JP2003107540A - 信号光の変調方法 - Google Patents
信号光の変調方法Info
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- JP2003107540A JP2003107540A JP2001299212A JP2001299212A JP2003107540A JP 2003107540 A JP2003107540 A JP 2003107540A JP 2001299212 A JP2001299212 A JP 2001299212A JP 2001299212 A JP2001299212 A JP 2001299212A JP 2003107540 A JP2003107540 A JP 2003107540A
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- JP
- Japan
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- wavelength
- light
- signal light
- optical waveguide
- glass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】長さが短い光導波体を用いてロスの少ない信号
光変調を行う方法の提供。 【解決手段】ErまたはTmを含有する光導波体に、波
長がλsである信号光と、波長がλcであって1nm≦
|λc−λs|≦50nmである制御光と、波長がλs
およびλcのいずれよりも小さいλeであって、Erま
たはTmから波長が(λs−100nm)〜(λs+3
00nm)である光を放出させることができる励起光と
を入射し、該信号光とは位相または波長が異なる変調信
号光を該光導波体から出射させることを特徴とする信号
光の変調方法。
光変調を行う方法の提供。 【解決手段】ErまたはTmを含有する光導波体に、波
長がλsである信号光と、波長がλcであって1nm≦
|λc−λs|≦50nmである制御光と、波長がλs
およびλcのいずれよりも小さいλeであって、Erま
たはTmから波長が(λs−100nm)〜(λs+3
00nm)である光を放出させることができる励起光と
を入射し、該信号光とは位相または波長が異なる変調信
号光を該光導波体から出射させることを特徴とする信号
光の変調方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、三次非線形光学効
果を利用する超高速光スイッチ、波長変換素子等の光制
御素子において用いられる信号光の変調方法に関する。
果を利用する超高速光スイッチ、波長変換素子等の光制
御素子において用いられる信号光の変調方法に関する。
【0002】
【従来の技術】大容量の情報を伝送するための通信方式
として、時分割多重光通信方式(TDM)、波長分割多
重光通信方式(WDM)等が提案されている。TDMに
おいては時分割された光信号が、WDMにおいては波長
分割された信号光がそれぞれ1〜40Gbit/sの高
速度で伝送され、時分割または波長分割によって通信容
量の増大が図られている。なお、信号光の波長は通常
1.4〜1.7μmである。
として、時分割多重光通信方式(TDM)、波長分割多
重光通信方式(WDM)等が提案されている。TDMに
おいては時分割された光信号が、WDMにおいては波長
分割された信号光がそれぞれ1〜40Gbit/sの高
速度で伝送され、時分割または波長分割によって通信容
量の増大が図られている。なお、信号光の波長は通常
1.4〜1.7μmである。
【0003】このような光通信方式においては、光スイ
ッチ、波長変換素子等の三次非線形光学効果を利用する
光制御素子が使用されるが、このような光制御素子には
三次非線形光学効果を増大させた石英系ガラスファイバ
が用いられている。なお、三次非線形光学効果の増大
は、たとえばGeをドープする等によって行われてい
る。
ッチ、波長変換素子等の三次非線形光学効果を利用する
光制御素子が使用されるが、このような光制御素子には
三次非線形光学効果を増大させた石英系ガラスファイバ
が用いられている。なお、三次非線形光学効果の増大
は、たとえばGeをドープする等によって行われてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】三次非線形光学効果を
利用する光制御素子の光導波体としては、先に述べたと
おり、たとえばGeドープ石英系ガラスファイバが用い
られている。しかしその三次非線形光学効果は小さく、
そのために前記ガラスファイバの長さは典型的には50
0mにする必要があり、装置が大きくなる問題があっ
た。
利用する光制御素子の光導波体としては、先に述べたと
おり、たとえばGeドープ石英系ガラスファイバが用い
られている。しかしその三次非線形光学効果は小さく、
そのために前記ガラスファイバの長さは典型的には50
0mにする必要があり、装置が大きくなる問題があっ
た。
【0005】前記ガラスファイバの長さが大きいという
問題を解決するために、特開2001−213640公
報には三次非線形光学効果が大きなBi2O3系ガラス
ファイバ、特にErを含有しないBi2O3系ガラスフ
ァイバの光制御素子への適用が提案されている。すなわ
ち、同公報には信号光および制御光をBi2O3系ガラ
スファイバに同時に入射し、光スイッチにおいては信号
光と位相が異なる変調信号光を、波長変換素子において
は信号光と波長が異なる変調信号光をそれぞれ同ガラス
ファイバから出射させることを特徴とする光スイッチま
たは波長変換素子が記載されている。
問題を解決するために、特開2001−213640公
報には三次非線形光学効果が大きなBi2O3系ガラス
ファイバ、特にErを含有しないBi2O3系ガラスフ
ァイバの光制御素子への適用が提案されている。すなわ
ち、同公報には信号光および制御光をBi2O3系ガラ
スファイバに同時に入射し、光スイッチにおいては信号
光と位相が異なる変調信号光を、波長変換素子において
は信号光と波長が異なる変調信号光をそれぞれ同ガラス
ファイバから出射させることを特徴とする光スイッチま
たは波長変換素子が記載されている。
【0006】三次非線形光学効果が大きなBi2O3系
ガラスファイバを用いることによりガラスファイバの長
さを10m以下にでき、前記ガラスファイバの長さに関
する問題の解決が可能になる。しかし、バックグラウン
ドロスが大きく、0.1〜3dB/mであるために信号
光の減衰が大きい問題があった。すなわち、Bi2O 3
系ガラスファイバにおけるバックグラウンドロスは大き
く、その長さを仮に10mにしたとしてもロスは1〜3
0dBに達する。本発明は上記問題を解決する信号光の
変調方法の提供を目的とする。
ガラスファイバを用いることによりガラスファイバの長
さを10m以下にでき、前記ガラスファイバの長さに関
する問題の解決が可能になる。しかし、バックグラウン
ドロスが大きく、0.1〜3dB/mであるために信号
光の減衰が大きい問題があった。すなわち、Bi2O 3
系ガラスファイバにおけるバックグラウンドロスは大き
く、その長さを仮に10mにしたとしてもロスは1〜3
0dBに達する。本発明は上記問題を解決する信号光の
変調方法の提供を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも2
端面を有し、ErまたはTmを含有する光導波体の1端
面に、波長がλsである信号光と、波長がλcであって
1nm≦|λc−λs|≦50nmである制御光とを同
時に入射し、他の1端面から該信号光とは位相または波
長が異なる変調信号光を出射させる信号光の変調方法で
あって、波長がλsおよびλcのいずれよりも小さく、
かつ、ErまたはTmから波長が(λs−100nm)
〜(λs+300nm)である光を放出させることがで
きる励起光を信号光および制御光と同時に前記1端面に
入射することを特徴とする信号光の変調方法を提供す
る。
端面を有し、ErまたはTmを含有する光導波体の1端
面に、波長がλsである信号光と、波長がλcであって
1nm≦|λc−λs|≦50nmである制御光とを同
時に入射し、他の1端面から該信号光とは位相または波
長が異なる変調信号光を出射させる信号光の変調方法で
あって、波長がλsおよびλcのいずれよりも小さく、
かつ、ErまたはTmから波長が(λs−100nm)
〜(λs+300nm)である光を放出させることがで
きる励起光を信号光および制御光と同時に前記1端面に
入射することを特徴とする信号光の変調方法を提供す
る。
【0008】
【発明の実施の形態】図1を用いて、本発明を信号光の
波長変換に適用する場合を例にとって説明する。Gは光
導波体、C1、C2およびC3はカップラである。な
お、光スイッチに適用する場合の説明は省くが、この場
合は信号光とは位相が典型的には90°異なる変調信号
光を光導波体から出射させる。波長がλsである信号光
と波長がλcである制御光はカップラC1で合波され光
導波体Gに入射され、その下流に設置されたカップラC
2でさらに、波長がλeである励起光が合波され光導波
体Gに入射される。光導波体G内で信号光は波長変換さ
れて変調信号光となり光導波体Gから出射される。該出
射された変調信号光はカップラC3によって分離、取り
出される。
波長変換に適用する場合を例にとって説明する。Gは光
導波体、C1、C2およびC3はカップラである。な
お、光スイッチに適用する場合の説明は省くが、この場
合は信号光とは位相が典型的には90°異なる変調信号
光を光導波体から出射させる。波長がλsである信号光
と波長がλcである制御光はカップラC1で合波され光
導波体Gに入射され、その下流に設置されたカップラC
2でさらに、波長がλeである励起光が合波され光導波
体Gに入射される。光導波体G内で信号光は波長変換さ
れて変調信号光となり光導波体Gから出射される。該出
射された変調信号光はカップラC3によって分離、取り
出される。
【0009】光導波体GはErおよびTmの少なくとも
いずれか一方を含有し、3次非線形光学効果を有する光
導波体である。3次非線形係数γ(3)は10−3es
u以上であることが好ましい。
いずれか一方を含有し、3次非線形光学効果を有する光
導波体である。3次非線形係数γ(3)は10−3es
u以上であることが好ましい。
【0010】信号光の波長λsは典型的には1450〜
1620nmである。すなわち、Sバンドでは1450
〜1530nm、Cバンドでは1530〜1560n
m、Lバンドでは1570〜1620nmである。信号
光がSバンドであるとき光導波体GはTmを、信号光の
波長が1530〜1620nmであるとき、特に信号光
がCバンドまたはLバンドであるとき光導波体GはEr
をそれぞれ含有することが好ましい。
1620nmである。すなわち、Sバンドでは1450
〜1530nm、Cバンドでは1530〜1560n
m、Lバンドでは1570〜1620nmである。信号
光がSバンドであるとき光導波体GはTmを、信号光の
波長が1530〜1620nmであるとき、特に信号光
がCバンドまたはLバンドであるとき光導波体GはEr
をそれぞれ含有することが好ましい。
【0011】また、信号光の伝送速度は典型的には1〜
40Gbit/sであり、そのパルス幅は1ns〜10
psである。
40Gbit/sであり、そのパルス幅は1ns〜10
psである。
【0012】制御光の波長λcは波長変換を行うために
はλsと異なっていなければならない。制御光と変調信
号光を分離するためには、|λc−λs|は好ましくは
0.1nm以上、より好ましくは0.4nm以上であ
る。一方、波長変換の効率を向上させるためには|λc
−λs|は40nm以下であることが好ましい。なお、
本発明を光スイッチに適用する場合、たとえば信号光の
伝送速度が1Tbit/s、100Gbit/s、10
Gbit/sのときは|λc−λs|はそれぞれ8nm
以上、0.8nm以上、0.08nm以上であることが
好ましい。
はλsと異なっていなければならない。制御光と変調信
号光を分離するためには、|λc−λs|は好ましくは
0.1nm以上、より好ましくは0.4nm以上であ
る。一方、波長変換の効率を向上させるためには|λc
−λs|は40nm以下であることが好ましい。なお、
本発明を光スイッチに適用する場合、たとえば信号光の
伝送速度が1Tbit/s、100Gbit/s、10
Gbit/sのときは|λc−λs|はそれぞれ8nm
以上、0.8nm以上、0.08nm以上であることが
好ましい。
【0013】光導波体G内のErまたはTmは波長がλ
eである励起光によって励起され、波長が(λs−10
0nm)〜(λs+300nm)である光が放出され
る。このErまたはTmから放出された光によって信号
光または変調信号光が増幅され、この増幅によって前記
ロスの全部または一部が補償される。
eである励起光によって励起され、波長が(λs−10
0nm)〜(λs+300nm)である光が放出され
る。このErまたはTmから放出された光によって信号
光または変調信号光が増幅され、この増幅によって前記
ロスの全部または一部が補償される。
【0014】励起光のパワーは1mW〜1Wであること
が好ましい。1mW未満では上記増幅効果が小さいおそ
れがある。より好ましくは10mW以上である。1W超
では光導波体Gが損傷するおそれがある。
が好ましい。1mW未満では上記増幅効果が小さいおそ
れがある。より好ましくは10mW以上である。1W超
では光導波体Gが損傷するおそれがある。
【0015】λsが1520〜1630nmであると
き、光導波体GはErを含有することが好ましい。光導
波体GがErを含有するとき、λeは典型的には970
〜990nm(以下980nm帯という。)または14
70〜1490nm(以下1480nm帯という。)で
ある。980nm帯の励起光はErの980nm付近の
吸収帯に吸収され、また1480nm帯の励起光はEr
の1530nm付近の吸収帯に吸収され、それぞれ波長
が1500〜1600nmの光を放出する。
き、光導波体GはErを含有することが好ましい。光導
波体GがErを含有するとき、λeは典型的には970
〜990nm(以下980nm帯という。)または14
70〜1490nm(以下1480nm帯という。)で
ある。980nm帯の励起光はErの980nm付近の
吸収帯に吸収され、また1480nm帯の励起光はEr
の1530nm付近の吸収帯に吸収され、それぞれ波長
が1500〜1600nmの光を放出する。
【0016】光導波体Gから出射された光からカップラ
C3によって分離、取り出された変調信号光の波長λm
は1/((2/λs)−(1/λc))であり、λsと
異なる。
C3によって分離、取り出された変調信号光の波長λm
は1/((2/λs)−(1/λc))であり、λsと
異なる。
【0017】光導波体Gは通常、ガラスファイバである
が、これに限定されずたとえば平面導波路でもよい。以
下では光導波体Gがガラスファイバである場合について
述べる。光導波体Gの外周には通常、光導波体Gをコア
とするコア/クラッド構造の光導波路とするべくクラッ
ドが形成される。
が、これに限定されずたとえば平面導波路でもよい。以
下では光導波体Gがガラスファイバである場合について
述べる。光導波体Gの外周には通常、光導波体Gをコア
とするコア/クラッド構造の光導波路とするべくクラッ
ドが形成される。
【0018】光導波体G(コア)の直径は典型的には2
〜10μmであり、その長さは1〜1000cmであ
る。また、クラッドの厚さは典型的には50〜70μm
であり、その外径は100〜200μmである。
〜10μmであり、その長さは1〜1000cmであ
る。また、クラッドの厚さは典型的には50〜70μm
であり、その外径は100〜200μmである。
【0019】光導波体Gは、ErまたはTmと、Erお
よびTmのいずれも含有しないマトリクスガラスとから
なるガラスファイバである。ErおよびTmの含有量の
合計は、マトリクスガラスを100質量部として0.0
01〜10質量部の範囲にあることが好ましい。0.0
01質量部未満では前記増幅が小さいおそれがある。よ
り好ましくは0.01質量部以上である。10質量部超
では前記ロスが大きくなるおそれがある。より好ましく
は1質量部以下である。
よびTmのいずれも含有しないマトリクスガラスとから
なるガラスファイバである。ErおよびTmの含有量の
合計は、マトリクスガラスを100質量部として0.0
01〜10質量部の範囲にあることが好ましい。0.0
01質量部未満では前記増幅が小さいおそれがある。よ
り好ましくは0.01質量部以上である。10質量部超
では前記ロスが大きくなるおそれがある。より好ましく
は1質量部以下である。
【0020】マトリクスガラスは、下記酸化物基準のモ
ル%表示で本質的に、 Bi2O3 25〜70%、 B2O3+SiO2 5〜74.9%、 Al2O3+Ga2O3 0.1〜30%、 CeO2 0〜10%、 からなることが好ましい。なお、この好ましい態様にお
いてCeO2含有量が0〜10%であるとは、CeO2
は必須ではないが10%まで含有してもよい、の意であ
る(以下同じ)。
ル%表示で本質的に、 Bi2O3 25〜70%、 B2O3+SiO2 5〜74.9%、 Al2O3+Ga2O3 0.1〜30%、 CeO2 0〜10%、 からなることが好ましい。なお、この好ましい態様にお
いてCeO2含有量が0〜10%であるとは、CeO2
は必須ではないが10%まで含有してもよい、の意であ
る(以下同じ)。
【0021】この好ましい態様においてはマトリクスガ
ラスは本質的に上記成分からなるが、この他に本発明の
目的を損なわない範囲で他の成分を合計で10モル%ま
で含有してもよい。該「他の成分」として、Li2O、
Na2O、K2O、MgO、CaO、SrO、BaO、
ZnO、TiO2、WO3、La2O3、Gs2O3、
Yb2O3、SnO2、TeO2等が例示される。
ラスは本質的に上記成分からなるが、この他に本発明の
目的を損なわない範囲で他の成分を合計で10モル%ま
で含有してもよい。該「他の成分」として、Li2O、
Na2O、K2O、MgO、CaO、SrO、BaO、
ZnO、TiO2、WO3、La2O3、Gs2O3、
Yb2O3、SnO2、TeO2等が例示される。
【0022】なお、As、S、Seはいずれも含有しな
いことが好ましい。
いことが好ましい。
【0023】マトリクスガラスは、下記酸化物基準のモ
ル%表示で本質的に、 Bi2O3 30〜50%、 B2O3 0〜40%、 SiO2 35〜50%、 Al2O3 0.1〜10%、 Ga2O3 3〜14%、 CeO2 0.1〜1%、 からなることがより好ましい。
ル%表示で本質的に、 Bi2O3 30〜50%、 B2O3 0〜40%、 SiO2 35〜50%、 Al2O3 0.1〜10%、 Ga2O3 3〜14%、 CeO2 0.1〜1%、 からなることがより好ましい。
【0024】光導波体Gの外周にクラッドを形成する場
合、該クラッドはガラスであり、その屈折率n2は光導
波体Gの屈折率をn1として次式を満足することが好ま
しい。 0.0005≦(n1−n2)/n1≦0.1 また、クラッドは、モル%表示で本質的に、Bi
2O3:25〜70%、B2O3+SiO2:5〜7
4.89%、Al2O3+Ga2O3:0.1〜30
%、CeO2:0.01〜10%、からなるガラスであ
ることが好ましい。
合、該クラッドはガラスであり、その屈折率n2は光導
波体Gの屈折率をn1として次式を満足することが好ま
しい。 0.0005≦(n1−n2)/n1≦0.1 また、クラッドは、モル%表示で本質的に、Bi
2O3:25〜70%、B2O3+SiO2:5〜7
4.89%、Al2O3+Ga2O3:0.1〜30
%、CeO2:0.01〜10%、からなるガラスであ
ることが好ましい。
【0025】光導波体Gをコアとするコア/クラッド構
造のガラスファイバは、たとえばコアガラスとクラッド
ガラスを複合化したプリフォームを周知の押出し成形法
によって作製し、このプリフォームを延伸して作製され
る。
造のガラスファイバは、たとえばコアガラスとクラッド
ガラスを複合化したプリフォームを周知の押出し成形法
によって作製し、このプリフォームを延伸して作製され
る。
【0026】
【実施例】表のBi2O3からCeO2までの欄にモル
%表示で示す組成を有するマトリクスガラスに、Erの
欄にマトリクスガラスを100質量部とした質量部表示
で含有量を示すErを含有させたコアガラスを作製した
(例1、2のコア)。また、表のBi2O3からCeO
2までの欄にモル%表示で示す組成を有するクラッドガ
ラスを作製した(例1、2のクラッド)。例1のコアと
クラッド、例2のコアとクラッドからそれぞれ、コア径
が4μm、クラッド径が125μmであるガラスファイ
バ例1、2を作製した。波長1.55μmにおける屈折
率を表に示す。
%表示で示す組成を有するマトリクスガラスに、Erの
欄にマトリクスガラスを100質量部とした質量部表示
で含有量を示すErを含有させたコアガラスを作製した
(例1、2のコア)。また、表のBi2O3からCeO
2までの欄にモル%表示で示す組成を有するクラッドガ
ラスを作製した(例1、2のクラッド)。例1のコアと
クラッド、例2のコアとクラッドからそれぞれ、コア径
が4μm、クラッド径が125μmであるガラスファイ
バ例1、2を作製した。波長1.55μmにおける屈折
率を表に示す。
【0027】
【表1】
【0028】例1、2のガラスファイバのコアはいずれ
も本発明における光導波体に好適である。なお、例1、
2のコアの1300nmの光に対するロスはいずれも
0.5dB/mであり、前記γ(3)はいずれも5×1
0−12esuである。
も本発明における光導波体に好適である。なお、例1、
2のコアの1300nmの光に対するロスはいずれも
0.5dB/mであり、前記γ(3)はいずれも5×1
0−12esuである。
【0029】次に、本発明の実施例として、長さが6m
である例2のガラスファイバを用い、λsが1562〜
1571nm、パルス幅が50ps、伝送速度が2.5
Gbit/s、平均強度が0.1mWのレーザー光であ
る信号光を波長変換する方法の好適例を図1を用いて説
明する。
である例2のガラスファイバを用い、λsが1562〜
1571nm、パルス幅が50ps、伝送速度が2.5
Gbit/s、平均強度が0.1mWのレーザー光であ
る信号光を波長変換する方法の好適例を図1を用いて説
明する。
【0030】制御光としては、λcが1560nm、パ
ルス幅が60ps、伝送速度が2.5Gbit/s、平
均強度が1Wのレーザー光を使用する。信号光と励起光
とはカップラC1で合波されガラスファイバのコアGに
入射される。
ルス幅が60ps、伝送速度が2.5Gbit/s、平
均強度が1Wのレーザー光を使用する。信号光と励起光
とはカップラC1で合波されガラスファイバのコアGに
入射される。
【0031】励起光としては、λeが1480nm、平
均強度が30〜100mWのレーザー光を使用する。励
起光はカップラC2で合波されコアGに入射する。
均強度が30〜100mWのレーザー光を使用する。励
起光はカップラC2で合波されコアGに入射する。
【0032】コアGから出射された光はカップラC3を
通して分離され、波長1558〜1549nmの波長変
換光、すなわち変調信号光が得られる。この変調信号光
の強度低下は前記Erから放出された光による増幅によ
り補償され、前記強度低下は実用上問題ないものとな
る。
通して分離され、波長1558〜1549nmの波長変
換光、すなわち変調信号光が得られる。この変調信号光
の強度低下は前記Erから放出された光による増幅によ
り補償され、前記強度低下は実用上問題ないものとな
る。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、長さの短い光導波体に
より信号光を変調でき、かつこの変調にともなうロスを
低減できる。
より信号光を変調でき、かつこの変調にともなうロスを
低減できる。
【0034】
【図1】本発明を信号光の波長変換に適用する場合の説
明図。
明図。
G :光導波体
C1、C2、C3:カップラ
Claims (3)
- 【請求項1】ErまたはTmを含有する光導波体に、波
長がλsである信号光と、波長がλcであって1nm≦
|λc−λs|≦50nmである制御光と、波長がλs
およびλcのいずれよりも小さいλeであって、Erま
たはTmから波長が(λs−100nm)〜(λs+3
00nm)である光を放出させることができる励起光と
を入射し、該信号光とは位相または波長が異なる変調信
号光を該光導波体から出射させることを特徴とする信号
光の変調方法。 - 【請求項2】光導波体がErを含有し、λsが1520
〜1630nmであり、λeが970〜990nmまた
は1470〜1490nmである請求項1に記載の信号
光の変調方法。 - 【請求項3】光導波体が、下記酸化物基準のモル%表示
で本質的に、 Bi2O3 25〜70%、 B2O3+SiO2 5〜74.9%、 Al2O3+Ga2O3 0.1〜30%、 CeO2 0〜10%、 からなるマトリクスガラスに、該マトリクスガラス10
0質量部当り0.001〜10質量部の割合でErが添
加されているガラスである請求項1または2に記載の信
号光の変調方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001299212A JP2003107540A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 信号光の変調方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006035722A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Asahi Glass Company, Limited | 非線形ファイバ、波長変換方法および波長変換器 |
CN105870773A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-08-17 | 华南理工大学 | 一种双向光切换的系统和方法、双向光开关 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001299212A patent/JP2003107540A/ja active Pending
Cited By (3)
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WO2006035722A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Asahi Glass Company, Limited | 非線形ファイバ、波長変換方法および波長変換器 |
US7336413B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-02-26 | Asahi Glass Company, Limited | Nonlinear fiber, wavelength conversion method and wavelength conversion device |
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