JPS63319294A - 炭化珪素単結晶基板の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS63319294A JPS63319294A JP15409887A JP15409887A JPS63319294A JP S63319294 A JPS63319294 A JP S63319294A JP 15409887 A JP15409887 A JP 15409887A JP 15409887 A JP15409887 A JP 15409887A JP S63319294 A JPS63319294 A JP S63319294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- single crystal
- carbide single
- regions
- crystal substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 50
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、炭化珪素単結晶基板の製造方法に関するもの
である。
である。
（従来の技術）
炭化珪素半導体は、広い禁制帯幅（２，２〜Ｂ、８ｅＴ
／）をもち、また熱的、化学的および機械的に極めて安
定で、放射線損傷にも強いという特徴釜もっている。従
って、炭化珪素を用いた半導体素子は、従来の珪素等の
他の半導体では使用が困難であった、高温、高出力、放
射線損傷等の苛酷な条件でも使用できる素子の材料とし
て、広範な分野での応用が期待されている。
／）をもち、また熱的、化学的および機械的に極めて安
定で、放射線損傷にも強いという特徴釜もっている。従
って、炭化珪素を用いた半導体素子は、従来の珪素等の
他の半導体では使用が困難であった、高温、高出力、放
射線損傷等の苛酷な条件でも使用できる素子の材料とし
て、広範な分野での応用が期待されている。
このよう如、炭化珪素半導体は多くの利点、可能性を有
する材料であるにもかかわらず、実用化が阻まれている
のは、生産性の良好なことが必要とされる工業的規模で
の量産に必要な、寸法、形状等が制御された、大面積か
つ高品質の単結晶を安定して供給できる、結晶成長技術
が確立されていなかったところに原因がある。
する材料であるにもかかわらず、実用化が阻まれている
のは、生産性の良好なことが必要とされる工業的規模で
の量産に必要な、寸法、形状等が制御された、大面積か
つ高品質の単結晶を安定して供給できる、結晶成長技術
が確立されていなかったところに原因がある。
最近本発明者らは、珪素単結晶基板上に、気相成長法（
ＣＶＤ法）Ｋよシ良質な大面積の８Ｃ型炭化珪素単結晶
を成長させる方法を発明した（出願番号特願昭５８−７
６８４２）。この方法は、安価で入手の容易な珪素単結
晶基板上に、結晶構造。
ＣＶＤ法）Ｋよシ良質な大面積の８Ｃ型炭化珪素単結晶
を成長させる方法を発明した（出願番号特願昭５８−７
６８４２）。この方法は、安価で入手の容易な珪素単結
晶基板上に、結晶構造。
不純物濃度２寸法、形状等を制御した、大面積で高品質
の炭化珪素単結晶を気相成長させる方法である。また、
珪素単結晶基板の表面を炭化水素ガス雰囲気中で加熱し
炭化することＫよシ、炭化珪素の薄膜を表面に形成し、
この薄膜上にＣＶＤ法により炭化珪素の単結晶を成長さ
せる方法も開発されている。
の炭化珪素単結晶を気相成長させる方法である。また、
珪素単結晶基板の表面を炭化水素ガス雰囲気中で加熱し
炭化することＫよシ、炭化珪素の薄膜を表面に形成し、
この薄膜上にＣＶＤ法により炭化珪素の単結晶を成長さ
せる方法も開発されている。
（発明が解決しようとする問題点）
前記の方法は、いずれも一枚のウエーファの上に炭化珪
素を成長させていたため、珪素単結晶基板と成長した炭
化珪素単結晶の間の格子定数の相違に伴なう内部応力は
、完全には除去することができず、反シ、クラック等が
生じ、素子作製段階では問題が発生する。
素を成長させていたため、珪素単結晶基板と成長した炭
化珪素単結晶の間の格子定数の相違に伴なう内部応力は
、完全には除去することができず、反シ、クラック等が
生じ、素子作製段階では問題が発生する。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は、前記の問題を解決するため、炭化珪素の膜？
成長させるべき珪素単結晶基板の表面に、予め複数の溝
を交叉して設け、基板の表面を多くの領域に分割するこ
とにより、個々の炭化珪素単結晶の成長する領域を小さ
くするのである。
成長させるべき珪素単結晶基板の表面に、予め複数の溝
を交叉して設け、基板の表面を多くの領域に分割するこ
とにより、個々の炭化珪素単結晶の成長する領域を小さ
くするのである。
（作 用）
このようにして、個々の炭化珪素単結晶の成長領域は小
さくなっているから、内部応力は低減され、良質の炭化
珪素単結晶基板を得ることができる。
さくなっているから、内部応力は低減され、良質の炭化
珪素単結晶基板を得ることができる。
（実施例）
第１図（、）に示される膜厚４５０μｍの珪素単結晶基
板１５には、ダイシング機によシ第１図（ｂ）及び第８
図に示されるように、 ２ ｔｘｍ Ｘ ２ ｗｔｒ
の基盤目状に幅５０μｍ、深さ１５０μｍの複数の溝が
交叉して設けられる。溝の幅は１００μｍ以下、深さは
５０μｍ以上が好ましい。溝１４を形成するには、化学
エツチングやドライエツチング等の他の方法を使用する
こともできる。
板１５には、ダイシング機によシ第１図（ｂ）及び第８
図に示されるように、 ２ ｔｘｍ Ｘ ２ ｗｔｒ
の基盤目状に幅５０μｍ、深さ１５０μｍの複数の溝が
交叉して設けられる。溝の幅は１００μｍ以下、深さは
５０μｍ以上が好ましい。溝１４を形成するには、化学
エツチングやドライエツチング等の他の方法を使用する
こともできる。
このような溝１４を有する珪素単結晶基板１５を第２図
に示されるＣＶＤ装置の黒鉛製試料台２の上に載置する
。第２図において、反応管１はワッシャー９．ボルト１
０．ナツト１１によりフランジ８に固定され、バッキン
グ１２によシ気密に保たれる。ガスは注入口の枝管５よ
り排出口の枝管１８に流れる。反応管１を冷却するだめ
の容器１′内には、注水口の枝管６から冷却水が注入さ
れ、排水口の枝管７から排出される。４は加熱用の高周
波電流を流すコイルであシ、８は黒鉛製試料台２を置く
ための支持台である。
に示されるＣＶＤ装置の黒鉛製試料台２の上に載置する
。第２図において、反応管１はワッシャー９．ボルト１
０．ナツト１１によりフランジ８に固定され、バッキン
グ１２によシ気密に保たれる。ガスは注入口の枝管５よ
り排出口の枝管１８に流れる。反応管１を冷却するだめ
の容器１′内には、注水口の枝管６から冷却水が注入さ
れ、排水口の枝管７から排出される。４は加熱用の高周
波電流を流すコイルであシ、８は黒鉛製試料台２を置く
ための支持台である。
キャリヤガスとして水素（Ｈ２）ガスを毎分１Ｏ２１又
炭化用としてプロパン（Ｃ５Ｈｓ）ガスを毎分１．０ｃ
ｃ程度流し、コイル４に高周波電流を供給して、試料台
２を誘導加熱し、溝１４を有する珪素単結晶基板１５の
温度を約１８５０℃まで上昇させる。この温度で珪素単
結晶基板１４の表面は炭化され、炭化珪素単結晶の極く
薄い膜が形成される。この温度を保持した状態で、炭化
珪素単結晶上に、珪素の原料ガスのモノシラン（ＳｉＨ
４）と炭素の原料ガスのプロパン（Ｃ８Ｈ８）ヲキャリ
ャガスの水素（Ｈ２）と共に供給することにより、炭化
珪素単結晶膜１６が、第１図（ｃ）に示されるように、
ＣＶＤ法によシ成長される。この場合のガスの流量は、
モノシラン及びプロパンがそれぞれ毎分０．９ｃｃであ
シ、水素は毎分１０ｔである。
炭化用としてプロパン（Ｃ５Ｈｓ）ガスを毎分１．０ｃ
ｃ程度流し、コイル４に高周波電流を供給して、試料台
２を誘導加熱し、溝１４を有する珪素単結晶基板１５の
温度を約１８５０℃まで上昇させる。この温度で珪素単
結晶基板１４の表面は炭化され、炭化珪素単結晶の極く
薄い膜が形成される。この温度を保持した状態で、炭化
珪素単結晶上に、珪素の原料ガスのモノシラン（ＳｉＨ
４）と炭素の原料ガスのプロパン（Ｃ８Ｈ８）ヲキャリ
ャガスの水素（Ｈ２）と共に供給することにより、炭化
珪素単結晶膜１６が、第１図（ｃ）に示されるように、
ＣＶＤ法によシ成長される。この場合のガスの流量は、
モノシラン及びプロパンがそれぞれ毎分０．９ｃｃであ
シ、水素は毎分１０ｔである。
反射電子線回折による検査の結果によると、珪素単結晶
基板１５の表面の分割された領域には、それぞれ単結晶
の炭化珪素膜が成長していることがわかる。また、これ
を透過電子顕微鏡により観察すると、結晶欠陥の少ない
良質な単結晶であることがわかる。
基板１５の表面の分割された領域には、それぞれ単結晶
の炭化珪素膜が成長していることがわかる。また、これ
を透過電子顕微鏡により観察すると、結晶欠陥の少ない
良質な単結晶であることがわかる。
なお、溝１４の底には、炭化珪素単結晶は成長しないが
、炭化珪素の多結晶が成長することはある。
、炭化珪素の多結晶が成長することはある。
上記の実施例によって得られた炭化珪素単結晶膜を用い
た、炭化珪素半導体素子として、ショットキーバリア接
合形電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）の例につい
て説明する。
た、炭化珪素半導体素子として、ショットキーバリア接
合形電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）の例につい
て説明する。
第４図（ａ）の溝１４を有する珪素単結晶基板１５の表
面に、モノシラン（ＳｉＨ４）とプロパン（ＣｓＨｓ）
を用いたＣＶＤ法によシ、炭化珪素単結晶膜を成長させ
る。その際、まず珪素単結晶基板１５上にジボラン（Ｂ
２Ｈ６）ガスを添加することにより、第４図（ｂ）に示
されるように約５μｍのｐ型炭化珪素単結晶膜１７を成
長させ、次にジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの供給を絶ち、
前記炭化珪素単結晶膜１７の表面にノンドープｎ型炭化
珪素膜１８を０．５μｍ成長させる。更に、第４図（Ｃ
）の如く、炭化珪素膜１８の表面にソース１９及びドレ
イン２１の双方の電極用としてアルミニウム（Ａｔ）、
ゲート用ショットキー電極として金（Ａｕ）を真空蒸着
して、。
面に、モノシラン（ＳｉＨ４）とプロパン（ＣｓＨｓ）
を用いたＣＶＤ法によシ、炭化珪素単結晶膜を成長させ
る。その際、まず珪素単結晶基板１５上にジボラン（Ｂ
２Ｈ６）ガスを添加することにより、第４図（ｂ）に示
されるように約５μｍのｐ型炭化珪素単結晶膜１７を成
長させ、次にジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの供給を絶ち、
前記炭化珪素単結晶膜１７の表面にノンドープｎ型炭化
珪素膜１８を０．５μｍ成長させる。更に、第４図（Ｃ
）の如く、炭化珪素膜１８の表面にソース１９及びドレ
イン２１の双方の電極用としてアルミニウム（Ａｔ）、
ゲート用ショットキー電極として金（Ａｕ）を真空蒸着
して、。
各電極を形成する。
（発明の効果）
表面を複数の領域に分割された炭化珪素単結晶を用いる
ことにより、内部応力が低減し、結晶欠陥の少ない結晶
特性の良い炭化珪素単結晶上に電界効果トランジスタ（
ＦＥＴ）が形成できる。相互コンダクタンス（ｇｍ）は
、表面が分割されていない炭化珪素単結晶を用いた場合
、０．５ｍＳ／調であるのに対し、表面が分割された炭
化珪素単結晶を用いると、２ｍＳ／＋＋ｍと大きくなり
、特性の向上が見られる。なお、上記実施例では、分割
された表面の一つの領域に一つのＦＥＴを形成させたが
、一つの領域にダイオード、トランジスタ等の他の素子
を複数形成することも可能である。また、隣接する各領
域の素子を配線により接続することも可能である。この
ようにして、素子の特性を大幅に改善でき、炭化珪素半
導体の広範な応用分野の開拓に貢献する。
ことにより、内部応力が低減し、結晶欠陥の少ない結晶
特性の良い炭化珪素単結晶上に電界効果トランジスタ（
ＦＥＴ）が形成できる。相互コンダクタンス（ｇｍ）は
、表面が分割されていない炭化珪素単結晶を用いた場合
、０．５ｍＳ／調であるのに対し、表面が分割された炭
化珪素単結晶を用いると、２ｍＳ／＋＋ｍと大きくなり
、特性の向上が見られる。なお、上記実施例では、分割
された表面の一つの領域に一つのＦＥＴを形成させたが
、一つの領域にダイオード、トランジスタ等の他の素子
を複数形成することも可能である。また、隣接する各領
域の素子を配線により接続することも可能である。この
ようにして、素子の特性を大幅に改善でき、炭化珪素半
導体の広範な応用分野の開拓に貢献する。
第１図（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明による工程の各
段階における素子の状態、第２図はＣＶＤ装置の概略、
第８図は本発明を実施する場合の素子の表面、第４図（
、）（ｂ）及び（ｃ）は本発明によるＦＥＴの製造工程
中の各段階における素子の状態を示す。 １４・・・溝 １５・・・珪素単結晶基板 １６・・・
炭化珪素単結晶膜 １７・・・ｐ型炭化珪素単結晶膜１
８・・・ｎ型炭化珪素単結晶膜 １９・・・ソース２０
・・・ショットキーゲート ２Ｉ・・・ドレイン第２図 第４図
段階における素子の状態、第２図はＣＶＤ装置の概略、
第８図は本発明を実施する場合の素子の表面、第４図（
、）（ｂ）及び（ｃ）は本発明によるＦＥＴの製造工程
中の各段階における素子の状態を示す。 １４・・・溝 １５・・・珪素単結晶基板 １６・・・
炭化珪素単結晶膜 １７・・・ｐ型炭化珪素単結晶膜１
８・・・ｎ型炭化珪素単結晶膜 １９・・・ソース２０
・・・ショットキーゲート ２Ｉ・・・ドレイン第２図 第４図
Claims (1)
- 珪素単結晶基板に交叉する複数の溝を形成して前記珪素
単結晶基板表面を複数の領域に分割し、各々の領域上に
炭化珪素単結晶薄膜を形成することを特徴とする炭化珪
素単結晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15409887A JPS63319294A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15409887A JPS63319294A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63319294A true JPS63319294A (ja) | 1988-12-27 |
| JPH0455155B2 JPH0455155B2 (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=15576870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15409887A Granted JPS63319294A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63319294A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076971A (ja) * | 1993-01-25 | 1995-01-10 | Ohio Aerospace Inst | 合成半導体及び制御されたそのドーピング |
| US5709745A (en) * | 1993-01-25 | 1998-01-20 | Ohio Aerospace Institute | Compound semi-conductors and controlled doping thereof |
| FR2854641A1 (fr) * | 2003-05-05 | 2004-11-12 | Centre Nat Rech Scient | Procede de formation d'une couche de carbure de silicium sur une tranche de silicium |
| JP2007223821A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法 |
| JP4720051B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP15409887A patent/JPS63319294A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076971A (ja) * | 1993-01-25 | 1995-01-10 | Ohio Aerospace Inst | 合成半導体及び制御されたそのドーピング |
| US5709745A (en) * | 1993-01-25 | 1998-01-20 | Ohio Aerospace Institute | Compound semi-conductors and controlled doping thereof |
| JP4720051B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 |
| FR2854641A1 (fr) * | 2003-05-05 | 2004-11-12 | Centre Nat Rech Scient | Procede de formation d'une couche de carbure de silicium sur une tranche de silicium |
| WO2004099471A3 (fr) * | 2003-05-05 | 2005-01-20 | Centre Nat Recherche | Procede de formation d’une couche de carbure de silicium sur une tranche de silicium |
| US7416606B2 (en) | 2003-05-05 | 2008-08-26 | Centre National De La Recherche Scientifique | Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer |
| JP2007223821A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法 |
| JP4690906B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2011-06-01 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶育成用種結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455155B2 (ja) | 1992-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20240183063A1 (en) | Method for sic step flow growth by regulating growth monmoers using chemical potential under non-equilibrium condition | |
| EP0417190A1 (en) | Silicon dioxide films on diamond | |
| JPS63319294A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| von Känel et al. | Defect reduction in epitaxial 3C-SiC on Si (001) and Si (111) by deep substrate patterning | |
| TW202323576A (zh) | 異質磊晶晶圓的製造方法 | |
| JP2539427B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
| JPH02180796A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| KR102474331B1 (ko) | 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
| JPH0443878B2 (ja) | ||
| JPS63277596A (ja) | 炭化珪素単結晶の成長方法 | |
| JPH0641400B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| KR102339608B1 (ko) | 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
| JPH0343240B2 (ja) | ||
| JP3112796B2 (ja) | 化学気相成長方法 | |
| JPH0458691B2 (ja) | ||
| JPS60264399A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH04214099A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPS63136511A (ja) | ヘテロエピタキシヤル成長法 | |
| JPS63303896A (ja) | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 | |
| CN117867654A (zh) | 一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室 | |
| JPS6325914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63136512A (ja) | ヘテロ接合構造 | |
| JPS63139096A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| CN118109900A (zh) | 一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法 | |
| JPH0666335B2 (ja) | 炭化珪素ショットキ接合型電界効果トランジスタの製造方法 |