JP2003163411A - 波長可変レーザ・モジュール - Google Patents

波長可変レーザ・モジュール

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JP2003163411A
JP2003163411A JP2001364339A JP2001364339A JP2003163411A JP 2003163411 A JP2003163411 A JP 2003163411A JP 2001364339 A JP2001364339 A JP 2001364339A JP 2001364339 A JP2001364339 A JP 2001364339A JP 2003163411 A JP2003163411 A JP 2003163411A
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wavelength
dfb
tec
monitor
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JP2001364339A
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Tomokazu Mukohara
智一 向原
Shuichi Tamura
修一 田村
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的広い波長可変範囲を有し、しかも業界
標準の14ピン(pin)バタフライパッケージに格納で
きるようなコンパクトな波長可変レーザ・モジュールを
提供する。 【解決手段】 本波長可変レーザ・モジュール10は、
レーザ部12と、出力モニター部14と、波長モニター
部16とからなる。レーザ部は、半導体基板18上に、
発振波長が相互に異なる2個のDFBレーザ20A、B
からなるDFBレーザ・アレイ20、各DFBレーザに
接続された光合波器22、光増幅器24、及び第1光検
出器26を集積させた集積素子である。DFBレーザ・
アレイは、分離溝を介して2個のDFBレーザをアレイ
状に設けてなり、DFBレーザは、それぞれ、TECに
より25℃に保持されているとき、発振波長が1550
nmと1553.2nmになるような周期の回折格子を
有する。TECの温度を10℃から40℃に変化させ、
かつDFBレーザ20A、Bを使い分けて動作させるこ
とにより、全波長可変幅は6.4nmとなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長可変レーザ・
モジュールに関し、更に詳細には、波長モニタ内蔵であ
っても、波長モニタを有さない従来のレーザ・モジュー
ルと同等の大きさのパッケージに収めることができる波
長可変レーザ・モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】WDMシステムの急速な発展により、W
DMシステムで多重化させる波長数は200ch以上に
も及んでいて、波長数に見合った数のレーザが信号光源
として必要とされている。ところで、WDMシステムの
安定した運営のためには、万が一の信号光源の停止を考
慮して、発振波長が同じスペア(Spare 、予備) のレー
ザをそれぞれ保持する必要がある。つまり、少なくとも
波長数と同じ数のスペア・レーザが必要になる。これで
は、WDMシステムの設備及び運営コストが増大する。
【0003】そこで、1つのレーザ素子で異なる波長の
レーザ光を出力できる波長可変レーザ、なかでも波長可
変型分布帰還型レーザ素子が注目されている。つまり、
波長可変型分布帰還型レーザ素子を信号光源レーザのス
ペアとして用意することにより、WDMシステムのレー
ザのスペア在庫量の軽減と、システムの運営費の低コス
ト化とを実現することができる。
【0004】従来、WDMシステム等の長距離伝送シス
テムに応用された波長可変レーザは、主として、温度環
境を変えることにより発振波長を可変にする方式であ
る。この方式の波長可変レーザ89は、図6に示すよう
に、DFBレーザ85と、DFBレーザ85の基板側に
設けられた温度−電気制御装置(Thermo-ElectricCoole
r(以下、TECという))86とを備え、TEC86
によってDFBレーザ85単体の動作温度を変化させ、
DFBレーザ85の回折格子87及び埋め込み層の屈折
率を変化させることにより、波長を可変にする。図6
中、88は活性層である。尚、活性層88は、基板と回
折格子との間にあってもよく、また図6に示すように、
回折格子87の上にあっても良い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の波長可変レーザでは、動作温度の低温側(下限温度)
がTECの能力により、動作温度の高温側(上限温度)
がDFBレーザの本来の信頼性で決定されるので、低温
側での波長から高温側での波長の間の波長可変幅は、せ
いぜい、2〜3nm程度であって、比較的狭い。
【0006】そこで、波長可変幅を大きくするために、
図7に示すような複数個のDFBレーザを設けた、波長
可変レーザ・モジュールが提案されている。しかし、こ
の波長可変レーザ・モジュールでは、集積素子、ATC
(Automatic Temperature Control:自動温度制御装
置)、APC(Automatic Power Control: 自動出力制御
装置)、TEC等を一つのパッケージ内に格納してモジ
ュール化したとき、エタロン、PD2等を有する波長モ
ニター、及びPD1を有する出力モニターの双方が、モ
ジュール前部に位置することになる。これでは、新しい
仕様のパッケージが必要になり、スペア・レーザ等とし
て通信システムに組み込む際に、種々の不都合、例えば
大きさの点での不都合が生じる。
【0007】本発明の目的は、比較的広い波長可変範囲
を有し、波長モニタ部分が簡易構造であり、しかも業界
標準の14ピン(pin)バタフライパッケージと同等の
大きさのパッケージに格納できるようなコンパクトな波
長可変レーザ・モジュールを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る波長可変レーザ・モジュール(以下、
第1の発明と言う)は、レーザ部と、出力モニター部
と、波長モニター部とを有する波長可変レーザ・モジュ
ールであって、レーザ部が、同じ温度で測定したときの
発振波長が相互に異なる複数個の分布帰還型半導体レー
ザ素子(以下、DFBレーザという)を相互に並列に配
置してなる分布帰還型半導体レーザ・アレイ(以下、D
FBレーザ・アレイと言う)と、DFBレーザ・アレイ
の各DFBレーザの前端面側にそれぞれ導波路を介して
接続された光合波器と、光ファイバ接続端のレーザ光の
光出力を検出する第1光検出器とを集積してなる集積素
子として構成され、出力モニター部は、第1光検出器か
らレーザ光の光強度情報を得て、DFBレーザの光出力
を制御し、波長モニター部は、各DFBレーザの後端面
側から出射された所定波長のレーザ光を透過する、周期
性を有するフィルタと、周期性を有するフィルタから透
過されたレーザ光を受光して光強度を検出する第2光検
出器と、第2光検出器からレーザ光の光強度情報を得
て、波長を監視する波長モニターとを備え、複数個のD
FBレーザを相互に切り換えることにより波長可変する
ようにしたことを特徴としている。
【0009】第1及び第2の発明で、周期性を有するフ
ィルタとは、波長周期性特性を有して、所望の波長を選
択することができるフィルタ、例えばエタロンを言う。
第1の発明の好適な実施態様では、DFBレーザと周期
性を有するフィルタとの間に各DFBレーザの後端面に
接続された光合波器を設ける。これにより、波長モニタ
ー用レーザ光の周期性を有するフィルタへの入射角及び
入射位置が複数個のDFBレーザ間で同一となるので、
周期性を有するフィルタへの入射角度及び入射位置の相
違に起因する波長モニター特性のばらつきを解消するこ
とできる。また、レーザ部では、光合波器と第1光検出
器との間に、光増幅器を設けても良い。
【0010】本発明に係る別の波長可変レーザ・モジュ
ール(以下、第2の発明と言う)は、レーザ部と、出力
モニター部と、波長モニター部とを有する波長可変レー
ザ・モジュールであって、レーザ部が、同じ温度で測定
したときの発振波長が相互に異なる複数個の分布帰還型
半導体レーザ素子(以下、DFBレーザという)を相互
に並列に配置してなる分布帰還型半導体レーザ・アレイ
(以下、DFBレーザ・アレイと言う)と、DFBレー
ザ・アレイの各DFBレーザの前端面側にそれぞれ導波
路を介して接続された光合波器と、光合波器に接続され
た光増幅器とを集積してなる集積素子として構成され、
出力モニター部は、光ファイバ結合端のレーザ光の一部
を分岐し、残りを光ファイバに送る光分岐器と、分岐さ
れたレーザ光を受光する第1光検出器と、第1光検出器
からレーザ光の光強度情報を得て、DFBレーザの出力
を制御する出力モニターとを備え、波長モニター部は、
導波路を介して各DFBレーザの後端面側に接続された
光合波器と、光合波器から出たレーザ光を透過する、周
期性を有するフィルタと、周期性を有するフィルタから
透過されたレーザ光を受光して光強度を検出する第2光
検出器と、第2光検出器から光強度情報を得て、波長を
監視する波長モニターとを備え、複数個のDFBレーザ
を相互に切り換えることにより波長可変するようにした
ことを特徴としている。
【0011】第1及び第2の発明で、光合波器は各DF
Bレーザと光増幅器及び第1光検出器とを接続するため
に設けてある。DFBレーザ、出力モニター部及び波長
モニターの構成は、既知の構成のもので良い。DFBレ
ーザでは、活性層は半導体基板と回折格子との間にあっ
ても、また回折格子の上にあっても良い。エタロンは、
1種の波長フィルタであって、波長周期特性を有するの
で、所望の波長を選択することができる。また、第2の
発明の光分岐器はいわゆるビームスプリッタである。第
1及び第2の発明では、発振波長の相互に異なる複数個
のDFBレーザを切り換え、切り換えられたDFBレー
ザを、光合波器を介して、光増幅器及び第1光検出器に
直ちに接続し、あたかも一つの波長可変レーザ素子のよ
うに動作させ、波長可変することができる。また、第1
及び第2の発明では、DFBレーザの出射側に周期性を
有するフィルタ、例えばエタロンを設ける必要がないの
で、従来のように、パッケージの幅を大きくする必要が
ない。これにより、業界標準の14ピン(Pin)バタフラ
イパッケージと同等の大きさのパッケージにモジュール
を収めることができる。
【0012】第1及び第2の発明の好適な実施態様で
は、DFBレーザと周期性を有するフィルタとの間に各
DFBレーザの後端面に接続された光合波器を備えてい
る。更に好適には、光合波器の後端面には該後端面に対
して5°以上10°以下の角度を有する状態で光導波路
を設ける。レーザ光は、光合波器内でマルチモード化さ
れるものの、光合波器の後端面に対して5°以上10°
以下の角度を有する状態で光導波路を設けることによ
り、シングルモードの光を取り出すことができる。
【0013】第1及び第2の発明の好適な実施態様で
は、各DFBレーザを温度−電気制御装置(以下、TE
Cと言う)上に配置し、波長モニターによりTECの動
作を制御してDFBレーザの動作温度を調節することに
より波長可変の幅を広げることができる。更に、第1及
び第2の発明の別の好適な実施態様では、出力モニター
により光出力を制御しつつ各DFBレーザの駆動電流を
変えることにより波長可変のスイッチング速度を高める
ことができる。
【0014】第1及び第2の発明の更に好適な実施態様
では、TECが、上部TECと、上部TECより大き
く、中央の上部TEC支持領域に配置した上部TECを
支持する下部TECとからなる2段構造として構成さ
れ、上部TEC上にはレーザ部を構成するDFBレーザ
及びレンズが配置され、上部TEC支持領域を挟む下部
TECの一方の領域には波長モニター部が配置され、下
部TECの他方の領域にはレーザ部のアイソレータ及び
出力モニター部が配置され、波長可変レーザ・モジュー
ルを構成する各部品は、下部TECにより温度安定化さ
れている。そして、DFBレーザは、上部TECにより
更に冷却が可能となる。以上のTEC構造により、本実
施態様では、安定した波長可変レーザ・モジュールを実
現することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例1 本実施形態例は、第1の発明に係る波長可変レーザ・モ
ジュールの実施形態の一例であって、図1は本実施形態
例の波長可変レーザ・モジュールの構成を示す模式図で
ある。本実施形態例の波長可変レーザ・モジュール10
は、図1に示すように、レーザ部12と、出力モニター
部14と、波長モニター部16とから構成されている。
尚、図1から図4で、一点鎖線で囲んだ部品類が、パッ
ケージとして形成される。
【0016】レーザ部12は、共通の半導体基板18上
に、同じ温度で測定したときの発振波長が相互に異なる
2個のDFBレーザ20A、BからなるDFBレーザ・
アレイ20と、DFBレーザ・アレイ20の各DFBレ
ーザ20A、Bの前端面側と光導波路を介して接続され
た光合波器(MMI;Multi Mode Interferometer)22
と、光導波路を介して光合波器22に接続された半導体
光増幅器(SOA;Semiconductor Optical Amplifier)
24と、第1光検出器(TapPD)26とを集積させ
た集積素子として構成されている。光合波器22は、各
DFBレーザ20A、Bをそれぞれ光増幅器24及び第
1光検出器26に接続するために設けてある。第1光検
出器26は光ファイバ接続端のレーザ光の光出力を検出
する。光検出器26を透過したレーザ光は、レンズ等
(図示せず)を介して光ファイバ27に結合される。
【0017】DFBレーザ・アレイ20は、分離溝を介
して複数個(ここでは2個のみ図示)のDFBレーザ2
0A、Bをアレイ状に設けてなるレーザ・アレイであっ
て、それぞれ、各DFBレーザ20A、Bのレーザスト
ライプがほぼ平行になるように配列されている。DFB
レーザ20A、Bは、基板18の下側に設けてあるTE
C21により温度保持されている。DFBレーザ20
A、Bは、それぞれ、TEC21により25℃に保持さ
れているとき、発振波長が1550nmと1553.2
nmになるように回折格子の周期が決定されている。T
EC21の温度を10℃から40℃に変化させると、D
FBレーザ20Aの発振波長は3.2nm、例えば15
50nmから1553.2nmに変化する。また、DF
Bレーザ20Bの発振波長は3.2nm、例えば155
3.2nmから1556.4nmに変化する。よって、
DFBレーザ20A、Bを使い分けて、低波長側でDF
Bレーザ20Aを、高波長側でDFBレーザ20Bを動
作させることにより、全波長可変幅は6.4nmとな
る。
【0018】光検出器24で検出されたレーザ光の一部
は電気信号に変換され、レーザ光の光強度情報として出
力モニター部14に送られる。出力モニター部14は、
ファイバ光出力が25mWになるように、DFBレーザ
20A、Bに対するレーザ注入電流を制御する。
【0019】波長モニター部16は、DFBレーザ・ア
レイ20の後端面に対して入射端面を傾斜ささせた状態
で配置された50GHz周期のエタロン(Etalon) 28
と、エタロン28を介して後端面から出射されたレーザ
光を受光して、光強度を検出するフォトダイオード30
と、フォトダイオード30からレーザ光の光強度情報を
得て、波長を監視する波長モニター32とを備えてい
る。波長モニター32は、DFBレーザ20A、Bの後
端面からの光出力情報を波長モニター用として用い、T
EC21の温度を調整することにより、波長を制御する
ことができる。
【0020】本実施形態例の波長可変レーザ・モジュー
ル10を試作し、動作させたところ、レーザ注入電流が
100mA、光増幅器注入電流が100mAで、光ファ
イバ端で25mWの光出力が実現された。また、2個の
DFBレーザ20A、Bを切り換え、更にはTEC21
による温度制御により、50GHz、16ch分のIT
Uグリッドへの波長制御、光出力制御が同時に実現され
る。ここで、16ch分とは、波長が1550nm〜1
556.4nmのものを指す。
【0021】本実施形態例の波長可変レーザ・モジュー
ル10は、比較的大きい6.4nmという波長可変幅を
有するにもかかわらず、DFBレーザ・アレイ20と光
合波器22とを設けることにより、また、DFBレーザ
20A、Bの出射側にエタロンを設ける必要がないの
で、業界標準の14ピン(pin)バタフライパッケージ
を用いることができる。よって、新たなパッケージの設
計、製作を必要としないことから、安価なモジュールを
提供することができる。
【0022】実施形態例1の変形例 本変形例は、実施形態例1の変形例であって、図2は本
変形例の波長可変レーザ・モジュール40の構成を示す
模式図である。本変形例の波長可変レーザ・モジュール
40は、DFBレーザ20A、Bの後端面が光導波路を
介して光合波器42に接続され、DFBレーザ20A、
Bの光出力は、光合波器42により合波されることを除
いて、実施形態例1と同じ構成を備えている。以上の構
成により、波長モニタ用のレーザ光のエタロン28への
入射角度及び入射位置が、DFBレーザ20A、Bの間
で同一となることから、エタロン28の入射角度及び入
射位置に起因した波長モニター特性のばらつきがないの
で、波長の制御性が更に向上する。
【0023】実施形態例2 本実施形態例は、本発明に係る波長可変レーザ・モジュ
ールの実施形態の別の例であって、図3は本実施形態例
の波長可変レーザ・モジュールの構成を示す模式図であ
る。本実施形態例の波長可変レーザ・モジュール50
は、DFBレーザ52A、Bの発振波長が、それぞれ、
TECにより25℃に維持され、注入電流が100mA
のとき、1550nm及び1550.8nmになるよう
に回折格子の周期が決定されていること、所定の速度で
段階的に、例えば20mA刻みで又は逓増的に注入電流
を増大させる注入電流制御装置54を備えていることを
除いて、実施形態例1の波長可変レーザ・モジュール1
0の構成と同じ構成を備えている。
【0024】本実施形態例の波長可変レーザ・モジュー
ル50では、1つのDFBレーザ、例えばDFBレーザ
52Aの波長を変化させるときは、DFBレーザ52A
への注入電流を増加する。注入電流による波長シフト
は、0.01nm/mAであるから、注入電流を20m
A増大させる度に、波長を0.2nmずつ、つまり25
GHz間隔で波長を変化させることができる。尚、電流
注入の増大と共に、光ファイバ端からの光出力が増大す
るので、レーザ部12の光増幅器22により、又は外部
の光減衰器(図示せず)により、光出力が一定になるよ
うに制御する。以上の構成により、従来のTECでの温
度可変による場合には1分程度要していたスイッチング
速度が、100msと比較的速いスイッチング速度で例
えば25GHz間隔で8chをカバーする波長可変レー
ザを実現することができる。
【0025】実施形態例3 本実施形態例は、第2の発明に係る波長可変レーザ・モ
ジュールの実施形態の一例であって、図4は本実施形態
例の波長可変レーザ・モジュールの構成を示す模式図で
ある。本実施形態例の波長可変レーザ・モジュール60
は、実施形態例2の波長可変レーザ・モジュール40の
構成で、第1光検出器26に変えて、出力モニター部6
2を設けていることを除いて、実施形態例2の波長可変
レーザ・モニター40と同じ構成を備えている。出力モ
ニター部62は、光ファイバ接続端のレーザ光の一部
(10%)を分岐し、残り(90%)を光ファイバ27
に送る光分岐器64と、分岐されたレーザ光を受光する
第1光検出器66と、第1光検出器66からレーザ光の
光強度情報を得てDFBレーザの出力を制御する出力モ
ニター68とを備えている。
【0026】以上の構成により、本実施形態例の波長可
変レーザ・モジュール60は、実施形態例1の波長可変
レーザ・モジュール10と同様に動作する。本実施形態
例の波長可変レーザ・モジュール60は、比較的大きい
6.4nmという可変幅を有するにもかかわらず、DF
Bレーザ・アレイ20と光合波器22とを設けることに
より、また、DFBレーザ20A、Bの出射側にエタロ
ンを設ける必要がないので、業界標準の14ピン(pi
n)バタフライパッケージを用いることができる。よっ
て、新たなパッケージの設計、製作を必要としないこと
から、安価なモジュールを提供することができる。
【0027】実施形態例4 本実施形態例は、第1及び第2の発明に係る波長可変レ
ーザ・モジュールの実施形態の別の例であって、図5は
本実施形態例の波長可変レーザ・モジュールのTEC構
造を示す模式的側面図である。本実施形態例の波長可変
レーザ・モジュール70は、図5に示すように、TEC
72が、上部TEC74と、上部TEC74より大き
く、中央の上部TEC支持領域に配置した上部TEC7
4を支持する下部TEC76とからなる2段構造として
構成されていることに特徴がある。波長可変レーザ・モ
ジュール70は、TECの構造を除いて、実施形態例1
から3の波長可変レーザ・モジュール10、40、60
のいずれかと同じ構成を備えている。例えば、以下の例
では、実施形態例3の波長可変レーザ・モジュール10
の構成に基づいて記載する。
【0028】上部TEC72上にはレーザ部12を構成
するDFBレーザ20A、B及びレンズ78、80が配
置されている。DFBレーザ20A、Bは、サブマウン
ト又はヒートシンク82を介して基板18上に保持さ
れ、更に上部TEC72上に支持されている。レンズ7
8、80は、基板18上に直接保持され、更に上部TE
C72上に支持されている。上部TEC支持領域を挟む
下部TEC76の一方の領域には波長モニター部16が
配置され、下部TEC76の他方の領域にはレーザ部1
2のアイソレータ84及び出力モニター部14が配置さ
れている。
【0029】波長可変レーザ・モジュール70を構成す
る各部品のうち、出力モニター部14、アイソレータ8
4及び波長モニター部16は、下部TEC76により温
度安定化され、更に、DFBレーザ20A、Bは、それ
ぞれ、上部TEC74により例えば0℃にまで冷却する
ことが可能となる。2段構造のTECを適用することに
より、更にコンパクトなモジュール化を図ることができ
る。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、同じ温度で測定したと
きの発振波長が相互に異なる複数個のDFBレーザを相
互に並列に配置してなるDFBレーザ・アレイと光合波
器とを有するレーザ部、出力モニター部、及び波長モニ
ター部を備え、複数個のDFBレーザを切り換えて波長
可変することにより、波長可変幅が比較的広く、しかも
小型で業界標準の14ピン(Pin)バタフライパッケージ
と同等の大きさのパッケージに格納できるモジュールを
構成することができる。本発明に係る波長可変レーザ・
モジュールを適用することにより、波長可変幅が比較的
広く、光出力が高い波長可変レーザを安価に実現でき、
長距離からメトロまで広い分野での応用が期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例1の波長可変レーザ・モジュールの
構成を示す模式図である。
【図2】実施形態例1の変形例の波長可変レーザ・モジ
ュールの構成を示す模式図である。
【図3】実施形態例2の波長可変レーザ・モジュールの
構成を示す模式図である。
【図4】実施形態例3の波長可変レーザ・モジュールの
構成を示す模式図である。
【図5】実施形態例4の波長可変レーザ・モジュールの
TEC構造を示す模式的側面図である。
【図6】従来例1の波長可変レーザの構成を示す模式図
である。
【図7】従来例2の波長可変レーザ・モジュールの構成
を示す模式図である。
【符号の説明】
10 実施形態例の波長可変レーザ・モジュール 12 レーザ部 14 出力モニター部 16 波長モニター部 18 半導体基板 20 DFBレーザ・アレイ 20A、B DFBレーザ 22 光合波器(MMI) 24 光増幅器(SOA) 26 第1光検出器(TapPD) 27 光ファイバ 28 50GHz周期のエタロン(Etalon) 30 フォトダイオード 32 波長モニター 40 実施形態例1の変形例の波長可変レーザ・モジュ
ール 42 光合波器 50 実施形態例2の波長可変レーザ・モジュール 52A、B DFBレーザ 54 注入電流制御装置 60 実施形態例3の波長可変レーザ・モジュール 62 出力モニター部 64 光分岐器 66 第1光検出器 68 出力モニター 70 実施形態例4の波長可変レーザ・モジュール 72 TEC 74 上部TEC 76 下部TEC 78、80 レンズ 82 サブマウント又はヒートシンク 84 アイソレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F073 AA64 AB06 AB15 AB27 AB28 BA02 EA15 EA29 FA05 FA25 GA13 GA14 GA23 5K002 BA05 BA13 CA05 CA08 CA12 FA01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ部と、出力モニター部と、波長モ
    ニター部とを有する波長可変レーザ・モジュールであっ
    て、 レーザ部が、同じ温度で測定したときの発振波長が相互
    に異なる複数個の分布帰還型半導体レーザ素子(以下、
    DFBレーザという)を相互に並列に配置してなる分布
    帰還型半導体レーザ・アレイ(以下、DFBレーザ・ア
    レイと言う)と、DFBレーザ・アレイの各DFBレー
    ザの前端面側にそれぞれ導波路を介して接続された光合
    波器と、光ファイバ接続端のレーザ光の光出力を検出す
    る第1光検出器とを集積してなる集積素子として構成さ
    れ、 出力モニター部は、第1光検出器からレーザ光の光強度
    情報を得て、DFBレーザの光出力を制御し、 波長モニター部は、各DFBレーザの後端面側から出射
    された所定波長のレーザ光を透過する、周期性を有する
    フィルタと、周期性を有するフィルタから透過されたレ
    ーザ光を受光して光強度を検出する第2光検出器と、第
    2光検出器からレーザ光の光強度情報を得て、波長を監
    視する波長モニターとを備え、 複数個のDFBレーザを相互に切り換えることにより波
    長可変するようにしたことを特徴とする波長可変レーザ
    ・モジュール。
  2. 【請求項2】 レーザ部と、出力モニター部と、波長モ
    ニター部とを有する波長可変レーザ・モジュールであっ
    て、 レーザ部が、同じ温度で測定したときの発振波長が相互
    に異なる複数個の分布帰還型半導体レーザ素子(以下、
    DFBレーザという)を相互に並列に配置してなる分布
    帰還型半導体レーザ・アレイ(以下、DFBレーザ・ア
    レイと言う)と、DFBレーザ・アレイの各DFBレー
    ザの前端面側にそれぞれ導波路を介して接続された光合
    波器と、光合波器に接続された光増幅器とを集積してな
    る集積素子として構成され、 出力モニター部は、光ファイバ結合端のレーザ光の一部
    を分岐し、残りを光ファイバに送る光分岐器と、分岐さ
    れたレーザ光を受光する第1光検出器と、第1光検出器
    からレーザ光の光強度情報を得て、DFBレーザの出力
    を制御する出力モニターとを備え、波長モニター部は、
    導波路を介して各DFBレーザの後端面側に接続された
    光合波器と、光合波器から出たレーザ光を透過する、周
    期性を有するフィルタと、周期性を有するフィルタから
    透過されたレーザ光を受光して光強度を検出する第2光
    検出器と、第2光検出器から光強度情報を得て、波長を
    監視する波長モニターとを備え、 複数個のDFBレーザを相互に切り換えることにより波
    長可変するようにしたことを特徴とする波長可変レーザ
    ・モジュール。
  3. 【請求項3】 前記DFBレーザと周期性を有するフィ
    ルタとの間に各DFBレーザの後端面に接続された光合
    波器を備えていることを特徴とする請求項1又は2に記
    載の波長可変レーザ・モジュール。
  4. 【請求項4】 前記光合波器の後端面には該後端面に対
    して5°以上10°以下の角度を有する状態で光導波路
    が設けられていることを特徴とする請求項1から3のう
    ちのいずれか1項に記載の波長可変レーザ・モジュー
    ル。
  5. 【請求項5】 各DFBレーザを温度−電気制御器(以
    下、TECと言う)上に配置し、 波長モニターによりTECの動作を制御してDFBレー
    ザの動作温度を調節することにより波長可変にしたこと
    を特徴とする請求項1から4のうちのいずれか1項に記
    載の波長可変レーザ・モジュール。
  6. 【請求項6】 出力モニターにより光出力を制御しつつ
    各DFBレーザの駆動電流を変えることにより波長可変
    させるようにしたことを特徴とする請求項1から5のう
    ちのいずれか1項に記載の波長可変レーザ・モジュー
    ル。
  7. 【請求項7】 TECが、上部TECと、上部TECよ
    り大きく、かつ中央の上部TEC支持領域に配置した上
    部TECを支持する下部TECとからなる2段構造とし
    て構成され、 上部TEC上にはレーザ部を構成するDFBレーザ及び
    レンズが配置され、上部TEC支持領域を挟む下部TE
    Cの一方の領域には波長モニター部が配置され、下部T
    ECの他方の領域にはレーザ部のアイソレータ及び出力
    モニター部が配置され、 波長可変レーザ・モジュールを構成する各部品は、下部
    TECにより温度安定化されていることを特徴とする請
    求項1から6のうちのいずれか1項に記載の波長可変レ
    ーザ・モジュール。
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