一定の温度に保持することがで
き、粉砕室内の温度管理が容易であると共に、一定の温
度条件化で粉体原料の粉砕処理を行なうことができる。
スチャンバ内に所定温度の高圧ガスを供給することによ
って、インナハウジングの全体が均一に加熱されるた
め、インナハウジング内に設けられた粉砕室内の温度を
全体にわたって均一な一定の温度に保持することがで
き、粉砕室内の温度管理が容易であると共に、一定の温
度条件化で粉体原料の粉砕処理を行なうことができる。
【００４５】したがって、磁石原料の粉砕に際し、微粉
砕された微粒子の凝集を防止し、磁石原料をきわめて効
果的に粉砕処理することができる。
砕された微粒子の凝集を防止し、磁石原料をきわめて効
果的に粉砕処理することができる。
【図１】この発明に係る粉砕方法に使用する粉砕処理装
置の概略図
置の概略図
【図２】この発明に係る粉砕装置の実施の形態を示す縦
断正面図
断正面図
【図３】図２のIII −III 線に沿った断面図
【図４】この発明に係る粉砕装置の他の例を示す縦断正
面図
面図
１１ アウタハウジング
１２ ガスチャンバ
１３ インナハウジング
１４ 粉砕室
１６ 原料噴射ノズル
１７ ガス噴射ノズル
２２ 循環路
２４ 排出口
５０ アウタハウジング
５１ インナハウジング
５２ ガスチャンバ
５４ 粉砕室
５５ ガス噴射ノズル
５６ 原料噴射ノズル
６１ 排出口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 市南 幸哉
名張市八幡1300−80 日本ニューマチック
工業株式会社名張工場内
Ｆターム(参考） 4D067 CA02 CA05 GA01
Claims (4)
- 【請求項１】 アウタハウジング内にインナハウジング
を組み込んで、インナハウジングの外周囲に所定温度の
高圧ガスが供給されるガスチャンバを設け、前記インナ
ハウジングには、その内部に形成された粉砕室内に粉体
原料を供給する原料噴射ノズルと、ガスチャンバ内の高
圧ガスを粉砕室内に噴射するガス噴射ノズルとを設け、
前記インナハウジングには粉砕室内において粉砕された
粉砕粒子の排出口を形成した粉砕装置。 - 【請求項２】 前記粉砕室を円形とし、その円形粉砕室
内の中央部に粉砕粒子の排出口を設け、前記原料噴射ノ
ズルから噴射される粉体原料およびガス噴射ノズルから
噴射される高圧ガスを粉砕室内の外周接線方向に向けて
噴射させるようにした請求項１に記載の粉砕装置。 - 【請求項３】 前記ガスチャンバ内の高圧ガスを原料噴
射ノズルに供給する循環路を設けた請求項１又は２に記
載の粉砕装置。 - 【請求項４】 アウタハウジング内にガスチャンバが形
成され、そのガスチャンバ内に設けられたインナハウジ
ング内に粉砕室が形成された粉砕装置を用い、その粉砕
装置の前記ガスチャンバに対する所定温度の高圧ガスの
供給によりインナハウジングの全体を加熱して前記粉砕
室内を全体にわたり一定の温度に保ち、その粉砕室内に
粉体原料を供給し、かつガスチャンバ内の高圧ガスをガ
ス噴射ノズルにより粉砕室内に噴射して、その噴射ガス
との衝突により粉体原料を粉砕し、前記粉砕室に連通す
る排気口から吸引排出される粉砕粒子を冷却したのち、
捕集装置によって回収するようにした粉砕方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001311526A JP2003117426A (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 粉砕装置および粉砕方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001311526A JP2003117426A (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 粉砕装置および粉砕方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003117426A true JP2003117426A (ja) | 2003-04-22 |
| JP2003117426A5 JP2003117426A5 (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=19130347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001311526A Pending JP2003117426A (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 粉砕装置および粉砕方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003117426A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100673976B1 (ko) * | 2006-01-13 | 2007-01-24 | 이건의 | 선회류형 제트밀 |
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| JP2007330912A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Sudo Kikai Kogyo Kk | 超微小粒粉砕装置 |
| JP2008000657A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Sudo Kikai Kogyo Kk | 超微小粒粉砕装置 |
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| KR20180089959A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 내일테크놀로지 주식회사 | 공기 제트를 이용하여 제조된 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치 |
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-
2001
- 2001-10-09 JP JP2001311526A patent/JP2003117426A/ja active Pending
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