JP2003101130A - 発光モジュール - Google Patents
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- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光モジュールが発生可能な光の波長のグリッ
ド間隔を縮小できる発光モジュールを提供する。 【解決手段】半導体レーザモジュール１は、半導体発光
素子１６と、くさび型のエタロン１８と、受光デバイス
２０と、選択手段２２と、熱電子冷却器３４とを備え
る。受光デバイス２０は、第１および第２の光検出器２
０ａ、２０ｂを含む。これらの光検出器の各々は、エタ
ロン１８を介して半導体発光素子１６の第１の端面に光
学的に結合されている。選択手段２２は、受光デバイス
２０に含まれる光検出器２０ａ、２０ｂからの信号のい
ずれか一つを選択するように動作できる。熱電子冷却器
３４は、半導体発光素子１６と熱的に結合され半導体発
光素子１６の温度を調整可能なように配置されている。
第１および第２の光検出器２０ａ、２０ｂは、エタロン
１８の傾斜方向に沿って配置されている。
ド間隔を縮小できる発光モジュールを提供する。 【解決手段】半導体レーザモジュール１は、半導体発光
素子１６と、くさび型のエタロン１８と、受光デバイス
２０と、選択手段２２と、熱電子冷却器３４とを備え
る。受光デバイス２０は、第１および第２の光検出器２
０ａ、２０ｂを含む。これらの光検出器の各々は、エタ
ロン１８を介して半導体発光素子１６の第１の端面に光
学的に結合されている。選択手段２２は、受光デバイス
２０に含まれる光検出器２０ａ、２０ｂからの信号のい
ずれか一つを選択するように動作できる。熱電子冷却器
３４は、半導体発光素子１６と熱的に結合され半導体発
光素子１６の温度を調整可能なように配置されている。
第１および第２の光検出器２０ａ、２０ｂは、エタロン
１８の傾斜方向に沿って配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光モジュールに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】複数の波長成分を用いて光通信を行う波
長多重(ＷＤＭ)伝送システムを構築するために、発光モ
ジュールが使用される。ＷＤＭ伝送システムでは、光通
信のための個々の波長成分は所定の間隔で配置されてい
る。
長多重(ＷＤＭ)伝送システムを構築するために、発光モ
ジュールが使用される。ＷＤＭ伝送システムでは、光通
信のための個々の波長成分は所定の間隔で配置されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】発明者は、発光モジュ
ールの開発に携わっている。発光モジュールをＷＤＭ伝
送システムに利用しやすくするために、発光モジュール
に関する検討を行った。平行エタロンを用いる発光モジ
ュールでは、入射光が平行エタロンに入射する角度によ
り、ＷＤＭ波長間隔が決定される。この角度による調整
をさけるために、くさび型エタロンを用いてことができ
る。くさび型エタロンでは、入射面と出射面との角度に
よりＷＤＭ波長間隔が決定されている。発明者は、将来
のＷＤＭ伝送システムではＷＤＭ波長間隔がさらに短縮
されると考えている。
ールの開発に携わっている。発光モジュールをＷＤＭ伝
送システムに利用しやすくするために、発光モジュール
に関する検討を行った。平行エタロンを用いる発光モジ
ュールでは、入射光が平行エタロンに入射する角度によ
り、ＷＤＭ波長間隔が決定される。この角度による調整
をさけるために、くさび型エタロンを用いてことができ
る。くさび型エタロンでは、入射面と出射面との角度に
よりＷＤＭ波長間隔が決定されている。発明者は、将来
のＷＤＭ伝送システムではＷＤＭ波長間隔がさらに短縮
されると考えている。
【０００４】そこで、本発明の目的は、発光モジュール
が発生可能な光の波長のグリッド間隔を縮小できる発光
モジュールを提供することとした。
が発生可能な光の波長のグリッド間隔を縮小できる発光
モジュールを提供することとした。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の一側面の発光モ
ジュールは、くさび型のエタロンと、半導体発光素子
と、受光デバイスと、選択手段と、熱電子冷却器とを備
える。半導体発光素子は、第１および第２の端面を有す
る。受光デバイスは、第１および第２の光検出器を含
む。これらの光検出器の各々は、エタロンを介して半導
体発光素子の第１の端面に光学的に結合されている。選
択手段は、受光デバイスに含まれる光検出器からの信号
のいずれか一つを選択するように動作できる。熱電子冷
却器は、半導体発光素子と熱的に結合され半導体発光素
子の温度を調整可能なように配置されている。
ジュールは、くさび型のエタロンと、半導体発光素子
と、受光デバイスと、選択手段と、熱電子冷却器とを備
える。半導体発光素子は、第１および第２の端面を有す
る。受光デバイスは、第１および第２の光検出器を含
む。これらの光検出器の各々は、エタロンを介して半導
体発光素子の第１の端面に光学的に結合されている。選
択手段は、受光デバイスに含まれる光検出器からの信号
のいずれか一つを選択するように動作できる。熱電子冷
却器は、半導体発光素子と熱的に結合され半導体発光素
子の温度を調整可能なように配置されている。
【０００６】第１および第２の光検出器は、異なる位置
に配置されている。この配置のため、第１の光検出器が
エタロンから受ける光のパワーは、第２の光検出器がエ
タロンから受ける光のパワーと異なる。故に、第１の光
検出器からの信号および第２の光検出器からの信号によ
れば、それぞれ、別個の波長グリッドが提供される。し
たがって、選択手段により、いずれか一方の信号を選べ
ば、選択された信号に基づくグリッド上において光の波
長を設定できる。
に配置されている。この配置のため、第１の光検出器が
エタロンから受ける光のパワーは、第２の光検出器がエ
タロンから受ける光のパワーと異なる。故に、第１の光
検出器からの信号および第２の光検出器からの信号によ
れば、それぞれ、別個の波長グリッドが提供される。し
たがって、選択手段により、いずれか一方の信号を選べ
ば、選択された信号に基づくグリッド上において光の波
長を設定できる。
【０００７】本発明の一側面の発光モジュールは、くさ
び型のエタロンと、半導体発光素子と、受光デバイス
と、熱電子冷却器とを備える。くさび型のエタロンは、
第１の波長λ1が透過可能な第１の部分および第２の波
長λ2が透過可能な第２の部分を有する。半導体発光素
子は、第１および第２の端面を有する。受光デバイス
は、第１および第２の光検出器を含む。第１および第２
の光検出器の各々は、エタロンを介して半導体発光素子
の第１の端面に光学的に結合されている。第１の光検出
器は、エタロンの第１の部分からの光を受光可能な位置
に配置され、第２の光検出器は、エタロンの第２の部分
からの光を受光可能な位置に配置されている。熱電子冷
却器は、半導体発光素子と熱的に結合されている。第１
の波長λ1と第２の波長λ2との間隔は、(エタロンの第
１の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／
(ｎ＋１)で規定される分数で決定されている（ｎはそれ
ぞれ自然数である）。
び型のエタロンと、半導体発光素子と、受光デバイス
と、熱電子冷却器とを備える。くさび型のエタロンは、
第１の波長λ1が透過可能な第１の部分および第２の波
長λ2が透過可能な第２の部分を有する。半導体発光素
子は、第１および第２の端面を有する。受光デバイス
は、第１および第２の光検出器を含む。第１および第２
の光検出器の各々は、エタロンを介して半導体発光素子
の第１の端面に光学的に結合されている。第１の光検出
器は、エタロンの第１の部分からの光を受光可能な位置
に配置され、第２の光検出器は、エタロンの第２の部分
からの光を受光可能な位置に配置されている。熱電子冷
却器は、半導体発光素子と熱的に結合されている。第１
の波長λ1と第２の波長λ2との間隔は、(エタロンの第
１の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／
(ｎ＋１)で規定される分数で決定されている（ｎはそれ
ぞれ自然数である）。
【０００８】このような第１および第２の光検出器の配
置によれば、エタロンの所定の部分における光透過特性
の隣接ピーク間の間隔より小さい波長グリッドが提供さ
れる。
置によれば、エタロンの所定の部分における光透過特性
の隣接ピーク間の間隔より小さい波長グリッドが提供さ
れる。
【０００９】本発明の別の側面の発光モジュールは、複
数のキャプチャレンジを有する。ｎはそれぞれ自然数で
ある。発光モジュールは、くさび型のエタロンと、半導
体発光素子と、熱電子冷却器と、受光デバイスとを備え
る。半導体発光素子は、第１および第２の端面を有す
る。熱電子冷却器は、半導体発光素子と熱的に結合され
ている。受光デバイスは、第１および第２の光検出器を
含む。第１および第２の光検出器は、複数のキャプチャ
レンジのうち隣接するキャプチャレンジが、(エタロン
の所定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間
隔)／(ｎ＋１)で差が規定される二波長λ1およびλ2を
それぞれ含むように、配置されている。
数のキャプチャレンジを有する。ｎはそれぞれ自然数で
ある。発光モジュールは、くさび型のエタロンと、半導
体発光素子と、熱電子冷却器と、受光デバイスとを備え
る。半導体発光素子は、第１および第２の端面を有す
る。熱電子冷却器は、半導体発光素子と熱的に結合され
ている。受光デバイスは、第１および第２の光検出器を
含む。第１および第２の光検出器は、複数のキャプチャ
レンジのうち隣接するキャプチャレンジが、(エタロン
の所定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間
隔)／(ｎ＋１)で差が規定される二波長λ1およびλ2を
それぞれ含むように、配置されている。
【００１０】この形態によれば、縮小された間隔でキャ
プチャレンジが配置された発光モジュールが提供され
る。
プチャレンジが配置された発光モジュールが提供され
る。
【００１１】これらの発光モジュールでは、半導体発光
素子とエタロンとの間に配置されたコリメートレンズを
更に備えるようにしてもよい。
素子とエタロンとの間に配置されたコリメートレンズを
更に備えるようにしてもよい。
【００１２】本発明の別の側面の発光モジュールは、エ
タロンと、半導体発光素子と、熱電子冷却器と、受光デ
バイスとを備える。エタロンは、第１および第２の部分
を有している。このエタロンでは、第１の部分の厚さが
第２の部分の厚さと異なる。半導体発光素子は、第１お
よび第２の端面を有する。熱電子冷却器は、半導体発光
素子と熱的に結合されている。受光デバイスは、第１の
波長λ1が透過可能な第１の部分および第２の波長λ2が
透過可能な第２の部分を含む。第１の波長λ1と第２の
波長λ2との間隔はＷＤＭ波長間隔と関連づけられてい
る。第１および第２の光検出器の間隔は、第１の光検出
器がエタロンの第１の部分からの光を受光できると共に
第２の光検出器がエタロンの第２の部分からの光を受光
できるように規定されている。
タロンと、半導体発光素子と、熱電子冷却器と、受光デ
バイスとを備える。エタロンは、第１および第２の部分
を有している。このエタロンでは、第１の部分の厚さが
第２の部分の厚さと異なる。半導体発光素子は、第１お
よび第２の端面を有する。熱電子冷却器は、半導体発光
素子と熱的に結合されている。受光デバイスは、第１の
波長λ1が透過可能な第１の部分および第２の波長λ2が
透過可能な第２の部分を含む。第１の波長λ1と第２の
波長λ2との間隔はＷＤＭ波長間隔と関連づけられてい
る。第１および第２の光検出器の間隔は、第１の光検出
器がエタロンの第１の部分からの光を受光できると共に
第２の光検出器がエタロンの第２の部分からの光を受光
できるように規定されている。
【００１３】本発明の別の側面の発光モジュールは、信
号端子および接続手段を備えるようにしてもよい。接続
手段は、受光デバイスに含まれる光検出器のいずれか一
つを信号端子に接続するように動作する。
号端子および接続手段を備えるようにしてもよい。接続
手段は、受光デバイスに含まれる光検出器のいずれか一
つを信号端子に接続するように動作する。
【００１４】上記の発光モジュールは、半導体発光素子
の第１の端面に光学的に結合された光導波路を更に備え
るようにしてもよい。また、第１および第２の光検出器
は半導体受光素子を用いてもよい。さらに、第１および
第２の受光素子は、単一の半導体チップ上に集積されて
もよく、また別個の半導体チップ上に配置されてもよ
い。
の第１の端面に光学的に結合された光導波路を更に備え
るようにしてもよい。また、第１および第２の光検出器
は半導体受光素子を用いてもよい。さらに、第１および
第２の受光素子は、単一の半導体チップ上に集積されて
もよく、また別個の半導体チップ上に配置されてもよ
い。
【００１５】上記の発光モジュールでは、第１および第
２の光検出器の各々は第１の半導体受光素子を含むよう
にしてもよい。くさび型エタロンは、光入射面および光
出射面を有しており、光入射面は、光出射面に対して第
１の方向に沿って傾斜している。半導体受光素子は光を
検出する受光領域を有している。この受光領域の第１の
幅の最大値は、受光領域の第２の幅の最大値より大き
い。第１の幅は第１の方向に規定されており、第２の幅
は第１の方向に交差する第２の方向に規定されている。
受光領域の形状は、受ける光の含まれる波長成分のスペ
クトルが狭いので、波長変動の検出感度を高めると共
に、信号強度を増大できる。
２の光検出器の各々は第１の半導体受光素子を含むよう
にしてもよい。くさび型エタロンは、光入射面および光
出射面を有しており、光入射面は、光出射面に対して第
１の方向に沿って傾斜している。半導体受光素子は光を
検出する受光領域を有している。この受光領域の第１の
幅の最大値は、受光領域の第２の幅の最大値より大き
い。第１の幅は第１の方向に規定されており、第２の幅
は第１の方向に交差する第２の方向に規定されている。
受光領域の形状は、受ける光の含まれる波長成分のスペ
クトルが狭いので、波長変動の検出感度を高めると共
に、信号強度を増大できる。
【００１６】上記の発光モジュールでは、受光デバイス
は、半導体発光素子の光パワーをモニタできるように配
置された第３の光検出器を更に含むようにしてもよい。
第１および第２の光検出器は第１の半導体受光素子を含
み、第１の半導体受光素子は光を検出する受光領域を有
している。第３の光検出器は第２の半導体受光素子を含
み、第２の半導体受光素子は光を検出する受光領域を有
している。第２の半導体受光素子の受光領域の面積は、
第１の半導体受光素子の受光領域の面積よりも大きい。
は、半導体発光素子の光パワーをモニタできるように配
置された第３の光検出器を更に含むようにしてもよい。
第１および第２の光検出器は第１の半導体受光素子を含
み、第１の半導体受光素子は光を検出する受光領域を有
している。第３の光検出器は第２の半導体受光素子を含
み、第２の半導体受光素子は光を検出する受光領域を有
している。第２の半導体受光素子の受光領域の面積は、
第１の半導体受光素子の受光領域の面積よりも大きい。
【００１７】本発明の上記の目的および他の目的、特
徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発
明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からより容易
に明らかになる。
徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発
明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からより容易
に明らかになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の知見は、例示として示さ
れた添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮するこ
とによって容易に理解することができる。引き続いて、
添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態の発光モ
ジュールを説明する。可能な場合には、同一の部分には
同一の符号を付する。
れた添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮するこ
とによって容易に理解することができる。引き続いて、
添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態の発光モ
ジュールを説明する。可能な場合には、同一の部分には
同一の符号を付する。
【００１９】本実施の形態では、本発明の発光モジュー
ルが半導体レーザモジュールに適用されるけれども、本
発明は、このような実施の形態に限定されるものではな
い。
ルが半導体レーザモジュールに適用されるけれども、本
発明は、このような実施の形態に限定されるものではな
い。
【００２０】(第１の実施の形態)図１は、半導体レーザ
モジュールの斜視図である。図２は、半導体レーザモジ
ュール主要部を表す断面図である。図１及び図２を参照
すると、半導体レーザモジュール１ａは、半導体レーザ
モジュール主要部１０と、ハウジング１２とを備える。
モジュールの斜視図である。図２は、半導体レーザモジ
ュール主要部を表す断面図である。図１及び図２を参照
すると、半導体レーザモジュール１ａは、半導体レーザ
モジュール主要部１０と、ハウジング１２とを備える。
【００２１】ハウジング１２は、図１に示された実施例
では、バタフライ型パッケージといった容器である。パ
ッケージ１２内の底面上に半導体レーザモジュール主要
部１０が配置されている。半導体レーザモジュール主要
部１０は、不活性ガス、例えば窒素ガスが封入された状
態でパッケージ１２内に封止されている。ハウジング１
２は、レーザモジュール主要部１０を収納している本体
部１２ａ、光ファイバ１４をレーザモジュール主要部１
０に導く筒状部１２ｂ、および複数のリードピン１２ｃ
を備える。
では、バタフライ型パッケージといった容器である。パ
ッケージ１２内の底面上に半導体レーザモジュール主要
部１０が配置されている。半導体レーザモジュール主要
部１０は、不活性ガス、例えば窒素ガスが封入された状
態でパッケージ１２内に封止されている。ハウジング１
２は、レーザモジュール主要部１０を収納している本体
部１２ａ、光ファイバ１４をレーザモジュール主要部１
０に導く筒状部１２ｂ、および複数のリードピン１２ｃ
を備える。
【００２２】レーザモジュール主要部１０は、半導体発
光素子１６と、スイッチ素子２２といったスイッチ手段
と、搭載部材２４、２６、２８と、レンズ（図２の３２
ａ）を保持するレンズ保持部材３２とを有する。本実施
の形態では、スイッチ素子２２は、ハウジング１２に付
随して配置されているけれども、スイッチ手段は、ハウ
ジング１２から離れて設けられていてもよい。
光素子１６と、スイッチ素子２２といったスイッチ手段
と、搭載部材２４、２６、２８と、レンズ（図２の３２
ａ）を保持するレンズ保持部材３２とを有する。本実施
の形態では、スイッチ素子２２は、ハウジング１２に付
随して配置されているけれども、スイッチ手段は、ハウ
ジング１２から離れて設けられていてもよい。
【００２３】搭載部材２４、２６、２８は、半導体発光
素子１６、半導体受光デバイス２０(２０ａ、２０ｂ)、
エタロン１８、レンズ２１といった光導波手段と、信号
処理素子部２２を搭載する。また、レーザモジュール主
要部１０では、搭載部材２４は、熱電子冷却器（熱電子
冷却器）３４の上に配置されている。熱電子冷却器３４
は、受けた電流に応じて熱エネルギを取り出すことがで
き、これによって、半導体レーザ素子(半導体レーザと
記す)１６の温度を制御することができる。熱電子冷却
器３４としては、例えば、ペルチェ効果を利用した温度
制御素子が実用化されている。搭載部材２４上には、半
導体レーザ１６が配置されているので、熱電子冷却器３
４は、半導体レーザ１６の温度を制御するための温度変
更手段として機能する。このため、搭載部材２４、２６
の材料は、チップキャリアに利用されている窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）等の熱良導体が好ましい。
素子１６、半導体受光デバイス２０(２０ａ、２０ｂ)、
エタロン１８、レンズ２１といった光導波手段と、信号
処理素子部２２を搭載する。また、レーザモジュール主
要部１０では、搭載部材２４は、熱電子冷却器（熱電子
冷却器）３４の上に配置されている。熱電子冷却器３４
は、受けた電流に応じて熱エネルギを取り出すことがで
き、これによって、半導体レーザ素子(半導体レーザと
記す)１６の温度を制御することができる。熱電子冷却
器３４としては、例えば、ペルチェ効果を利用した温度
制御素子が実用化されている。搭載部材２４上には、半
導体レーザ１６が配置されているので、熱電子冷却器３
４は、半導体レーザ１６の温度を制御するための温度変
更手段として機能する。このため、搭載部材２４、２６
の材料は、チップキャリアに利用されている窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）等の熱良導体が好ましい。
【００２４】パッケージ本体部１２ａの内壁には、筒状
部１２ｂに通じる部分に、ハーメチックガラス３６で封
止された光学的な窓が設けられている。パッケージ１２
の筒状部１２ｂは、本体部１２ａに通じる貫通孔を有す
る。この貫通孔には、半導体レーザ１６から光ファイバ
１４の端部（図示せず）へ向かって伝搬する光が通過す
る。筒状部１２ｂの先端部分には、レンズ（図２の３８
ａ）を保持するレンズ保持部材３８が設けられている。
レンズ保持部材３８と筒状部１２ｂとの間には、光アイ
ソレータ４０を設けることができる。光アイソレータ４
０は、光ファイバ１４からの逆方向の光を遮断する。
部１２ｂに通じる部分に、ハーメチックガラス３６で封
止された光学的な窓が設けられている。パッケージ１２
の筒状部１２ｂは、本体部１２ａに通じる貫通孔を有す
る。この貫通孔には、半導体レーザ１６から光ファイバ
１４の端部（図示せず）へ向かって伝搬する光が通過す
る。筒状部１２ｂの先端部分には、レンズ（図２の３８
ａ）を保持するレンズ保持部材３８が設けられている。
レンズ保持部材３８と筒状部１２ｂとの間には、光アイ
ソレータ４０を設けることができる。光アイソレータ４
０は、光ファイバ１４からの逆方向の光を遮断する。
【００２５】筒状部１２ｂの先端部分からは光ファイバ
１４が導入される。光ファイバ１４は、フェルール４２
によって先端部分が覆われ保護されている。レンズ保持
部３８は、スリーブ４４を保持している。フェルール４
２は、スリーブ４４に挿入されると、パッケージ１２に
対して光学的に位置決めされる。光ファイバ１４、レン
ズ保持部材４０のレンズ及びレーザモジュール主要部１
０が位置合わせされる。
１４が導入される。光ファイバ１４は、フェルール４２
によって先端部分が覆われ保護されている。レンズ保持
部３８は、スリーブ４４を保持している。フェルール４
２は、スリーブ４４に挿入されると、パッケージ１２に
対して光学的に位置決めされる。光ファイバ１４、レン
ズ保持部材４０のレンズ及びレーザモジュール主要部１
０が位置合わせされる。
【００２６】図２を参照すると、レーザモジュール主要
部１０では、搭載部材２４は、素子搭載部２４ａおよび
レンズ支持部２４ｂを含む。レンズ保持部２４ａは、素
子搭載部２４ｂの一主面上に設けられる。レンズ支持部
２４ａは、レンズ保持部材３２を受け入れるためのガイ
ド孔を有する。ガイド孔には、レンズ保持部材３２が挿
入され、レンズ保持部材３２は素子搭載部２４ｂに搭載
される半導体レーザ１６からの光を集光するためのレン
ズ３２ａを保持する。ガイド孔内におけるレンズ保持部
材３２の位置を移動させることによって、半導体レーザ
１６とレンズ３２ａとの距離を調整することができる。
部１０では、搭載部材２４は、素子搭載部２４ａおよび
レンズ支持部２４ｂを含む。レンズ保持部２４ａは、素
子搭載部２４ｂの一主面上に設けられる。レンズ支持部
２４ａは、レンズ保持部材３２を受け入れるためのガイ
ド孔を有する。ガイド孔には、レンズ保持部材３２が挿
入され、レンズ保持部材３２は素子搭載部２４ｂに搭載
される半導体レーザ１６からの光を集光するためのレン
ズ３２ａを保持する。ガイド孔内におけるレンズ保持部
材３２の位置を移動させることによって、半導体レーザ
１６とレンズ３２ａとの距離を調整することができる。
【００２７】半導体レーザ１６といった半導体発光素子
は、一対の端面１６ｂ及び１６ａ並びにこの一対の端面
１６ｂ及び１６ａの間に設けられた活性層(発光層)を有
する。
は、一対の端面１６ｂ及び１６ａ並びにこの一対の端面
１６ｂ及び１６ａの間に設けられた活性層(発光層)を有
する。
【００２８】半導体レーザ１６は、搭載部材２６上に搭
載されている。一対の端面１６ａ、１６ｂは、光共振器
を構成する。一方の端面を光出射面１６ａと呼び、他方
の端面を光反射面１６ｂと呼ぶ。光出射面１６ａの光反
射率は光反射面１６ｂの光反射率より低いので、光出射
面１６ａからレーザ発振光を取り出すことができる。光
出射面１６ａは、レンズ３２ａ、３８ａを介して光ファ
イバ１４と光学的に結合している。半導体レーザ１６と
しては、例えば分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザを用
いることができ、またＤＦＢレーザに限られるものでは
なく、ファブリペロー型半導体レーザにも同様に適用で
きる。半導体レーザチップの光出射面１６ａには、反射
率を下げるための低反射コート膜を施し、光反射面１６
ｂには、光反射率を上げるための光反射コート膜を施す
ことが好ましい。ＳｉＮ、ａ−Ｓｉ等の多層膜の膜厚を
調整することによって低反射コート膜および光反射コー
ト膜を得ることができる。
載されている。一対の端面１６ａ、１６ｂは、光共振器
を構成する。一方の端面を光出射面１６ａと呼び、他方
の端面を光反射面１６ｂと呼ぶ。光出射面１６ａの光反
射率は光反射面１６ｂの光反射率より低いので、光出射
面１６ａからレーザ発振光を取り出すことができる。光
出射面１６ａは、レンズ３２ａ、３８ａを介して光ファ
イバ１４と光学的に結合している。半導体レーザ１６と
しては、例えば分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザを用
いることができ、またＤＦＢレーザに限られるものでは
なく、ファブリペロー型半導体レーザにも同様に適用で
きる。半導体レーザチップの光出射面１６ａには、反射
率を下げるための低反射コート膜を施し、光反射面１６
ｂには、光反射率を上げるための光反射コート膜を施す
ことが好ましい。ＳｉＮ、ａ−Ｓｉ等の多層膜の膜厚を
調整することによって低反射コート膜および光反射コー
ト膜を得ることができる。
【００２９】図２を参照すると、レーザモジュール主要
部１０ａでは、半導体レーザ１６、レンズ１７、エタロ
ン１８及び受光デバイス２０が搭載部材２４の主面２４
ａ上に所定の軸方向に沿って配置されている。この配置
により、これらの光学部品の光学的結合が達成される。
レンズ１７は、主面２４ｃの対面する設置面１７ａと、
コリメート機能を備えるように設けられた側面１７ｂと
を有する。側面１７ｂは、曲面であり、ボールレンズの
面形状を有する。本実施例では、レンズ１７の高さがエ
タロン１８からに反射光が半導体レーザ１６に戻ること
を低減するように決定され、頭頂部に上面１７ｃが設け
られている。設置面１７ａおよび上面１７ｃは、共通の
基準面に沿って伸びている。レンズ１７が設置面１７ａ
を備えるので、レンズホルダを介することなく搭載部材
２４上に直接に実装できる。上面１７ｃが設けられてい
るので、当該モジュールの高さを小さくできる。故に、
当該モジュールを小型化できる。また、エタロン等から
の反射光が半導体レーザ１６に戻ることを低減できる。
この形態では、レンズ１７は、エタロン１８からに反射
光が半導体レーザ１６に戻ることを防止するための手段
を有する。
部１０ａでは、半導体レーザ１６、レンズ１７、エタロ
ン１８及び受光デバイス２０が搭載部材２４の主面２４
ａ上に所定の軸方向に沿って配置されている。この配置
により、これらの光学部品の光学的結合が達成される。
レンズ１７は、主面２４ｃの対面する設置面１７ａと、
コリメート機能を備えるように設けられた側面１７ｂと
を有する。側面１７ｂは、曲面であり、ボールレンズの
面形状を有する。本実施例では、レンズ１７の高さがエ
タロン１８からに反射光が半導体レーザ１６に戻ること
を低減するように決定され、頭頂部に上面１７ｃが設け
られている。設置面１７ａおよび上面１７ｃは、共通の
基準面に沿って伸びている。レンズ１７が設置面１７ａ
を備えるので、レンズホルダを介することなく搭載部材
２４上に直接に実装できる。上面１７ｃが設けられてい
るので、当該モジュールの高さを小さくできる。故に、
当該モジュールを小型化できる。また、エタロン等から
の反射光が半導体レーザ１６に戻ることを低減できる。
この形態では、レンズ１７は、エタロン１８からに反射
光が半導体レーザ１６に戻ることを防止するための手段
を有する。
【００３０】エタロン１８は、搭載部材２４上に搭載さ
れている。エタロン１８は、その入射面において、半導
体レーザ１６の光反射面１６ｂと光学的に結合してい
る。このために、エタロン１８の入射面は、半導体レー
ザ１６の光反射面１６ｂと対面している。エタロン１８
は、その出射面１８ｂにおいて、第１および第２の光検
出器２０ａ、２０ｂを含む受光デバイス２０を含む光電
変換手段に光学的に結合されている。このために、光出
射面１８ｂは、第１および第２の検出器２０ａ、２０ｂ
と対面している。
れている。エタロン１８は、その入射面において、半導
体レーザ１６の光反射面１６ｂと光学的に結合してい
る。このために、エタロン１８の入射面は、半導体レー
ザ１６の光反射面１６ｂと対面している。エタロン１８
は、その出射面１８ｂにおいて、第１および第２の光検
出器２０ａ、２０ｂを含む受光デバイス２０を含む光電
変換手段に光学的に結合されている。このために、光出
射面１８ｂは、第１および第２の検出器２０ａ、２０ｂ
と対面している。
【００３１】スイッチ素子２２は、第１および第２の検
出器２０ａ、２０ｂとリード端子１２ｃとの間に接続さ
れており、第１および第２の検出器２０ａ、２０ｂから
の信号を受けていずれか一方をリード端子１２ｃに出力
する。
出器２０ａ、２０ｂとリード端子１２ｃとの間に接続さ
れており、第１および第２の検出器２０ａ、２０ｂから
の信号を受けていずれか一方をリード端子１２ｃに出力
する。
【００３２】次に、エタロンについて説明する。図３
は、本実施の形態に適用可能なエタロン１８を示す。エ
タロン１８は、図３に示される矢印Ｘの方向(傾斜方向)
に微小な角度αを成して相対的に傾斜している一対の面
を有する。ここで角度αは、エタロン１８に入射した光
が受光面１８ａと透過面１８ｂとの間で多重干渉が生じ
る範囲に設定される。具体的には、角度αは０．０１°
以上０．１°以下であることが好適である。以下の実施
例では、この一対の面の一方を受光面とよび、他方を透
過面とよぶ。エタロン１８は、特にくさび型エタロンと
称される。くさび型エタロンを用いると、半導体レーザ
１６が発生する光の波長をロックできる。ロック波長の
調整は、傾斜方向に沿う方向にくさび型エタロンを移動
することにより決定できる。この調整に関する点で、く
さび型エタロンは、平行エタロンよりも利用しやすく、
また、スペース的にも調整領域が小さいだけ有利であ
る。
は、本実施の形態に適用可能なエタロン１８を示す。エ
タロン１８は、図３に示される矢印Ｘの方向(傾斜方向)
に微小な角度αを成して相対的に傾斜している一対の面
を有する。ここで角度αは、エタロン１８に入射した光
が受光面１８ａと透過面１８ｂとの間で多重干渉が生じ
る範囲に設定される。具体的には、角度αは０．０１°
以上０．１°以下であることが好適である。以下の実施
例では、この一対の面の一方を受光面とよび、他方を透
過面とよぶ。エタロン１８は、特にくさび型エタロンと
称される。くさび型エタロンを用いると、半導体レーザ
１６が発生する光の波長をロックできる。ロック波長の
調整は、傾斜方向に沿う方向にくさび型エタロンを移動
することにより決定できる。この調整に関する点で、く
さび型エタロンは、平行エタロンよりも利用しやすく、
また、スペース的にも調整領域が小さいだけ有利であ
る。
【００３３】エタロン１８は、受光面１８ａ及び透過面
１８ｂを有する。エタロン１８は、受光面１８ａ上に設
けられた反射膜１８ｃと、透過面１８ｂに設けられた反
射膜１８ｄとを有している。この反射膜１８ｃ、１８ｄ
により受光面１８ａ及び透過面１８ｂにおける反射率が
調整される。透過光には、エタロン１８の光学特性が反
映されるので、エタロン１８上のＸ方向の通過位置に応
じた波長依存性が現れる。反射膜および反射防止膜は、
多層膜によって形成される。
１８ｂを有する。エタロン１８は、受光面１８ａ上に設
けられた反射膜１８ｃと、透過面１８ｂに設けられた反
射膜１８ｄとを有している。この反射膜１８ｃ、１８ｄ
により受光面１８ａ及び透過面１８ｂにおける反射率が
調整される。透過光には、エタロン１８の光学特性が反
映されるので、エタロン１８上のＸ方向の通過位置に応
じた波長依存性が現れる。反射膜および反射防止膜は、
多層膜によって形成される。
【００３４】図４(ａ)は、半導体レーザモジュール１と
波長安定化回路５０とを含む光源装置を示している。受
光デバイス２０内の光検出器２０ａ、２０ｂは、それぞ
れ、Ｘ軸に関して座標Ｘ１および座標Ｘ２(＝Ｘ１＋△
Ｘ)の位置に配置されている。波長安定化回路５０は、
信号線５２ａを介して光検出器２０ａおよび光検出器２
０ｂのいずれか一方からの信号２２ａを受ける。信号の
選択は、スイッチ素子２２を用いて行われる。波長安定
化回路５０は、半導体レーザ１６の温度を調整するため
の信号５０ａを発生する。半導体レーザモジュール１の
熱電子冷却器３４は、信号線５２ｂを介して波長安定化
回路５０からの信号５０ａを受ける。熱電子冷却器３４
は、信号５０ａに応答して半導体レーザ１６の温度を変
更する。
波長安定化回路５０とを含む光源装置を示している。受
光デバイス２０内の光検出器２０ａ、２０ｂは、それぞ
れ、Ｘ軸に関して座標Ｘ１および座標Ｘ２(＝Ｘ１＋△
Ｘ)の位置に配置されている。波長安定化回路５０は、
信号線５２ａを介して光検出器２０ａおよび光検出器２
０ｂのいずれか一方からの信号２２ａを受ける。信号の
選択は、スイッチ素子２２を用いて行われる。波長安定
化回路５０は、半導体レーザ１６の温度を調整するため
の信号５０ａを発生する。半導体レーザモジュール１の
熱電子冷却器３４は、信号線５２ｂを介して波長安定化
回路５０からの信号５０ａを受ける。熱電子冷却器３４
は、信号５０ａに応答して半導体レーザ１６の温度を変
更する。
【００３５】詳細に説明すると、半導体レーザモジュー
ル１と波長安定化装置５０とにおいてロック波長λLOCK
が設定される。半導体レーザ１６の発振波長がロック波
長λ LOCKから変動する。この変動に応答して光検出器２
０の光電流が変化する。電流変化に応答して、波長制御
回路５０は、この変化を打ち消す方向に半導体レーザ１
６の温度が変化するように、熱電子冷却器３４の温度を
変更するための電気信号を生成する。図４(ａ)に示され
た矢印は、光ビームを示している。
ル１と波長安定化装置５０とにおいてロック波長λLOCK
が設定される。半導体レーザ１６の発振波長がロック波
長λ LOCKから変動する。この変動に応答して光検出器２
０の光電流が変化する。電流変化に応答して、波長制御
回路５０は、この変化を打ち消す方向に半導体レーザ１
６の温度が変化するように、熱電子冷却器３４の温度を
変更するための電気信号を生成する。図４(ａ)に示され
た矢印は、光ビームを示している。
【００３６】図４(ｂ)は、温度Ｔ１に保たれた半導体レ
ーザ１６によって発生されている光の一波長成分λ1の
光５１をエタロン１８に照射したときに、エタロン１８
を透過する光の強度分布を示すグラフである。温度Ｔ１
において、光検出器２０ａの出力値Ｉ１であるとき、光
検出器２０ｂの出力値Ｉ２(＝Ｉ１−△Ｉ)である。
ーザ１６によって発生されている光の一波長成分λ1の
光５１をエタロン１８に照射したときに、エタロン１８
を透過する光の強度分布を示すグラフである。温度Ｔ１
において、光検出器２０ａの出力値Ｉ１であるとき、光
検出器２０ｂの出力値Ｉ２(＝Ｉ１−△Ｉ)である。
【００３７】図４(ｃ)は、光検出器２０ａ、２０ｂに入
射する光の波長を変化させたとき、光検出器２０ａ、２
０ｂの各々が発生する出力信号を示している。すでに説
明したように、光検出器２０ａ、２０ｂは、座標Ｘ１お
よびＸ２にそれぞれ配置されている。図４(ｃ)におい
て、特性曲線Ｗ１は光検出器２０ａからに信号を示して
おり、特性曲線Ｗ２は光検出器２０ｂからに信号を示し
ている。この図面から理解されるように、特性曲線Ｗ１
および特性曲線Ｗ２との違いは、位相差△λによって特
徴づけられる。光検出器２０ａの特性が光検出器２０ｂ
の特性と実質的に同じ場合には、特性曲線Ｗ１は、位相
差△λを除いて特性曲線Ｗ２と同じである。特性曲線の
周期性はエタロンによって規定され、特性曲線の位相
は、エタロンに対する光検出器の位置によって規定さ
れ、特性曲線の振幅は、光検出器が提供する信号の強度
によって規定される。
射する光の波長を変化させたとき、光検出器２０ａ、２
０ｂの各々が発生する出力信号を示している。すでに説
明したように、光検出器２０ａ、２０ｂは、座標Ｘ１お
よびＸ２にそれぞれ配置されている。図４(ｃ)におい
て、特性曲線Ｗ１は光検出器２０ａからに信号を示して
おり、特性曲線Ｗ２は光検出器２０ｂからに信号を示し
ている。この図面から理解されるように、特性曲線Ｗ１
および特性曲線Ｗ２との違いは、位相差△λによって特
徴づけられる。光検出器２０ａの特性が光検出器２０ｂ
の特性と実質的に同じ場合には、特性曲線Ｗ１は、位相
差△λを除いて特性曲線Ｗ２と同じである。特性曲線の
周期性はエタロンによって規定され、特性曲線の位相
は、エタロンに対する光検出器の位置によって規定さ
れ、特性曲線の振幅は、光検出器が提供する信号の強度
によって規定される。
【００３８】半導体レーザモジュール１は、光検出器２
０ａおよび光検出器２０ｂからの信号をスイッチ素子２
２を用いて切り替えることによって、波長ロックが可能
な波長範囲を拡大できる。例えば、特性曲線Ｗ１の極大
値および極小値の付近は、ロック波長を配置できない領
域である。しかしながら、この領域には、特性曲線Ｗ２
を用いて波長ロックが可能になる。半導体レーザ１６の
発振波長をロック波長に維持するために、熱電子冷却器
３４は、半導体レーザ１６の温度を調整する。
０ａおよび光検出器２０ｂからの信号をスイッチ素子２
２を用いて切り替えることによって、波長ロックが可能
な波長範囲を拡大できる。例えば、特性曲線Ｗ１の極大
値および極小値の付近は、ロック波長を配置できない領
域である。しかしながら、この領域には、特性曲線Ｗ２
を用いて波長ロックが可能になる。半導体レーザ１６の
発振波長をロック波長に維持するために、熱電子冷却器
３４は、半導体レーザ１６の温度を調整する。
【００３９】(第２の実施の形態)図５(ａ)は、ＷＤＭ伝
送システムに好適な半導体レーザモジュールを示してい
る。第１の光検出器２１ａは、エタロン１８の第１の部
分からの光を受光可能な位置に配置され、第２の光検出
器２１ｂは、エタロン１８の第２の部分からの光を受光
可能な位置に配置されている。熱電子冷却器３４は、半
導体発光素子１６と熱的に結合されている。第１の波長
λ1と第２の波長λ2との間隔は、(エタロンの第１の部
分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／(ｎ＋
１)で規定される分数で決定されている(ｎはそれぞれ自
然数である)。
送システムに好適な半導体レーザモジュールを示してい
る。第１の光検出器２１ａは、エタロン１８の第１の部
分からの光を受光可能な位置に配置され、第２の光検出
器２１ｂは、エタロン１８の第２の部分からの光を受光
可能な位置に配置されている。熱電子冷却器３４は、半
導体発光素子１６と熱的に結合されている。第１の波長
λ1と第２の波長λ2との間隔は、(エタロンの第１の部
分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／(ｎ＋
１)で規定される分数で決定されている(ｎはそれぞれ自
然数である)。
【００４０】図５(ａ)に示された半導体レーザモジュー
ルをＷＤＭ伝送システムに利用するために、光検出器２
１ａ、２１ｂの間隔は、光ビームＢ３を光検出器２１ａ
が受けると共に光ビームＢ４を第２の光検出器２１ｂが
受けるように規定されている。光ビームＢ１は、エタロ
ン１８の第１の部分に入射して、光ビームＢ３になる。
光ビームＢ３は、エタロン１８の第１の部分と関連づけ
られた第１の波長λ1含む。光ビームＢ２は、エタロン
１８の第２の部分に入射して、光ビームＢ４になる。光
ビームＢ４は、エタロン１８の第１の部分と関連づけら
れた第２の波長λ2含む。
ルをＷＤＭ伝送システムに利用するために、光検出器２
１ａ、２１ｂの間隔は、光ビームＢ３を光検出器２１ａ
が受けると共に光ビームＢ４を第２の光検出器２１ｂが
受けるように規定されている。光ビームＢ１は、エタロ
ン１８の第１の部分に入射して、光ビームＢ３になる。
光ビームＢ３は、エタロン１８の第１の部分と関連づけ
られた第１の波長λ1含む。光ビームＢ２は、エタロン
１８の第２の部分に入射して、光ビームＢ４になる。光
ビームＢ４は、エタロン１８の第１の部分と関連づけら
れた第２の波長λ2含む。
【００４１】また、第１の波長λ1と第２の波長λ2との
間隔は、(エタロンの第１の部分における光透過特性の
隣接ピーク間の間隔)／(ｎ＋１)で規定できる(ｎはそれ
ぞれ自然数である)ので、この間隔がＷＤＭ波長グリッ
ドの間隔になるように、光検出器２１ａ、２１ｂの間隔
が決定される。
間隔は、(エタロンの第１の部分における光透過特性の
隣接ピーク間の間隔)／(ｎ＋１)で規定できる(ｎはそれ
ぞれ自然数である)ので、この間隔がＷＤＭ波長グリッ
ドの間隔になるように、光検出器２１ａ、２１ｂの間隔
が決定される。
【００４２】図５(ｂ)は、第１の波長λ1と第２の波長
λ2との間隔は、(エタロンの第１の部分における光透過
特性の隣接ピーク間の間隔)／２で規定される特性を示
している。波長λ(ｎ)は波長λ(ｎ＋２)と隣接ピーク間
隔で離れており、波長λ(ｎ＋１)は波長λ(ｎ＋３)と隣
接ピーク間隔で離れている。しかしながら、隣接する波
長λ(ｎ)と波長λ(ｎ＋１)との間隔は、(エタロンの所
定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／
２である。故に、所定の間隔で配置された２個の光検出
器を用いると、ロック波長の間隔が(エタロンの所定の
部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)から(エ
タロンの所定の部分における光透過特性の隣接ピーク間
の間隔)／２に縮小された。光検出器２０ａ、２０ｂの
各々は、波長グリッドを提供しており、それぞれのグリ
ッド内の点は交互に配置される。これは、ＷＤＭ波長間
隔が、同じエタロンを用いても従来の間隔の半分にでき
ることを意味する。また、このＷＤＭ波長間隔は、複数
の光検出器の間隔で決定されるので、非常に単純な構成
により実現されている。
λ2との間隔は、(エタロンの第１の部分における光透過
特性の隣接ピーク間の間隔)／２で規定される特性を示
している。波長λ(ｎ)は波長λ(ｎ＋２)と隣接ピーク間
隔で離れており、波長λ(ｎ＋１)は波長λ(ｎ＋３)と隣
接ピーク間隔で離れている。しかしながら、隣接する波
長λ(ｎ)と波長λ(ｎ＋１)との間隔は、(エタロンの所
定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／
２である。故に、所定の間隔で配置された２個の光検出
器を用いると、ロック波長の間隔が(エタロンの所定の
部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)から(エ
タロンの所定の部分における光透過特性の隣接ピーク間
の間隔)／２に縮小された。光検出器２０ａ、２０ｂの
各々は、波長グリッドを提供しており、それぞれのグリ
ッド内の点は交互に配置される。これは、ＷＤＭ波長間
隔が、同じエタロンを用いても従来の間隔の半分にでき
ることを意味する。また、このＷＤＭ波長間隔は、複数
の光検出器の間隔で決定されるので、非常に単純な構成
により実現されている。
【００４３】また、図５(ｂ)を参照すると、領域Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が、(エタロンの所定の部分における
光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／２の間隔で配列さ
れている。これらの領域は、図４(ａ)に示されるフィー
ドバック系において波長ロックが可能なキャプチャレン
ジを示している。隣接するキャプチャレンジが、(エタ
ロンの所定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の
間隔)／２で差が規定される二波長λ(ｎ)およびλ(ｎ＋
１)をそれぞれ含むように、光検出器２１ａ。２１ｂが
配置されている。図５(ｂ)に示されたキャプチャレンジ
各々において、特性曲線は負の傾きを有する。本実施の
形態では、ＷＤＭ波長間隔が半分になったにもかかわら
ず、各キャプチャレンジがおいて実質的に同一の傾きを
有するので、図４(ａ)に示されたフィードバック系によ
り同様に処理可能である。
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が、(エタロンの所定の部分における
光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／２の間隔で配列さ
れている。これらの領域は、図４(ａ)に示されるフィー
ドバック系において波長ロックが可能なキャプチャレン
ジを示している。隣接するキャプチャレンジが、(エタ
ロンの所定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の
間隔)／２で差が規定される二波長λ(ｎ)およびλ(ｎ＋
１)をそれぞれ含むように、光検出器２１ａ。２１ｂが
配置されている。図５(ｂ)に示されたキャプチャレンジ
各々において、特性曲線は負の傾きを有する。本実施の
形態では、ＷＤＭ波長間隔が半分になったにもかかわら
ず、各キャプチャレンジがおいて実質的に同一の傾きを
有するので、図４(ａ)に示されたフィードバック系によ
り同様に処理可能である。
【００４４】(第３の実施の形態)図６は、ＷＤＭ伝送シ
ステムに好適な半導体レーザモジュールのための特性曲
線を示している。この半導体レーザモジュールは、３個
の光検出器を備えている。これらの光検出器の間隔は、
第１の光検出器が第１の波長λ1を含む光ビームを受け
ており、第２の光検出器が第２の波長λ2を含む光ビー
ムを受けており、第３の光検出器が第３の波長λ3を含
む光ビームを受けておりるように規定されている。第１
の波長λ1と第２の波長λ2との間隔及び第２の波長λ2
と第３の波長λ3との間隔は、それぞれ、(エタロンの所
定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／
３で規定される分数で決定されている。
ステムに好適な半導体レーザモジュールのための特性曲
線を示している。この半導体レーザモジュールは、３個
の光検出器を備えている。これらの光検出器の間隔は、
第１の光検出器が第１の波長λ1を含む光ビームを受け
ており、第２の光検出器が第２の波長λ2を含む光ビー
ムを受けており、第３の光検出器が第３の波長λ3を含
む光ビームを受けておりるように規定されている。第１
の波長λ1と第２の波長λ2との間隔及び第２の波長λ2
と第３の波長λ3との間隔は、それぞれ、(エタロンの所
定の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／
３で規定される分数で決定されている。
【００４５】図６を参照すると、特性曲線Ｗ３、Ｗ４、
Ｗ５を示している。これら特性曲線のうちの１つの特性
曲線の位相は、他の特性曲線の位相と(エタロンの所定
の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／３
だけ異なっている。特性曲線Ｗ３は、波長λ(ｎ)及び波
長λ(ｎ＋３)のロック波長を規定しており、特性曲線Ｗ
４は、波長λ(ｎ＋１)及び波長λ(ｎ＋４)のロック波長
を規定しており、特性曲線Ｗ５は、波長λ(ｎ＋２)およ
び波長λ(ｎ＋５)のロック波長を規定している。
Ｗ５を示している。これら特性曲線のうちの１つの特性
曲線の位相は、他の特性曲線の位相と(エタロンの所定
の部分における光透過特性の隣接ピーク間の間隔)／３
だけ異なっている。特性曲線Ｗ３は、波長λ(ｎ)及び波
長λ(ｎ＋３)のロック波長を規定しており、特性曲線Ｗ
４は、波長λ(ｎ＋１)及び波長λ(ｎ＋４)のロック波長
を規定しており、特性曲線Ｗ５は、波長λ(ｎ＋２)およ
び波長λ(ｎ＋５)のロック波長を規定している。
【００４６】図７は、二種類の特性曲線Ｗ６、Ｗ７を示
している。特性曲線Ｗ６には、エタロン１８の光学特性
が反映されている。特性曲線Ｗ７には、仮想的な別のエ
タロの光学特性が反映されている。この別のエタロン
は、エタロン１８のスペクトル周期Ｓ１の半分であるス
ペクトル周期Ｓ２を有する。図７には、エタロン１８に
より提供されるキャプチャレンジＲ５と、別のエタロン
により提供されるキャプチャレンジＲ６とが示されてい
る。キャプチャレンジＲ５は、キャプチャレンジＲ６よ
り広い。故に、本実施の形態によれば、エタロンを変更
することによりロック波長間隔を縮小するよりも、キャ
プチャレンジが広くなる。
している。特性曲線Ｗ６には、エタロン１８の光学特性
が反映されている。特性曲線Ｗ７には、仮想的な別のエ
タロの光学特性が反映されている。この別のエタロン
は、エタロン１８のスペクトル周期Ｓ１の半分であるス
ペクトル周期Ｓ２を有する。図７には、エタロン１８に
より提供されるキャプチャレンジＲ５と、別のエタロン
により提供されるキャプチャレンジＲ６とが示されてい
る。キャプチャレンジＲ５は、キャプチャレンジＲ６よ
り広い。故に、本実施の形態によれば、エタロンを変更
することによりロック波長間隔を縮小するよりも、キャ
プチャレンジが広くなる。
【００４７】(第４の実施の形態)引き続いて、これまで
説明してきた半導体レーザモジュールにパワーモニタ機
能を追加する形態を記述する。
説明してきた半導体レーザモジュールにパワーモニタ機
能を追加する形態を記述する。
【００４８】図８は、受光デバイス２０の一形態を示し
ている。この実施の形態では、受光デバイス２０は、光
検出器２０ａ、光検出器２０ｂ、および光検出器２０ｃ
を含む半導体チップである。光検出器２０ａおよび光検
出器２０ｂは、上記の実施の形態において説明したよう
に、波長検出のために利用されている。光検出器２０ａ
および光検出器２０ｂの形状は、エタロン１８の傾斜方
向を示すＸ軸方向に幅Ｈ１とＺ軸方向の幅Ｈ２とにより
規定される。幅Ｈ２は、幅Ｈ１より大きい。この形状
は、光検出器２０ａおよび光検出器２０ｂが受ける光の
単色性を良くするために好適である。光検出器２０ｃ
は、パワー検出のために利用されている。光検出器２０
ｃの形状は、エタロン１８の傾斜方向を示すＸ軸方向に
幅Ｈ３とＺ軸方向の幅Ｈ４とにより規定される。幅Ｈ３
は、幅Ｈ４より大きい。この形状は、エタロン透過光の
波長依存性を平均化できる。故に、エタロンの波長依存
性を低減できるので、パワーモニタとして好適である。
ている。この実施の形態では、受光デバイス２０は、光
検出器２０ａ、光検出器２０ｂ、および光検出器２０ｃ
を含む半導体チップである。光検出器２０ａおよび光検
出器２０ｂは、上記の実施の形態において説明したよう
に、波長検出のために利用されている。光検出器２０ａ
および光検出器２０ｂの形状は、エタロン１８の傾斜方
向を示すＸ軸方向に幅Ｈ１とＺ軸方向の幅Ｈ２とにより
規定される。幅Ｈ２は、幅Ｈ１より大きい。この形状
は、光検出器２０ａおよび光検出器２０ｂが受ける光の
単色性を良くするために好適である。光検出器２０ｃ
は、パワー検出のために利用されている。光検出器２０
ｃの形状は、エタロン１８の傾斜方向を示すＸ軸方向に
幅Ｈ３とＺ軸方向の幅Ｈ４とにより規定される。幅Ｈ３
は、幅Ｈ４より大きい。この形状は、エタロン透過光の
波長依存性を平均化できる。故に、エタロンの波長依存
性を低減できるので、パワーモニタとして好適である。
【００４９】図９は、半導体レーザモジュールの一実施
形態を示すブロック図である。図１に示された半導体レ
ーザモジュールと比較すると、レンズ１７とウエッジエ
タロン１８との間には、これらと光学的に結合されるよ
うに、光分岐デバイス５４が配置されている。光分岐デ
バイス５４としては、光ビームスプリッタが例示され
る。この半導体レーザモジュールは、光分岐デバイス５
４と光学的に結合された光検出器５６を含む。光検出器
５６は、搭載部材５８に配置されている。
形態を示すブロック図である。図１に示された半導体レ
ーザモジュールと比較すると、レンズ１７とウエッジエ
タロン１８との間には、これらと光学的に結合されるよ
うに、光分岐デバイス５４が配置されている。光分岐デ
バイス５４としては、光ビームスプリッタが例示され
る。この半導体レーザモジュールは、光分岐デバイス５
４と光学的に結合された光検出器５６を含む。光検出器
５６は、搭載部材５８に配置されている。
【００５０】図９に示された半導体レーザモジュールに
おいては、光Ｃ１は半導体レーザ１６の一端面から放出
され、光Ｃ２は半導体レーザ１６の他端面から放出され
てレンズ１７に入射する。レンズ１７は、光Ｃ２からコ
リメート光Ｃ３を生成する。コリメート光Ｃ３は光分岐
デバイス５４に入射する。光分岐デバイス５４は、コリ
メート光Ｃ３から分岐光Ｃ４、Ｃ５を生成する。エタロ
ン１８は分岐光Ｃ４を受けて透過光Ｃ６、Ｃ７を生成す
る。透過光Ｃ６は光検出器２０ａに入射する。透過光Ｃ
７は光検出器２０ｂに入射する。分岐光Ｃ５は、パワー
モニタ用の光検出器５６に入射する。光検出器５６は、
この光の強度に応じた電気信号５６ａを発生する。光検
出器５６はパワー制御回路(ＡＰＣ)６０に信号線６２ａ
を介して接続されているので、電気信号５６ａは、パワ
ー制御回路６０に提供される。パワー制御回路６０は、
入力信号６４および電気信号５６ａに応答を示して半導
体レーザ用の駆動信号を発生する。パワー制御回路６０
は、信号線６２ｂを介して半導体レーザ１６に接続され
ている。半導体レーザ１６は、パワー調整された駆動信
号により駆動される。
おいては、光Ｃ１は半導体レーザ１６の一端面から放出
され、光Ｃ２は半導体レーザ１６の他端面から放出され
てレンズ１７に入射する。レンズ１７は、光Ｃ２からコ
リメート光Ｃ３を生成する。コリメート光Ｃ３は光分岐
デバイス５４に入射する。光分岐デバイス５４は、コリ
メート光Ｃ３から分岐光Ｃ４、Ｃ５を生成する。エタロ
ン１８は分岐光Ｃ４を受けて透過光Ｃ６、Ｃ７を生成す
る。透過光Ｃ６は光検出器２０ａに入射する。透過光Ｃ
７は光検出器２０ｂに入射する。分岐光Ｃ５は、パワー
モニタ用の光検出器５６に入射する。光検出器５６は、
この光の強度に応じた電気信号５６ａを発生する。光検
出器５６はパワー制御回路(ＡＰＣ)６０に信号線６２ａ
を介して接続されているので、電気信号５６ａは、パワ
ー制御回路６０に提供される。パワー制御回路６０は、
入力信号６４および電気信号５６ａに応答を示して半導
体レーザ用の駆動信号を発生する。パワー制御回路６０
は、信号線６２ｂを介して半導体レーザ１６に接続され
ている。半導体レーザ１６は、パワー調整された駆動信
号により駆動される。
【００５１】図１０は、半導体レーザモジュールの一実
施形態を示すブロック図である。図１に示された半導体
レーザモジュールと比較すると、搭載部材２８に光検出
器５６が配置されている。光検出器５６は、レンズ１７
からのコリメート光をエタロン１８を介することなく直
接に受ける。この形態により、光検出器５６は、この光
の強度に応じた電気信号５６ａを発生する。
施形態を示すブロック図である。図１に示された半導体
レーザモジュールと比較すると、搭載部材２８に光検出
器５６が配置されている。光検出器５６は、レンズ１７
からのコリメート光をエタロン１８を介することなく直
接に受ける。この形態により、光検出器５６は、この光
の強度に応じた電気信号５６ａを発生する。
【００５２】図１０に示された半導体レーザモジュール
においては、光Ｄ１は半導体レーザ１６の一端面から放
出され、光Ｄ２は半導体レーザ１６の他端面から放出さ
れてレンズ１７に入射する。レンズ１７は、光Ｄ２から
コリメート光Ｄ３、Ｄ４を生成する。エタロン１８はコ
リメート光Ｄ４を受けて透過光Ｄ５、Ｄ６を生成する。
透過光Ｄ５は光検出器２０ａに入射する。透過光Ｄ６は
光検出器２０ｂに入射する。コリメート光Ｄ３は光受光
素子５６に入射する。図示されていないが、光検出器５
６はパワー制御回路６０に接続されているので、半導体
レーザ１６は、パワー調整された駆動信号により駆動さ
れる。
においては、光Ｄ１は半導体レーザ１６の一端面から放
出され、光Ｄ２は半導体レーザ１６の他端面から放出さ
れてレンズ１７に入射する。レンズ１７は、光Ｄ２から
コリメート光Ｄ３、Ｄ４を生成する。エタロン１８はコ
リメート光Ｄ４を受けて透過光Ｄ５、Ｄ６を生成する。
透過光Ｄ５は光検出器２０ａに入射する。透過光Ｄ６は
光検出器２０ｂに入射する。コリメート光Ｄ３は光受光
素子５６に入射する。図示されていないが、光検出器５
６はパワー制御回路６０に接続されているので、半導体
レーザ１６は、パワー調整された駆動信号により駆動さ
れる。
【００５３】図１１(ａ)は、半導体レーザモジュールの
一実施形態を示すブロック図である。図１に示された半
導体レーザモジュールと比較すると、エタロン１８およ
び搭載部材５８の一方は、エタロン１８および搭載部材
５８の他方の上に配置されている。搭載部材５８には、
光検出器５６が配置されている。図１１(ｂ)および図１
１(ｃ)は、エタロン１８および搭載部材５８の配置形態
を示している。図１１(ｂ)では、搭載部材５８上にエタ
ロン１８が配置されている。図１１(ｃ)では、エタロン
１８上に搭載部材５８が配置されている。いずれの形態
においても、搭載部材５８上に配置された光検出器５６
からパワー制御用の信号が提供される。
一実施形態を示すブロック図である。図１に示された半
導体レーザモジュールと比較すると、エタロン１８およ
び搭載部材５８の一方は、エタロン１８および搭載部材
５８の他方の上に配置されている。搭載部材５８には、
光検出器５６が配置されている。図１１(ｂ)および図１
１(ｃ)は、エタロン１８および搭載部材５８の配置形態
を示している。図１１(ｂ)では、搭載部材５８上にエタ
ロン１８が配置されている。図１１(ｃ)では、エタロン
１８上に搭載部材５８が配置されている。いずれの形態
においても、搭載部材５８上に配置された光検出器５６
からパワー制御用の信号が提供される。
【００５４】図１２は、別の実施の形態である光源装置
を示す。この光源装置は、半導体レーザモジュール１ｂ
と、波長安定化回路５０と、スイッチ手段２３とを含
む。光源装置では、図４(ａ)に示されたスイッチ回路２
２に替えて、スイッチ手段、例えば電気的なスイッチ回
路または機械的にスイッチを備える。この形態では、ス
イッチ手段２３は、半導体レーザモジュール１ｂと別個
のスイッチデバイスとして、ハウジング１２外に配置さ
れている。図１２に示された矢印は、４(ａ)に示された
矢印に対応しており、光ビームを示している。
を示す。この光源装置は、半導体レーザモジュール１ｂ
と、波長安定化回路５０と、スイッチ手段２３とを含
む。光源装置では、図４(ａ)に示されたスイッチ回路２
２に替えて、スイッチ手段、例えば電気的なスイッチ回
路または機械的にスイッチを備える。この形態では、ス
イッチ手段２３は、半導体レーザモジュール１ｂと別個
のスイッチデバイスとして、ハウジング１２外に配置さ
れている。図１２に示された矢印は、４(ａ)に示された
矢印に対応しており、光ビームを示している。
【００５５】好適な実施の形態において本発明の原理を
図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から
逸脱することなく配置および詳細において変更できるこ
とは、当業者によって認識される。例えば、本実施の形
態に示された特定の半導体レーザモジュールの構成に限
定されるものではない。したがって、特許請求の範囲お
よびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権
利を請求する。
図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から
逸脱することなく配置および詳細において変更できるこ
とは、当業者によって認識される。例えば、本実施の形
態に示された特定の半導体レーザモジュールの構成に限
定されるものではない。したがって、特許請求の範囲お
よびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権
利を請求する。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光モジュールが発生可能な光の波長のグリッド間隔を
縮小できる発光モジュールが提供される。
発光モジュールが発生可能な光の波長のグリッド間隔を
縮小できる発光モジュールが提供される。
【図１】図１は、半導体レーザモジュールの斜視図であ
る。
る。
【図２】図２は、半導体レーザモジュール主要部を表す
断面図である。
断面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に適用可能なエタロンを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】図４(ａ)は、半導体レーザモジュールと波長安
定化回路とを示すブロック図である。図４(ｂ)は、エタ
ロンを透過する光の強度分布を示すグラフである。図４
(ｃ)は、入射光の波長を変化させたとき各光検出器が発
生する出力信号を示す特性図である。
定化回路とを示すブロック図である。図４(ｂ)は、エタ
ロンを透過する光の強度分布を示すグラフである。図４
(ｃ)は、入射光の波長を変化させたとき各光検出器が発
生する出力信号を示す特性図である。
【図５】図５(ａ)は、ＷＤＭ伝送システムに利用するた
めの半導体レーザモジュールを示すブロック図である。
図５(ｂ)は、特性曲線を示す特性図である。
めの半導体レーザモジュールを示すブロック図である。
図５(ｂ)は、特性曲線を示す特性図である。
【図６】図６は、ＷＤＭ伝送システムに適用できる半導
体レーザモジュールのための特性曲線を示す図面であ
る。
体レーザモジュールのための特性曲線を示す図面であ
る。
【図７】図７は、二種類の特性曲線およびキャプチャレ
ンジを示す図面である。
ンジを示す図面である。
【図８】図８は、パワーモニタが可能な受光デバイスの
一形態を示す図面である。
一形態を示す図面である。
【図９】図９は、パワーモニタが可能な半導体レーザモ
ジュールの一実施形態を示すブロック図である。
ジュールの一実施形態を示すブロック図である。
【図１０】図１０は、パワーモニタが可能な半導体レー
ザモジュールの一実施形態を示すブロック図である。
ザモジュールの一実施形態を示すブロック図である。
【図１１】図１１(ａ)は、半導体レーザモジュールの一
実施形態を示すブロック図である。図１１(ｂ)および図
１１(ｃ)は、エタロンおよび搭載部材の配置形態を示す
図面である。
実施形態を示すブロック図である。図１１(ｂ)および図
１１(ｃ)は、エタロンおよび搭載部材の配置形態を示す
図面である。
【図１２】図１２は、実施の形態に係わる光源装置を示
すブロック図である。
すブロック図である。
１ａ、１ｂ…半導体レーザモジュール、１０…半導体レ
ーザモジュール主要部、１２…ハウジング、１６…半導
体発光素子、１８…エタロン、２０、２１…受光半導体
デバイス、２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂ…光検出
器、２２…スイッチ素子、２４、２６、２８…搭載部
材、３２…レンズ保持部材、３４…熱電子冷却器
ーザモジュール主要部、１２…ハウジング、１６…半導
体発光素子、１８…エタロン、２０、２１…受光半導体
デバイス、２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂ…光検出
器、２２…スイッチ素子、２４、２６、２８…搭載部
材、３２…レンズ保持部材、３４…熱電子冷却器
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｊ 14/02
(72)発明者 新開 次郎
神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電
気工業株式会社横浜製作所内
(72)発明者 高木 敏男
神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電
気工業株式会社横浜製作所内
Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA12 BA21 CA35
CA36 DA02 DA03
5F073 AB25 AB27 BA01 EA03 EA29
FA05 FA06 FA25 FA30
5K002 BA02 BA04 BA13 BA21 CA05
CA09 CA11 DA02 FA01
Claims (10)
- 【請求項１】 くさび型のエタロンと、 第１および第２の端面を有する半導体発光素子と、 各々が前記エタロンを介して前記半導体発光素子の第１
の端面に光学的に結合された第１および第２の光検出器
を含む受光デバイスと、 前記受光デバイスに含まれる光検出器のいずれか一つを
選択するための手段と、 前記半導体発光素子の温度を調整可能なように配置され
た熱電子冷却器とを備える発光モジュール。 - 【請求項２】 第１の波長λ1が透過可能な第１の部分
および第２の波長λ2が透過可能な第２の部分を有する
くさび型のエタロンと、 第１および第２の端面を有する半導体発光素子と、 各々が前記エタロンを介して前記半導体発光素子の第１
の端面に光学的に結合された第１および第２の光検出器
を含む受光デバイスと、 前記半導体発光素子の温度を調整可能なように配置され
た熱電子冷却器とを備え、 前記第１の波長λ1と第２の波長λ2との間隔は、(前記
エタロンの前記第１の部分における光透過特性の隣接ピ
ーク間の間隔)／(ｎ＋１)で規定される分数で決定され
ており、ｎはそれぞれ自然数であり、 前記第１の光検出器は、前記エタロンの前記第１の部分
からの光を受光可能な位置に配置され、前記第２の光検
出器は、前記エタロンの前記第２の部分からの光を受光
可能な位置に配置されている、発光モジュール。 - 【請求項３】 複数のキャプチャレンジを有する発光モ
ジュールであって、ｎはそれぞれ自然数であり、 くさび型のエタロンと、 第１および第２の端面を有する半導体発光素子と、 前記半導体発光素子の温度を調整可能なように配置され
た熱電子冷却器と、 各々が前記エタロンを介して前記半導体発光素子の第１
の端面に光学的に結合された第１および第２の光検出器
を含む受光デバイスとを備え、 前記複数のキャプチャレンジのうち隣接するキャプチャ
レンジが、(前記エタロンの所定の部分における光透過
特性の隣接ピーク間の間隔)／(ｎ＋１)で差が規定され
る二波長λ1およびλ2をそれぞれ含むように、前記第１
および第２の光検出器が配置されている、発光モジュー
ル。 - 【請求項４】 第１の波長λ1が透過可能な第１の部分
および第２の波長λ2が透過可能な第２の部分を有し、
前記第１の部分の厚さが前記第２の部分の厚さと異なる
エタロンと、 第１および第２の端面を有する半導体発光素子と、 前記半導体発光素子の温度を調整可能なように配置され
た熱電子冷却器と、 第１および第２の光検出器を含む受光デバイスとを備
え、 前記第１の波長λ1と前記第２の波長λ2との間隔は波長
多重伝送における波長間隔と関連づけられており、 前記第１および第２の光検出器の間隔は、前記第１の光
検出器が前記エタロンの前記第１の部分からの光を受光
できると共に前記第２の光検出器が前記エタロンの前記
第２の部分からの光を受光できるように規定されてい
る、発光モジュール。 - 【請求項５】 信号端子と、 前記受光デバイスに含まれる光検出器のいずれか一つを
前記信号端子に接続するための手段とを更に備える、請
求項２〜４のいずれかに記載の発光モジュール。 - 【請求項６】 前記半導体発光素子と前記エタロンとの
間に配置されたコリメートレンズを更に備える、請求項
１〜５のいずれかに記載の発光モジュール。 - 【請求項７】 前記受光デバイスは、前記半導体発光素
子の光パワーをモニタできるように配置された第３の光
検出器を更に含む、請求項１〜６のいずれかに記載の発
光モジュール。 - 【請求項８】 前記半導体発光素子の第２の端面に光学
的に結合された光導波路を更に備える、請求項１〜７の
いずれかに記載の発光モジュール。 - 【請求項９】 前記第１および第２の光検出器の各々は
半導体受光素子を含み、前記第１および第２の光検出器
は単一の半導体チップ上に集積されている、請求項１〜
８のいずれかに記載の発光モジュール。 - 【請求項１０】 前記第１および第２の光検出器の各々
は半導体受光素子を含み、前記第１および第２の光検出
器は、別個の半導体チップ上に配置されている、請求項
１〜８のいずれかに記載の発光モジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001287772A JP2003101130A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 発光モジュール |
| US10/247,818 US20030063871A1 (en) | 2001-09-20 | 2002-09-20 | Light-emitting module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001287772A JP2003101130A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 発光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003101130A true JP2003101130A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19110527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001287772A Pending JP2003101130A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 発光モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030063871A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003101130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013243304A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 波長モニタ、及び波長モニタリング方法 |
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| JP2004153149A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
| US7133136B2 (en) * | 2003-10-22 | 2006-11-07 | Jds Uniphase Corporation | Wavelength monitor |
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| US6334014B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical fiber apparatus provided with demultiplexing/multiplexing unit on fiber's end portion, optical detecting apparatus provided with demultiplexing/multiplexing unit on its light receiving surface, and optical transmission system using the same |
| US6181717B1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-01-30 | Bandwidth 9 | Tunable semiconductor laser system |
| JP3931545B2 (ja) * | 2000-03-22 | 2007-06-20 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュール |
-
2001
- 2001-09-20 JP JP2001287772A patent/JP2003101130A/ja active Pending
-
2002
- 2002-09-20 US US10/247,818 patent/US20030063871A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013243304A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 波長モニタ、及び波長モニタリング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030063871A1 (en) | 2003-04-03 |
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