JP2003098546A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性
を高め、明るく高品位な画像表示を行えるようにすると
ともに、その製造をも容易にする。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦ
Ｔ（３０）と、これに接続されたデータ線（６ａ）及び
走査線（３ａ）と、蓄積容量（７０）とを備える。さら
に、下側遮光膜（１１ａ）、上側遮光膜（４０１）及び
側壁遮光膜（４０２）を含む遮光部材により、ＴＦＴや
各種配線を立体的に遮光するとともに、上側遮光膜につ
いては、これが平坦面を有するよう形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画
素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor；以下、適宜「ＴＦＴ」という。）を、基板上の
積層構造中に備えた形式の電気光学装置及びその製造方
法、並びにこれをライトバルブとして備えた電子機器の
技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電
気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング
用のＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると、光
による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変
化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光
学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴの
チャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行
うことは重要となる。

【０００３】そこで従来は、対向基板に設けられた各画
素の開口領域を規定する遮光膜により、あるいはＴＦＴ
アレイ基板上においてＴＦＴの上を通過するとともにＡ
ｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線によ
り、かかるチャネル領域やその周辺領域を遮光するよう
に構成されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦ
Ｔの下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からな
る遮光膜を設けることがある。

【０００４】このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設け
れば、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の
電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの
光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム
等を突き抜けてくる投射光等の戻り光が、当該電気光学
装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。すなわ
ち、まず対向基板上やＴＦＴアレイ基板上に遮光膜を形
成する技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、
３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介
してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に
対する遮光が十分ではない。特に、プロジェクタのライ
トバルブとして用いられる小型の電気光学装置において
は、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であ
り、斜めに入射する成分を無視し得ない程度（例えば、
基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分
を１０％程度）含んでいるので、このような斜めの入射
光に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。

【０００６】加えて、遮光膜のない領域から電気光学装
置内に進入した光が、基板の上面又は基板の上面に形成
された遮光膜の上面やデータ線の下面（すなわち、チャ
ネル領域に面する側の内面）で反射された後に、かかる
反射光、あるいはこれが更に基板の上面あるいは遮光膜
やデータ線の内面で反射された多重反射光が、最終的に
ＴＦＴのチャネル領域に到達してしまう場合もある。

【０００７】特に、近年の表示画像の高品位化という一
般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化あるいは画
素ピッチの微細化を図るにつれて、更に明るい画像を表
示すべく入射光の光強度を高めるにつれて、上述した従
来の各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより
困難となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、
フリッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまう
という問題点がある。

【０００８】なお、このような耐光性を高めるために
は、遮光膜の形成領域を広げればよいようにも思われる
が、遮光膜の形成領域を広げてしまったのでは、表示画
像の明るさを向上させるべく各画素の開口率を高めるこ
とが根本的に要請されるところ、その実現が困難になる
という問題点が生じる。更に、上述の如く、遮光膜（す
なわち、ＴＦＴの下側の遮光膜やデータ線等からなるＴ
ＦＴの上側の遮光膜等）の存在により、斜め光に起因し
た内面反射光や多重反射光が発生することに鑑みれば、
むやみに遮光膜の形成領域を広げたのでは、このような
内面反射光や多重反射光の増大を招くという解決困難な
問題点もある。

【０００９】また、仮に遮光性能が比較的十分な電気光
学装置の構造を考えることができたにしても、その製造
を容易に実施することが可能であるか否かは、また別の
問題である。すなわち、構造が徒に複雑であって、その
製造が容易に行い得ないのならば、当該構造の価値は、
その分だけ減殺されると言わねばならない。具体的に
は、例えば、上述したような、データ線の機能を兼ねた
遮光膜を形成する場合にあっては、一般にその構造は複
雑となる。このことは、ＴＦＴアレイ基板からみて上層
に行けば行く程、前記データ線、あるいはＴＦＴ等を設
けることによって生じる最上層面の段差が顕著になるこ
とに現れている。上記データ線及びＴＦＴ等に加えて、
蓄積容量等をも設ける場合には、このような不具合は更
に著しくなる。

【００１０】このような状態になると、例えば、通常最
上層として設けられる配向膜の塗布不良等が発生した
り、また、該配向膜に対するラビング処理が不均一にし
か行えない等といった不都合が生じることになり、電気
光学装置の製造自体を困難とする。

【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、耐光性に優れており、明るく高品位な画像表
示が可能であるとともに、その製造が容易な電気光学装
置及びその製造方法を提供することを課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、上記課題を解決するため、基板上に、画素電極と、
該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタに接続された配線と、前記薄膜トランジスタ
及び前記配線を立体的に覆うとともに、該薄膜トランジ
スタ及び該配線の上層として設けられる部位が平坦とさ
れた遮光部材とを備える。

【００１３】本発明の電気光学装置によれば、画素電極
をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッチン
グ制御することにより、アクティブマトリクス駆動方式
による駆動を行える。そして、遮光部材は、薄膜トラン
ジスタを立体的に覆う。したがって、基板面に対して上
方から垂直に、あるいは斜めに進行する入射光及び基板
面に対して下方から垂直に、あるいは斜めに入射する戻
り光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光
等が、薄膜トランジスタのチャネル領域及びチャネル隣
接領域に入射するのを、遮光部材により阻止できる。加
えて、遮光部材により、各画素の非開口領域を精度よく
格子状に規定できる。

【００１４】ここで特に、本発明によれば、上述のよう
な遮光部材において、薄膜トランジスタ及び配線の上層
として設けられる部位が平坦とされていることから、当
該部位の上層として設けられる層ないし構造をも平坦な
面を有するものとして形成することが可能となる。これ
により、例えば、前記層ないし構造として配向膜を設け
ることを想定すると、該配向膜を設けようとする面は平
坦であるがゆえ、その塗布不良等が生じることがなく、
また、そのような平坦面に形成された配向膜もまた平坦
であるがゆえ、該膜に対するラビング処理を均一に実施
すること、等が可能となる。つまり、電気光学装置全体
の製造を容易にすることが可能となる。

【００１５】加えて、当該平坦とされた部位の上層とし
て設けられる層ないし構造が有する概ね平坦な面上に、
当該部位の下層に存在する薄膜トランジスタや配線によ
る凹凸と無関係な所望形状の凸部を積極的に形成するこ
とも容易となる。例えば、縦電界を想定した駆動方式に
とって好ましくない、隣接画素電極間で発生する横電界
を低減すべく、隣接画素電極間にのみ高精度で凸部を形
成することも可能である。

【００１６】このように、本発明の電気光学装置によれ
ば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射光や戻
り光が入射するような過酷な条件下にあっても光リーク
電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電極を良
好にスイッチング制御でき、最終的には、本発明により
明るく高コントラストの画像を表示可能となる。

【００１７】尚、このような遮光部材は、遮光部材の下地
面に平坦化処理を施すことで形成してもよいし、遮光部
材自体の上面に平坦化処理を施すことにより形成しても
よい。

【００１８】なお、このような技術的効果に鑑み、本発
明において「薄膜トランジスタ及び配線を立体的に覆う
遮光部材」とは、狭義には、薄膜トランジスタ及び配線
を内部に収容する３次元的に閉じた空間を規定する遮光
部材を意味し、より広義には、３次元的にまちまちの方
向からくる光をそれぞれ多少なりとも遮光（反射あるい
は吸収）する限りにおいて、薄膜トランジスタ及び配線
を内部に収容し、若干の途切れをもって又は断続的に３
次元的に閉じた空間を規定する遮光部材を意味する。

【００１９】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
遮光部材は、前記基板上に掘られかつ前記薄膜トランジ
スタ及び前記配線が内部に収容された溝の底面及び側壁
に形成された第１遮光層と、前記薄膜トランジスタ及び
配線の上層として設けられる部位を含み、前記溝を上側
から蓋する第２遮光層とを含む。

【００２０】この態様によれば、溝が基板に掘られ、こ
の溝の底面及び側壁に第１遮光層が形成されている。そ
して、この溝内部に薄膜トランジスタ及び配線が、例え
ば層間絶縁膜等で相互に、あるいは第１遮光層から層間
絶縁されつつ、収容されている。そして、第２遮光層で
この溝が上側から蓋されている。したがって、比較的単
純な構造及び製造プロセスを採用しつつ、確実に薄膜ト
ランジスタ及び配線を立体的に遮光できる。

【００２１】また、第２遮光層は、前記薄膜トランジス
タ及び配線の上層として設けられる部位を含むから、そ
れは平坦であって、上述した平坦面に係る作用効果が、
当該部位上に形成される層ないし構造に関して享受する
ことが可能となる。

【００２２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記薄膜トランジスタ及び前記配線の上層として設けら
れ、かつ、平坦化処理が施された層間絶縁膜を更に含
み、前記遮光部材における薄膜トランジスタ及び配線の
上層として設けられる部位は、前記層間絶縁膜上に形成
される。

【００２３】この態様によれば、遮光部材の一部たる、
薄膜トランジスタ及び配線の上層として設けられる部位
が、平坦化処理が施された層間絶縁膜上に形成されてい
ることから、該遮光部材の一部もまた、平坦に形成する
ことが容易に可能となっている。

【００２４】前記平坦とされた部位には、前記薄膜トラ
ンジスタと前記画素電極とを接続するための穴が開孔さ
れている。

【００２５】この態様によれば、前記薄膜トランジスタ
と前記画素電極とを接続するための穴が開孔されている
から、これらの接続を容易になすことができる。また、
この「穴」は、一般に、遮光部材における平坦とされた
部位の、ごく一部にのみ形成すればよいから、薄膜トラ
ンジスタへの光入射が仮にあったとしても、それを最小
限に抑えることが可能となる。

【００２６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画素電極と前記薄膜トランジスタとは、遮光性の導電
膜を介して接続されている。

【００２７】この態様によれば、例えばコンタクトホー
ルが開孔されており、遮光部材で囲まれた内部空間に対
して外部からの光漏れが生じやすい画素電極と薄膜トラ
ンジスタとの接続箇所における光漏れを確実に阻止でき
る。なお、遮光性の導電膜の材質としては、例えば、Ｔ
ｉＮ（チタンナイトライド）、ＷＳｉ_２（タングステン
シリサイド）等が適している。

【００２８】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画素電極と前記薄膜トランジスタとの接続箇所は、平
面的に見て相隣接する薄膜トランジスタ間の中央に位置
する。

【００２９】この態様によれば、遮光部材で囲まれた内
部空間に対して、画素電極と薄膜トランジスタとの接続
箇所、例えばコンタクトホールを介して外部からの光漏
れが生じたとしても、当該光漏れの箇所は、各薄膜トラ
ンジスタと基板面に沿って離間しているので、漏れた光
のうち薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領
域まで達するものを極力低減できる。

【００３０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光部材は、高融点金属を含む膜からなる。

【００３１】この態様によれば、遮光部材は、例えば、
Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステ
ン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融
点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合
金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層し
たもの等の高融点金属を含む膜からなる。したがって、
本態様の電気光学装置を製造する際において、このよう
な遮光部材を形成した後に、何ら問題なく高温度環境下
におけるプロセス（例えば、薄膜トランジスタを構成す
る半導体層のアニール処理等）を実施することが可能と
なる。つまり、遮光部材は、「高融点」であるがゆえ、
そのような高温度環境に耐えうる。また、上述のような
遮光部材によれば、良好な遮光性能も同時に得られる。

【００３２】前記遮光部材における前記薄膜トランジス
タおよび前記配線の上層として設けられる部位は、低融
点金属を含む膜からなる。

【００３３】この態様によれば、遮光部材における薄膜
トランジスタ及び配線の上層として設けられる部位につ
いては、上記した高融点金属を含む膜からなる遮光部材
に関する作用効果との対比から推察されるように、遮光
性能のみに着目した材料選択が可能であることを意味す
る。すなわち、本態様によれば、遮光部材全体として、
より高い遮光性能を発揮させることが可能となる。な
お、その材料としては、例えば、Ａｌ等を挙げることが
できる。

【００３４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記配線は、相交差する走査線及びデータ線を含み、前記
遮光部材は、平面的に見て格子状に形成されている。

【００３５】この態様によれば、画像表示領域には、走
査線及びデータ線が相交差して格子状に配線されている
が、これらは、格子状に形成された遮光部材により、す
っぽりと立体的に覆われている。このため、走査線及び
データ線付近を介してこれらに接続された薄膜トランジ
スタに光が漏れる可能性を低減できる。

【００３６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板上に、前記遮光部材により立体的に覆われた空間
内に配置されており前記画素電極に接続された蓄積容量
を更に備える。

【００３７】この態様によれば、遮光部材により立体的
に覆われた空間内に蓄積容量を構築するので、蓄積容量
の存在により遮光性能が低下することを防ぎつつ、画素
電極に対して蓄積容量を付加することにより、画素電極
における電位保持特性を顕著に高められる。

【００３８】本発明の第１の電気光学装置の製造方法
は、基板上に画素電極と、該画素電極に接続された薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線
と、前記薄膜トランジスタ及び前記配線を立体的に覆う
遮光部材とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記遮光部材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線
を下側及び周囲から覆う部位を形成する工程と、前記遮
光部材のうち前記下側から覆う部位の上層として前記薄
膜トランジスタ及び前記配線を形成する工程と、前記薄
膜トランジスタ及び前記配線の上層として層間絶縁膜を
形成する工程と、該層間絶縁膜に対して平坦化処理を実
施する工程と、該平坦化処理が実施された層間絶縁膜上
に、前記遮光部材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記
配線を上側から覆う部位を形成する工程とを含む。

【００３９】本発明の第１の電気光学装置の製造方法に
よれば、画素電極をこれに接続された薄膜トランジスタ
によりスイッチング制御することにより、アクティブマ
トリクス駆動方式による駆動を行える電気光学装置が製
造される。そして、遮光部材は、薄膜トランジスタの下
側及び周囲から覆う部位を形成する工程及び上側から覆
う部位を形成する工程とを経て、該薄膜トランジスタを
立体的に覆うものとして形成される。したがって、基板
面に対して上方から垂直に、あるいは斜めに進行する入
射光及び基板面に対して下方から垂直に、あるいは斜め
に入射する戻り光、並びにこれらに基づく内面反射光及
び多重反射光等が、薄膜トランジスタのチャネル領域及
びチャネル隣接領域に入射するのを、遮光部材により阻
止できる。加えて、遮光部材により、各画素の非開口領
域を精度よく格子状に規定できる。

【００４０】ここで特に、遮光部材の一部たる、薄膜ト
ランジスタ及び配線を上側から覆う部位は、該薄膜トラ
ンジスタ及び配線の上層として形成され、かつ平坦化処
理が施された層間絶縁膜上に形成される。ここに、平坦
化処理とは、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Po
lishing）処理やＳＯＧ（Spin On Glass）膜形成処理等
が考えられる。すなわち、本態様によれば、遮光部材に
おける薄膜トランジスタ及び配線を上側から覆う部位
を、平坦面を有するものとして形成することが容易に可
能となる。

【００４１】また、これにより、当該部位の上層として
設けられる層ないし構造をも平坦な面を有するものとし
て形成することが可能となる。これにより、例えば、前
記層ないし構造として配向膜を設けることを想定する
と、該配向膜を設けようとする面は平坦であるがゆえ、
その塗布不良等が生じることがなく、また、そのような
平坦面に形成された配向膜もまた平坦であるがゆえ、該
膜に対するラビング処理を均一に実施すること、等が可
能となる。つまり、電気光学装置全体の製造を容易にす
ることが可能となる。

【００４２】加えて、当該平坦とされた部位の上層とし
て設けられる層ないし構造が有する概ね平坦な面上に、
当該部位の下層に存在する薄膜トランジスタや配線によ
る凹凸と無関係な所望形状の凸部を積極的に形成するこ
とも容易となる。例えば、縦電界を想定した駆動方式に
とって好ましくない、隣接画素電極間で発生する横電界
を低減すべく、隣接画素電極間にのみ高精度で凸部を形
成することも可能である。

【００４３】本発明の第２の電気光学装置の製造方法
は、基板上に画素電極と、該画素電極に接続された薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線
と、前記薄膜トランジスタ及び前記配線を立体的に覆う
遮光部材とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記遮光部材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線
を下側及び周囲から覆う部位を形成する工程と、前記遮
光部材のうち前記下側から覆う部位の上層として前記薄
膜トランジスタ及び前記配線を形成する工程と、前記薄
膜トランジスタ及び前記配線の上層として層間絶縁膜を
形成する工程と、該層間絶縁膜上に、前記遮光部材のう
ち前記薄膜トランジスタ及び前記配線を上側から覆う上
側遮光膜を形成する工程と、該上側遮光膜に対して平坦
化処理を実施して前記遮光部材のうち前記薄膜トランジ
スタ及び前記配線を上側から覆う部位を形成する工程と
を含む。

【００４４】本発明の第２の電気光学装置の製造方法に
よれば、薄膜トランジスタ及び配線を上側から覆う部位
を含む上側遮光膜に対しては、平坦化処理が実施され
る。すなわち、本態様によれば、遮光部材における薄膜
トランジスタ及び配線を上側から覆う部位を、平坦面を
有するものとして形成することが容易に可能となる。こ
れにより、当該部位の上層として設けられる層ないし構
造をも平坦な面を有するものとして形成することが可能
となる。これにより、例えば、前記層ないし構造として
配向膜を設けることを想定すると、該配向膜を設けよう
とする面は平坦であるがゆえ、その塗布不良等が生じる
ことがなく、また、そのような平坦面に形成された配向
膜もまた平坦であるがゆえ、該膜に対するラビング処理
を均一に実施すること、等が可能となる。つまり、電気
光学装置全体の製造を容易にすることが可能となる。

【００４５】加えて、当該平坦とされた部位の上層とし
て設けられる層ないし構造が有する概ね平坦な面上に、
当該部位の下層に存在する薄膜トランジスタや配線によ
る凹凸と無関係な所望形状の凸部を積極的に形成するこ
とも容易となる。例えば、縦電界を想定した駆動方式に
とって好ましくない、隣接画素電極間で発生する横電界
を低減すべく、隣接画素電極間にのみ高精度で凸部を形
成することも可能である。

【００４６】本発明の第１又は第２の電気光学装置の製
造方法の一態様では、基板上に溝を形成する工程を更に
含み、前記基板の面並びに前記溝の底面及び側壁に、前
記遮光部材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線を
下側及び周囲から覆う部位を形成する。

【００４７】この態様によれば、上述した本発明の電気
光学装置であって、第１遮光層及び第２遮光層並びに層
間絶縁膜を有する態様となるもの（ただし、その各種態
様も含む。）を比較的容易に製造することができる。

【００４８】本発明の第１又は第２の電気光学装置の製
造方法の他の態様では、前記上側から覆う部位に、前記
薄膜トランジスタと前記画素電極と接続するための穴を
開孔する工程と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極
とを前記穴を介して接続する遮光性の導電膜を形成す
る。

【００４９】本態様によれば、薄膜トランジスタと画素
電極とを接続するための穴が開孔されているから、これ
らの接続を容易になすことができる。また、この「穴」
は、一般に、遮光部材における平坦とされた部位の、ご
く一部にのみ形成すればよいから、薄膜トランジスタへ
の光入射が仮にあったとしても、それを最小限に抑える
ことが可能となる。さらに、本態様では、薄膜トランジ
スタと画素電極とを前記穴を介して接続する遮光性の導
電膜を形成することから、遮光部材で囲まれた内部空間
に対して外部からの光漏れが生じやすい画素電極と薄膜
トランジスタとの接続箇所における光漏れを確実に阻止
できる。なお、遮光性の導電膜の材質としては、例え
ば、ＴｉＮ（チタンナイトライド）、ＷＳｉ_２（タング
ステンシリサイド）等が適している。

【００５０】本発明の電子機器は、上記課題を解決する
ために、上述した本発明の電気光学装置（ただし、その
各種態様も含む。）からなるライトバルブと、該ライト
バルブに投射光を照射する光源と、前記ライトバルブか
ら出射される投射光を投射する光学系とを備える。

【００５１】本発明の電子機器によれば、光源から投射
光がライトバルブに照射され、ライトバルブから出射さ
れる投射光は、光学系により、スクリーン等に投射され
る。この際、当該ライトバルブは、上述した本発明の電
気光学装置からなるので、投射光強度を高めても、前述
のごとく優れた遮光性能によって光リーク電流の低減さ
れた薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチ
ング制御できる。この結果、最終的に明るく高コントラ
ストの画像を表示することが可能となる。

【００５２】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５４】まず、本発明の実施形態の画素部における
構成について、図１から図４を参照して説明する。図１
は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス
状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の
等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ´断面図で
あり、図４はＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層
体部分に係る図２のＢ−Ｂ´断面図である。

【００５５】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画
素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と
が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａ
が当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接す
る複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給
するようにしてもよい。

【００５６】また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、こ
の順に線順次で印加するように構成されている。画素電
極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されて
おり、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だ
けそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから
供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイ
ミングで書き込む。

【００５７】画素電極９ａを介して電気光学物質の一例
としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極
との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧
レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として
電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをも
つ光が出射する。

【００５８】ここで保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成さ
れる液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線
３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含
むとともに定電位に固定された容量線３００が設けられ
ている。

【００５９】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００６０】走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右
上がりの細かい斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に
対向するように配置されており、ゲート電極として機能
する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差
する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３
ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイ
ッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００６１】ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ
（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成
要素としては、上述したようにゲート電極として機能す
る走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３
ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａ
のチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを
絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａに
おける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１
ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域
１ｅを備えている。

【００６２】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示
したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わ
ないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部
からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打
ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレ
イン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであって
もよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高
濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲ
ート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極
を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるい
はトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネル
とソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することができる。さら
に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層で
も単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合
わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層
１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化
を図ることができる。

【００６３】一方、図２から図４に示すように、蓄積容
量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画
素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中
継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００
の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されること
により形成されている。この蓄積容量７０によれば、画
素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが
可能となる。

【００６４】中継層７１は、例えば導電性のポリシリコ
ン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただ
し、中継層７１は、後に詳述する容量線３００と同様
に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成し
てもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての
機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、
画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと
を中継接続する機能をもつ。

【００６５】このように中継層７１を利用すれば、層間
距離が例えば２０００ｎｍ程度と長くても、両者間を一
つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避し
つつ、比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホール
で両者間を良好に接続することができ、画素開口率を高
めることが可能となる。また、コンタクトホール開孔時
におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。

【００６６】ちなみに、これと同様の視点から、データ
線６ａは、中継層７１と同一導電膜から形成されている
中継層７２を中継することにより、コンタクトホール８
１及び８２を介して半導体層１ａのうち高濃度ソース領
域１ｄに接続されている。

【００６７】なお、上述したコンタクトホール８５は、
図２に示すように、相隣接するＴＦＴ３０の中間地点に
位置するように形成されている。この中間地点とは、す
なわち、各ＴＦＴ３０からみて最も離間した位置である
ことを意味する。また、このコンタクトホール８５が開
孔されることにより、後述する上側遮光膜４０１の所定
の箇所には、穴４０１ａが形成されることになる。

【００６８】容量線３００は、例えば金属又は合金を含
む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。
ちなみに、容量線３００は、平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に延びており、ＴＦＴ３０に重な
る箇所が図２中上下に突出している。これにより、走査
線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、
蓄積容量７０の形成領域を増大している。

【００６９】また、容量線３００は、例えば、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも
一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシ
リサイド、これらを積層したもの等からなり、蓄積容量
７０の固定電位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ
３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮
光層としての機能をもつ。ただし、容量線３００は、例
えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点
金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層
された多層構造をもってもよい。

【００７０】また、容量線３００は、好ましくは、画素
電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲
に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位
とされる。このような定電位源としては、データ線駆動
回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でも
よいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電
位でも構わない。

【００７１】誘電体膜７５は、例えば、膜厚５〜２００
ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（HighTemperature Oxid
e）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シ
リコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。
蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十
分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよ
い。

【００７２】さて他方、図２から図４に示すように、図
２中で右下がりの粗い斜線領域で示した格子状の領域に
は、ＴＦＴアレイ基板１０に溝１０ＣＶが掘られてお
り、更に、この溝１０ＣＶ内には、下側遮光膜１１ａが
設けられている。上述したＴＦＴ３０等は、図３及び図
４からわかるように、この下側遮光膜１１ａ上に形成さ
れている。このような下側遮光膜１１ａは、容量線３０
０と同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の
高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、
合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層
したもの等からなる。

【００７３】また、図２中右下がりの粗い斜線領域で示
した格子状の領域、すなわち上記溝１０ＣＶが掘られて
いる領域には、該領域を蓋で覆うかのようにして、上側
遮光膜４０１が形成されている。このような上側遮光膜
４０１は、上記した下側遮光膜１１ａと同じく、例え
ば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうち
の少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から形
成されている。ただ、上側遮光膜４０１については、上
記のほか、低融点金属のＡｌ等も使用することが可能で
ある。

【００７４】さらに、前記溝１０ＣＶには、その側壁を
覆うようにして、側壁遮光膜４０２が形成されている。
より詳細にいうと、平面的に見て上側遮光膜４０１の輪
郭に沿う幅狭の堀であって、かつ、鉛直方向において上
側遮光膜４０１から下側遮光膜１１ａに至る堀を埋める
ような形で、側壁遮光膜４０２は存在する。なお、上側
遮光膜４０１及び下側遮光膜１１ａ間には、図２からわ
かるように、第４、第３及び第２層間絶縁膜４４、４３
及び４２、誘電体膜７５、第１層間絶縁膜４１、下地絶
縁膜１２が存在するから、側壁遮光膜４０２は、これら
各層間にわたって存在することになる。このような側壁
遮光膜４０２は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを
積層したもの等から形成されている。

【００７５】ただし、これらの下側遮光膜１１ａ、上側
遮光膜４０１及び側壁遮光膜４０２は、同一の遮光膜か
ら形成されてもよいが、相異なる遮光膜から形成されて
もよい。

【００７６】特に、図３及び図４に示すように、本実施
形態では、ＴＦＴ３０、走査線３ａ、データ線６ａ、蓄
積容量７０等の画像表示領域におけるＴＦＴアレイ基板
１０上に形成された配線や素子は、下側遮光膜１１ａ、
上側遮光膜４０１及び側壁遮光膜４０２により立体的に
遮光されている。

【００７７】また、上側遮光膜４０１においては、その
面が平坦とされている。本実施形態においては、例え
ば、ＣＭＰ処理等その他の平坦化処理が施された第３層
間絶縁膜４３上に、上側遮光膜４０１が形成されている
ことにより、該遮光膜４０１の平坦化が自然に図られて
いる。

【００７８】ちなみに、これら下側遮光膜１１ａ、上側
遮光膜４０１及び側壁遮光膜４０２については、その電
位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避け
るため、上述した容量線３００と同様に、画像表示領域
からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。

【００７９】さらに、図３に示すように、画素電極９ａ
と中継層７１とを接続するコンタクトホール８５には、
導電性の遮光膜４０３が配置されており、下側遮光膜１
１ａ、上側遮光膜４０１及び側壁遮光膜４０２によって
規定される空間内に、コンタクトホール８５の付近から
光が進入しないように遮光を行う。この遮光膜４０３
は、画素電極９ａとの間で電気的な接続が図られる部材
であるから、その材質としては、遮光性能が優れている
ことに加えて、電位障壁等に係る不都合を発生させない
ようなもの、具体的には例えば、ＴｉＮ（チタンナイト
ライド）、ＷＳｉ _２（タングステンシリサイド）等が適
している。

【００８０】図２から図４においては、上記のほか、Ｔ
ＦＴ３０の下側に、下地絶縁膜１２が設けられている。
下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を
層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面
に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面
研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイ
ッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有
する。

【００８１】また、走査線３ａ上には、高濃度ソース領
域１ｄへ通じるコンタクトホール８２（該ホール８２
は、中継層７２及びコンタクトホール８１を開始データ
線６ａに通じる。）及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じ
るコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間
絶縁膜４１が形成されている。

【００８２】第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、
中継層７２及び容量線３００が形成されており、これら
の上には中継層７２へ通じるコンタクトホール８１及び
中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開
孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００８３】なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４
１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、
半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に
注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層
間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないこ
とにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの
緩和を図るようにしてもよい。

【００８４】第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａ
が形成されており、これらの上には中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３
が形成されている。すでに述べたように、この第３層間
絶縁膜４３に対しては、ＣＭＰ処理等が施され、その表
面が平坦化されている。そして、これにより、その上層
として設けられた上側遮光膜４０１をも平坦面を有する
ものとして形成することを容易にする。

【００８５】そして、このような第３層間絶縁膜４３上
には、既述のコンタクトホール８５が形成された第４層
間絶縁膜４４が形成され、該第４層間絶縁膜４４上に
は、既述の画素電極９ａ、及び後述の配向膜１６が形成
されている。

【００８６】図２及び図３において、電気光学装置は、
以上のような構造をその上層として有する、透明なＴＦ
Ｔアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２
０とを備えている。ちなみに、ＴＦＴアレイ基板１０
は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板から
なり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板か
らなる。

【００８７】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。また、
配向膜１６は、例えばポリイミド膜等の有機膜からな
る。

【００８８】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている、対向電極２１は、例えば、ＩＴＯ膜等の
透明導電性薄膜からなる。また、配向膜２２は、例えば
ポリイミド膜等の有機膜からなる。

【００８９】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材に
より囲まれた空間に電気光学物質の一例たる液晶が封入
され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電
極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６
及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、
例えば一種又は複数種のネマテッィク液晶を混合した液
晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例え
ば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、
両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバあ
るいはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

【００９０】以上説明したように、本実施形態では、Ｔ
ＦＴ３０、走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０等
の画像表示領域におけるＴＦＴアレイ基板１０上に形成
された配線や素子は、下側遮光膜１１ａ、上側遮光膜４
０１及び側壁遮光膜４０２により立体的に遮光されてい
る。このため、基板面に対して上方から垂直に、あるい
は斜めに進行する入射光及び基板面に対して下方から垂
直に、あるいは斜めに入射する戻り光、並びにこれらに
基づく内面反射光及び多重反射光等が、ＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ド
レイン領域１ｃに入射するのを、下側遮光膜１１ａ、上
側遮光膜４０１及び側壁遮光膜４０２により阻止でき
る。加えて、図２に示したように、これらの遮光膜によ
り、各画素の非開口領域を制度よく格子状に規定でき
る。

【００９１】さらに、本実施形態では、コンタクトホー
ル８５には、遮光膜４０３が形成されているので、外部
からの光漏れが生じやすいコンタクトホール８５におけ
る光漏れを確実に阻止できる。加えて、コンタクトホー
ル８５は、図２に示したように、横方向に相隣接するＴ
ＦＴ３０間の中央に位置するので、コンタクトホール８
５を介して若干の光漏れが生じたとしても、この光漏れ
の箇所は、各ＴＦＴ３０から比較的離間しているため、
漏れた光がＴＦＴ３０にまで到達することが殆どない。

【００９２】これらの結果、本形態によれば、耐光性を
高めることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射
するような過酷な条件下にあっても、光リーク電流の低
減されたＴＦＴ３０により画素電極９ａを良好にスイッ
チング制御でき、最終的には明るく高コントラストの画
像を表示することが可能となる。

【００９３】また、本実施形態では、上側遮光膜４０１
において、その面が平坦とされているから、該上側遮光
膜４０１上に、何らかの層ないし構造を形成する場合、
当該層ないし構造が形成される面、あるいは該層ないし
構造自体が有する面についても、これを平坦にすること
が可能となる。すなわち、当該層ないし構造が、例え
ば、上述の配向膜１６であると考えれば、配向膜１６が
形成される面、あるいは配向膜１６自体の有する面は、
平坦となる。したがって、一般に、段差が存在すること
により、その発生が懸念される配向膜１６の塗布不良
は、本実施形態においては殆ど発生しない。また、配向
膜１６に関して必要となるラビング処理は、該配向膜１
６自体の有する面が平坦であることから、これを均一に
実施することができる。

【００９４】なお、本実施形態においては、対向基板２
０において、コンタクトホール８５に対向する位置に遮
光層を設けてもよい。このような構成にすれば、コンタ
クトホール８５付近からの光の進入をより低減できる。

【００９５】（製造方法）次に、上述した実施形態の電
気光学装置の製造プロセスについて、図５から図７を参
照して説明する。ここに、図５乃至図７は、製造プロセ
スの各工程における電気光学装置の積層構造を、図３の
断面図のうち半導体層１ａ付近に係る部分に関して、順
を追って示す工程図である。なお、図５乃至図７におい
て、工程（１）から工程（９）として示したそれぞれの
図の右方は、破断線によってその図示が一部省略されて
いる。

【００９６】まず、図５の工程（１）に示すように、石
英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ
基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）
等の不活性ガス雰囲気で約９００〜１３００℃の高温で
アニール処理し、後に実施される高温プロセスにおける
ＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪が少なくなるように前
処理しておく。

【００９７】次に、このように処理されたＴＦＴアレイ
基板１０に対して、図２で示したような格子状の溝１０
ＣＶを形成する。この溝１０ＣＶの形成は、例えば、フ
ォトリソグラフィ及びエッチングによって行うことがで
きる。

【００９８】なお、この溝１０ＣＶの深さは比較的深
く、例えば、概ね５０００ｎｍ程度とするとよい。これ
は、本実施形態において、該溝１０ＣＶ内に、以下述べ
るようなＴＦＴ３０や蓄積容量７０等を形成しなければ
ならない関係による。ただ、このことからもわかるとお
り、溝１０ＣＶの深さの具体的な値は、そのようなＴＦ
Ｔ３０等や各層の厚さを実際上どうするかによって決ま
り、本質的に設計的事項に属する事柄である。

【００９９】続いて、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド
等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５
００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚の遮
光膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッ
チングにより、溝１０ＣＶの底面及び側壁に対して、前
記遮光膜が残存するように下側遮光膜１１ａ及び側壁遮
光膜４０２を形成する。すなわち、本実施形態において
は、下側遮光膜１１ａ及び側壁遮光膜４０２は、一体的
に、かつ同時に形成されることになる。

【０１００】これら下側遮光膜１１ａ及び側壁遮光膜４
０２は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融
点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合
金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層し
たもの等によって形成するのが好ましい。ここで、これ
ら遮光膜４０１及び４０２の材質として、「高融点」の
材料を選択しておけば、例えば、後述する半導体層１ａ
の形成におけるアニール処理等を高温で実施しても何ら
問題が発生しない。すなわち、下側遮光膜１１ａ及び側
壁遮光膜４０２は、そのような高温処理に耐えることが
可能となる。

【０１０１】次に、工程（２）では、下側遮光膜１１ａ
上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ(Chemical Vapor De
position)法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オル
ソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボー
トレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・
フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケー
トガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ
（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシ
リケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコ
ン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成
する。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜
２０００ｎｍ程度とする。

【０１０２】続いて、下地絶縁膜１２上に、約４５０〜
５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中
で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガ
ス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力
約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリ
コン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００
〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは４〜６時間
のアニール処理を施すことにより、ｐ−Ｓｉ（ポリシリ
コン）膜を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１
００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長さ
せる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処理でもよ
いし、エキシマレーザ等を用いたレーザアニールでもよ
い。この際、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を、ｎチ
ャネル型とするかｐチャネル型とするかに応じて、Ｖ族
元素やＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等
によりドープしてもよい。そして、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層
１ａを形成する。

【０１０３】続いて、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１
ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１００
０℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成
し、あるいはこれに続けて減圧ＣＶＤ法等により上層ゲ
ート絶縁膜を形成することにより、一層又は多層の高温
酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる
（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２を形成する。この結
果、半導体層１ａは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ま
しくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さ
は、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１
００ｎｍの厚さとなる。

【０１０４】続いて、画素スイッチング用のＴＦＴ３０
のスレッシュホールド電圧Ｖｔｈを制御するために、半
導体層１ａのうちｎチャネル領域あるいはｐチャネル領
域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だ
けイオン注入等によりドープする。

【０１０５】次に、工程（３）では、減圧ＣＶＤ法等に
よりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散
して、このポリシリコン膜を導電化する。この熱拡散に
代えて、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入
したドープドシリコン膜を用いてもよい。このポリシリ
コン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好まし
くは約３５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラ
フィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部
を含めて所定のパターンの走査線３ａを形成する。

【０１０６】次に、前記半導体層１ａについて、低濃度
ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成する
ため、あるいは高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイ
ン領域１ｅを形成する。

【０１０７】ここでは、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造をもつ
ｎチャネル型のＴＦＴとする場合を説明すると、具体的
にまず、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域
１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）をマ
スクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパンを低濃度で（例
えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１３ｃｍ^２のドーズ量に
て）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１
ａはチャネル領域１ａ´となる。このとき走査線３ａが
マスクの役割を果たすことによって、低濃度ソース領域
１３ｂ及び低濃度ドレイン領域１３ｃは自己整合的に形
成されることになる。次に、高濃度ソース領域１ｄ及び
高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａ
よりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層を走査
線３ａ上に形成する。その後、Ｐ等のＶ続元素のドーパ
ントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１５
／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。

【０１０８】なお、このように低濃度と高濃度の２段階
に分けて、ドープを行わなくてもよい。例えば、低濃度
のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしても
よく、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐイ
オン・Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフ
アライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープ
により、走査線３ａは更に低抵抗化される。

【０１０９】次に、図６の工程（４）では、走査線３ａ
上に、例えば、ＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、ＴＭＯＰガ
ス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法等により、ＮＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒
化シリコン膜や酸化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜
４１を形成する。この第１層間絶縁膜４１の膜厚は、例
えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。ここで好まし
くは、８００℃程度の高温でアニール処理し、第１層間
絶縁膜４１の膜質を向上させておく。

【０１１０】続いて、第１層間絶縁膜４１に対する反応
性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等
のドライエッチングにより、コンタクトホール８２及び
８３を同時開孔する。

【０１１１】続いて、第１層間絶縁膜４１上に、Ｐｔ等
の金属膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎ
ｍ程度の膜厚に形成する。そして、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより、所定パターンをもつ中継層７１
及び７２を形成する。

【０１１２】続いて、プラズマＣＶＤ法等により、Ｔａ
Ｏｘ膜等からなる誘電体膜７５を、中継層７１上に形成
する。この誘電体膜７５は、絶縁膜２の場合と同様に、
単層膜又は多層膜のいずれから構成してもよく、一般に
ＴＦＴゲート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公
知技術により形成可能である。そして、誘電体膜７５を
薄くする程、蓄積容量７０は大きくなるので、結局、膜
破れなどの欠陥が生じないことを条件に、膜厚５０ｎｍ
以下のごく薄い絶縁膜となるように形成すると有利であ
る。

【０１１３】続いて、誘電体膜７５上に、Ａｌ等の金属
膜を、スパッタリングにより、約１００〜５００ｎｍ程
度の膜厚に形成する。そして、フォトリソグラフィ及び
エッチングにより、所定パターンをもつ容量線３００を
形成する。これにより、該容量線３００と前述の中継層
７１及び誘電体膜７５とによって、蓄積容量７０が完成
する。

【０１１４】次に、工程（５）では、例えば、ＴＥＯＳ
ガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒
化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁
膜４２を形成する。この第２層間絶縁膜４２の膜厚は、
例えば約５００〜１５００ｎｍ程度とする。

【０１１５】続いて、第２層間絶縁膜４２に対する反応
性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等
のドライエッチングにより、コンタクトホール８１を開
孔する。

【０１１６】続いて、第２層間絶縁膜４２上の全面に、
スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属
や金属シリサイド等を金属膜として、約１００〜５００
ｎｍ程度の厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。
そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所
定パターンをもつデータ線６ａを形成する。

【０１１７】次に、工程（６）では、データ線６ａ上を
覆うように、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は
減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリ
コン膜等からなる第３層間絶縁膜４３を形成する。この
第３層間絶縁膜４３の膜厚は、例えば約５００〜１５０
０ｎｍ程度とする。

【０１１８】本実施形態においては、次工程たる図７の
工程（７）に示すように、この第３層間絶縁膜４３に対
して平坦化処理を実施する。ここに、平坦化処理とは、
例えば、ＣＭＰ処理、又はＳＯＧ膜形成処理等を挙げる
ことができる。前者のＣＭＰ処理とは、基板と研磨布
（パッド）の両者を回転等させながら、それぞれの表面
同士を当接させるとともに、該当接部位に研磨液（スラ
リー）を供給することによって、基板表面を、機械的作
用と化学作用の兼ね合いにより研磨し、当該表面を平坦
化する技術である。また、後者のＳＯＧ膜形成処理と
は、基板を回転させながら液体状の適当な有機材等を塗
布することにより、液体のもつ水平面を現出させ、これ
を固化させることで平坦化面を得ることの可能な技術で
ある。

【０１１９】いずれにしても、このような平坦化処理を
実施することにより、第３層間絶縁膜４３の上面は平坦
なものとして現出される。

【０１２０】なお、より好ましくは、ＣＭＰ処理を実施
するとよく、この場合、図７の工程（７）に示すよう
に、研磨表面に、先に成膜した側壁遮光膜４０２が現れ
るまで研磨を実施すると好ましい。この場合において
は、図７の工程（７）に示すように、第３層間絶縁膜４
３を初めとして、下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶
縁膜４１及び４２をも研磨することになる。したがっ
て、これら絶縁膜の材質としては、ＣＭＰ処理に適した
材料を選択するのが好ましい。具体的には、例えば、Ｎ
ＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス
膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等が挙げられる。

【０１２１】次に、工程（８）では、上述したように平
坦化処理が施された第３層間絶縁膜４３上に、上側遮光
膜４０１を形成する。この上側遮光膜４０１は、具体的
には、第３層間絶縁膜４３上の全面に対して、スパッタ
リング法等を用いて遮光膜を形成した後、フォトリソグ
ラフィ及びエッチングによって、所定パターンを有する
ようにパターニングする、等の手段により形成すること
が可能である。ここで所定パターンとは、上述で、溝１
０ＣＶが格子状に形成されていた（すなわち、下側遮光
膜４０１が格子状に形成されていた）ことから、これに
合致するような格子状に形成することが好ましい。

【０１２２】また、上側遮光膜４０１の材質は、例え
ば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうち
の少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から選
択するとよい。ただ、上側遮光膜４０１については、上
記のほか、低融点金属のＡｌ等も使用することが可能で
ある。というのも、上述のような上側遮光膜４０１の形
成以降は、一般に、高温環境下でのプロセスが実施され
ないからである。したがって、上側遮光膜４０１に関し
ては、高温環境下における耐性等についての懸念を抱く
ことなく、単に、遮光性能のみに視点を置いた材料選択
を実施しても大きな問題はない。

【０１２３】この上側遮光膜４０１の形成により、図７
の工程（８）として示す図からも明らかな通り、ＴＦＴ
３０及び蓄積容量７０等は、下側遮光膜１１ａ、側壁遮
光膜４０２及び上側遮光膜４０１の三者により、立体的
に遮光されることになる。また、上側遮光膜４０１は平
坦化処理の施された第３層間絶縁膜４３上に形成される
ことから、該上側遮光膜４０１もまた平坦面を有するも
のとなる。

【０１２４】以上までの工程を終えたら、第３層間絶縁
膜４３に対する反応性イオンエッチング、反応性イオン
ビームエッチング等のドライエッチングにより、図５か
ら図７において図示しないコンタクトホール８５（図１
から図３参照）を開孔する。このコンタクトホール８５
の開孔に伴い、上側遮光膜４０１の所定の箇所には穴４
０１ａが形成される。また、その開孔位置は、相隣接す
るＴＦＴ３０間の中間点となるような位置を選択すると
よい。なぜなら、該位置にコンタクトホール８５を開孔
することによれば、光の進入が生じやすいと考えられる
該ホール８５と、各ＴＦＴ３０とを最も離間させること
が可能となるからである。

【０１２５】そして次に、本実施形態においては、この
コンタクトホール８５の内壁に対して、導電性の遮光膜
４０３を形成する。この形成は、例えば、第３層間絶縁
膜４３上の全面に対してＣＶＤ法等によって成膜した
後、フォトリソグラフィ及びエッチングを実施すること
によって行うことができる。また、この遮光膜４０３
は、後述する画素電極９ａとの間で電気的な接続が図ら
れる部材であるから、その材質としては、遮光性能が優
れていることに加えて、電位障壁等に係る不都合を発生
させないようなもの、具体的には例えば、ＴｉＮ（チタ
ンナイトライド）、ＷＳｉ_２（タングステンシリサイ
ド）等が適している。

【０１２６】この遮光膜４０３の存在により、最も光の
進入が考えられるコンタクトホール８５からＴＦＴ３０
への光入射を阻止することが可能となる。

【０１２７】続いて、工程（９）では、第３層間絶縁膜
４３上に、第４層間絶縁膜４４を形成する。そして次
に、この第４層間絶縁膜４４上に、スパッタ処理等によ
り、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍ
の厚さに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエ
ッチングにより、画素電極９ａを形成する。なお、当該
電気光学装置を、反射型として用いる場合には、Ａｌ等
の反射率の高い不透明な材料によって画素電極９ａを形
成してもよい。

【０１２８】続いて、画素電極９ａの上に、ポリイミド
系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト
角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこ
と等により、配向膜１６が形成される。

【０１２９】本実施形態においては、図７の工程（９）
として示す図からも明らかな通り、上述の画素電極９ａ
及び配向膜１６は、極めて平坦に形成することが可能と
なる。これは、その下層に存在する上側遮光膜４０１が
平坦であるからに他ならない。したがって、上述の配向
膜１６の塗布不良等が発生することがなく、また、該配
向膜１６に対する均一なラビング処理等を実施すること
ができる。

【０１３０】他方、対向基板２０については、ガラス基
板等がまず用意され、額縁としての遮光膜が、例えば金
属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ及びエ
ッチングを経て形成される。なお、これらの遮光膜は、
導電性である必要はなく、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属材
料のほか、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した
樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。ただし、本
実施形態においては、上述したように、薄膜トランジス
タが下側遮光膜１１ａ、上側遮光膜４０１及び側壁遮光
膜４０２により立体的に遮光されているので、その遮光
性能は一般の電気光学装置に比べて優れている。そし
て、対向基板２０側に設けられる遮光膜についても、薄
膜トランジスタへの光入射を遮る作用が要求されている
ことを鑑みると、該遮光膜については、その設置を省略
するか、あるいは簡略化することが可能である。

【０１３１】その後、対向基板２０の全面にスパッタ処
理等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００
ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成
する。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系の配
向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をも
つように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等に
より、配向膜２２が形成される。

【０１３２】最後に、上述のように、各層が形成された
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６
及び２２が対面するようにシール材により貼り合わさ
れ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数
種のネマテッィク液晶を混合してなる液晶が吸引され
て、所定層厚の液晶層５０が形成される。

【０１３３】以上説明した製造プロセスにより、前述し
た実施形態の電気光学装置を製造できる。

【０１３４】なお、上記においては、ＴＦＴ３０だけで
なく蓄積容量７０も、下側遮光膜１１ａ、側壁遮光膜４
０２及び上側遮光膜４０１によって規定される空間内に
作りこまれていたが、場合によって、その必要はない。
すなわち、ＴＦＴ３０のみを形成する場合であってもよ
く、本発明は、そのような形態も当然にその範囲内に収
めるものである。

【０１３５】また、上記においては、第３層間絶縁膜４
３に対して平坦化処理を施した後、該膜４３上に上側遮
光膜４０１を形成することによって、上側遮光膜４０１
の平坦化を実現していたが、本発明は、このような形態
のみに限定されない。例えば、図７の工程（７）におい
て、第３層間絶縁膜４３に対して平坦化処理を実施する
のに代えて、当該処理が施されていない第３層間絶縁膜
４３に対して、まず上側遮光膜を所定の厚さだけ成膜
し、この上側遮光膜４０１に対して平坦化処理を実施す
る、等の方法も考えられる。この場合、そのような平坦
化処理が完了した状態で、図５から図７に示す図中左右
両側の側壁遮光膜４０２間に、当該平坦化処理済の上側
遮光膜が存在していなければならないから、前記所定の
厚さ、あるいはＣＭＰによる研磨の程度は、そのような
点を勘案して決定することができる。また、このような
場合、当該上側遮光膜及び側壁遮光膜４０２との間に
は、各種層間絶縁膜が残存することになるから、遮光能
のない間隙が生ずることにはなるが、そのような形態
も、本発明にいう「立体的に覆う」の概念の範囲内に入
ることはすでに述べた。

【０１３６】さらに、本発明は、図５の工程（３）とし
て示す状態以降、すなわちＴＦＴ３０を形成した後であ
れば、上側遮光膜４０１を形成するタイミングを基本的
にどこにとってもよい。例えば、第１層間絶縁膜４１上
に上側遮光膜を形成すること等も考えうる。

【０１３７】加えて、上記では、下側遮光膜１１ａ及び
側壁遮光膜４０２が一体的に、かつ同時に形成される製
造方法について説明したが、本発明は、このような形態
にも限定されない。例えば、まず、下側遮光膜１１ａの
みを形成した後、ＴＦＴ、各種層間絶縁膜等を形成し、
その後に、コンタクトホールを形成すると同様な要領
で、平面的に見て前記ＴＦＴ周囲を巡る堀を形成した
上、該堀に対して、遮光膜の材質を例えばＣＶＤ法等に
よって「埋め込む」ような製造方法等もあり得る。この
場合、側壁遮光膜４０２及び上側遮光膜４０１を、一体
的に、かつ同時に形成するようにすると、製造工程を一
段階省略することが可能であるから有利となる。

【０１３８】また、本発明において、上記のＴＦＴアレ
イ基板１０における溝１０ＣＶの形成は必須ではない。
すなわち、下側遮光膜１１ａを基板上に形成した後、上
述と略同様な工程を実施するような形態であってもよ
い。ただし、その場合は、適当な段階において、側壁遮
光膜４０２の形成工程を独立に挿入することが必要にな
ると考えられる。

【０１３９】要するに、本発明においては、本発明にい
う「遮光部材」を構成する、本実施形態の下側遮光膜１
１ａ、側壁遮光膜４０２及び上側遮光膜４０１が、ＴＦ
Ｔ３０を立体的に遮光することの可能な配置をとるので
あれば、どのような構造であっても、またどのような製
造方法であってもよく、それらのいずれについても、本
発明の範囲内にあることに変わりはない。

【０１４０】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された本実施形態における電気光学装置の全体構成
を図８及び図９を参照して説明する。なお、図８は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０その上に形成された各構成要素とと
もに対向基板２０の側からみた平面図であり、図９は図
８のＨ−Ｈ´断面図である。

【０１４１】図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定
する額縁としての遮光膜５３が、対向基板２０側に設け
られている。ただし、このような額縁遮光膜５３の一部
又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内臓遮光膜とし
て設けられていてもよい。

【０１４２】シール材５２の外側の領域には、データ線
６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することによ
り該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及
び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一
辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所
定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆
動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二
辺に沿って設けられている。

【０１４３】走査線３ａに供給される走査信号遅延が問
題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だ
けでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動
回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配
列してもよい。

【０１４４】さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺
には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆
動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設け
られている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくと
も一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板
２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が
設けられている。そして、図９に示すように、図８に示
したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が
当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着さ
れている。

【０１４５】なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これ
らのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等
に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイ
ミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６
ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先
行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷
時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための
検査回路等を形成してもよい。

【０１４６】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、図１０及び図１１を参照して説明する。

【０１４７】まず、本実施形態の投射型カラー表示装置
の回路構成について、図１０のブック図を参照して説明
する。なお、図１０は、投射型カラー表示装置における
３枚のライトバルブのうちの１枚に係る回路構成を示し
たものである。これら３枚のライトバルブは、基本的に
どれも同じ構成を持つので、ここでは１枚の回路構成に
係る部分について説明を加えるものである。ただし、厳
密には、３枚のライトバルブでは、入力信号がそれぞれ
異なり（すなわち、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用の信号でそれぞれ
駆動され）、更にＧ用のライトバルブに係る回路構成で
は、Ｒ用及びＢ用の場合と比べて、画像を反転して表示
するように画像信号の順番を各フィールド又はフレーム
内で逆転させるか、又は水平若しくは垂直走査方向を逆
転させる点も異なる。

【０１４８】図１０において、投射型カラー表示装置
は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００
２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生
回路１００８及び電源回路１０１０を備えて構成されて
いる。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only
Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディス
ク装置等のメモリ、画像信号を同調して出力する同調回
路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック
信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の表示
情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報
処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回
路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回
路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、ク
ロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル
信号を順次生成し、クロック信号ＣＬＫとともに駆動回
路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装置
１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路
に所定電源を供給する。なお、液晶装置１００を構成す
るＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載し
てもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭
載してもよい。

【０１４９】次に、図１１を参照して、本実施形態の投
射型カラー表示装置の全体構成（特に、光学的な構成）
について説明する。

【０１５０】図１１において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載され
た液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、
それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及
び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されて
いる。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライド
ランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射
光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダ
イクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に
対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応す
るライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれ
ぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光
損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ
１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ
系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１
００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調され
た三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１
１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を
介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射され
る。

【０１５１】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可
能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子
機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】 本発明の実施形態の電気光学装置のおけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ´断面図である。

【図４】 図２のＢ−Ｂ´断面図である。

【図５】 本発明の実施形態に係る製造プロセスの各工
程における電気光学装置の積層構造を、半導体層付近に
係る部分で順を追って示す工程図（その１）である。

【図６】 本発明の実施形態に係る製造プロセスの各工
程における電気光学装置の積層構造を、半導体層付近に
係る部分で順を追って示す工程図（その２）である。

【図７】 本発明の実施形態に係る製造プロセスの各工
程における電気光学装置の積層構造を、半導体層付近に
係る部分で順を追って示す工程図（その３）である。

【図８】 本発明の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板
をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側
からみた平面図である。

【図９】 図８のＨ−Ｈ´断面図である。

【図１０】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置におけるライトバルブに係る回路構成を
示したブロック図である。

【図１１】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ´…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下側遮光膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…額縁 ７０…蓄積容量 ８１、８２、８３、８５…コンタクトホール １０１…データ線駆動回路 １０２…外部回路接続端子 １０４…走査線駆動回路 １０５…配線 １０６…導通材 ３００…容量線 ４０１…上側遮光膜 ４０２…側壁遮光膜

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ｂ 29/786 ６２７Ａ Ｆターム(参考） 2H091 FA34Y LA17 2H092 GA24 JA26 JA33 JA34 JA37 JA41 JA46 JB01 JB22 JB31 JB51 JB58 JB61 KA05 MA07 MA13 MA18 NA01 NA22 PA09 5C094 AA16 AA25 BA03 BA43 CA19 DA14 EA04 EA07 ED15 5F110 AA21 BB01 CC02 DD02 DD03 DD05 DD12 DD13 DD14 DD21 DD25 EE09 EE45 FF02 FF03 FF09 FF23 FF32 GG02 GG13 GG25 GG32 GG52 HJ01 HJ04 HJ13 HL02 HL03 HL23 HM14 HM15 NN03 NN04 NN05 NN22 NN23 NN24 NN25 NN26 NN35 NN42 NN44 NN46 NN47 NN54 NN72 NN73 PP01 PP02 PP03 PP10 PP13 QQ11 QQ19

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、 画素電極と、 該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、 該薄膜トランジスタに接続された配線と、 前記薄膜トランジスタ及び前記配線を立体的に覆うとと
   もに、該薄膜トランジスタ及び該配線の上層として設け
   られる部位が平坦とされた遮光部材とを備えたことを特
   徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記遮光部材は、 前記基板上に掘られかつ前記薄膜トランジスタ及び前記
   配線が内部に収容された溝の底面及び側壁に形成された
   第１遮光層と、 前記平坦とされた部位を含み、前記溝を上側から蓋する
   第２遮光層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の
   電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記薄膜トランジスタ及び前記配線の上
   層として設けられ、かつ、平坦化処理が施された層間絶
   縁膜を更に含み、 前記平坦とされた部位は、前記層間絶縁膜上に形成され
   ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記
   載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記平坦とされた部位には、前記薄膜ト
   ランジスタと前記画素電極とを接続するための穴が開孔
   されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
   一項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記画素電極と前記薄膜トランジスタと
   は、遮光性の導電膜を介して接続されていることを特徴
   とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学
   装置。
6. 【請求項６】 前記画素電極と前記薄膜トランジスタと
   の接続箇所は、平面的に見て相隣接する薄膜トランジス
   タ間の中央に位置することを特徴とする請求項１乃至５
   のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記遮光部材は、高融点金属を含む膜か
   らなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項
   に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記平坦とされた部位は、低融点金属を
   含む膜からなることを特徴とする請求項１乃至７のいず
   れか一項に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記配線は、相交差する走査線及びデー
   タ線を含み、前記遮光部材は、平面的に見て格子状に形
   成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれ
   か一項に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記基板上に、前記遮光部材により立
    体的に覆われた空間内に配置されており前記画素電極に
    接続された蓄積容量を更に備えたことを特徴とする請求
    項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 基板上に画素電極と、該画素電極に接
    続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接
    続された配線と、前記薄膜トランジスタ及び前記配線を
    立体的に覆う遮光部材とを有する電気光学装置の製造方
    法であって、 前記遮光部材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線
    を下側及び周囲から覆う部位を形成する工程と、前記遮
    光部材のうち前記下側から覆う部位の上層として前記薄
    膜トランジスタ及び前記配線を形成する工程と、前記薄
    膜トランジスタ及び前記配線の上層として層間絶縁膜を
    形成する工程と、 該層間絶縁膜に対して平坦化処理を実施する工程と、 該平坦化処理が実施された層間絶縁膜上に、前記遮光部
    材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線を上側から
    覆う部位を形成する工程とを含むことを特徴とする電気
    光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 基板上に画素電極と、該画素電極に接
    続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接
    続された配線と、前記薄膜トランジスタ及び前記配線を
    立体的に覆う遮光部材とを有する電気光学装置の製造方
    法であって、 前記遮光部材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線
    を下側及び周囲から覆う部位を形成する工程と、前記遮
    光部材のうち前記下側から覆う部位の上層として前記薄
    膜トランジスタ及び前記配線を形成する工程と、前記薄
    膜トランジスタ及び前記配線の上層として層間絶縁膜を
    形成する工程と、 該層間絶縁膜上に、前記遮光部材のうち前記薄膜トラン
    ジスタ及び前記配線を上側から覆う上側遮光膜を形成す
    る工程と、 該上側遮光膜に対して平坦化処理を実施して前記遮光部
    材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線を上側から
    覆う部位を形成する工程とを含むことを特徴とする電気
    光学装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 基板上に溝を形成する工程を更に含
    み、前記基板の面並びに前記溝の底面及び側壁に、前記
    遮光部材のうち前記薄膜トランジスタ及び前記配線を下
    側及び周囲から覆う部位を形成することを特徴とする請
    求項１１又は１２に記載の電気光学装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記上側から覆う部位に、前記薄膜ト
    ランジスタと前記画素電極と接続するための穴を開孔す
    る工程と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを前
    記穴を介して接続する遮光性の導電膜を形成することを
    特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の
    電気光学装置。
15. 【請求項１５】 請求項１乃至１０のいずれか一項に記
    載の電気光学装置からなるライトバルブと、 該ライトバルブに投射光を照射する光源と、 前記ライトバルブから出射される投射光を投射する光学
    系とを備えたことを特徴とする電子機器。