JP2003086648A - Ｓｏｉウエハのエッチング量の評価方法 - Google Patents
Ｓｏｉウエハのエッチング量の評価方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＯＩウエハを製造する際、洗浄等によるシ
リコン単結晶層のエッチング量を正確かつ安価に評価す
ることができるＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法
を提供する。 【解決手段】 ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシ
リコン単結晶層のエッチング量が、ＳＯＩウエハの絶縁
層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、
基板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエ
ッチング量との相関関係を用いて評価されることを特徴
とするＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法を用い
る。
リコン単結晶層のエッチング量を正確かつ安価に評価す
ることができるＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法
を提供する。 【解決手段】 ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシ
リコン単結晶層のエッチング量が、ＳＯＩウエハの絶縁
層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、
基板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエ
ッチング量との相関関係を用いて評価されることを特徴
とするＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法を用い
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＯＩ（シリコン
・オン・インシュレーター）ウエハのエッチング量の評
価方法に関し、より詳細には、シリコン酸化物等の絶縁
層上にシリコン単結晶薄膜層を形成したＳＯＩウエハの
製造の際のウェット洗浄等による前記シリコン単結晶層
のエッチング量の評価方法に関する。
・オン・インシュレーター）ウエハのエッチング量の評
価方法に関し、より詳細には、シリコン酸化物等の絶縁
層上にシリコン単結晶薄膜層を形成したＳＯＩウエハの
製造の際のウェット洗浄等による前記シリコン単結晶層
のエッチング量の評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン系半導体デバイス、集積回路技
術において、ＳＯＩ構造、すなわち、絶縁層上のシリコ
ン単結晶層を利用した半導体デバイスは、寄生容量の低
減を図ることができ、耐放射線性にも優れ、素子分離が
容易であること等、多くの優れた特性を有している。こ
のため、トランジスタの高速化、低電圧化、低消費電力
化、高集積化およびウェル工程の省略を始めとする工程
の簡略化を含めたトータルコストの削減をもたらす技術
として、近年注目を集めている。
術において、ＳＯＩ構造、すなわち、絶縁層上のシリコ
ン単結晶層を利用した半導体デバイスは、寄生容量の低
減を図ることができ、耐放射線性にも優れ、素子分離が
容易であること等、多くの優れた特性を有している。こ
のため、トランジスタの高速化、低電圧化、低消費電力
化、高集積化およびウェル工程の省略を始めとする工程
の簡略化を含めたトータルコストの削減をもたらす技術
として、近年注目を集めている。
【０００３】上記ＳＯＩ構造を有するウエハの製造方法
としては、シリコン基板に酸素イオンを注入し、熱処理
して、該シリコン基板内部にＳｉＯ2 等の絶縁層を形成
する、いわゆるＳＩＭＯＸ法や、酸化膜を介してシリコ
ン基板同士を貼り合わせる貼り合わせ法が一般的であ
る。また、比較的容易に面内厚さが均一なシリコン単結
晶薄膜層を形成することができる方法として、キャノン
株式会社により開発された“ＥＬＴＲＡＮ”と通称され
る、貼り合わせエッチバック法が知られている。
としては、シリコン基板に酸素イオンを注入し、熱処理
して、該シリコン基板内部にＳｉＯ2 等の絶縁層を形成
する、いわゆるＳＩＭＯＸ法や、酸化膜を介してシリコ
ン基板同士を貼り合わせる貼り合わせ法が一般的であ
る。また、比較的容易に面内厚さが均一なシリコン単結
晶薄膜層を形成することができる方法として、キャノン
株式会社により開発された“ＥＬＴＲＡＮ”と通称され
る、貼り合わせエッチバック法が知られている。
【０００４】この貼り合わせエッチバック法は、まず、
一方のシリコン基板（シードウエハ）表面に、陽極化成
により多孔質シリコン層を形成し、その表面にシリコン
単結晶層をエピタキシャル成長させた後、その表面を熱
酸化処理して、絶縁層を形成する。そして、もう一方の
基板（ハンドルウエハ）と貼り合わせ熱処理する。そし
て、ウォータージェットにより、多孔質シリコン層でシ
ードウエハとＳＯＩ層を有するハンドルウエハとに分離
し、高選択性エッチングにより、ＳＯＩ層上に残存する
多孔質シリコン層を除去し、さらに、水素アニール処理
により、ＳＯＩ層を平坦化するものである。
一方のシリコン基板（シードウエハ）表面に、陽極化成
により多孔質シリコン層を形成し、その表面にシリコン
単結晶層をエピタキシャル成長させた後、その表面を熱
酸化処理して、絶縁層を形成する。そして、もう一方の
基板（ハンドルウエハ）と貼り合わせ熱処理する。そし
て、ウォータージェットにより、多孔質シリコン層でシ
ードウエハとＳＯＩ層を有するハンドルウエハとに分離
し、高選択性エッチングにより、ＳＯＩ層上に残存する
多孔質シリコン層を除去し、さらに、水素アニール処理
により、ＳＯＩ層を平坦化するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体デバ
イスの素子形成においては、素子性能の保持等の観点か
ら、前記シリコン単結晶層の膜厚をできるだけ面内で均
一に保つことが要求される。このため、上記貼り合わせ
エッチバック法の水素アニール処理前には、一般に、ウ
エハを洗浄するが、形成されたＳＯＩ層の膜厚の均一性
を保つためには、該洗浄による表面Ｓｉ層のエッチング
量を正確に把握することが重要となる。従来は、上記エ
ッチング量を評価するためには、実際に製品とすべきＳ
ＯＩウエハをモニタサンプルとして、エッチング量を確
認し、これに基づいて、洗浄条件の設定や調整を行って
いた。
イスの素子形成においては、素子性能の保持等の観点か
ら、前記シリコン単結晶層の膜厚をできるだけ面内で均
一に保つことが要求される。このため、上記貼り合わせ
エッチバック法の水素アニール処理前には、一般に、ウ
エハを洗浄するが、形成されたＳＯＩ層の膜厚の均一性
を保つためには、該洗浄による表面Ｓｉ層のエッチング
量を正確に把握することが重要となる。従来は、上記エ
ッチング量を評価するためには、実際に製品とすべきＳ
ＯＩウエハをモニタサンプルとして、エッチング量を確
認し、これに基づいて、洗浄条件の設定や調整を行って
いた。
【０００６】しかしながら、ＳＯＩウエハは、通常のプ
ライムウエハと比較して高価であるため、例えば、ウェ
ット洗浄の場合には、洗浄液を交換する度に、または、
洗浄液成分の確認や調整等の度に、エッチング量を評価
するためのサンプルウエハとしてＳＯＩウエハを消費す
ることは、ＳＯＩウエハの製造コストアップの一因とな
っていた。
ライムウエハと比較して高価であるため、例えば、ウェ
ット洗浄の場合には、洗浄液を交換する度に、または、
洗浄液成分の確認や調整等の度に、エッチング量を評価
するためのサンプルウエハとしてＳＯＩウエハを消費す
ることは、ＳＯＩウエハの製造コストアップの一因とな
っていた。
【０００７】したがって、製造するＳＯＩウエハを無駄
に消費することなく、ＳＯＩウエハのエッチング量を正
確かつ安価に評価することができる代替方法が求められ
ていた。
に消費することなく、ＳＯＩウエハのエッチング量を正
確かつ安価に評価することができる代替方法が求められ
ていた。
【０００８】本発明は、上記技術的課題を解決するため
になされたものであり、ＳＯＩウエハを製造する際、洗
浄等によるシリコン単結晶層のエッチング量を正確かつ
安価に評価することができるＳＯＩウエハのエッチング
量の評価方法を提供することを目的とするものである。
になされたものであり、ＳＯＩウエハを製造する際、洗
浄等によるシリコン単結晶層のエッチング量を正確かつ
安価に評価することができるＳＯＩウエハのエッチング
量の評価方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＳＯＩウエ
ハのエッチング量の評価方法は、ＳＯＩウエハの絶縁層
上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、基
板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエッ
チング量との相関関係を用いて評価されることを特徴と
する。本発明に係る方法によれば、ウェット洗浄等によ
るＳＯＩシリコン表層のエッチング量をｎｍ単位の精度
で正確に評価することができる。しかも、ＳＯＩウエハ
に代えて、基板上の単結晶シリコン層をポリシリコン層
に置き換えたウエハを用いることにより、ＳＯＩウエハ
を無駄に消費することなく、シリコン単結晶層のエッチ
ング量の評価を行うことができる。
ハのエッチング量の評価方法は、ＳＯＩウエハの絶縁層
上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、基
板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエッ
チング量との相関関係を用いて評価されることを特徴と
する。本発明に係る方法によれば、ウェット洗浄等によ
るＳＯＩシリコン表層のエッチング量をｎｍ単位の精度
で正確に評価することができる。しかも、ＳＯＩウエハ
に代えて、基板上の単結晶シリコン層をポリシリコン層
に置き換えたウエハを用いることにより、ＳＯＩウエハ
を無駄に消費することなく、シリコン単結晶層のエッチ
ング量の評価を行うことができる。
【００１０】前記エッチング量は、ウェット洗浄におい
て評価されることが好ましい。ウェット洗浄の場合に、
特に、ＳＯＩウエハの無駄な消費を低減させる効果が大
きく、ＳＯＩウエハの製造コストの低減を図ることがで
きる。
て評価されることが好ましい。ウェット洗浄の場合に、
特に、ＳＯＩウエハの無駄な消費を低減させる効果が大
きく、ＳＯＩウエハの製造コストの低減を図ることがで
きる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、より詳細
に説明する。本発明に係るＳＯＩウエハのエッチング量
の評価方法は、ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシ
リコン単結晶層のエッチング量を評価する際、基板上
に、シリコン単結晶層に代えて、ポリシリコン層を形成
させたモニタウエハを用いて、そのモニタウエハのエッ
チング量との相関関係を用いて評価することを特徴とす
るものである。本発明に係る方法によれば、ウェット洗
浄等によるＳＯＩシリコン表層のエッチング量をｎｍ単
位の精度で正確に評価することができる。しかも、従来
は、ＳＯＩウエハ自体がモニタウエハとして使用されて
いたが、それに代えて、ＳＯＩウエハではないモニタウ
エハを用いることにより、ＳＯＩウエハを無駄に消費す
ることなく、シリコン単結晶層のエッチング量の評価を
行うことができる。
に説明する。本発明に係るＳＯＩウエハのエッチング量
の評価方法は、ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシ
リコン単結晶層のエッチング量を評価する際、基板上
に、シリコン単結晶層に代えて、ポリシリコン層を形成
させたモニタウエハを用いて、そのモニタウエハのエッ
チング量との相関関係を用いて評価することを特徴とす
るものである。本発明に係る方法によれば、ウェット洗
浄等によるＳＯＩシリコン表層のエッチング量をｎｍ単
位の精度で正確に評価することができる。しかも、従来
は、ＳＯＩウエハ自体がモニタウエハとして使用されて
いたが、それに代えて、ＳＯＩウエハではないモニタウ
エハを用いることにより、ＳＯＩウエハを無駄に消費す
ることなく、シリコン単結晶層のエッチング量の評価を
行うことができる。
【００１２】ＳＯＩウエハの製造の際、ウエハへのパタ
ーン形成時における性能保持等の観点から、表層のシリ
コン単結晶の膜厚を面内において均一に保つ必要があ
り、該シリコン単結晶層の洗浄等によるエッチング量
は、ｎｍ単位で厳密に制御されることが必要である。本
発明に係る方法は、上記のような厳密なエッチング量の
制御が求められる場合のエッチング量の評価に好適であ
る。従来法と同様の精度でエッチング量を評価すること
ができ、しかも、従来よりも安価なモニタウエハを使用
することにより、ＳＯＩウエハの製造コストの低減を図
ることができる。なお、本発明に係る方法は、上述した
ＳＩＭＯＸ法、貼り合わせ法、貼り合わせエッチバック
法等のいずれの方法により製造されたＳＯＩウエハにも
適用することができる。
ーン形成時における性能保持等の観点から、表層のシリ
コン単結晶の膜厚を面内において均一に保つ必要があ
り、該シリコン単結晶層の洗浄等によるエッチング量
は、ｎｍ単位で厳密に制御されることが必要である。本
発明に係る方法は、上記のような厳密なエッチング量の
制御が求められる場合のエッチング量の評価に好適であ
る。従来法と同様の精度でエッチング量を評価すること
ができ、しかも、従来よりも安価なモニタウエハを使用
することにより、ＳＯＩウエハの製造コストの低減を図
ることができる。なお、本発明に係る方法は、上述した
ＳＩＭＯＸ法、貼り合わせ法、貼り合わせエッチバック
法等のいずれの方法により製造されたＳＯＩウエハにも
適用することができる。
【００１３】本発明において用いられるモニタウエハ
は、シリコン基板上に、例えば、気相薄膜成長法等によ
り、ポリシリコン膜を、少なくとも前記ＳＯＩウエハの
単結晶シリコン層の厚さ以上の厚さに形成させたもので
ある。前記ＳＯＩウエハの絶縁層は、基板の基部材質が
シリコンである場合は、通常、その酸化により形成され
たＳｉＯ2 等のシリコン酸化膜層であるが、堆積Ｓｉ 3
Ｎ4 膜やシリコン酸化物とＳｉ3 Ｎ4 の多層膜の場合も
ある。
は、シリコン基板上に、例えば、気相薄膜成長法等によ
り、ポリシリコン膜を、少なくとも前記ＳＯＩウエハの
単結晶シリコン層の厚さ以上の厚さに形成させたもので
ある。前記ＳＯＩウエハの絶縁層は、基板の基部材質が
シリコンである場合は、通常、その酸化により形成され
たＳｉＯ2 等のシリコン酸化膜層であるが、堆積Ｓｉ 3
Ｎ4 膜やシリコン酸化物とＳｉ3 Ｎ4 の多層膜の場合も
ある。
【００１４】前記モニタウエハにおいてシリコン基板上
に形成されるポリシリコン膜は、前記ＳＯＩウエハにお
けるシリコン単結晶膜と同程度の面内における均質性を
有していることが必要であることから、通常、ＣＶＤ装
置等を用いて、気相薄膜成長法により堆積形成される
が、特に、減圧ＣＶＤ装置（ＬＰＣＶＤ装置）を用い
て、形成されることが好ましい。このようなポリシリコ
ン膜が表層に形成されたモニタウエハは、ＳＯＩウエハ
と比較して、容易かつ安価に製造することができる。
に形成されるポリシリコン膜は、前記ＳＯＩウエハにお
けるシリコン単結晶膜と同程度の面内における均質性を
有していることが必要であることから、通常、ＣＶＤ装
置等を用いて、気相薄膜成長法により堆積形成される
が、特に、減圧ＣＶＤ装置（ＬＰＣＶＤ装置）を用い
て、形成されることが好ましい。このようなポリシリコ
ン膜が表層に形成されたモニタウエハは、ＳＯＩウエハ
と比較して、容易かつ安価に製造することができる。
【００１５】前記モニタウエハのポリシリコンのエッチ
ング量と、ＳＯＩウエハ表層のシリコン単結晶層のエッ
チング量との間には、一定の相関が認められる。例え
ば、ウェット洗浄におけるＳＣ−１薬液等の洗浄液を用
いた場合のモニタウエハ表層のポリシリコンの単位時間
当たりのエッチング厚さが、ＳＯＩウエハ表層の単結晶
シリコン層の単位時間当たりのエッチング厚さとは一定
の相関関係にある。すなわち、モニタウエハのエッチン
グ量（厚さ）を評価することにより、同条件下における
ＳＯＩウエハのエッチング量（厚さ）を正確に求めるこ
とができる。したがって、まず、ＳＯＩウエハのウェッ
ト洗浄において使用する洗浄液と同一組成の薬液を用い
て、実際の洗浄工程と同様の条件下で、モニタウエハ表
層のポリシリコン層と、ＳＯＩウエハ表層の単結晶シリ
コン層とのエッチング量を同時に測定する。この測定
を、洗浄時間、温度等を変化させた各種条件下で行い、
両者のエッチング量の相関図を作成すること等によっ
て、予め、両者のエッチング速度比を求めておく。そし
て、このエッチング量の評価結果に基づいて、所定のエ
ッチング量が達成される洗浄条件を決定する。
ング量と、ＳＯＩウエハ表層のシリコン単結晶層のエッ
チング量との間には、一定の相関が認められる。例え
ば、ウェット洗浄におけるＳＣ−１薬液等の洗浄液を用
いた場合のモニタウエハ表層のポリシリコンの単位時間
当たりのエッチング厚さが、ＳＯＩウエハ表層の単結晶
シリコン層の単位時間当たりのエッチング厚さとは一定
の相関関係にある。すなわち、モニタウエハのエッチン
グ量（厚さ）を評価することにより、同条件下における
ＳＯＩウエハのエッチング量（厚さ）を正確に求めるこ
とができる。したがって、まず、ＳＯＩウエハのウェッ
ト洗浄において使用する洗浄液と同一組成の薬液を用い
て、実際の洗浄工程と同様の条件下で、モニタウエハ表
層のポリシリコン層と、ＳＯＩウエハ表層の単結晶シリ
コン層とのエッチング量を同時に測定する。この測定
を、洗浄時間、温度等を変化させた各種条件下で行い、
両者のエッチング量の相関図を作成すること等によっ
て、予め、両者のエッチング速度比を求めておく。そし
て、このエッチング量の評価結果に基づいて、所定のエ
ッチング量が達成される洗浄条件を決定する。
【００１６】本発明に係る方法は、種々のエッチング工
程において適用することができるが、洗浄液を用いるウ
ェット洗浄の場合のエッチング量の評価に、特に好適で
ある。ウェット洗浄においては、洗浄液交換、液組成の
確認、調整等の操作は、頻繁に行う必要があるが、従
来、ＳＯＩウエハを上記操作の度に、モニタウエハとし
て消費していた場合に比べて、上記モニタウエハを用い
てエッチング量の評価を行うことにより、ＳＯＩウエハ
の製造コストの低減を図ることができる。
程において適用することができるが、洗浄液を用いるウ
ェット洗浄の場合のエッチング量の評価に、特に好適で
ある。ウェット洗浄においては、洗浄液交換、液組成の
確認、調整等の操作は、頻繁に行う必要があるが、従
来、ＳＯＩウエハを上記操作の度に、モニタウエハとし
て消費していた場合に比べて、上記モニタウエハを用い
てエッチング量の評価を行うことにより、ＳＯＩウエハ
の製造コストの低減を図ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的
に説明するが、本発明は下記の実施例により制限される
ものではない。絶縁層としてＳｉＯ2 層（厚さ１００ｎ
ｍ）を備えたシリコン基板の該絶縁層上に、厚さ１３０
ｎｍの単結晶シリコン層を形成した、貼り合わせエッチ
バック法により製造したＳＯＩウエハ（ＥＬＴＲＡＮ
（キャノン株式会社製））と、シリコン基板上に厚さ４
００ｎｍのポリシリコン膜をＬＰＣＶＤ装置により堆積
成長させたモニタウエハをそれぞれ用意した。そして、
図１に示す洗浄装置１のフッ素樹脂加工されたキャリア
２、３内の３箇所の所定位置（装置手前Ｆ、装置中央
Ｍ、装置奥Ｂ）に上記モニタウエハ４およびＳＯＩウエ
ハ（ＥＬＴＲＡＮ）５を隣り合わせに各１枚ずつセット
し、ＳＣ−１薬液（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝
１：２：１３（vol ％））６を用いて、７０℃で、薬液
混合直後、６０分後、１５０分後のエッチング量の評価
を行った。なお、装置手前Ｆのキャリア２内には、表面
（研磨面）を装置手前Ｆに向けてウエハをセットし、一
方、装置奥Ｂのキャリア３内には、表面（研磨面）を装
置奥Ｂに向けてウエハをセットした。
に説明するが、本発明は下記の実施例により制限される
ものではない。絶縁層としてＳｉＯ2 層（厚さ１００ｎ
ｍ）を備えたシリコン基板の該絶縁層上に、厚さ１３０
ｎｍの単結晶シリコン層を形成した、貼り合わせエッチ
バック法により製造したＳＯＩウエハ（ＥＬＴＲＡＮ
（キャノン株式会社製））と、シリコン基板上に厚さ４
００ｎｍのポリシリコン膜をＬＰＣＶＤ装置により堆積
成長させたモニタウエハをそれぞれ用意した。そして、
図１に示す洗浄装置１のフッ素樹脂加工されたキャリア
２、３内の３箇所の所定位置（装置手前Ｆ、装置中央
Ｍ、装置奥Ｂ）に上記モニタウエハ４およびＳＯＩウエ
ハ（ＥＬＴＲＡＮ）５を隣り合わせに各１枚ずつセット
し、ＳＣ−１薬液（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝
１：２：１３（vol ％））６を用いて、７０℃で、薬液
混合直後、６０分後、１５０分後のエッチング量の評価
を行った。なお、装置手前Ｆのキャリア２内には、表面
（研磨面）を装置手前Ｆに向けてウエハをセットし、一
方、装置奥Ｂのキャリア３内には、表面（研磨面）を装
置奥Ｂに向けてウエハをセットした。
【００１８】これらのモニタウエハのエッチング量の評
価結果を、ウエハ表面の５点（中心部、上端部、下端
部、左端部、右端部）について、洗浄装置内のウエハセ
ット位置（手前、中央、奥）ごとに、図２（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示す。図２に示したように、モニタウ
エハのポリシリコン膜は、同一バッチ処理でのウエハセ
ット位置によるエッチング量のばらつきは小さく、面内
における均一性が高いことが認められた。
価結果を、ウエハ表面の５点（中心部、上端部、下端
部、左端部、右端部）について、洗浄装置内のウエハセ
ット位置（手前、中央、奥）ごとに、図２（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示す。図２に示したように、モニタウ
エハのポリシリコン膜は、同一バッチ処理でのウエハセ
ット位置によるエッチング量のばらつきは小さく、面内
における均一性が高いことが認められた。
【００１９】また、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に、洗
浄装置内のウエハセット位置（手前、中央、奥）別に、
薬液混合後の経過時間に伴うモニタウエハのポリシリコ
ン膜およびシリコン単結晶層の各エッチング量を示す。
図３に示したように、モニタウエハのポリシリコン膜の
方がＳＯＩウエハのシリコン単結晶層よりも、エッチン
グレートが高いものの、エッチング量は、両ウエハと
も、薬液混合後の経過時間に伴って徐々に減少し、同じ
傾向を示すことが認められた。
浄装置内のウエハセット位置（手前、中央、奥）別に、
薬液混合後の経過時間に伴うモニタウエハのポリシリコ
ン膜およびシリコン単結晶層の各エッチング量を示す。
図３に示したように、モニタウエハのポリシリコン膜の
方がＳＯＩウエハのシリコン単結晶層よりも、エッチン
グレートが高いものの、エッチング量は、両ウエハと
も、薬液混合後の経過時間に伴って徐々に減少し、同じ
傾向を示すことが認められた。
【００２０】この結果に基づいて、図４に、両ウエハの
エッチング量の相関を線図として示す。図４に示したよ
うに、両ウエハのエッチング量には強い相関が認めら
れ、両者のエッチングレートは、測定範囲内（薬液混合
直後〜１６０分経過後）においてほぼ一定であることが
認められた。したがって、モニタウエハのポリシリコン
膜のエッチング量を評価することによって、ＳＯＩウエ
ハのシリコン単結晶層のエッチング量をｎｍ単位の精度
で容易かつ正確に管理することができる。
エッチング量の相関を線図として示す。図４に示したよ
うに、両ウエハのエッチング量には強い相関が認めら
れ、両者のエッチングレートは、測定範囲内（薬液混合
直後〜１６０分経過後）においてほぼ一定であることが
認められた。したがって、モニタウエハのポリシリコン
膜のエッチング量を評価することによって、ＳＯＩウエ
ハのシリコン単結晶層のエッチング量をｎｍ単位の精度
で容易かつ正確に管理することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明に係るＳＯＩウエ
ハのエッチング量の評価方法によれば、ＳＯＩウエハの
シリコン単結晶層のエッチング量をｎｍ単位の高精度で
容易かつ正確に評価することができる。また、本発明
は、従来法のように、高価なＳＯＩウエハをモニタウエ
ハとして消費する必要がないため、ＳＯＩウエハの製造
コストの低減を図ることに寄与することができる。
ハのエッチング量の評価方法によれば、ＳＯＩウエハの
シリコン単結晶層のエッチング量をｎｍ単位の高精度で
容易かつ正確に評価することができる。また、本発明
は、従来法のように、高価なＳＯＩウエハをモニタウエ
ハとして消費する必要がないため、ＳＯＩウエハの製造
コストの低減を図ることに寄与することができる。
【図１】実施例における洗浄装置の概略側面図である。
【図２】実施例におけるモニタウエハのエッチング量を
示す線図であり、（ａ）は薬液混合直後、（ｂ）は６０
分後、（ｃ）は１５０分後のものについて示したもので
ある。
示す線図であり、（ａ）は薬液混合直後、（ｂ）は６０
分後、（ｃ）は１５０分後のものについて示したもので
ある。
【図３】実施例におけるモニタウエハおよびＳＯＩウエ
ハのエッチング量の経時変化を示す線図であり、（ａ）
はウエハセット位置が装置手前、（ｂ）はウエハセット
位置が装置中央、（ａ）はウエハセット位置が装置奥の
ものについて示したものである。
ハのエッチング量の経時変化を示す線図であり、（ａ）
はウエハセット位置が装置手前、（ｂ）はウエハセット
位置が装置中央、（ａ）はウエハセット位置が装置奥の
ものについて示したものである。
【図４】実施例におけるモニタウエハのポリシリコン膜
とＳＯＩウエハのシリコン単結晶層とのエッチング量の
相関を示した線図である。
とＳＯＩウエハのシリコン単結晶層とのエッチング量の
相関を示した線図である。
１ 洗浄装置
２、３ キャリア
４ モニタウエハ
５ ＳＯＩウエハ（ＥＬＴＲＡＮ）
６ ＳＣ−１薬液
Ｆ 装置手前
Ｍ 装置中央
Ｂ 装置奥
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシ
リコン単結晶層のエッチング量が、基板上にポリシリコ
ン層を形成させたモニタウエハのエッチング量との相関
関係を用いて評価されることを特徴とするＳＯＩウエハ
のエッチング量の評価方法。 - 【請求項２】 前記エッチング量は、ウェット洗浄にお
いて評価されることを特徴とする請求項１記載のＳＯＩ
ウエハのエッチング量の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001273226A JP2003086648A (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Ｓｏｉウエハのエッチング量の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001273226A JP2003086648A (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Ｓｏｉウエハのエッチング量の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086648A true JP2003086648A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19098467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001273226A Pending JP2003086648A (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Ｓｏｉウエハのエッチング量の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003086648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027214A1 (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 積層基板の洗浄方法及び基板の貼り合わせ方法並びに貼り合せウェーハの製造方法 |
-
2001
- 2001-09-10 JP JP2001273226A patent/JP2003086648A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027214A1 (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 積層基板の洗浄方法及び基板の貼り合わせ方法並びに貼り合せウェーハの製造方法 |
| US7608548B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-10-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for cleaning a multilayer substrate and method for bonding substrates and method for producing a bonded wafer |
| KR101142138B1 (ko) * | 2003-09-10 | 2012-05-10 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 적층기판의 세척방법, 기판의 접합방법 및 접합 웨이퍼의제조방법 |
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