JP2003080075A - 水素転化反応触媒及びプロセス - Google Patents
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Abstract
触媒およびこれを用いるプロセスを提供すること。 【解決手段】 供給原料のオクタン価を維持しつつ供給
原料を水素化脱硫する水素転化反応触媒が担持体と該担
持体上の金属活性相とを含む。担持体はゼオライトとア
ルミナの混合物を有し、ゼオライトは約1ないし約20
のSi/Al比を有し、前記金属活性相は元素周期表の
第6族から選ばれる第一の金属と、元素周期表の第8
族、第9族、第10族からなる群から選ばれる第二の金
属と、元素周期表の第15族から選ばれる第三の元素と
を含む。また水素転化反応工程が開示される。
Description
素原料の水素転化反応において有利な触媒システムに関
する。
策を施行しており、これらは硫黄などの汚染物質の排出
を劇的に低減するために厳しい規則を設けている。
は、汚染レベルに貢献すると考えられる硫黄、オレフィ
ン類、芳香族などにおける排出レベルの低下を要求して
いる。
ける供給源の一つはナフサ、特にFCCナフサである
が、これはガソリンプールにおいて体積比で硫黄の約8
0%の供給元である。またこのようなFCCナフサはガ
ソリンプールの全量の約40%(容積)に相当してい
る。
めに処理するべき重要な原料である。
を処理するための、様々な水素転化反応プロセスが開発
されている。このようなプロセスの一つにおいては、第
一段階で硫黄と窒素が実質的に除去されるが、同時に供
給原料中のオレフィンが大いに飽和される。このような
プロセスにおいては、オレフィン類の飽和はオクタン価
の損失をもたらすので、オクタン価の損失を取り戻すた
めに第二段階の処理が用いられる。
の損失は特にオレフィン類の水素化(HDO)によって
起こるものと考えられている。この損失は前述の第二段
階において実施されるクラッキング反応、異性体化、芳
香族化等によって補償、あるいは回復される。
媒は供給原料中の窒素に敏感なので、窒素を取り除くた
めに前処理を必要とする場合があり、これがまた段階数
と、調製プロセスのコストを付加する。
も、それが必要であればナフサなどの留分のコストが余
分にかかるのは当然であるから、オクタン価(RON、
MON)に悪影響を与えることなく硫黄と窒素の含量を
低減するような、改良された方法が求められている。
な反応ゾーンを必要としないような、触媒およびこれを
用いるプロセスを提供することである。
素化脱窒素が達成されるような、触媒およびこれを用い
るプロセスを提供することである。
抵抗性があり、したがって供給原料の脱窒素前処理を必
要としない、触媒を提供することである。
いて明らかとなる。
目的および利点は容易に達成されている。
供給原料を効果的に水素化脱硫する水素転化反応触媒が
提供される。前記触媒は担持体と該担持体上の活性層か
らなり、前記担持体はゼオライトおよびアルミナの混合
物からなり、前記ゼオライトは約1ないし約20のSi
/Al比を有し、前記活性相は元素周期表の第6族から
選ばれる第一の金属と、元素周期表の第8族、第9族、
および第10族からなる群から選ばれる第二の金属と、
元素周期表の第15族から選ばれる第三の元素とを有す
る。
の水素転化反応のためのプロセスが提供される。該プロ
セスは初期硫黄含量と初期オレフィン含量を有する炭化
水素原料を準備する工程と、水素転化反応触媒を準備す
る工程とを有する。水素転化触媒は担持体と該担持体上
の活性層からなり、前記担持体はゼオライトおよびアル
ミナの混合物からなり、前記ゼオライトは約1ないし約
20のSi/Al比を有し、前記活性相は元素周期表の
第6族から選ばれる第一の金属と、元素周期表の第8
族、第9族、および第10族からなる群から選ばれる第
二の金属と、元素周期表の第15族から選ばれる第三の
元素とを有する。前記プロセスはさらに、前記原料を水
素転化反応条件のもとに前記触媒に暴露して、前記初期
硫黄含量より低い最終硫黄含量を有する生産物を得る工
程を有する。最終生産物のオレフィン含量は、供給原料
を処理するのに用いられた作動条件に依存して変化す
る。オレフィン残留量が非常に高い場合もあれば、オレ
フィン含量が初期オレフィン含量より実質的に低い場合
もある。しかしながら、有利なことには、本発明の触媒
によれば、イソパラフィン類対n−パラフィン類比を増
加させ、n−パラフィン類の分子量を低下させる。これ
は生産物のオクタン評価を改善してオレフィン損失を埋
め合わせる。そのオレフィン損失自体も、いずれにして
も低下する。
施例を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
素転化反応のための触媒および触媒システムに関するも
のであり、本発明によれば、従来の触媒を用いる水素化
処理において一般的なオクタン価の実質的な低下を起こ
すことなく、ナフサ供給原料中の硫黄を低減することが
できる。
タン価は、そのなかに含まれる様々な炭化水素留分の炭
素原子の数に依存することが分かっている。重要な留分
の一つはオレフィン留分であるが、この留分は従来の水
素化脱硫(HDS)触媒を受けたときに、著しく水素化
に敏感であることが分かっている。その結果、ナフサ等
の、HDS触媒処理を必要とする様々なガソリンプール
添加物においてオクタン価の低下が起こり、オクタン価
を回復するための第二の処理段階が必要になる。図1は
代表的なガソリンプール留分の様々な炭化水素留分につ
いて、リサーチオクタン価(RON)と炭素原子数との
関係を示している。図からわかるように、オレフィン類
を含めて各留分とも、炭素原子数が増加するにつれてR
ON価が実質的に低下する。
S活性が可能な触媒システムが考案され、該触媒システ
ムはまた優れた水素転化反応活性を提供し、かつ従来の
水素化処理触媒システムが引き起こすオクタン価の実質
的な低下を回避する。これに加えて、本発明の触媒シス
テムは窒素に対して耐性があり、したがって単一の処理
段階または反応容器にこのシステム用いて、硫黄、窒素
等を有する供給原料を処理することができ、かつ実質的
に低減された硫黄および窒素含量と、不変またはわずか
に低下した、あるいは場合により改善されたオクタン価
を有する生産物を提供する。
分と、該担持体成分上の活性相とを包含する。本発明に
よる担持体成分は好ましくはシリコンとアルミニウムの
構造であり、例えばゼオライト、アルミノシリケート、
シリカとアルミナの混合物等である。本発明によれば、
ゼオライト中のシリコン対アルミニウムの比が1ないし
20であれば、十分な水素転化反応活性によって、優れ
たHDS活性とともに、窒素に対する耐性や優れたHD
N活性が達成されることがわかった。Si/Al比がよ
り高くなると水素転化反応活性が低下し、オクタン価損
失が起こるので、この比は重要である。ゼオライトのS
i/Al比は約15未満であることが好ましく、12未
満であることがより好ましい。11.7のSi/Al比
を有するST−5ゼオライトは特に本発明に適してい
る。
の混合物であり、好ましいゼオライトはMFIゼオライ
トであり、最も好ましいのは上述のST−5ゼオライト
である。適当なST−5ゼオライトは米国特許第5,2
54,327号に開示されている。このようなゼオライ
トを適切な量のアルミナと組み合わせることによって、
所望の酸触媒作用を得ることができる。このようなゼオ
ライトは優れた選択的クラッキングおよび異性体化活性
を与える一方、オクタン価損失を回避することがわかっ
た。
方法で担持体とともに準備される活性金属相は、好まし
くは元素周期表の第6族(CASのVIB族)から選ば
れる第一の金属、最も好ましくはモリブデンを含む。活
性金属相はまた好ましくは元素周期表の第8族、第9
族、第10族(CASのVIII族)からなる群から選
ばれる第二の金属、好ましくはニッケル、コバルトまた
はその混合物、最も好ましくはコバルト、および、第1
5族(CASのVA族)から選ばれる第三の元素、最も
好ましくは燐を含む。
(重量)の第一の金属(第6族)と、少なくとも約0.
5%(重量)の第二の金属(第8、9、および10
族)、および少なくとも0.2%(重量)の第三の元素
(第15族)を含む。より好ましくは、触媒は約2ない
し約15%(重量)の第一の金属、好ましくはモリブデ
ンと、約0.5ないし約8.0%(重量)の第二の金
属、好ましくはニッケルまたはコバルトと、約0.5な
いし5.0%(重量)の第三の元素、好ましくは燐を含
む。本発明によれば、このような組み合わせの活性金属
および元素を上述の担持体に担持させれば、所望のHD
SおよびHDN活性と、併せてオレフィン水素化(HD
O)を補償するような他の活性が得られ、かくして許容
範囲のオクタン価を有する最終生産物が得られることが
わかった。
媒は、イソパラフィン対n−パラフィンの比を増加させ
るという利点を有し、かつn−パラフィン留分の分子量
を低下させる。これらはいずれも最終生産物のオクタン
価を改善し、それによって触媒のHDO活性を補償す
る。
耐性および、選択的クラッキングや異性体化反応などの
酸触媒活性との関連において、触媒の酸性度が重要であ
ることがわかった。
用い、通常の当業者に周知のプロセスにしたがって調製
することが可能である。好ましくはゼオライトはプロト
ン型の状態でアルミナと、いずれも粉末の形で、混合さ
れる。ゼオライトとアルミナの混合比率は好ましくは、
ゼオライトが約10ないし約90%(重量)に対してア
ルミナが約90ないし約10%(重量)の割合である。
ゼオライトとアルミナの混合物に対して、例えば酢酸な
どのコロイド化剤が、好ましくは約0.5ないし約3.
0%(重量)の量で添加されてもよく、得られたペース
ト状の混合物は適当な形に、例えば1/16インチの押
出物に押出される。その後、押出物は好ましくは室温
で、次いで120℃の温度で乾燥され、乾燥された押出
物は次いで例えば約550℃の温度でおおよそ2〜4時
間、焼成される。焼成は好ましくは毎時60℃の昇温速
度で、所望の温度に到達するまで実施することができ
る。
(好ましくは燐)と第6族の活性金属(好ましくはモリ
ブデン)で含浸される。この含浸段階の後、含浸された
押出物は例えば同じ方法を用いて、好ましくは室温で、
次いで約120℃の温度で乾燥される。乾燥の後、押出
物はさらに第8、9、または10族の金属、好ましくは
ニッケルおよび/またはコバルトで含浸され、かくして
担持体構造への活性金属相の含浸が完了する。もちろ
ん、触媒は異なる方法で含浸されてもよく、任意の既知
の技術またはプロセスを用いて調製されてよい。
いで120℃で乾燥され、約550℃で適当な持続時間
および上述の昇温速度で焼成され、かくして触媒が完成
する。
活性金属を共押出しすることによって調製されてもよ
い。押出物は成形と同時に含浸され、上述と類似のプロ
セスで乾燥、次いで焼成される。
方法で活性化、予備硫化その他の工程が施されてもよ
く、このとき触媒を本発明による水素転化反応のプロセ
スに用いる準備が整う。
原料は、好ましくは少なくとも約5%(重量)のオレフ
ィン類を有する未水素化処理FCCナフサ(C9+)で
ある。このようなナフサは例えばアムアイその他の精油
所から得られる。代表的な組成の特徴を下の表1に示し
た。
供給原料に対して有利に用いることができ、表1に示さ
れる供給原料は適当な供給原料の一例に過ぎない。しか
しながら、本発明の触媒による処理に特に望ましい供給
原料の特徴は、少なくともHDSを必要とし、場合によ
りまたHDNを必要とすること、オレフィン留分を含む
こと、およびガソリンプールに合体されるものであるこ
と、である。供給原料はさらに少なくとも約1ppm重
量の窒素を含んでもよい。このような供給原料であれ
ば、本発明の触媒は優れた水素転化反応活性とともにH
DSおよびHDN活性を提供し、有利である。
発明の触媒を用いて処理するプロセスは、適当な触媒お
よび供給原料を準備することと、供給原料を水素化処理
条件のもとに触媒に暴露することを包含する。前記水素
化処理条件は約230℃ないし約450℃の温度、約1
00psiないし約1000psiの圧力、約0.5h
−1ないし約20.0h−1の空間速度(LHSV)、
および約100ないし約650Nv/vの水素/供給原
料比を包含する。
応容器に用いても、また要すれば形状の異なる二つまた
はそれ以上の反応容器に用いても、また特定の供給原
料、または当該の同じ供給原料において所望される他の
活性が得られるように設計された他の触媒と組み合わせ
て用いても、いずれも有利である。しかしながら、特に
有利なのは、本発明の触媒は単一の反応容器において所
望の結果が得られることである。
期硫黄含量および初期オレフィン留分を有するととも
に、通常は初期窒素含量を有する。得られる生産物は実
質的に低減された硫黄含量と、好ましくは実質的に低減
された窒素含量と、要すれば実質的に低減されたオレフ
ィン含量、あるいは用いられた作動条件によって変わる
所望のオレフィン残存量を有するが、従来の触媒を用い
る水素化において普通であるような低下したオクタン価
を有することはない。
応容器中で、多段反応床を用いて実施することができ
る。また本発明の触媒に用いられる温度は好ましくは約
250℃ないし約410℃であり、これより高い温度は
液体収率の損失をもたらすことがわかった。
発明の触媒によれば、HDS活性、窒素の存在に対する
耐性、HDN活性、所望のHDO活性を提供し、かつ高
い水素転化反応活性を有利に提供し、これによって従来
の水素価処理触媒を用いるときに現在見られるオクタン
価への悪影響が低減される。
性によって、本発明の触媒は単一反応容器によるプロセ
スに首尾よく用いられ、この際、最終生産物は許容範囲
の硫黄含量を有し、オクタン価回復を必要とせず、さら
に触媒が急速に失活しないので脱窒素前処理を必要とし
ない。
た本発明の触媒の有効性を実証するものである。このデ
ータは10〜40cc容積の反応容器を有する高圧プラ
ントを用いて得られたものであり、以下の一般的な方法
を用いている。
さと3.5cmの内径を有するステンレススチールの反
応容器に入れた。0.9ccの二硫化炭素または二硫化
ジメチル(DMDS)(1.5%v/v)を各60cc
のナフサに添加して、予備硫化用供給原料を調製した。
この予備硫化用供給原料を用いて、以下の作動条件のも
とに触媒床を活性化および/または予備硫化した。
80℃(2時間) 30ccの触媒に対して: 圧力: 400PSIG H2流量: 146cc/min 予備硫化用供給原料流量: 19.2cc/h 温度: 150℃(1時間) 240℃(1時間) 2
80℃(2時間) 20ccの触媒に対して: 圧力: 400PSIG H2流量: 97.33cc/min 予備硫化用供給原料流量: 12.8cc/h 温度: 150℃(1時間) 240℃(1時間) 2
80℃(2時間) 10ccの触媒に対して: 圧力: 400PSIG H2流量: 36cc/min 予備硫化用供給原料流量: 6.4cc/h 温度: 150℃(1時間) 240℃(1時間) 2
80℃(2時間)
hであり、H2/供給原料比は365Nv/vであっ
た。活性化温度はプロセスの要求に応じて330℃また
は280℃の最終温度を与えるように用いた。
ンチスケールで用いられた代表的な作動条件は温度が2
80℃ないし380℃、固定圧力が600psig、空
間速度が1ないし3h−1、およびH2/供給原料比が
440Nv/vであった。
む市販の水素化処理触媒(HDT1)10ccをアルミ
ナに担持させ、280℃で活性化して、アムアイ精油所
(Amuay Refinery)からのFCCのC9+ナフサを用
いて上述の方法で評価した。結果を表2に示した。
性(HDOは93.0ないし94.2%重量)が得られ
た。温度が300℃から360℃に上昇すると、予期さ
れるようにHDS活性(水素化脱硫)は温度とともに9
2.1から97%重量に増加し、同様にHDN(水素化
脱窒素)は93.5から97%重量以上に変化してい
る。しかしながら、n−パラフィン類の平均分子量は供
給原料中のn−パラフィン類の平均分子量に非常に近
く、酸触媒作用が非常に弱いことを示している。
を、11.7のSi/Al比を有する(化学組成は表3
参照)プロトン型のMFIゼオライト(ST−5)と混
合した。両者とも粉末であり、混合比はST−5が50
%(重量)とアルミナが50%(重量)であった。
重量の酢酸を、2.4グラムの固体に対して酸1mlの
割合で添加した。混合の後、固体を二軸押出しのプレス
ミキサーに通して、材料を均一化した。混合によって得
られたペーストを押出して1/16インチの押出物とし
た。
温度をかけた。乾燥の後、押出物を炉に入れて550℃
で少なくとも2時間、焼成した。この温度に達するの
に、毎時60℃の昇温速度を用いた。焼成の後、含浸に
用いられるアンモニウムヘプタモリブデートに85%
(重量)の燐酸を足した溶液の含浸容量を測るために、
水分計を用いた。アンモニウムヘプタモリブデートと燐
酸の量を計測して、最終触媒中の堆積量がモリブデン1
2〜13%重量、燐2.7〜3.0%重量となるように
した。
で乾燥した。乾燥の後、水分計を用いて、最終触媒に堆
積したニッケルを2.1〜2.3%重量とするのに必要
な硝酸ニッケルの量を計測して、含浸を実施した。
乾燥し、前と同じ毎時60℃の昇温速度を用いて550
℃で2時間焼成した。この触媒を以下においてHYC1
触媒(NiMoP/ST−5+Al2O3)と呼ぶ。こ
れは本発明による触媒である。
C1触媒10ccを用いて得られた結果を示している。
触媒は実施例1に説明した手順で評価された。
いて適度な活性を有し、これは温度が300℃から36
0℃に上昇するとともに増加する(86.3%から9
6.3%に)ことがわかる。HDS活性は市販の触媒
(HDT1)で得られたものより特に低温において劣る
が、高温においては同等である。この触媒におけるオレ
フィン類の水素化は適度であり、初期オレフィン含量の
約40重量%が保持された。HYC1触媒におけるn−
パラフィン類の平均分子量はHDT1触媒におけるそれ
と比較して低く、温度が300℃から360℃に上昇す
るとともに低下する。これはHYC1触媒が非常に重要
な酸としての機能を有することを示している。もう一つ
の重要な様相はイソパラフィン類/n−パラフィン類の
比であり、これはHYC1触媒を用いるときに実質的に
より高くなる。
すなわち、この触媒のHDS活性はHDT1触媒と比較
して低温においてわずかに低いが、HDS活性は高温に
おいては非常に近似しており、一方でHYC1触媒はH
DOが低く、n−パラフィン類の平均分子量が実質的に
低くなり、イソパラフィン類/n−パラフィン類の比が
高くなるという利点を有する。これらはHDT1触媒に
おいては起こらないことである。 HDT1触媒におい
ては、これらの炭化水素の水素化は、高オクタン価を与
えるのに役立っていた重要な成分の減少につながる。さ
らにHDT1触媒は、オクタン価損失を避けるのに有用
な他の重要な成分を生成するために非常に重要な、酸と
しての機能を示さない。
よび同じ11.7のSi/Al比を有するST−5ゼオ
ライトを用いて、類似の触媒を調製した。ただし含浸は
ニッケルのかわりにコバルトを用いて行った(硝酸コバ
ルトから)。得られた触媒(HYC2と呼ぶ)中のコバ
ルト、モリブデン、燐等の元素の含量を表5に示した。
媒を評価した。相違点は30ccの触媒を、150℃
(1時間)、240℃(1時間)、280℃(2時間)
という異なる温度で活性化したこと、および3種類の異
なるナフサを用いたことである。すなわちHVNナフ
サ、 FCCの水素化処理C9+(これに対しては硫化
された触媒のCoMoP相を維持するために二硫化ジメ
チルを添加した)、およびFCCの未水素化処理C9+
ナフサである。供給原料の特性は作動条件および結果と
ともに表6に示した。
触媒が未水素化処理FCCナフサを効果的に水素化脱硫
することができ、その結果320℃ないし370℃にお
いて、適度なHDO活性とともに、96.6ないし9
8.2%のHDS活性に達し、オクタン価損失はほとん
どないことを実証している。HYC2触媒において、R
ON損失はわずか0.9であり、MONについては利得
が得られる(供給原料3では1.3に達する)ことが観
察された。
給原料1)の場合は、この触媒はイソパラフィン類/n
−パラフィン類の比を1.59から2.35まで上げる
ことができ、水素化処理FCCナフサ(供給原料2)の
場合は4.51から6.01まで上げることができた。
このイソパラフィン類/n−パラフィン類比の増加は水
素化処理されていないFCCでも起こっている。
る触媒を得て評価した。この触媒を調製するのに用いた
MFIゼオライトの化学組成と、いくつかの物理的特性
を表7に示した。
示した。
の触媒評価手順を用いて評価した。結果およびこの触媒
を評価するのに用いた作動条件を表9に示した。
素化処理されていないFCCナフサにおいてはHYCP
A1触媒のHDS活性が一定に保たれないことを実証し
ている。すなわちHDS活性は、300℃と370℃と
の間で重量で94.1から87.4%に変化して、重大
な活性低下を起こしており、さらに370℃では77.
2%まで低下している。一方で供給原料3では大きなオ
クタン価損失が起こっており(RON=−4.9、MO
N=−1.9)、供給原料4でも同様である(RON=
−3.5、MON=−2.5)。
はイソパラフィン類/n−パラフィン類の比を1.59
から2.21に効果的に増加させることが可能であり、
水素化処理されたFCCナフサ(供給原料2)の場合も
4.51から5.18に増加させている。イソパラフィ
ン類/n−パラフィン類比の増加はHYC2触媒で得ら
れるそれより小さい。
作動時間の後に若干の活性低下を示している。これはH
DS活性が360℃、62時間の97.4%重量から3
70℃、107時間の89.0%重量に低下しており、
HDO活性度もまた低下していることから明瞭に観察さ
れる。
媒、実施例6のHYCPA1触媒、および従来のHDT
1触媒を用いて得られた生産物の平均分子量を測定し
た。異なる温度で実施されたプロセスの生産物につい
て、平均分子量およびi−P/n−P比を測定した。こ
の結果、および触媒の評価に用いた作動条件を表10に
示した。
n−パラフィン類の分子量低下と、i−P/n−P比の
増加のプロセスにおいて、より活性が高いことを示して
いる。これらの機能においては、HYCPA1触媒およ
び最終的に市販のHDT1触媒はこれほど活性が高くな
い。これに関連して、HYC2触媒は11.7のSi/
Al比を有するMFIゼオライトを含み、HYCPA1
触媒は18のSi/Al比を有するMFIゼオライトを
含み、市販のHDT1触媒はゼオライトを含まずアルミ
ナのみである。一例として、図2は異なる触媒の評価に
用いられた作動温度に対するn−パラフィン類の平均分
子量の変化を図示している。
からのC9+(FCC)ナフサの処理プロセスにおい
て、300℃ないし360℃の作動温度でn−パラフィ
ン類の平均分子量低下を起こさせる能力がより高いこと
が、明瞭に観察される。なお、HDT1触媒ははるかに
効果が低く、前記分子量は温度に対して実質的に一定で
ある。n−パラフィン類の平均分子量の低下、およびi
−P/n−P比の増加は炭化水素のオクタン価の改善に
有効であるから、HYC2触媒のこのような活性は特に
望ましいものである。
素化処理FCCナフサを用いて30ccのHDT1触媒
を評価した。この結果は表11で、実施例6のHYCP
A1触媒で得られた結果、および本発明によるHYC2
触媒(実施例5)で得られた結果と比較されている。H
YC2触媒は供給原料のオクタン価をほぼ維持すること
が可能である。すなわち供給原料3ではRONが−0.
9でMONは1.3の増加、供給原料4ではMONが
0.7の僅かな減少である。これに対してHYCPA1
触媒では有意なオクタン価損失がある。すなわち供給原
料3ではRON=−4.9でMON=−1.9、供給原
料4ではRON=−3.5でMON=−2.5である。
市販のHDT1触媒の場合はさらに損失が大きく、RO
N=−6.1でMON=−3.1である。
1触媒と同様に、効果的に硫黄を除去することができ
る。すなわちHDS活性は320℃で96.6重量%
(表11)、370℃で98%重量以上に達する。
より大容量の反応容器(50〜150cc)を用いて、
異なる窒素および硫黄含量、異なるオクタン価および異
なる組成を有する異なる供給原料について、100cc
のHYC2触媒を長期間にわたって評価した。用いた手
順は次の通りである。
1にシリコンカーバイド(カーボランダム)で希釈し、
長さ1.2m(T/T)、内径2.5cmの反応容器に
入れた。重合反応とガム形成を防ぐために、市販のHD
T触媒の45ccの反応床を反応容器(180〜200
℃)の頂部に置き、通常はガム形成の前駆物質となる化
合物を水素化させた。
化した。これは70ccの二硫化炭素を毎5リットルの
水素化処理ナフサに添加することによって行った。乾燥
および焼成された触媒の予備硫化の条件は下記の通りで
ある。 作動 ダウンフロー 触媒容積 100ccをSiCで1:1に希釈 水素化圧力 400psig 予備硫化用供給原料 水素化処理ナフサ混合物(5リットル) + CS2(70cc) 空間速度 2.0v/v/h H2/HC比 300Nv/v 予備硫化用供給原料流量 144.6g/h 水素流量 6.5g/h 温度 150℃(混合物の圧送を1時間持続) 240℃(混合物の圧送を1時間持続) 280℃(混合物の圧送を2時間持続) 昇温速度 30℃/h
始した。スタート時は水素化処理ナフサ(硫黄および窒
素を含まない)を標準の水素化条件(500〜600p
siおよび290℃)で用いて「ブランク」状態とし
た。これは試験の出発点を確立するためである。
のナフサと、厳しさの程度を変えて711時間の作動で
得られたHDS、オクタン価、液状炭化水素収率その他
の結果を示している。
媒が異なる窒素および硫黄含量を有する各種のナフサを
効果的に処理する上、優れたHDS活性と高い液状炭化
水素収率を維持し、かつ所望のオクタン価を維持するこ
とが、明瞭に実証されている。この活性は370℃、4
h−1のLHSV、および250N容積/容積のH2/
HC等を含む厳しい作動条件を通して維持された。
3個の反応容器(50〜150cc容量)が並列に並ん
だユニットを採用して、次の3種類の触媒を同時に評価
した。すなわち100ccのHYC2、100ccのH
DT1、および100ccのHDT2(CoMoP/A
l2O3からなる市販の触媒)である。17重量%のオ
レフィン類と、1260重量ppmの硫黄と、80重量
ppmの窒素を有する供給原料を用いた(表13)。
た。 温度、℃ : 260〜350 圧力、psig : 250〜500 LHSV、h−1 : 3〜8 H2/供給原料、 Nv/v : 110〜250
/オクタン価損失の性能を、異なる従来の水素化処理触
媒と、異なる作動条件において、特に低い厳しさの条件
において比較することであった。
価損失(ROAD)を、異なる触媒についてHDS活性
の関数として図示している。この図によれば従来の水素
化処理触媒においてはHDS活性が88.0重量%から
99.0重量%まで変動しており、HYC2触媒におい
ては92.0から99.0重量%まで変動している。オ
クタン価損失はHDS活性が低くなると減少する。この
オクタン価損失は従来の水素化触媒において、より大き
い。
いて、従来の水素化触媒ではオクタン価損失が約5.8
であるのに対して、HYC2触媒では約3.3が得られ
る。HDS活性が92.0重量%に低下すると、オクタ
ン価損失の差はさらに大きくなり、5.5に対して1.
1である。これらの結果に関連して、HDO活性はそれ
ぞれ5.5および1.1のオクタン価損失に対して8
9.0および46.0重量%であった。
に比較して、オクタン価を最大に保つことを示してい
る。HYC2触媒は従来の水素化処理触媒に比較して、
類似のHDS活性において、生産物中により多くのオレ
フィン類を残留させる傾向がある。
触媒が工程に用いられる作動条件に応じて、いろいろな
選択肢を有することを実証している。すなわち、高い厳
しさの条件における水素転化反応、低い厳しさの条件に
おける高いHDS/HDO比、および中程度の厳しさの
条件における両方の触媒性能である。
素に対して極端に敏感でなく、かつ原料のオクタン価を
保持するような、触媒が提供されたことが理解されるで
あろう。
ことなく、他の形で実現され、または他の方法で実施さ
れ得る。したがって本実施例は全ての点において説明的
なものであって限定的なものではなく、本発明の範囲は
添付の請求範囲によって示され、同一性の意味と範囲に
相当するすべての変更は本発明に包含されるものと見な
される。
クタン価(RON)の関係を図示している。
処理したときの、処理温度と平均分子量の関係を図示し
ている。
ルタROAD)とHDS(水素化脱硫)活性の関係を図
示している。
Claims (25)
- 【請求項1】 供給原料のオクタン価を維持しつつ前記
供給原料を水素化脱硫するための水素転化反応触媒であ
って、該触媒は、 ゼオライトとアルミナの混合物からなる担持体であり、
前記ゼオライトが約1ないし約20のSi/Al比を有
する、担持体と、 前記担持体上の金属活性相であり、該金属活性相が元素
周期表の第6族から選ばれる第一の金属と、元素周期表
の第8族、第9族、第10族からなる群から選ばれる第
二の金属と、元素周期表の第15族から選ばれる第三の
元素とからなる、金属活性相と、を有することを特徴と
する水素転化反応触媒。 - 【請求項2】 前記第一の金属はモリブデンであること
を特徴とする請求項1記載の触媒。 - 【請求項3】 前記第二の金属はニッケル、コバルト、
およびこれらの混合物からなる群から選ばれることを特
徴とする請求項1記載の触媒。 - 【請求項4】 前記第三の元素は燐であることを特徴と
する請求項1記載の触媒。 - 【請求項5】 前記ゼオライトはMFIゼオライトであ
ることを特徴とする請求項1記載の触媒。 - 【請求項6】 前記MFIゼオライトはST−5ゼオラ
イトであることを特徴とする請求項5記載の触媒。 - 【請求項7】 前記担持体は約10ないし約90%重量
の前記ゼオライトと、約90ないし約10%重量の前記
アルミナからなることを特徴とする請求項1記載の触
媒。 - 【請求項8】 前記金属活性相は少なくとも約1%(重
量)の前記第一の金属と、少なくとも約0.5%(重
量)の前記第二の金属と、少なくとも約0.2%(重
量)の前記第三の元素とからなることを特徴とする請求
項1記載の触媒。 - 【請求項9】 前記Si/Al比は約15未満であるこ
とを特徴とする請求項1記載の触媒。 - 【請求項10】 前記Si/Al比は約12未満である
ことを特徴とする請求項1記載の触媒。 - 【請求項11】 炭化水素原料の水素転化反応のための
プロセスであり、該プロセスは、 初期硫黄含量を有する炭化水素原料を準備する工程と、 担持体と前記担持体上の金属活性相とからなる水素転化
反応触媒を準備する工程であり、前記担持体がゼオライ
トとアルミナの混合物からなり、前記ゼオライトが約1
ないし約20のSi/Al比を有し、前記金属活性相が
元素周期表の第6族から選ばれる第一の金属と、元素周
期表の第8族、第9族、第10族からなる群から選ばれ
る第二の金属と、元素周期表の第15族から選ばれる第
三の元素とからなる、工程と、 前記原料を水素転化反応条件のもとに前記触媒に暴露し
て、前記初期硫黄含量より低い最終硫黄含量を有する生
産物を得る工程と、からなることを特徴とするプロセ
ス。 - 【請求項12】 前記炭化水素原料はイソパラフィン類
対n−パラフィン類の初期モル比を有し、前記生産物に
おけるイソパラフィン類対n−パラフィン類の最終モル
比は、前記初期モル比よりも低いことを特徴とする請求
項11記載のプロセス。 - 【請求項13】 前記炭化水素原料はn−パラフィン類
の初期分子量を有し、前記生産物は前記初期分子量より
も低い、前記n−パラフィン類の最終分子量を有するこ
とを特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項14】 前記第一の金属はモリブデンであるこ
とを特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項15】 前記第二の金属はニッケル、コバル
ト、およびこれらの混合物からなる郡より選ばれること
を特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項16】 前記第三の元素は燐であることを特徴
とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項17】 前記水素転化反応条件には、約230
〜約450℃の温度条件が含まれることを特徴とする請
求項11記載のプロセス。 - 【請求項18】 前記ゼオライトはMFIゼオライトで
あることを特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項19】 前記MFIゼオライトはST−5ゼオ
ライトであることを特徴とする請求項18記載のプロセ
ス。 - 【請求項20】 前記原料は窒素を少なくとも約1pp
m含むことを特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項21】 前記暴露工程が単一の反応容器中で実
施されることを特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項22】 前記暴露工程が異なる形状を有する少
なくとも二つの反応容器中で実施されることを特徴とす
る請求項11記載のプロセス。 - 【請求項23】 前記原料はナフサ供給原料であること
を特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項24】 前記Si/Al比が約15未満である
ことを特徴とする請求項11記載のプロセス。 - 【請求項25】 前記Si/Al比が約12未満である
ことを特徴とする請求項11記載のプロセス。
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