JP2003081697A5 - - Google Patents

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JP2007214257A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
JP5192785B2 (ja) * 2007-11-21 2013-05-08 新日本無線株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
WO2025115743A1 (ja) * 2023-11-30 2025-06-05 京セラ株式会社 半導体基板並びにその製造方法および製造装置、半導体デバイス

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63319294A (ja) * 1987-06-19 1988-12-27 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法
JP3678061B2 (ja) * 1999-05-21 2005-08-03 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

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