JP2003107769A - 電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電能に優れ、残留電位、コ゛ースト、文字のにじみ
の少ない優れた特性が、使用中に変動することなく安定
して発揮される電子写真感光体の製造方法、および電子
写真感光体を提供する。 【解決手段】 導電性支持体上に、少なくともシリコン原子、
水素原子および/またはハロケ゛ン原子を含有した非単結晶材
料で構成された光導電層と、少なくともシリコン原子、水素原
子および/またはハロケ゛ン原子を含有し、さらに周期律表13
族または15族の不純物原子を含有した非単結晶材料から
成る上部阻止層を設けた電子写真感光体の製造方法にお
いて、該上部阻止層に含有される該不純物原子の含有量
は、該上部阻止層が光照射により光劣化した後に阻止能
を持ち得るように最適化された含有量に設定されたこと
を特徴とする電子写真感光体の製造方法および電子写真
感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体製
造方法、及び電子写真感光体に関し、更に詳しくは、上
部阻止層が設けられた電子写真感光体の製造方法及び電
子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来技術の説明】電子写真感光体に用いる素子部材の
技術としては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、
フタロシアニン、アモルファスシリコン(以下「a-Ｓi」
と記す)等、各種の材料が提案されている。中でもa-Ｓi
に代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶質堆
積膜、例えば水素及び/又はハロゲン(例えばフッ素、塩
素等)で補償されたa-Ｓi等のアモルファス堆積膜は高性
能、高耐久、無公害な感光体として提案され、そのいく
つかは実用化されている。こうした堆積膜の形成法とし
て従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解す
る熱ＣＶＤ法、光により原料ガスを分解する光ＣＶＤ
法、プラズマにより原料ガスを分解するプラズマＣＶＤ
法等、多数知られている。中でもプラズマＣＶＤ法、即
ち原料ガスを直流又は高周波(ＲＦ,ＶＨＦ)、マイクロ
波などのグロー放電等によって分解し、ガラス、石英、
耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニュウム
等の基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子写
真用a-Ｓi堆積膜の形成方法等において現在、実用化が
非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されてい
る。

【０００３】例えば特開昭５７-１１５５５１号公報に
は、シリコン原子を主体とし、水素原子またはハロゲン
原子の少なくともいずれか一方を含むアモルファス材料
で構成されている光導電層の上にシリコン原子及び炭素
原子を母体とし、水素原子を含む非光導電性のアモルフ
ァス材料で構成された表面障壁層を設けた光導電部材の
例が開示されている。

【０００４】特開平２-１７３６５８号公報には、非単
結晶シリコン系の材料で構成され光導電性を示す第１の
層と、シリコン原子と炭素原子と周期律表第III族（第
１３族）に属する原子、及び必要により水素原子及び/
又はハロゲン原子を含み、潜像を保持する機能を有する
第２の層と、シリコン原子と炭素原子、及び必要により
水素原子及び/又はハロゲン原子を含み顕像を保持する
機能を有する第３の層とを基体上に順次積層してなる光
受容部材を用いた画像形成方法が開示されている。

【０００５】特開平８-１５８８２号公報には、光導電
層と表面層との間に、シリコン原子を主体とし、炭素原
子、水素原子、および伝導性を制御する原子を含有させ
たアモルファス材料で構成されている中間層(上部阻止
層)を設けた電子写真用光受容部材の例が開示されてい
る。

【０００６】これらの技術により、電気的、光学的、光
導電率的特性が向上し、更に、画像品位の向上も可能に
なっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
電子写真装置は更に高速化、高機能化してきている。こ
のような環境の下、これまで充分な性能を発揮してきた
電子写真感光体と言えども電子写真装置本体の構成如何
によっては、さらなる高性能化が求められる場合があっ
た。例えば帯電能に関しても、電子写真プロセスが高速
化されればされるほど、帯電に割ける時間が少なくなる
ため、改善が求められるようになっていた。また、高機
能化という点では、近年ではモノクロ・カラー複合機が
市場に導入されつつある。このような複合機の場合、帯
電位置から現像位置までの距離が長くなる傾向にあり、
その間の暗減衰分を上乗せして帯電する必要があり、従
来にも増して帯電性能の向上が求められている。

【０００８】このような背景の中で、残留電位の増加な
どの弊害を伴わずに電子写真感光体の帯電性能を向上さ
せる一手法として、光導電層の上に上部阻止層を設ける
手法が用いられる場合がある。このような上部阻止層を
設けた電子写真感光体においては、通常の感光体に比べ
て、帯電キャリアの光導電層への注入を抑えることがで
き、より高帯電能が得られる。

【０００９】しかしながら、このような上部阻止層を設
けた電子写真感光体の場合、製造条件を厳密に設定しな
いと、過剰露光時に文字のにじみが発生したり、また、
使用開始初期には充分な特性が得られても、長期にわた
る使用において徐々に特性が劣化する、いわゆる経時劣
化が生じる場合があった。具体的には、使用期間中に、
帯電能の低下、残留電位の上昇、光メモリーの増加とい
った劣化が見られ、電子写真画像としては、画像濃度の
低下やゴーストの悪化等が生じる場合があった。通常、
上部阻止層を設けていないa-Ｓi電子写真感光体ではこ
のような使用期間中の変動は特に顕著には見られないこ
とから、上記の問題は上部阻止層に起因しているものと
考えられる。また、上記のような問題点は、アナログ複
写機よりもデジタル複写機において顕著に見られる傾向
があり、近年のデジタル化の流れの中においては、早急
な解決が望まれていた。

【００１０】従って、電子写真感光体の電気的特性を大
幅に改善する上部阻止層を設けた電子写真感光体におい
ては、過剰露光時の文字のにじみや使用中の特性変動を
抑える、という改善すべき課題があった。

【００１１】(発明の目的)本発明は、上述の従来技術の
課題を克服すべく成されたものであって、極めて良好な
画像品質を長期間にわたって安定して得ることのできる
電子写真感光体の製造方法、および電子写真感光体を提
供することを目的としている。

【００１２】具体的には、本発明は帯電能に優れ、残留
電位が少ない、すぐれた電気特性を持ち、濃度が高く、
かぶりやゴーストの少ない、過剰露光時にも文字のにじ
みの発生しない鮮明が画像を得ることのできる電子写真
感光体の製造方法、および電子写真感光体を提供する。

【００１３】さらには、使用開始初期と使用中、使用終
期において、電子写真感光体の電気特性、画像特性に変
動がなく、長期間に渡って安定した特性を示す電子写真
感光体の製造方法、および電子写真感光体を提供する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、減圧可能な反
応容器内に導電性基体を設置し、高周波電極に供給した
高周波電力によってプラズマを生起させ、導電性基体上
に少なくともシリコン原子、水素原子および/またはハ
ロゲン原子を含有した非単結晶材料で構成された光導電
層及び少なくともシリコン原子、水素原子および/また
はハロゲン原子を含有し、さらに周期律表１３族または
１５族の不純物原子を含有した非単結晶材料から成る上
部阻止層を順次積層させる電子写真感光体の製造方法に
おいて、該上部阻止層に含有される該不純物原子の含有
量は、該上部阻止層が光照射により光劣化した後に阻止
能を持ち得るように最適化された含有量に設定されてい
ることを特徴とする電子写真感光体の製造方法に関する
ものである。

【００１５】また、本発明は、導電性支持体上に、少な
くともシリコン原子、水素原子および/またはハロゲン
原子を含有した非単結晶材料で構成された光導電層と、
少なくともシリコン原子、水素原子および/またはハロ
ゲン原子を含有し、さらに周期律表１３族または１５族
の不純物原子を含有した非単結晶材料から成る上部阻止
層を設けた電子写真感光体において、該上部阻止層に含
有される該不純物原子の含有量は、該上部阻止層が光照
射により光劣化した後に阻止能を持ち得るように最適化
された含有量に設定されていることを特徴とする電子写
真感光体に関するものである。

【００１６】（作用）本発明者らは、上述の光導電層の
上に上部阻止層を用いた電子写真感光体の安定性につい
て鋭意検討を進めた。上部阻止層は、電子写真感光体の
上部から帯電キャリアが注入することを阻止するため
に、不純物などをドーピングして整流性を持たせること
によって、帯電キャリアは効果的に阻止し、かつ、露光
によって発生した光キャリアはスムーズに通過させるこ
とで、残留電位の上昇などの弊害を抑えつつ、帯電性能
を改善するものである。ところが、上部阻止層は感光体
上部に位置するために画像露光や前露光など、種々の光
がかなり照射される。アモルファス材料では長時間光照
射を行なうと劣化が生じることが知られている。これは
ステブラー・ロンスキー効果と呼ばれているもので、局
在準位密度の増加、暗抵抗率の増加などの現象が生じ
る。このような現象が発生すると、局在準位密度の増加
によってドーピングの効果が相殺されてしまう。結果と
して、上部阻止層の整流性が弱まり、帯電性能の低下や
残留電位の上昇が生じてしまうことになる。同様のこと
は、表面層や光導電層の光入射側でも発生している可能
性があるが、表面層は材料的に、シリコンを母体とし、
炭素、酸素、窒素などを多量に含有したアモルファス材
料で構成されていることが多く、元々局在準位密度が大
きいため光照射による変動の影響は少ないものと考えら
れる。また、逆に光導電層は膜質がよいために元々ステ
ブラー・ロンスキー効果は発生しにくい性質があり、ま
た、導電型が真性であるため、局在準位密度の増加によ
って導電型の変化は発生しにくい。

【００１７】上記のような使用中の光劣化によるドーピ
ング効果の低下を補うための一手段として、初期から適
正量よりも多めに不純物原子を含有させることも考えら
れるが、この場合、過剰露光を行なった場合に光キャリ
アが横流れし、文字のにじみなどの弊害が発生すること
があった。この過剰露光量時の文字のにじみは、例え
ば、色地の原稿からコントラストの強い画像を得ようと
して露光量を上げたときに、強露光の照射により大量の
光キャリアが生成され、この光キャリアが上部阻止層内
に蓄積し、キャリア同士の反発による横流れによって生
じるものである。初期の状態で不純物濃度を必要以上に
高めると、帯電極性と逆極性の光キャリアに対して上部
阻止層の抵抗が低くなりすぎ、このため光キャリアが横
流れしやすくなるものと考えられる。

【００１８】上記のような弊害は、従来のアナログ複写
機よりも近年のデジタル複写機において顕著に見られる
傾向がある。この原因の詳細は不明だが、デジタル複写
機の場合、レーザー光によるドットの集まりで画像が形
成されている。このドットの光量分布は中心で高く、周
辺で低下しているため、面平均ではアナログ光と同等の
光量であっても、ドット中心部の光量は高くなってお
り、このことが、光劣化や文字のにじみの原因となって
いるものと推測される。

【００１９】以上の観点から、使用中の帯電能の低下、
残留電位の上昇といった経時劣化を防止するには、上部
阻止層の特性変動の改善が必要であるとの結論に至っ
た。そして、本発明者らは、膜質を向上させてステブラ
ー・ロンスキー効果を起こしにくくする、という従来の
考え方から発想を転換し、あらかじめ光照射を行ってス
テブラー・ロンスキー効果を引き起こした状態で最適と
なるように上部阻止層の不純物濃度の設定を行なうこと
で電子写真感光体の特性変動の改善を図った。このよう
にして作成した電子写真感光体は、上部阻止層の光劣化
はあらかじめ引き起こされているために、電子写真装置
に設置し、長期間に渡って帯電、露光が繰り返されて
も、使用中の特性変動は全く見られず、画像濃度、かぶ
りの推移も非常に安定することが判明した。更に、この
ようにあらかじめ光照射することで光劣化を起こさせ、
局在準位密度を増加させた状態の上部阻止層に対して最
適な量の不純物を含有させた場合、過剰露光量時の文字
のにじみに関しても全く発生しないことが確認された。

【００２０】本発明は以上の検討によって完成されたも
のである。

【００２１】以下に図面を用いて本発明を具体的に説明
する。

【００２２】図１は本発明による電子写真感光体の模式
的な断面図であり、１０１は導電性基体、１０２は水素
原子および/またはハロゲン原子を含有したa-Ｓiを主体
とする光導電層、１０３は水素原子乃至ハロゲン原子に
加え、周期律表第１３族または１５族原子を含有したa-
Ｓiを主体とする上部阻止層である。上部阻止層１０３
は光照射により劣化させた状態で最適となるように不純
物原子の濃度が調整されている。

【００２３】図２には、上部阻止層２０３の上に更に表
面層２０４を設けた電子写真感光体の模式的断面図であ
る。表面層２０４には少なくとも水素および/またはハ
ロゲンを含有し炭素、窒素、酸素原子の少なくとも１つ
を含有したa-Ｓi材料や、少なくとも水素および/または
ハロゲンを含有した非単結晶炭素材料などが好適に用い
られる。さらには、少なくとも水素および/またはハロ
ゲンを含有し炭素、窒素、酸素原子の少なくとも１つを
含有したa-Ｓi材料の上に少なくとも水素および/または
ハロゲンを含有した非単結晶炭素材料を積層させてもよ
い。このような表面層２０４を設けることで、耐湿性、
耐薬品性など耐環境性を向上させることができるととも
に、耐摩耗性、耐傷性など、長寿命化を計ることができ
る。また、導電性基体２０１と光導電層２０２の間に、
密着性の向上、基体からの電荷の注入防止を目的とし
て、下部阻止層２０５を必要に応じて設けてもよい。更
に、光導電層２０３は不図示の電荷発生層と電荷輸送層
に機能を分離した、いわゆる機能分離型感光体としても
よく、このような構成とすることで、レーザー光やＬＥ
Ｄ光のように比較的波長の長い光源に対しても良好な感
度や帯電能を保つことができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】＜基体＞本発明において使用され
る基体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよ
い。導電性基体としては、Ａl、Ｃr、Ｍo、Ａu、In、Ｎ
b、Ｔe、Ｖ、Ｔi、Ｐt、Ｐd、Ｆe等の金属、およびこれ
らの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポ
リエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロ
ースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたは
シート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性基体の少な
くとも光導電層を形成する側の表面を導電処理した基体
も用いることができる。

【００２５】本発明において使用される基体の形状は平
滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または平板状であるこ
とができ、その厚さは、所望通りの半導体装置を形成し
得るように適宜決定するが、可撓性が要求される場合に
は、基体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な
限り薄くすることができる。しかしながら、製造上およ
び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以
上とされる。

【００２６】＜下部阻止層＞本発明の感光体に必要に応
じて設けられる下部阻止層は、導電性基体と光導電層と
の間に設けられ、導電性基体側からの電荷の注入を阻止
する働きをする。すなわち、下部阻止層は光導電層が一
定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、基体側よ
り光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有
し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能
は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そ
のような機能を付与するために、下部阻止層には伝導性
を制御する原子を多く含有させることも有効である。

【００２７】下部阻止層に含有される伝導性を制御する
原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を
挙げることができ、本発明においてはp型伝導特性を与
える周期律表第１３族に属する原子(以下、「第１３族
原子」と略記する。)あるいはn型伝導特性を与える周期
律表第１５族に属する原子(以下、「第１５族原子」と
略記する。)を用いることができる。このような第１３
族原子としては、具体的には、硼素(Ｂ)、アルミニウム
(Ａl)、ガリウム(Ｇa)、インジウム(In)、タリウム(Ｔ
l)等があり、特に硼素が好適である。第１５族原子とし
ては、具体的にはリン(Ｐ)、砒素(Ａs),アンチモン(Ｓ
b)、ビスマス(Ｂi)等があり、特にリンが好適である。

【００２８】本発明において下部阻止層中に含有される
伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の目的
が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定
されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原子ppｍ、より
好適には５０〜５×１０³原子ppｍ、最適には１×１０²
〜３×１０³原子ppｍとされるのが望ましい。

【００２９】さらに、下部阻止層には、炭素原子、窒素
原子及び酸素原子の少なくとも１種を含有させることに
よって、この下部阻止層に直接接触して設けられる他の
層との間の密着性の向上をより一層図ることができる。

【００３０】本発明における下部阻止層の全層領域に含
有される炭素原子および/または窒素原子および/または
酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成され
るように適宜決定されるが、１種の場合はその量とし
て、２種以上の場合はその総和量として、シリコンとの
総和に対して好ましくは１×１０^-3〜３０原子％、より
好適には５×１０^-3〜２０原子％、最適には１×１０^-2
〜１０原子％とされるのが望ましい。

【００３１】下部阻止層に含有される伝導性を制御する
原子あるいは炭素原子または窒素原子または酸素原子
は、下部阻止層中に万偏なく均一に分布されても良い
し、あるいは層厚方向には含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、基体側に多く分布するよう
に含有させるのが好適である。しかしながら、いずれの
場合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な
分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性
の均一化を図る点からも必要である。

【００３２】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および/またはハロゲン原子は、層内
に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏す
る。下部阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、電荷注入阻
止層のネットワーク構成原子と水素原子、ハロゲン原子
の和に対して好適には１〜５０原子％、より好適には５
〜４０原子％、最適には１０〜３０原子％とするのが望
ましい。

【００３３】本発明において、下部阻止層の層厚は所望
の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点
から好ましくは０.１〜５μｍ、より好ましくは０.３〜
４μｍ、最適には０.５〜３μｍとされるのが望まし
い。層厚が０.１μｍより薄くなると、基体からの電荷
の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が得られな
くなり、５μｍより厚くしても電子写真特性の向上は期
待できず、作製時間の延長による製造コストの増加を招
く。

【００３４】反応容器内の圧力も同様に層設計にしたが
って最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０
^-2〜１×１０³Ｐa、好ましくは５×１０^-2〜５×１０²
Ｐa、最適には１×１０^-1〜１×１０²Ｐaとするのが好
ましい。

【００３５】さらに、基体の温度は、層設計にしたがっ
て最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましく
は１５０〜３５０℃、より好ましくは１８０〜３３０
℃、最適には２００〜３００℃とするのが望ましい。

【００３６】本発明においては、下部阻止層を形成する
ための原料ガスの混合比、ガス圧、放電電力、基体温度
の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作成
ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【００３７】＜光導電層＞本発明において、その目的を
効果的に達成するために基体上に形成される光導電層は
プラズマＣＶＤ法によって、所望の特性が得られるよう
に適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成さ
れる。

【００３８】光導電層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子(Ｓi)を供給し得るＳi供給用の原料ガスと、水
素原子(Ｈ)を供給し得るＨ供給用の原料ガスおよび/ま
たはハロゲン原子(Ｘ)を供給し得るＸ供給用の原料ガス
を、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で
導入して、反応容器内にグロー放電を生起させ、あらか
じめ所定の位置に設置されている導電性基体上にa-Ｓi:
Ｈ,Ｘからなる層を形成すればよい。

【００３９】本発明において光導電層中に水素原子およ
び/またはハロゲン原子が含有されることが必要である
が、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の
向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させるた
めに必須不可欠であるからである。よって、水素原子ま
たはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン
原子の和の量は、シリコン原子と水素原子および/また
はハロゲン原子の和に対して１０〜４０原子％とされる
のが望ましい。

【００４０】そして、形成される光導電層中に水素原子
を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を一層容
易になるように図り、本発明の目的を達成する膜特性を
得るために、これらのガスに更にＨ₂および/またはＨe
ガスを所望量混合して層形成することも好ましい。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。

【００４１】光導電層中に含有される水素原子および/
またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば基体の
温度、水素原子および/またはハロゲン原子を含有させ
るために使用される原料物質の反応容器内へ導入する
量、放電電力等を制御すればよい。

【００４２】本発明において、光導電層には伝導性を制
御する原子を含有することが好ましい。

【００４３】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙
げることができ、本発明においては、p型伝導特性を与
える第１３族原子、あるいはn型伝導特性を与える第１
５族原子を用いることができる。このような第１３族原
子としては、具体的には、硼素(Ｂ)、アルミニウム(Ａ
l)、ガリウム(Ｇa)、インジウム(In)、タリウム(Ｔl)等
があり、特に硼素が好適である。第１５族原子として
は、具体的にはリン(Ｐ)、砒素(Ａs),アンチモン(Ｓ
b)、ビスマス(Ｂi)等があり、特にリンが好適である。

【００４４】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１×１０
⁴原子ppｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³原子
ppｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³原子ppｍとされ
るのが望ましい。

【００４５】伝導性を制御する原子を構造的に導入する
には、層形成の際に、伝導性を制御する原子の原料物質
をガス状態で、光導電層を形成するための他のガスと共
に反応容器中に導入してやればよい。

【００４６】さらに、光導電層に炭素原子および/また
は酸素原子および/または窒素原子を含有させることも
有効である。炭素原子および/または酸素原子および/ま
たは窒素原子の含有量は、シリコン原子、炭素原子、酸
素原子及び窒素原子の和に対して好ましくは１×１０^-5
〜１０原子％、より好ましくは１×１０^-4〜８原子％、
最適には１×１０^-3〜５原子％が望ましい。炭素原子お
よび/または酸素原子および/または窒素原子は、光導電
層中に万遍なく均一に含有されても良いし、光導電層の
層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもた
せた部分があっても良い。

【００４７】本発明において、光導電層の層厚は所望の
電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点から
適宜所望にしたがって決定され、好ましくは１０〜５０
μｍ、より好ましくは１５〜４５μｍ、最適には２０〜
４０μｍとされるのが望ましい。層厚が２０μｍより薄
くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不充
分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時
間が長くなって製造コストが高くなる。

【００４８】反応容器内の圧力も同様に層設計にしたが
って最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０
^-2〜１×１０³Ｐa、好ましくは５×１０^-2〜５×１０²
Ｐa、最適には１×１０^-1〜１×１０²Ｐaとするのが好
ましい。

【００４９】さらに、基体の温度は、層設計にしたがっ
て最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましく
は１５０〜３５０℃、より好ましくは１８０〜３３０
℃、最適には２００〜３００℃とするのが望ましい。

【００５０】本発明においては、光導電層を形成するた
めの基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形
成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決
めるのが望ましい。

【００５１】＜上部阻止層＞本発明によるところの上部
阻止層は、感光体が一定極性の帯電処理をその自由表面
に受けた際、表面側より光導電層側に電荷が注入される
のを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた
際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依
存性を有している。そのような機能を付与するために、
上部阻止層には伝導性を制御する不純物原子を適切に含
有させることが必要である。本発明では不純物原子を適
正量含有させる方法として、上部阻止層が光照射により
劣化した状態で上部阻止層としての機能が最適に働くよ
うに、周期律表１３族または１５族の不純物の含有量が
決定されている。

【００５２】本発明において、光劣化させる際の光は、
波長４００〜６５０nｍ、照度1000〜20000lxの光を用い
ることができる。照射光の波長を４００nｍ以上とする
ことで、上部阻止層の表面側や、必要に応じて上部阻止
層の上に設けられる表面層での光吸収を減少させること
ができ、充分な光量を上部阻止層に均一に照射すること
が可能となり、本発明に必要な光劣化処理を均一に行え
るようになる。この結果、使用中の経時変化を長期に渡
り抑えることができる。逆に照射光の波長を６５０nｍ
以下とすることで、照射光が光導電層の深いところまで
侵入するのを防ぎ、光導電層の特性劣化を防止できる。
照射時間に関しては、充分に光劣化する時間照射するこ
とが望ましい。具体的な照射時間は、上部阻止層の条件
にもよるがおおよそ１０分以上は必要であり、また、経
済的効果から考えて１時間以内程度の照射時間とするこ
とが望ましい。

【００５３】具体的な不純物原子の含有量の決定方法と
しては、例えば光学的バンドギャップの１/２と活性化
エネルギーの差:ΔＥを調整することで行なうことがで
きる。ΔＥは次のようにして求められる。

【００５４】所定の不純物量をドープした上部阻止層を
ガラス基板上に堆積したサンプルを作成し、これを上記
の条件で光を照射し劣化させる。このサンプルを近赤外
〜紫外分光光度計にセットし、光の波長を変化させなが
ら吸光係数を測定し、光学的バンドギャップを求める。
次に、サンプルを真空蒸着器にセッティングし、Ａl、
Ｃr、Ａu等の対向電極をサンプル上に蒸着する。この電
極間に暗状態で電圧を印加したときの電流値を測定する
ことにより暗導電率が測定される。バイアス電圧を印加
した状態で真空中で１５０℃程度に昇温し、そこから徐
々に温度を下げて行きながら暗導電率の温度依存性を測
定し、アレニウスプロットにより活性化エネルギーを求
める。以上の手順で求めた光学的バンドギャップの１/
２と活性化エネルギーの差からΔＥが求められる。

【００５５】ΔＥを変化させるためには、上部阻止層中
に不純物原子をドーピングし、フェルミレベルを変化さ
せることにより行なう。不純物原子としては、本発明に
おいてはp型伝導特性を与える第１３族原子、あるいはn
型伝導特性を与える第１５族原子を用いることができ
る。このような第１３族原子としては、具体的には、硼
素(Ｂ)、アルミニウム(Ａl)、ガリウム(Ｇa)、インジウ
ム(In)、タリウム(Ｔl)等があり、特に硼素が好適であ
る。第１５族原子としては、具体的にはリン(Ｐ)、砒素
(Ａs),アンチモン(Ｓb)、ビスマス(Ｂi)等があり、特に
リンが好適である。

【００５６】光劣化後のΔＥを決定する方法は、あらか
じめ不純物原子の濃度を変化させた複数のサンプルを作
成し、光劣化した後のΔＥを測定することで、所望の不
純物濃度を導き出すことができる。

【００５７】別の方法としては、上部阻止層に含有され
る不純物原子の濃度を変えた数種類の電子写真感光体を
作成し、この感光体に上記の条件で光照射することで、
上部阻止層を光劣化させ、その後、電子写真特性を評価
することで、最適な上部阻止層の不純物濃度を決定する
こともできる。

【００５８】一般に上部阻止層ではΔＥを0.01eＶ以上
0.5eＶ以下、より好ましくは0.05eＶ以上、0.3eＶ以下
とするときに良好な阻止能が得られるため、この範囲内
に制御することが好ましい。ΔＥが0.01eＶより小さい
場合、条件によっては表面からの電荷注入を阻止する能
力を向上させるに至らなかったり、画像の残像現象、い
わゆるゴーストが悪化したりする。逆にΔＥが0.5eＶよ
り大となると帯電極性と逆極性の光キャリアに対して抵
抗が下がりすぎ、文字のにじみの原因となったり、膜質
が低下することにより残留電位発生の原因となる場合が
ある。

【００５９】このようなΔＥを得るために上部阻止層中
に含有される伝導性を制御する不純物原子の必要な含有
量は、上部阻止層の組成や製造方法により一概にはいえ
ないが、一般的にはネットワーク構成原子に対して100
原子ppｍ以上、30000原子ppｍ以下とされ、500原子ppｍ
以上、10000原子ppｍ以下とすることが更に好ましい。

【００６０】上部阻止層に含有される伝導性を制御する
原子は、上部阻止層中に万偏なく均一に分布されていて
も良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で
含有していてもよい。しかしながら、いずれの場合にも
基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万
偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化
を図る点からも必要である。

【００６１】上部阻止層は、a-Ｓi系の材料であればい
ずれの材質でも可能であるが、表面層と同様の材料で構
成することが好ましい。すなわち、「a-ＳiＣ:Ｈ,
Ｘ」、「a-ＳiＯ:Ｈ,Ｘ」、「a-ＳiＮ:Ｈ,Ｘ」、「a-Ｓ
iＣＯＮ:Ｈ,Ｘ」等の材料が好適に用いられる。上部阻
止層に含有される炭素原子または窒素原子または酸素原
子は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、あ
るいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有していて
もよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と
平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有さ
れることが面内方向における特性の均一化を図る点から
も必要である。

【００６２】本発明における上部阻止層の全層領域に含
有される炭素原子および/または窒素原子および/または
酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成され
るように適宜決定されるが、１種の場合はその量とし
て、２種以上の場合はその総和量として、シリコンとの
総和に対して１０％から７０％の範囲とするのが好まし
い。

【００６３】また、本発明において上部阻止層中に水素
原子および/またはハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構
成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好
適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％と
するのが望ましい。また、ハロゲン原子の含有量とし
て、通常の場合は0.01〜１５原子％、好適には0.1〜１
０原子％、最適には０.５〜５原子％とされるのが望ま
しい。

【００６４】本発明において、上部阻止層の層厚は所望
の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点
から好ましくは0.01〜１μｍ、より好ましくは0.03〜0.
8μｍ、最適には0.05〜0.5μｍとされるのが望ましい。
層厚が0.01μｍより薄くなると、表面側からの電荷の注
入阻止能が不充分になって充分な帯電能が得られなくな
り、１μｍより厚くしても電子写真特性の向上は期待で
きず、むしろ感度等の特性の低下を招くことがある。

【００６５】上部阻止層は光導電層から表面層に向かっ
て組成を連続的に変化させることも好ましく、密着性の
向上や干渉防止等に効果がある。

【００６６】本発明の目的を達成し得る特性を有する上
部阻止層を形成するには、表面層と同様に、Ｓi供給用
のガスとＣおよび/またはＮおよび/またはＯ供給用のガ
スとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに
基体の温度を適宜設定することが必要である。

【００６７】反応容器内の圧力も同様に層設計にしたが
って最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０
^-2〜１×１０³Ｐa、好ましくは５×１０^-2〜５×１０²
Ｐa、最適には１×１０^-1〜１×１０²Ｐaとするのが好
ましい。

【００６８】さらに、基体の温度は、層設計にしたがっ
て最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましく
は１５０〜３５０℃、より好ましくは１８０〜３３０
℃、最適には２００〜３００℃とするのが望ましい。

【００６９】本発明においては、上部阻止層を形成する
ための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、基体温度
の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作成
ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【００７０】＜表面層＞本発明においては、上述のよう
にして基体上に形成された光導電層の上に、更にa-Ｓi
系又はアモルファスカーボン系の表面層、或いはa-Ｓi
系、アモルファスカーボン系の層を積層した表面層を形
成することが好ましい。この表面層は自由表面を有し、
主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するた
めに設けられる。

【００７１】また、本発明におけるa-Ｓi系の表面層
は、光導電層を構成する光導電層と表面層とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分成されている。

【００７２】また、本発明におけるのアモルファスカー
ボン系の表面層とは、黒鉛(グラファイト)とダイヤモン
ドとの中間的な性質を持つアモルファス状の炭素を主に
表しているが、微結晶や多結晶を部分的に含んでいても
良い。

【００７３】本発明において用いる表面層の材質として
a-Ｓi系の材料を用いる場合は、シリコンを含有するア
モルファス材料ならば何れでも良いが、炭素、窒素、酸
素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコン原子
との化合物が好ましく、特にa-ＳiＣを主成分としたも
のが好ましい。

【００７４】表面層をa-ＳiＣを主成分として構成する
場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子との和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。

【００７５】また、本発明においてa-Ｓi系の表面層中
に水素原子および/またはハロゲン原子が含有されるこ
とが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補
償し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持
特性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量
は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子
％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原
子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量とし
て、通常の場合は0.01〜１５原子％、好適には0.1〜１
０原子％、最適には0.5〜５原子％とされるのが望まし
い。

【００７６】これらの水素および/または弗素含有量の
範囲内で形成される感光体は、実際面において優れたも
のとして充分適用させ得るものである。すなわち、表面
層内に存在する欠陥(主にシリコン原子や炭素原子のダ
ングリングボンド)は、電子写真感光体としての特性に
悪影響を及ぼすことが知られている。例えば自由表面か
ら電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば
高い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特
性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時に光導電層より
表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷が
トラップされることによる繰り返し使用時の残像現象の
発生等が、この悪影響として挙げられる。

【００７７】しかしながら、前記表面層内の水素含有量
を３０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大
幅に減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び
高速連続使用性において向上を図ることができる。

【００７８】一方、前記表面層中の水素含有量が７０原
子％を越えると表面層の硬度が低下するために、繰り返
し使用に耐えられなくなる。従って、表面層中の水素含
有量を前記の範囲内に制御することが優れた所望の電子
写真特性を得る上で重要な因子の１つである。表面層中
の水素含有量は、原料ガスの流量(比)、基体温度、放電
パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【００７９】また、前記表面層中の弗素含有量を0.01原
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子との結合の発生をより効果的に達成するこ
とが可能となる。さらに、前記表面層中の弗素原子の働
きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭
素原子との結合の切断を効果的に防止することができ
る。

【００８０】一方、前記表面層中の弗素含有量が１５原
子％を超えると過剰の弗素原子が表面層中のキャリアの
走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリーが認め
られてくる。従って、前記表面層中の弗素含有量を前記
範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る因子
の１つである。前記表面層中の弗素含有量は、水素含有
量と同様に原料ガスの流量(比)、基体温度、放電パワ
ー、ガス圧等によって制御し得る。

【００８１】また、アモルファスカーボン系の表面層で
は、膜中には水素原子を適宜含有していることが必要で
ある。水素を含有するアモルファスカーボン(以下、「a
-Ｃ:Ｈ」と表記する。)膜の膜中に含まれる水素原子の
含有量はＨ/(Ｃ+Ｈ)で１０％〜６０％、さらに好適には
２０％〜４０％が適している。水素量が１０％を切ると
光学的バンドギャップが狭くなり、感度の面で適さなく
なる。また、６０％を越えると硬度が低下し、削れが発
生し易くなる。光学的バンドギャップは一般には１.２e
Ｖ〜２.２eＶ程度の値であれば好適に用いることが出
来、感度の点からは１.６eＶ以上とすることが更に望ま
しい。屈折率は１.８〜２.８程度であれば好適に用いら
れる。

【００８２】さらに本発明においては、表面層には必要
に応じて伝導性を制御する原子を含有させてもよい。伝
導性を制御する原子は、表面層中に万偏なく均一に分布
した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には
不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。

【００８３】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、p型伝導特性を与える第１３族原子、またはn型伝導
特性を与える第１５族原子を用いることができる。

【００８４】本発明におけるａ−Ｓｉ系の表面層の層厚
としては、通常0.01〜３μｍ、好適には0.05〜２μｍ、
最適には0.1〜１μｍとされるのが望ましいものであ
る。層厚が0.01μｍよりも薄いと感光体を使用中に摩耗
等の理由により表面層が失われてしまい、３μｍを越え
ると残留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられ
る。また表面層として、a-Ｃ:Ｈ系の表面層の層厚とし
ては、0.005〜１μｍ、好ましくは0.01〜０.２μｍであ
る。0.005μｍより薄くなると機械的強度に問題が出
る。１μｍより厚くなると光感度の点で問題が発生す
る。

【００８５】本発明による表面層は、その要求される特
性が所望通りに与えられるように注意深く形成される。
即ち、形成条件によって構造的には微結晶からアモルフ
ァスまでの形態をとり、電気物性的には導電性から半導
体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質か
ら非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発
明においては、目的に応じた所望の特性を有する化合物
が形成されるように、所望によりその形成条件の選択が
厳密になされる。

【００８６】例えば、表面層を耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、使用環境において電気絶縁性的挙動
の顕著な非単結晶材料として作成される。

【００８７】基体温度は、層設計にしたがって最適範囲
が適宜選択されるが、通常の場合、a-Ｓi系の表面層で
は、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは１８
０〜３３０℃、最適には２００〜３００℃とするのが望
ましいa-Ｃ:Ｈ系の表面層では、好ましくは室温〜３５
０℃までに調整されるが、あまり基板温度が高過ぎると
バンドギャップが低下して透明度が低下するため低めの
温度設定が好ましい。

【００８８】反応容器内の圧力も同様に層設計にしたが
って最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０
^-2〜１×１０³Ｐa、好ましくは５×１０^-2〜５×１０²
Ｐa、最適には１×１０^-1〜１×１０²Ｐaとするのが好
ましい。

【００８９】本発明においては、表面層を形成するため
の基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した
範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する表面層を形成
すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決め
るのが望ましい。

【００９０】＜本発明で使用される原料ガス＞本発明に
おいて使用されるシリコン(Ｓi)供給用ガスとなり得る
物質としては、ＳiＨ₄、Ｓi₂Ｈ₆、Ｓi₃Ｈ₈、Ｓi₄Ｈ₁₀等
のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素(シラン
類)が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作
成時の取り扱い易さ、Ｓi供給効率の良さ等の点でＳiＨ
₄、Ｓi₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。

【００９１】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓi
供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ま
しいものとして挙げられる。

【００９２】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が
有効に使用されるものとして挙げられる。

【００９３】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラ
ン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合
物が好ましく挙げられる。さらには、シリコン原子とハ
ロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し
得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なも
のとして挙げることができる。本発明において好適に使
用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス
(Ｆ₂)、ＢrＦ、ＣlＦ、ＣlＦ₃、ＢrＦ₃、ＢrＦ₅、I
Ｆ₃、IＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることができ
る。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
たとえばＳiＦ₄、Ｓi₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいもの
として挙げることができる。

【００９４】伝導性を制御する原子としては、第１３族
原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入
用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆
Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣl
₃、ＢＢr₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡlＣl₃、ＧaＣl₃、Ｇa(ＣＨ₃)₃、InＣl₃、ＴlＣl₃
等も挙げることができる。

【００９５】第１５族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、リン原子導入用としては、Ｐ
Ｈ₃、Ｐ₂Ｈ₄等の水素化リン、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣl₃、
ＰＣl₅、ＰＢr₃、ＰＢr₅、ＰI₃等のハロゲン化リン等が
挙げられる。この他、ＡsＨ₃、ＡsＦ₃、ＡsＣl₃、ＡsＢ
r₃、ＡsＦ₅、ＳbＨ₃、ＳbＦ₃、ＳbＦ₅、ＳbＣl₃、ＳbＣ
l₅、ＢiＨ₃、ＢiＣl₃、ＢiＢr₃等も第１５族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【００９６】また、以上の原料ガスを必要に応じて
Ｈ₂、Ｈe、Ａr、Ｎe等のガスにより希釈して使用しても
よい。

【００９７】＜本発明に係わるa-Ｓi感光体成膜装置＞
第３図は、高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法に
よる感光体の堆積装置の一例を模式的に示した図であ
る。

【００９８】この装置は大別すると、堆積装置3100、原
料ガスの供給装置3200、成膜炉3110内を減圧する為の排
気装置(図示せず)から構成されている。堆積装置3100中
の成膜炉3110内にはアースに接続された導電性基体311
2、導電性基体の加熱用ヒーター3113、原料ガス導入管3
114が設置され、更に高周波マッチングボックス3115を
介して高周波電源3120が接続されている。

【００９９】原料ガス供給装置3200は、ＳiＨ₄、Ｈ₂、
ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＣＦ₄等の原料ガスボンベ3221〜
3226とバルブ3231〜3236、3241〜3246、3251〜3256及び
マスフローコントローラー3211〜3216から構成され、各
構成ガスのボンベはバルブ3260を介して成膜炉3110内の
ガス導入管3114に接続されている。

【０１００】導電性基体3112は導電性受け台3123の上に
設置されることによってアースに接続される。

【０１０１】以下、第３図の装置を用いた感光体の形成
方法の手順の一例について説明する。

【０１０２】成膜炉3110内に導電性基体3112を設置し、
不図示の排気装置(例えば真空ポンプ)により成膜炉3110
内を排気する。続いて導電性基体加熱用ヒーター3113に
より導電性基体3112の温度を１５０℃〜４５０℃の所望
の温度に制御する。次いで、感光体形成用の原料ガスを
成膜炉3110内に流入させるにはガスボンベのバルブ3231
〜3236、成膜炉のリークバルブ3117が閉じられている事
を確認し又、流入バルブ3241〜3246、流出バルブ3251〜
3256、補助バルブ3260が開かれていることを確認し、メ
インバルブ3118を開いて成膜炉3110及びガス供給配管31
16を排気する。

【０１０３】その後、真空系3119の読みが0.67ｍＰaに
なった時点で補助バルブ3260、流出バルブ3251〜3256を
閉じる。その後ガスボンベ3221〜3226より各ガスをバル
ブ3231〜3236を開いて導入し圧力調整器3261〜3266によ
り各ガス圧を０.２ＭＰaに調整する。次に流入バルブ32
41〜3246を徐々に開けて各ガスをマスフローコントロー
ラー3211〜3216内に導入する。

【０１０４】以上の手順によって成膜準備を完了した
後、導電性基体3112上に、まず光導電層の形成を行な
う。

【０１０５】即ち、導電性基体3112が所望の温度になっ
たところで、各流出バルブ3251〜3256のうちの必要なも
のと補助バルブ3260とを徐々に開き、各ガスボンベ3221
〜3226から所望の原料ガスをガス導入管3114を介して成
膜炉3110内に導入する。次に、各マスフローコントロー
ラー3211〜3216によって、各原料ガスが所望の流量にな
る様に調整する。その際、成膜炉3110内が13.3Ｐa〜133
0Ｐaの所望の圧力になる様に、真空計3119を見ながらメ
インバルブ3118の開口を調整する。内圧が安定したとこ
ろで、高周波電源3120を所望の電力に設定して例えば、
周波数１ＭＨz〜５０ＭＨz、例えば13.56ＭＨzの高周波
電力を高周波マッチングボックス3115を通じてカソード
電極3111に供給し高周波グロー放電を生起させる。この
放電エネルギーによって成膜炉3110内に導入させた各原
料ガスが分解され、導電性基体3112上に所望のシリコン
原子を主成分とする光導電層が堆積される。所望の膜厚
の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、各流出
バルブ3251〜3256を閉じて成膜炉3110への各原料ガスの
流入を止め、光導電層の形成を終える。光導電層の組成
や膜厚は公知のものを使用することができる。

【０１０６】次に、表面層の成膜を行なう。表面層の成
膜は原料ガスにＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆などの炭化水素ガス、必
要に応じてＨ₂など希釈ガスを用いる以外は基本的に光
導電層の成膜に準じる。

【０１０７】以上で、本発明の感光体が作成される。

【０１０８】第４図は、ＶＨＦ電源を用いたＶＨＦプラ
ズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置の一例を模式的に
示した図である。

【０１０９】本形態の堆積膜形成装置は反応容器4111の
外部に高周波電極4114が設置された装置であり、堆積装
置4100に図３の原料ガス供給装置3200ならびに 排気装
置(図示せず)を接続することによりシステムが構成され
る。

【０１１０】円筒状の反応容器4111の底面には排気管41
12が形成され、排気管4112の他端は不図示の排気装置に
接続されている。反応容器4111の中心部4110を取り囲む
ように、堆積膜の形成される例えば６本の円筒状基体41
13が同心円上に配置されている。各円筒状基体4113は回
転軸4121によって保持され、発熱体4120によって加熱さ
れるようになっている。モータ4123を駆動すると、減速
ギア4122を介して回転軸4121が回転し、円筒状基体4113
がその母線方向中心軸のまわりを自転するようになって
いる。

【０１１１】反応容器4111の側壁は誘電体部材で構成さ
れ、その材料としては、アルミナ、ムライト、ジルコニ
ア、コージェライト、ジルコン-コージェライト、炭化
珪素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム
マイカ系セラミックス等が挙げられる。

【０１１２】反応容器4111の内面は、膜の密着性を向上
して膜剥れを防止するために粗面化されていることが望
ましく、粗面化の具体的な程度としては、２.５ｍｍを
基準とする１０点平均粗さ(Ｒz)で５μｍ以上２００μ
ｍ以下の範囲とすることが好ましい。

【０１１３】原料ガスは供給装置3200から供給され、反
応容器4111内に同心円上に配置された原料ガス導入管41
18を介して反応容器中に導入される。

【０１１４】高周波電力は、例えば１０５ＭＨzの発振
周波数の高周波電源4116からマッチングボックス4115を
介して整合され、電力分岐板4124を通して反応容器側壁
を取り囲むように同心円上に配置された高周波電極4114
より反応容器4111内に供給される。高周波電極4114およ
び電力分岐板4124は、実質的に電磁波を閉じ込めるシー
ルド4119とは電気的に絶縁された状態で設置されてい
る。高周波電極4114の形状としては、特に制限はない
が、真空処理特性の均一化効果をより顕著に得るために
は、図４に示したような棒状であることが好ましい。

【０１１５】また、放電初期の真空処理安定性を向上す
るために、電力分岐板4124と高周波電極4114はコンデン
サーを介して接続してもよい。

【０１１６】このような装置で例えば円筒状の電子写真
感光体のための堆積膜を形成するには、概略以下のよう
な手順により行なうことができる。

【０１１７】まず、反応容器4111内に円筒状基体4113を
設置し、不図示の排気装置により排気管4112を通して反
応容器4111内を排気する。続いて、発熱体4120により円
筒状基体4113を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に
加熱・制御する。

【０１１８】円筒状基体4113が所定の温度となったとこ
ろで、原料ガス導入管4118を介して、原料ガスを反応容
器4111内に導入する。原料ガスの流量が設定流量とな
り、また、反応容器4111内の圧力が安定したのを確認し
た後、例えば発振周波数１０５ＭＨzの高周波電源4116
よりマッチングボックス4115を介して高周波電極4114へ
所定の高周波電力を供給する。これにより、反応容器41
11内にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円
筒状基体4113上に堆積膜が形成される。

【０１１９】所望の膜厚の層領域を形成した後、原料ガ
スの種類と各々の流量、高周波電力を所定の値に変えて
次の層領域の形成を行なう。所望の層構成が形成された
ところで電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停
止すると、多層構造の光受容層が形成される。

【０１２０】堆積膜形成中、モータ4123により回転軸41
21を介して円筒状基体4113を所定の速度で回転させるこ
とにより、円筒状基体表面全周に渡って均一な堆積膜が
形成される。

【０１２１】[実験例]以下に本発明に至った実験例を説
明する。

【０１２２】(実験例１)図３に記載のプラズマＣＶＤ装
置を用いて表１の条件で、コーニング社製7059ガラス上
に上部阻止層を約１μｍ成膜した。本実験では、成膜時
のＢ₂Ｈ₆量を７段階に変化させたサンプル(Ａ)〜(Ｇ)を
作成した。

【０１２３】こうして得られた上部阻止層のサンプル
は、以下の方法で、活性化エネルギー、および光学的バ
ンドギャップを測定し、光学的バンドギャップの１/２
と活性化エネルギーの差；ΔＥを求めた。その後、波長
５５０nｍ、5000lxの光を１時間照射することで、光劣
化させ、同様にΔＥを求めた。

【０１２４】○光学的バンドギャップの測定 上記のように作成したサンプルを近赤外〜紫外分光光度
計にセットし、光の波長を変化させながら吸光係数を測
定する。こうして得られた値を(αhν)^1/2＝Ｂ(hν-
Ｅ₀)のようにプロットする。ここで、αは吸光係数、h
はプランク定数、νは光の振動数、Ｅ₀は光学的バンド
ギャップである。こうして得られたグラフの直線部分を
αhν)^1/2＝０の軸に外挿することで、光学的バンドギ
ャップを求めることができる。

【０１２５】○活性化エネルギーの測定 半導体の活性化エネルギーとは半導体の導電率を決定し
ているキャリアが存在するバンド(導電率を決定してい
るキャリアが電子であれば伝導帯、正孔の場合は価電子
帯)とフェルミレベルとのエネルギー差を表したもので
ある。

【０１２６】半導体の導電率は活性化エネルギーを用い
て次式のように表すことができる。

【０１２７】σ ＝ σ₀ exp(-ΔＥa/kＴ) ここでσ₀は pre exponential factor であり、ΔＥaは
伝導帯とフェルミレベルとの間のエネルギー差である。
kはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。この式にお
いて、ΔＥaを活性化エネルギーという。具体的な測定
は次のように行なう。

【０１２８】上述のように作成したサンプルを真空蒸着
器にセッテングし、Ａl、Ｃr,Ａu等の対向電極をサンプ
ル表面に蒸着する。測定は、暗状態でこの電極に電圧を
印加したときの電流値を測定することにより行なう。そ
れぞれの試料に対してオーミック性を確認してバイアス
電圧を印加して真空中で１５０℃から徐々に温度を下げ
てゆきながら暗導電率を測定する。そして得られたデー
タから上記の式を用いて活性化エネルギーを求める。

【０１２９】次に、図３に記載のプラズマＣＶＤ装置を
用いて表２の条件で、負帯電の電子写真感光体を作成し
た。このとき、上部阻止層は表１に従い、各々の感光体
を(Ａ)〜(Ｇ)とした。このようにして得られた電子写真
感光体を電子写真装置(キヤノン社製iＲ8500を実験用に
改造したもの)に設置し、次の項目について評価を行な
った。その後、波長５５０nｍ、5000lxの光を１時間照
射することで光劣化させ、同様の項目について評価を行
なった。

【０１３０】○帯電能 電子写真感光体を電子写真装置に設置し、帯電器に＋６
kＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行ない、表面電位計
により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。

【０１３１】得られた結果は、比較例２での値を１００
％とした場合の相対評価でランク分けを行なった。

【０１３２】 ◎ … １１５％以上. ○ … １０５％以上、１１５％未満. △ … ９５％以上、１０５％未満. × … ９５％未満。

【０１３３】○残留電位 電子写真感光体を、一定の暗部表面電位に帯電させる。
そして直ちに一定光量の比較的強い光(例えば２Ｌx・se
c)を照射する。光像はハロゲンランプ光源を用い、フィ
ルターを用いて６００nｍ以上の波長域の光を除いた光
を照射した。この時表面電位計により電子写真用光感光
体の残留電位を測定する。

【０１３４】得られた結果は、比較例２での値を１００
％とした場合の相対評価でランク分けを行なった。

【０１３５】 ◎ … ８５％未満. ○ … ８５％以上、９５％未満. △ … ９５％以上、１０５％未満. × … １０５％以上。

【０１３６】○ゴースト 光メモリ…キヤノン製ゴーストテストチャート(部品番
号:ＦＹ９-9040)に反射濃度１.１、φ５ｍｍの黒丸を貼
付けたものを原稿台の画像先端部に置き、その上にキヤ
ノン製中間調チャ-トを重ねて置いた際のコピー画像に
おいて中間調コピー上に認められるゴーストチャートの
φ５ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測
定した。

【０１３７】得られた結果は、比較例２での値を１００
％とした場合の相対評価でランク分けを行なった。

【０１３８】 ◎ … ８５％未満. ○ … ８５％以上、９５％未満. △ … ９５％以上、１０５％未満. × … １０５％以上。

【０１３９】○文字のにじみ ６ポイントの明朝体のひらがな５０音を全面に書き込ん
だチャートを用意し、適正光量の１.３倍の光量でコピ
ーを行なう。得られた複写画像のひらがなの細線がにじ
んでいないか、文字は判読可能かを調べた。

【０１４０】 ◎ … 文字は充分判読可能であり、にじみも全くな
い. ○ … 文字は充分判読可能であるが、ごく一部、にじ
みが見られる. △ … 細かい部分がにじんでつぶれているが、文字の
判読は可能. × … 判読不能の文字がある。 このようにして求めた光照射前後の評価結果を表３に示
す。表３の結果から、初期の状態でΔＥの値が0.01〜0.
5eＶの範囲の電子写真感光体の諸特性は良好だが、光を
照射した後の特性を見ると、初期のΔＥが0.012eＶの感
光体(Ａ)は特性が若干劣化してしまっている。逆に、光
照射前に特性が悪かった、初期のΔＥが0.64eＶの感光
体(Ｆ)は光照射後に特性が良化している。これは、光劣
化することにより、上部阻止層の膜質が劣化したために
ΔＥの値が変化し、感光体(Ａ)に関しては、0.003eＶと
いう好適外の値となったためであり、逆に感光体(Ｆ)に
ついては0.49eＶという好適な値になったためである。
また、感光体（Ｃ）〜（Ｅ）に関しては、光劣化前後で
ランクの変化は見られないが、◎のランク内で多少の特
性変動は見られた。なお、光劣化後のΔＥが0.05eＶ〜
0.3eＶの範囲の電子写真感光体に関しては、いずれの評
価項目についても非常に良好であることが分かる。

【０１４１】次に、これらの感光体(Ａ)〜(Ｇ)につい
て、１０万枚の実機耐久を行なった。その後に再度、上
記の評価を行なったが、いずれの感光体に関しても、表
３の光劣化後の結果と同様の結果が得られ、経時変化は
全く見られなかった。

【０１４２】従って、本実験例から、表１の上部阻止層
を電子写真感光体に用いる場合、あらかじめ光劣化させ
ておくことで、使用中の劣化による特性の経時変化を抑
えることができることが分かる。また、ＳiＨ₄に対する
Ｂ₂Ｈ₆量を100原子ppｍ〜30000原子ppｍに設定し、あら
かじめ光照射によって上部阻止層を光劣化させて、上部
阻止層のΔＥを0.01eＶ〜0.5eＶにすることで、良好な
特性が安定して得られることが分かる。更に、より好ま
しい特性が得られるのは500原子ppｍ〜10000原子ppｍ、
ΔＥが0.05eＶ〜0.3eＶの範囲であることが分かる。

【０１４３】(実験例２)実験例１と同様に、図３に記載
のプラズマＣＶＤ装置を用いて表１の(Ｄ)に示した条件
により上部阻止層のサンプルを作成した。本実験例では
照射する光は蛍光灯(波長域400nｍ〜650nｍ)とし、照度
を10、100、500、1000、5000、10000、20000lxとして上
部阻止層の光劣化を行なった。本実験例では、光照射の
間のΔＥの変化を調べた。

【０１４４】その結果を表４に示す。用いる光量は、10
00lx以上とすることで、処理に要する時間が１０分〜１
時間程度となり、処理効率から考えて好ましいことが分
かる。

【０１４５】(実験例３)実験例１と同様に、図３に記載
のプラズマＣＶＤ装置を用いて、表２の条件で負帯電の
電子写真感光体を作成した。このとき、上部阻止層は表
１の(Ｄ)に従った。このようにして得られた電子写真感
光体に対して、まず初期状態で実験例１と同様に評価し
た後、5000lxのハロゲン光(波長域500nｍ〜1200nｍ)を
３０分照射することで光劣化させ、再度評価を行なっ
た。

【０１４６】その結果を表５に示す。表５から分かるよ
うに、650nｍ以上の長波長光を含んだ光を使用して光劣
化を行なうと、上部阻止層のみでなく、光導電層まで光
劣化が及ぶために、感光体特性が若干劣化してしまう。
このため、本発明の光劣化には400nｍ〜650nｍの光を用
いることがより好ましいことが判明した。

【０１４７】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれにより何ら限定されるものではない。

【０１４８】(実施例１)図３に記載のプラズマＣＶＤ装
置を用いて表６に示した条件で、下部阻止層、光導電
層、上部阻止層、表面層からなる負帯電の電子写真感光
体を作成した。上部阻止層は１３族元素供給用のＢ₂Ｈ₆
をＳiＨ₄に対して5000原子ppｍに設定してあり、光劣化
後のΔＥは0.19eＶとなって良好な特性を持つことをあ
らかじめ確認しておいた。このようにして得られた電子
写真感光体を5000lxの蛍光灯(400〜650nｍ)光を１時間
照射することで光劣化させ、実験例１と同様の項目につ
いて１０万枚耐久を行い、評価を行なった。

【０１４９】(比較例１)実施例１と同様に、図３に記載
のプラズマＣＶＤ装置を用いて表６に示した条件で、下
部阻止層、光導電層、上部阻止層、表面層からなる負帯
電の電子写真感光体を作成した。ただし、本比較例で
は、上部阻止層形成時のＢ₂Ｈ₆量をＳiＨ₄に対して1200
原子ppｍとして、光劣化前のΔＥの値が0.19eＶになる
ように調整した。そして、耐久前には光照射せず、劣化
させなかった。このようにして得られた電子写真感光体
は、実験例１と同様の項目について１０万枚耐久を行
い、評価を行なった。

【０１５０】(比較例２)実施例１と同様に、図３に記載
のプラズマＣＶＤ装置を用いて表６に示した条件で、下
部阻止層、感光層、表面層からなる負帯電の電子写真感
光体を作成した。本比較例では、上部阻止層は形成しな
かった。このようにして得られた電子写真感光体は、実
験例１と同様の項目について１０万枚耐久を行い、評価
を行なった。

【０１５１】実施例１、比較例１、比較例２の結果をま
とめて表７に示す。表７から、本発明の電子写真感光体
は、特性に優れ、かつ、経時変化が皆無であることが分
かる。

【０１５２】(実施例２)図３に記載のプラズマＣＶＤ装
置を用いて表８に示した条件で、下部阻止層、光導電
層、上部阻止層、表面層からなる電子写真感光体を作成
した。本実施例の電子写真感光体は正帯電で用いられる
ものである。上部阻止層は１５族元素供給用のＰＨ₃を
ＳiＨ₄に対して10000原子ppｍに設定してあり、光劣化
後のΔＥが0.30eＶとなって充分な阻止能を持つことを
あらかじめ確認しておいた。このようにして得られた電
子写真感光体を10000lxの蛍光灯(400〜650nｍ)光を３０
分間照射することで光劣化させ、実験例１と同様の項目
について１０万枚耐久を行い、評価を行なった。

【０１５３】結果を表９に示す。表９から分かるよう
に、本発明の効果は、正帯電の電子写真感光体に適用さ
れても同様に効果が得られることが分かる。

【０１５４】(実施例３)図３に記載のプラズマＣＶＤ装
置を用いて表１０に示した条件で、下部阻止層、光導電
層、上部阻止層、表面層からなる負帯電の電子写真感光
体を作成した。本実施例では表面層がa-Ｃ:Ｈ膜からな
っている電子写真感光体(Ｈ)と表面層がa-ＳiＣ:Ｈ膜と
a-Ｃ:Ｈ膜の２層からなっている電子写真感光体(I)の２
種類の電子写真感光体を作成した。いずれの感光体も、
上部阻止層は１３族元素供給用のＢ₂Ｈ₆をＳiＨ₄に対し
て30000原子ppｍに設定してあり、光劣化後のΔＥが0.4
7eＶとなって良好な阻止能を持つことをあらかじめ確認
しておいた。このようにして得られた電子写真感光体を
20000lxの650nｍ以上の長波光をフィルターでカットし
たハロゲン光(400〜650nｍ)を１０分間照射することで
光劣化させ、実験例１と同様の項目について１０万枚耐
久を行い、評価を行なった。

【０１５５】結果を表１１に示す。表１１から分かるよ
うに、本発明の効果は、最表面がa-Ｃ:Ｈからなる表面
層の電子写真感光体に適用されても同様に効果が得られ
ることが分かる。また、a-Ｃ:Ｈからなる表面層を用い
ることで、耐傷性、耐摩耗性、耐環境性が更に向上し、
より優れた電子写真特性を発揮することができた。

【０１５６】(実施例４)図３に記載のプラズマＣＶＤ装
置を用いて表１２に示した条件で、下部阻止層、光導電
層、上部阻止層、表面層からなる負帯電の電子写真感光
体を作成した。本実施例では上部阻止層がフッ素を含有
したa-ＳiＣ:Ｈ，Ｆからなるもの(Ｊドラム)、a-ＳiＮ:
Ｈからなるもの(Ｋドラム)、a-ＳiＯ:Ｈからなるもの
(Ｌドラム)の３本のドラムを作成した。いずれの感光体
も、上部阻止層は１３族元素供給用のＢ₂Ｈ₆をＳiＨ₄に
対して300原子ppｍ含有させており、光劣化後のΔＥが
0.03eＶとなって良好な阻止能を持つことをあらかじめ
確認しておいた。このようにして得られた電子写真感光
体を蛍光灯(400〜650nｍ)光を３０分間照射することで
光劣化させ、実験例１と同様の項目について１０万枚耐
久を行い、評価を行なった。

【０１５７】結果を表１３に示す。表１３から分かるよ
うに、本発明の効果は、上部阻止層が、a-ＳiＣ:Ｈ,
Ｆ、a-ＳiＮ:Ｈ、a-ＳiＯ:Ｈから成っていても同様に効
果が得られることが分かる。

【０１５８】(実施例５)図４に記載のＶＨＦプラズマＣ
ＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて表１４に示した
条件で、下部阻止層、光導電層、上部阻止層、表面層か
らなる負帯電の電子写真感光体を作成した。ＶＨＦの周
波数としては、本実施例では１０５ＭＨzを用いた。上
部阻止層は１３族元素供給用のＢ₂Ｈ₆をＳiＨ₄に対して
600原子ppｍに設定してあり、光劣化後のΔＥが0.03eＶ
となって良好な阻止能を持つことをあらかじめ確認して
おいた。このようにして得られた電子写真感光体を6000
lxの650nｍ以上の長波光をフィルターでカットしたハロ
ゲン光(400〜650nｍ)を３０分間照射することで光劣化
させ、実験例１と同様の項目について１０万枚耐久を行
い、評価を行なった。

【０１５９】結果を表１５に示す。表１５から分かるよ
うに、ＶＨＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置
を用いた電子写真感光体においても、本発明は同様に効
果が得られることが分かる。

【０１６０】

【発明の効果】本発明によれば、導電性支持体上に、少
なくともシリコン原子、水素原子および/またはハロゲ
ン原子を含有した非単結晶材料で構成された光導電層
と、少なくともシリコン原子、水素原子および/または
ハロゲン原子を含有し、さらに周期律表１３族または１
５族の不純物原子を含有した非単結晶材料から成る上部
阻止層を設けた電子写真感光体において、該上部阻止層
に含有される該不純物原子の含有量を、該上部阻止層が
光照射により光劣化した後に阻止能を持ち得るように最
適化された含有量に設定することにより、帯電能に優
れ、残留電位、ゴースト、文字のにじみの少ない優れた
特性が、使用中に変動することなく安定して発揮される
電子写真感光体、および製造方法を提供することができ
る。

【０１６１】

【表１】

【０１６２】

【表２】

【０１６３】

【表３】

【０１６４】

【表４】

【０１６５】

【表５】

【０１６６】

【表６】

【０１６７】

【表７】

【０１６８】

【表８】

【０１６９】

【表９】

【０１７０】

【表１０】

【０１７１】

【表１１】

【０１７２】

【表１２】

【０１７３】

【表１３】

【０１７４】

【表１４】

【０１７５】

【表１５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるところの電子写真感光体の模式的
断面図。

【図２】本発明によるところの電子写真感光体の模式的
断面図。

【図３】本発明の電子写真感光体を形成するためのＲＦ
プラズマＣＶＤ法を用いた堆積装置の模式図。

【図４】本発明の電子写真感光体を形成するためのＶＨ
ＦプラズマＣＶＤ法を用いた堆積装置の模式図。

【符号の説明】

101、201 導電性基体 102、202 光導電層 103、203 本発明の上部阻止層 204 表面層層 205 下部阻止層 3100 堆積装置 3110 反応容器 3111 カソード電極 3112 導電性基体 3113 基体加熱用ヒーター 3114 ガス導入管 3115 高周波マッチングボックス 3116 ガス配管 3117 リークバルブ 3118 メインバルブ 3119 真空計 3120 高周波電源 3121 絶縁材料 3123 受け台 3200 ガス供給装置 3211〜3216 マスフローコントローラ 3221〜3226 ボンベ 3231〜3236 バルブ 3241〜3246 流入バルブ 3251〜3256 流出バルブ 3260 補助バルブ 3261〜3266 圧力調整器 4100 堆積装置 4110 中心部 4111 反応容器 4112 排気管 4113 円筒状基体 4114 高周波電極 4115 マッチングボックス 4116 高周波電源 4118 原料ガス導入管 4119 シールド 4120 発熱体 4121 回転軸 4122 減速ギア 4123 モータ 4124 電力分岐板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細井 一人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA04 DA12 EA24

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧可能な反応容器内に導電性基体を設
   置し、高周波電極に供給した高周波電力によってプラズ
   マを生起させ、導電性基体上に少なくともシリコン原
   子、水素原子および/またはハロゲン原子を含有した非
   単結晶材料で構成された光導電層及び少なくともシリコ
   ン原子、水素原子および/またはハロゲン原子を含有
   し、さらに周期律表１３族または１５族の不純物原子を
   含有した非単結晶材料から成る上部阻止層を順次積層さ
   せる電子写真感光体の製造方法において、 該上部阻止層に含有される該不純物原子の含有量は、該
   上部阻止層が光照射により光劣化した後に阻止能を持ち
   得るように最適化された含有量に設定されていることを
   特徴とする電子写真感光体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記電子写真感光体の使用前に、前記上
   部阻止層を光照射によって光劣化させる工程をもつこと
   を特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記上部阻止層がさらに炭素原子、窒素
   原子、酸素原子のうち少なくとも１つ以上の元素を含む
   ことを特徴とする請求項１乃至２に記載の電子写真感光
   体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記光照射する際の波長が４００nｍ〜
   ６５０nｍであることを特徴とする請求項１乃至３に記
   載の電子写真感光体の製造方法。
5. 【請求項５】 前記光照射する際の照度が１０００lx〜
   ２００００lxであることを特徴とする請求項１乃至４に
   記載の電子写真感光体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記光照射する時間が１０分〜１時間で
   あることを特徴とする請求項１乃至５に記載の電子写真
   感光体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記上部阻止層に含有される不純物原子
   が周期律表第１３族である場合は硼素原子、周期律表第
   １５族である場合はリン原子であることを特徴とする請
   求項１乃至６に記載の電子写真感光体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記上部阻止層に含有される不純物原子
   の濃度が１００原子ppｍ以上、３００００原子ppｍ以下
   であることを特徴とする請求項１乃至７に記載の電子写
   真感光体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記上部阻止層に含有される不純物原子
   の濃度が５００原子ppｍ以上、１００００原子ppｍ以下
   であることを特徴とする請求項８に記載の電子写真感光
   体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記上部阻止層は、光学的バンドギャ
    ップの１/２と活性化エネルギーの差ΔＥが、０.０１e
    Ｖ以上、０.５eＶ以下であることを特徴とする請求項１
    乃至９に記載の電子写真用感光体の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記上部阻止層は、光学的バンドギャ
    ップの１/２と活性化エネルギーの差ΔＥが、０.０５e
    Ｖ以上、０.３eＶ以下であることを特徴とする請求項１
    ０に記載の電子写真用感光体の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記上部阻止層の上に、少なくともシ
    リコン原子、水素原子および/またはハロゲン原子を含
    有し、さらに炭素原子、酸素原子、窒素原子の少なくと
    も１つ以上の原子を含有した非単結晶材料から成る表面
    層を積層することを特徴とする請求項１乃至１１に記載
    の電子写真感光体の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記上部阻止層の上に少なくとも水素
    および/またはハロゲンを含有した非単結晶炭素材料か
    ら成る表面層をさらに積層することを特徴とする請求項
    １乃至１２に記載の電子写真感光体の製造方法。
14. 【請求項１４】 導電性支持体上に、少なくともシリコ
    ン原子、水素原子および/またはハロゲン原子を含有し
    た非単結晶材料で構成された光導電層と、少なくともシ
    リコン原子、水素原子および/またはハロゲン原子を含
    有し、さらに周期律表１３族または１５族の不純物原子
    を含有した非単結晶材料から成る上部阻止層を設けた電
    子写真感光体において、 該上部阻止層に含有される該不純物原子の含有量は、該
    上部阻止層が光照射により光劣化した後に阻止能を持ち
    得るように最適化された含有量に設定されていることを
    特徴とする電子写真感光体。
15. 【請求項１５】 請求項１乃至１３の方法で製造された
    請求項１４に記載の電子写真感光体。
16. 【請求項１６】 前記上部阻止層に含有される不純物元
    素が周期律表第１３族である、負帯電プロセスで用いら
    れることを特徴とする請求項１５に記載の電子写真感光
    体。