JP2003105412A - カリウムドープタングステンの製造のための硼素添加 - Google Patents

カリウムドープタングステンの製造のための硼素添加

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カリウムドープタングステンの製造のための
硼素添加法を提供する。 【解決手段】 タングステン含有化合物とカリウムドー
パントと硼素含有化合物との混合物を形成し、そしてそ
の混合物を還元してカリウムドープタングステン粉末を
形成することによってカリウムドープタングステン粉末
を製造することを構成要件とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カリウムドーパン
トを含有するタングステン金属粉末の製造法に関する。
特に、本発明は、白熱ランプフィラメント用の無弛み
（non-sag）タングステン線材に関する。
【０００２】
【従来の技術】白熱ランプのコイル巻フィラメントに使
用されるタングステン線材は、特にフィラメントが約３
０００℃よりも上の温度で使用されるようなランプでは
高い機械的負荷及び応力を受ける。純粋なタングステン
線材は白熱ランプ用のフィラメントを作るのに適してい
ない。何故ならば、典型的に操作条件下では、フィラメ
ントの個々の結晶粒が互いに相殺する又は滑り離れる傾
向（クリープ又は弛み）があるからである。これは、フ
ィラメントが弛んだり又は短くなる原因となる。それ故
に、純タングステンフィラメントで作ったランプは早期
に破損する。
【０００３】タングステン線材のクリープ抵抗性を向上
させるためにドーピングする有益な効果は、１９１０年
ほどの早い時期に認識されていた。特に、タングステン
線材のクリープ抵抗性は、タングステンブルー酸化物を
カリウム含有化合物でドーピングしていわゆる無弛み
（ＮＳ）タングステン線材を作ることによって向上され
ることが知られている。ＮＳタングステン線材は、タン
グステン及びカリウムの２種の極めて異なった金属の微
量合金であるという点で独特である。そのクリープ抵抗
性は、約７５ｐｐｍの微量のカリウムがタングステン線
材中に液体及び／又はガスバブルの長い列として分布さ
れたことによるものである。還元及び焼結段階でもっぱ
ら“ヘルパー”として働かせるために、カリウムと共に
珪素及びアルミニウムが添加される。高温焼結後、Ｓｉ
及びＡｌの濃度はそれぞれ１０ｐｐｍ未満に下げられ
る。ＳｉもＡｌもどちらも、最終ＮＳタングステン線材
において積極的な役割を有しないことが知られている。
【０００４】白熱ランプ用のカリウムドープタングステ
ンの標準粉末冶金（Ｐ／Ｍ）製造における長いプロセス
連鎖は、水素、水素／窒素又は不活性雰囲気中において
パラタングステン酸アンモニウム四水和物（ＡＰＴ）、
（ＮＨ4）10［Ｈ2Ｗ12Ｏ42］・４Ｈ2Ｏの部分還元で始
まってタングステンブルー酸化物（ＴＢＯ）、ｘＮＨ3
・ｙＨ2Ｏ・ＷＯn（ここで、０＜ｘ＜０．２、０＜ｙ＜
０．２、及び２．５＜ｎ＜３．０）を生成する。ＴＢＯ
は、次いで、カリウム、珪素及びアルミニウムを含有す
る水溶液で約５０００ｐｐｍの全濃度までドーピングさ
れる。ドーピングされたＴＢＯは、次いで、ドーピング
したタングステン粉末まで水素で還元される。Ｋ、Ａ
ｌ、Ｓｉ−ドープタングステン粉末は、弗化水素酸で洗
浄され、乾燥され、加圧され、焼結され、圧延又はスエ
ージ加工され、そして引抜加工される。この引抜プロセ
スは、ＮＳタングステン線材をコイル巻フィラメントで
使用するための約１５μｍの直径まで加工することがで
きる。この多段法は、最終的に、ＮＳタングステン線材
の顕著な高温クリープ抵抗性をもたらす。
【０００５】古い従来技術の方法に従ったＫ、Ａｌ、Ｓ
ｉ−ドープタングステン粉末の製造法は、関連する工程
の数のために極めて非効率的になる傾向がある。更に、
これらの方法は、適切に処分されなければならない汚染
された酸廃棄物を生成する。ごく最近の方法は、より少
ない処理工程を使用しそして酸廃棄物を減少させること
によって無弛みタングステン線材の製造をより効率的に
している。例えば、フェイト氏他の米国特許５７８５７
３１は、パラタングステン酸カリウムアンモニウム（Ａ
ＫＰＴ）、（ＮＨ4）10-xＫx［Ｈ2Ｗ12Ｏ42］・４Ｈ2Ｏ
（ｘ＝０．０４〜０．４）の混成結晶の一段還元におい
てカリウムドープタングステン粉末を製造する方法を開
示しているので、必要ならばそれを参照されたい。この
方法は、Ａｌ又はＳｉでドーピングせず且つ酸洗浄を行
わずに行われる。しかしながら、２つの問題がある。第
一に、焼結タングステンインゴットにおいて８０ｐｐｍ
よりも高いカリウム含量を得ることは困難であり、そし
て少なくとも１７．２ｇ／ｃｍ3の密度を達成すること
も困難である。第二に、この方法は、ＡＫＰＴの還元で
カリウムの損失を防止せず、又は少なくとも著しくは減
少しない。
【０００６】他の最近の方法は、ランク氏他の米国特許
６１６５４１２に記載されているので、必要ならば参照
されたい。この方法では、熱不安定性カリウム含有塩又
はタングステン酸カリウムがパラタングステン酸アンモ
ニウムニム又はメタタングステン酸アンモニウムと一緒
にされ、次いで一段階で還元されてカリウムドープタン
グステン粉末を生成する。この一段法還元は、いくつか
の利益を提供するけれども、還元中にかなりの量のカリ
ウムがなお失われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の不利益を軽減することである。
【０００８】本発明の他の目的は、カリウムドープタン
グステン粉末中のカリウム組込量を増加させるための方
法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】発明の概要 本発明の１つの目的に従えば、タングステン含有化合物
とカリウムドーパントと硼素含有化合物との混合物を形
成し、そしてその混合物を還元してカリウムドープタン
グステン粉末を形成することを含むカリウムドープタン
グステン粉末の製造法が提供される。
【００１０】本発明の他の面では、約０．６：１〜約
３：１の硼素対カリウムモル比を有する硼酸とパラタン
グステン酸カリウムアンモニウムとの混合物を形成し、
そしてその混合物を還元してカリウムドープタングステ
ン粉末を形成することを含むカリウムドープタングステ
ン粉末の製造法が提供される。
【００１１】本発明の更に他の面では、約０．６：１〜
約３：１の硼素対カリウムモル比を有する硼酸とカリウ
ムドーパントとタングステン含有化合物との混合物を形
成し、ここでカリウムドーパントは熱不安定性カリウム
含有塩又はタングステン酸カリウムから選択され、そし
てタングステン含有化合物はパラタングステン酸アンモ
ニウム、メタタングステン酸アンモニウム又は酸化タン
グステンから選択されるものとし、そしてその混合物を
還元してカリウムドープタングステン粉末を形成するこ
とを含むカリウムドープタングステン粉末の製造法が提
供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】好ましい具体例の説明 本発明をその他の目的及び更なる目的、並びにその利益
及び能力と一緒によりよく理解するためには、以下の説
明及び特許請求の範囲を添付図面と関連させて参照され
たい。
【００１３】カリウムドープタングステン粉末を製造す
る初期工程で硼素含有化合物好ましくは硼酸（Ｂ（Ｏ
Ｈ）3）を添加すると、カリウム含有出発物質の還元中
にカリウムの蒸発を減少させることが分かった。特に、
カリウム含有出発物質からのカリウム損失は、硼素添加
を行わない場合の約８０％から硼素を添加する場合の僅
か約１０％に減少させることができる。還元工程におけ
るＫ2Ｂ2Ｏ4、Ｋ2Ｂ4Ｏ7及びＫＢ5Ｏ8の如き不揮発性硼
酸カリウムの形成がカリウム損失の減少に有意に寄与す
ると考えられる。加えて、硼素を添加して作られるカリ
ウムドープ粉末の焼結圧縮後に保持されるカリウムの量
は、硼素を使用しないで作った焼結圧縮体中に保持され
るカリウムの量よりも２倍多くなりうる。
【００１４】硼素添加は、カリウム含有出発物質を湿式
又は環式ドーピングすることによって行うことができ
る。カリウム含有出発物質は、カリウムドーパントと、
タングステン金属に還元されうるタングステン含有化合
物とから構成される。カリウムドーパントは、パラタン
グステン酸カリウムアンモニウム（ＡＫＰＴ）、（ＮＨ
4）10-xＫx［Ｈ2Ｗ12Ｏ42］・４Ｈ2Ｏ（ｘ＝０．０４〜
０．４）若しくは部分還元ＡＫＰＴ（カリウムドープＴ
ＢＯ（Ｋ））の場合におけるようにタングステン含有化
合物中に含有されてもよく、又は、カリウムドーパント
は、タングステン含有化合物とは別個に一緒にさせるこ
とができる。後者の場合には、好ましいタングステン含
有化合物は、パラタングステン酸アンモニウム（ＡＰ
Ｔ）、（ＮＨ 4）10［Ｈ2Ｗ12Ｏ42］・４Ｈ2Ｏ、メタタ
ングステン酸アンモニウム（ＡＭＴ）、（ＮＨ4）6［Ｈ
2Ｗ12Ｏ40］・〜５Ｈ2Ｏ、及びＴＢＯの如き酸化タング
ステンである。カリウムドーパントは、硝酸カリウムＫ
ＮＯ3、又は亜硝酸カリウムＫＮＯ2を含むのが好まし
い。他の有用なカリウムドーパントとしては、炭酸カリ
ウムＫ2ＣＯ3及び炭酸水素カリウムＫＨＣＯ3の如き他
の熱不安定性カリウム含有塩、又は多数の異なるタング
ステン酸カリウムＫ2ＷnＯ3n+1（ｎ＝１〜８）のうちの
どれか１種を挙げることができる。硼素添加法の場合の
ように、カリウムドーピング法は、通常の湿式又は環式
ドーピング法によって行うことができる。好ましくは、
混合物中のカリウムドーパントの濃度は、タングステン
の濃度を基にして約５００ｐｐｍ〜約２０００ｐｐｍで
ある。出発物質を一緒にする順序は、厳密なものではな
いようである。
【００１５】硼酸を使用した硼素添加の好ましい方法と
しては、ＡＫＰＴの乾式ドーピング、カリウムドープＴ
ＢＯ（Ｋ）の乾式又は湿式ドーピング、及びＡＰＴ／Ｋ
ＮＯ 3の乾式ドーピングが挙げられる。好ましくは、還
元温度及び保持時間は、約５００℃〜約６００℃及び約
５時間〜約１０時間の範囲内である。より好ましくは、
還元温度は約５５０℃である。約１時間の最終温度保持
は約９００℃で行われる。還元を金属粉末まで完結させ
るにはそれよりも高い温度が使用される。９００℃より
も低い温度が可能であるが、しかし還元時間は増長され
る。例えば、同様の条件下に６５０℃での還元は約１５
時間を要する。それ故に、好ましくは、最終の保持温度
は約６５０℃〜約９００℃の範囲内であってよく、そし
て最終の保持時間は約１時間〜約１５時間の範囲内であ
ってよい。
【００１６】還元でのカリウム組込量の増加に加えて、
本発明の方法は、１３５ｐｐｍまでのカリウム含量及び
１６．５〜１８．１ｇ／ｃｍ3の範囲内の密度を有する
焼結タングステン圧縮体の生成を可能にする。焼結後に
保持されるカリウムの量は、ドーピングされたタングス
テン粉末が還元時に焼結されても又は焼結前に水洗若し
くは酸洗浄されてもほぼ同じである。好ましくは、硼素
ドープ出発材料の硼素含量は、タングステン含量を基に
して約５００ｐｐｍ〜約６５００ｐｐｍである。焼結圧
縮体の残留硼素含量は一般には１５ｐｐｍ未満である。
硼素ドープ出発材料における硼素対カリウムモル比の好
ましい範囲は約０．６：１〜約３：１である。焼結圧縮
体において０．６：１の硼素対カリウムモル比では、１
２０ｐｐｍのＫ量に達する。また、焼結圧縮体において
３：１の相当するモル比では、１３５ｐｐｍのＫ量に達
する。
【００１７】
【実施例】次の実施例は本発明の方法を例示するもので
あるが、本発明を限定するものではない。
【００１８】例１−硼酸によるＡＫＰＴの乾式ドーピン
グ 表１は、タングステン含量を基にして８００ｐｐｍのＫ
を含有するＡＫＰＴのカリウム保持量に及ぼす硼素添加
の影響を比較するものである。すべての４つの試料を管
炉において乾燥水素中で６Ｋ／分の加熱速度、５５０℃
で５時間保持及び９００℃で最終の１時間保持の同じ条
件下に還元した。焼結圧縮体を、還元時、水洗及びＨＦ
洗浄の粉末から作った。ＨＦ洗浄の粉末は、還元時の粉
末を先ず水で、次いで弗化水素酸でそして最後に水で十
分に洗浄することによって作られた。９ｇ焼結圧縮体
を、機械的プレス成形、及び２０−ｃｆｈ乾燥水素中に
おいて２０Ｋ／分の温度傾斜を使用して１８００℃で６
時間の間接的焼結によって形成された。得られた粉末及
び圧縮体の分析値を表１に提供する。
【００１９】
【表１】
【００２０】これらの結果は、硼素ドープ出発物質から
作ったタングステン粉末のカリウムレベルが硼素添加を
行わずに作ったタングステン粉末よりも有意に高いこと
を示している。出発材料と比較したカリウムドープタン
グステン粉末のカリウム組込量を表２に示す。硼素を添
加して作った焼結圧縮体のカリウム含量は、硼素添加を
行わずに作った圧縮体よりも約１．５〜約２．１倍大き
い。焼結圧縮体を作った粉末と比較した焼結圧縮体のカ
リウム保持量を表３に記載する。焼結圧縮体における約
７０％の観測カリウム保持量は、通常のＫ、Ａｌ、Ｓｉ
ドープタングステン粉末の場合と同じ範囲にある。しか
しながら、先に記載したように、本発明の方法によって
作った圧縮体のカリウム含量は、硼素を添加せずに作っ
た圧縮体よりもずっと高い。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】例２−硝酸カリウム及び硼酸によるＴＢＯ
の乾式ドーピング （Ａ）ＴＢＯ（タイプ１）組成：〜ＷＯ2.8 ＴＢＯ（タイプ１）／ＫＮＯ3／Ｂ（ＯＨ）3ブレンド
（１５００ｐｐｍのＫ及び１２４５ｐｐｍのＢ（Ｗを基
にして）、３：１の硼素対カリウムモル比）の２６７ｇ
部分を還元することによって、カリウム及び硼素でドー
ピングしたタングステン粉末の１ｋｇ量を作った。出発
物質は、乾燥水素中において６Ｋ／分の温度傾斜、５５
０℃での１０時間保持及び９００℃での最終の１時間保
持を使用して還元された。一緒にされ、均質にされそし
て水洗されたタングステン粉末は、１７９ｐｐｍのＫ及
び７７ｐｐｍのＢを含有していた。微細粉末は、１．５
μｍのＦＳＳＳ粒度を有していた。
【００２４】２種の冷間等方加工プレスしたビレット、
即ち、２５０ｇ（４７ｋｓｉ、〜１インチ直径、１3/4
インチ長さ）及び５００ｇ（４８ｋｓｉ、〜１インチ直
径、３1/2インチ長さ）をそれぞれ、モリブデン内張モ
リブデンボートに一端を直立して置き、そして２０−ｃ
ｆｈの乾燥水素中にいて１８００℃で６時間間接的に焼
結した。インキ吸収試験は、両方の焼結ビレットについ
てシール表面層を示した。焼結ビッレトについての分析
値を表４に記載する。
【００２５】
【表４】
【００２６】（Ｂ）ＴＢＯ（タイプ２）組成：〜ＷＯ
2.95 ＴＯＢ（タイプ２）／ＫＮＯ3／Ｂ（ＯＨ）3の乾燥ブレ
ンド（１５００ｐｐｍのＫ及び１２４５ｐｐｍのＢ（Ｗ
を基にして）、３：１の硼素対カリウムモル比）を乾燥
水素中で還元すると、ＴＯＢ（タイプ１）の使用よりも
高いカリウム組込量をもたらす。図面は、ＨＦ−洗浄カ
リウムドープタングステン粉末中のカリウム保持量につ
いて保持温度と保持時間との間の関係を示す。５５０℃
での５時間保持は、ＨＦ−洗浄粉末において１７４ｐｐ
ｍの高いカリウム含量を与えた。５５０℃での１０時間
保持は、２１３ｐｐｍＫの極めて高い値をもたらした。
【００２７】例３−硝酸カリウム及び硼酸によるＴＢＯ
の乾式ドーピング 実験室的Ｖ−ブレンダーにおいて二段ドーピング操作を
使用して１５ｋｇ量のＴＢＯ（タイプ１）をドーピング
した。先ず、４６．８ｇのＫＮＯ3を３００ｍｌの水中
に溶解させた溶液を加え、次いで８５．８ｇのＢ（Ｏ
Ｈ）3を７００ｍｌの水中に溶解させた溶液を加えた。
この第二溶液は、室温でのＢ（ＯＨ）3の比較的低い水
溶解度の故に約７０℃に加熱された。両方の溶液量を少
しずつ加え、次いで混合した。これを、全容液容量が添
加されるまで反覆した。ドーピングした物質を炉におい
て約８０℃において乾燥し、１００メッシュを通してふ
るい分けし（１．５％残留）、そしてＶ−ブレンダーで
均質化した。得られたドーピングしたＴＢＯ粉末は、１
５００ｐｐｍのＫ及び１２４４ｐｐｍのＢ（Ｗを基にし
て）を含有していた。硼素対カリウムのモル比は３：１
であった。この粉末を乾燥水素中で還元させた。還元時
の粉末のある量を６％のＨＦで洗浄した。粉末の分析値
を表５に記載する。
【００２８】
【表５】
【００２９】現時点で本発明の好ましい具体例と考えら
れるものについて例示記載したけれども、当業者には、
特許請求の範囲によって規定される如き本発明の範囲か
ら逸脱することなく本発明に幾多の変更修正をなし得る
ことが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法によって製造したＨＦ−洗浄カリ
ウムドープタングステン粉末中のカリウム組込量に関し
て保持温度と保持時間との間の関係を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 ミカエル・ザルメン ドイツ連邦共和国ヒルテンフィンゲン、ミ ッテルノイフナーハシュトラーセ10 (72)発明者 アンナ・エス・ナシェド アメリカ合衆国ペンシルベニア州セア、ヘ ムロック・ロード３ (72)発明者 マライア・ビー・ウィニッカ アメリカ合衆国ペンシルベニア州セア、プ レザント・ストリート47 (72)発明者 ヘンリー・ジェイ・スティーブンス アメリカ合衆国ペンシルベニア州アシン ズ、サウス・メイン・ストリート234、ア パートメント・ナンバー２ Ｆターム(参考） 4K017 AA02 BA04 BB10 CA07 DA01 EH01 FB03 FB06

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 タングステン含有化合物とカリウムドー
    パントと硼素含有化合物との混合物を形成し、そしてそ
    の混合物を還元してカリウムドープタングステン粉末を
    形成する、ことを含むカリウムドープタングステン粉末
    の製造法。
  2. 【請求項２】 カリウムドーパントがタングステン含有
    化合物中に含有される請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 タングステン含有化合物がパラタングス
    テン酸カリウムアンモニウム又は部分還元パラタングス
    テン酸カリウムアンモニウムである請求項２記載の方
    法。
  4. 【請求項４】 タングステン化合物がパラタングステン
    酸アンモニウム、メタタングステン酸アンモニウム又は
    酸化タングステンから選択され、そしてカリウムドーパ
    ントが熱不安定性カリウム含有塩又はタングステン酸カ
    リウムである請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 カリウムドーパントが硝酸カリウムであ
    る請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 硼素含有化合物が硼酸である請求項１記
    載の方法。
  7. 【請求項７】 混合物が約５００℃〜約６００℃の温度
    で還元される請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 混合物が約９００℃の第二温度で更に還
    元される請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】 混合物が約５００℃〜約６００℃の第一
    温度で約５時間〜約１０時間の間、及び約６５０℃〜約
    ９００℃の第二温度で約１時間〜約１５時間の間還元さ
    れる請求項６記載の方法。
  10. 【請求項１０】 タングステン含有化合物がパラタング
    ステン酸カリウムアンモニウムである請求項６記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】 タングステン含有化合物がパラタング
    ステン酸アンモニウム、メタタングステン酸アンモニウ
    ム又は酸化タングステンから選択され、そしてカリウム
    ドーパントが熱不安定性カリウム含有塩又はタングステ
    ン酸カリウムである請求項６記載の方法。
  12. 【請求項１２】 カリウムドーパントが硝酸カリウムで
    ある請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 混合物が約５５０℃で還元される請求
    項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 混合物が約５５０℃で還元される請求
    項１０記載の方法。
  15. 【請求項１５】 硼素対カリウムのモル比が約０．６：
    １〜約３：１である請求項１記載の方法。
  16. 【請求項１６】 混合物中のカリウムドーパントの濃度
    がタングステンの量を基にして約５００ｐｐｍ〜約２０
    ００ｐｐｍである請求項１記載の方法。
  17. 【請求項１７】 硼酸が水溶液で添加される請求項６記
    載の方法。
  18. 【請求項１８】 混合物中の硼素含量がタングステンの
    量を基にして約５００ｐｐｍ〜約６５００ｐｐｍである
    請求項１記載の方法。
  19. 【請求項１９】 約０．６：１〜約３：１の硼素対カリ
    ウムモル比を有する硼酸とパラタングステン酸カリウム
    アンモニウムとの混合物を形成し、そしてその混合物を
    還元してカリウムドープタングステン粉末を形成する、
    ことを含むカリウムドープタングステン粉末の製造法。
  20. 【請求項２０】 混合物が約５００℃〜約６００℃の温
    度で還元される請求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】 混合物が約５５０℃の温度で還元され
    る請求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 混合物が約６５０℃〜約９００℃の温
    度で約１時間〜約１５時間更に還元される請求項２０記
    載の方法。
  23. 【請求項２３】 混合物が約５時間〜約１０時間還元さ
    れる請求項２０記載の方法。
  24. 【請求項２４】 混合物が約５５０℃で還元される請求
    項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 混合物が約９００℃で約１時間更に還
    元される請求項２４記載の方法。
  26. 【請求項２６】 約０．６：１〜約３：１の硼素対カリ
    ウムモル比を有する硼酸とカリウムドーパントとタング
    ステン含有化合物との混合物を形成し、ここでカリウム
    ドーパントは熱不安定性カリウム含有塩又はタングステ
    ン酸カリウムから選択され、そしてタングステン含有化
    合物はパラタングステン酸アンモニウム、メタタングス
    テン酸アンモニウム又は酸化タングステンから選択され
    るものとし、そしてその混合物を還元してカリウムドー
    プタングステン粉末を形成する、ことを含むカリウムド
    ープタングステン粉末の製造法。
  27. 【請求項２７】 混合物が約５００℃〜約６００℃の温
    度で還元される請求項２６記載の方法。
  28. 【請求項２８】 混合物が約５５０℃の温度で還元され
    る請求項２７記載の方法。
  29. 【請求項２９】 混合物が約６５０℃〜約９０℃の温度
    で約１時間〜約１５時間更に還元される請求項２７記載
    の方法。
  30. 【請求項３０】 混合物が約５時間〜約１０時間還元さ
    れる請求項２７記載の方法。
  31. 【請求項３１】 混合物が約５５０℃で還元される請求
    項３０記載の方法。
  32. 【請求項３２】 混合物が約９００℃で約１時間更に還
    元される請求項３１記載の方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004049039B4 (de) * 2004-10-08 2009-05-07 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung feinteiliger Ventilmetallpulver
CN1297486C (zh) * 2005-04-01 2007-01-31 北京科技大学 一种纳米级钨粉的制备方法
CN100453215C (zh) * 2005-10-11 2009-01-21 自贡硬质合金有限责任公司 含钾金属钨条的生产方法
CN108274017A (zh) * 2018-03-14 2018-07-13 自贡硬质合金有限责任公司 一种掺钾金属钨板及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT285185B (de) * 1968-12-23 1970-10-12 Plansee Metallwerk Gesinterte Wolframlegierung
US3773493A (en) * 1971-12-22 1973-11-20 Westinghouse Electric Corp Method of producing doped tungsten powders by chemical deposition
US4123833A (en) * 1977-10-13 1978-11-07 Westinghouse Electric Corp. Method of producing doped tungsten filaments by ion-implantation
AT392432B (de) * 1989-05-03 1991-03-25 Plansee Metallwerk Verfahren zur herstellung von warmkriechfesten halbfabrikaten oder formteilen aus hochschmelzenden metallen
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US6129890A (en) 1999-09-07 2000-10-10 Osram Sylvania Inc. Method of making non-sag tungsten wire
US6165412A (en) 1999-09-07 2000-12-26 Osram Sylvania Inc. Method of making non-sag tungsten wire for electric lamps

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013190885A1 (ja) 2012-06-22 2013-12-27 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの陽極体
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