JP2003094435A - 結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法 - Google Patents

結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法

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JP2003094435A
JP2003094435A JP2001290894A JP2001290894A JP2003094435A JP 2003094435 A JP2003094435 A JP 2003094435A JP 2001290894 A JP2001290894 A JP 2001290894A JP 2001290894 A JP2001290894 A JP 2001290894A JP 2003094435 A JP2003094435 A JP 2003094435A
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crystalline aromatic
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Kazuteru Kono
一輝 河野
Shunichi Matsumura
俊一 松村
Hirotaka Suzuki
啓高 鈴木
Hironori Haga
宏典 芳賀
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Teijin Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶状態の結晶性芳香族ポリカーボネート粒
状成形体の効率的な製造方法を提供する。 【解決手段】 固有粘度0.05〜0.38であり、結
晶化度10〜60%の低分子量結晶性芳香族ポリカーボ
ネート粉末を圧縮ロール間に圧縮線圧力が1.0〜50
kN/cmになるように供給して固体状態を保持しなが
ら板状に成形し、得られた板状成形物から結晶性芳香族
ポリカーボネート粒状成形体を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は結晶性芳香族ポリカ
ーボネート粒状成形体の効率的な製造方法及びそれを用
いた高分子量芳香族ポリカーボネートの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネートは、透明性、耐
熱性、機械物性に優れた材料として、従来よりCD(コ
ンパクトディスク)、光ディスク、レンズ等の光学用途
や、エンジニアリングプラスチックとして、自動車分
野、電気電子用途、各種容器等、様々な分野で利用され
ている。かかる芳香族ポリカーボネートの製造方法とし
ては、ホスゲンと芳香族ジヒドロキシ化合物を水及び水
と混合しない溶剤の界面で重合させる界面重合法、芳香
族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルをエステル交換
触媒の存在下に加熱溶融反応させる溶融重合法等が利用
されている。
【0003】一方、低分子量非晶性芳香族ポリカーボネ
ート(これらはポリカーボネートのオリゴマーあるいは
プレポリマーと称されることがある)を結晶化させた
後、これを真空下あるいは不活性ガス流通下において固
相で重合させて高分子量のポリカーボネートを製造する
方法もよく知られている。例えば、特開平1−1580
33号公報、特開平3―223330号公報では、低分
子量非晶性ポリカーボネートを結晶化させる際に有機溶
剤等を使用する方法、および加熱により結晶化させる方
法に関する記載がある。また低分子量非晶性芳香族ポリ
カーボネートの溶融物に剪断をかけて結晶化させる方法
がWO98/45351に開示されている。さらにこれ
らのいずれかの方法で得られた低分子量結晶性芳香族ポ
リカーボネートを固相重合によって高分子量化する技術
が先述の特開平1−158033号公報、特開平3―2
23330号公報に開示されている。これらには、溶融
重縮合と固相重合とを組み合わせる重合方法は、色相、
成形性が良好な高分子量の芳香族ポリカーボネートが得
られるという利点がある。
【0004】しかしながら、こうした低分子量非晶性芳
香族ポリカーボネートの結晶化方法は工業的利用には未
だ問題を有しているのが現状である。すなわち有機溶剤
等を使用する結晶化方法は結晶化に使用される溶媒の回
収プロセスが別途必要になるため設備が大掛かりになる
問題点がある。さらに、結晶化に使用する有機溶媒は通
常、同時に低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートの表
面にクラックを起こすことが多い。すると、低分子量結
晶性芳香族ポリカーボネートのクラックが発生した部分
が崩れることにより微粉末が発生し、工程トラブルが発
生しやすい問題点がある。また加熱による結晶化方法は
単に一定温度で低分子量非晶性芳香族ポリカーボネート
を保持するだけであるが、結晶化後そのまま固相重合す
ると所望の分子量にするのに多大な重合時間が必要であ
り、生産性が悪いという問題点を有する。一方溶融物に
剪断をかけて結晶化させる方法は短時間に結晶化させる
ことができるが、こうして結晶化させた低分子量結晶性
芳香族ポリカーボネートをそのまま固相重合にかけても
重合時間が多大にかかるためこの方法も好ましくない。
【0005】また特開平3―223330号公報におい
ては比表面積が0.2m2/g以上の多孔性の低分子量
結晶性芳香族ポリカーボネートを使用して固相重合を行
う方法が記載されている。しかしこのような低分子量結
晶性芳香族ポリカーボネートを用いて重合を行うこと
は、その低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートが多孔
性であるため表面が崩れることにより微粉末が発生しや
すいために、製造プロセスの上でハンドリング(取り扱
い)が難しく、通常の条件では工程トラブルが発生しや
すく、実施が困難である。
【0006】これら微粉末が原因となる工程トラブルを
防止することは工業的に実施する上で重要な課題であ
る。微粉末によって発生しやすい工程トラブルとは、す
なわち閉塞、磨耗、偏析、付着・凝集、団結、粉塵飛
散、フラッシングなどの工程トラブルのことを指す。微
粉末が原因で工程トラブルを生じやすい閉塞は供給・排
出、貯蔵、輸送時に、磨耗は輸送、粉砕時に、偏析は貯
蔵、付着・凝集は輸送、供給・排出、集塵、粉砕時に、
粉塵飛散は集塵時に、フラッシングは供給・排出時に生
じる。また特に微粉末が伴うと、固相重合プロセスにお
いては不活性ガスにより微粉末が舞って微粉末の滞留時
間が長くなり芳香族ポリカーボネートの色相や組成に悪
影響を及ぼす。さらに微粉末量が多いと、固相重合中に
低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート同士の融着、固
相重合用反応容器と低分子量結晶性芳香族ポリカーボネ
ートの融着があり好ましくない。
【0007】また一方ではこのような微粉末の発生を抑
えるために、低分子量非晶性芳香族ポリカーボネートを
溶媒などで結晶化させて湿潤状態のまま圧縮成形する方
法が特開平3-223330号公報に示されている。し
かしこの方法においても例えばロール表面形状に凸凹が
あるようなブリケッティングマシーンを使用した場合、
低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートがロール表面の
凸凹に目詰まりしやすく、得られる結晶性芳香族ポリカ
ーボネート粒状成形体の収率が低く、かつ結晶性芳香族
ポリカーボネート粒状成形体の角が輸送中に取れて微粉
末を生じるという欠点があった。また一旦発生した凹部
への目詰まりは結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形
体の表面に欠陥を生じさせ(多くは窪みができる)一定
形状を保った安定生産が困難になる。また得られる結晶
性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の圧縮破壊強度も
大きくすることができず、特に小粒子径の結晶性芳香族
ポリカーボネート粒状成形体を得ることは困難である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、溶融
重合によって得られた低分子量結晶性芳香族ポリカーボ
ネートを簡単な装置を用いて、微粉末の発生を抑制した
結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の効率的かつ
安定な製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、次の構成を有する。まず第1に下記式
(1)
【0010】
【化2】
【0011】[上記式(1)中、R1、R2、R3及びR4
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数
1〜10のアルキル基、炭素数7〜20のアラルキル基
又は炭素数6〜20のアリール基であり、Wは炭素数2
〜10のアルキリデン基、炭素数1〜15のアルキレン
基、炭素数7〜20のアリール置換アルキレン基、炭素
数8〜20のアリール置換アルキリデン基、炭素数3〜
15のシクロアルキリデン基、炭素数3〜15のシクロ
アルキレン基、炭素数10〜20のアルキリデン−アリ
ーレン−アルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、スルホ
キシド基又はスルホン基である。]で表される繰り返し
単位からなり、固有粘度[η]が0.05〜0.38で
あり、結晶化度が10%〜60%である低分子量結晶性
芳香族ポリカーボネート粉末を、圧縮ロール間に供給し
て固体状態を保持しながら圧縮ロールの圧縮線圧力が
1.0〜50kN/cmになるように保持して板状に成
形し、得られた板状成形物から粒状成形体を得ることを
特徴とする結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の
製造方法についてである。
【0012】さらに第2に、第1の発明の製造方法から
製造された結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
を、該結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体のガラ
ス転移温度以上結晶融点より低い温度で減圧下または常
圧下にて、加熱することにより高重合度化することを特
徴とする高分子量芳香族ポリカーボネートの製造方法に
ついてである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の方法について詳述
する。本発明の低分子量結晶性の芳香族ポリカーボネー
トは、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート結合性
化合物から製造することが好ましい。具体的には芳香族
ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルをエステル交換触
媒の存在下加熱溶融反応させる溶融重合法、または固相
重合法、また芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンなど
から製造する界面重合法が好ましく挙げられる。これら
の中で溶融重合法による製造がより好ましい。
【0014】本発明で使用される該芳香族ジヒドロキシ
化合物としては、例えば2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン(以下ビスフェノールAと略
す。)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−ト
リメチルシクロヘキサン、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)サルファイド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ス
ルホン等、およびその芳香環の水素の少なくとも1つが
例えばアルキル基、アリール基等が置換されたものがあ
げられる。これらは単独で用いても2種以上併用しても
良い。これらのなかでもビスフェノールAを用いるのが
より好ましい。
【0015】また、該炭酸ジエステルとしては例えばジ
フェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチ
ルカーボネート等が挙げられる。これらは単独で用いて
も2種以上併用しても良い。これらのなかでもジフェニ
ルカーボネートを用いるのがより好ましい。
【0016】また該エステル交換触媒としては、アルカ
リ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、チタン系化合
物、錫系化合物、ゲルマニウム系化合物等の金属含有化
合物と、含窒素塩基性化合物、含燐塩基性化合物等を挙
げることができる。
【0017】具体的にはアルカリ金属化合物としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、
水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、酢酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、ビスフェノールAのジナトリウム塩、ジカリウム
塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム
塩等が挙げられる。
【0018】アルカリ土類金属化合物としては水酸化マ
グネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウ
ム、ビスフェノールAのマグネシウム塩、ビスフェノー
ルAのカルシウム塩が挙げられる。
【0019】チタン系化合物としてはテトラブトキシチ
タン等が挙げられる。錫系化合物としては、ジ−n−ブ
チル錫ジアセテート等が挙げられ、ゲルマニウム系化合
物としては、酸化ゲルマニウムが挙げられる。
【0020】また含窒素塩基性化合物としてはテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド(Me4NOH)、テト
ラブチルアンモニウムボロハイドライド(Bu4NB
4)等を挙げることができる。
【0021】また含燐塩基性化合物としてはテトラメチ
ルホスホニウムヒドロキシド(Me 4POH)、テトラ
ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート(Bu4
BPh 4)等を挙げることができる。
【0022】これらのエスエル交換触媒は単独で用いて
も2種以上併用しても良い。特に好ましくは、上記の金
属含有化合物触媒のうちアルカリ金属化合物を使用し、
さらに含窒素塩基性化合物及び/または含燐塩基性化合
物を併用し、アルカリ金属元素の使用量を芳香族ジヒド
ロキシ化合物1モルに対して1×10-8〜5×10-5
ルの範囲になるように使用することが好ましい。より好
ましくは5×10-8〜3×10-6モル、特に好ましくは
7×10-8〜2×10-6モルである。さらに含窒素塩基
性化合物及び/または含燐塩基性化合物の使用量は芳香
族ジヒドロキシ化合物1モルに対して1×10-5〜5×
10-3モルの範囲になるように使用することが好まし
い。より好ましくは2×10-5〜5×10-4モル、特に
好ましくは5×10-5〜5×10-4モルである。
【0023】上記範囲を逸脱すると、得られる高分子量
芳香族ポリカーボネートの諸物性に悪影響を及ぼす、ま
た溶融重合反応が十分に進行せず、後に実施する固相重
合工程で高分子量芳香族ポリカーボネートが得られない
等の問題点があり好ましくない。
【0024】本発明の低分子量結晶性芳香族ポリカーボ
ネートは、上記の芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエ
ステルを、エステル交換触媒の存在下、加熱溶融反応さ
せる溶融重合法または常圧重合法により製造され、さら
に結晶化させることが好ましい。溶融重合法については
すでに特開平7−292096号公報等に記載の方法
等、公知の手法にて製造することができる。
【0025】また常圧重合は上記溶融重合法において反
応系の圧力を終始大気圧下で反応を行う方法であり、ま
た後述する固相重合工程で使用した不活性ガスの一部ま
たは全部を流通させながら重合する手法であり本発明に
おける製造方法の中で好ましい態様の1つである。
【0026】また界面重合法にて製造する場合は、芳香
族ジヒドロキシ化合物を塩基性化合物の存在下、水に溶
解しジクロロメタンなどの有機溶媒と接触させ、さらに
分子量調節剤の存在下ホスゲンを吹き込むことにより製
造できる。触媒として3級アミン、4級アンモニウム
塩、4級ホスホニウム塩、含窒素複素環化合物及びその
塩等が使用される。界面重合法では反応の際に生じる塩
酸などのハロゲン化水素の捕捉剤として多量のアルカリ
金属あるいはアルカリ土類金属が使用される。そのため
製造後の低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート中に、
こうした不純物が残留しないように充分な洗浄や精製を
行うことが好ましい。これらの方法にて製造した結晶化
前の生成物を低分子量非晶性芳香族ポリカーボネートと
呼称する。
【0027】低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートを
製造するには、得られた低分子量非晶性芳香族ポリカー
ボネートを結晶化させる。その結晶化方法としては特に
限定しないが1)加熱処理より結晶化させる方法(特公
平7−094546号公報)、2)加熱処理と剪断処理
を同時に行う事により結晶化させる方法(WO98/4
5351)、3)結晶化溶媒によって結晶化させる方法
(特開平01―58033号公報、特開平03―223
330号公報)が開示されているが、本発明においても
これらの方法が好ましく採用できる。
【0028】具体的には加熱結晶化による方法は好まし
くは100℃以上、分解温度以下で低分子量非晶性芳香
族ポリカーボネートを加熱する事によって結晶化する方
法である。加熱時間は加熱温度、用いた芳香族ジヒドロ
キシ化合物の構造によっても異なるが0.1〜50時間
が好ましい。また加熱処理と剪断処理を同時に行うこと
による結晶化させる方法では、好ましくは例えば1軸ル
ーダーを用いてガラス転移温度(Tg)以上分解温度以
下に低分子量非晶性芳香族ポリカーボネートを加熱し溶
融状態とし、さらに回転数を1〜60rpmに設定し、
滞留時間を1〜20分の範囲になるようにして溶融状態
で剪断をかけることにより結晶化する方法が好ましく採
用できる。結晶化溶媒によって結晶化させる方法は微粉
末が発生しにくい溶媒を選択するのが好ましいが、通常
の有機溶媒の中ではこの条件を満たすものは少ない。フ
ェノール/水混合溶媒が比較的好ましい態様である。こ
れらの方法により所望の物性の低分子量結晶性芳香族ポ
リカーボネートが製造できる。さらに粉砕などの手法に
より低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を得る
ことができる。
【0029】本発明ではこのようにして得られた低分子
量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を用いることがで
きる。本発明においては低分子量結晶性芳香族ポリカー
ボネートの結晶化度としては10%〜60%である。結
晶化度が10%未満では固相重合中に結晶性芳香族ポリ
カーボネート粒状成形体同士が融着する可能性が高くな
り好ましくなく、結晶化度が60%を越えるものは製造
が実質的に困難である。該低分子量結晶性芳香族ポリカ
ーボネートの結晶化度は15〜50%が好ましく、より
好ましくは20〜35%である。
【0030】さらに得られた低分子量結晶性芳香族ポリ
カーボネートは固有粘度[η]が0.05〜0.38と
比較的低分子量になるように製造する。さらに好ましい
固有粘度の範囲は0.10〜0.30であり、最も好ま
しいのは0.12〜0.25の範囲である。固有粘度
[η]が0.05より低いと、固相重合反応を実施する
のに十分な結晶融点を有する低分子量結晶性芳香族ポリ
カーボネートを得ることが困難である、または固相重合
反応時に生成する揮発成分が多くなりすぎる問題点があ
るので好ましくない。一方固有粘度[η]が0.38を
超えると、固相重合速度が遅くなり、目的とする固有粘
度の高分子量芳香族ポリカーボネートの製造に時間がか
かりすぎ、場合によって着色、ゲル化等が生じるため、
好ましくない。
【0031】また低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
トの比表面積は0.001m2/g以上〜0.2m2/g
未満が好ましい。より好ましくは0.001〜0.19
2/gであり、さらに好ましくは0.005〜0.1
7m2/g、最も好ましいのは0.05〜0.15m2
gの範囲である。比表面積が0.001m2/gより小さ
いと後述する結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
を用いる固相重合速度が遅くなり好ましくない。本発明
では固相重合の際には特開平3−223330号公報に
記載されているように0.2m2/g以上の大きな比表面
積を必ずしも必要としない。このような大きな比表面積
を有する低分子量芳香族ポリカーボネートを製造すると
その表面は多孔性になり、微粉末が発生する問題点があ
る。
【0032】具体的にはこれらの結晶化度に達成するの
に前述の溶融状態で剪断処理することによって結晶化す
る場合は、温度、滞留時間、剪断速度と密接に関連する
回転数を、または熱を加えることによって結晶化する方
法においては、加熱温度と加熱時間を、結晶化溶媒にて
結晶化する方法においては結晶化溶媒の種類、浸漬時
間、溶媒を留去する方法を適切に選ぶことによって上記
の物性を有する低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート
が好ましく製造される。
【0033】このようにして得られた結晶状態の低分子
量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末(以下単にプレポ
リマーということがある)は内部に多量の空気を含んで
いるおり、そのままでは圧縮し難く圧縮破壊強度の大き
い結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体が得られ
ず、得られた板状成形物を粉砕すると元の空気を多く含
んだ粉末の状態にもどる部分が多く、目的とする粒子径
の結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を効率よく
得ることが困難である。そこで得られた低分子量結晶性
芳香族ポリカーボネート粉末を圧縮ロール間に供給して
一定範囲の圧縮線圧力をかけて圧縮成形することで圧縮
破壊強度の大きい板状成形物を得ることができ、本願発
明の好ましい方法である。さらに圧縮ロール間に供給す
る前に脱気しながら圧縮成形することがさらに好ましい
方法である。
【0034】脱気の方法はスクリューコンベアなどによ
り粉末状の低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートを加
圧しながら圧縮ロール間に供給することにより脱気を行
なう事が好ましい態様の1つであるが、これに替えてあ
るいはこれに加えて他の脱気手段例えば真空脱気を採用
することもできる。スクリューコンベアを用いた場合、
2段のスクリューコンベアにより、例えば圧縮ロール間
に加圧して供給するスクリューコンベアに他のスクリュ
ーコンベアによりホッパーから低分子量結晶性芳香族ポ
リカーボネート粉末を供給し、脱気するのが好ましい態
様である。脱気を行わないと結晶性芳香族ポリカーボネ
ート粒状成形体中に空気を含んだまま固相重合を行うこ
とになり、結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体が
酸化されやすく、高分子量芳香族ポリカーボネートに色
相の悪化やゲルなどが発生しやすく好ましくない。本発
明では脱気を行うことにより低分子量結晶性芳香族ポリ
カーボネート粉末中に残留する空気は少なくなり、酸化
による着色や変質のおそれは少なくなり好ましい。この
観点から脱気を実施する、あるいは実施しないにかかわ
らず、本発明の板状成形物に成形を行う工程は窒素、ヘ
リウム、アルゴンなどの不活性ガス下で行う事が好まし
い。特に不活性ガスは固相重合の工程で用いる不活性ガ
スをリサイクルすると効果的であり好ましい。
【0035】圧縮ロールは2つの圧縮ロールが、低分子
量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末の供給路を介して
対峙しかつ該供給路に対して水平方向に配置されている
ことが好ましい。また対峙した2つ圧縮ロールを1組と
して、1組または複数組の圧縮ロールがあっても構わな
い。圧縮ロール間に低分子量結晶性芳香族ポリカーボネ
ート粉末を供給して圧縮成形し板状成形物を得るように
構成され、一方または両方の圧縮ロールを相手側に押出
しすることにより圧縮するように構成されるのが好まし
い。圧縮ロール表面すなわち押圧面の展開形状は平面ま
たは網目状であることが好ましい。例えば押圧面に大き
な凸凹部がある場合、低分子量結晶性芳香族ポリカーボ
ネート粉末に均一に圧縮圧力をかけることが出来ない
上、凹部に堆積した低分子量結晶性芳香族ポリカーボネ
ート粉末が劣化しそれが結晶性芳香族ポリカーボネート
粒状成形体に混入して品質低下を引き起こす問題があり
好ましくない。またさらに圧縮圧力が高くなると圧縮ロ
ール表面に低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末
が付着し結果として板状成形物を得ることができない。
さらに後述するように圧縮と同時に熱をかけて圧着させ
る場合には温度によって低分子量結晶性芳香族ポリカー
ボネート粉末の表面が融着し圧縮ロール表面が目詰まり
しやすくなる問題点もある。このような観点から押圧面
に大きな凸凹部を有しない平面または網目状であること
が好ましい。
【0036】また圧縮ロールの圧縮線圧力は1.0〜5
0kN/cmの範囲である。1.0kN/cm未満では十
分な圧縮破壊強度を持った結晶性芳香族ポリカーボネー
ト粒状成形体を得ることができない。また50kN/c
mを越える時は圧縮ロール表面と低分子量結晶性芳香族
ポリカーボネート粉末の摩擦熱によって、低分子量結晶
性芳香族ポリカーボネート粉末が過剰に融解しやすくそ
の結果圧縮ロール表面に低分子量結晶性芳香族ポリカー
ボネート粉末が付着し好ましくない。好ましくは5kN
/cm〜30kN/cm、より好ましくは10kN/cm
〜20kN/cmの範囲である。なお以下の記載では圧
縮ロールの全幅を用いた場合について説明するが本発明
の製造方法はこれに限定されず、圧縮ロールの一部の幅
のみ使用する場合も含まれる。ここで圧縮線圧力Dと
は、下記式(2) D=P×S/L (2) [上記式(2)においてD,P,S,Lはそれぞれ、
D:圧縮線圧力(kN/cm)、P:圧縮ロールのシリ
ンダー圧(kN/cm2)、S:圧縮ロールのシリンダ
ー面積(cm2)、L:圧縮ロール幅(cm)を表
す。]により算出された線圧力を意味する。
【0037】さらに圧縮ロール表面の設定温度が(低分
子量結晶性芳香族ポリカーボネートのガラス転移温度−
70℃)〜低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートの結
晶融点以下であることが好ましい。この設定温度とは低
分子量結晶性芳香族ポリカーボネートを処理する直前の
圧縮ロールの表面温度を指す。この温度の圧縮ロール間
にて圧縮圧力をかけ低分子量結晶性芳香族ポリカーボネ
ート粉末の表面を融解し、圧着させることで結晶性芳香
族ポリカーボネート粒状成形体の圧縮破壊強度を上げる
ことができる。該設定温度が(低分子量結晶性芳香族ポ
リカーボネートのガラス転移温度−70℃)より低いと
圧着させる効果が薄くなる。一方該設定温度が結晶融点
より高いと低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末
が完全に溶融し結晶化度が低下して好ましくない。好ま
しくは(低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートのガラ
ス転移温度―70℃)〜(低分子量結晶性芳香族ポリカ
ーボネートの結晶融点)の範囲である。より好ましくは
(低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートのガラス転移
温度―20℃)〜(低分子量結晶性芳香族ポリカーボネ
ートの結晶融点)までの範囲である。低分子量結晶性芳
香族ポリカーボネートのガラス転移温度(Tg)以下の
温度でも圧縮ロールと低分子量結晶性芳香族ポリカーボ
ネートとの摩擦熱によって圧縮ロールの表面温度が設定
温度より上がり、低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
ト粉末表面が融解し、圧着できるようになる。
【0038】製造された結晶性芳香族ポリカーボネート
粒状成形体の嵩密度は0.2〜1.3g/ccの範囲で
あることが好ましい。嵩密度0.2g/cc未満の結晶
性芳香族ポリカーボネート粒状成形体は固相重合速度が
低下して好ましくない。また嵩密度1.3g/ccを越
える時は結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体は圧
縮圧力が大きく比表面積が小さいため固相重合速度が低
下して好ましくない。
【0039】結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
の圧縮破壊強度は294kPa(3kg重/cm2)以上
の圧縮破壊強度を有していることが好ましい。この圧縮
破壊強度が294kPa(3kg重/cm2)よりも低い
と結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の輸送、供
給・排出等の工程において多量の微粉末が発生し製造プ
ロセスにおいて閉塞、付着・凝集などの好ましくない現
象が生じる。
【0040】さらに板状成形物から結晶性芳香族ポリカ
ーボネート粒状成形体を得るには生産効率の点から板状
成形物を粉砕機、整粒機および分級機を用いて、粒子径
を揃えた結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を製
造することが好ましい。結晶性芳香族ポリカーボネート
粒状成形体の形状および粒子径は特に限定しないが通常
フレーク状、多角柱状などの形状が好ましい。ここで整
粒とは粒径を一定値以下に整えることを、分級とは整粒
よりさらに細かく一定の値の範囲にまで粒径分布を小さ
くすることを指す。
【0041】また結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成
形体の粒子径は0.5mm〜30mmの範囲であること
が好ましい。0.5mmより小さいと固相重合中に結晶
性芳香族ポリカーボネート粒状成形体同士の融着等が見
られ好ましくないばかりか、固相重合に不活性ガスを用
いるタイプの固相重合装置においては微粉末が舞い上が
り均一な重合物を得ることが出来ない。逆に30mmよ
り大きいと固相重合速度が低下して好ましくない。よっ
て好ましい粒子径は1.0mm〜15mm、さらに好ま
しくは1.5mm〜10mmの範囲である。
【0042】結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
の収率、すなわち用いた低分子量結晶性芳香族ポリカー
ボネートに対する結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成
形体の収量のことを指すが、これに影響を与えるものと
して、粉砕機のスクリーン径、破砕機の回転数、結晶性
芳香族ポリカーボネート粒状成形体の粒子径分布などが
あり、これらの要素を適切に選択することにより収率を
上昇させることができ好ましい。
【0043】粉砕機は特に限定しないが例えばピンロー
ター式粗砕機、ロールブレーカー、フレークブレーカ
ー、ラフブレーカー、ファインブレーカー、ロールグラ
ニュレーター、カリューター、オシュレイティング・グ
ラニュレーター、フレーククラッシャー、トーネードミ
ル、フラッシュミル、ハンマークラッシャー、フェザー
ミル、フィッツミル、ジョークラッシャなどがある。な
かでもハンマークラッシャーなどの衝撃式破砕機が好ま
しい。
【0044】分級機は特に限定しないが例えば振動ふる
い機、強制攪拌式ふるい機、超音波振動ふるい機などが
ある。
【0045】以下本発明で好ましく用いる装置の概略を
述べる。図1において1,2は1対の圧縮ロールであっ
て、成形間隙3を形成するように対峙して回転軸が互い
に水平になるように配置されている。圧縮ロール1,2
間の成形間隙3の片側に対向して加圧フィーダー4が配
置されている。この加圧フィーダー4に第二のスクリュ
ーフィーダー5が連結し、内部にスクリュー6を有す回
転軸7が設けられて駆動装置8により回転するようにな
っている。9はホッパーであって、その下部に第一のス
クリューフィーダー10が設けられていて第二のスクリ
ューフィーダー5に連結している。第一のスクリューフ
ィーダー10の内部に設けられたリボン状スクリュー1
1を有する回転軸12は、ホッパー9の外に設けられた
駆動装置13により回転するようになっている。14は
原料供給路、15は排気路である。16は整粒機を備え
た粉砕装置であって、回転式のカッターの回転により粉
砕しその後整粒機によって一定に大きさに揃えるように
構成されている。17は分級装置である。
【0046】次に該装置を用いた本発明の製造方法につ
いて説明する。原料供給路14からホッパー9に原料の
低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を供給し、
駆動装置13を駆動して回転軸12を回転させると低分
子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を均質化して内
部に大きな間隙が存在しないようにする。同時にリボン
状スクリュー11が回転し、第一のスクリューフィーダ
ー10から第二のスクリューフィーダー5に加圧脱気さ
れた低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を供給
する。ホッパー9内で分離した空気は排気路15から排
出される。
【0047】第二のスクリューフィーダー5に入った低
分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末は駆動装置8
によって回転するスクリュー6によってさらに加圧され
て脱気され、加圧フィーダー4から圧縮ロール1,2間
の成形間隙3に供給される。加圧により分離される空気
は周辺部の隙間を通して排出される。
【0048】圧縮ロール1、2間の成形間隙3に供給さ
れた低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末は圧縮
ロール1、2が回転することによって圧縮され、ここで
さらに脱気されて低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
ト粉末が空気を介在することなく圧着して板状成形物1
8が成形される。板状成形物18は粉砕装置16へ入っ
てカッターの回転により粉砕され、整粒機によって一定
の大きさに揃えられさらに分級装置17で分級され、結
晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体19が得られ
る。整粒・分級した過程で分離した結晶性芳香族ポリカ
ーボネート粒状成形体はホッパー9に戻される。
【0049】上述のようにして得られた結晶性芳香族ポ
リカーボネート粒状成形体はその後、固相重合反応を進
め高分子量芳香族ポリカーボネートを製造する。固相重
合反応は固体状態を維持できるように、該結晶性芳香族
ポリカーボネート粒状成形体のガラス転移温度(Tg)
以上かつ結晶融点より低い温度で、減圧下または常圧下
にて結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を加熱す
ることによって行う。この固相重合反応は不活性ガス気
流下または不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
そうすることによって高分子量化し、固有粘度[η]が
0.38を越え1.0以下の所望の分子量を有する高分
子量芳香族ポリカーボネートとなる。この重合反応は通
常の溶融重合と同様に加熱減圧下でも可能であるが、次
に述べるように常圧下重合を行い製造してもよい。本発
明の製造方法は固有粘度[η]が0.38を越え0.8
以下の芳香族ポリカーボネートを製造する際にさらに好
ましく、0.38を越え0.7以下の芳香族ポリカーボ
ネートを製造する際に最も好ましく採用できる。
【0050】常圧重合は前述のような不活性ガス気流下
で行われることが好ましい。その際に固相重合槽に流通
させる不活性ガスの種類としては、ヘリウム、アルゴ
ン、窒素、二酸化炭素ガス等を例示できる。さらに不活
性ガスを流通させる方式には特に制限はないが、下部に
結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の抜き出し
口、不活性ガス流通管及び不活性ガス噴出口を備え、上
部に冷却管及び原料流通管を備えた縦型反応装置を用い
て、温度調節装置で不活性ガスの温度を制御後、該反応
装置に流通させる方法が好ましい。不活性ガスは通常溶
融重縮合の反応当初から反応終了まで流通させる。該不
活性ガスは結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体に
直接吹き込むように供給するのが好ましい。通常、温度
140〜350℃の不活性ガスを結晶性芳香族ポリカー
ボネート粒状成形体1kgあたり0.1NL/分以上の
流量で、流通させることによって実施される。上記の不
活性ガスの温度範囲内でも145〜330℃が更に好ま
しく、150〜300℃が特に好ましい。例えば2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンとジフェニ
ルカーボネートとを溶融重縮合して高分子量芳香族ポリ
カーボネートを製造する場合、150〜300℃の不活
性ガスを流通させることが好ましく、160〜280℃
が特に好ましい。また不活性ガス雰囲気下で重合反応を
行うには、反応容器内部を不活性ガスで置換し、好まし
くは後述のような方法にて撹拌を行いながら行うことが
好ましい。
【0051】固相重合温度としては先述の不活性ガスの
温度がそのまま固相重合の温度となり、140〜350
℃程度が好ましく採用できる。固相重合温度は高い方が
重合速度の点では好ましいが、結晶性芳香族ポリカーボ
ネート粒状成形体の融着を防ぐため、結晶性芳香族ポリ
カーボネート粒状成形体の結晶融点より低い温度で実施
する必要がある。また、重合度の上昇と共に、結晶性芳
香族ポリカーボネート粒状成形体の結晶融点も上昇する
ため、結晶融点の上昇に伴い順次固相重合温度を上昇す
る方法も好ましく用いられる。一方、結晶性芳香族ポリ
カーボネート粒状成形体のガラス転移温度未満の温度で
は固相重合の反応速度が著しく遅くなり好ましくない。
【0052】また不活性ガスの流量は、結晶性芳香族ポ
リカーボネート粒状成形体1kgあたり0.1〜1.7
NL/分が好ましく、0.3〜1.7NL/分が特に好
ましく特に0.5〜1.7NL/分が特に好ましい。流
通量が上記範囲より小さい場合、固相重合反応の進行が
遅くなり、重合時間が長くなり好ましくない。流通量が
上記範囲より大きい場合、熱エネルギーコストが高くな
り好ましくない。
【0053】本発明では固相重合槽に流通する不活性ガ
ス流量と、結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の
溶融重合槽に流通される不活性ガス流量は必ずしも同量
である必要はない。2基以上で並列実施されている固相
重合槽から排出される不活性ガスを低分子量非晶性芳香
族ポリカーボネートの溶融重合槽に導入してもよく、ま
たこれを再び固相重合槽に導入する方法も好ましい。そ
の際には、不活性ガス中に気体状の反応留出物が含まれ
ているので、これをある一定量以下まで除去した上で導
入する方法が好ましく採用できる。さらに固相重合槽か
ら排出した不活性ガスを一部別用途に使用してもよい。
このようにして結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形
体を使用して固相反応を進めるが、固相重合工程から排
出される不活性ガスは多くの場合上記の温度範囲内にあ
るので、そのまま溶融重合の工程や固相重合の工程に使
用できる。また必要に応じて不活性ガスの温度調整をし
た上で溶融重合工程に供給してもよい。なお、その際に
固相重合槽からの不活性ガス排出量と溶融重合槽に供給
する不活性ガス量とがバランスせず、固相重合で排出さ
れるガス量が過剰な場合は、過剰分を他の用途に利用し
てもよく、ガス量が不足する場合は、排出ガスに新たな
不活性ガスを補充して溶融重合工程に供給すればよい。
【0054】固相重合反応に要する時間は、通常、数時
間〜数十時間が好ましく採用される。重合時間が長すぎ
ると固相重合反応に使用する装置が大掛かりになり、設
備製造コストの点で好ましくない。固相重合反応中に、
結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を機械的に攪
拌するか、あるいは気体流により攪拌してもよい。
【0055】本発明において使用される固相重合槽の形
式について特に制限はないが、下部に不活性ガス導入部
を有し上部に不活性ガス排出部を有する縦型反応装置、
回転式の反応装置等を好ましい形態として例示できる。
【0056】また減圧下で固相重合反応を行う場合は低
分子量非晶性芳香族ポリカーボネートを製造する時と同
様に不活性ガス雰囲気の減圧下あるいはごく微量の不活
性ガス気流下で重合反応を行うのが好ましい。圧力は低
いほど、重合の効率は高いが、実用的な範囲を考慮する
と概略5Pa〜30kPa、好ましくは10Pa〜15
kPa程度である。この際に結晶性芳香族ポリカーボネ
ート粒状成形体を機械的にあるいは気体流により撹拌し
ても良い。重合反応温度、時間については先述の常圧で
重合する際と同様な条件で行うことが好ましく採用でき
る。
【0057】以上のごとき固相重合法により製造された
所望重合度の高分子量芳香族ポリカーボネート(以下,
「芳香族ポリカーボネート樹脂」と称することがある)
は、色相が良く、ゲル成分も少なく成形性に優れたもの
となるが、必要に応じて、末端ヒドロキシ基の封鎖反応
や溶融粘度の安定化を行うことができ、その方が芳香族
ポリカーボネート樹脂の成形時の熱安定性や、耐久安定
性を向上させる上で好ましい。
【0058】本発明により製造される高分子量芳香族ポ
リカーボネートは、使用目的により、離型剤、耐熱安定
剤、紫外線吸収剤、着色剤、帯電防止剤等の各種添加
剤、ガラス繊維、鉱物、フィラーといった無機剤、ま
た、本発明の高分子量芳香族ポリカーボネート以外のポ
リマーを混合することにより、各種成形用樹脂、フィル
ム、繊維として、従来からの芳香族ポリカーボネート樹
脂の用途に使用可能である。
【0059】
【発明の効果】本発明に従えば結晶状態の低分子量結晶
性芳香族ポリカーボネートから効率的にかつ簡便に結晶
性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を得ることができ
る。得られた結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
を用いた固相重合反応によりゲルフリーでかつ色相、成
形性が良好な成形品を与えることができる。
【0060】このような本発明の方法を行なうメリット
として大掛かりな真空装置と耐圧性の反応槽を必要とせ
ず設備コストを大幅に抑えて着色が少なくゲル量の少な
い芳香族ポリカーボネート製造することが出来るという
メリットがある。またプロセス系統を溶融重合工程、結
晶化工程、粒状成形体成形工程、固相重合工程を一貫し
たプロセス構築できるため好ましい。
【0061】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明は、これらの実施例によって限定されるものではな
い。各実施例においては図1に示す装置を用いて芳香族
ポリカーボネート粒状成形体の成形を行った。 1)芳香族ポリカーボネートの固有粘度[η] ジクロロメタン中、20℃でウベローデ粘度管にて測定
した。 2)ガラス転移温度(Tg)、結晶融点 パーキンエルマーDSC7により、昇温速度20℃/分
で測定してガラス転移温度(Tg)、結晶融点(Tm)
を求めた。また、結晶融解のエンタルピー(ΔH)は、
結晶融解に対応する部分のピーク面積より算出した。 3)結晶化度 結晶化度は、DSC測定によって得られたΔHから、1
00%結晶化ポリカーボネートのΔHをジャーナル・オ
ブ・ポリマー・サイエンス;パートB:ポリマー・フィ
ジックス(J.Polym.Sci.:B:Poly
m.Phys.)1979年第25巻1511〜151
7ページを参考にして109.8J/gとして計算し
た。
【0062】[参考例:低分子量結晶性芳香族ポリカー
ボネートの合成]2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン228重量部、ジフェニルカーボネート
223重量部及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド0.009重量部及びビスフェノールAジナトリウム
塩0.00014重量部を攪拌装置、減圧装置、蒸留塔
等を具備した反応装置に仕込み、180℃窒素雰囲気下
で30分攪拌し溶解した。次いで、昇温と同時に徐々に
減圧下とし、最終的に220℃、30mmHgとした。
この時点で、得られた低分子量非晶性芳香族ポリカーボ
ネートの固有粘度[η]は0.15、ガラス転移温度
(Tg)は116℃であった。この低分子量非晶性芳香
族ポリカーボネートを以下に示す方法で結晶化した。 (A)低分子量非晶性芳香族ポリカーボネートをN2
囲気下180℃で12時間静置して低分子量結晶性芳香
族ポリカーボネートを得た。この時DSC測定によりT
mは225℃、結晶化度は25%、比表面積は0.00
3m2/gであった。 (B)ヒーター温度180℃に設定した(株)陸亜製R
Y45−30−IM7.5型一軸ルーダー(L/D=4
0)で剪断をかけながら低分子量結晶性芳香族ポリカー
ボネートを吐出した。この低分子量結晶性芳香族ポリカ
ーボネートをDSCにより測定するとTm225℃、結
晶化度26%、比表面積は0.002m2/gであった。 (C)粒子径0.5mm〜1mmの低分子量非晶性芳香
族ポリカーボネートをアセトン溶媒中室温で一時間浸漬
し、その後アセトンを留去して、低分子量結晶性芳香族
ポリカーボネートを得た。このものはDSC測定により
Tmは224℃、結晶化度20%、比表面積は1.2m
2/gであった。なお、得られた低分子量結晶性芳香族ポ
リカーボネートの固有粘度はいずれも結晶化前と同じで
あった。
【0063】[実施例1]参考例で得られた(A)の方
法にて結晶化した低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
トを標準ふるいで粒子径5mm以下のものを分級し、低
分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を得た。さら
にそれを図1記載の装置のホッパーから入れ第二のスク
リューフィーダーで47kg/hrで供給した。その後
表面形状が平面である圧縮ロールにおいて圧縮成形し板
状成形物を得た。圧縮ロール表面の設定温度は室温、圧
縮線圧力12kN/cm、回転数15rpmの条件で成
形した。次いで得られた板状成形物を粉砕および整粒
し、スクリーン径が2mm、回転数500rpmの分級
装置にかけ粒子径が2mm〜5mmの結晶性芳香族ポリ
カーボネート粒状成形体を得た。また装置を運転してい
る間安定して結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
を得ることができた。この時の収率は65%であった。
該結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の嵩密度は
0.58g/ccであった。続いて先に分級した粒子径
が2mm未満の結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形
体をホッパーに戻し1回目と同様に成形を行った所、収
率は68%であった。また微粉末の発生はなかった。
【0064】[実施例2]参考例で得られた(B)の方
法にて結晶化した低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
トを標準ふるいで粒子径が5mm以下のものを分級し、
低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を得た。さ
らにそれを図1記載の装置のホッパーから入れ第二のス
クリューフィーダーで44kg/hrで供給した。その
後表面形状が平面である圧縮ロールに加圧成形し板状成
形物を得た。圧縮ロールの表面の設定温度は室温、圧縮
線圧力12kN/cm、回転数15rpmの条件で成形
した。次いで得られた板状成形物を粉砕および整粒し、
スクリーン径が2mm、回転数500rpmの分級装置
にかけ粒子径が2mm〜5mmの結晶性芳香族ポリカー
ボネート粒状成形体を得た。また装置を運転している間
安定して結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を得
ることができた。該結晶性芳香族ポリカーボネート粒状
成形体の嵩密度は0.57g/ccであり、収率は69
%であった。また微粉末の発生はなかった。
【0065】[実施例3]参考例で得られた(C)の方
法にて結晶化した低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
トを標準ふるいで粒子径が5mm以下のものを分級し、
低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を得た。さ
らにそれを図1記載の装置のホッパーから入れ第二のス
クリューフィーダーで45kg/hrで供給した。その
後表面形状が平面である圧縮ロールに加圧成形し板状成
形物を得た。圧縮ロールの表面の設定温度は室温、圧縮
線圧力12kN/cm、回転数15rpmの条件で成形
した。次いで得られた板状成形物を粉砕および整粒し、
スクリーン径が2mm、回転数500rpmの分級装置
にかけ粒子径が2mm〜5mmの結晶性芳香族ポリカー
ボネート粒状成形体を得た。また装置を運転している間
安定して結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を得
ることができた。該芳香族ポリカーボネート粒状成形体
の嵩密度は0.58g/ccであり、収率は64%であ
った。また微粉末の発生はなかった。
【0066】[実施例4]参考例で得られた(B)の方
法にて結晶化した低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
トを標準ふるいで粒子径が5mm以下のものを分級し、
低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を得た。さ
らにそれを図1記載の装置のホッパーから入れ第二のス
クリューフィーダーで45kg/hrで供給した。その
後表面形状が平面である圧縮ロールに加圧成形し板状成
形物を得た。圧縮ロールの表面の設定温度は120℃、
圧縮線圧力10kN/cm、回転数15rpmの条件で
成形した。次いで得られた板状成形物を粉砕および整粒
し、スクリーン径が2mm、回転数500rpmの分級
装置にかけ粒子径が2mm〜5mmの結晶性芳香族ポリ
カーボネート粒状成形体を得た。また装置を運転してい
る間安定して結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
を得ることができた。該結晶性芳香族ポリカーボネート
粒状成形体の嵩密度は0.56g/ccであり、収率は
60%であった。
【0067】[実施例5]参考例で得られた(B)の方
法にて結晶化した低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
トを標準ふるいで粒子径が5mm以下のものを分級し、
低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート粉末を得た。さ
らにそれを図1記載の装置のホッパーから入れ第二のス
クリューフィーダーで46kg/hrで供給した。その
後表面形状が網目である圧縮ロールに加圧成形し板状成
形物を得た。圧縮ロールの表面の設定温度は室温、圧縮
線圧力12kN/cm、回転数15rpmの条件で成形
した。次いで得られた板状成形物を粉砕および整粒し、
スクリーン径が2mm、回転数500rpmの分級装置
にかけ粒子径が2mm〜5mmの結晶性芳香族ポリカー
ボネート粒状成形体を得た。該結晶性芳香族ポリカーボ
ネート粒状成形体の嵩密度は0.56g/ccであり、
収率は60%であった。
【0068】実施例1〜5、比較例の製造条件および得
られた結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の物性
を表1に示す。
【0069】[実施例6]実施例1で得られた結晶性芳
香族ポリカーボネート粒状成形体を、下部に不活性ガス
の流出部分を有する円筒型の反応容器に入れ、0.8N
L/kg・分で窒素ガスの流通下、200℃で3時間、
その後210℃に昇温して3時間、更に220℃で3時
間、230℃で6時間固相重合反応を行った。得られた
高分子量芳香族ポリカーボネートの固有粘度[η]は
0.53であった。
【0070】
【表1】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法において好ましく用いられる
成形装置図である。 1、2:圧縮ロール 3:成形間隙 4:加圧フィーダー 5:第二のスクリューフィーダー 6:スクリュー 7:回転軸 8:駆動装置 9:ホッパー 10:第一のスクリューフィーダー 11:リボン状スクリュー 12:回転軸 13:駆動装置 14:原料供給路 15:排気路 16:整粒機および粉砕装置 17:分級装置 18:板状成形物 19:結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 啓高 山口県岩国市日の出町2番1号 帝人株式 会社岩国研究センター内 (72)発明者 芳賀 宏典 山口県岩国市日の出町2番1号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Fターム(参考) 4F201 AA28 AC04 AH17 AH33 AH79 AR02 AR12 BA02 BC01 BC12 BC15 BL07 BL21 BL28 BL47 4J029 BB12A BB12B BB13A BB13B BD09A BD09B BD09C BE07 BF13 BG06X BG07X BG08X BH02 DB07 DB12 JA011 JA091 JA121 JA141 JA231 JB131 JB191 JF011 JF021 JF031 JF041 JF111 JF131 JF141 JF251 JF371 KE02 KE05 KE12 KF02 KF04

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記式(1) 【化1】 [上記式(1)中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ
    独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10のア
    ルキル基、炭素数7〜20のアラルキル基又は炭素数6
    〜20のアリール基であり、Wは炭素数2〜10のアル
    キリデン基、炭素数1〜15のアルキレン基、炭素数7
    〜20のアリール置換アルキレン基、炭素数8〜20の
    アリール置換アルキリデン基、炭素数3〜15のシクロ
    アルキリデン基、炭素数3〜15のシクロアルキレン
    基、炭素数10〜20のアルキリデン−アリーレン−ア
    ルキリデン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基又
    はスルホン基である。]で表される繰り返し単位からな
    り、固有粘度[η]が0.05〜0.38であり、結晶
    化度が10%〜60%である低分子量結晶性芳香族ポリ
    カーボネート粉末を、圧縮ロール間に供給して固体状態
    を保持しながら2つの圧縮ロールの圧縮線圧力が1.0
    〜50kN/cmになるように保持して板状に成形し、
    得られた板状成形物から粒状成形体を得ることを特徴と
    する結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート
    粉末の比表面積が0.001m2/g以上〜0.2m2
    g未満であることを特徴とする請求項1に記載の結晶性
    芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  3. 【請求項3】 圧縮ロール間に供給する前に脱気を行な
    うことを特徴とする請求項1または2に記載の結晶性芳
    香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  4. 【請求項4】 結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形
    体の粒子径が0.5mm〜30mmの範囲である請求項
    1〜3のいずれか1項に記載の結晶性芳香族ポリカーボ
    ネート粒状成形体の製造方法。
  5. 【請求項5】 2つの圧縮ロールが、低分子量結晶性芳
    香族ポリカーボネート粉末の供給路を介して対峙しかつ
    該供給路に対して水平方向に配置されていることを特徴
    とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の結晶性芳香
    族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  6. 【請求項6】 板状成形物から粉砕することにより結晶
    性芳香族ポリカーボネート粒状成形体を得ることを特徴
    とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の結晶性芳香
    族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  7. 【請求項7】 圧縮ロールの表面の設定温度を(低分子
    量結晶性芳香族ポリカーボネートのガラス転移温度―7
    0℃)〜(低分子量結晶性芳香族ポリカーボネートの結
    晶融点)の範囲で低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
    ト粉末の表面を融解し、圧着させることを特徴とする請
    求項1〜6のいずれか1項に記載の結晶性芳香族ポリカ
    ーボネート粒状成形体の製造方法。
  8. 【請求項8】 低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート
    が、熱を加えることによって結晶化されたものであるこ
    とを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の結
    晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  9. 【請求項9】 低分子量結晶性芳香族ポリカーボネート
    が、剪断処理することによって結晶化されたものである
    ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の
    結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  10. 【請求項10】 低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
    トが、結晶化溶媒を接触させて結晶化されたものである
    ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の
    結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  11. 【請求項11】 低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
    トが、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを
    溶融重合によって得られたものであることを特徴とする
    請求項1〜10のいずれか1項に記載の結晶性芳香族ポ
    リカーボネート粒状成形体の製造方法。
  12. 【請求項12】 低分子量結晶性芳香族ポリカーボネー
    トが常圧重合によって得られたものであることを特徴と
    する請求項1〜10のいずれか1項に記載の結晶性芳香
    族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  13. 【請求項13】 結晶性芳香族ポリカーボネート粒状成
    形体の嵩密度が0.2〜1.3g/ccであることを特
    徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の結晶性
    芳香族ポリカーボネート粒状成形体の製造方法。
  14. 【請求項14】 請求項1〜13のいずれか1項に記載
    の製造方法から製造された結晶性芳香族ポリカーボネー
    ト粒状成形体を、該結晶性芳香族ポリカーボネート粒状
    成形体のガラス転移温度以上結晶融点より低い温度で減
    圧下または常圧下にて、加熱することにより高重合度化
    することを特徴とする高分子量芳香族ポリカーボネート
    の製造方法。
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