JP2003084300A

JP2003084300A - 液晶表示装置とその製造方法

Info

Publication number: JP2003084300A
Application number: JP2001276313A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-09-12
Filing date: 2001-09-12
Publication date: 2003-03-19

Abstract

(57)【要約】【課題】携帯電話用表示装置は小型・軽量・薄型の要
求が強く、狭額縁の液晶パネルが必要。【解決手段】反射電極の下地も兼ね、断面形状が凹凸
である樹脂層と同一の樹脂層上に変換配線を形成し、液
晶パネルの一辺に全ての電極端子を集約させて一辺実装
対応とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】［発明の詳細な説明］本発明は、画像表示機能を有する
マトリクス型表示装置、とりわけ液晶表示装置およびそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料技術およ
び高密度実装技術等の進歩により、５〜５０ｃｍ対角の
液晶表示装置（液晶パネル）でテレビジョン画像や各種
の画像表示機器が商用ベースで大量に提供されている。

【０００３】これらの液晶パネルは走査線としては２０
０〜１２００本、信号線としては２００〜１６００本程
度のマトリクス編成が一般的であるが、最近は表示容量
の増大に対応すべく大画面化と高精細化とが同時に進行
している。

【０００４】図１２は液晶パネルへの実装状態を示し、
液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基板、例えば
ガラス基板２上に形成された走査線の電極端子群６に駆
動信号を供給する半導体集積回路チップ３を導電性の接
着剤を用いて接続するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−Ｏｎ−Ｇｌａ
ｓｓ）方式や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースと
し、金または半田鍍金された銅箔の端子（図示せず）を
有するＴＣＰフィルム４を信号線の電極端子群５に導電
性媒体を含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ
（Ｔａｐｅ−Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｐａｃｋａｇｅ）方式な
どの実装手段によって電気信号が画像表示部に供給され
る。ここでは便宜上二つの実装方式を同時に図示してい
るが実際には何れかの方式が適宜選択される。

【０００５】７，８は液晶パネル１のほぼ中央部に位置
する画像表示部と信号線および走査線の電極端子５，６
との間を接続する配線路で、必ずしも電極端子群５，６
と同一の導電材で構成される必要はない。９は全ての液
晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有
するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板ま
たはカラーフィルタである。

【０００６】図１３はスイッチング素子として絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型
液晶パネルの等価回路図を示し、１１（図１２では８）
は走査線、１２（図１２では７）は信号線、１３は液晶
セルであって、液晶セル１３は電気的には容量素子とし
て扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネルを構成
する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描かれた
全ての液晶セル１３に共通な対向電極１４はもう一方の
ガラス基板９上に形成されている。絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０のＯＦＦ抵抗あるいは液晶セル１３の抵抗が
低い場合や表示画像の階調性を重視する場合には、負荷
としての液晶セル１３の時定数を大きくするための補助
の蓄積容量１５を液晶セル１３に並列に加える等の回路
的工夫が加味される。なお１６は蓄積容量１５の共通母
線である蓄積容量線である。

【０００７】図１４は液晶パネルの画像表示部の要部断
面図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板
２，９は樹脂性のファイバやビーズあるいは柱状のスペ
ーサ材（図示せず）等によって数μｍ程度の所定の距離
を隔てて形成され、その間隙（ギャップ）はガラス基板
９の周縁部において有機性樹脂よりなるシール材と封口
材（何れも図示せず）とで封止された閉空間になってお
り、この閉空間に液晶１７が充填されている。

【０００８】カラー表示を実現する場合には、ガラス基
板９の閉空間側に着色層１８と称する染料または顔料の
いずれか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の
有機薄膜層が被着されて色表示機能が与えられるので、
その場合にはガラス基板９は別名カラーフィルタ（Ｃｏ
ｌｏｒＦｉｌｔｅｒ略語はＣＦ）と呼称される。そ
して液晶材料１７の性質によってはカラーフィルタ９の
上面またはガラス基板２の下面の何れかもしくは両面上
に偏光板１９が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子
として機能する。現在、市販されている大部分の液晶パ
ネルでは液晶材料にＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の
物を用いており、偏光板１９は通常２枚必要である。図
示はしないが、透過型液晶パネルでは光源として裏面光
源が配置され、下方より白色光が照射される。

【０００９】液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９
上に形成された例えば厚さ０．１μm程度のポリイミド
系樹脂薄膜２０は液晶分子を決められた方向に配向させ
るための配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジス
タ１０のドレインと透明導電性の絵素電極２２とを接続
するドレイン配線（電極）であり、ソース配線（信号
線）１２と同時に形成されることが多い。ソース配線１
２とドレイン配線２１との間に位置するのは半導体層２
３であり詳細は後述する。カラーフィルタ９上で隣り合
った着色層１８の境界に形成された厚さ０．１μm程度
のＣｒ薄膜層２４は半導体層２３と走査線１１及び信号
線１２に外部光が入射するのを防止するための光遮蔽
で、いわゆるブラックマトリクス（ＢｌａｃｋＭａｔ
ｒｉｘ略語はＢＭ）として定着化した技術である。

【００１０】ガラス基板サイズの拡大による生産性の向
上も相俟って生産コストが低下し、また生産量の増大に
つれて使用する部品・材料も低下する相乗的な作用が働
き、液晶パネルの市場は拡大の一途をたどっている。現
時点における最大の市場はノートＰＣとデスクトップモ
ニターであるが、携帯電話の急速な成長により、同時に
成長が見込まれる情携帯端末機器の表示部にも中小型の
液晶パネルが必要であり、携帯電話やこれらの情報端末
機器、更にはデジタル家電機器と従来のカーナビ用途以
外にも中小型の市場も大きな成長が見込まれている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】中でも携帯電話は、多
様な情報サービスの提供によりここ数年で爆発的に生産
量が拡大し、液晶パネル市場の大きな核となってきた。
携帯電話は市場に提供された当初から、小型・軽量・薄
型及び低消費電力の要望が大きく、最新の様々な技術開
発が盛込まれては新製品として次々に登場しているのが
実態である。

【００１２】携帯電話の画面サイズは多種多様で縦長の
ものもあり、このような表示パネルでは駆動のための外
部接続端子を下側の一辺に配置して携帯電話のスリム化
に寄与している。低温ポリシリコンを半導体素子とする
アクティブ型の液晶パネルでは画像表示部外の周辺部に
駆動用の半導体回路を内蔵させることは比較的容易であ
るが、低温ポリシリコンではリーク電流が大きく液晶パ
ネルの消費電力が若干増大することから携帯電話への採
用が遅れている。一方、アモルファスシリコンを半導体
素子とするアクティブ型の液晶パネルでは通常、駆動用
の半導体集積回路チップは先述したように画像表示部外
の走査線側と信号線側の周辺部に実装手段によって配置
される。

【００１３】このため、走査線側の半導体集積回路チッ
プを信号線側に配置しようとすると、図１５に示したよ
うに走査線と走査線の電極端子６とを接続する配線路８
が走査線側に沿って必要で、例えばその線幅を５μｍの
ライン・アンド・スペースで構成しても走査線数が２０
０本もあればおよそ２ｍｍのスペースを必要とし、画面
サイズが対角５ｃｍ以下の小型の表示パネルを内蔵する
携帯電話ではさらなる狭額縁が要求されている。

【００１４】また、携帯電話は明るい屋外から暗い夜道
に至るまで使用環境が極めて広く、透過型または反射型
の機能しか有しない液晶パネルでは対応しきれないこと
から最近では半透過型の液晶パネルが主流になりつつあ
る。これは絵素電極の大半を金属反射電極とし一部を透
過電極とすることにより屋外では反射型として動作さ
せ、暗い環境下では透過型として動作させる液晶パネル
である。

【００１５】本発明はかかる現状に鑑みなされたもの
で、走査線側または信号線側の何れか一辺に全ての電極
端子が形成された半透過型の液晶表示装置を得ることを
目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明では走査線または
信号線上に開口部を有する絶縁層をアクティブ基板上に
形成し、開口部内の走査線または信号線を含んで絶縁層
を介して信号線または走査線上に金属反射電極と同一材
で変換配線を形成し、変換配線の先端部分を電極端子と
することで電極端子をアクティブ基板の一辺に集約する
ことができる。また金属反射電極の一部を欠除させて透
光性を与えることで半透過型の液晶表示装置とすること
は公知の技術である。

【００１７】請求項１に記載の液晶表示装置は、一主面
上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲー
ト型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース
配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素
電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列さ
れた絶縁基板と、絶縁基板と対向する透明性絶縁基板ま
たはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表
示装置において、ドレイン配線上に第１の開口部と走査
線または信号線上に第２の開口部を有すると共に絵素電
極形成領域ではその断面形状が凹凸である任意形状の島
状パターンの樹脂層が絶縁基板上に形成され、島状パタ
ーン上に反射電極と第２の開口部を含んで信号線または
走査線上に金属層よりなる変換配線とが形成され、第１
の開口部と反射電極を含んで透明導電性の絵素電極が形
成され、変換配線は走査線または信号線の電極端子を有
すると共に信号線側または走査線側の何れか一辺に全て
の電極端子が形成されていることを特徴とする。

【００１８】この構成により、変換配線の低抵抗化が実
現するだけでなく、走査線側または信号線側の何れか一
辺に全ての電極端子が形成された半透過型の液晶表示装
置を得ることができる。

【００１９】請求項２に記載の液晶表示装置において
は、変換配線と反射電極が陽極酸化可能な金属層で構成
され、かつ変換配線はその表面に陽極酸化層を形成され
ると共にその表面に透明導電層を有する走査線または信
号線の電極端子を有することを特徴とする。

【００２０】請求項３に記載の液晶表示装置において
は、変換配線は画像表示部内ではその表面に有機絶縁層
を形成されると共に走査線または信号線の電極端子を有
することを特徴とする。

【００２１】請求項４に記載の液晶表示装置において
は、変換配線は画像表示部内ではその表面に有機絶縁層
を形成されると共にその表面に透明導電層が形成された
走査線または信号線の電極端子を有することを特徴とす
る。

【００２２】これらの構成により、変換配線の低抵抗化
が実現し、高精細と高速性に対応可能な液晶表示装置が
得られるだけでなく、半透過型の液晶表示装置の信頼性
と歩留が向上する。

【００２３】請求項５に記載の表示装置用基板の製造方
法は、少なくとも絶縁基板の一主面上に絶縁ゲート型ト
ランジスタと、絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極
も兼ねる走査線と、ソース配線も兼ねる信号線及びドレ
イン配線とを形成する工程と、ドレイン配線上に第１の
開口部と走査線または信号線上に第２の開口部と絵素電
極形成領域に任意形状の島状パターンを有する樹脂層を
形成する工程と、島状パターンの稜線の傾斜角度を低下
させる工程と、島状パターン上に反射電極と第２の開口
部を含んで信号線または走査線上に金属層よりなる変換
配線とを形成する工程と、反射電極を含んで透明導電性
の絵素電極を形成する工程とを有することを特徴とす
る。

【００２４】この構成により、電極端子を走査線側また
は信号線側の何れか一方に集中して配置することが可能
となり、絵素電極は反射電極と透明電極の２種類の電極
で構成された半透過型の液晶表示装置が得られる。

【００２５】請求項６に記載の表示装置用基板の製造方
法は、反射電極の下地となる凹凸状の表面（任意形状の
島状パターン）を有する樹脂層の形成後、陽極酸化可能
な金属層よりなる変換配線と反射電極とを形成する工程
と、透明導電層を被着後に画像表示部外の領域で変換配
線の走査線または信号線の電極端子上と前記反射電極を
含んで絵素電極形成領域に絵素電極に対応した感光性樹
脂パターンを形成する工程と、感光性樹脂パターンをマ
スクとして透明導電層を選択的に食刻する工程と、感光
性樹脂パターンをマスクとして変換配線上に陽極酸化層
を形成する工程とを有することを特徴とする。

【００２６】請求項７に記載の表示装置用基板の製造方
法は、反射電極の下地となる凹凸状の表面を有する樹脂
層の形成後、金属層よりなる変換配線と反射電極とを形
成する工程と、透明導電層よりなる絵素電極を形成する
工程と、変換配線上に有機絶縁層を形成する工程とを有
することを特徴とする。

【００２７】請求項８記載の液晶表示装置の製造方法
は、変換配線上に有機絶縁層を形成されたアクティブ基
板と透明性絶縁基板またはカラーフィルタとを対向させ
て液晶パネル化する工程と、透明性絶縁基板またはカラ
ーフィルタをマスクとして画像表示部外の有機絶縁層を
選択的に除去する工程とを有することを特徴とする。

【００２８】請求項９に記載の表示装置用基板の製造方
法は、反射電極の下地となる凹凸状の表面を有する樹脂
層の形成後、金属層よりなる変換配線と反射電極とを形
成する工程と、透明導電層を被着後に画像表示部外の領
域で変換配線の走査線または信号線の電極端子上と反射
電極を含んで絵素電極形成領域に絵素電極に対応した感
光性樹脂パターンを形成する工程と、感光性樹脂パター
ンをマスクとして透明導電層を選択的に食刻する工程
と、感光性樹脂パターンをマスクとして変換配線上に有
機絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする。

【００２９】これらの構成により、低抵抗でかつその表
面が絶縁化された変換配線を得ることかできて半透過型
の液晶表示装置の高速対応性と信頼性及び歩留が向上す
る。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１〜図１
１に基づいて説明する。以下の説明では便宜上、同一部
位には従来例と同じ符号を付すことにする。

【００３１】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態を図１と図２を参照しながら説明する。図１は先願で
ある特願２００１−６８９８２号公報にも紹介されてい
る現在標準の５枚マスク・プロセスに準拠したアクティ
ブ基板の単位絵素の平面図で、同図のＡ−Ａ’線とＢ−
Ｂ’線上の断面図を図２に示し、その製造工程を絶縁ゲ
ート型トランジスタにチャネル・エッチ型を採用した場
合について以下に簡単に説明する。なお、蓄積容量線１
６とドレイン配線２１とがゲート絶縁層３０を介して重
なっている領域５２（右下がり斜線部）が蓄積容量１５
を形成する構成を選択しているが、絵素電極２２（開口
部６１等を介してドレイン配線２１に接続されている）
と前段の走査線１１とがゲート絶縁層３０を含む薄膜を
介して蓄積容量１５を形成する構成も可能である。しか
しながらここではその詳細な説明は省略する。

【００３２】先ず、図２（ａ）に示したように耐熱性と
耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ０．５〜
１．１mm程度のガラス基板２、例えばコーニング社製の
商品名１７３７の一主面上に、ＳＰＴ（スパッタ）等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μm程度の第
１の金属層を被着し、微細加工技術により絶縁ゲート型
トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線１１と蓄積容
量線１６とを選択的に形成する。走査線材には一般的に
は耐熱性の高いＴｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ等あるいは
それらの合金やシリサイドが望ましい。

【００３３】次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プ
ラズマ・シーブイディ）装置を用いてゲート絶縁層とな
るＳｉＮｘ（シリコン窒化）層、絶縁ゲート型トランジ
スタのチャネルとなる不純物をほとんど含まない第１の
非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層、及び絶縁ゲート型トラ
ンジスタのソース・ドレインとなる不純物を含む第２の
非晶質シリコン層と３種類の薄膜層を、例えば０．３−
０．２−０．０５μm程度の膜厚で順次被着して３０，
３１，３３とし、微細加工技術により図２（ｂ）に示し
たようにゲート１１電極上に第１と第２の非晶質シリコ
ン層よりなる半導体層を島状３１’，３３’に残してゲ
ート絶縁層３０を露出する。

【００３４】続いて、図２（ｃ）に示したようにＳＰＴ
等の真空製膜装置を用いて膜厚０．２μm程度の耐熱金
属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の耐熱金属
よりなる薄膜層３４を被着し、微細加工技術により絶縁
ゲート型トランジスタのドレイン配線２１と信号線も兼
ねるソース配線１２とを選択的に形成する。この選択的
パターン形成は、ソース・ドレイン配線１２，２１の形
成に用いられる感光性樹脂パターンをマスクとしてＴｉ
薄膜層３４、第２の非晶質シリコン層３３’及び第１の
非晶質シリコン層３１’を順次食刻し、第１の非晶質シ
リコン層３１’は０．０５〜０．１μm程度残して食刻
することによりなされる。先述したように蓄積容量線１
６上にドレイン配線２１を重ねて蓄積容量１５を形成し
ている。

【００３５】信号線１２の配線抵抗が問題となるような
場合、例えば表示サイズが対角２５ｃｍ以上、あるいは
表示容量がＸＧＡ（水平解像力７６８本）以上の高精細
の液晶表示装置においては耐熱薄膜層３４に低抵抗金属
層としてＡｌ薄膜層３５が積層され、場合によってはＡ
ｌ薄膜層３５にさらに透明導電層との化学的な電位の関
係で中間導電層としてＴｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の耐熱
金属層３６が積層されるが詳細は省略する。

【００３６】上記感光性樹脂パターンを除去した後、絶
縁ゲート型トランジスタのチャネル３１’上の汚染や界
面準位の発生防止のため、ゲート絶縁層３０と同様にＰ
ＣＶＤ装置を用いて０．３μm程度の膜厚のシリコン窒
化層（ＳｉＮｘ）を被着してパシベーション絶縁層３７
とし、さらに絶縁層として少なくとも１μm以上の膜厚
を有する樹脂層を形成するがその理由については後述す
る。このためには、例えば日本合成ゴム製の商品名オプ
トマーＰＣ３０２等、（透明性の高い）感光性アクリル
樹脂を用いるのが合理的である。ただしエッチ・ストッ
プ型の絶縁ゲート型トランジスタではチャネル形成当初
からチャネル３１’上にチャネル保護層であるＳｉＮｘ
層が付与されているので、パシベーション絶縁層３７は
多くの場合不要である。そして図１と図２（ｄ）に示し
たように微細加工技術によりドレイン配線２１上に第１
の開口部６１と、画像表示部内の走査線１１上に第２の
開口部６２と、画像表示部外の信号線の電極端子が形成
される信号線上に第３の開口部６３と、任意形状の島状
パターン３９とを形成し、上記開口部内と任意形状の島
状パターン３９間の薄膜を選択的に除去してドレイン配
線２１の一部と走査線１１の一部と信号線の電極端子の
大部分とガラス基板２の一部とを露出する。

【００３７】この後、図２（ｅ）に示したように島状パ
ターン３９の稜線４０の傾斜角度が低下する処理を施
す。樹脂層３８，３９は一般的には加熱処理により流動
して稜線４０の傾斜角度も低下するが、表面張力が大き
過ぎると傾斜角度の低下が小さく、逆に表面張力が小さ
過ぎると傾斜角度の低下が大きく、反射型液晶表示装置
として好ましい１０〜３０度の傾斜角度が得られない。
このため、樹脂層３８，３９の材質は重要であり、加熱
時の流動性を制御するために現像後に波長の短い紫外線
を照射したり、濃度の高いアルカリまたは酸中に浸漬す
る等の手段により樹脂層３８，３９の表面を変質させる
技術も加味されるが、傾斜角度の制御は本発明の目的す
るところではないのでここでは詳細な説明は省略する。
１層の樹脂層のみで所定の傾斜角度が得られない場合に
は、２層の樹脂層を用いて下層の樹脂層で凹凸形状を与
え、上層の樹脂層の流動化処理で傾斜角を制御する技術
（特願平６−１７５１２６号公報参照）を採用しても良
いことは言うまでも無い。なお本発明においては島状の
樹脂層３９上に反射電極が形成されるので、樹脂層３
８，３９は必ずしも透明性が高い必要は無い。

【００３８】次に、図１と図２（ｆ）及び図２（ｆ’）
とに示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚
０．１〜０．３μm程度の反射率の高い金属反射層とし
て例えばＡｌ（アルミニウム）合金を被着し、微細加工
技術により島状パターン３９の稜線４０を含む大半上に
残して反射電極４１とするとともに開口部６２を含んで
変換配線８０とを選択的に形成する。なお反射電極４１
が開口部６１を含んでいても構わない。またＡｌ（アル
ミニウム）合金とは耐熱性や耐腐食性を向上させるため
にＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｄ等の添加金属を数％以
下の濃度で含むアルミニウムを呼称している。変換配線
８０は樹脂層３８を介して画像表示部内では開口部６２
を有する単位画素内の走査線１１上を経由して最近傍の
信号線１２上に形成され、図１に示したように画像表示
部外の領域でその先端を走査線１１の電極端子６として
も良く、あるいは走査線１１と同一部材の電極端子６を
形成しておき、電極端子６上に形成された開口部を介し
て変換配線８０を接続しても良い。同様に開口部６３内
の露出している信号線１２の一部を電極端子（５）とし
ても良く、開口部６３を含んで樹脂層３８上に金属反射
層よりなる電極端子５を選択的に形成しても良い。

【００３９】そして、図２（ｇ）に示したようにＳＰＴ
等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μm程度
の透明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉ
ｎ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、微細加工技術により絵素電
極形成領域で反射電極４１を含んで絵素電極２２を選択
的に形成する。絵素電極２２は当然のように開口部６１
を含んで形成され、ドレイン配線２１と電気的に接続さ
れている。反射電極４１がアクティブ基板２の表面から
入射した周囲光（光源光）を反射して反射型液晶表示装
置として機能することに加えて、島状パターン３９（反
射電極４１）の隙間がアクティブ基板２の裏面からの光
源光を透過して透過型液晶表示装置として機能すること
で半透過型の液晶表示装置が得られる。図２（ｇ）では
絵素電極２２が島状パターン３９の隙間を埋めているよ
うに描かれているが、これは図面の任意倍率のためで実
際は島状パターン３９の隙間が埋められることはない。

【００４０】図９は画像表示部内における単位絵素間の
変換配線８０の配置を示す模式図で、走査線１１
（ｍ），１１（ｍ＋１），１１（ｍ＋２）…が変換配線
８０（ｍ），８０（ｍ＋１），８０（ｍ＋２）…に接続
され、信号線１２（ｎ），１２（ｎ＋１），１２（ｎ＋
２）…上に配置されている様子を表している。この場
合、走査線１１の本数ｍと信号線１２の本数ｎとの間に
ｎ＞ｍの関係式があれば全ての走査線１２を変換配線８
０に変換可能であり、そうでなければ不足した本数分だ
け従来例で示したような方向変換のための配線路８が画
像表示部外に必要となることは説明を要しない。

【００４１】変換配線８０は図２（ｆ’）からも明らか
なようにアクティブ基板２の最上層に位置するため、樹
脂薄膜よりなる樹脂層３８を用いて例えば１．５μm以
上、好ましくは３μm程度に厚く形成しておけば、変換
配線８０が信号線１２と重なり合っても静電容量による
干渉が小さく、信号波形の遅延歪で表示画像が劣化する
ことや、変換配線８０と信号線１２との間の静電容量が
増加して駆動回路の消費電力が増加することは避けられ
る。このような意味合いから樹脂層３８は別名、平坦化
層とも呼ばれる機能を有していることが分かるが、一方
反射電極の下地となる樹脂層３９は凹凸を必要とされる
ので、本発明では敢えて樹脂層３８，３９には平坦化樹
脂と言う呼称は避けている。

【００４２】このようにして得られたアクティブ基板２
とカラーフィルタ９とを対向させて液晶パネル化し、電
極端子６上と電極端子５上とに駆動用の半導体集積回路
チップ３を実装して本発明の第１の実施形態による半透
過型の液晶表示装置が得られる。

【００４３】しかしながら変換配線８０は走査線１１と
同電位で、絶縁ゲート型トランジスタをＯＮさせる短時
間を除いて通常−（マイナス）数Ｖの電圧が与えられる
ので、対向基板（カラーフィルタ）９上の対向電極１４
との間に直流電圧が印加されることになる。これは液晶
セルの動作原理上（ТＮ液晶は交流駆動でなければなら
ない）好ましくないので適当な手段により変換配線８０
を絶縁化する必要があるが、このために製造工程や部材
の大幅な増加はコスト面からは容認されないので、でき
るだけ簡易的な対策が必要である。

【００４４】（第２の実施形態）そこで本発明において
は変換配線８０上にのみ選択的に絶縁層を形成するた
め、変換配線８０に陽極酸化可能な金属層、例えばＡ
ｌ，Ｔａ，Ｔｉ等を用いる。なぜならば陽極酸化のため
変換配線８０に適当な電位を与えても、絵素電極２２と
変換配線８０（走査線１１）とはゲート絶縁層３０を介
して電気的に分離されており絵素電極２２上に陽極酸化
層が形成されることは無いからである。

【００４５】第２の実施形態を図３と図４を参照しなが
ら説明する。第２の実施形態においては、図４（ａ）と
図４（ｂ）に示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置を用
いて膜厚０．１〜０．３μm程度の陽極酸化可能な金属
反射層として例えばＡｌ合金を被着し、微細加工技術に
より島状パターン３９の稜線４０を含む大半上に残して
反射電極４１とするとともに開口部６２を含んで変換配
線８０とを選択的に形成するまでは第１の実施形態と同
一の製造工程である。ただし、図３に示したように変換
配線８０の先端を走査線１１の電極端子６とする必要が
ある。

【００４６】そして、図４（ｃ）に示したようにＳＰＴ
等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μm程度
の透明導電層として例えばＩＴＯを被着し、微細加工技
術により絵素電極形成領域で反射電極４１を含んで絵素
電極２２の形成領域と走査線１１の電極端子６を含んだ
領域とに感光性樹脂パターン４２，４３を選択的に形成
する。そして感光性樹脂パターン４２，４３をマスクと
して透明導電層であるＩＴＯ層を食刻して、絵素電極２
２と走査線の電極端子６’とを形成する。信号線の電極
端子については開口部６３内の露出している信号線１２
の一部あるいは開口部６３を含んで形成された反射電極
と同一材を電極端子５としても良い。これは電極端子５
（信号線１２の一部でもある）と変換配線８０（走査線
１１）とはゲート絶縁層３０を介して電気的に分離され
ており、化成液中で露出している電極端子５上に陽極酸
化層が形成されることは無いからである。さらには何れ
かを含んで形成された透明導電層よりなる電極端子５’
を得ることも選択可能である。最後の選択肢を選ぶと、
図３に示したように走査線の電極端子６’と信号線の電
極端子５’との間を透明導電層８１’（後述する延長線
と同じように）で接続することができて静電気対策とし
ても有効であるが、ここでは詳細な説明は省略する。な
おＩＴＯの食刻液には、例えば数％濃度の蓚酸を用いる
とＡｌ合金よりなる反射電極４１と変換配線８０への化
学的な損傷が小さくて膜減りが生じにくいので、蓚酸で
適切な食刻速度が得られるようＩＴＯの製膜条件は重要
であるが詳細な説明は省略する。

【００４７】この後、エチレングリコールを主成分とす
る化成液中に絶縁基板２を浸漬し、変換配線８０に＋
（プラス）電位を与えて陽極酸化を行えば、図４（ｄ）
に示したように化成電圧は１００Ｖ程度で変換配線８０
上に０．１５μｍ程度の厚みを有するアルミナ（Ａｌ２
Ｏ３）層７１を形成することができる。図ではアルミナ
層７１が開口部６２を埋めているように描かれている
が、これは縦横の任意倍率のためで、実際は開口部６２
が埋められることはない。

【００４８】陽極酸化に当たって留意すべき設計事項
は、全ての変換配線８０は電気的に並列または直列に接
続されている必要がある。このためには、例えば図１０
に示したようにアクティブ基板２上では電極端子６（ま
たは６’）から延長された複数本の延長線８１と、延長
線８１を並列に束ねる配線８２とを表示装置の単体周辺
に配置し、多面取りのためにはマザーガラス基板２’上
では図１１に示したように配線８２を束ねる配線８３を
形成し、配線８３の先端部をマザーガラス基板２’の外
周部に形成して陽極酸化の電位を与えるための接続パタ
ーン９０とすると良い。ただし、図１０において９は画
像表示部または対向するカラーフィルタの両者を共有し
て表している。なお、配線８４は配線８３の電流バイパ
スであり陽極酸化層７１の形成時間を短縮する機能を有
する。また、点線５０は表示装置用基板の個片（チッ
プ）を得るための切断線または割段線である。加えて延
長線８１は後に続く製造工程の何処かで接続を解除して
変換配線８０を１本ずつ分離しないとアクティブ基板２
の電気検査のみならず液晶表示装置としての実動作に支
障があることは言うまでもないだろう。接続を解除する
手段としては高エネルギー光であるレーザ光を照射して
延長線８１を蒸散させる、あるいは多面取りの切断また
は割段によって延長線８１を分断する技術が挙げられ
る。

【００４９】変換配線８０上に陽極酸化層７１を形成す
る時、変換配線８０と電気的に接続されている電極端子
６’は先述したように感光性樹脂パターン４３に覆われ
ているのでＩＴＯよりなる電極端子６’が陽極酸化され
て変質する恐れは皆無である。すなわち、電極端子６’
の抵抗値が変化することはない。

【００５０】陽極酸化工程が終了した後、感光性樹脂パ
ターン４２，４３を除去し、得られたアクティブ基板２
とカラーフィルタ９とを対向させて液晶パネル化し、電
極端子６’上と陽極酸化の影響を受けていない電極端子
５または５’上とに駆動用の半導体集積回路チップ３を
実装して本発明の第２の実施形態による半透過型の液晶
表示装置が得られる。図１０の配線配置より明らかなよ
うに、変換配線８０は信号線１２の画像表示部外の配線
路７とは樹脂層３８を介して交差しながら走査線の電極
端子６’に接続されており、駆動用半導体集積回路チッ
プ３を信号線側の一辺に集中配置した液晶表示装置が得
られる。

【００５１】変換配線８０上に絶縁層を形成する手段と
して有機絶縁層による電着も可能であり、この技術を用
いると変換配線８０（反射電極４１）材に陽極酸化可能
な金属を用いる必要は無くなり、ＡＬ合金よりもさらに
反射率の高い、例えば銀合金を用いることも可能とな
る。

【００５２】（第３の実施形態）第３の実施形態を図５
と図６を参照しながら説明する。第３の実施形態におい
ては、図６（ａ）と図６（ｂ）とに示したようにＳＰＴ
等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μm程度
の透明導電層として例えばＩＴＯを被着し、微細加工技
術により絵素電極形成領域で反射電極４１を含んで絵素
電極２２を選択的に形成するまでは第１の実施形態と同
一の製造工程である。デバイスとして必要な絶縁特性を
確保できる有機絶縁層として電着形成が可能な材料の中
から、ポリアミック酸塩を０．０１％程度含む溶液を電
着液とし、変換配線８０に＋（プラス）電位を与えて電
着を行えば、図６（ｃ）に示したように電着電圧は数Ｖ
程度で変換配線８０上に０．３μｍ程度の厚みを有する
ポリイミド層７２を形成することができる。なお、露出
している絵素電極２２と変換配線８０（走査線１１）と
はゲート絶縁層３０を介して電気的に分離されており、
絵素電極２２上に有機絶縁層が形成されることは無い。
露出している電極端子５，５’についても同様である。
ポリイミド樹脂はアクリル樹脂と同様に耐熱性の高い樹
脂であり、ポリイミド層７２の形成後は、好ましくは２
００〜３００℃、数分〜数10分の熱処理を施してポリイ
ミド層７２の絶縁特性と耐薬品性とを高めると良いが、
必要とされる絶縁特性は絶縁ゲート型トランジスタの耐
熱性と液晶材料の組成によって支配されるので加熱条件
は実験的に決める必要がある。電着に当たって留意すべ
き設計事項は、第２の実施形態でも述べたように全ての
変換配線８０は電気的に並列または直列に接続されてい
ることである。

【００５３】変換配線８０上に有機絶縁層７２を形成す
ると変換配線８０と電気的に接続されている電極端子６
または６’上にも有機絶縁層７２が形成されてしまう
が、電極端子６または６’は駆動用の半導体集積回路チ
ップ３を実装するためには露出している必要があり、こ
の後は電極端子６または６’上に形成された有機絶縁層
７２を除去しなければならない。しかしながら、例えば
感光性樹脂パターンをマスクとした選択的除去は製造工
程数の増大をもたらすので、一つの解決策としては先願
例である特開平２−２７５９２５号公報にも開示されて
いるように上記のアクティブ基板２を対向基板であるカ
ラーフィルタ９と貼り合わせて液晶パネル化した後、カ
ラーフィルタ９をマスクとして画像表示部外の領域の変
換配線８０と電極端子６または６’上の有機絶縁層７２
を酸素プラズマで選択的に除去することを推奨する。も
ちろん、最近の技術であるＵＶ−Ｏ３（紫外線照射によ
るオゾン発生）技術で代用することも可能である。これ
によって変換配線８０と電極端子６または６’及び電極
端子５，５’の周辺の樹脂層３８が膜減りするが、その
量は樹脂層３８の膜厚と比較すると何ら支障の無いもの
である。

【００５４】このようにして露出した電極端子６または
６’上と電着の影響を受けていない電極端子５または
５’上とに駆動用の半導体集積回路チップ３を実装して
本発明の第３の実施形態が完了する。カラーフィルタ９
に覆われていない領域すなわち、画像表示部外の露出し
ている変換配線８０上には半導体集積回路チップ３を保
護するために塗布・硬化されるシリコン樹脂等の防湿層
を同時に塗布・硬化して保護層とすれば良い。

【００５５】（第４の実施形態）第２の実施形態と同様
に透明導電層を電極端子上に残して電極端子上の導電性
を保ちながら変換配線８０上に有機絶縁層を形成するこ
とも可能であり、それを第４の実施形態として図７と図
８を参照しながら説明する。

【００５６】第４の実施形態では、図７と図８（ｃ）に
示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．
１〜０．２μm程度のＩＴＯを被着し、微細加工技術に
より絵素電極形成領域で反射電極４１を含んで絵素電極
２２の形成領域と走査線１１の電極端子６を含んだ領域
とに感光性樹脂パターン４２，４３を選択的に形成し、
感光性樹脂パターン４２，４３をマスクとして透明導電
層であるＩＴＯ層を食刻して、絵素電極２２と電極端子
６’とを形成するまでは第２の実施形態と同一の製造工
程である。もちろん図８（ｂ）に示したように開口部６
２を含んで変換配線８０は樹脂層３８上に形成されてい
る。

【００５７】この後、ポリアミック酸塩を０．０１％程
度含む溶液を電着液とし、変換配線８０に＋（プラス）
電位を与えて電着を行い、図８（ｄ）に示したように電
着電圧は数Ｖ程度で変換配線８０上に０．３μｍ程度の
厚みを有する有機絶縁層であるポリイミド層７２を形成
する。

【００５８】変換配線８０上に有機絶縁層７２を形成す
る時、変換配線８０と電気的に接続されている電極端子
６’は先述したように感光性樹脂パターン４３に覆われ
ているので、ＩＴＯよりなる電極端子６’上に有機絶縁
層が形成される恐れは皆無である。絵素電極２２につい
ても同様である。

【００５９】電着工程が終了した後、感光性樹脂パター
ン４２，４３を除去し、有機絶縁層７２の加熱工程を経
てアクティブ基板２とカラーフィルタ９とを対向させて
液晶パネル化し、露出した電極端子６’上と電着の影響
を受けていない電極端子５または５’上とに駆動用の半
導体集積回路チップ３を実装して本発明の第４の実施形
態が完了する。

【００６０】以上述べた実施形態において、変換配線８
０は走査線１１の電極端子６を信号線１２側に配置する
ためのものであったが、信号線１２の電極端子５を走査
線１１側に配置することにも何ら障害は無く、このため
には信号線１２上の樹脂層３８（場合によってはパシベ
ーション絶縁層３７も含めて）に開口部を形成し、樹脂
層３８を介して開口部を含んで導電性の変換配線８０を
走査線１１上に形成し、画像表示部外の走査線１１側で
信号線１２の電極端子５と変換配線８０とを接続するか
変換配線８０の先端を電極端子５とすれば良い。この場
合には変換配線８０上に絶縁層は必ずしも必須要件では
ないが、変換配線８０と対向基板（カラーフィルタ）９
上の対向電極１４とが導電性の異物によって短絡して十
字状の線欠陥が発生する、あるいは高温動作時にフリッ
カが生じ易い等の不具合を回避するためには上記した実
施形態と同じように変換配線８０上に絶縁層を形成する
ことが望ましい。絶縁層として既に述べたように変換配
線８０に陽極酸化可能な金属層を選定して変換配線８０
上に陽極酸化層を形成しても良く、また変換配線８０上
に有機絶縁層を電着で形成しても良い。

【００６１】

【発明の効果】以上述べたように本発明の液晶表示装置
によれば走査線側または信号線側の一辺にこれらの電極
端子を集中して配置することができる。したがって大き
さの制約が厳しい携帯電話において液晶パネル周りの配
線接続や部品配置が簡素化され、携帯電話内の実装密度
が格段と向上する効果が得られる。

【００６２】実施形態の説明からも明らかなように、本
発明の要件はアクティブ基板上の厚い絶縁層（樹脂層）
を介して走査線または信号線の取り出し方向を変換する
金属層よりなる変換配線を形成した点と変換配線の表面
を絶縁化した点にある。これにより変換配線の抵抗値の
増大を抑制するとともに、変換配線と信号線または走査
線との間で構成される静電容量の増大を阻止することが
可能となっている。したがって絶縁ゲート型トランジス
タの構造や材質による差異、走査線や信号線等の材質を
問わず本発明は有効であり、加えてカラー表示のための
着色層を対向する透明絶縁基板（カラーフィルタ）上で
なく、アクティブ基板上に形成したカラー液晶表示装置
においても本発明の有効性は損なわれるものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかる液晶表示装置
の単位画素の平面図

【図２】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置用基
板の単位画素の断面図

【図３】本発明の第２の実施形態にかかる液晶表示装置
の単位画素の平面図

【図４】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置用基
板の単位画素の断面図

【図５】本発明の第３の実施形態にかかる液晶表示装置
の単位画素の平面図

【図６】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置用基
板の単位画素の断面図

【図７】本発明の第４の実施形態にかかる液晶表示装置
の単位画素の平面図

【図８】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置用基
板の単位画素の断面図

【図９】本発明の実施形態にかかる絵素間の変換配線の
配置図

【図１０】本発明の実施形態にかかる液晶表示装置（表
示装置用基板）を示す図

【図１１】本発明の実施形態にかかるマザーガラス基板
（表示装置用基板）を示す図

【図１２】従来の液晶パネルへの実装状態を示す斜視図

【図１３】液晶パネルの等価回路図

【図１４】従来の液晶パネル（透過型）の断面図

【図１５】電極端子の一辺配置の場合に配線の引き回し
を示すパターンレイアウト図

【符号の説明】

１液晶表示装置（液晶パネル）２アクティブ基板（絶縁基板、ガラス基板）３半導体集積回路チップ４ＴＣＰフィルム５（信号線の）電極端子６（走査線の）電極端子９カラーフィルタ（対向するガラス基板）１０絶縁ゲート型トランジスタ１１走査線（ゲート配線、ゲート電極）１２信号線（ソース配線、ソース電極）１６蓄積容量線１７液晶２１ドレイン配線（電極）２２（透明導電性）絵素電極３０ゲート絶縁層３１不純物を含まない（第１の半導体層である）非晶
質シリコン層３３不純物を含む（第２の半導体層である）非晶質シ
リコン層３４耐熱金属層３７パシベーション絶縁層３８（平坦化）樹脂層３９島状パターン（樹脂層）４１反射電極５０割断線、切断線６１（ドレイン配線上の）開口部６２（走査線上の）開口部６３（信号線上の）開口部７１陽極酸化層７２有機絶縁層８０変換配線

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｂ３４９Ｄ 9/35 9/35 Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２ＣＦターム(参考） 2H092 GA28 GA44 JB07 JB08 JB22 JB31 NA25 5C094 AA08 AA13 AA15 AA43 AA48 AA53 BA03 BA43 CA19 CA24 DA09 DA13 DB01 DB03 DB04 EA04 EA05 EA06 EA10 ED03 ED11 ED13 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GB10 HA10 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE05 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG24 GG45 HK04 HK09 HK16 HK21 HK33 HK35 HL06 HL23 NN03 NN04 NN24 NN27 NN35 NN72 NN73 QQ19 5G435 AA16 AA17 AA18 BB12 BB16 CC09 CC12 EE37 EE42 EE47 FF03 FF05 GG12 HH04 KK05 LL07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トラ
ンジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電
極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレ
イン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二
次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基
板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの
間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、ドレイン配線上に第１の開口部と走査線または信号線上
に第２の開口部を有すると共に絵素電極形成領域ではそ
の断面形状が凹凸である任意形状の島状パターンの樹脂
層が絶縁基板上に形成され、前記島状パターン上に反射電極と前記第２の開口部を含
んで信号線または走査線上に金属層よりなる変換配線と
が形成され、前記第１の開口部と反射電極を含んで透明導電性の絵素
電極が形成され、前記変換配線は走査線または信号線の電極端子を有する
と共に信号線側または走査線側の何れか一辺に全ての電
極端子が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トラ
ンジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電
極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレ
イン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二
次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基
板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの
間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、ドレイン配線上に第１の開口部と走査線または信号線上
に第２の開口部を有すると共に絵素電極形成領域ではそ
の断面形状が凹凸である任意形状の島状パターンの樹脂
層が絶縁基板上に形成され、前記島状パターン上に反射電極と前記第２の開口部を含
んで信号線または走査線上に陽極酸化可能な金属層より
なる変換配線とが形成され、前記第１の開口部と反射電極を含んで透明導電性の絵素
電極が形成され、前記変換配線はその表面に陽極酸化層を形成されると共
にその表面に透明導電層を有する走査線または信号線の
電極端子を有し、かつ信号線側または走査線側の何れか
一辺に全ての電極端子が形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項３】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トラ
ンジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電
極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレ
イン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二
次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基
板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの
間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、ドレイン配線上に第１の開口部と走査線または信号線上
に第２の開口部を有すると共に絵素電極形成領域ではそ
の断面形状が凹凸である任意形状の島状パターンの樹脂
層が絶縁基板上に形成され、前記島状パターン上に反射電極と前記第２の開口部を含
んで信号線または走査線上に金属層よりなる変換配線と
が形成され、前記第１の開口部と反射電極を含んで透明導電性の絵素
電極が形成され、前記変換配線は画像表示部内ではその表面に有機絶縁層
を形成されると共に走査線または信号線の電極端子を有
し、かつ信号線側または走査線側の何れか一辺に全ての
電極端子が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項４】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トラ
ンジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電
極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレ
イン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二
次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基
板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの
間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、ドレイン配線上に第１の開口部と走査線または信号線上
に第２の開口部を有すると共に絵素電極形成領域ではそ
の断面形状が凹凸である任意形状の島状パターンの樹脂
層が絶縁基板上に形成され、前記島状パターン上に反射電極と前記第２の開口部を含
んで信号線または走査線上に金属層よりなる変換配線と
が形成され、前記第１の開口部と反射電極を含んで透明導電性の絵素
電極が形成され、前記変換配線はその表面に有機絶縁層を形成されると共
にその表面に透明導電層を有する走査線または信号線の
電極端子を有し、かつ信号線側または走査線側の何れか
一辺に全ての電極端子が形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項５】少なくとも絶縁基板の一主面上に絶縁ゲ
ート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタ
のゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号
線及びドレイン配線とを形成する工程と、ドレイン配線
上に第１の開口部と走査線または信号線上に第２の開口
部と絵素電極形成領域に任意形状の島状パターンを有す
る樹脂層を形成する工程と、前記島状パターンの稜線の
傾斜角度を低下させる工程と、前記島状パターン上に反
射電極と前記第２の開口部を含んで信号線または走査線
上に金属層よりなる変換配線とを形成する工程と、前記
反射電極を含んで透明導電性の絵素電極を形成する工程
とを有する表示装置用基板の製造方法。
【請求項６】少なくとも絶縁基板の一主面上に絶縁ゲ
ート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタ
のゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号
線及びドレイン配線とを形成する工程と、ドレイン配線
上に第１の開口部と走査線または信号線上に第２の開口
部と絵素電極形成領域に任意形状の島状パターンを有す
る樹脂層を形成する工程と、前記島状パターンの稜線の
傾斜角度を低下させる工程と、前記島状パターン上に反
射電極と前記第２の開口部を含んで信号線または走査線
上に陽極酸化可能な金属層よりなる変換配線とを形成す
る工程と、透明導電層を被着後、画像表示部外の領域で
前記変換配線の走査線または信号線の電極端子上と前記
反射電極を含んで絵素電極形成領域に絵素電極に対応し
た感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記感光性樹
脂パターンをマスクとして透明導電層を選択的に食刻す
る工程と、前記感光性樹脂パターンをマスクとして変換
配線上に陽極酸化層を形成する工程とを有する表示装置
用基板の製造方法。
【請求項７】少なくとも絶縁基板の一主面上に絶縁ゲ
ート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタ
のゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号
線及びドレイン配線とを形成する工程と、ドレイン配線
上に第１の開口部と走査線または信号線上に第２の開口
部と絵素電極形成領域に任意形状の島状パターンを有す
る樹脂層を形成する工程と、前記島状パターンの稜線の
傾斜角度を低下させる工程と、前記島状パターン上に反
射電極と前記第２の開口部を含んで信号線または走査線
上に金属層よりなる変換配線とを形成する工程と、透明
導電層よりなる絵素電極を形成する工程と、前記変換配
線上に有機絶縁層を形成する工程とを有する表示装置用
基板の製造方法。
【請求項８】少なくとも絶縁基板の一主面上に絶縁ゲ
ート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタ
のゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号
線及びドレイン配線とを形成する工程と、ドレイン配線
上に第１の開口部と走査線または信号線上に第２の開口
部と絵素電極形成領域に任意形状の島状パターンを有す
る樹脂層を形成する工程と、前記島状パターンの稜線の
傾斜角度を低下させる工程と、前記島状パターン上に反
射電極と前記第２の開口部を含んで信号線または走査線
上に金属層よりなる変換配線とを形成する工程と、透明
導電層よりなる絵素電極を形成する工程と、前記変換配
線上に有機絶縁層を形成する工程と、前記絶縁基板と透
明性絶縁基板またはカラーフィルタとを対向させて液晶
パネル化する工程と、前記透明性絶縁基板またはカラー
フィルタをマスクとして画像表示部外の有機絶縁層を選
択的に除去する工程とを有する液晶表示装置の製造方
法。
【請求項９】少なくとも絶縁基板の一主面上に絶縁ゲ
ート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタ
のゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号
線及びドレイン配線とを形成する工程と、ドレイン配線
上に第１の開口部と走査線または信号線上に第２の開口
部と絵素電極形成領域に任意形状の島状パターンを有す
る樹脂層を形成する工程と、前記島状パターンの稜線の
傾斜角度を低下させる工程と、前記島状パターン上に反
射電極と前記第２の開口部を含んで信号線または走査線
上に金属層よりなる変換配線とを形成する工程と、透明
導電層を被着後、画像表示部外の領域で前記変換配線の
走査線または信号線の電極端子上と前記反射電極を含ん
で絵素電極形成領域に絵素電極に対応した感光性樹脂パ
ターンを形成する工程と、前記感光性樹脂パターンをマ
スクとして透明導電層を選択的に食刻する工程と、前記
感光性樹脂パターンをマスクとして変換配線上に有機絶
縁層を形成する工程とを有する表示装置用基板の製造方
法。