JP2003100807A - 導電接続方法及びそれに用いる離型シート - Google Patents
導電接続方法及びそれに用いる離型シートInfo
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- JP2003100807A JP2003100807A JP2001295298A JP2001295298A JP2003100807A JP 2003100807 A JP2003100807 A JP 2003100807A JP 2001295298 A JP2001295298 A JP 2001295298A JP 2001295298 A JP2001295298 A JP 2001295298A JP 2003100807 A JP2003100807 A JP 2003100807A
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱による離型シートの歪み、シワの発生に
よる接続対象物の接続不良が生じ難く、且つ、短時間の
タクトタイムで確実に接続対象物の接続を行う事のでき
る導電接続方法、及びそれに用いる離型シートを提供す
る。 【解決手段】 離型シート３を介在させつつ圧着手段１
により加熱加圧を行うことで、異方導電材５を介して接
続対象物４，６同士の電極間を導電接続する導電接続方
法において、前記離型シート３は、金属箔と少なくとも
その片面側に設けられたフッ素樹脂層とを備えることを
特徴とする。
よる接続対象物の接続不良が生じ難く、且つ、短時間の
タクトタイムで確実に接続対象物の接続を行う事のでき
る導電接続方法、及びそれに用いる離型シートを提供す
る。 【解決手段】 離型シート３を介在させつつ圧着手段１
により加熱加圧を行うことで、異方導電材５を介して接
続対象物４，６同士の電極間を導電接続する導電接続方
法において、前記離型シート３は、金属箔と少なくとも
その片面側に設けられたフッ素樹脂層とを備えることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、離型シートを介在
させつつ圧着手段により加熱加圧を行うことで、異方導
電材を介して接続対象物同士の電極間を導電接続する導
電接続方法、及びそれに用いる離型シートに関する。本
発明は、例えばＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌ
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ）のフリップチップ実装に代表され
るような、異方導電性フィルム（以下ＡＣＦと略す）を
用いての半導体チップ等の電子部品の配線基板への実装
や、モジュール等と配線基板等の導電接続を行う技術と
して有用である。
させつつ圧着手段により加熱加圧を行うことで、異方導
電材を介して接続対象物同士の電極間を導電接続する導
電接続方法、及びそれに用いる離型シートに関する。本
発明は、例えばＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌ
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ）のフリップチップ実装に代表され
るような、異方導電性フィルム（以下ＡＣＦと略す）を
用いての半導体チップ等の電子部品の配線基板への実装
や、モジュール等と配線基板等の導電接続を行う技術と
して有用である。
【０００２】
【従来の技術】近年の携帯情報端末の軽量化、小型化に
伴い、微細な電極（端子、配線パターンなども含む）間
で導電接続を行うことの必要性が増大している。例えば
液晶ディスプレイ（以下ＬＣＤと略す）と駆動用ＬＳＩ
が搭載されたフレキシブルプリント基板（以下ＦＰＣと
略す）とを接合する場合や、ＣＳＰと回路基板とをフリ
ップチップ実装する場合などであり、その接続にはＡＣ
Ｆを用いて圧着する方法が一般的に行われている。この
ようなＡＣＦとしては、種々のタイプが存在するが、一
般には導電性粒子などの導電材料を所定量分散させた接
着性（主に熱硬化タイプ）の樹脂フィルムが使用されて
いる。その他、異方導電接着剤などの異方導電材などが
使用される場合がある。
伴い、微細な電極（端子、配線パターンなども含む）間
で導電接続を行うことの必要性が増大している。例えば
液晶ディスプレイ（以下ＬＣＤと略す）と駆動用ＬＳＩ
が搭載されたフレキシブルプリント基板（以下ＦＰＣと
略す）とを接合する場合や、ＣＳＰと回路基板とをフリ
ップチップ実装する場合などであり、その接続にはＡＣ
Ｆを用いて圧着する方法が一般的に行われている。この
ようなＡＣＦとしては、種々のタイプが存在するが、一
般には導電性粒子などの導電材料を所定量分散させた接
着性（主に熱硬化タイプ）の樹脂フィルムが使用されて
いる。その他、異方導電接着剤などの異方導電材などが
使用される場合がある。
【０００３】以下、フリップチップ実装の場合につい
て、その要部を示す概略図（図１〜図３）に基づいて説
明する。まず、図１に示すように、表面に電極と配線が
形成されている基板６と、基板６の電極に対向する位置
に電極が形成されている半導体チップ４との間にＡＣＦ
５を配置する。圧着ヘッド１ａの先端には、圧着手段１
による半導体チップ４への加圧力が、半導体チップ４の
接触面に均一に加わる様に、低弾性率で耐熱性と熱伝導
性に優れるシリコーンゴム２が取り付けられる場合が多
い。
て、その要部を示す概略図（図１〜図３）に基づいて説
明する。まず、図１に示すように、表面に電極と配線が
形成されている基板６と、基板６の電極に対向する位置
に電極が形成されている半導体チップ４との間にＡＣＦ
５を配置する。圧着ヘッド１ａの先端には、圧着手段１
による半導体チップ４への加圧力が、半導体チップ４の
接触面に均一に加わる様に、低弾性率で耐熱性と熱伝導
性に優れるシリコーンゴム２が取り付けられる場合が多
い。
【０００４】従来、このような構成で圧着を行なう場
合、圧着時の加圧によりＡＣＦの接着剤成分が接合を行
う電子部品側面からはみ出し、圧着手段１に付着すると
いう問題があった。このため、圧着手段１と半導体チッ
プ４の間に離型シート3 を介在させた状態で、作業を行
う方法が提案されている（特開平７−２３０８７３号公
報等）。これによって、図１〜図３に示すように、圧着
手段１により離型シート3 を介して加熱加圧することに
より、ＡＣＦ５が軟化・変形して硬化し、その際に上記
の付着等の問題を起こすことなく、電極間が導電接続さ
れた状態で半導体チップ４を実装することができる。
合、圧着時の加圧によりＡＣＦの接着剤成分が接合を行
う電子部品側面からはみ出し、圧着手段１に付着すると
いう問題があった。このため、圧着手段１と半導体チッ
プ４の間に離型シート3 を介在させた状態で、作業を行
う方法が提案されている（特開平７−２３０８７３号公
報等）。これによって、図１〜図３に示すように、圧着
手段１により離型シート3 を介して加熱加圧することに
より、ＡＣＦ５が軟化・変形して硬化し、その際に上記
の付着等の問題を起こすことなく、電極間が導電接続さ
れた状態で半導体チップ４を実装することができる。
【０００５】この離型シート３には耐熱性、ＡＣＦ５の
接着剤成分に対する離型性等が要求される事から、一般
にはこれらの特性に優れるポリテトラフルオロエチレ
ン、テトラフルオロエチレン−へキサフルオロプロピレ
ン共重合体に代表されるフッ素系のシートが用いられて
いた。
接着剤成分に対する離型性等が要求される事から、一般
にはこれらの特性に優れるポリテトラフルオロエチレ
ン、テトラフルオロエチレン−へキサフルオロプロピレ
ン共重合体に代表されるフッ素系のシートが用いられて
いた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この離
型シートに要求される特性を量産性という観点から考え
た場合、シートの厚さが厚いと圧着手段からの加熱が半
導体チップなどの電子部品およびＡＣＦに伝わり難くな
る為、より薄い方が好ましくなる。しかし、離型シート
を薄くしすぎると、シートに掛かる張力によりシートが
大きく伸ばされ、シワが生じやすくなる。この様にシワ
が発生した状態で圧着を行うと、圧着手段を介しての加
圧が、半導体チップ全面に均一にかからなくなり、また
部分的に隙間が形成されてしまい、加熱についても均一
に行なえない場合が生じ、結果として接着不良になる場
合が多く見受けられた。
型シートに要求される特性を量産性という観点から考え
た場合、シートの厚さが厚いと圧着手段からの加熱が半
導体チップなどの電子部品およびＡＣＦに伝わり難くな
る為、より薄い方が好ましくなる。しかし、離型シート
を薄くしすぎると、シートに掛かる張力によりシートが
大きく伸ばされ、シワが生じやすくなる。この様にシワ
が発生した状態で圧着を行うと、圧着手段を介しての加
圧が、半導体チップ全面に均一にかからなくなり、また
部分的に隙間が形成されてしまい、加熱についても均一
に行なえない場合が生じ、結果として接着不良になる場
合が多く見受けられた。
【０００７】また、この様なフッ素系フィルムは、一般
的には溶融押出法などにより作製されるが、製膜時の熱
履歴に起因する歪みが圧着手段による加熱によりシート
の変形につながり、結果としてシワが発生し、これにつ
いても前述の不具合の原因となる場合が見受けられた。
また、この離型シートはＡＣＦが圧着手段に接触しない
様に完全に半導体チップ上面を覆う状態で圧着が行われ
なければならないが、上述の様にシワが生じた場合や張
力によりシートが伸ばされた場合、シートの幅が狭くな
ったり、位置ずれが起き、一部分で半導体チップ上面を
覆っていない場所が生じ、本来の目的とする機能を果た
せない場合が見受けられた。
的には溶融押出法などにより作製されるが、製膜時の熱
履歴に起因する歪みが圧着手段による加熱によりシート
の変形につながり、結果としてシワが発生し、これにつ
いても前述の不具合の原因となる場合が見受けられた。
また、この離型シートはＡＣＦが圧着手段に接触しない
様に完全に半導体チップ上面を覆う状態で圧着が行われ
なければならないが、上述の様にシワが生じた場合や張
力によりシートが伸ばされた場合、シートの幅が狭くな
ったり、位置ずれが起き、一部分で半導体チップ上面を
覆っていない場所が生じ、本来の目的とする機能を果た
せない場合が見受けられた。
【０００８】そこで、本発明の目的は、加熱による離型
シートの歪み、シワの発生による接続対象物の接続不良
が生じ難く、且つ、短時間のタクトタイムで確実に接続
対象物の接続を行う事のできる導電接続方法、及びそれ
に用いる離型シートを提供する事にある。
シートの歪み、シワの発生による接続対象物の接続不良
が生じ難く、且つ、短時間のタクトタイムで確実に接続
対象物の接続を行う事のできる導電接続方法、及びそれ
に用いる離型シートを提供する事にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意研究した結果、離型性に優れるフッ素樹
脂と高弾性率であり熱伝導性に優れる金属箔を複合した
離型シートを用いれば、上記の問題が発生することな
く、良好に電子部品等の実装が行える事を見出し、本発
明を完成するに至った。
達成すべく鋭意研究した結果、離型性に優れるフッ素樹
脂と高弾性率であり熱伝導性に優れる金属箔を複合した
離型シートを用いれば、上記の問題が発生することな
く、良好に電子部品等の実装が行える事を見出し、本発
明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本発明の導電接続方法は、離型シー
トを介在させつつ圧着手段により加熱加圧を行うこと
で、異方導電材を介して接続対象物同士の電極間を導電
接続する導電接続方法において、前記離型シートは、金
属箔と少なくともその片面側に設けられたフッ素樹脂層
とを備えることを特徴とする。
トを介在させつつ圧着手段により加熱加圧を行うこと
で、異方導電材を介して接続対象物同士の電極間を導電
接続する導電接続方法において、前記離型シートは、金
属箔と少なくともその片面側に設けられたフッ素樹脂層
とを備えることを特徴とする。
【００１１】一方、本発明の離型シートは、圧着手段に
より加熱加圧を行うことで異方導電材を介して接続対象
物同士の電極間を導電接続する際に、前記圧着手段と前
記接続対象物との間に介在されて使用される離型シート
において、金属箔と少なくともその片面側に設けられた
フッ素樹脂層とを備えることを特徴とする。
より加熱加圧を行うことで異方導電材を介して接続対象
物同士の電極間を導電接続する際に、前記圧着手段と前
記接続対象物との間に介在されて使用される離型シート
において、金属箔と少なくともその片面側に設けられた
フッ素樹脂層とを備えることを特徴とする。
【００１２】上記において、２５℃における破断強さが
５Ｎ／ｃｍ幅以上であることが好ましい。また、２５℃
における引張りによる貯蔵弾性率が２０ＧＰａ以上であ
ることが好ましい。これらの物性の測定方法は、実施例
に示す通りである。
５Ｎ／ｃｍ幅以上であることが好ましい。また、２５℃
における引張りによる貯蔵弾性率が２０ＧＰａ以上であ
ることが好ましい。これらの物性の測定方法は、実施例
に示す通りである。
【００１３】［作用効果］本発明の導電接続方法による
と、接続対象物である電子部品等と圧着手段との間に介
在させる離型シートの少なくとも片面側にフッ素樹脂層
が形成されており、このフッ素樹脂層が電子部品等と接
触する形で導電接続が行われる事より、電子部品等の側
面からはみだした異方導電材の接着剤成分に対し、確実
な離型性を保持することができる。しかも、金属箔を基
材とするため、作業時に離型シートに掛けられる張力
や、原反の歪みによるシワの発生や、離型シートの変形
が起き難く、且つ熱伝導性に優れる為、短時間の加熱加
圧でより確実な導電接続が可能となる。従って、効率良
く且つ歩留り良く加工を行う事ができる。
と、接続対象物である電子部品等と圧着手段との間に介
在させる離型シートの少なくとも片面側にフッ素樹脂層
が形成されており、このフッ素樹脂層が電子部品等と接
触する形で導電接続が行われる事より、電子部品等の側
面からはみだした異方導電材の接着剤成分に対し、確実
な離型性を保持することができる。しかも、金属箔を基
材とするため、作業時に離型シートに掛けられる張力
や、原反の歪みによるシワの発生や、離型シートの変形
が起き難く、且つ熱伝導性に優れる為、短時間の加熱加
圧でより確実な導電接続が可能となる。従って、効率良
く且つ歩留り良く加工を行う事ができる。
【００１４】一方、本発明の離型シートによると、金属
箔と少なくともその片面側に設けられたフッ素樹脂層と
を備えるため、上述の如く電子部品等の側面からはみだ
した接着剤成分に対し、確実な離型性を保持し、且つ、
原反の歪みによるシワの発生や、作業時にシートに掛け
られる張力等によるシートの変形が起き難く、且つ熱伝
導性に優れる為、短時間の加熱加圧でより確実な接合が
可能となる。従って、効率良く且つ歩留り良く加工を行
う事ができる。
箔と少なくともその片面側に設けられたフッ素樹脂層と
を備えるため、上述の如く電子部品等の側面からはみだ
した接着剤成分に対し、確実な離型性を保持し、且つ、
原反の歪みによるシワの発生や、作業時にシートに掛け
られる張力等によるシートの変形が起き難く、且つ熱伝
導性に優れる為、短時間の加熱加圧でより確実な接合が
可能となる。従って、効率良く且つ歩留り良く加工を行
う事ができる。
【００１５】また、２５℃における破断強さが５Ｎ／ｃ
ｍ幅以上である場合、連続加工を行う際に離型シートの
搬送時や接続時の固定時に加わる張力によって、離型シ
ート破断することなく、連続加工を好適に行うことがで
きる。
ｍ幅以上である場合、連続加工を行う際に離型シートの
搬送時や接続時の固定時に加わる張力によって、離型シ
ート破断することなく、連続加工を好適に行うことがで
きる。
【００１６】２５℃における引張りによる貯蔵弾性率が
２０ＧＰａ以上である場合、作業時の離型シートに加わ
る張力による変形が小さく、シワなどの発生をより確実
に防止することができる。
２０ＧＰａ以上である場合、作業時の離型シートに加わ
る張力による変形が小さく、シワなどの発生をより確実
に防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態とし
て、図面を参照しながら説明する。本発明の導電接続方
法は、離型シートを介在させつつ圧着手段により加熱加
圧を行うことで、異方導電材を介して接続対象物同士の
電極間を導電接続するものである。図１〜図３は、異方
導電材であるＡＣＦが、接続対象物である配線基板と半
導体チップとの間に配された状態で導電接続を行う際の
工程を示す図である。これを例にとり、半導体チップの
実装工程の概要を説明する。
て、図面を参照しながら説明する。本発明の導電接続方
法は、離型シートを介在させつつ圧着手段により加熱加
圧を行うことで、異方導電材を介して接続対象物同士の
電極間を導電接続するものである。図１〜図３は、異方
導電材であるＡＣＦが、接続対象物である配線基板と半
導体チップとの間に配された状態で導電接続を行う際の
工程を示す図である。これを例にとり、半導体チップの
実装工程の概要を説明する。
【００１８】まず、図１に示す様に、受け台７上の配線
基板６に、ＡＣＦ５が下面に配された半導体チップ４
を、導電接続させる電極同士が対向するように位置決め
して配置する。また、その上方部に所定の温度に加熱さ
れた圧着手段１を配置する。圧着手段１の圧着ヘッド１
ａの先端には、圧着手段１による半導体チップ４への加
圧力が、半導体チップ４の接触面に均一に加わる様に、
低弾性率で耐熱性と熱伝導性に優れるシリコーンゴム２
が取り付けられている。但し、本発明の圧着手段１は、
シリコーンゴム２を有しないものでもよい。
基板６に、ＡＣＦ５が下面に配された半導体チップ４
を、導電接続させる電極同士が対向するように位置決め
して配置する。また、その上方部に所定の温度に加熱さ
れた圧着手段１を配置する。圧着手段１の圧着ヘッド１
ａの先端には、圧着手段１による半導体チップ４への加
圧力が、半導体チップ４の接触面に均一に加わる様に、
低弾性率で耐熱性と熱伝導性に優れるシリコーンゴム２
が取り付けられている。但し、本発明の圧着手段１は、
シリコーンゴム２を有しないものでもよい。
【００１９】ここで離型シート３は半導体チップ４と圧
着手段１の間で、少なくとも半導体チップ４と接触する
側の面にフッ素樹脂層が存在するように配置される。
着手段１の間で、少なくとも半導体チップ４と接触する
側の面にフッ素樹脂層が存在するように配置される。
【００２０】次いで図２に示す様に、圧着手段１を下げ
るか、配線基板６および半導体チップ４を上げる事によ
り、離型シート３を介して、圧着手段１により半導体チ
ップ４と共にＡＣＦ５が加熱加圧された状態になる。
るか、配線基板６および半導体チップ４を上げる事によ
り、離型シート３を介して、圧着手段１により半導体チ
ップ４と共にＡＣＦ５が加熱加圧された状態になる。
【００２１】そして図３に示す様に、所定時間後、圧着
手段１を上げるか、配線基板６および半導体チップ４を
下げる事により、加熱加圧処理が終了する。このような
加熱加圧によって、ＡＣＦ５が軟化・変形して硬化し、
電極間が導電接続された状態で半導体チップ４が配線基
板６に実装（接合）される。
手段１を上げるか、配線基板６および半導体チップ４を
下げる事により、加熱加圧処理が終了する。このような
加熱加圧によって、ＡＣＦ５が軟化・変形して硬化し、
電極間が導電接続された状態で半導体チップ４が配線基
板６に実装（接合）される。
【００２２】上記の導電接続方法において、新たな離型
シート３を圧着位置に順次供給することで、連続加工を
行うことができる。その場合、離型シートの搬送や接続
時の固定を行うべく、巻き出し部、巻き取り部、張力調
整機構、駆動機構、駆動制御手段などが使用される。こ
のような連続加工については、特開平７−２３０８７３
号公報等にその詳細が開示されている。
シート３を圧着位置に順次供給することで、連続加工を
行うことができる。その場合、離型シートの搬送や接続
時の固定を行うべく、巻き出し部、巻き取り部、張力調
整機構、駆動機構、駆動制御手段などが使用される。こ
のような連続加工については、特開平７−２３０８７３
号公報等にその詳細が開示されている。
【００２３】本発明の導電接続方法における加熱加圧等
の条件は、異方導電材の種類や接続対象物の耐熱性、強
度などに応じて適宜設定される。本発明では、従来の離
型シートを用いる場合に採用される条件を何れも採用す
ることができる。
の条件は、異方導電材の種類や接続対象物の耐熱性、強
度などに応じて適宜設定される。本発明では、従来の離
型シートを用いる場合に採用される条件を何れも採用す
ることができる。
【００２４】本発明の導電接続方法は、上記で使用され
る離型シート３が、金属箔と少なくともその片面側に設
けられたフッ素樹脂層とを備えることを特徴とする。つ
まり、当該導電接続方法は、本発明の離型シートを使用
するものである。フッ素樹脂層は、接続対象物と接触す
る側の面に設けてあればよく、金属箔の両側に設けても
よい。また、金属箔とフッ素樹脂層との間には、接着性
改善層や弾性体層などの中間層を設けてもよい。
る離型シート３が、金属箔と少なくともその片面側に設
けられたフッ素樹脂層とを備えることを特徴とする。つ
まり、当該導電接続方法は、本発明の離型シートを使用
するものである。フッ素樹脂層は、接続対象物と接触す
る側の面に設けてあればよく、金属箔の両側に設けても
よい。また、金属箔とフッ素樹脂層との間には、接着性
改善層や弾性体層などの中間層を設けてもよい。
【００２５】離型シートの形状は、接続対象物のサイズ
に応じて、所望のサイズに切断されたものでもよいが、
連続工程で使用する場合には、長尺シートが好ましい。
長尺シートは、通常、ロールに巻回した状態で使用され
る。
に応じて、所望のサイズに切断されたものでもよいが、
連続工程で使用する場合には、長尺シートが好ましい。
長尺シートは、通常、ロールに巻回した状態で使用され
る。
【００２６】金属箔に関しては、一般に金属は伝熱性が
良好で、破断強さや貯蔵弾性率も大きいため、各種金属
が何れも使用できるが、ステンレス箔、アルミニウム
箔、銅箔などがコスト、加工性などの点から好ましく使
用できる。
良好で、破断強さや貯蔵弾性率も大きいため、各種金属
が何れも使用できるが、ステンレス箔、アルミニウム
箔、銅箔などがコスト、加工性などの点から好ましく使
用できる。
【００２７】金属箔の厚みは、１０〜１００μｍが好ま
しく、更に好ましくは２０〜８０μｍである。金属箔の
厚さが１００μｍを超える場合、その熱容量が大きくな
りすぎる為、半導体チップおよびＡＣＦ等の加熱に要す
る時間が長く必要になる傾向がある。また、１０μｍ未
満では、金属の種類にもよるが、連続加工を行う際に加
わる張力により破断し易く、また、作業時に加わる張力
による変形が生じやすくなる傾向がある。
しく、更に好ましくは２０〜８０μｍである。金属箔の
厚さが１００μｍを超える場合、その熱容量が大きくな
りすぎる為、半導体チップおよびＡＣＦ等の加熱に要す
る時間が長く必要になる傾向がある。また、１０μｍ未
満では、金属の種類にもよるが、連続加工を行う際に加
わる張力により破断し易く、また、作業時に加わる張力
による変形が生じやすくなる傾向がある。
【００２８】またフッ素樹脂層に関しては、耐熱性、離
型性などの点から、ポリテトラフルオロエチレン（以下
ＰＴＦＥと略す）、テトラフルオロエチレン−へキサフ
ルオロプロピレン共重合体（以下ＦＥＰと略す）、また
は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体（以下ＰＦＡと略す）等を好適に
用いる事が出来る。
型性などの点から、ポリテトラフルオロエチレン（以下
ＰＴＦＥと略す）、テトラフルオロエチレン−へキサフ
ルオロプロピレン共重合体（以下ＦＥＰと略す）、また
は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体（以下ＰＦＡと略す）等を好適に
用いる事が出来る。
【００２９】フッ素樹脂層の厚さは、金属箔の厚さより
も薄いことが好ましく、具体的には２５μｍ以下が好ま
しく、０．５〜１５μｍがより好ましい。また、フッ素
樹脂層の厚さが２５μｍよりも厚くなった場合、熱伝導
性が低下し、タクトタイムが長くなる事に加え、片面に
フッ素樹脂層を配する場合、フッ素樹脂層と金属箔の線
膨張係数の差に起因する応力が大きくなり、離型シート
のカールが発生し易くなる傾向がある。また、０．５μ
ｍ未満では、表面の摩耗等によって離型性が低下し易く
なる傾向がある。
も薄いことが好ましく、具体的には２５μｍ以下が好ま
しく、０．５〜１５μｍがより好ましい。また、フッ素
樹脂層の厚さが２５μｍよりも厚くなった場合、熱伝導
性が低下し、タクトタイムが長くなる事に加え、片面に
フッ素樹脂層を配する場合、フッ素樹脂層と金属箔の線
膨張係数の差に起因する応力が大きくなり、離型シート
のカールが発生し易くなる傾向がある。また、０．５μ
ｍ未満では、表面の摩耗等によって離型性が低下し易く
なる傾向がある。
【００３０】本発明における離型シートは、キャステイ
ング法により得ることができ、例えば金属箔表面にフッ
素系のディスパージョンを塗布し、これを樹脂の融点以
上の温度で焼成する。この操作を１回または複数回繰り
返し所定厚さのフッ素樹脂層を形成して得ることができ
る。この場合使用するディスパージョンとしては、ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡなどが用いられるが、ＡＣＦ等に
対する離型性を考えた場合、ＦＥＰディスパージョンを
用いる事が最も好ましい。
ング法により得ることができ、例えば金属箔表面にフッ
素系のディスパージョンを塗布し、これを樹脂の融点以
上の温度で焼成する。この操作を１回または複数回繰り
返し所定厚さのフッ素樹脂層を形成して得ることができ
る。この場合使用するディスパージョンとしては、ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡなどが用いられるが、ＡＣＦ等に
対する離型性を考えた場合、ＦＥＰディスパージョンを
用いる事が最も好ましい。
【００３１】本発明の離型シートは、破断強さが５Ｎ／
ｃｍ幅以上、貯蔵弾性率が２０ＧＰａ以上である事が好
ましい。破断強さが５Ｎ／ｃｍ幅未満の場合、連続加工
を行う際の離型シートの搬送（巻取り）および、接合時
の固定を行なう為に離型シートに加える張力により破断
する傾向がある。
ｃｍ幅以上、貯蔵弾性率が２０ＧＰａ以上である事が好
ましい。破断強さが５Ｎ／ｃｍ幅未満の場合、連続加工
を行う際の離型シートの搬送（巻取り）および、接合時
の固定を行なう為に離型シートに加える張力により破断
する傾向がある。
【００３２】また、貯蔵弾性率が２０ＧＰａに満たない
場合、作業時の離型シートに加わる張力による変形が大
きく、シワが発生しやすくなる傾向がある。
場合、作業時の離型シートに加わる張力による変形が大
きく、シワが発生しやすくなる傾向がある。
【００３３】本発明の導電接続方法および離型シート
は、以上のような配線基板と半導体チップとの電極間を
導電接続する場合に限らず、例えばＬＣＤのと駆動用Ｌ
ＳＩが搭載されたＦＰＣとの電極間を導電接続する場合
や、その他の電子部品と配線基板、配線基板とＦＰＣ、
配線基板同士、半導体チップ搭載基板と配線基板など、
異方導電材を介して接続対象物同士の電極間を導電接続
するような、何れの接続対象物に対しても適用できる。
は、以上のような配線基板と半導体チップとの電極間を
導電接続する場合に限らず、例えばＬＣＤのと駆動用Ｌ
ＳＩが搭載されたＦＰＣとの電極間を導電接続する場合
や、その他の電子部品と配線基板、配線基板とＦＰＣ、
配線基板同士、半導体チップ搭載基板と配線基板など、
異方導電材を介して接続対象物同士の電極間を導電接続
するような、何れの接続対象物に対しても適用できる。
【００３４】また、異方導電材についても、熱硬化タイ
プ又は熱可塑タイプのＡＣＦに限らず、異方導電接着
剤、異方導電性塗料などの異方導電材などが、何れも使
用できる。これらの異方導電材は、接続対象物の間に配
置されたり、接続対象物の一方に塗布又は接着して使用
されるのが一般的である。なお、ＡＣＦとしては、種々
のタイプが使用可能であるが、導電性粒子などの導電材
料を所定量分散させた熱硬化タイプの接着性樹脂フィル
ムが好適に使用できる。
プ又は熱可塑タイプのＡＣＦに限らず、異方導電接着
剤、異方導電性塗料などの異方導電材などが、何れも使
用できる。これらの異方導電材は、接続対象物の間に配
置されたり、接続対象物の一方に塗布又は接着して使用
されるのが一般的である。なお、ＡＣＦとしては、種々
のタイプが使用可能であるが、導電性粒子などの導電材
料を所定量分散させた熱硬化タイプの接着性樹脂フィル
ムが好適に使用できる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実
施例等について説明する。
施例等について説明する。
【００３６】実施例１
市販のＦＥＰ粉末濃度３０重量％の水性ディスパージョ
ンを厚さ３０μｍのステンレス箔の片面に塗布する。そ
してまず９０℃で２分間加熱することにより分散媒であ
る水の除去を行い、次に３６０℃で２分間加熱すること
によりＦＥＰ層の形成を行い厚さ３３μｍの離型シート
（ステンレス箔３０μｍ、ＦＥＰ層３μｍ）を得た。
ンを厚さ３０μｍのステンレス箔の片面に塗布する。そ
してまず９０℃で２分間加熱することにより分散媒であ
る水の除去を行い、次に３６０℃で２分間加熱すること
によりＦＥＰ層の形成を行い厚さ３３μｍの離型シート
（ステンレス箔３０μｍ、ＦＥＰ層３μｍ）を得た。
【００３７】実施例２
両面に塗布する事以外は実施例１の内容に従い、３６μ
ｍの離型シート（ステンレス箔３０μｍ、ＦＥＰ層３μ
ｍ×２面）を得た。
ｍの離型シート（ステンレス箔３０μｍ、ＦＥＰ層３μ
ｍ×２面）を得た。
【００３８】実施例３
塗付を行うフッ素樹脂をＰＴＦＥディスパージョンとす
る事以外は実施例１の内容に従い、３３μｍの離型シー
ト（ステンレス箔３０μｍ、ＰＴＦＥ層３μｍ）を得
た。
る事以外は実施例１の内容に従い、３３μｍの離型シー
ト（ステンレス箔３０μｍ、ＰＴＦＥ層３μｍ）を得
た。
【００３９】実施例４
金属箔を厚さ１５μｍのアルミニウム箔とする事以外は
実施例１の内容に従い、１８μｍの離型シート（アルミ
ニウム箔１５μｍ、ＦＥＰ層３μｍ）を得た。
実施例１の内容に従い、１８μｍの離型シート（アルミ
ニウム箔１５μｍ、ＦＥＰ層３μｍ）を得た。
【００４０】実施例５
市販のＦＥＰ粉末濃度５０重量％の水性ディスパージョ
ンを厚さ１５μｍのアルミニウム箔の片面に塗布する。
そしてまず９０℃で２分間加熱することにより分散媒で
ある水の除去を行い、次に３６０℃で２分間加熱するこ
とによりＦＥＰ層の形成を行い、この操作を更に２回繰
り返す事により、厚さ３０μｍの離型シート（アルミニ
ウム箔１５μｍ、ＦＥＰ層１５μｍ、）を得た。
ンを厚さ１５μｍのアルミニウム箔の片面に塗布する。
そしてまず９０℃で２分間加熱することにより分散媒で
ある水の除去を行い、次に３６０℃で２分間加熱するこ
とによりＦＥＰ層の形成を行い、この操作を更に２回繰
り返す事により、厚さ３０μｍの離型シート（アルミニ
ウム箔１５μｍ、ＦＥＰ層１５μｍ、）を得た。
【００４１】参考例１
金属箔を厚さ１０μｍのアルミニウム箔とする事以外は
実施例１の内容に従い、１３μｍの離型シート（アルミ
ニウム箔１０μｍ、ＦＥＰ層３μｍ）を得た。
実施例１の内容に従い、１３μｍの離型シート（アルミ
ニウム箔１０μｍ、ＦＥＰ層３μｍ）を得た。
【００４２】比較例１
市販のＦＥＰペレットを温度３８０℃、リップ間隔０．
５ｍｍ、引き取り速度５ｍ／ｍｉｎで成型押出し、厚さ
３０μｍのフィルムを作製した。
５ｍｍ、引き取り速度５ｍ／ｍｉｎで成型押出し、厚さ
３０μｍのフィルムを作製した。
【００４３】以上のようにして得られた離型シートの材
質と厚さ等を表１にまとめた。
質と厚さ等を表１にまとめた。
【００４４】
【表１】
評価試験１
これらの離型シートを下記の方法により物性評価を行
い、その結果を表１にまとめた。
い、その結果を表１にまとめた。
【００４５】（１）破断強さ
ＪＩＳ Ｋ７１１３記載の方法に従い、試験片：２号片
試験片、引張速度：２０ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度：2 5
℃で測定を行い、下式より算出した。 Ｓ＝Ａ／Ｗ ここで、Ｓ：破断強さ（Ｎ／ｃｍ）、Ａ：破断時の荷重
量（Ｎ）、Ｗ：試験片の幅（ｃｍ）であり、Ａについて
は、測定中、最大荷重量値より算出した。
試験片、引張速度：２０ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度：2 5
℃で測定を行い、下式より算出した。 Ｓ＝Ａ／Ｗ ここで、Ｓ：破断強さ（Ｎ／ｃｍ）、Ａ：破断時の荷重
量（Ｎ）、Ｗ：試験片の幅（ｃｍ）であり、Ａについて
は、測定中、最大荷重量値より算出した。
【００４６】（２）貯蔵弾性率
粘弾性スペクトロメータを用い、測定温度：２５℃、測
定方法：引張法、周波数：１Ｈｚ、試料寸法：２０ｍｍ
（長手方向）×１０ｍｍ（幅方向）の条件で測定を行っ
た。
定方法：引張法、周波数：１Ｈｚ、試料寸法：２０ｍｍ
（長手方向）×１０ｍｍ（幅方向）の条件で測定を行っ
た。
【表２】
評価試験２
次にＡＣＦを用いて、下記のようにして半導体チップと
配線基板の圧着接合評価を行った。
配線基板の圧着接合評価を行った。
【００４７】図１に示す様に、あらかじめＡＣＦを粘着
させた状態の半導体チップを、配線基板と電気的に接続
出来るよう位置決めを行った状態で、配線基板上に乗せ
る。次いで、図２に示す様に、先端に厚さ０．２ｍｍの
シリコーンゴムを先端に貼り合わせた圧着手段を用い
て、半導体チップと圧着手段の間に、フッ素樹脂層が、
半導体チップに接するように配し、温度２００℃、加圧
力２ＭＰａ、加熱時間１５秒で接合処理を行った。その
後、図３に示す様に、圧着手段を半導体チップおよび離
型シートから離し、接合処理を行った。この一連の作業
において、離型シートは幅１０ｍｍ長さ１００ｍのサイ
ズでロール状に切断加工したものを使用した。
させた状態の半導体チップを、配線基板と電気的に接続
出来るよう位置決めを行った状態で、配線基板上に乗せ
る。次いで、図２に示す様に、先端に厚さ０．２ｍｍの
シリコーンゴムを先端に貼り合わせた圧着手段を用い
て、半導体チップと圧着手段の間に、フッ素樹脂層が、
半導体チップに接するように配し、温度２００℃、加圧
力２ＭＰａ、加熱時間１５秒で接合処理を行った。その
後、図３に示す様に、圧着手段を半導体チップおよび離
型シートから離し、接合処理を行った。この一連の作業
において、離型シートは幅１０ｍｍ長さ１００ｍのサイ
ズでロール状に切断加工したものを使用した。
【００４８】この様にして接合処理を行ったサンプルに
ついて、離型シートと接合状態の確認および離型シート
の接合面の確認を行った。実施例１〜５の離型シートを
用いた場合、問題とする離型シートのシワ、歪みは発生
しておらず、また半導体チップも良好な状態で接合され
ている事が確認された。なお、参考例１については、原
反の破断強さが小さい為、原反に加えられる張力が非常
に狭い範囲となってしまう為、この範囲の張力では、巻
物である離型シートが巻きずれることなく連続的に作業
が出来ず、安定した作業を行いにくかった。
ついて、離型シートと接合状態の確認および離型シート
の接合面の確認を行った。実施例１〜５の離型シートを
用いた場合、問題とする離型シートのシワ、歪みは発生
しておらず、また半導体チップも良好な状態で接合され
ている事が確認された。なお、参考例１については、原
反の破断強さが小さい為、原反に加えられる張力が非常
に狭い範囲となってしまう為、この範囲の張力では、巻
物である離型シートが巻きずれることなく連続的に作業
が出来ず、安定した作業を行いにくかった。
【００４９】これに対し、比較例１では、金属箔を使用
しないため、離型シートの弾性率が低くなり、作業時の
張力により、シートの伸びや歪みによる変形が発生し、
結果として、一部のサンプルでシワが入った状態で圧着
され、接合不良が発生した。以上より、良好な加工を行
うには、破断強さが高く、また貯蔵弾性率の高い離型シ
ートが好適であることが確認された。
しないため、離型シートの弾性率が低くなり、作業時の
張力により、シートの伸びや歪みによる変形が発生し、
結果として、一部のサンプルでシワが入った状態で圧着
され、接合不良が発生した。以上より、良好な加工を行
うには、破断強さが高く、また貯蔵弾性率の高い離型シ
ートが好適であることが確認された。
【図１】本発明の導電接続方法の一例における待機状態
を示す要部断面図
を示す要部断面図
【図２】本発明の導電接続方法の一例における加熱加圧
状態を示す要部断面図
状態を示す要部断面図
【図３】本発明の導電接続方法の一例における完了時を
示す要部断面図
示す要部断面図
１ 圧着手段
１ａ 圧着ヘッド
３ 離型シート
４ 半導体チップ（接続対象物）
５ ＡＣＦ（異方導電材）
６ 配線基板（接続対象物）
７ 受け台
Claims (4)
- 【請求項１】 離型シートを介在させつつ圧着手段によ
り加熱加圧を行うことで、異方導電材を介して接続対象
物同士の電極間を導電接続する導電接続方法において、
前記離型シートは、金属箔と少なくともその片面側に設
けられたフッ素樹脂層とを備えることを特徴とする導電
接続方法。 - 【請求項２】 圧着手段により加熱加圧を行うことで異
方導電材を介して接続対象物同士の電極間を導電接続す
る際に、前記圧着手段と前記接続対象物との間に介在さ
れて使用される離型シートにおいて、金属箔と少なくと
もその片面側に設けられたフッ素樹脂層とを備えること
を特徴とする離型シート。 - 【請求項３】 ２５℃における破断強さが５Ｎ／ｃｍ幅
以上である請求項２に記載の離型シート。 - 【請求項４】 ２５℃における引張りによる貯蔵弾性率
が２０ＧＰａ以上である請求項２又は３に記載の離型シ
ート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001295298A JP4684502B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 導電接続方法及びそれに用いる離型シート |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001295298A JP4684502B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 導電接続方法及びそれに用いる離型シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100807A true JP2003100807A (ja) | 2003-04-04 |
| JP4684502B2 JP4684502B2 (ja) | 2011-05-18 |
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|---|---|---|---|
| JP2001295298A Expired - Fee Related JP4684502B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 導電接続方法及びそれに用いる離型シート |
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|---|---|
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| JP2019021672A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 日立化成株式会社 | 半導体デバイスの製造に用いる積層体、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2020163694A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
| JPWO2020045338A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2021-04-30 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルム |
| WO2021157406A1 (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
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| JPH07214728A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-15 | Tokai Rubber Ind Ltd | 熱伝導性ゴム部材 |
| JPH10296767A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-11-10 | Chuko Kasei Kogyo Kk | プレスクッション材 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001295298A patent/JP4684502B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2020045338A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2021-04-30 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルム |
| JP6994578B2 (ja) | 2018-08-30 | 2022-01-14 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルム |
| JP2020163694A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
| JP7393874B2 (ja) | 2019-03-29 | 2023-12-07 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
| WO2021157406A1 (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | 三井化学東セロ株式会社 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
| JP7453035B2 (ja) | 2020-03-30 | 2024-03-19 | 東レエンジニアリング株式会社 | 圧着ヘッド、これを用いた実装装置および実装方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4684502B2 (ja) | 2011-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070105 |
|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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