JP2003115503A - 高温処理部品の調整組立装置 - Google Patents
高温処理部品の調整組立装置Info
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- JP2003115503A JP2003115503A JP2001309698A JP2001309698A JP2003115503A JP 2003115503 A JP2003115503 A JP 2003115503A JP 2001309698 A JP2001309698 A JP 2001309698A JP 2001309698 A JP2001309698 A JP 2001309698A JP 2003115503 A JP2003115503 A JP 2003115503A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザチップ等の高温処理部品のよう
に高温処理により部品締結を行う際の各々の位置を熱揺
らぎなく高精度に調整できるよう実装時の位置検出が可
能な調整組立装置を提供する。 【解決手段】 ワークAと撮像手段5との間の空間を制
御環境として環境制御手段13により環境制御し、撮
像、画像処理及び位置検出を行わせることにより、ワー
クAに関して熱揺らぎのない高精度な画像処理による位
置検出ができる。特に、制御環境をチャンバ4を利用し
た真空状態とすることで、真空状態では、加熱手段2か
ら輻射熱を受ける気体が少ない状態であり、熱によって
揺らぐもの自体の存在が希薄となり、熱揺らぎが解消さ
れる。
に高温処理により部品締結を行う際の各々の位置を熱揺
らぎなく高精度に調整できるよう実装時の位置検出が可
能な調整組立装置を提供する。 【解決手段】 ワークAと撮像手段5との間の空間を制
御環境として環境制御手段13により環境制御し、撮
像、画像処理及び位置検出を行わせることにより、ワー
クAに関して熱揺らぎのない高精度な画像処理による位
置検出ができる。特に、制御環境をチャンバ4を利用し
た真空状態とすることで、真空状態では、加熱手段2か
ら輻射熱を受ける気体が少ない状態であり、熱によって
揺らぐもの自体の存在が希薄となり、熱揺らぎが解消さ
れる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザチッ
プやマイクロ光学部品等の部品を実装する場合のよう
に、はんだや共晶結合等の高温処理により部品締結を行
う高温処理部品の調整組立装置に関する。
プやマイクロ光学部品等の部品を実装する場合のよう
に、はんだや共晶結合等の高温処理により部品締結を行
う高温処理部品の調整組立装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体レーザチップを始めとする
高温処理により締結を行う部品の実装方位調整機構とし
ては、カメラ(撮像手段)で部品の外形や半導体レーザ
の場合には発光点を撮像しその画像情報から部品の方位
姿勢を調整する方式が一般的である。
高温処理により締結を行う部品の実装方位調整機構とし
ては、カメラ(撮像手段)で部品の外形や半導体レーザ
の場合には発光点を撮像しその画像情報から部品の方位
姿勢を調整する方式が一般的である。
【0003】この方式は、移動するテーブル上にワーク
(高温処理部品)を載置し、そのワークの上方にCCD
カメラを設置し、CCDカメラで撮像したワークの外形
全体の画像情報や発光点の画像情報からワークの位置と
姿勢とを検出して、基準位置からのワークのずれ量を算
出し、そのずれ量がなくなるようにテーブルを移動し、
ワークの方位姿勢を調整するものである。
(高温処理部品)を載置し、そのワークの上方にCCD
カメラを設置し、CCDカメラで撮像したワークの外形
全体の画像情報や発光点の画像情報からワークの位置と
姿勢とを検出して、基準位置からのワークのずれ量を算
出し、そのずれ量がなくなるようにテーブルを移動し、
ワークの方位姿勢を調整するものである。
【0004】ところが、はんだや共晶結合等の高温処理
を伴なうプロセスを対象とする部品締結の場合を想定す
ると、高温処理に伴ない、ワーク近傍の気体温度を上昇
させ、周囲温度との間に温度差が発生してしまう。
を伴なうプロセスを対象とする部品締結の場合を想定す
ると、高温処理に伴ない、ワーク近傍の気体温度を上昇
させ、周囲温度との間に温度差が発生してしまう。
【0005】この結果、上述したような実装方位調整機
構を用いて画像の撮像を行うと、ワークとCCDカメラ
(撮像手段)との間でこの温度差のある気体が影響し合
い、“熱揺らぎ”という現象が発生してしまう。このよ
うな熱揺らぎ現象を発生している気体を通して撮像した
画像は、一定の画像とはならず、撮像タイミングにより
検出位置が変化してしまう。
構を用いて画像の撮像を行うと、ワークとCCDカメラ
(撮像手段)との間でこの温度差のある気体が影響し合
い、“熱揺らぎ”という現象が発生してしまう。このよ
うな熱揺らぎ現象を発生している気体を通して撮像した
画像は、一定の画像とはならず、撮像タイミングにより
検出位置が変化してしまう。
【0006】この点について、はんだや共晶結合等の高
温処理により部品締結を行う図3に示すような調整組立
装置の例で説明する。図3は、ワークBに対してワーク
Aをアライメント手段100により位置調整した後、加
熱手段101によりワークA,B間に挟持される面に設
けられた高温処理材料102を加熱して液化させ、その
後、冷却して固体化することにより部品(ワークA,
B)の調整と接合が完了する構成である。
温処理により部品締結を行う図3に示すような調整組立
装置の例で説明する。図3は、ワークBに対してワーク
Aをアライメント手段100により位置調整した後、加
熱手段101によりワークA,B間に挟持される面に設
けられた高温処理材料102を加熱して液化させ、その
後、冷却して固体化することにより部品(ワークA,
B)の調整と接合が完了する構成である。
【0007】ちなみに、ワークBとワークAとの相対的
な関係は、図4に示すように幾つか考えられるが、ここ
では、アライメント対象のワーク(この場合、ワーク
A)に関して、把持(吸着)面と観察面(発光面若しく
はアライメントマーク面)が同一でない場合を考えてい
る。図4では、ワークAが半導体レーザチップの例を示
しており、103が発光点、104が把持面を示してい
る。ワークA,B間の相対位置については、図4(b)
を図3に用いているが、もちろん図4(a)の場合やそ
の他の場合でも同じことであるので、代表例としてこの
相対位置関係を使用した。
な関係は、図4に示すように幾つか考えられるが、ここ
では、アライメント対象のワーク(この場合、ワーク
A)に関して、把持(吸着)面と観察面(発光面若しく
はアライメントマーク面)が同一でない場合を考えてい
る。図4では、ワークAが半導体レーザチップの例を示
しており、103が発光点、104が把持面を示してい
る。ワークA,B間の相対位置については、図4(b)
を図3に用いているが、もちろん図4(a)の場合やそ
の他の場合でも同じことであるので、代表例としてこの
相対位置関係を使用した。
【0008】図3に示す構成でワークAの位置調整する
場合、少なくとも加熱時には加熱手段101が高温とな
り、ワークBに伝熱し、その近傍の気体に輻射し、気体
の温度も上昇させる。位置調整の基準となる撮像手段1
05はワーク観察面を撮像できる位置に設けてあり、そ
の撮像手段105とワーク観察面との間の空間が熱揺ら
ぎ発生空間106となり、温度が上昇した気体と常温に
近い気体が混じり合い熱揺らぎが発生する。
場合、少なくとも加熱時には加熱手段101が高温とな
り、ワークBに伝熱し、その近傍の気体に輻射し、気体
の温度も上昇させる。位置調整の基準となる撮像手段1
05はワーク観察面を撮像できる位置に設けてあり、そ
の撮像手段105とワーク観察面との間の空間が熱揺ら
ぎ発生空間106となり、温度が上昇した気体と常温に
近い気体が混じり合い熱揺らぎが発生する。
【0009】この現象が、部品接合の瞬間だけに発生す
るのであれば、問題は小さい。しかし実際には、タクト
の問題から位置調整(アライメント)する間にも加熱手
段101をある程度の高温に保っておく必要があり、ワ
ーク位置検出のための画像撮像時にもこの現象が発生
し、撮像手段105の撮像による位置検出精度が劣化し
てしまう。かといって、部品接合のための高温処理の時
のみに加熱手段101を動作させ、次の位置調整は、加
熱手段101や周囲気体温度が常温になるまで待って行
う、という工程を繰返すのではタクト的に実用的ではな
い。
るのであれば、問題は小さい。しかし実際には、タクト
の問題から位置調整(アライメント)する間にも加熱手
段101をある程度の高温に保っておく必要があり、ワ
ーク位置検出のための画像撮像時にもこの現象が発生
し、撮像手段105の撮像による位置検出精度が劣化し
てしまう。かといって、部品接合のための高温処理の時
のみに加熱手段101を動作させ、次の位置調整は、加
熱手段101や周囲気体温度が常温になるまで待って行
う、という工程を繰返すのではタクト的に実用的ではな
い。
【0010】このような課題に対して、実際の製造装置
等で施されている熱揺らぎの対策は、高温で処理するワ
ークとそのワークを撮像する光学系との距離を極力短く
し、熱によって揺らぐ空気層を薄くするようにしてい
る。撮像光学系には熱補償をハード的、ソフト的に施し
ているものもある。
等で施されている熱揺らぎの対策は、高温で処理するワ
ークとそのワークを撮像する光学系との距離を極力短く
し、熱によって揺らぐ空気層を薄くするようにしてい
る。撮像光学系には熱補償をハード的、ソフト的に施し
ているものもある。
【0011】ちなみに、特開2000−299501公
報例によれば、LEDチップの実装についてこの熱揺ら
ぎのない撮像を可能とする構成が提案されている。その
構成及びプロセスは、ボンディング前に、光透過性支持
部材に設けられた保持部(コレット)により発光素子発
光方向から保持された状態で、この発光素子の発光部が
発光され、光透過性支持部材を通して発光素子の発光状
態が撮像される。次に、撮像された発光状態に基づい
て、発光素子の発光中心位置が認識され、ボンディング
処理がなされるものである。この場合、発光素子と撮像
手段との間には高温処理による熱揺らぎの発生する空間
が無いことになる。
報例によれば、LEDチップの実装についてこの熱揺ら
ぎのない撮像を可能とする構成が提案されている。その
構成及びプロセスは、ボンディング前に、光透過性支持
部材に設けられた保持部(コレット)により発光素子発
光方向から保持された状態で、この発光素子の発光部が
発光され、光透過性支持部材を通して発光素子の発光状
態が撮像される。次に、撮像された発光状態に基づい
て、発光素子の発光中心位置が認識され、ボンディング
処理がなされるものである。この場合、発光素子と撮像
手段との間には高温処理による熱揺らぎの発生する空間
が無いことになる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところが、同公報例
は、LEDチップのような発光面と把持(吸着)面とが
同一方向である特殊な場合に限られ、半導体レーザチッ
プ等のように発光面と把持(吸着面)とが同一でないよ
うな一般的な構成には適用することができない。
は、LEDチップのような発光面と把持(吸着)面とが
同一方向である特殊な場合に限られ、半導体レーザチッ
プ等のように発光面と把持(吸着面)とが同一でないよ
うな一般的な構成には適用することができない。
【0013】そこで、本発明は、半導体レーザチップや
マイクロ光学部品等の高温処理部品を実装する場合のよ
うに、高温処理により部品締結を行う際の各々の位置を
熱揺らぎなく高精度に調整できるよう実装時の位置検出
が可能な高温処理部品の調整組立装置を提供することを
目的とする。
マイクロ光学部品等の高温処理部品を実装する場合のよ
うに、高温処理により部品締結を行う際の各々の位置を
熱揺らぎなく高精度に調整できるよう実装時の位置検出
が可能な高温処理部品の調整組立装置を提供することを
目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
周囲環境温度よりも高い温度を帯び、若しくは、高い温
度で処理する第1の高温処理部品を、撮像手段により撮
像しその画像処理により第2の高温処理部品に対する位
置検出を行い、前記第2の高温処理部品に対する前記第
1の高温処理部品の位置を調整して組立てる高温処理部
品の調整組立装置において、前記第1の高温処理部品と
前記撮像手段との間の空間を制御環境としてその環境の
制御を行う環境制御手段を備え、前記環境制御手段によ
り制御された制御環境下で前記撮像手段による撮像、そ
の画像処理及び位置検出を行わせるようにした。
周囲環境温度よりも高い温度を帯び、若しくは、高い温
度で処理する第1の高温処理部品を、撮像手段により撮
像しその画像処理により第2の高温処理部品に対する位
置検出を行い、前記第2の高温処理部品に対する前記第
1の高温処理部品の位置を調整して組立てる高温処理部
品の調整組立装置において、前記第1の高温処理部品と
前記撮像手段との間の空間を制御環境としてその環境の
制御を行う環境制御手段を備え、前記環境制御手段によ
り制御された制御環境下で前記撮像手段による撮像、そ
の画像処理及び位置検出を行わせるようにした。
【0015】従って、第1の高温処理部品と撮像手段と
の間の空間を制御環境として環境制御手段により環境制
御し、撮像、画像処理及び位置検出を行わせることによ
り、第1の高温処理部品に関して熱揺らぎのない高精度
な画像処理による位置検出ができる。
の間の空間を制御環境として環境制御手段により環境制
御し、撮像、画像処理及び位置検出を行わせることによ
り、第1の高温処理部品に関して熱揺らぎのない高精度
な画像処理による位置検出ができる。
【0016】請求項2記載の発明は、請求項1記載の高
温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手段
は、前記制御環境を真空状態とする。
温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手段
は、前記制御環境を真空状態とする。
【0017】従って、真空状態(低真空〜高真空)で
は、加熱手段から輻射熱を受ける気体が少ない(究極的
には無い)状態であり、熱によって揺らぐもの自体の存
在が希薄となり、熱揺らぎが解消される。
は、加熱手段から輻射熱を受ける気体が少ない(究極的
には無い)状態であり、熱によって揺らぐもの自体の存
在が希薄となり、熱揺らぎが解消される。
【0018】請求項3記載の発明は、請求項2記載の高
温処理部品の調整組立装置において、共晶、はんだ等の
高温処理により部品締結する当該調整組立装置のワーク
加熱部を含むワーク台と、位置調整の対象となる前記第
1の高温処理部品を第1のワークとして把持しつつ第2
の高温処理部品としての第2のワークに対して位置調整
をするアライメント手段とが前記環境制御手段により環
境制御されたチャンバ内に設けられ、前記撮像手段は前
記チャンバ内部の前記第1のワークを撮像するようにし
た。
温処理部品の調整組立装置において、共晶、はんだ等の
高温処理により部品締結する当該調整組立装置のワーク
加熱部を含むワーク台と、位置調整の対象となる前記第
1の高温処理部品を第1のワークとして把持しつつ第2
の高温処理部品としての第2のワークに対して位置調整
をするアライメント手段とが前記環境制御手段により環
境制御されたチャンバ内に設けられ、前記撮像手段は前
記チャンバ内部の前記第1のワークを撮像するようにし
た。
【0019】従って、より具体的な構成として、共晶及
びはんだ等の高温処理により部品締結する当該調整組立
装置のワーク加熱部を含んだワーク台と位置調整の対象
となる第1の高温処理部品を第1のワークとして把持し
つつ位置調整するアライメント手段とが環境制御された
チャンバ内に設けられ、チャンバ内部の第1のワークを
撮像する撮像手段を持つことにより、熱揺らぎを回避で
き、高温処理により部品締結するワークの高精度な調整
組立が可能となる。
びはんだ等の高温処理により部品締結する当該調整組立
装置のワーク加熱部を含んだワーク台と位置調整の対象
となる第1の高温処理部品を第1のワークとして把持し
つつ位置調整するアライメント手段とが環境制御された
チャンバ内に設けられ、チャンバ内部の第1のワークを
撮像する撮像手段を持つことにより、熱揺らぎを回避で
き、高温処理により部品締結するワークの高精度な調整
組立が可能となる。
【0020】請求項4記載の発明は、請求項3記載の高
温処理部品の調整組立装置において、環境制御された前
記チャンバは、前記ワーク台と前記アライメント手段と
を有する調整組立室と、外部との間及び前記調整組立室
との間で前記ワークの授受が可能なワーク供給・排出用
ステーションを有する少なくとも1つ以上のロードロッ
ク室とを備え、各々の室毎に前記環境制御手段を設け
た。
温処理部品の調整組立装置において、環境制御された前
記チャンバは、前記ワーク台と前記アライメント手段と
を有する調整組立室と、外部との間及び前記調整組立室
との間で前記ワークの授受が可能なワーク供給・排出用
ステーションを有する少なくとも1つ以上のロードロッ
ク室とを備え、各々の室毎に前記環境制御手段を設け
た。
【0021】従って、このように環境制御されたチャン
バでは、ワーク調整組立室においてアライメント手段が
ワークの位置を調整し加熱冷却によりワーク同士を締結
している間に、ロードロック室のワーク供給・排出用ス
テーションに次のワークを供給し、環境を制御するプロ
セスを進行させることにより、環境制御プロセスを進行
させる時間が実効的なタクトには寄与せず、環境制御し
ない場合と同様の効率的な工程タクトを実現できる。
バでは、ワーク調整組立室においてアライメント手段が
ワークの位置を調整し加熱冷却によりワーク同士を締結
している間に、ロードロック室のワーク供給・排出用ス
テーションに次のワークを供給し、環境を制御するプロ
セスを進行させることにより、環境制御プロセスを進行
させる時間が実効的なタクトには寄与せず、環境制御し
ない場合と同様の効率的な工程タクトを実現できる。
【0022】請求項5記載の発明は、請求項3又は4記
載の高温処理部品の調整組立装置において、前記ワーク
同士を位置調整する際に、前記第2のワークを共晶温度
以上に上昇させておき、前記ワーク間に微小空間を空け
た状態で位置調整完了後、前記ワーク同士を互いに接触
させ、共晶材料を一旦共晶温度以上とさせた後、互いの
ワーク温度差により前記共晶材料を共晶温度以下として
固体化させることで前記ワーク同士を締結組立するシー
ケンス制御手段を備える。
載の高温処理部品の調整組立装置において、前記ワーク
同士を位置調整する際に、前記第2のワークを共晶温度
以上に上昇させておき、前記ワーク間に微小空間を空け
た状態で位置調整完了後、前記ワーク同士を互いに接触
させ、共晶材料を一旦共晶温度以上とさせた後、互いの
ワーク温度差により前記共晶材料を共晶温度以下として
固体化させることで前記ワーク同士を締結組立するシー
ケンス制御手段を備える。
【0023】従って、ワーク同士を位置調整する際に、
第2のワークを共晶温度以上に上昇させておき、ワーク
間に微小空間を空けた状態で位置調整完了後、ワーク同
士を互いに接触させ、冷却手段無しに第1のワークの伝
熱速度を利用して第2のワークとの境界面にある共晶材
料が、一旦共晶温度以上に局部的に温められ、その後、
第1のワーク全体の温度が均一化され、共晶材料の温度
を共晶点以下として固体化させることで品締結をするこ
とにより、冷却手段も無く、熱的にも効率的な高温処理
による部品締結が可能となる。
第2のワークを共晶温度以上に上昇させておき、ワーク
間に微小空間を空けた状態で位置調整完了後、ワーク同
士を互いに接触させ、冷却手段無しに第1のワークの伝
熱速度を利用して第2のワークとの境界面にある共晶材
料が、一旦共晶温度以上に局部的に温められ、その後、
第1のワーク全体の温度が均一化され、共晶材料の温度
を共晶点以下として固体化させることで品締結をするこ
とにより、冷却手段も無く、熱的にも効率的な高温処理
による部品締結が可能となる。
【0024】請求項6記載の発明は、請求項5記載の高
温処理部品の調整組立装置において、前記アライメント
手段は前記第1のワークに対する冷却手段を備え、前記
シーケンス制御手段は、位置調整後前記ワーク同士の接
触時に前記アライメント手段により保持されている前記
第1のワークを前記冷却手段により冷却させる。
温処理部品の調整組立装置において、前記アライメント
手段は前記第1のワークに対する冷却手段を備え、前記
シーケンス制御手段は、位置調整後前記ワーク同士の接
触時に前記アライメント手段により保持されている前記
第1のワークを前記冷却手段により冷却させる。
【0025】従って、アライメント手段に冷却手段を備
え、位置調整後ワーク同士の接触時にアライメント手段
にて保持している第1のワークを冷却し、共晶材料の共
晶温度以下への降下を促進することにより、共晶材料が
共晶温度以上から以下へと降下する時間が速くなり、高
速な部品締結が可能となる。また、加熱手段からの冷却
よりも熱的に効率化できる。
え、位置調整後ワーク同士の接触時にアライメント手段
にて保持している第1のワークを冷却し、共晶材料の共
晶温度以下への降下を促進することにより、共晶材料が
共晶温度以上から以下へと降下する時間が速くなり、高
速な部品締結が可能となる。また、加熱手段からの冷却
よりも熱的に効率化できる。
【0026】請求項7記載の発明は、請求項1ないし6
の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置におい
て、前記アライメント手段が微小変位空圧アクチュエー
タである。
の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置におい
て、前記アライメント手段が微小変位空圧アクチュエー
タである。
【0027】従って、アライメント手段として潤滑油等
の油分を必要とする直動ガイド等を持たない微小変位空
圧アクチュエータを使用することにより、真空中での高
精度な位置調整が可能となる。
の油分を必要とする直動ガイド等を持たない微小変位空
圧アクチュエータを使用することにより、真空中での高
精度な位置調整が可能となる。
【0028】請求項8記載の発明は、請求項1ないし6
の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置におい
て、前記アライメント手段が微小変位ピエゾアクチュエ
ータである。
の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置におい
て、前記アライメント手段が微小変位ピエゾアクチュエ
ータである。
【0029】従って、アライメント手段として潤滑油等
の油分を必要とする直動ガイド等を持たない微小変位ピ
エゾアクチュエータを使用することにより、真空中での
高精度な位置調整が可能となる。
の油分を必要とする直動ガイド等を持たない微小変位ピ
エゾアクチュエータを使用することにより、真空中での
高精度な位置調整が可能となる。
【0030】請求項9記載の発明は、請求項1ないし8
の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置におい
て、前記環境制御手段は、前記制御環境として、その環
境内の気体の温度を均一状態に制御する。
の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置におい
て、前記環境制御手段は、前記制御環境として、その環
境内の気体の温度を均一状態に制御する。
【0031】従って、制御環境として、その環境内の気
体の温度を均一状態に制御することにより、第1の高温
処理部品に関して熱揺らぎのない高精度な画像処理によ
る位置検出ができる。
体の温度を均一状態に制御することにより、第1の高温
処理部品に関して熱揺らぎのない高精度な画像処理によ
る位置検出ができる。
【0032】請求項10記載の発明は、請求項9記載の
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理により発生する周囲環境との気体温度差
を相殺して前記制御環境内の温度を均一状態にする気体
攪拌手段を備える。
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理により発生する周囲環境との気体温度差
を相殺して前記制御環境内の温度を均一状態にする気体
攪拌手段を備える。
【0033】従って、ワーク高温処理により発生する周
囲環境との気体温度差を相殺し、制御環境内の温度を気
体攪拌手段により均一状態にすることにより、均一温度
へのプロセスを促進することができる。
囲環境との気体温度差を相殺し、制御環境内の温度を気
体攪拌手段により均一状態にすることにより、均一温度
へのプロセスを促進することができる。
【0034】請求項11記載の発明は、請求項9記載の
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理により発生する周囲環境との気体温度差
を相殺して前記制御環境内の温度を均一状態にする気体
流速発生手段を備える。
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理により発生する周囲環境との気体温度差
を相殺して前記制御環境内の温度を均一状態にする気体
流速発生手段を備える。
【0035】従って、気体流速発生手段により高温気体
を制御環境空間から排除することで、ワーク高温処理に
より発生する周囲環境との気体温度差を相殺し、制御環
境内の温度を均一状態にすることにより、均一温度への
プロセスを促進することができる。
を制御環境空間から排除することで、ワーク高温処理に
より発生する周囲環境との気体温度差を相殺し、制御環
境内の温度を均一状態にすることにより、均一温度への
プロセスを促進することができる。
【0036】請求項12記載の発明は、請求項9記載の
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理により発生する周囲環境との気体温度差
を相殺して前記制御環境内の温度を均一状態にする気体
吸入手段を備える。
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理により発生する周囲環境との気体温度差
を相殺して前記制御環境内の温度を均一状態にする気体
吸入手段を備える。
【0037】従って、気体吸入手段により高温気体を制
御環境空間から排除することで、ワーク高温処理により
発生する周囲環境との気体温度差を相殺し、制御環境内
の温度を均一状態にすることにより、均一温度へのプロ
セスを促進することができる。
御環境空間から排除することで、ワーク高温処理により
発生する周囲環境との気体温度差を相殺し、制御環境内
の温度を均一状態にすることにより、均一温度へのプロ
セスを促進することができる。
【0038】請求項13記載の発明は、請求項9記載の
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理時の周囲環境との温度の均一性を保持す
る気体加熱保温手段を備える。
高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制御手
段は、高温処理時の周囲環境との温度の均一性を保持す
る気体加熱保温手段を備える。
【0039】従って、気体加熱保温手段を設けて、高温
処理時の周囲環境との温度均一性を保持することによ
り、周囲気体温度を加熱手段と近い温度(但し、共晶温
度以下)にし、加熱手段から輻射熱を受けた気体との温
度差を小さくすることで、制御環境内の気体の均一温度
へのプロセスを促進することができる。
処理時の周囲環境との温度均一性を保持することによ
り、周囲気体温度を加熱手段と近い温度(但し、共晶温
度以下)にし、加熱手段から輻射熱を受けた気体との温
度差を小さくすることで、制御環境内の気体の均一温度
へのプロセスを促進することができる。
【0040】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1及び
図2に基づいて説明する。本実施の形態は、第1の高温
処理部品としてのワークAを第2の高温処理部品として
のワークBに対してはんだや共晶結合等の高温処理をす
るプロセス(周囲環境温度よりも高い温度を帯び、若し
くは、高い温度で処理するプロセス)を伴ない、位置調
整をし、部品締結する調整組立装置への適用例を示す。
ワークAは例えば図4に示したような半導体レーザチッ
プであり、ワークBに対する位置調整、即ち、ワーク
A,Bの相対的な関係は、図4に示した場合に準ずるも
のとする。
図2に基づいて説明する。本実施の形態は、第1の高温
処理部品としてのワークAを第2の高温処理部品として
のワークBに対してはんだや共晶結合等の高温処理をす
るプロセス(周囲環境温度よりも高い温度を帯び、若し
くは、高い温度で処理するプロセス)を伴ない、位置調
整をし、部品締結する調整組立装置への適用例を示す。
ワークAは例えば図4に示したような半導体レーザチッ
プであり、ワークBに対する位置調整、即ち、ワーク
A,Bの相対的な関係は、図4に示した場合に準ずるも
のとする。
【0041】本実施の形態の調整組立装置は、ワーク加
熱部としての加熱手段1を含むワーク台2と、位置調整
の対象となるワークAを把持しながらワークBに対して
位置調整するアライメント手段3とがチャンバ4内に設
けられ、このチャンバ4内のワークAを撮像するCCD
カメラ等による撮像手段5が設けられている。ここに、
アライメント手段3はX軸、Y軸、Z軸、θ軸の各軸方
向のアクチュエータ6,7,8,9及びワーク保持手段
10により構成されている。もっとも、アクチュエータ
はX軸、Y軸、Z軸、θ軸に限らず、必要に応じてα軸
やβ軸の煽り機能や部品の倣い機能を具備してもよい。
熱部としての加熱手段1を含むワーク台2と、位置調整
の対象となるワークAを把持しながらワークBに対して
位置調整するアライメント手段3とがチャンバ4内に設
けられ、このチャンバ4内のワークAを撮像するCCD
カメラ等による撮像手段5が設けられている。ここに、
アライメント手段3はX軸、Y軸、Z軸、θ軸の各軸方
向のアクチュエータ6,7,8,9及びワーク保持手段
10により構成されている。もっとも、アクチュエータ
はX軸、Y軸、Z軸、θ軸に限らず、必要に応じてα軸
やβ軸の煽り機能や部品の倣い機能を具備してもよい。
【0042】チャンバ4は、加熱手段1(ワーク台2)
やアライメント手段3を備える調整組立室11と、1つ
(若しくは、それ以上)のロードロック室12とを備
え、各々の室11,12毎に環境制御手段13,14が
設けられており、チャンバ4内(室11,12内)は環
境制御されている。本実施の形態では、特にアライメン
ト手段3により保持されたワークAと撮像手段5との間
の空間を制御環境とし、この環境を含む調整組立室11
内の環境を環境制御手段13により制御するものであ
る。ここに、調整組立室11とロードロック室12とは
ドア15により連通可能であって、各々のトレイ17,
18からワークA,Bの供給・排出が可能とされてい
る。また、ロードロック室12と外部との間はドア16
により連通可能であって、ワークA,Bの供給・排出が
可能とされている。ロードロック室12内には搬送手段
によって供給されるワークを受け取り、アライメント手
段3を介して調整組立室11に供給させたり、逆に、調
整組立済みのワークをアライメント手段3により調整組
立室11から受け取り、外部完成品トレイ19に排出さ
せるためのワーク供給・排出用ステーション20を備え
ている。なお、ドア15,16は同時に開放されないよ
うに開閉制御される。即ち、外部と調整組立室11とが
直接連通することはない。
やアライメント手段3を備える調整組立室11と、1つ
(若しくは、それ以上)のロードロック室12とを備
え、各々の室11,12毎に環境制御手段13,14が
設けられており、チャンバ4内(室11,12内)は環
境制御されている。本実施の形態では、特にアライメン
ト手段3により保持されたワークAと撮像手段5との間
の空間を制御環境とし、この環境を含む調整組立室11
内の環境を環境制御手段13により制御するものであ
る。ここに、調整組立室11とロードロック室12とは
ドア15により連通可能であって、各々のトレイ17,
18からワークA,Bの供給・排出が可能とされてい
る。また、ロードロック室12と外部との間はドア16
により連通可能であって、ワークA,Bの供給・排出が
可能とされている。ロードロック室12内には搬送手段
によって供給されるワークを受け取り、アライメント手
段3を介して調整組立室11に供給させたり、逆に、調
整組立済みのワークをアライメント手段3により調整組
立室11から受け取り、外部完成品トレイ19に排出さ
せるためのワーク供給・排出用ステーション20を備え
ている。なお、ドア15,16は同時に開放されないよ
うに開閉制御される。即ち、外部と調整組立室11とが
直接連通することはない。
【0043】このような構成において、環境制御された
チャンバ4では、調整組立室11にてアライメント手段
3がワークAの位置を調整し、はんだや共晶材料等の高
温処理材料21を加熱冷却して部品締結している間に、
ロードロック室12に次のワークを供給し、環境を制御
するプロセスを進行させ、調整組立室11での調整組立
が完了した時にはロードロック室12には次のワークが
あり、環境制御も完了している状態とする。そして、完
成品と次のワークとを互いの室11,12で交換し、調
整組立室11ではアライメント・部品締結を実施し、ロ
ードロック室12ではドア16を開放させて外部と連通
し、完成品と次ワークを搬送手段により、各々移載し
て、ドア16を閉めた後、環境制御プロセスを進める。
チャンバ4では、調整組立室11にてアライメント手段
3がワークAの位置を調整し、はんだや共晶材料等の高
温処理材料21を加熱冷却して部品締結している間に、
ロードロック室12に次のワークを供給し、環境を制御
するプロセスを進行させ、調整組立室11での調整組立
が完了した時にはロードロック室12には次のワークが
あり、環境制御も完了している状態とする。そして、完
成品と次のワークとを互いの室11,12で交換し、調
整組立室11ではアライメント・部品締結を実施し、ロ
ードロック室12ではドア16を開放させて外部と連通
し、完成品と次ワークを搬送手段により、各々移載し
て、ドア16を閉めた後、環境制御プロセスを進める。
【0044】この際、本実施の形態では、環境制御を気
体の圧力が低い状態、即ち、真空状態とするものであ
り、チャンバ4は真空チャンバとして構成され、環境制
御手段13,14は負圧発生手段により構成されてい
る。
体の圧力が低い状態、即ち、真空状態とするものであ
り、チャンバ4は真空チャンバとして構成され、環境制
御手段13,14は負圧発生手段により構成されてい
る。
【0045】このような真空状態(低真空〜高真空)で
は、加熱手段2から輻射熱を受ける気体が少ない(究極
的には無い)状態であり、熱によって揺らぐもの自体の
存在が希薄となり、制御空間における熱揺らぎが解消さ
れる。この結果、ワークAの位置調整のために撮像手段
5により撮像を行う場合、ワークAと撮像手段5との間
で熱揺らぎ現象の影響を受けないため、撮像した画像
は、一定の画像となり、その撮像タイミングによらず検
出位置に変化を生ずることがなく、高精度な位置検出が
可能となる。
は、加熱手段2から輻射熱を受ける気体が少ない(究極
的には無い)状態であり、熱によって揺らぐもの自体の
存在が希薄となり、制御空間における熱揺らぎが解消さ
れる。この結果、ワークAの位置調整のために撮像手段
5により撮像を行う場合、ワークAと撮像手段5との間
で熱揺らぎ現象の影響を受けないため、撮像した画像
は、一定の画像となり、その撮像タイミングによらず検
出位置に変化を生ずることがなく、高精度な位置検出が
可能となる。
【0046】このように、ワークAと撮像手段5との間
の空間を制御環境として環境制御手段13により環境制
御し、撮像手段5による撮像、画像処理及び位置検出を
行わせることにより、加熱手段1による加熱条件下にあ
っても、ワークAに関して熱揺らぎのない高精度な画像
処理による位置検出ができる。
の空間を制御環境として環境制御手段13により環境制
御し、撮像手段5による撮像、画像処理及び位置検出を
行わせることにより、加熱手段1による加熱条件下にあ
っても、ワークAに関して熱揺らぎのない高精度な画像
処理による位置検出ができる。
【0047】ところで、本実施の形態において、図2を
参照して、部品(ワークA,B)締結時の加熱手段1の
オン・オフと部品(ワークA,B)温度プロファイルと
の好ましい関係及びその制御例について説明する。
参照して、部品(ワークA,B)締結時の加熱手段1の
オン・オフと部品(ワークA,B)温度プロファイルと
の好ましい関係及びその制御例について説明する。
【0048】ワークA,B同士を位置調整させる際に、
まず、ワークBを加熱手段1を含むワーク台2に載置
し、加熱手段1を図2中のhからiの間ONすること
で、ワークBの温度は常温のdから共晶温度以上のeま
で上昇させておく。制御環境が理想的な真空である場合
は空間への放熱がなくワークBの温度はeからfの間保
たれる。理想的真空でない場合や、他の構造物への伝熱
がある場合はeの温度をfまで制御することとなる。
まず、ワークBを加熱手段1を含むワーク台2に載置
し、加熱手段1を図2中のhからiの間ONすること
で、ワークBの温度は常温のdから共晶温度以上のeま
で上昇させておく。制御環境が理想的な真空である場合
は空間への放熱がなくワークBの温度はeからfの間保
たれる。理想的真空でない場合や、他の構造物への伝熱
がある場合はeの温度をfまで制御することとなる。
【0049】ワークA,B同士の位置調整をf(ワーク
Aではa)までにワークA,B間に微小空間を空けた状
態で完了させる。ワークA,B間の微小空間により、ワ
ークAに対しても真空の場合は、ワークBの加温による
熱の影響を受けることなく、ワークAは常温を保つ。も
ちろん、この時の位置検出用の撮像手段5による撮像に
関しても、上述のように、気体が希薄であり、熱揺らぎ
現象が解消された撮像が可能である。
Aではa)までにワークA,B間に微小空間を空けた状
態で完了させる。ワークA,B間の微小空間により、ワ
ークAに対しても真空の場合は、ワークBの加温による
熱の影響を受けることなく、ワークAは常温を保つ。も
ちろん、この時の位置検出用の撮像手段5による撮像に
関しても、上述のように、気体が希薄であり、熱揺らぎ
現象が解消された撮像が可能である。
【0050】その後、ワークA,Bを互いに接触させ
る。高温処理材料(共晶材料)21を含んだワークAは
ワークBからの伝熱でaからbまで昇温し、共晶材料2
1は液化する。その後、冷却手段により温度を共晶温度
以下のcまで降下させ、共晶材料21を固体化させるこ
とで、ワークA,Bを締結する。ワークBはgまで温度
が降下する。
る。高温処理材料(共晶材料)21を含んだワークAは
ワークBからの伝熱でaからbまで昇温し、共晶材料2
1は液化する。その後、冷却手段により温度を共晶温度
以下のcまで降下させ、共晶材料21を固体化させるこ
とで、ワークA,Bを締結する。ワークBはgまで温度
が降下する。
【0051】このようなシーケンス制御は、当該組立調
整装置全体の制御を受け持つマイクロコンピュータ構成
のコントローラにおいて、シーケンス制御手段の機能と
して実行される。
整装置全体の制御を受け持つマイクロコンピュータ構成
のコントローラにおいて、シーケンス制御手段の機能と
して実行される。
【0052】冷却手段無しにワークAの伝熱速度を利用
して高温処理部品(この場合、ワークB)との境界面に
ある高温処理材料21が、一旦共晶温度以上に局部的に
温められ、その後、ワークA全体の温度が均一化され、
高温処理材料21の温度が共晶点以下になれば非常に良
い。それ以外の場合は、上記のように共晶温度以下に冷
却する冷却手段が必要であるが、このためには、アライ
メント手段3に冷却手段(図示せず)を具備し、ワーク
Aを冷却して高温処理材料21の共晶温度以下への降下
を促進する方法が効率的である。
して高温処理部品(この場合、ワークB)との境界面に
ある高温処理材料21が、一旦共晶温度以上に局部的に
温められ、その後、ワークA全体の温度が均一化され、
高温処理材料21の温度が共晶点以下になれば非常に良
い。それ以外の場合は、上記のように共晶温度以下に冷
却する冷却手段が必要であるが、このためには、アライ
メント手段3に冷却手段(図示せず)を具備し、ワーク
Aを冷却して高温処理材料21の共晶温度以下への降下
を促進する方法が効率的である。
【0053】また、真空中での微小高精度位置決めが要
求されるアライメント手段3としては、潤滑油等の油分
を必要とする直動ガイド等を持たない微小変位空圧(エ
ア)アクチュエータや微小変位ピエゾ(圧電素子)アク
チュエータを使用すると良い。
求されるアライメント手段3としては、潤滑油等の油分
を必要とする直動ガイド等を持たない微小変位空圧(エ
ア)アクチュエータや微小変位ピエゾ(圧電素子)アク
チュエータを使用すると良い。
【0054】また、環境制御手段13,14により制御
された制御環境としては、その環境内の気体の温度を均
一状態とする制御例であってもよい。気体がある場合で
も、撮像のタイミングに、撮像手段5とワークAの観察
面との間の制御空間に温度の著しく違う空気が共存しな
ければ熱揺らぎ現象も発生しない。そこで、具体的に
は、強制的な手段を設けて、空間の気体温度を制御して
やれば良い。
された制御環境としては、その環境内の気体の温度を均
一状態とする制御例であってもよい。気体がある場合で
も、撮像のタイミングに、撮像手段5とワークAの観察
面との間の制御空間に温度の著しく違う空気が共存しな
ければ熱揺らぎ現象も発生しない。そこで、具体的に
は、強制的な手段を設けて、空間の気体温度を制御して
やれば良い。
【0055】この気体温度を均一状態にする手段とし
て、例えば、気体攪拌手段(図示せず)を設けてもよ
い。気体攪拌により、均一温度へのプロセスを促進す
る。気体攪拌手段に代えて、制御環境の空間に向けた気
体流を発生させる気体流速発生手段(図示せず)を設け
ることで、高温気体をこの空間から排除するようにして
もよく、逆に、気体吸入手段(図示せず)を設けて高温
気体をこの空間から排除するようにしてもよい。
て、例えば、気体攪拌手段(図示せず)を設けてもよ
い。気体攪拌により、均一温度へのプロセスを促進す
る。気体攪拌手段に代えて、制御環境の空間に向けた気
体流を発生させる気体流速発生手段(図示せず)を設け
ることで、高温気体をこの空間から排除するようにして
もよく、逆に、気体吸入手段(図示せず)を設けて高温
気体をこの空間から排除するようにしてもよい。
【0056】また、ワーク高温処理時の周囲環境との温
度均一性を保持するために、気体加熱保温手段(図示せ
ず)を設け、周囲気体温度を加熱手段1と近い温度(但
し、共晶温度以下)にして、加熱手段1から輻射熱を受
けた気体との温度差を小さくして、環境の気体の温度を
均一状態に近づけ、熱揺らぎを回避することも有効であ
る。
度均一性を保持するために、気体加熱保温手段(図示せ
ず)を設け、周囲気体温度を加熱手段1と近い温度(但
し、共晶温度以下)にして、加熱手段1から輻射熱を受
けた気体との温度差を小さくして、環境の気体の温度を
均一状態に近づけ、熱揺らぎを回避することも有効であ
る。
【0057】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、第1の高
温処理部品と撮像手段との間の空間を制御環境として環
境制御手段により環境制御し、撮像、画像処理及び位置
検出を行わせることにより、第1の高温処理部品に関し
て熱揺らぎのない高精度な画像処理による位置検出がで
きる。
温処理部品と撮像手段との間の空間を制御環境として環
境制御手段により環境制御し、撮像、画像処理及び位置
検出を行わせることにより、第1の高温処理部品に関し
て熱揺らぎのない高精度な画像処理による位置検出がで
きる。
【0058】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制
御手段は、前記制御環境を真空状態とすることで、真空
状態(低真空〜高真空)では、加熱手段から輻射熱を受
ける気体が少ない(究極的には無い)状態であり、熱に
よって揺らぐもの自体の存在が希薄となり、熱揺らぎが
解消される。
載の高温処理部品の調整組立装置において、前記環境制
御手段は、前記制御環境を真空状態とすることで、真空
状態(低真空〜高真空)では、加熱手段から輻射熱を受
ける気体が少ない(究極的には無い)状態であり、熱に
よって揺らぐもの自体の存在が希薄となり、熱揺らぎが
解消される。
【0059】請求項3記載の発明によれば、請求項2記
載の高温処理部品の調整組立装置において、より具体的
な構成として、共晶及びはんだ等の高温処理により部品
締結する当該調整組立装置のワーク加熱部を含んだワー
ク台と位置調整の対象となる第1の高温処理部品を第1
のワークとして把持しつつ位置調整するアライメント手
段とが環境制御されたチャンバ内に設けられ、チャンバ
内部の第1のワークを撮像する撮像手段を持つことによ
り、熱揺らぎを回避でき、高温処理により部品締結する
ワークの高精度な調整組立が可能となる。
載の高温処理部品の調整組立装置において、より具体的
な構成として、共晶及びはんだ等の高温処理により部品
締結する当該調整組立装置のワーク加熱部を含んだワー
ク台と位置調整の対象となる第1の高温処理部品を第1
のワークとして把持しつつ位置調整するアライメント手
段とが環境制御されたチャンバ内に設けられ、チャンバ
内部の第1のワークを撮像する撮像手段を持つことによ
り、熱揺らぎを回避でき、高温処理により部品締結する
ワークの高精度な調整組立が可能となる。
【0060】請求項4記載の発明によれば、請求項3記
載の高温処理部品の調整組立装置において、環境制御さ
れたチャンバは、ワーク台とアライメント手段とを有す
る調整組立室と、外部との間及び調整組立室との間でワ
ークの授受が可能なワーク供給・排出用ステーションを
有する少なくとも1つ以上のロードロック室とを備え、
各々の室毎に環境制御手段を設けているので、このよう
に環境制御されたチャンバでは、ワーク調整組立室にお
いてアライメント手段がワークの位置を調整し加熱冷却
によりワーク同士を締結している間に、ロードロック室
のワーク供給・排出用ステーションに次のワークを供給
し、環境を制御するプロセスを進行させることにより、
環境制御プロセスを進行させる時間が実効的なタクトに
は寄与せず、環境制御しない場合と同様の効率的な工程
タクトを実現できる。
載の高温処理部品の調整組立装置において、環境制御さ
れたチャンバは、ワーク台とアライメント手段とを有す
る調整組立室と、外部との間及び調整組立室との間でワ
ークの授受が可能なワーク供給・排出用ステーションを
有する少なくとも1つ以上のロードロック室とを備え、
各々の室毎に環境制御手段を設けているので、このよう
に環境制御されたチャンバでは、ワーク調整組立室にお
いてアライメント手段がワークの位置を調整し加熱冷却
によりワーク同士を締結している間に、ロードロック室
のワーク供給・排出用ステーションに次のワークを供給
し、環境を制御するプロセスを進行させることにより、
環境制御プロセスを進行させる時間が実効的なタクトに
は寄与せず、環境制御しない場合と同様の効率的な工程
タクトを実現できる。
【0061】請求項5記載の発明によれば、請求項3又
は4記載の高温処理部品の調整組立装置において、ワー
ク同士を位置調整する際に、第2のワークを共晶温度以
上に上昇させておき、ワーク間に微小空間を空けた状態
で位置調整完了後、ワーク同士を互いに接触させ、冷却
手段無しに第1のワークの伝熱速度を利用して第2のワ
ークとの境界面にある共晶材料が、一旦共晶温度以上に
局部的に温められ、その後、第1のワーク全体の温度が
均一化され、共晶材料の温度を共晶点以下として固体化
させることで品締結をすることにより、冷却手段も無
く、熱的にも効率的な高温処理による部品締結が可能と
なる。
は4記載の高温処理部品の調整組立装置において、ワー
ク同士を位置調整する際に、第2のワークを共晶温度以
上に上昇させておき、ワーク間に微小空間を空けた状態
で位置調整完了後、ワーク同士を互いに接触させ、冷却
手段無しに第1のワークの伝熱速度を利用して第2のワ
ークとの境界面にある共晶材料が、一旦共晶温度以上に
局部的に温められ、その後、第1のワーク全体の温度が
均一化され、共晶材料の温度を共晶点以下として固体化
させることで品締結をすることにより、冷却手段も無
く、熱的にも効率的な高温処理による部品締結が可能と
なる。
【0062】請求項6記載の発明によれば、請求項5記
載の高温処理部品の調整組立装置において、アライメン
ト手段に冷却手段を備え、位置調整後ワーク同士の接触
時にアライメント手段にて保持している第1のワークを
冷却し、共晶材料の共晶温度以下への降下を促進するこ
とにより、共晶材料が共晶温度以上から以下へと降下す
る時間が速くなり、高速な部品締結が可能となり、ま
た、加熱手段からの冷却よりも熱的に効率化できる。
載の高温処理部品の調整組立装置において、アライメン
ト手段に冷却手段を備え、位置調整後ワーク同士の接触
時にアライメント手段にて保持している第1のワークを
冷却し、共晶材料の共晶温度以下への降下を促進するこ
とにより、共晶材料が共晶温度以上から以下へと降下す
る時間が速くなり、高速な部品締結が可能となり、ま
た、加熱手段からの冷却よりも熱的に効率化できる。
【0063】請求項7記載の発明によれば、請求項1な
いし6の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置に
おいて、アライメント手段として潤滑油等の油分を必要
とする直動ガイド等を持たない微小変位空圧アクチュエ
ータを使用することにより、真空中での高精度な位置調
整が可能となる。
いし6の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置に
おいて、アライメント手段として潤滑油等の油分を必要
とする直動ガイド等を持たない微小変位空圧アクチュエ
ータを使用することにより、真空中での高精度な位置調
整が可能となる。
【0064】請求項8記載の発明によれば、請求項1な
いし6の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置に
おいて、アライメント手段として潤滑油等の油分を必要
とする直動ガイド等を持たない微小変位ピエゾアクチュ
エータを使用することにより、真空中での高精度な位置
調整が可能となる。
いし6の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置に
おいて、アライメント手段として潤滑油等の油分を必要
とする直動ガイド等を持たない微小変位ピエゾアクチュ
エータを使用することにより、真空中での高精度な位置
調整が可能となる。
【0065】請求項9記載の発明によれば、請求項1な
いし8の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置に
おいて、制御環境として、その環境内の気体の温度を均
一状態に制御することにより、第1の高温処理部品に関
して熱揺らぎのない高精度な画像処理による位置検出が
できる。
いし8の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置に
おいて、制御環境として、その環境内の気体の温度を均
一状態に制御することにより、第1の高温処理部品に関
して熱揺らぎのない高精度な画像処理による位置検出が
できる。
【0066】請求項10記載の発明によれば、請求項9
記載の高温処理部品の調整組立装置において、ワーク高
温処理により発生する周囲環境との気体温度差を相殺
し、制御環境内の温度を気体攪拌手段により均一状態に
することにより、均一温度へのプロセスを促進すること
ができる。
記載の高温処理部品の調整組立装置において、ワーク高
温処理により発生する周囲環境との気体温度差を相殺
し、制御環境内の温度を気体攪拌手段により均一状態に
することにより、均一温度へのプロセスを促進すること
ができる。
【0067】請求項11記載の発明によれば、請求項9
記載の高温処理部品の調整組立装置において、気体流速
発生手段により高温気体を制御環境空間から排除するこ
とで、ワーク高温処理により発生する周囲環境との気体
温度差を相殺し、制御環境内の温度を均一状態にするこ
とにより、均一温度へのプロセスを促進することができ
る。
記載の高温処理部品の調整組立装置において、気体流速
発生手段により高温気体を制御環境空間から排除するこ
とで、ワーク高温処理により発生する周囲環境との気体
温度差を相殺し、制御環境内の温度を均一状態にするこ
とにより、均一温度へのプロセスを促進することができ
る。
【0068】請求項12記載の発明によれば、請求項9
記載の高温処理部品の調整組立装置において、気体吸入
手段により高温気体を制御環境空間から排除すること
で、ワーク高温処理により発生する周囲環境との気体温
度差を相殺し、制御環境内の温度を均一状態にすること
により、均一温度へのプロセスを促進することができ
る。
記載の高温処理部品の調整組立装置において、気体吸入
手段により高温気体を制御環境空間から排除すること
で、ワーク高温処理により発生する周囲環境との気体温
度差を相殺し、制御環境内の温度を均一状態にすること
により、均一温度へのプロセスを促進することができ
る。
【0069】請求項13記載の発明によれば、請求項9
記載の高温処理部品の調整組立装置において、気体加熱
保温手段を設けて、高温処理時の周囲環境との温度均一
性を保持することにより、周囲気体温度を加熱手段と近
い温度(但し、共晶温度以下)にし、加熱手段から輻射
熱を受けた気体との温度差を小さくすることで、制御環
境内の気体の均一温度へのプロセスを促進することがで
きる。
記載の高温処理部品の調整組立装置において、気体加熱
保温手段を設けて、高温処理時の周囲環境との温度均一
性を保持することにより、周囲気体温度を加熱手段と近
い温度(但し、共晶温度以下)にし、加熱手段から輻射
熱を受けた気体との温度差を小さくすることで、制御環
境内の気体の均一温度へのプロセスを促進することがで
きる。
【図1】本発明の一実施の形態を示す調整組立装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図2】部品締結時の加熱手段のオン・オフと部品温度
プロファイルとを示すタイムチャートである。
プロファイルとを示すタイムチャートである。
【図3】従来例を示す調整組立装置の概略構成図であ
る。
る。
【図4】ワークA,B同士の位置関係の例を示す斜視図
である。
である。
1 加熱部
2 ワーク台
3 アライメント手段
4 チャンバ
5 撮像手段
11 調整組立室
12 ロードロック室
13,14 環境制御手段
20 ワーク供給・排出ステーション
A 第1のワーク、第1の高温処理部品
B 第2のワーク、第2の高温処理部品
Claims (13)
- 【請求項1】 周囲環境温度よりも高い温度を帯び、若
しくは、高い温度で処理する第1の高温処理部品を、撮
像手段により撮像しその画像処理により第2の高温処理
部品に対する位置検出を行い、前記第2の高温処理部品
に対する前記第1の高温処理部品の位置を調整して組立
てる高温処理部品の調整組立装置において、 前記第1の高温処理部品と前記撮像手段との間の空間を
制御環境としてその環境の制御を行う環境制御手段を備
え、 前記環境制御手段により制御された制御環境下で前記撮
像手段による撮像、その画像処理及び位置検出を行わせ
るようにしたことを特徴とする高温処理部品の調整組立
装置。 - 【請求項2】 前記環境制御手段は、前記制御環境を真
空状態とすることを特徴とする請求項1記載の高温処理
部品の調整組立装置。 - 【請求項3】 共晶、はんだ等の高温処理により部品締
結する当該調整組立装置のワーク加熱部を含むワーク台
と、位置調整の対象となる前記第1の高温処理部品を第
1のワークとして把持しつつ第2の高温処理部品として
の第2のワークに対して位置調整をするアライメント手
段とが前記環境制御手段により環境制御されたチャンバ
内に設けられ、前記撮像手段は前記チャンバ内部の前記
第1のワークを撮像するようにしたことを特徴とする請
求項2記載の高温処理部品の調整組立装置。 - 【請求項4】 環境制御された前記チャンバは、前記ワ
ーク台と前記アライメント手段とを有する調整組立室
と、外部との間及び前記調整組立室との間で前記ワーク
の授受が可能なワーク供給・排出用ステーションを有す
る少なくとも1つ以上のロードロック室とを備え、各々
の室毎に前記環境制御手段を設けたことを特徴とする請
求項3記載の高温処理部品の調整組立装置。 - 【請求項5】 前記ワーク同士を位置調整する際に、前
記第2のワークを共晶温度以上に上昇させておき、前記
ワーク間に微小空間を空けた状態で位置調整完了後、前
記ワーク同士を互いに接触させ、共晶材料を一旦共晶温
度以上とさせた後、互いのワーク温度差により前記共晶
材料を共晶温度以下として固体化させることで前記ワー
ク同士を締結組立するシーケンス制御手段を備えること
を特徴とする請求項3又は4記載の高温処理部品の調整
組立装置。 - 【請求項6】 前記アライメント手段は前記第1のワー
クに対する冷却手段を備え、前記シーケンス制御手段
は、位置調整後前記ワーク同士の接触時に前記アライメ
ント手段により保持されている前記第1のワークを前記
冷却手段により冷却させることを特徴とする請求項5記
載の高温処理部品の調整組立装置。 - 【請求項7】 前記アライメント手段が微小変位空圧ア
クチュエータであることを特徴とする請求項1ないし6
の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置。 - 【請求項8】 前記アライメント手段が微小変位ピエゾ
アクチュエータであることを特徴とする請求項1ないし
6の何れか一記載の高温処理部品の調整組立装置。 - 【請求項9】 前記環境制御手段は、前記制御環境とし
て、その環境内の気体の温度を均一状態に制御すること
を特徴とする請求項1ないし8の何れか一記載の高温処
理部品の調整組立装置。 - 【請求項10】 前記環境制御手段は、高温処理により
発生する周囲環境との気体温度差を相殺して前記制御環
境内の温度を均一状態にする気体攪拌手段を備えること
を特徴とする請求項9記載の高温処理部品の調整組立装
置。 - 【請求項11】 前記環境制御手段は、高温処理により
発生する周囲環境との気体温度差を相殺して前記制御環
境内の温度を均一状態にする気体流速発生手段を備える
ことを特徴とする請求項9記載の高温処理部品の調整組
立装置。 - 【請求項12】 前記環境制御手段は、高温処理により
発生する周囲環境との気体温度差を相殺して前記制御環
境内の温度を均一状態にする気体吸入手段を備えること
を特徴とする請求項9記載の高温処理部品の調整組立装
置。 - 【請求項13】 前記環境制御手段は、高温処理時の周
囲環境との温度の均一性を保持する気体加熱保温手段を
備えることを特徴とする請求項9記載の高温処理部品の
調整組立装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001309698A JP2003115503A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 高温処理部品の調整組立装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001309698A JP2003115503A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 高温処理部品の調整組立装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003115503A true JP2003115503A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19128801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001309698A Pending JP2003115503A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 高温処理部品の調整組立装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003115503A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515064A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-07 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | フリップチップ電子デバイスの低応力アンダーフィルへの適用を備えた、バランスのとれた製造フローのための製造システム及び装置 |
JP2008124204A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Epson Toyocom Corp | 製造対象物の熱処理装置および熱処理方法、並びに圧電デバイスの製造方法 |
JP2009147033A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Nikon Corp | 加圧システム |
CN114990469A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-09-02 | 河南千王钎具有限责任公司 | 一种钎具的渗碳淬火装置的温度调节装置 |
-
2001
- 2001-10-05 JP JP2001309698A patent/JP2003115503A/ja active Pending
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CN114990469B (zh) * | 2022-05-31 | 2024-02-02 | 河南千王钎具有限责任公司 | 一种钎具的渗碳淬火装置的温度调节装置 |
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