JP2003103398A - 硬化性フラックスおよび硬化性フラックスシート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間
接続において、確実に半田接合することができ、半田接
合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多
湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、信頼性の高い半田接
合を可能とする、硬化性フラックス及び硬化性フラック
スシートを提供する。 【解決手段】 半導体チップの搭載時及び多層配線板の
層間接続において、フェノール性ヒドロキシル基を有す
る室温で固形の樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤であり、少な
くとも一種は室温で液状である一種以上の樹脂（Ｂ）及
び熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有する硬化性フラックスを用
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、硬化性フラックス
および硬化性フラックスシートに関するものである。更
に詳しくは、半導体チップを半導体搭載用基板に搭載す
る際の半田接続、半導体パッケージをプリント配線板に
搭載する際の半田接続、更には、多層配線板の層間半田
接続に好適に用いられる硬化性フラックスおよび硬化性
フラックスシートに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化及び軽薄短小
化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装
化が進んでおり、これらの電子機器に使用される半導体
パッケージの小型化、多ピン化が進んでいる。

【０００３】半導体パッケージは、従来のようなリード
フレームを使用した形態のパッケージでは小型化に限界
がきているために、最近では回路基板上にチップを実装
したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）や、ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）などのエリア実装型の新しいパッケージ方式が提案
されている。これらの半導体パッケージにおいて、半導
体チップの電極と、プリント配線板と呼ばれるプラスチ
ックやセラミックスなどの各種の絶縁材料と導体配線で
構成される基板の端子との電気的接続方法として、ワイ
ヤーボンディング方式やＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍ
ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式、ＦＣ（Ｆｒｉｐ Ｃｈ
ｉｐ）方式などが実用化されているが、最近では、半導
体パッケージの小型化に有利な、ＦＣ方式を用いたＢＧ
ＡやＣＳＰの構造が盛んに提案されている。

【０００４】ＢＧＡやＣＳＰのプリント配線板への実装
には、半田ボールで形成されたバンプによる半田接合が
採用されている。この半田接合には、フラックスが用い
られ、ソルダーペーストが併用される場合もある。特
に、半田ボールが使用される理由は、半田供給量を制御
しやすく、多量の半田を供給して、バンプを高く形成す
ることができるためである。また、ＢＧＡやＣＳＰの作
製工程における半導体チップの電極とプリント配線板の
端子との電気的、機械的接続にも、半田接合が使われる
場合が多い。

【０００５】一般に、半田接合のためには、半田表面と
対する電極の、金属表面の酸化物などの汚れを除去する
とともに、半田接合時の金属表面の再酸化を防止して、
半田の表面張力を低下させ、金属表面に溶融半田が濡れ
やすくするために、半田付け用フラックスが使用され
る。半田付け用フラックスとしては、従来より、ロジン
などの熱可塑性樹脂系フラックスに、酸化膜を除去する
ための活性剤などを加えたフラックスが用いられてい
る。

【０００６】しかし、半田接合後にフラックスが残存し
ていると、高温、多湿時に熱可塑性樹脂が溶融し、活性
剤中の活性イオンも遊離するなど、電気絶縁性の低下や
プリント配線の腐食などの問題が生じる。そのために、
現在は、半田接合後の残存フラックスを洗浄により除去
し、上記問題を解決しているが、洗浄剤の環境問題や、
洗浄工程によるコストアップなどの欠点がある。

【０００７】また、半導体パッケージの小型化、多ピン
化は、バンプの微細化を促し、接合強度、信頼性の低下
が懸念されている。そこで、バンプ接続部分の信頼性を
高めるために、半導体チップと基板との間隙に、アンダ
ーフィルと呼ばれる絶縁性樹脂を充填して、バンプ接続
部分を封止、補強する検討も行われている。しかし、こ
れには技術的難度の高いアンダーフィルを充填し、硬化
させる工程が必要となるために、製造工程が複雑で製造
コストが高くなるという問題がある。

【０００８】これらのフラックスやアンダーフィル技術
の問題を解決する手段として、半田接合後の残存フラッ
クスが除去不要で、且つチップと基板との間隙に樹脂を
流し込む工程も不要な、ノーフローアンダーフィルの開
発が盛んに行われている。ノーフローアンダーフィル
は、樹脂中に除去不要なフラックス成分が含まれてお
り、硬化することで、従来のアンダーフィルの役割を果
たす樹脂である。ノーフローアンダーフィルでは、チッ
プ搭載基板上にノーフローアンダーフィル樹脂を、予め
必要量塗布し、チップを位置合わせし、チップ搭載後、
半田接合処理することにより、半田接合すると同時に、
チップと基板との間隙を封止することができるという、
利点を有する。しかしながら、ノーフローアンダーフィ
ルは、チップ搭載基板上に逐次塗布するため、生産性が
十分ではない、また、塗布量の制御が難しい、といった
問題点がある。

【０００９】一方、多層配線板においても、半導体パッ
ケージと同様、高密度化・高速化のため層間接続部、導
体回路の線間／線幅の微細化が進み、それに伴い、層間
接続方法も、従来のめっき接続に変えて、半田接続を用
いる方式が注目を集めている。また、鉛フリー半田の採
用により、樹脂材料には、さらなる耐熱性が要求されて
いる。しかしながら、現段階では、確実に層間を半田接
合でき、絶縁性、耐熱性、生産性を有する半田接合可能
な樹脂が、得られていないのが現状である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プや半導体パッケージの搭載時の半田接続及び多層配線
板の層間接続における、半田接合の、このような現状の
問題点に鑑み、確実に半田接合することができ、半田接
合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多
湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、信頼性の高い半田接
合を可能とする、硬化性フラックス及び硬化性フラック
スシートを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、フェノール性ヒ
ドロキシル基を有する固形の樹脂と、該樹脂の硬化剤で
あり、少なくとも一種が液状である一種以上の樹脂と熱
可塑性樹脂を含有する組成物は、半導体チップや半導体
パッケージの搭載時の半田接続及び多層配線板の層間接
続において、半田付け用硬化性フラックスシートとして
優れた性能を発揮し、加熱加圧下の半田接合後は除去す
る必要がなく、そのまま加熱することにより硬化して層
間の接着剤となることを見いだし、この知見に基づいて
本発明を完成するに至った。

【００１２】すなわち、本発明は、第（１）項〜第（１
３）項に記載の硬化性フラックス及び第（１４）項〜第
（１６）項に記載の硬化性フラックスシートを提供す
る。 （１）フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂
(Ａ)、該樹脂の硬化剤であり、少なくとも一種が液状の
樹脂（Ｂ）、及び熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有することを
特徴とする硬化性フラックス。 （２）フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂
（Ａ）が、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノ
ールノボラック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、
フェノールアラルキル樹脂、レゾール樹脂又はポリビニ
ルフェノールである前記第（１）項記載の硬化性フラッ
クス。 （３）多価フェノールノボラック樹脂が、カテコール、
レゾルシン、ハイドロキノン、ヒドロキシハイドロキノ
ン又はピロガロールよりなる前記第（２）項記載の硬化
性フラックス。 （４）フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂
（Ａ）が、３０〜１５０℃の軟化点を有する前記第
（１）項〜第（３）項のいずれかに記載の硬化性フラッ
クス。 （５）少なくとも一種が液状の樹脂(Ｂ)が、エポキシ化
合物又はイソシアネート化合物である前記第（１）項〜
第（４）項のいずれかに記載の硬化性フラックス。 （６）熱可塑性樹脂（Ｃ）が、４０℃〜１５０℃のガラ
ス転移温度を有する前記第（１）項〜第（５）項のいず
れかに記載の硬化性フラックス。 （７）熱可塑性樹脂（Ｃ）が、フェノキシ樹脂又は、ポ
リビニルブチラール樹脂である前記第（１）項〜第
（６）項のいずれかに記載の硬化性フラックス。 （８）熱可塑性樹脂（Ｃ）が、５ｗｔ％以上５０ｗｔ％
以下含まれる前記第（１）項〜第（７）項のいずれかに
記載の硬化性フラックス。 （９）硬化性酸化防止剤(Ｄ)を含有する前記第（１）項
〜第（８）項のいずれかに記載の硬化性フラックス。 （１０）硬化性酸化防止剤(Ｄ)が、ベンジリデン構造を
有する化合物である前記第（９）項記載の硬化性フラッ
クス。 （１１）ベンジリデン構造を有する化合物が、一般式
（１）で表される化合物である前記第１０項記載の硬化
性フラックス。

【化２】 （ただし、式中、Ｒ₁、Ｒ₃及びＲ₅は、それぞれ独立し
て、水素、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であり、
Ｒ₂及びＲ₄は、それぞれ独立して、水素又はアルキル基
であり、Ｒ₆及びＲ₇は、それぞれ独立して、水素、メチ
ル基、ヒドロキシフェニル基又はカルボキシフェニル基
である。） （１２）一般式（１）で表される化合物が、エチリデン
ジフェノール又はフェノールフタリンである前記第１１
項記載の硬化性フラックス。 （１３）半田の融点温度において、ゲル化時間が１〜６
０分である前記第（１）項〜第（１２）項のいずれかに
記載の硬化性フラックス。 （１４）半田接合時にフラックスとして作用し、次いで
加熱することにより、硬化して層間の接着剤として作用
する硬化性フラックス層と、少なくとも一層以上の剥離
可能な保護フィルム層とからなることを特徴とする硬化
性フラックスシート。 （１５）硬化性フラックス層が、未硬化状態において、
室温で実質的に粘着性を有さない前記第１４項記載の硬
化性フラックスシート。 （１６）硬化性フラックス層が、前記第（１）項〜第
（１３）項のいずれかに記載の硬化性フラックスよりな
る前記第（１４）項または第（１５）記載の硬化性フラ
ックスシート。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の硬化性フラックスは、半
田接合時にフラックスとして作用し、次いで加熱するこ
とにより、硬化して層間の接着剤として作用する。ま
た、本発明の硬化性フラックスは、半田接合の際に、半
田接合面及び半田材料の酸化物などの有害物を除去し、
半田接合面を保護するとともに、半田材料の精錬を行っ
て、強度の大きい良好な接合を可能にする。更に、本発
明の硬化性フラックスは、半田接合後に洗浄などにより
除去する必要がなく、そのまま加熱することにより、三
次元架橋した樹脂となり、密着力に優れた、多層配線
板、半導体素子と多層配線板等の層間の接着剤として作
用する。

【００１４】本発明の硬化性フラックスは、フェノール
性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂(Ａ)、該樹脂の硬
化剤であり、少なくとも一種は液状である樹脂(Ｂ)及び
熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有して構成することができる。

【００１５】本発明に用いるフェノール性ヒドロキシル
基を有する固形の樹脂に、特に制限はないが、例えば、
フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラ
ック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、レゾール樹
脂、ポリビニルフェノール樹脂などが好適に用いること
ができる。これらの内、多価フェノールノボラック樹脂
は、１個のベンゼン環に２個以上のフェノール性ヒドロ
キシル基有するので、単官能のフェノールノボラック樹
脂に比べて、半田接合のフラックスとして、より飛躍的
に向上した性能を有する。

【００１６】これらフェノールノボラック樹脂、アルキ
ルフェノールノボラック樹脂及び多価フェノールノボラ
ック樹脂は、フェノール、アルキルフェノール及び多価
フェノールを、酸性触媒を用いてホルムアルデヒドと縮
合反応することにより得ることができる。

【００１７】前記アルキルフェノールノボラックに用い
られるアルキルフェノールには、例えば、クレゾール、
キシレノールなどのアルキル置換フェノールの他に、
４,４'−イソプロピリデンジフェノール（ビスフェノー
ルＡ）や、４,４'−シクロヘキシリデンジフェノールな
どの、アルキリデン基やシクロアルキリデン基にヒドロ
キシフェニル基が結合した化合物も含まれる。

【００１８】前記多価フェノールノボラック樹脂に用い
られる多価フェノールとしては、例えば、カテコール、
レゾルシン、ハイドロキノン、ヒドロキシハイドロキノ
ン、ピロガロールなどを挙げることができる。これらの
中で、カテコール及びレゾルシンを特に好適に用いるこ
とができる。

【００１９】本発明に用いるフェノールアラルキル樹脂
は、例えば、α,α'−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェ
ノールを、酸性触媒を用いて脱メタノール反応すること
により得ることができる。

【００２０】本発明に用いるレゾール樹脂は、フェノー
ルとホルムアルデヒドを、アルカリ性触媒を用いて反応
させることにより得ることができる。

【００２１】本発明に用いるフェノール性ヒドロキシル
基を有する固形の樹脂(Ａ)は、軟化点が３０〜１５０℃
であることが好ましく、４０〜１１０℃であることがよ
り好ましい。軟化点が前記下限未満である樹脂は、分子
量が低く、半田接合前又は半田接合中に揮発してフラッ
クス作用を失ったり、ボイド発生による接合不良を引き
起こしたりして、半田接合を阻害する恐れがある。ま
た、低分子量の樹脂は、半田接合部を補強する樹脂硬化
物として必要な十分な物性が得られない恐れがある。樹
脂の軟化点が前記上限を超えると、加熱加圧下の半田接
合時における硬化性フラックスの流動性が低下し、半田
と対する電極の金属との接触を阻害したり、半田接合時
における半田の金属表面へ濡れ広がりを阻害したりし
て、半田接合性が不良となる恐れがある。軟化点が前記
範囲内にある樹脂は、半田接合時の半田接合温度で硬化
性フラックスとしての十分な流動性が得られ、安定した
半田接合性を確保することができる。

【００２２】本発明において、フェノール性ヒドロキシ
ル基を有する固形の樹脂(Ａ)は、重量平均分子量が２
０,０００以下であることが好ましく、１０,０００以下
であることがより好ましく、５,０００以下であること
がさらに好ましい。重量平均分子量が前記上限を超える
と、半田接合時における硬化性フラックスの流動性が低
下し、半田接合を阻害する恐れがある。重量平均分子量
の下限としては、前記軟化点を有し、硬化性フラックス
としての特性を損なわない範囲であれば良い。

【００２３】本発明の硬化性フラックスにおいて、フェ
ノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂(Ａ)の含有
量としては、硬化性フラックス全体の５〜４０重量％で
あることが好ましく、５〜３０重量％であることがより
好ましい。樹脂(Ａ)の含有量が前記下限未満であると、
半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が
低下し、半田接合性が不良となる恐れがある。樹脂(Ａ)
の含有量が前記上限を超えると、十分な物性を有する硬
化物が得られず、接合強度と信頼性が低下する恐れがあ
る。更に、硬化性フラックスの特性を損なわない範囲
で、液状のフェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂を
添加しても良い。

【００２４】本発明に用いるフェノール性ヒドロキシル
基を有する固形の樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシ
ル基は、その還元作用により、半田及び金属表面の酸化
物などの汚れを除去するので、半田接合のフラックスと
して効果的に作用する。フェノール性ヒドロキシル基を
有する室温で固形の樹脂（Ａ）は、半田接合のフラック
スとしての作用を高めるために、その構造上に電子供与
基を有することが好ましい。

【００２５】本発明において、フェノール性ヒドロキシ
ル基を有する固形の樹脂（Ａ）の硬化剤であり、少なく
とも一種が液状である樹脂（Ｂ）は、少なくとも一種が
液状であることにより、硬化性フラックスの熱時の流動
性を増加させると共に、未硬化状態でのシートに柔軟性
を付与する作用を有する。

【００２６】少なくとも一種が液状である樹脂（Ｂ）に
おいて、液状の樹脂の割合Ｋとしては、０．１〜１であ
ることが好ましく、０．３〜１であることがさらに好ま
しい。（ここで、Ｋ＝（液状である樹脂（Ｂ）の重量）
／（樹脂（Ｂ）全体の重量）である。） 液状の樹脂の割合Ｋが前記下限未満であると、未硬化状
態でのシート性が低下し、ハンドリング時に、熱硬化性
フラックスシートの割れやはがれが生じる恐れがある。

【００２７】少なくとも一種が液状である樹脂（Ｂ）と
しては、例えば、エポキシ化合物、イソシアネート化合
物などが好適に用いることができる。エポキシ化合物及
びイソシアネート化合物としては、例えば、ビスフェノ
ール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノール
ノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾル
シノール系などのフェノールベースのエポキシ化合物、
イソシアネート化合物や、飽和脂肪族、環状脂肪族、不
飽和脂肪族などの骨格をベースとして変性されたエポキ
シ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることがで
きる。

【００２８】本発明において、硬化剤であり、少なくと
も一種は液状である樹脂（Ｂ）の配合割合としては、硬
化剤のエポキシ基、イソシアネート基などの反応性の官
能基が、樹脂(Ａ)のフェノール性ヒドロキシル基の０.
５〜１.５当量倍であることが好ましく、０.８〜１.２
当量倍であることがより好ましい。配合割合が前記下限
未満であると、十分な物性を有する硬化物が得られず、
補強効果が小さくなって、接合強度と信頼性が低下する
恐れがある。また、前記上限を超えると、半田及び金属
表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田
接合性が不良となる恐れがある。

【００２９】本発明の硬化性フラックスは、フェノール
性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）と該樹脂の
硬化剤であり、少なくとも一種が液状の樹脂（Ｂ）との
反応により、良好な物性を有する硬化物が形成されるた
めに、半田接合後に洗浄により、フラックスを除去する
が必要なく、硬化物により半田接合部が保護されて、高
温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度と信
頼性の高い半田接合が可能となる。

【００３０】本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）は、硬
化性フラックスの未硬化状態でのシート性に寄与し、さ
らに硬化後の密着性、可撓性に寄与する。熱可塑性樹脂
（Ｃ）としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、ポリエステル樹脂類、ポリウレタン樹
脂類、ポリイミドシロキサン樹脂、ポリプロピレン、ス
チレン−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセター
ル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリ
ル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ナイロン、スチレン
−イソプレン共重合体、スチレン−ブチレン−スチレン
ブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−ス
チレンブロック共重合体、ポリメチルメタクリレート樹
脂等が挙げることができ、特に、フィルム性に優れ、熱
時の流動特性に優れたフェノキシ樹脂又はポリビニルブ
チラール樹脂であることが好ましい。また、熱可塑性樹
脂（Ｃ）は、これらを一種又は複数種併用して用いるこ
ともできる。

【００３１】本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）の配合
割合としては、硬化性フラックス全体の５ｗｔ％以上５
０ｗｔ％以下であることが好ましい。配合割合が５ｗｔ
％未満であると、未硬化状態のシート性、硬化後の密着
力、可撓性が低下する恐れがあり、５０ｗｔ％を越える
と、半田接合性を阻害する恐れがある。

【００３２】本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）のガラ
ス転移温度は、４０℃〜１５０℃であることが好まし
く、より好ましくは、ガラス転移温度が５０℃〜１２０
℃である。前記下限未満であると未硬化状態のシート
が、室温で粘着性を有する恐れがある。また、前記上限
を越えると、加熱加圧下の半田接合時の温度で、硬化性
フラックスとしての十分な流動性が得られず、半田接合
を阻害する恐れがある。

【００３３】本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）は、フ
ェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）と
該樹脂の硬化剤であり、少なくとも一種は液状の樹脂
（Ｂ）と相溶することが好ましい。

【００３４】本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）の重量
平均分子量は、１０，０００〜１００，０００であるこ
とが好ましく、１２，０００〜７０，０００であること
がより好ましい。重量平均分子量が前記下限未満である
と未硬化状態でのシート性が低下する恐れがあり、前記
上限を越えると半田接合性を阻害する恐れがある。

【００３５】本発明の硬化性フラックスは、硬化性酸化
防止剤(Ｄ)を含有することができる。硬化性酸化防止剤
は、酸化防止剤として作用し、かつ、硬化剤(Ｂ)と反応
して硬化することができる化合物である。本発明に用い
る硬化性酸化防止剤に、特に制限はないが、ベンジリデ
ン構造を有する化合物や３−ヒドロキシ−２−ナフトイ
ック酸、パモイック酸、２,４−ジヒドロキシ安息香
酸、２,５−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、ベンジ
リデン構造を有する化合物としては、一般式（１）で表
される化合物であることが、より好ましい。

【００３６】

【化３】 ただし、一般式（１）において、Ｒ₁、Ｒ₃及びＲ₅は、
それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル基又はカルボキ
シル基であり、Ｒ₂及びＲ₄は、それぞれ独立して、水素
又はアルキル基であり、Ｒ₆及びＲ₇は、それぞれ独立し
て、水素、メチル基、ヒドロキシフェニル基又はカルボ
キシフェニル基である。

【００３７】一般式（１）で表される化合物としては、
例えば、エチリデンジフェノール、２,２'−エチリデン
ビス(４,６−ジ−ｔ−ブチルフェノール)、フェノール
フタリンなどや、これら化合物から誘導される重合体な
どを挙げることができる。これらの化合物は、１種を単
独で用いることができ、あるいは、２種以上を組み合わ
せて用いることもできる。これらの中で、エチリデンジ
フェノール及びフェノールフタリンを、特に好適に用い
ることができる。

【００３８】本発明の硬化性フラックスにおいて、硬化
性酸化防止剤(Ｄ)の含有量は、硬化性フラックス全体の
０.５〜３０重量％であることが好ましく、１〜２０重
量％であることがより好ましい。硬化性酸化防止剤の含
有量が前記下限未満であると、常温での酸化防止剤とし
ての作用や、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除
去する作用が低下し、半田接合性が十分に向上しない恐
れがある。硬化性酸化防止剤の含有量が、前記上限を超
えると、絶縁性や接合強度などの信頼性が低下する恐れ
がある。

【００３９】ベンジリデン構造は、酸化により発生した
ラジカルを捕捉し、酸化反応の連鎖停止に寄与し、酸化
防止剤として効果的に作用する。また、半田接合時の温
度領域では、水素ラジカルを放出し、還元剤としてはた
らき、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去す
る。

【００４０】本発明の硬化性フラックスは、その硬化を
促進するために、硬化触媒を配合することができる。用
いる硬化触媒としては、例えば、２−メチルイミダゾー
ル、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾール、ビス(２−エチル−４−メチル−イ
ミダゾール)、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−フェニル−４,５−ジヒ
ドロキシメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−シア
ノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル
−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−
エチル−４−メチルイミダゾール、１−アミノエチル−
２−メチルイミダゾール、１−(シアノエチルアミノエ
チル)−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−
２−フェニル−４,５−ビス(シアノエトキシメチルイミ
ダゾール)、トリアジン付加型イミダゾールなどを挙げ
ることができる。さらに、これらのイミダゾール化合物
を、エポキシアダクト化した触媒や、マイクロカプセル
化した触媒も使用することができる。これらの触媒は、
１種を単独で用いることができ、あるいは、２種以上を
組み合わせて用いることもできる。

【００４１】本発明の硬化性フラックスは、さらに、密
着性や耐湿性を向上させるためのシランカップリング
剤、ボイドを防止するための消泡剤、あるいは液状又は
粉末の難燃剤などの添加剤を用いることもできる。

【００４２】本発明の硬化性フラックスは、前記各成分
を所望の割合で配合し混合して得られる。得られた硬化
性フラックスは、溶媒に混合して硬化性フラックスワニ
スとして用いることができる。

【００４３】本発明の硬化性フラックスに用いる溶媒と
しては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、メシチレ
ン、キシレン、ヘキサン、イソブタノール、ｎ−ブタノ
ール、１−メトキシ，２−プロパノールアセテート、ブ
チルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセルソル
ブ、セルソルブアセテート、乳酸エチル、酢酸エチル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、ジエチレングリコール、安息香酸−ｎ−ブチル、Ｎ
−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
テトラヒドロフラン、γ−ブチルラクトン、アニソール
等が挙げられる。好ましくは、沸点が２００℃以下の溶
媒である。

【００４４】本発明の硬化性フラックスは、溶融温度が
１００℃以下であることが好ましい。含有される樹脂の
分子量が大きく、溶融温度が１００℃を超えると、加熱
加圧下の半田接合時における硬化性フラックスの流動性
が低下し、半田接合を阻害するおそれがある。

【００４５】本発明の硬化性フラックスのゲル化時間
は、半田の融点温度において、１分以上であることが好
ましく、２分以上であることが、より好ましく、５分以
上であることが、さらに好ましい。半田の融点温度にお
けるゲル化時間が、前記下限未満であると、半田接合中
に硬化反応が進行し、半田と被接合金属が接合する前
に、硬化性フラックスが硬化し、半田接合が妨げられる
恐れがある。半田の融点温度におけるゲル化時間が５分
以上であると、加熱加圧下の半田接合温度における硬化
性フラックスの流動性を十分に確保して、安定した半田
接合を達成することができる。また、半田の融点温度に
おけるゲル化時間は、６０分以下であることが、好まし
く、３０分以下であることが、より好ましく、２０分以
下であることが、さらに好ましい。半田の融点温度にお
けるゲル化時間が前記上限を超えると、安定した半田接
合は可能であるが、その後の熱硬化が十分に進行せず、
半田接合部の満足な補強効果が得られない恐れがある。
硬化反応を十分に進行させるために、高温で硬化させる
と、硬化性フラックスが酸化することにより、硬化物の
破壊靭性が低下し、実装後の耐熱衝撃性が低下する恐れ
がある。

【００４６】本発明の硬化性フラックスシートは、半田
接合時にフラックスとして作用し、次いで加熱すること
により、硬化して層間の接着剤として作用する硬化性フ
ラックス層と、少なくとも一層以上の剥離可能な保護フ
ィルム層からなる。

【００４７】本発明の硬化性フラックスシートは、予め
厚みが既知の硬化性フラックス層と、ハンドリング性を
付与するための剥離可能な保護フィルム層とからなるた
め、厚み制御性と生産性に優れている。

【００４８】本発明の硬化性フラックスシートの製造方
法としては、剥離可能な保護フィルム上に、硬化性フラ
ックスワニスを塗布して、硬化性フラックス層を形成
し、乾燥して、硬化性フラックスシートを得ることがで
きる。塗布方法としては、印刷、カーテンコート、バー
コート、コンマコート等が挙げられる。硬化性フラック
ス層の厚みは、加工性、フラックス活性、接着力、熱応
力緩和効果等との関係で適宜選択できるが、０．５〜５
００μｍが好ましく、１〜２５０μｍがさらに好まし
い。乾燥温度としては、使用する溶媒にも依存するが、
６０℃〜１８０℃が好ましく、７０℃〜１５０℃がさら
に好ましい。

【００４９】本発明に用いる保護フィルム層は、硬化性
フラックスの形態および機能を損なうことなく、剥離で
きれば、特に限定されないが、例えば、ポリエステル、
ポリオレフィン、ポリフェンレンスルフィド、ポリ塩化
ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニ
リデン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルアルコール、ポ
リカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケ
トン等が挙げられ、これらにシリコーンあるいは、フッ
素化合物等の離型剤のコーティング処理を施しても良
い。

【００５０】本発明の熱硬化性フラックスシートに用い
る硬化性フラックス層は、室温で実質的に粘着性を有さ
ないことが好ましい。室温で粘着性がある場合は、ハン
ドリングが困難となり、生産性が低下する恐れがある。

【００５１】本発明の硬化性フラックスシートの硬化性
フラックス層としては、未硬化状態でのシート性に優れ
る硬化性フラックスであれば、種類を問わない。例え
ば、本発明の硬化性フラックスを用いることができる。

【００５２】本発明によれば、半田接合後の残存フラッ
クスの洗浄による除去の必要がなく、高温、多湿の雰囲
気でも電気絶縁性を保持し、さらに層間を接着でき、接
合強度と信頼性の高い半田接合が可能となる。

【００５３】本発明の硬化性フラックス及び硬化性フラ
ックスシートは、未硬化状態のシート性、溶融粘度、酸
化物除去性、硬化性のバランスが優れ、加熱加圧下の半
田接合時に、半田接合のフラックスとして作用し、さら
に加熱することで三次元架橋し、多層配線板、半導体素
子と多層配線板の層間を接着、封止することができるの
で、従来のフラックスによる半田接合と比較して、生産
性と信頼性を大幅に向上させることができる。

【００５４】

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。

【００５５】本発明の硬化性フラックスおよび硬化性フ
ラックスシートの有効性を確認するため、下記に示す実
施例１〜１５の多層配線板を製造し、金属接合部の断面
観察、温度サイクル試験、絶縁信頼性試験を行い、評価
結果をまとめて表１に示した。また、図１〜３に多層配
線板の製造方法を示した。

【００５６】[実施例１]ｍ,ｐ−クレゾールノボラック
樹脂（日本化薬(株)製ＰＡＳ−１、ＯＨ基当量１２０）
１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（日本化薬(株)製ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量２２
０）２２５ｇと、フェノキシ樹脂（東都化成(株)製ＹＰ
−７０、ガラス転移温度７０℃）２１５ｇを、メチルエ
チルケトン４８０ｇに溶解し、硬化性フラックスワニス
を作製した。

【００５７】次いで、ビスフェノール−Ａジシアネート
（旭チバ（株）製ＡｒｏＣｙＢ３０、３量化率３０％）
１００ｇとＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に溶解した
ガラス転移温度Ｔｇが２５０℃のシリコーン変性ポリイ
ミドワニス（樹脂の割合２０重量％）２５０ｇと、予め
コバルト（III）アセチルアセトネート（和光純薬）
０．０６ｇと４−ノニルフェノール（キシダ化学製）２
ｇを混合溶解した溶液を、混合撹拌し、層間絶縁材ワニ
スを作製した。

【００５８】表面を粗化処理した１５０μｍ厚の圧延銅
板（金属板１０１）（古川電気工業製、ＥＦＴＥＣ−６
４Ｔ：商品名）に、ドライフィルムレジスト（旭化成
製、ＡＱ−２０５８：商品名）をロールラミネートし、
所定のネガフィルムを用いて露光・現像し、配線パター
ン１０４の形成に必要なめっきレジスト（めっきレジス
ト１０２）を形成した（図１（ａ））。次に、圧延銅板
を電解めっき用リードとして、ニッケル層（レジスト金
属１０３）を電解めっきにより形成し（図１（ｂ））、
さらに電解銅めっきすることにより配線パターン（配線
パターン１０４）を形成した（図１（ｃ））。次に、ア
ルカリ剥離液を用いてめっきレジスト（めっきレジスト
１０２）を除去した（図１（ｄ））。配線パターンは、
線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ／１０μｍとし
た。上記で得た層間絶縁材ワニスをポリエステル（ダイ
アホイルヘキスト（株）製、Ｔ−１００Ｇ）フィルムに
塗布後、８０℃で１０分、１３０℃で１０分乾燥し、２
５μｍ厚の層間絶縁材層を形成した。ＰＥＴフィルム付
き層間絶縁材層を真空ラミネートにより配線パターンの
凹凸を埋め込みながら成形し、ＰＥＴフィルムを剥離し
て、２５μｍ厚の層間絶縁材層（層間絶縁材層１０５）
を形成した（図１（ｅ））。層間絶縁材層を形成後、熱
処理し、シアネート樹脂を硬化した。

【００５９】次に、５０μｍ径のビア（ビア１０６）
を、ＵＶ−ＹＡＧレーザーにより形成した（図１
（ｆ））。続いて、圧延銅板を電解めっき用リードとし
て、電解銅めっきすることによりビアを銅で充填し、銅
ポスト（銅ポスト１０７）を形成した（図２（ｇ））。
次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、銅ポスト
上にＳｎ−Ｐｂ共晶半田（Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田１０８）
を電解めっきにより形成した（図２（ｈ））。次に、上
記で得た硬化性フラックスワニスをポリエステル（ダイ
アホイルヘキスト（株）製、Ｔ−１００Ｇ）フィルムに
塗布後、８０℃で２０分乾燥し、１０μｍ厚の硬化性フ
ラックス層を形成し、硬化性フラックスシートを得た。
この硬化性フラックスシートは、室温で実質的に粘着性
を有しておらず、また、直径７ｃｍの支管に巻き付けて
も、フィルムがひび割れることはなく、ハンドリング性
に優れていた。この硬化性フラックスシートを真空ラミ
ネートにより層間絶縁材層の表面、すなわちＳｎ−Ｐｂ
共晶半田が形成された面にラミネートし、ＰＥＴフィル
ムを剥離して、１０μｍ厚の硬化性フラックス層（硬化
性フラックス層１０９）を形成した（図２（ｉ））。こ
れまでの工程により、接続層（接続層１１０）を得るこ
とができた。

【００６０】一方、コア基板として、１２μｍ厚の銅箔
が形成されたＦＲ−５相当のガラスエポキシ樹脂銅張積
層板（住友ベークライト製）を用い、銅箔をエッチング
して配線パターンおよびパッド（パッド１１２）を形成
し、被接続層（被接続層１１１）を得ることができた
（図２（ｊ））。次に、上述の工程により得られた接続
層と、被接続層に予め形成されている位置決めマーク
を、画像認識装置により読み取り、両者を位置合わせ
し、１００℃の温度で仮圧着した（図２（ｋ））。さら
に、上述の位置合せ・仮圧着を再度行い、被接続層の両
面に接続層を仮圧着したものを得ることができた。これ
を、プレスにより２２０℃の温度で加熱加圧して、銅ポ
ストが、硬化性フラックス層を貫通してパッドと半田接
合し、被接続層の両面に接続層を接着した（図３
（ｌ））。次に、２２０℃、２時間ポストキュアし、硬
化性フラックス層を硬化させた。次に、アンモニア系エ
ッチング液を用いて圧延銅板をエッチングして除去し、
さらに半田・ニッケル剥離剤（三菱ガス化学製・Ｐｅｗ
ｔａｘ：商品名）を用いて、ニッケルをエッチングして
除去した。さらに、両面に各１層ずつ同様な工程で積層
後、ソルダーレジスト（ソルダーレジスト１１４）を形
成し、多層配線板（多層配線板１１３）を得た（図３
（ｍ））。

【００６１】得られた多層配線板は、温度サイクル試験
用に両面に各々６０個の金属接合部が直列につながるよ
うに回路設計されている。また、該多層配線板には、絶
縁抵抗試験用に線幅／線間＝２０μｍ／２０μｍのくし
形配線パターンが同時に形成されている。

【００６２】得られた多層配線板の金属接合部の断面
を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、金属接合状態
を評価し、表１に示した。

【００６３】得られた多層配線板の導通を確認した後、
−５５℃で１０分、１２５℃で１０分を１サイクルとす
る温度サイクル試験を実施した。サンプル数は１０個と
した。温度サイクル試験１０００サイクル後の、断線不
良数の結果をまとめて表１に示した。

【００６４】得られた多層配線板の初期絶縁抵抗を測定
した後、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中で、直流電圧
５．５Ｖを印加し、１０００時間経過後の絶縁抵抗を測
定した。測定時の印加電圧は１００Ｖで１分とし、初期
絶縁抵抗および処理後絶縁抵抗をまとめて表１に示し
た。

【００６５】[実施例２]実施例１において、硬化性フラ
ックスワニスの作製で用いた、ｍ，ｐ−クレゾールノボ
ラック樹脂１０５ｇに代えて、ビスフェノールＡ型ノボ
ラック樹脂 (大日本インキ化学工業(株)製ＬＦ４７８
１、ＯＨ当量１２０)１０５ｇを用いた以外は、実施例
１と同様にして多層配線板を得、評価した。

【００６６】[実施例３]実施例１において、硬化性フラ
ックスワニスの作製に用いた、ｍ，ｐ−クレゾールノボ
ラック樹脂１０５ｇに代えて、ポリビニルフェノール樹
脂（丸善石油化学(株)製マルカリンカ−Ｍ、ＯＨ当量１
２０）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして
多層配線板を得、評価した。

【００６７】[実施例４]実施例１において、硬化性フラ
ックスワニスの作製に用いた、ｍ，ｐ−クレゾールノボ
ラック樹脂１０５ｇに代えて、フェノールノボラック樹
脂（住友デュレズ(株)製ＰＲ−５３６４７、ＯＨ当量１
０６）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして
多層配線板を得、評価した。

【００６８】[実施例５]実施例１において、硬化性フラ
ックスワニスの作製に用いた、ｍ，ｐ−クレゾールノボ
ラック樹脂１０５ｇに代えて、レゾルシノールノボラッ
ク樹脂（日本化薬(株)製、カヤハードＲＣＮ、ＯＨ当量
５８）５０ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして多
層配線板を得、評価した。

【００６９】[実施例８]実施例１において、硬化性フラ
ックスワニスの作製に用いた、ｍ，ｐ−クレゾールノボ
ラック樹脂１０５ｇに代えて、カテコールノボラック樹
脂（日本化薬(株)製、Ａ−１４６８、ＯＨ当量５８）５
０ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線板
を得、評価した。

【００７０】[実施例９]実施例１において、硬化性フラ
ックスワニスの作製に用いた、ｍ，ｐ−クレゾールノボ
ラック樹脂１０５ｇに代えて、ハイドロキノンノボラッ
ク樹脂（住友デュレズ(株)製、試作品、ＯＨ当量５５）
５０ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線
板を得、評価した。

【００７１】[実施例１０]フェノールノボラック樹脂
（住友デュレズ(株)製ＰＲ−５３６４７、ＯＨ当量１０
６）１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（日本化薬(株)製ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量
２２０）２２５ｇと、フェノキシ樹脂（東都化成(株)製
ＹＰ−７０、ガラス転移温度７０℃）３３０ｇを、メチ
ルエチルケトン７５０ｇに溶解し、硬化性フラックスワ
ニスを作製した以外は、実施例１と同様にして多層配線
板を得、評価した。

【００７２】[実施例１１]フェノールノボラック樹脂
（住友デュレズ(株)製ＰＲ−５３６４７、ＯＨ当量１０
６）１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（日本化薬(株)製ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量
２２０）１００ｇと、ジシクロペンタジエン型ノボラッ
クエポキシ樹脂（日本化薬(株)製ＸＤ−１０００Ｌ、エ
ポキシ当量２５０）１４０ｇと、フェノキシ樹脂（東都
化成(株)製ＹＰ−７０、ガラス転移温度７０℃）５０ｇ
を、メチルエチルケトン２０５ｇに溶解し、硬化性フラ
ックスワニスを作製した以外は、実施例１と同様にして
多層配線板を得、評価した。

【００７３】[実施例１２]実施例１において、硬化性フ
ラックスワニスの作製に用いた、フェノキシ樹脂（東都
化成(株)製ＹＰ−７０、ガラス転移温度７０℃）２１５
ｇに代えて、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業
(株)製エスレックＢＬ−Ｓ、ガラス転移温度６０℃）２
１５ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線
板を得、評価した。

【００７４】[実施例１３]フェノールノボラック樹脂
（住友デュレズ(株)製ＰＲ−５３６４７、ＯＨ当量１０
６）１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（日本化薬(株)製ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量
２２０）２９０ｇと、フェノキシ樹脂（東都化成(株)製
ＹＰ−７０、ガラス転移温度７０℃）２１５ｇと、フェ
ノールフタリン（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）３２ｇを、メチ
ルエチルケトン４８０ｇに溶解し、硬化性フラックスワ
ニスを作製した以外は、実施例１と同様にして多層配線
板を得、評価した。

【００７５】[実施例１４]実施例１３において、硬化性
フラックスワニスの作製に用いた、フェノールフタリン
（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）３２ｇに代えて、エチリデンジ
フェノール（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）３２ｇを用いて硬化
性フラックスワニスを作製し、この硬化性フラックスワ
ニスを用いて、実施例１と同様にして多層配線板を得、
評価した。

【００７６】[実施例１５]実施例１３において、硬化性
フラックスワニスの作製に用いた、フェノールフタリン
（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）３２ｇに代えて、ジヒドロキシ
安息香酸（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）３２ｇを用いて硬化性
フラックスワニスを作製し、この硬化性フラックスワニ
スを用いて、実施例１と同様にして多層配線板を得、評
価した。

【００７７】

【表１】

【００７８】表１に示した評価結果から分かるように、
本発明の多層配線板、および本発明の多層配線板の製造
方法により製造された多層配線板は、確実に金属接合で
き、温度サイクル試験では、断線不良の発生はなく、絶
縁抵抗試験でも絶縁抵抗が低下しなかった。よって、本
発明の多層配線板およびその製造方法の効果が明白であ
る。

【００７９】

【発明の効果】本発明によれば、半導体チップの搭載時
及び多層配線板の層間接続等の半田接合において、確実
に半田接合することができ、半田接合後の残存フラック
スの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶
縁性を保持し、信頼性の高い半田接合を可能とする、硬
化性フラックス及び硬化性フラックスシートを提供する
ことできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に用いる多層配線板の製造方法
を示す断面図である。

【図２】本発明の実施例に用いる多層配線板の製造方法
を示す断面図である。

【図３】本発明の実施例に用いる多層配線板の製造方法
を示す断面図である。

【符号の説明】

１０１ 金属板 １０２ めっきレジスト １０３ レジスト金属 １０４ 配線パターン １０５ 層間絶縁材層 １０６ ビア １０７ 銅ポスト １０８ Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田 １０９ 硬化性フラックス層 １１０ 接続層 １１１ 被接続層 １１２ パッド １１３ 多層配線板 １１４ ソルダーレジスト

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フェノール性ヒドロキシル基を有する固
   形の樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤であり、少なくとも一種
   が液状の樹脂（Ｂ）、及び熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有す
   ることを特徴とする硬化性フラックス。
2. 【請求項２】 フェノール性ヒドロキシル基を有する固
   形の樹脂（Ａ）が、フェノールノボラック樹脂、アルキ
   ルフェノールノボラック樹脂、多価フェノールノボラッ
   ク樹脂、フェノールアラルキル樹脂、レゾール樹脂又は
   ポリビニルフェノールである請求項１記載の硬化性フラ
   ックス。
3. 【請求項３】 多価フェノールノボラック樹脂が、カテ
   コール、レゾルシン、ハイドロキノン、ヒドロキシハイ
   ドロキノン又はピロガロールよりなる請求項２記載の硬
   化性フラックス。
4. 【請求項４】 フェノール性ヒドロキシル基を有する固
   形の樹脂（Ａ）が、３０〜１５０℃の軟化点を有する請
   求項１〜請求項３のいずれかに記載の硬化性フラック
   ス。
5. 【請求項５】 少なくとも一種が液状の樹脂(Ｂ)が、エ
   ポキシ化合物又はイソシアネート化合物である請求項１
   〜請求項４のいずれかに記載の硬化性フラックス。
6. 【請求項６】 熱可塑性樹脂（Ｃ）が、４０℃〜１５０
   ℃のガラス転移温度を有する請求項１〜請求項５のいず
   れかに記載の硬化性フラックス。
7. 【請求項７】 熱可塑性樹脂（Ｃ）が、フェノキシ樹脂
   又は、ポリビニルブチラール樹脂である請求項１〜請求
   項６のいずれかに記載の硬化性フラックス。
8. 【請求項８】 熱可塑性樹脂（Ｃ）が、５ｗｔ％以上５
   ０ｗｔ％以下含まれる請求項１〜請求項７のいずれかに
   記載の硬化性フラックス。
9. 【請求項９】 硬化性酸化防止剤(Ｄ)を含有する請求項
   １〜請求項８のいずれかに記載の硬化性フラックス。
10. 【請求項１０】 硬化性酸化防止剤(Ｄ)が、ベンジリデ
    ン構造を有する化合物である請求項９記載の硬化性フラ
    ックス。
11. 【請求項１１】 ベンジリデン構造を有する化合物が、
    一般式（１）で表される化合物である請求項１０記載の
    硬化性フラックス。 【化１】 （ただし、式中、Ｒ₁、Ｒ₃及びＲ₅は、それぞれ独立し
    て、水素、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であり、
    Ｒ₂及びＲ₄は、それぞれ独立して、水素又はアルキル基
    であり、Ｒ₆及びＲ₇は、それぞれ独立して、水素、メチ
    ル基、ヒドロキシフェニル基又はカルボキシフェニル基
    である。）
12. 【請求項１２】 一般式（１）で表される化合物が、エ
    チリデンジフェノール又はフェノールフタリンである請
    求項１１記載の硬化性フラックス。
13. 【請求項１３】 半田の融点温度において、ゲル化時間
    が１〜６０分である請求項１〜請求項１２のいずれかに
    記載の硬化性フラックス。
14. 【請求項１４】 半田接合時にフラックスとして作用
    し、次いで加熱することにより、硬化して層間の接着剤
    として作用する硬化性フラックス層と、少なくとも一層
    以上の剥離可能な保護フィルム層とからなることを特徴
    とする硬化性フラックスシート。
15. 【請求項１５】 硬化性フラックス層が、未硬化状態に
    おいて、室温で実質的に粘着性を有さない請求項１４記
    載の硬化性フラックスシート。
16. 【請求項１６】 硬化性フラックス層が、請求項１〜請
    求項１３のいずれかに記載の硬化性フラックスよりなる
    請求項１４または請求項１５記載の硬化性フラックスシ
    ート。