JP2003086937A - ３層型メッキプリント回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐熱フィルム上に形成したメッキ銅との初期接
着力が高く、高温度熱負荷後およびスズメッキ後にも接
着力低下が極めて少ないメッキタイプの回路基板材料を
得る物である。 【解決手段】耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面に、
ガラス転移温度（Ｔｇ）が６０℃以上２３０℃以下の耐
熱性樹脂層を有し、該樹脂層の上にスパッタあるいは蒸
着による厚み２〜４００ｎｍの導電性金属層を有し、さ
らに該導電性金属層の上に電気メッキ法による厚み１μ
ｍ以上１８μｍ以下の銅層を有することを特徴とする３
層型メッキプリント回路基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高性能の電子機器、
特に小型軽量化になくてはならない極めて高い接着力を
有する３層型メッキプリント基板に関するものである。
さらに詳しくは、半導体パッケージにおけるＦＰＣ（Fl
exyble Print Curcuit)、ＣＳＰ(Chip Size Package)、
ＢＧＡ(Ball Grid Array)、ＣＯＦ(Chip On Film)など
に利用される３層型メッキプリント回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、フレキシブルプリント基板として
は一般にポリイミド樹脂フィルムに接着剤を介して銅箔
を張り合わせた通称「３層型」が、カメラ、プリンタ
ー、パソコン、など各種電気機器で一般に広く使用され
ているのは周知のとおりである。３層型プリント基板に
使用されている接着剤は、エポキシ樹脂系、アクリル樹
脂系などが単独あるいは混合されて用いられている。こ
れらの樹脂中には不純物イオンが含まれるため電気特性
が低下する問題がある。

【０００３】またその耐熱性も、接着剤の耐熱性がポリ
イミドに対し極めて劣るため、ポリイミド樹脂フィルム
の優れた特性が十分に活かされていないのが実状であ
る。

【０００４】さらに張り合わせる銅箔の厚みも薄い場合
には取り扱いが困難なため、一般には１８μｍ以上の厚
みのものが使用されている。そのため８０μｍピッチ
（配線幅４０μｍ、ギャップ４０μｍ）以下のパターニ
ングを行うには銅が厚すぎてエッチング率が著しく低下
し、銅箔表面側の回路幅と接着剤面側の回路幅が著しく
異なり、あるいはエッチング全体が著しく細り、目的の
回路パターンが得られないという問題がある。いわゆる
ファインピッチ配線が得られないという欠点がある。こ
のような問題を有するため、接着剤で銅箔を張り合わせ
た「３層型」は高密度実装配線には限界があり、小型、
軽量化する高性能な電子機器用途には極めて不都合であ
る。

【０００５】このような問題を解決する手段として、ポ
リイミドフィルム上に真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンプレーティング、銅メッキなどの方法で導電性金属層
を形成させた、いわゆる接着剤のない２層型プリント基
板が提案されている。

【０００６】現在上市されている「２層メッキ型」は、
銅層とポリイミドとの密着力（９０度剥離強度）は６Ｎ
／ｃｍ程度あり、配線パターン幅が１００μｍ程度以上
のエッチング、レジスト剥離などの配線パターン形成工
程でパターン脱落の問題はそれほどない。しかしなが
ら、配線パターン形成後の１５０℃で１０日間の熱負荷
試験後の密着力は２Ｎ／ｃｍ程度以下まで著しく低下す
る問題がある。

【０００７】従来、メッキ法による２層プリント基板の
特性改善をするため種々提案されている。例えば特開平
４−３２９６９０号公報では、フィルム上にクロム系セ
ラミック蒸着層／銅または銅合金蒸着層／銅メッキ層か
らなる構成のフレキシブルな電気回路用キャリアーが提
案されている。該提案は、フィルムと銅層の高温度、高
湿度下（温度８５℃、湿度８０％）に２５０時間放置後
の密着強度を改善せんとするものである。しかしなが
ら、より高温度、例えば１５０℃で１０日間の熱負荷試
験をした後には接着力の低下が著しい。また配線加工
し、無電界スズメッキを施した後の接着力が著しく低下
する問題がある。

【０００８】特開平６−２９６３４号公報では、ポリイ
ミドフィルム表面上に下地金属薄膜／銅薄膜が形成さ
れ、裏面の表面上に酸素透過率が小さい薄膜が形成され
た構成で、１５０℃、１０日間放置後の密着強度を改善
する目的のものが提案されている。

【０００９】しかしながら、前記１５０℃の熱負荷試験
では耐久性が改善はされるが、配線形成し、無電界スズ
メッキした後、熱負荷試験を施すと接着性低下が著しい
問題がある。

【００１０】特開平４−２９０７４２号公報では、重合
体フィルム表面にプラズマによる金属酸化物をランダム
配置させ、次いで金属蒸着層／金属メッキ層を有する金
属／フィルム積層板の製造方法が提案されている。

【００１１】該方法の積層板は、メッキ、エッチングな
どの化学処理、切断、穴あけ、組立、はんだ付けなどの
機械的応力のかかる操作での金属層とフィルムの積層剥
離を改善する目的のものである。しかしながら、該提案
のものは前記の、熱負荷試験後およびスズメッキ後の熱
負荷試験後に接着力低下が著しい問題がある。

【００１２】以上のように、従来技術による「２層型メ
ッキ」品は、メッキ銅層とポリイミド界面の初期接着力
が不十分でかつ配線形成し無電解スズメッキした後の熱
負荷試験を施した後の接着力低下が著しく、その改善が
望まれているのは周知の通りである。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高接
着力を有しかつ熱負荷後の接着力が高く、さらに無電解
メッキ後に銅層とポリイミド間の接着力が１５０℃の高
温下で１０日間程度の長期にわたり曝しても剥離のな
い、耐久性に優れる３層型メッキタイプのフレキシブル
プリント回路基板を提供することにある。

【００１４】「２層型メッキ」品の特長は、銅層を電解
メッキで形成させるため、銅層の厚みの薄いものがで
き、銅のエッチングが容易になり配線幅の狭い、いわゆ
るファインピッチに対応できることである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、 （１）耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面に、ガラス
転移温度（Ｔｇ）が６０℃以上２３０℃以下の耐熱性樹
脂層を有し、該樹脂層の上にスパッタあるいは蒸着によ
る厚み２〜４００ｎｍの導電性金属層を有し、さらに該
導電性金属層の上に電気メッキ法による厚み１μｍ以上
１８μｍ以下の銅層を有することを特徴とする３層型メ
ッキプリント回路基板。

【００１６】（２）前記耐熱性樹脂層が、硬化したエポ
キシ樹脂、硬化したポリイミド系樹脂の少なくとも１種
を含むことを特徴とする前記（１）に記載の３層型メッ
キプリント回路基板。

【００１７】（３）前記耐熱性樹脂フィルムの片面ある
いは両面が放電処理されていることを特徴とする前記
（１）または（２）のいずれかに記載の３層型メッキプ
リント回路基板。

【００１８】（４）前記ポリイミド系樹脂が、芳香族テ
トラカルボン酸と、ジアミンを主成分とし、該ジアミン
成分中の４０モル％以上がシロキサン系ジアミンからな
ることを特徴とする前記（２）または（３）のいずれか
に記載の３層型メッキプリント回路基板。

【００１９】（５）前記シロキサン系ジアミンが次の一
般式［Ｉ］で表されるものであることを特徴とする前記
（４）に記載の３層型メッキプリント回路基板。

【００２０】

【化２】

【００２１】（ただし、式中ｎは１以上の整数を示す。
またＲ1 およびＲ2 は、それぞれ同一または異なって、
低級アルキレン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ
4 、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ同一または異なって、
低級アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を示
す。）

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明において使用される耐熱性
樹脂フィルムとしては、融点が２８０℃以上のもの、あ
るいはＪＩＳ Ｃ４００３で規定される長時間連続使用
の最高許容温度が１２１℃以上のもののいずれかでの条
件を満足する高分子樹脂フィルムであればよい。

【００２３】これらの高分子樹脂フィルムとしては、ビ
スフェノール類のジカルボン酸の縮合物であるポリアリ
レート、ポリスルホン、またはポリエーテルスルホンに
代表されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン
酸と芳香族イソシアネートとの縮合物、あるいはビスフ
ェノール類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸の反応か
ら得られる熱硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェ
ニレンサルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリ
アミドイミド系樹脂、アラミド系樹脂、ポリエチレンナ
フタレート系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂
などからなるフィルム、液晶フィルムなどが挙げられ
る。特にピロメリット酸二無水物、あるいは、ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェニルエー
テル、パラフェニレンジアミンなどの芳香族ジアミンと
の縮合物である芳香族ポリイミド樹脂フィルムは特に好
ましい。

【００２４】また当然のことながら、上記耐熱性樹脂フ
ィルム表面の片面あるいは両面は、コロナ放電処理、低
温プラズマ処理などの目的に応じ接着性改良の処理が施
されているほうが好ましい。これらの処理を施すことに
よって、接着性を向上させることができる。

【００２５】放電処理とは、大気圧付近で放電するいわ
ゆる常圧プラズマ処理、コロナ放電処理、または低温プ
ラズマ処理などが施されるものであることが好ましい。
これらの処理を施すことによって、ポリイミドフィルム
と耐熱性樹脂層との接着性を大幅に向上させることがで
きる。

【００２６】常圧プラズマ処理とは、Ａｒ、Ｎ₂ 、Ｈ
ｅ、ＣＯ₂ 、ＣＯ、空気、水蒸気などの雰囲気中で放電
処理する方法をいう。処理の条件は、処理装置、処理ガ
スの種類、流量、電源の周波数などによって異なるが、
適宜最適条件を選択することができる。

【００２７】低温プラズマ処理は、減圧下で行なうこと
ができ、その方法としては、特に限定されないが、例え
ばドラム状電極と複数の棒状電極からなる対極電極を有
する内部電極型の放電処理装置内に被処理基材をセット
し、処理ガスを０．０１〜１０Ｔｏｒｒ，好ましくは、
０．０２〜１Ｔｏｒｒに調整した状態で電極間に直流あ
るいは交流の高電圧を印加して放電を行い、前記処理ガ
スのプラズマを発生させ、該プラズマに基材表面をさら
して処理する方法が挙げられる。低温プラズマ処理の条
件としては、処理装置、処理ガスの種類、圧力、電源の
周波数などによって異なるが、適宜最適条件を選択する
ことができる。上記処理ガスとしては、特に限定される
ものではないが、Ａｒ、Ｎ₂ 、Ｈｅ、ＣＯ₂ 、ＣＯ、空
気、水蒸気、Ｏ₂、ＣＦ₄ などを単独であるいは混合し
て用いることができる。

【００２８】一方、コロナ放電処理は、低温プラズマ処
理と比較して接着性向上の効果が小さいので、積層する
耐熱性接着剤を選択することが重要となる。

【００２９】本発明における耐熱性樹脂層とは、特に限
定されるものではなく、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポ
リアミドイミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などの耐熱性
樹脂からなる樹脂が、単独あるいは混合して用いること
ができる。またこの耐熱性樹脂中に有機あるいは無機か
らなる微粒子、フィラーなどを添加しても良い。

【００３０】前述の樹脂の中で耐熱性の点から芳香族テ
トラカルボン酸とジアミン成分からなるポリイミド系樹
脂が好ましい。より好ましくは、芳香族テトラカルボン
酸と、４０モル％以上がシロキサン系ジアミンであるジ
アミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸から
なる薄膜をイミド化してなるものである。前記した耐熱
性樹脂層のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上２３
０℃以下であることが好ましく、より好ましくは７０℃
以上１６０℃以下である。６０℃未満の場合には耐熱性
が劣るので好ましくない。またＴｇが２３０℃を超える
場合には耐熱性樹脂層の上に蒸着またはスパッタした金
属層との接着力が小さくなり好ましくない。

【００３１】本発明において使用される芳香族テトラカ
ルボン酸としては、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，
３，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、３，３´，４，４´ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホ
ン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ア
ントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８
−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げ
られる。これらは単独であるいは二種以上混合して用い
られる。

【００３２】ジアミン成分としては、ジアミン成分中に
シロキサン系ジアミンを少なくとも４０モル％以上、好
ましくは５０モル％以上さらに好ましくは８０モル％以
上である。

【００３３】本発明において使用されるシロキサン系ジ
アミンとしては、次の一般式［Ｉ］で表されるものが挙
げられる。

【００３４】

【化３】

【００３５】ただし、式中ｎは１以上の整数を示す。ま
たＲ1 およびＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低
級アルキレン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4
、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ同一または異なって、
低級アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を示
す。

【００３６】一般式［Ｉ］で表されるシロキサン系ジア
ミンの具体例としては、１，１，３，３−テトラメチル
−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４
−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，
５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニ
ル）トリシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル
−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−
アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメチル−１、５−ビス（３−ア
ミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−
アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−
アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス
（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジ
シロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−
１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，
１，５，５，−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス
（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，
３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノ
プロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−
ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）
トリシロキサンなどが挙げられる。上記シロキサン系ジ
アミンは、単独であるいは二種以上混合して用いられ
る。

【００３７】シロキサン系ジアミン以外のジアミン成分
としては、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジア
ミノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミンなど
のものが使用できる。

【００３８】上記芳香族テトラカルボン酸とジアミンと
の反応は、従来公知の方法に準じて行うことができる。
例えば、略化学量論量の酸成分とジアミン成分とを、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドン等の有機溶媒中
で、０〜８０℃の温度で反応させれば良い。これらの溶
媒は、単独であるいは２種以上混合して用いられ、ポリ
アミック酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、トル
エン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラ
ン、メチルエチルケトン等を加えても良い。

【００３９】ポリアミック酸ワニス濃度としては、特に
限定されないが、通常５〜６０重量％が好ましく、１０
〜４０重量％が特に好ましい。

【００４０】次に、本発明品を得る場合の一例について
詳細に説明する。すなわち、低温プラズマ処理あるいは
コロナ放電処理したポリイミドフィルム上に、上記ポリ
アミック酸ワニスを１０〜４０重量％含む溶媒溶液を均
一に塗工する。この塗工方法としてはロールコータ、ナ
イフコータ、密封コータ、コンマコータ、ドクターブレ
ードフロートコータなどによるものが挙げられる。次に
上記のように耐熱性樹脂フィルムに塗工した溶液の溶媒
を、通常６０℃以上２００℃程度の温度で連続的または
断続的に１〜６０分間で加熱除去をする。

【００４１】次にポリイミドフィルム上に形成される耐
熱性接着剤の厚みは、通常、０．０５〜３０μｍ程度で
あるが、目的に応じ好ましく選定すればよい。また、接
着力向上のためには、さらに加熱キュアを施した方が好
ましい。加熱キュアの条件としては、温度２００℃〜３
５０℃で約５分〜３０分であるが、樹脂の組成、膜厚な
どによって適宜選択すればよい。

【００４２】また本発明における樹脂層の上に有する厚
み２〜４００ｎｍの導電性金属層としては、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、銅などが挙げられる。この金属層は単独層または積
層し多層にしても良い。通常はＮｉ、Ｃｒ層を２ｎｍ〜
１０ｎｍ形成した後に銅層を５０ｎｍ以上スパッタまた
は蒸着で積層し目的の厚みにするのが好ましい。総厚み
は厚みは２ｎｍ〜４００ｎｍが好ましい。２ｎｍ以下は
ピンホールが多発し好ましくない。４００ｎｍ以上は導
電層の形成に長時間を要し好ましくない。この導電層の
上に電気メッキ法によって厚み１μｍ以上１８μｍの銅
層を形成する。電気メッキ法は特に限定されるものでは
なく、通常の硫酸銅メッキ法でも良い。銅層の厚みは１
μｍ以上１８μｍが好ましい。１μｍ以下の場合にはピ
ンホールが発生しやすいので好ましくない。１８μｍ以
上の場合は、メッキ銅の厚みコントロールが困難になり
好ましくない。より好ましくは３μｍ以上１２μｍであ
る。

【００４３】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で、接着性は次の方法で評価および測定
したものである。

【００４４】１．接着性：ＪＩＳ Ｃ６４８１（１８０
度ピール）に準じて行い密着強度を測定した。

【００４５】２．耐熱性：メッキ銅を塩化第２鉄溶液で
幅２ｍｍにエッチングした後、１５０℃に設定された熱
風オーブン中に２４０時間おいた後取り出し接着性を評
価した。

【００４６】３．スズメッキ：メッキ銅を幅２ｍｍにエ
ッチングした後、無電解スズメッキし、水洗・乾燥後に
接着性を評価した。スズメッキ条件は下記の通りであ
る。 メッキ液：ＬＴ−３４（東京応化（株）製） 時間 ：７０℃、５分 乾燥条件：５０℃、３０分。

【００４７】実施例１ 温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ2 吹込
口を供えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１１２．５ｇ入れ窒素気流下でビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１６．２
ｇ（９９ｍｏｌ％）およびｐ−フェニレンジアミン０．
０７ｇ（１ｍｏｌ％）を溶解したあと、３，３´，４，
４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２１．
２２ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え、１０℃で１時間攪拌
を続けた。その後５０℃で３時間攪拌して反応させポリ
アミック酸ワニスを得た。

【００４８】該ワニスをあらかじめＡｒ雰囲気中で低温
プラズマ処理した２５μｍのポリイミドフィルム（東レ
・デュポン（株）製“カプトン”１００ＥＮ）に乾燥後
の膜厚が３μｍになるようにバーコーターで塗工し、１
３０℃で３分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、さらに
２７０℃で３分乾燥した。該ワニスのＴｇはＴＭＡ法で
測定した結果９２℃であった。

【００４９】上記作製フィルムの接着剤塗工面に、スパ
ッタ装置（日電アネルバ（株）製ＳＰＬ−５００）を用
いＣｒを厚み４０オングストローム設け、次いでその上
にＣｕを０．２μｍスパッタした。スパッタ後直ちに硫
酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ²の条件で銅厚み８
μｍメッキをし本発明品を得た。

【００５０】実施例２ プラズマ処理（条件は実施例１と同じ）した厚み２５μ
ｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレ
ックス”２５Ｓ）の表面に、実施例１で得たワニスを乾
燥後の膜厚が３μｍになるように塗工し、１３０℃で３
分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、さらに２７０℃で
３分乾燥した。

【００５１】上記作製フィルムの接着剤塗工面の上に、
実施例１で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み１０ｎｍ設
け、次いでその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。ス
パッタ後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ
²の条件で銅厚み８μｍメッキをし本発明品を得た。

【００５２】実施例３ プラズマ処理（条件は実施例１と同じ）した厚み２５μ
ｍの液晶ポリマーフィルム（ジャパンゴアテックス
（株）製“バイアック”）の表面に、実施例１で得たワ
ニスを乾燥後の膜厚が３μｍになるように塗工し、１３
０℃で３分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、さらに２
５０℃で３分乾燥した。

【００５３】上記作製フィルムの接着剤塗工面の上に、
実施例１で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み１０ｎｍ設
け、次いでその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。ス
パッタ後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ
²の条件で銅厚み８μｍメッキをし本発明品を得た。

【００５４】実施例４ 温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ₂吹込
口を供えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１１２．５ｇ入れ窒素気流下でビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン６．９４
ｇ（４０ｍｏｌ％）およびジアミノジフェニルエーテル
１１．７９ｇ（６０ｍｏｌ％）を溶解したあと、３，
３，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物２１．３２ｇ（１００ｍｏｌ ％）を加え、１０℃で
１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時間攪拌して反
応させポリアミック酸ワニスを得た。 該ワニスをあら
かじめＡｒ雰囲気中で低温プラズマ処理した２５μｍの
ポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カプト
ン”１００ＥＮ）に乾燥後の膜厚が３μｍになるように
バーコーターで塗工し、１３０℃で３分乾燥、さらに１
５０℃で３分乾燥、さらに２７０℃で３分乾燥した。該
ワニスのＴｇはＴＭＡ法で測定した結果１７５℃であっ
た。上記作製フィルムの接着剤塗工面の上に、実施例１
で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み１０ｎｍ設け、次い
でその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。スパッタ
後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ²の条
件で銅厚み８μｍメッキをし本発明品を得た。

【００５５】実施例５ プラズマ処理（条件は実施例１と同じ）した厚み２５μ
ｍの液晶ポリマーフィルム（ジャパンゴアテックス
（株）製“バイアック”）の表面に、実施例４で得たワ
ニスを乾燥後の膜厚が２μｍになるように塗工し、１３
０℃で３分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、さらに２
５０℃で３分乾燥した。

【００５６】上記作製フィルムの接着剤塗工面の上に、
実施例１で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み１０ｎｍ設
け、次いでその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。ス
パッタ後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ
²の条件で銅厚み８μｍメッキをし本発明品を得た。

【００５７】比較例１ Ａｒ雰囲気中で低温プラズマ処理した２５μｍのポリイ
ミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カプトン”１
００ＥＮ）の表面に、実施例１で用いたスパッタ装置で
Ｃｒを厚み１０ｎｍ設け、次いでその上にＣｕを０．２
μｍスパッタした。スパッタ後、直ちに硫酸銅浴を用
い、電流密度２Ａ／ｄｍ²の条件で銅厚み８μｍメッキ
をした。

【００５８】比較例２ プラズマ処理（条件は実施例１と同じ）した厚み２５μ
ｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレ
ックス”２５Ｓ）の表面に、実施例１で用いたスパッタ
装置でＣｒを厚み１０ｎｍ設け、次いでその上にＣｕを
０．２μｍスパッタした。スパッタ後、直ちに硫酸銅浴
を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ²の条件で銅厚み８μｍメ
ッキをした。

【００５９】比較例３ 温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ2 吹込
口を供えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１１２．５ｇ入れ窒素気流下で１，１，
３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）ジシロキサン９．０７ｇ（５０ｍｏｌ％）および
ビスアミノフェニルジフェニルエーテル１５ｇ（５０ｍ
ｏｌ％）を溶解したあと、ピロメリット酸二無水物１
５．９２ｇ（１００ｍｏｌ ％）を加え、１０℃で１時
間攪拌を続けた。その後５０℃で３時間攪拌して反応さ
せポリアミック酸ワニスを得た。 該ワニスのＴｇはＴ
ＭＡ法で測定した結果２６０℃であった。

【００６０】該ワニスをあらかじめＡｒ雰囲気中で低温
プラズマ処理した２５μｍのポリイミドフィルム（東レ
・デュポン（株）製“カプトン”１００ＥＮ）に乾燥後
の膜厚が２μｍになるようにバーコーターで塗工し、１
３０℃で３分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、さらに
２７０℃で３分乾燥、さらに３５０℃で５分熱処理し
た。上記作製フィルムの接着剤塗工面の上に、実施例１
で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み１０ｎｍ設け、次い
でその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。スパッタ
後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ²の条
件で銅厚み８μｍメッキをした。

【００６１】比較例４ 比較例３で得たＴｇ２６０℃のワニスをプラズマ処理
（条件は実施例１と同じ）した厚み２５μｍのポリイミ
ドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５
Ｓ）の表面に、乾燥後の膜厚が２μｍになるようにバー
コーターで塗工し、１３０℃で３分乾燥、さらに１５０
℃で３分乾燥、さらに２５０℃で３分乾燥、次いで３５
０℃で５分熱処理した。

【００６２】上記作製フィルムの接着剤塗工面の上に、
実施例１で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み１０ｎｍ設
け、次いでその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。ス
パッタ後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ
²の条件で銅厚み８μｍメッキをした。

【００６３】これまでに作成した銅メッキ品の接着力を
測定した。結果を表１に示す。この結果から本発明品
は、いずれも基材フィルムとメッキ銅の接着力が強く、
かつ１５０℃、２４０時間の熱負荷後の接着力低下が少
なく、さらにスズメッキ後にも接着力低下の少ない従来
にない優れたメッキ品が得られた。

【００６４】

【表１】

【００６５】

【発明の効果】本発明は、上述のごとく構成したので、
耐熱フィルム上に形成したメッキ銅との初期接着力が高
く、高温度熱負荷後およびスズメッキ後にも接着力低下
が極めて少ないメッキタイプの回路基板材料を確実に得
ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J043 PA04 PA08 QB31 RA05 SA06 SB03 TA14 TA22 TA71 UA131 UA132 UA151 UA252 UA262 UB011 UB022 UB121 UB122 UB141 UB301 UB302 UB351 YA06 ZA12 ZB01 ZB11 5E343 AA02 AA17 AA18 AA33 AA36 AA38 BB08 BB16 BB24 BB38 BB71 DD23 DD25 DD43 EE34 EE35 EE36 GG01 GG08 GG16

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面に、
   ガラス転移温度（Ｔｇ）が６０℃以上２３０℃以下の耐
   熱性樹脂層を有し、該樹脂層の上にスパッタあるいは蒸
   着による厚み２〜４００ｎｍの導電性金属層を有し、さ
   らに該導電性金属層の上に電気メッキ法による厚み１μ
   ｍ以上１８μｍ以下の銅層を有することを特徴とする３
   層型メッキプリント回路基板。
2. 【請求項２】前記耐熱性樹脂層が、硬化したエポキシ樹
   脂、硬化したポリイミド系樹脂の少なくとも１種を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の３層型メッキプリン
   ト回路基板。
3. 【請求項３】前記耐熱性樹脂フィルムの片面あるいは両
   面が放電処理されていることを特徴とする請求項１また
   は２のいずれかに記載の３層型メッキプリント回路基
   板。
4. 【請求項４】前記ポリイミド系樹脂が、芳香族テトラカ
   ルボン酸と、ジアミンを主成分とし、該ジアミン成分中
   の４０モル％以上がシロキサン系ジアミンからなること
   を特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の３層
   型メッキプリント回路基板。
5. 【請求項５】前記シロキサン系ジアミンが次の一般式
   ［Ｉ］で表されるものであることを特徴とする請求項４
   に記載の３層型メッキプリント回路基板。 【化１】 （ただし、式中ｎは１以上の整数を示す。またＲ1 およ
   びＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
   ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およ
   びＲ6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
   基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。）